KR950007017A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 제조방법 Download PDF

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KR950007017A
KR950007017A KR1019930016593A KR930016593A KR950007017A KR 950007017 A KR950007017 A KR 950007017A KR 1019930016593 A KR1019930016593 A KR 1019930016593A KR 930016593 A KR930016593 A KR 930016593A KR 950007017 A KR950007017 A KR 950007017A
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김명선
김진웅
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Abstract

본 발명은 반도체소자의 감광막 제거방법에 관한 것으로, 감광막 도포, 노광공정 그리고 실리레이션공정, 현상공정으로 감광막패턴을 형성하는 DESIRE(Diffusion Enhanced Silylated Resist) 공정방법에 있어서, 재작업시 마스크의 오류가 발견되어 감광막을 제거할 때, 산소플라즈마에 NF3를 첨가하여 플라즈마 식각만으로 감광막을 개끗이 제거할 수 있다. 그로 인하여 습식식각공정을 배제할 수 있으므로 공정시간을 단축하고 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 효과를 얻게 된다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 종래의 기술에 의해 감광막패턴을 형성하고, 제거하는 공정을 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체소자의 제조방법에 있어서, 감광막을 도포하고 마스크를 이용하여 노광시키는 공정과, 노광지역에 선택적으로 실리콘을 주입시키는 실리레이션 공정과, 건식현상으로 감광막패턴을 형성하는 DESIRE 공정방법에 있어서, 마스크작업에 오류가 발생되어 재작업을 하기 위하여 실리레이션 공정이 진행된 감광막을 제거하기 위하여 감광막을 제거할 때, 산소 플라즈마에 소량의 NF3가스를 첨가하는 반도체소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 산소플라즈마는 사용하지 않고 NF3가스를 첨가하는 반도체소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, NF3가스의 함량을 산소 함량의 10-30%로 공급하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930016593A 1993-08-25 1993-08-25 반도체소자의 제조방법 KR970004428B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100458081B1 (ko) * 1997-06-26 2005-02-23 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의비아홀형성방법

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