KR970017954A - 반도체 장치의 패턴형성방법 - Google Patents

반도체 장치의 패턴형성방법 Download PDF

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KR970017954A
KR970017954A KR1019950032958A KR19950032958A KR970017954A KR 970017954 A KR970017954 A KR 970017954A KR 1019950032958 A KR1019950032958 A KR 1019950032958A KR 19950032958 A KR19950032958 A KR 19950032958A KR 970017954 A KR970017954 A KR 970017954A
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KR1019950032958A
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한우성
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

패턴 브릿지(bridge) 및 나칭(notching)현상을 억제할 수 있는 마스크 패턴을 이용한 패턴형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 마스크 기판 상에 형성된 마스크 패턴을 이용하여 반도체 기판 상의 감광막에 상기 마스크 패턴을 전사시키는 패턴형성방법에 있어서, 상기 마스크 패턴에 더미 스페이스가 설치되어 브릿지 및 나칭(notching)현상이 억제된 감광막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴현성방법을 제공한다. 상기 더미스페이스는 복수개 설치할 수 있다. 본 발명은 마스크 패턴에 더미 스페이스를 설치하여 반도체 기판 상의 감광막에 나칭(notching)현상 및 브릿지현상이 억제된 감광막 패턴을 형성할 수 있다.

Description

반도체 장치의 패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (가) 내지 (다)는 본 발명의 일예에 의한 패턴형성방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.

Claims (2)

  1. 마스크 기판 상에 형성된 마스크 패턴을 이용하여 반도체 기판 상의 감광막에 상기 마스크 패턴을 전사시키는 패턴형성방법에 있어서, 상기 마스크 패턴에 더미 스페이스가 설치되어 브릿지 및 나칭(notching)현상이 억제된 감광막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴현성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 더미 스페이스는 복수개 설치하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950032958A 1995-09-29 1995-09-29 반도체 장치의 패턴형성방법 KR970017954A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030001985A (ko) * 2001-06-28 2003-01-08 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조용 노광 마스크

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KR20030001985A (ko) * 2001-06-28 2003-01-08 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조용 노광 마스크

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