JP3439194B2 - プラズマプロセス用装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 19
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 36
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 11
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理物である基
板に成膜、ドライエッチングなどのプラズマプロセスを
行うプラズマプロセス用装置に係る。
板に成膜、ドライエッチングなどのプラズマプロセスを
行うプラズマプロセス用装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】近年、プラズマプロセス用装置には、高
速に且つ性能の高い成膜やドライエッチングを行うこと
と同時に、その装置の占有面積を小型化し、初期投資お
よび運転コストを抑えることが求められている。
速に且つ性能の高い成膜やドライエッチングを行うこと
と同時に、その装置の占有面積を小型化し、初期投資お
よび運転コストを抑えることが求められている。
【０００３】プラズマドライエッチング装置において
は、被処理物表面垂直方向のエッチング速度を平行方向
に対して大きくする、すなわちエッチング速度の異方性
を高めるため、且つエッチングマスクとなる有機レジス
トの焼け焦げを防ぐために、ステージの冷却媒体による
冷却によって被処理物のプラズマ照射による熱を除去し
ている。プラズマ成膜装置においても被処理物もしくは
薄膜に耐熱性がない場合は冷却が必要になる。
は、被処理物表面垂直方向のエッチング速度を平行方向
に対して大きくする、すなわちエッチング速度の異方性
を高めるため、且つエッチングマスクとなる有機レジス
トの焼け焦げを防ぐために、ステージの冷却媒体による
冷却によって被処理物のプラズマ照射による熱を除去し
ている。プラズマ成膜装置においても被処理物もしくは
薄膜に耐熱性がない場合は冷却が必要になる。
【０００４】特に半導体製造においては、製造コストを
低くするために、高密度プラズマを用いることによって
プロセス速度を高くし、シリコン基板のサイズを直径２
００ｍｍから３００ｍｍへと大口径化することによって
１枚の基板からとれるチップの数を増やして生産性を上
げようとしている。プラズマが高密度になり基板サイズ
が大型化すれば除去しなければならない単位時間当たり
の熱量が大きくなるので、冷却装置が大掛かりになる。
基板の温度分布を均一にしようとすれば冷却媒体の入口
と出口の温度差を小さくしなければならないため冷却媒
体を高速に循環させることが必要になり、循環装置が大
掛かりになる。一般には、冷却機構と循環機構を兼ね備
えたチラーが用いられている。
低くするために、高密度プラズマを用いることによって
プロセス速度を高くし、シリコン基板のサイズを直径２
００ｍｍから３００ｍｍへと大口径化することによって
１枚の基板からとれるチップの数を増やして生産性を上
げようとしている。プラズマが高密度になり基板サイズ
が大型化すれば除去しなければならない単位時間当たり
の熱量が大きくなるので、冷却装置が大掛かりになる。
基板の温度分布を均一にしようとすれば冷却媒体の入口
と出口の温度差を小さくしなければならないため冷却媒
体を高速に循環させることが必要になり、循環装置が大
掛かりになる。一般には、冷却機構と循環機構を兼ね備
えたチラーが用いられている。
【０００５】被処理物を載せるステージには、冷却機構
以外に、被処理物をステージに密着させるための静電チ
ャック機構、プラズマを生成するためまたはプラズマか
らのイオン照射エネルギーを制御するための高周波もし
くは直流電圧電極機構、被処理物とステージの熱伝達を
良くするため被処理物とステージの隙間にヘリウムガス
を充填させる機構、被処理物もしくはステージの温度モ
ニター機構などが設けられる。
以外に、被処理物をステージに密着させるための静電チ
ャック機構、プラズマを生成するためまたはプラズマか
らのイオン照射エネルギーを制御するための高周波もし
くは直流電圧電極機構、被処理物とステージの熱伝達を
良くするため被処理物とステージの隙間にヘリウムガス
を充填させる機構、被処理物もしくはステージの温度モ
ニター機構などが設けられる。
【０００６】従来、直流電圧もしくは高周波を印加する
ステージを冷却する場合、直流電圧、高周波を絶縁する
ために、冷媒として低誘電率、低電気伝導度のフッ素系
不活性液体が用いられている。
ステージを冷却する場合、直流電圧、高周波を絶縁する
ために、冷媒として低誘電率、低電気伝導度のフッ素系
不活性液体が用いられている。
