JP4339442B2 - プラズマプロセス用装置 - Google Patents
プラズマプロセス用装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4339442B2 JP4339442B2 JP12235799A JP12235799A JP4339442B2 JP 4339442 B2 JP4339442 B2 JP 4339442B2 JP 12235799 A JP12235799 A JP 12235799A JP 12235799 A JP12235799 A JP 12235799A JP 4339442 B2 JP4339442 B2 JP 4339442B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- plasma
- cooling
- high frequency
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物に対して成膜やドライエッチングなどのプラズマプロセスを行うプラズマプロセス用装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
プラズマプロセス用装置のような半導体装置は、被処理物として、例えば、シリコン基板であるウエハの処理を行う。そして、近年、プラズマプロセス用装置には、高速で性能の高い成膜やドライエッチングを行うことが求められている。同時に、プラズマプロセス用装置の占有面積を小型化して、初期投資および運転コストを抑えることが求められている。
【0003】
プラズマプロセス用装置の一例が特開平08−148478号公報に示されている。このようなプラズマプロセス用装置は、チャンバ内にステージを備え、このステージに載せられたシリコン基板に対して処理を行う。また、プラズマプロセス用装置には、加熱型と冷却型とがある。
【0004】
冷却型の装置であるプラズマドライエッチング装置では、おもに冷却ステージが用いられている。被処理物表面に対して垂直方向のエッチング速度を平行方向に比べて大きくするため、すなわち、エッチング速度の異方性を高めるために、ステージに冷却媒体を供給する。この冷却媒体を用いた冷却によって、プラズマ照射で発生する、被処理物の熱を除去している。かつ、ステージの冷却は、エッチングマスクとなる有機レジストの焼け焦げを防ぐためにも必要である。同じように、プラズマ成膜装置においても、被処理物または薄膜に耐熱性がない場合、ステージの冷却が必要になる。
【0005】
一方、加熱型の成膜装置であるプラズマCVD装置等では、おもに加熱ステージが用いられている。そして、被処理物であるシリコン基板の温度が、膜質の特性に重要なパラメータとなるため、シリコン基板の加熱が必要になる。このために、ステージ内部にヒータなどを埋め込み、シリコン基板の温度を制御している。
【0006】
このようなプラズマプロセス用装置では、製造コストを低くするために、高密度プラズマを用いて、プロセス速度を高くしている。また、シリコン基板のサイズを直径200[mm]から300[mm]へと大口径化することによって、1枚の基板からとれるチップの数を増やし、生産性を上げようとしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
プラズマプロセス用装置では、シリコン基板を処理するために投入したRF(高周波)パワーのうち、プラズマに流れずに、寄生容量を介してチャンバ側に流れるRF電流やマッチング回路による電力損失が全体の約6割程度あると報告されている。シリコン基板の大口径化に伴い、RFバイアスの消費電力が増加した場合、寄生容量が電力ロスの大きな要因として問題点となっている。
【0008】
また、直流電圧または高周波を印加するステージの場合、直流電圧または高周波を絶縁するために、アルミナセラミックスとコバールを溶射したものが一般的に用いられている。そこで、真空シールや断熱の機能も果たしているが、シリコン基板の大口径化に伴い、先に述べた寄生容量の問題や強度および断熱について、ステージ構造の問題点がある。また、高密度のマイクロ波励起プラズマの場合、プラズマシースが従来の平行平板や誘導結合方式などで励起されたプラズマよりも薄い。このため、従来の方式でRFバイアスを印加すると、給電した近傍付近のみにバイアスがかかり、面内で均一にかからない可能性がある。このために、歩留まりの悪化等が発生する。
【0009】
本発明の目的は、このような問題点を解決するために、消費する電力のロスを少なくし、また、プロセス時間の短縮や歩留まりの向上を可能にするプラズマプロセス用装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマプロセス用装置は、容器内でプラズマを励起させ、前記容器内に置かれた被処理物の処理を前記プラズマで行い、前記プラズマによる処理を制御するために、高周波のバイアスを加えるプラズマプロセス用装置において、前記容器内でプラズマを励起するプラズマ励起源と、前記高周波のバイアスを加える高周波発生装置と、前記容器内の底部に設けられ、前記高周波を絶縁し、かつ、断熱するために、絶縁性材料で作られている絶縁断熱手段と、前記絶縁断熱手段に重ねて設けられ、前記高周波が加えられてバイアスを発生する複数のビア線によって電気的に接続されている二重構造の電極板を内部に備えるステージと、前記ステージを載せるように載置された、あるいは前記ステージ内に載置された、前記被処理物の温度を制御する温度調整手段とを具備した載置手段とを備えることを特徴とする。
【0011】
