KR970017954A - 반도체 장치의 패턴형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 패턴형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
패턴 브릿지(bridge) 및 나칭(notching)현상을 억제할 수 있는 마스크 패턴을 이용한 패턴형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 마스크 기판 상에 형성된 마스크 패턴을 이용하여 반도체 기판 상의 감광막에 상기 마스크 패턴을 전사시키는 패턴형성방법에 있어서, 상기 마스크 패턴에 더미 스페이스가 설치되어 브릿지 및 나칭(notching)현상이 억제된 감광막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴현성방법을 제공한다. 상기 더미스페이스는 복수개 설치할 수 있다. 본 발명은 마스크 패턴에 더미 스페이스를 설치하여 반도체 기판 상의 감광막에 나칭(notching)현상 및 브릿지현상이 억제된 감광막 패턴을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (가) 내지 (다)는 본 발명의 일예에 의한 패턴형성방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
Claims (2)
- 마스크 기판 상에 형성된 마스크 패턴을 이용하여 반도체 기판 상의 감광막에 상기 마스크 패턴을 전사시키는 패턴형성방법에 있어서, 상기 마스크 패턴에 더미 스페이스가 설치되어 브릿지 및 나칭(notching)현상이 억제된 감광막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴현성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 더미 스페이스는 복수개 설치하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950032958A KR970017954A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체 장치의 패턴형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950032958A KR970017954A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체 장치의 패턴형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970017954A true KR970017954A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950032958A KR970017954A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체 장치의 패턴형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970017954A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030001985A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조용 노광 마스크 |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032958A patent/KR970017954A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030001985A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조용 노광 마스크 |
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