【０００７】しかし、上記従来技術では、使用している
冷媒の比熱、熱伝導率が小さく、熱を奪う能力が低いた
め、冷媒をチラーによってマイナス数十度まで冷却し、
ステージとの温度差を大きくして熱を奪う能力を上げて
いる。この低温の冷媒の供給配管を長く引き回すと断熱
が大掛かりになり、またこの冷媒は高価であるため必要
量が大きくなるとコストが高くなる。従って通常は各プ
ラズマプロセス用装置の近傍に比較的小型の冷媒チラー
装置を設置している。
冷媒の比熱、熱伝導率が小さく、熱を奪う能力が低いた
め、冷媒をチラーによってマイナス数十度まで冷却し、
ステージとの温度差を大きくして熱を奪う能力を上げて
いる。この低温の冷媒の供給配管を長く引き回すと断熱
が大掛かりになり、またこの冷媒は高価であるため必要
量が大きくなるとコストが高くなる。従って通常は各プ
ラズマプロセス用装置の近傍に比較的小型の冷媒チラー
装置を設置している。
【０００８】したがって、本発明は、小型で低コストな
ステージ冷却機構を有するプラズマプロセス用装置を提
供することを目的とする。
ステージ冷却機構を有するプラズマプロセス用装置を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、 プラズマを励起させるために必要な原料ガスを供給する
ガス供給システムと、それを排気し容器内を減圧にする
ための排気システムを有し、その容器内においてプラズ
マを励起させ、前記プラズマ中で被処理物の処理を行う
ように構成されたプラズマプロセス用装置において、 前容器の内部に被処理物を載せる導電性のステージが設
けてあり、 前記ステージには直流電圧もしくは高周波を印加できる
構造が設けられており、 前記ステージの内部には被処理物を冷却するための冷却
媒体流路が設けられており、 前記冷却媒体流路には前記ステージの熱を前記冷却媒体
に伝えるために熱伝導度が高く、前記ステージに印加し
た直流電圧もしくは高周波を前記冷却媒体に伝えないよ
うに電気絶縁性が高い材料を用い、 前記冷却媒体として水ベースの液体を用い、 かつ、該水ベースの液体は、標準酸化還元電位が標準水
素電極を基準電極として０以下の還元性の液体であるこ
とを特徴とするものである。
めに本発明では、 プラズマを励起させるために必要な原料ガスを供給する
ガス供給システムと、それを排気し容器内を減圧にする
ための排気システムを有し、その容器内においてプラズ
マを励起させ、前記プラズマ中で被処理物の処理を行う
ように構成されたプラズマプロセス用装置において、 前容器の内部に被処理物を載せる導電性のステージが設
けてあり、 前記ステージには直流電圧もしくは高周波を印加できる
構造が設けられており、 前記ステージの内部には被処理物を冷却するための冷却
媒体流路が設けられており、 前記冷却媒体流路には前記ステージの熱を前記冷却媒体
に伝えるために熱伝導度が高く、前記ステージに印加し
た直流電圧もしくは高周波を前記冷却媒体に伝えないよ
うに電気絶縁性が高い材料を用い、 前記冷却媒体として水ベースの液体を用い、 かつ、該水ベースの液体は、標準酸化還元電位が標準水
素電極を基準電極として０以下の還元性の液体であるこ
とを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１〜
４に基づいて説明する。
４に基づいて説明する。
【００１１】図１は本実施例で用いたプラズマプロセス
用装置を示すものである。直径２００ｍｍのシリコン基
板上に形成されたシリコン酸化膜をドライエッチングす
るための装置であり、基板ステージ１０５に印加する高
周波によってプラズマが励起される。
用装置を示すものである。直径２００ｍｍのシリコン基
板上に形成されたシリコン酸化膜をドライエッチングす
るための装置であり、基板ステージ１０５に印加する高
周波によってプラズマが励起される。
【００１２】１０１はプロセスを行う容器本体であり、
１０２のガス供給システムによって１０４のプラズマを
励起させるために必要な原料ガスを供給し、１０３の排
気システムによって原料および反応副生成ガスを排気す
る。その際、必要により容器１０１内を減圧する。１
３．５６ＭＨｚの電源１０６および整合器１０７によっ
て被処理物を載せるステージ１０５に高周波を印加する
ことによってプラズマ１０４を励起させる。ステージ１
０５下部には冷却媒体入口１０８および出口１０９のポ
ートが設けられている。
１０２のガス供給システムによって１０４のプラズマを
励起させるために必要な原料ガスを供給し、１０３の排
気システムによって原料および反応副生成ガスを排気す
る。その際、必要により容器１０１内を減圧する。１
３．５６ＭＨｚの電源１０６および整合器１０７によっ
て被処理物を載せるステージ１０５に高周波を印加する
ことによってプラズマ１０４を励起させる。ステージ１