本発明では、前記温度調整手段は、冷却用の冷却媒体を供給する供給部と、前記前記載置手段に設けられると共に、前記供給部からの冷却媒体を流す流路とを備え、前記載置手段は、前記電極を内部に備えるステージと、前記ステージと前記絶縁断熱手段との間に配置されると共に前記流路を内部に備え、前記供給部からの冷却媒体によって前記ステージを冷却する冷却プレートとを備えることを特徴とする。
【0012】
本発明では、前記温度調整手段は、加熱用の電源を供給する電源部と、前記載置手段内に設けられると共に、前記電源部からの電源供給で発熱するヒータとを備えることを特徴とする。
【0013】
本発明では、前記絶縁断熱手段の材料が石英あるいはアルミナセラミックスであることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【0015】
[発明の実施の形態1]
図1は、本発明の実施の形態1を示す構成図である。実施の形態1では、冷却ステージを有するプラズマプロセス用装置である冷却ステージ搭載型プラズマプロセス用装置に本発明が適用されている。この冷却ステージ搭載型プラズマプロセス用装置は、直径200[mm]のシリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜をドライエッチングする。
【0016】
この冷却ステージ搭載型プラズマプロセス用装置は、容器本体1、マイクロ波発生部2、ガス供給システム3、排気システム4、供給部として冷却システム5、高周波供給部6および冷却ステージ部7を備えている。
【0017】
容器本体1は、プロセスを行う容器であり、チャンバなどである。容器本体1内にシリコン基板が置かれると、容器本体1が密閉される。つまり、容器本体1は、開閉可能な密閉容器である。
【0018】
容器本体1には、マイクロ波発生部2が設置されている。マイクロ波発生部2は、マイクロ波発生装置2A、導波管2Bおよびラジアルラインスロットアンテナ2Cを備えている。マイクロ波発生装置2Aで発振、増幅された2.45[GHz]のマイクロ波が導波管2Bを経て、ラジアルラインスロットアンテナ2Cに加えられる。ラジアルラインスロットアンテナ2Cは、容器本体1内の天井に設置されている。ラジアルラインスロットアンテナ2Cによって、マイクロ波が平面状に、かつ、均一に放射される。これによって、ラジアルラインスロットアンテナ2Cの下側には、プラズマ100が励起される。
【0019】
容器本体1には、ガス供給システム3が設置されている。ガス供給システム3は、原料ガスを供給するガス供給装置3Aと、原料ガスを容器本体1内に流す供給管3Bとを備えている。ガス供給システム3によって、容器本体1には、プラズマ100を励起させるために必要な原料ガスが供給される。
【0020】
プラズマ100の励起に際して、余剰の原料ガスと反応副生成ガスとが発生する。これらのガスを排気するのが、容器本体1に設置されている排気システム4である。排気システム4は、容器本体1内のガスを流す排気管4Aと、ガスを排気する排気装置4Bとを備えている。排気システム4によって、余剰の原料ガスと反応副生成ガスとが排気され、かつ、容器本体1内が減圧される。
【0021】
容器本体1には、冷却システム5と高周波供給部6とが設置されている。冷却システム5は、配管5A,5Bと冷却装置5Cとを備えている。冷却装置5Cは、気化された冷却媒体を配管5Bから回収すると、この冷却媒体を液化し、配管5Aに送る。冷却媒体は、冷却ステージ部7に供給される。高周波供給部6は、高周波発生装置6Aと整合器6Bとを備えている。高周波発生装置6Aは、高周波を発生する。高周波発生装置6Aからの高周波は、整合器6Bと配線6Cとを経て冷却ステージ部7に加えられる。
【0022】
容器本体1内には、冷却ステージ部7が設置されている。冷却ステージ部7は、ステージ7A、冷却プレート7Bおよび絶縁断熱手段として絶縁断熱用プレート7Cを備えている。実施の形態1では、ステージ7Aと冷却プレート7Bとが載置手段を構成する。冷却ステージ部7では、ステージ7A、冷却プレート7Bおよび絶縁断熱用プレート7Cが順に重ねられている。
【0023】
ステージ7Aは、シリコン基板を載せるためのものである。ステージ7Aは、1×108[Ω・cm]以上の体積抵抗をもつ材料で作られている。また、ステージ7Aには、高周波供給部6からの高周波がバイアスとして加えられる。高周波のバイアスを加えるために、ステージ7A内には、二層構造の電極が設けられている。この二層構造の電極については、次の実施の形態2で詳しく述べる。2.45[GHz]のマイクロ波で励起されたプラズマ100に対して、ステージ7Aに高周波バイアスを印加することによって、プラズマ100からステージ7Aに入射するイオンエネルギが調整される。
【0024】
ステージ7Aの下部には、冷却プレート7Bが設置されている。冷却プレート7Bには、冷却システム5の配管5A,5Bが取り付けられて、冷却システム5からの冷却媒体が冷却プレート7B内の流路701を流れ、冷却プレート7Bが冷却される。この結果、ステージ7Aも冷却されることになる。ステージ7Aの冷却のために、冷却プレート7Bは、熱伝導度が高い材料で作られている。
【0025】
冷却プレート7Bの下部と容器本体1の底部との間には、絶縁断熱用プレート7Cが設置されている。絶縁断熱用プレート7Cは、高周波を絶縁するために誘電率が低く、かつ、断熱のために熱伝導度が小さい材料で作られている。このような材料として、石英(酸化珪素)、アルミナセラミックス等がある。また、絶縁断熱用プレート7Cは、断熱を効率的にするために、冷却プレート7Bなどに比べて厚く作られている。なお、絶縁断熱用プレート7Cの代わりに、絶縁断熱用フランジを用いてもよい。絶縁断熱用プレート7Cによって、ステージ7Aに印加された高周波が絶縁され、かつ、冷却プレート7Bが容器本体1側と断熱される。