０５下部には冷却媒体入口１０８および出口１０９のポ
ートが設けられている。
【００１３】図２は一般的なステージの冷却機構の詳細
を示すものである。２０１はステージ本体であり、熱伝
導性の良い銅やアルミニウムなどの導体からなり、この
部分に直流電圧もしくは高周波が印加される。２０３は
冷却媒体の流路であり、本体２０１と一体で形成されて
いるか、本体２０１と同様の熱伝導性の良い導体材料で
加工して、本体とロウ付け２０４またはネジなどによっ
て固定されている。冷却媒体流路２０３は絶縁性のチュ
ーブ２０６を介してチラー２０７に接続されており、チ
ラー２０７が冷媒の温度コントロールおよび循環を行っ
ている。ステージ本体に印加した直流電圧もしくは高周
波が冷媒にリークするのを防ぐために、絶縁性の冷媒が
用いられている。
を示すものである。２０１はステージ本体であり、熱伝
導性の良い銅やアルミニウムなどの導体からなり、この
部分に直流電圧もしくは高周波が印加される。２０３は
冷却媒体の流路であり、本体２０１と一体で形成されて
いるか、本体２０１と同様の熱伝導性の良い導体材料で
加工して、本体とロウ付け２０４またはネジなどによっ
て固定されている。冷却媒体流路２０３は絶縁性のチュ
ーブ２０６を介してチラー２０７に接続されており、チ
ラー２０７が冷媒の温度コントロールおよび循環を行っ
ている。ステージ本体に印加した直流電圧もしくは高周
波が冷媒にリークするのを防ぐために、絶縁性の冷媒が
用いられている。
【００１４】表１は前記冷却機構で使用される代表的な
冷却媒体と水の物性を示すものである。絶縁性の冷却媒
体として代表的なものはフロリナート（３Ｍ社製）とガ
ルデン（アウジモント社製）である。これらはフッ素系
不活性液体であり絶縁性である。これらの冷却媒体は、
水と比較した場合、比熱、熱伝導率が小さいために、ス
テージ本体２０１の冷却効率を上げるためには、冷媒を
マイナス数十度まで冷却する必要がある。
冷却媒体と水の物性を示すものである。絶縁性の冷却媒
体として代表的なものはフロリナート（３Ｍ社製）とガ
ルデン（アウジモント社製）である。これらはフッ素系
不活性液体であり絶縁性である。これらの冷却媒体は、
水と比較した場合、比熱、熱伝導率が小さいために、ス
テージ本体２０１の冷却効率を上げるためには、冷媒を
マイナス数十度まで冷却する必要がある。
【００１５】一方、図３は本発明のステージ冷却機構の
詳細を示すものである。冷却媒体には５〜１０℃の水を
用いている。表１に示すように水は比熱、熱伝導率とも
にフッ素系不活性液体と比べて大きいため、この位の温
度で十分である。この水ラインに直流電流や高周波が伝
わらないようにするための工夫がなされている。
詳細を示すものである。冷却媒体には５〜１０℃の水を
用いている。表１に示すように水は比熱、熱伝導率とも
にフッ素系不活性液体と比べて大きいため、この位の温
度で十分である。この水ラインに直流電流や高周波が伝
わらないようにするための工夫がなされている。
【００１６】
【表１】
３０１はステージ本体であり、熱伝導性の良い銅、アル
ミニウムなどの導体からなり、この部分に直流電圧もし
くは高周波が印加される。３０３は冷却媒体の流路であ
り、高熱伝導率絶縁材料である窒化アルミニウムセラミ
ックスからなり、本体にロウ付け３０４によって固定し
ている。冷却媒体流路３０３には絶縁性材料であるパー
フルオロアルコキシ（ＰＦＡ）製の継ぎ手３０５によっ
てＰＦＡチューブ３０６が接続されており、ステージ下
部のカバー３１４の底面部分でステンレス製継ぎ手３０
７を接続し、この部分で接地している。冷却水の循環は
ポンプ３１１によって行い、ステージの温度モニター３
１３が設定温度より高い値を検出した場合、冷却水入口
３０９から流量コントローラ３１２によって５〜１０℃
の冷却水が加えられ、それと等量の水が出口３１０に排
出される。冷却水入口３０９および出口３１０はクリー
ンルーム内を循環している装置冷却水ラインに接続され
ている。
ミニウムなどの導体からなり、この部分に直流電圧もし
くは高周波が印加される。３０３は冷却媒体の流路であ
り、高熱伝導率絶縁材料である窒化アルミニウムセラミ
ックスからなり、本体にロウ付け３０４によって固定し
ている。冷却媒体流路３０３には絶縁性材料であるパー
フルオロアルコキシ（ＰＦＡ）製の継ぎ手３０５によっ
てＰＦＡチューブ３０６が接続されており、ステージ下
部のカバー３１４の底面部分でステンレス製継ぎ手３０
７を接続し、この部分で接地している。冷却水の循環は
ポンプ３１１によって行い、ステージの温度モニター３
１３が設定温度より高い値を検出した場合、冷却水入口
３０９から流量コントローラ３１２によって５〜１０℃
の冷却水が加えられ、それと等量の水が出口３１０に排
出される。冷却水入口３０９および出口３１０はクリー
ンルーム内を循環している装置冷却水ラインに接続され
ている。
【００１７】ステージ本体に高周波を印加する場合、高
周波をプラズマ励起に使い、カバー３１４内部のステー
ジ３０１と接地部３０７の間のチューブ３０６で損失さ
せないためにその間の抵抗を極力大きくすることが、ま
た水の電気分解による気泡発生を防ぐために、チューブ
を長くし水に掛かる電界強度を小さくことが必要であ
る。チューブ３０６を必要以上に細長くすると冷却水の
圧損が大きくなってしまうことから、本装置では外径１
／４インチ（約６．３５ｍｍ）、長さ３０ｃｍのチュー
ブを選定した。
周波をプラズマ励起に使い、カバー３１４内部のステー
ジ３０１と接地部３０７の間のチューブ３０６で損失さ
せないためにその間の抵抗を極力大きくすることが、ま
た水の電気分解による気泡発生を防ぐために、チューブ
を長くし水に掛かる電界強度を小さくことが必要であ
る。チューブ３０６を必要以上に細長くすると冷却水の
圧損が大きくなってしまうことから、本装置では外径１
／４インチ（約６．３５ｍｍ）、長さ３０ｃｍのチュー
ブを選定した。
【００１８】チューブのサイズはステージ３０１に印加
する高周波電力の大きさに応じて最適化される。
する高周波電力の大きさに応じて最適化される。
【００１９】ステージ本体３０１と冷却媒体流路３０３
の接続部３０４はロウ付けに限られるのもではなく、ネ
ジ止めなどによって機械的に接触させても構わない。そ
の場合接触部分に熱伝導性の良いグリースを塗布してお
くとより確実に熱をステージ本体３０１から冷却媒体流
路３０３に伝えることができる。
の接続部３０４はロウ付けに限られるのもではなく、ネ
ジ止めなどによって機械的に接触させても構わない。そ
の場合接触部分に熱伝導性の良いグリースを塗布してお
くとより確実に熱をステージ本体３０１から冷却媒体流
路３０３に伝えることができる。
【００２０】なお、冷却媒体流路３０３は銅やアルミニ
ウムなどの金属で構成し、その表面に窒化アルミニウム
セラミックスからなる部材を貼り付けたり、溶射によっ
て表面に窒化アルミニウムセラミックスを被覆したもの
でも構わない。
ウムなどの金属で構成し、その表面に窒化アルミニウム
セラミックスからなる部材を貼り付けたり、溶射によっ
て表面に窒化アルミニウムセラミックスを被覆したもの
でも構わない。
【００２１】また、冷却水の循環方法は上記の方法に限
られるものではなく、装置近傍にチラーを設置しても構
わない。その場合もフッ素系不活性媒体の場合と比べて
冷却温度が高いことからチラーが小型化できる。
られるものではなく、装置近傍にチラーを設置しても構
わない。その場合もフッ素系不活性媒体の場合と比べて
冷却温度が高いことからチラーが小型化できる。
【００２２】なお、前記冷却水は冷却水供給設備の腐食
を防ぐ為に還元性水である方が望ましい。還元性水は水
に水素ガスをバブリング等の手法により溶解させること
で得られる。このように形成される冷却水は、標準酸化
還元電位が標準水素電極を基準電極として０以下の還元
性を有している。
を防ぐ為に還元性水である方が望ましい。還元性水は水
に水素ガスをバブリング等の手法により溶解させること
で得られる。このように形成される冷却水は、標準酸化
還元電位が標準水素電極を基準電極として０以下の還元
性を有している。
【００２３】以下、本発明の装置によって、シリコン酸
化膜のドライエッチングプロセス中にステージ３０１を
冷却した結果について説明する。プロセス条件は次の通
りである。冷却媒体は本発明で使用する水と、比較のた
めにフロリナート（３Ｍ社製）について結果を示す。 （プロセス条件） 基板ステージ高周波：１３．５６ＭＨｚ／１５００Ｗ プロセスガス：Ｃ４Ｆ８／ＣＯ／Ｏ２／Ａｒ＝１０／５
０／５／２００ｓｃｃｍ プロセス圧力：５．３３Ｐａ（約４０ｍＴｏｒｒ） 基板：０．７５ｍｍシリコン基板／１．６μｍシリコン
酸化膜／０．８μｍフォトレジスト（φ０．１５μｍホ
ールパターン形成） 基板ステージ温度：２０℃にコントロール 冷却媒体：水またはフッ素系不活性液体フロリナート
（３Ｍ社製） ステージを２０℃に保つために必要な冷却媒体の温度
は、高周波電力に依存する。図４は冷却媒体温度の高周
波電力依存性の測定結果を示している。高周波電力が０
〜２，０００Ｗの範囲で、フロリナートおよび水それぞ
れ−２５℃〜２０℃と１５〜２０℃であり、水はフロリ
ナートと比べて熱伝導が９倍高いため、冷却する温度が
約１／９で同様の効果が得られることが確認された。
化膜のドライエッチングプロセス中にステージ３０１を
冷却した結果について説明する。プロセス条件は次の通
りである。冷却媒体は本発明で使用する水と、比較のた
めにフロリナート（３Ｍ社製）について結果を示す。 （プロセス条件） 基板ステージ高周波：１３．５６ＭＨｚ／１５００Ｗ プロセスガス：Ｃ４Ｆ８／ＣＯ／Ｏ２／Ａｒ＝１０／５