【0026】
実施の形態1によって、寄生容量によるRFパワーの電力ロスと、シリコン基板の温度を制御する低温循環チラーである冷却システム5の電力ロスとを低減することができる。またシース容量の大きな(シースの薄い)プラズマに対して、シリコン基板内で均一にRFバイアスを印加することができる。
【0027】
[発明の実施の形態2]
図2は、本発明の実施の形態2を示す構成図である。実施の形態2では、加熱ステージを有するプラズマプロセス用装置である加熱ステージ搭載型プラズマプロセス用装置に本発明が適用されている。この加熱ステージ搭載型プラズマプロセス用装置は、直径200[mm]のシリコン基板上にダイヤモンド薄膜を成膜する。
【0028】
この加熱ステージ搭載型プラズマプロセス用装置は、容器本体1、マイクロ波発生部2、ガス供給システム3、排気システム4、高周波供給部6、加熱システム11および加熱ステージ部12を備えている。なお、図2では、図1と同じ機能をもつ部材に同じ番号を付けて、その説明を省略している。
【0029】
容器本体1には、実施の形態1の冷却システム5の代わりに、加熱システム11が設置されている。加熱システム11は、配線11A,11Bと電源装置11Cとを備えている。電源装置11Cは、配線11A,11Bを経て加熱用の電源を加熱システム11に加える。電源としては、直流または交流が用いられる。
【0030】
容器本体1には、実施の形態1の冷却ステージ部7の代わりに、加熱ステージ部12が設けられている。加熱ステージ部12は、載置手段として加熱ステージ12A、絶縁断熱用プレート12Bおよび支持フランジ12Cを備えている。加熱ステージ部12では、加熱ステージ12A、絶縁断熱用プレート12Bおよび支持フランジ12Cが順に重ねられている。実施の形態2では、絶縁断熱用プレート12Bと支持フランジ12Cとが絶縁断熱手段を構成する。
【0031】
加熱ステージ12Aの内部には、図3に示すように、加熱システム11からの電源が供給されるヒータ電極121が埋め込まれている。ヒータ電極121は、供給された電源による抵抗加熱で加熱ステージ12Aの温度を上げる。この結果、加熱ステージ12Aに載せられたシリコン基板が昇温される。
【0032】
また、加熱ステージ12Aの内部には、高周波バイアスを加えるために電極が設けられている。この電極の一例を図4に示す。図4の電極は、二層構造の電極であり、円形の電極板122と、電極板122の径より大きい円形の電極板123とを備えている。電極板122,123は、メッシュになっている。これによって、加熱ステージ12Aがヒータ電極121で加熱された場合、加熱ステージ12Aと電極板122との熱膨張率の違いから、電極板122,123の応力が加熱ステージ12Aに働くことが軽減される。電極板123は、複数のビア配線124によって電極板122と電気的に接続されている。ビア配線124は、円柱状の導体である。ビア配線124の配置の様子を図5に示す。ビア配線124は、電極板123に対して均一に分散するように配置されている。
【0033】
電極板122に加えられた高周波は、複数のビア配線124を経て電極板123に供給される。これによって、高周波は、プラズマ100側の高周波電極である電極板123へ伝わり、プラズマへ面内で均一に流れる。これは、次のような理由による。つまり、従来では、プラズマと電極と間のキャパシタンスが小さかったので、電極の抵抗またはインダクタンスの影響がなく、高周波が電極で均一化されて、プラズマに流れる。しかし、高密度低温プラズマでは、プラズマと電極との間のキャパシタンスが大きい。このために、電極に対する供給点の付近から、高周波がプラズマに流れてしまう。したがって、電極板122とプラズマ側に位置する電極板123とを複数のビア配線124で接続し、複数の供給点になるビア配線124から高周波を供給すると、高周波が電極板123の面内からプラズマに対して均一に流れる。
【0034】
加熱ステージ12Aの下部には、絶縁断熱用プレート12Bが設置されている。絶縁断熱用プレート12Bは、実施の形態1の絶縁断熱用プレート7Cと同じように、高周波を絶縁するために誘電率が低く、かつ、断熱のために熱伝導度が小さい材料で作られている。絶縁断熱用プレート12Bによって、加熱ステージ12Aに印加された高周波が絶縁され、かつ、高温になった加熱ステージ12Aを容器本体1側と断熱する。なお、絶縁断熱用プレート12Bの代わりに、絶縁断熱用フランジを用いてもよい。
【0035】
支持フランジ12Cは、絶縁断熱用プレート12Bを支持するためのものである。
【0036】
実施の形態2によって、寄生容量によるRFパワーの電力ロスと、加熱ステージ12A内のヒータ電極121の電力ロスとを低減することができる。また、シース容量の大きなプラズマに対して、シリコン基板面内で均一にRFバイアスすることができる。
【0037】
【実施例】
以下、実施の形態1の冷却ステージ搭載型プラズマプロセス用装置の冷却ステージ部7を使用した具体例について説明する。この実施例では、冷却ステージ部7のステージ7Aに300[W]のRFバイアスを印加して、シリコン酸化膜のドライエッチングプロセスを行った。プロセス条件は次の通りである。
【0038】
マイクロ波電源出力:2.45[GHz]/1500[W]
ステージ高周波電力出力:13.56[MHz]/300[W]
プロセスガス:C4F8/CO/O2/Ar
=10/50/5/200[sccm]
プロセス圧力:40[mTorr]