０／５／２００ｓｃｃｍ プロセス圧力：５．３３Ｐａ（約４０ｍＴｏｒｒ） 基板：０．７５ｍｍシリコン基板／１．６μｍシリコン
酸化膜／０．８μｍフォトレジスト（φ０．１５μｍホ
ールパターン形成） 基板ステージ温度：２０℃にコントロール 冷却媒体：水またはフッ素系不活性液体フロリナート
（３Ｍ社製） ステージを２０℃に保つために必要な冷却媒体の温度
は、高周波電力に依存する。図４は冷却媒体温度の高周
波電力依存性の測定結果を示している。高周波電力が０
〜２，０００Ｗの範囲で、フロリナートおよび水それぞ
れ−２５℃〜２０℃と１５〜２０℃であり、水はフロリ
ナートと比べて熱伝導が９倍高いため、冷却する温度が
約１／９で同様の効果が得られることが確認された。
【００２４】また、高周波が空中に漏れて伝搬していな
いかを調べるためにアルファラボ社製電界強度計を用い
て測定したところ、水の場合でも高周波電力が最大の
２，０００Ｗの場合において計測器検出限界の０．０１
ｍＷ／ｃｍ２以下であった。
いかを調べるためにアルファラボ社製電界強度計を用い
て測定したところ、水の場合でも高周波電力が最大の
２，０００Ｗの場合において計測器検出限界の０．０１
ｍＷ／ｃｍ２以下であった。
【００２５】以上の例では、被処理物としてシリコン基
板を例に用いて説明したが、ガラス基板など、他の被処
理物においても適用されることは言うまでもない。
板を例に用いて説明したが、ガラス基板など、他の被処
理物においても適用されることは言うまでもない。
【００２６】本発明によれば、高価なチラーや低誘電
率、低電気伝導性を備えた特別な冷媒が不要になり、装
置コストを低減できしかも装置占有面積も小さくしたプ
ラズマプロセス用装置を提供することができる。 ［図面の簡単な説明］
率、低電気伝導性を備えた特別な冷媒が不要になり、装
置コストを低減できしかも装置占有面積も小さくしたプ
ラズマプロセス用装置を提供することができる。 ［図面の簡単な説明］
【図１】本発明に係るプラズマプロセス用装置の一例を
示す模式的な断面図である。
示す模式的な断面図である。
【図２】一般的なプラズマプロセス用装置の被処理物を
載せるステージの冷却機構を示す模式的な断面図であ
る。
載せるステージの冷却機構を示す模式的な断面図であ
る。
【図３】本発明に係るプラズマプロセス用装置の被処理
物を載せるステージの冷却機構を示す模式的な断面図で
ある。
物を載せるステージの冷却機構を示す模式的な断面図で
ある。
【図４】本発明に係るプラズマプロセス用装置のプラズ
マ励起用高周波電力の被処理物を載せるステージを冷却
する冷却媒体温度との関係を示すグラフである。
マ励起用高周波電力の被処理物を載せるステージを冷却
する冷却媒体温度との関係を示すグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−42721（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−121333（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−346256（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−17849（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−117795（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/3065
H01L 21/31
Claims (8)
- 【請求項１】 プラズマを励起させるために必要な原料
ガスを供給するガス供給システムと、それを排気し容器
内を減圧にするための排気システムを有し、その容器内
においてプラズマを励起させ、前記プラズマ中で被処理
物の処理を行うように構成されたプラズマプロセス用装
置において、 前容器の内部に被処理物を載せる導電性のステージが設
けてあり、 前記ステージには直流電圧もしくは高周波を印加できる
構造が設けられており、 前記ステージの内部には被処理物を冷却するための冷却
媒体流路が設けられており、 前記冷却媒体流路には前記ステージの熱を前記冷却媒体
に伝えるために熱伝導度が高く、前記ステージに印加し
た直流電圧もしくは高周波を前記冷却媒体に伝えないよ
うに電気絶縁性が高い材料を用い、 前記冷却媒体として水ベースの液体を用い、 かつ、該水ベースの液体は、標準酸化還元電位が標準水
素電極を基準電極として０以下の還元性の液体であるプ
ラズマプロセス用装置。 - 【請求項２】 前記冷却媒体流路の前記冷却媒体と接す
る少なくとも表面が、窒化アルミニウムを成分に含む物
質によって覆われている請求項１記載のプラズマプロセ
ス用装置。 - 【請求項３】 前記窒化アルミニウムを成分に含む物質
が、窒化アルミニウムセラミックスである請求項１また
は請求項２に記載のプラズマプロセス用装置。 - 【請求項４】 前記冷却媒体流路が窒化アルミニウムセ
ラミックスである請求項１から３いずれかに記載のプラ
ズマプロセス用装置。 - 【請求項５】 前記水ベースの液体は純水である請求項
１乃至４のいずかれか１項に記載のプラズマプロセス用
装置。 - 【請求項６】 前記ステージの前記冷却媒体が取り出さ
れる部位を接地したことを特徴とする請求項１乃至５の
いずかれか１項に記載のプラズマプロセス用装置。 - 【請求項７】 前記ステージと前記接地された部位との
間における抵抗値を、前記プラズマの励起に用いる高周
波が損失しない値に設定したことを特徴とする請求項６
記載のプラズマプロセス用装置。 - 【請求項８】 前記冷却媒体の循環を行うポンプと、 前記冷却媒体の温度をモニターする温度モニターと、 前記温度モニターのモニター結果から、前記冷却媒体の
温度が設定値より上昇した際、温度が上昇した前記冷却
媒体を排出すると共に、冷えた冷却媒体を注入する流量
コントローラとを設けたことを特徴とする請求項１乃至
７のいずかれか１項に記載のプラズマプロセス用装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-103037 | 1999-03-05 | ||
| JP10303799 | 1999-03-05 | ||
| PCT/JP2000/001293 WO2000054315A1 (fr) | 1999-03-05 | 2000-03-03 | Dispositif de traitement au plasma |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002370897A Division JP3865239B2 (ja) | 1999-03-05 | 2002-12-20 | プラズマプロセス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3439194B2 true JP3439194B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=14343476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000604444A Expired - Fee Related JP3439194B2 (ja) | 1999-03-05 | 2000-03-03 | プラズマプロセス用装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6423178B1 (ja) |
| EP (1) | EP1083591A4 (ja) |
| JP (1) | JP3439194B2 (ja) |
| KR (1) | KR100390665B1 (ja) |
| TW (1) | TW498705B (ja) |
| WO (1) | WO2000054315A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688229B1 (ko) * | 2001-01-19 | 2007-02-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 건식식각 장치 |
| US20060023395A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for temperature control of semiconductor wafers |
| US8294068B2 (en) | 2008-09-10 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal processing lamphead with improved cooling |
| US11646183B2 (en) * | 2020-03-20 | 2023-05-09 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with arc resistant coolant conduit |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4997677A (en) * | 1987-08-31 | 1991-03-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Vapor phase reactor for making multilayer structures |
| JP2692162B2 (ja) * | 1988-08-02 | 1997-12-17 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング装置 |
| JP2541851B2 (ja) * | 1989-03-10 | 1996-10-09 | 富士通株式会社 | 有機物の剥離方法 |
| DE69017258T2 (de) * | 1989-05-08 | 1995-08-03 | Applied Materials Inc | Verfahren und Vorrichtung zum Erwärmen und Kühlen von Plättchen in einer Halbleiterplättchenbearbeitungseinrichtung. |
| JP2939355B2 (ja) * | 1991-04-22 | 1999-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| EP0628644B1 (en) * | 1993-05-27 | 2003-04-02 | Applied Materials, Inc. | Improvements in or relating to susceptors suitable for use in chemical vapour deposition devices |
| JP3377830B2 (ja) | 1993-06-04 | 2003-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ装置およびその運転方法 |
| US5625526A (en) * | 1993-06-01 | 1997-04-29 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck |
| JP2943691B2 (ja) * | 1996-04-25 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5948283A (en) * | 1996-06-28 | 1999-09-07 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for enhancing outcome uniformity of direct-plasma processes |
| JP2000150752A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | 電子装置の冷却装置 |
-
2000
- 2000-03-03 JP JP2000604444A patent/JP3439194B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-03 TW TW089103797A patent/TW498705B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-03 EP EP00906684A patent/EP1083591A4/en not_active Withdrawn
- 2000-03-03 KR KR10-2000-7012198A patent/KR100390665B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-03-03 WO PCT/JP2000/001293 patent/WO2000054315A1/ja active IP Right Grant
- 2000-10-05 US US09/679,062 patent/US6423178B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1083591A1 (en) | 2001-03-14 |
| KR20010043251A (ko) | 2001-05-25 |
| US6423178B1 (en) | 2002-07-23 |
| WO2000054315A1 (fr) | 2000-09-14 |
| EP1083591A4 (en) | 2008-11-26 |
| TW498705B (en) | 2002-08-11 |
| KR100390665B1 (ko) | 2003-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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