基板:0.8[μm]フオトレジスト(φ0.15[μm]ホールパターン形成)/1.6[μm]シリコン酸化膜/0.75[mm]シリコン基板
基板ステージ温度:20[℃]に制御
冷却媒体:フッ素系不活性液体ガルデンHT−110(アウジモンド社製)
【0039】
このプロセス条件によって、従来のステージ構造では、次のようになった。すなわち、8インチ基板内において、シリコン酸化膜のエッチングレートは、中心で約400[nm]/[min]、中心から90[mm]の位置で380[nm]/[min]のように、面内でのばらつきがあった。
【0040】
しかし、本発明の装置を用いることにより、中心、中心から90[mm]の位置で、同一条件で両者とも約550[nm]/[min]という結果が得られた。550[nm]/[min]という結果は、従来のステージ構造で500[W]のRFバイアスを印加した場合の、ウェハ中心のエッチングレートと同等であり、面内のばらつきがなくなっている。この結果から、絶縁断熱用プレート7Cの採用によって、効率的にRFパワーをプラズマに供給でき、かつ、二層構造の高周波電極によって、面内で均一に高周波を印加できることが確認された。
【0041】
また、実施の形態2の加熱ステージ搭載型プラズマプロセス用装置の加熱ステージ部12を用い、加熱ステージ12Aを200[℃]に保った状態での、電源装置11Cの出力結果について説明する。従来装置で8インチのステージを200[℃]に保った状態で、ヒータの消費電力が約40[W]程度であった。しかし、本発明では、絶縁断熱用プレート12Bを用いることによって、約20[W]となり、断熱性が向上したことが確認された。
【0042】
以上、実施の形態1,2と実施例とについて説明したが、本発明がこれに限定されることはない。例えば、実施の形態1,2では、プラズマによる処理を制御するために、高周波のバイアスを用いたが、直流電圧によるバイアスを用いてもよい。
【0043】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によれば、絶縁によってバイアス用の高周波が寄生容量によって容器側に流れることを防止し、かつ、断熱によって温度調節に用いた冷熱が逃げることを防ぐので、消費する電力のロスを少なくすることができ、しかも、プロセス時間の短縮や歩留まりの向上を可能にする。この結果、装置のランニングコストを低く抑えることができる。
【0044】
また、埋め込み電極をプラズマ側から順に二層構造にすることで、シース容量の大きなプラズマに対して被処理物面内で均一に高周波バイアスが印加できるようになり、オーバーエッチ時間の短縮や歩留まりの向上が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1を示す構成図である。
【図2】本発明の実施の形態2を示す構成図である。
【図3】実施の形態2の加熱ステージの断面を示す断面図である。
【図4】実施の形態2の加熱ステージに設置されている電極を示す斜視図である。
【図5】実施の形態2の加熱ステージに用いられているビア配線の配置を示す平面図である。
【符号の説明】
1 容器本体
2 マイクロ波発生部
2A マイクロ波発生装置
2B 導波管
2C ラジアルラインスロットアンテナ
3 ガス供給システム
3A ガス供給装置
3B 供給管
4 排気システム
4A 排気管
4B 排気装置
5 冷却システム
5A,5B 配管
5C 冷却装置
6 高周波供給部
6A 高周波発生装置
6B 整合器
6C,11A,11B 配線
7 冷却ステージ部
7A ステージ
7B 冷却プレート
7C 絶縁断熱用プレート
11 加熱システム
11C 電源装置
12 加熱ステージ部
12A 加熱ステージ
12B 絶縁断熱用プレート
12C 支持フランジ
71,72 電極板
100 プラズマ
121 ヒータ電極
122,123 電極板
124 ビア配線
701 流路
Claims (3)
- 容器内でプラズマを励起させ、前記容器内に置かれた被処理物の処理を前記プラズマで行い、前記プラズマによる処理を制御するために、高周波のバイアスを加えるプラズマプロセス用装置において、
前記容器内でプラズマを励起するプラズマ励起源と、
前記高周波のバイアスを加える高周波発生装置と、
前記容器内の底部に設けられ、前記高周波を絶縁し、かつ、断熱するために、絶縁性材料で作られている絶縁断熱手段と、
前記絶縁断熱手段に重ねて設けられ、前記高周波が加えられてバイアスを発生する複数のビア線によって電気的に接続されている二重構造の電極板を内部に備えるステージと、前記ステージを載せるように載置された、あるいは前記ステージ内に載置された、前記被処理物の温度を制御する温度調整手段とを具備した載置手段とを備えることを特徴とするプラズマプロセス用装置。 - 前記温度調整手段は、冷却用の冷却媒体を供給する供給部からの冷却媒体を流す流路とを備えた冷却プレートであって、前記ステージを載せるように載置されており、前記冷却媒体によって前記ステージを冷却することを特徴とする請求項1記載のプラズマプロセス用装置。
- 前記温度調整手段は、前記ステージ内に載置されたヒータであって、前記ヒータは、電源部からの電源供給によって発熱し、前記ステージを加熱することを特徴とする請求項1記載のプラズマプロセス用装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12235799A JP4339442B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | プラズマプロセス用装置 |
TW089107988A TW462091B (en) | 1999-04-28 | 2000-04-27 | Plasma process apparatus |
KR1020000022785A KR100726744B1 (ko) | 1999-04-28 | 2000-04-28 | 플라즈마 처리 장치 |
US11/445,472 US20060278596A1 (en) | 1999-04-28 | 2006-06-02 | Shelf divider system |
US11/445,492 US20070012401A1 (en) | 1999-04-28 | 2006-06-02 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12235799A JP4339442B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | プラズマプロセス用装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000315679A JP2000315679A (ja) | 2000-11-14 |
JP4339442B2 true JP4339442B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=14833910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12235799A Expired - Lifetime JP4339442B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | プラズマプロセス用装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070012401A1 (ja) |
JP (1) | JP4339442B2 (ja) |
KR (1) | KR100726744B1 (ja) |
TW (1) | TW462091B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100390880B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-07-10 | 엘지마이크론 주식회사 | 열처리장치의 캐비티 |
WO2003073489A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement a plasma et unite d'alimentation |
JP4538242B2 (ja) | 2004-01-23 | 2010-09-08 | 株式会社東芝 | 剥離装置及び剥離方法 |
JP2010038531A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-02-18 | Ihi Corp | 熱処理装置 |
JP6571344B2 (ja) * | 2015-02-19 | 2019-09-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06103665B2 (ja) * | 1987-01-29 | 1994-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2875095B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-03-24 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
JP3263721B2 (ja) * | 1993-02-01 | 2002-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP3174837B2 (ja) * | 1993-01-20 | 2001-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US5800618A (en) * | 1992-11-12 | 1998-09-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof |
US5567267A (en) * | 1992-11-20 | 1996-10-22 | Tokyo Electron Limited | Method of controlling temperature of susceptor |
US5478429A (en) * | 1993-01-20 | 1995-12-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma process apparatus |
JPH06244147A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP3258839B2 (ja) * | 1994-11-24 | 2002-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
JPH1074600A (ja) * | 1996-05-02 | 1998-03-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH10308299A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置 |
US6074488A (en) * | 1997-09-16 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc | Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring |
US6267839B1 (en) * | 1999-01-12 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved RF power distribution |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP12235799A patent/JP4339442B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-27 TW TW089107988A patent/TW462091B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-04-28 KR KR1020000022785A patent/KR100726744B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-06-02 US US11/445,492 patent/US20070012401A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070012401A1 (en) | 2007-01-18 |
KR20000071858A (ko) | 2000-11-25 |
JP2000315679A (ja) | 2000-11-14 |
KR100726744B1 (ko) | 2007-06-11 |
TW462091B (en) | 2001-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100960424B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마 처리 장치 | |
US6089182A (en) | Plasma processing apparatus | |
TWI769351B (zh) | 用於清潔形成半導體裝置之工具之組件及系統以及相關方法 | |
JP4067858B2 (ja) | Ald成膜装置およびald成膜方法 | |
TWI469238B (zh) | 電漿蝕刻處理裝置及電漿蝕刻處理方法 | |
JP4129855B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
EP0759632B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
TW201936014A (zh) | 電漿處理裝置 | |
JPH09260474A (ja) | 静電チャックおよびウエハステージ | |
JPH10223621A (ja) | 真空処理装置 | |
JP4583618B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH09115895A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20070012401A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2003109946A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2010045170A (ja) | 試料載置電極 | |
TW202141681A (zh) | 載置台及基板處理裝置 | |
JP3150027B2 (ja) | プラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を用いたプラズマ処理装置 | |
JP2004014752A (ja) | 静電チャック、被処理体載置台およびプラズマ処理装置 | |
JP3323928B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH1064984A (ja) | ウエハステージ | |
JP3646793B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3501910B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2023067767A (ja) | 基板支持器、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JPH07183277A (ja) | 処理装置 | |
JP3709272B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080611 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090325 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090525 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090617 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090702 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |