JP3263721B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JP3263721B2 JP3263721B2 JP03755293A JP3755293A JP3263721B2 JP 3263721 B2 JP3263721 B2 JP 3263721B2 JP 03755293 A JP03755293 A JP 03755293A JP 3755293 A JP3755293 A JP 3755293A JP 3263721 B2 JP3263721 B2 JP 3263721B2
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- holder
- electrode
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程で用い
られる処理装置に関する。
られる処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程では、半導体ウエハの表
面に薄膜を形成したり、半導体ウエハの薄膜を除去した
りすることが行なわれており、このような成膜工程及び
除膜工程には減圧ＣＶＤ装置、スパッタリング装置ある
いはエッチング装置などの処理装置が広く用いられてい
る。例えば、プラズマエッチング装置の場合には、下部
電極の載置台上に半導体ウエハを載置し、上部電極との
間でイオン、ラジカル等の活性種を発生させてエッチン
グ処理を行なうようにしているが、その際、半導体ウエ
ハ及び下部電極が活性種の衝突エネルギーなどでそれぞ
れの温度が上昇するため、下部電極に内蔵された冷却機
構で下部電極を冷却して一定の低温下でエッチング処理
を行なうようにしている。ところが、冷却機構と載置台
間にはこれらの構成部材間の境界に僅かではあるが細隙
が形成され、これらの細隙で冷却機構からの伝熱量が阻
害されるため、各細隙にはＨｅ等の熱伝導性に優れた熱
伝導性ガスを供給して各構成部材間の熱抵抗を下げて載
置台をできるだけ効率良く冷却するようにしている。
面に薄膜を形成したり、半導体ウエハの薄膜を除去した
りすることが行なわれており、このような成膜工程及び
除膜工程には減圧ＣＶＤ装置、スパッタリング装置ある
いはエッチング装置などの処理装置が広く用いられてい
る。例えば、プラズマエッチング装置の場合には、下部
電極の載置台上に半導体ウエハを載置し、上部電極との
間でイオン、ラジカル等の活性種を発生させてエッチン
グ処理を行なうようにしているが、その際、半導体ウエ
ハ及び下部電極が活性種の衝突エネルギーなどでそれぞ
れの温度が上昇するため、下部電極に内蔵された冷却機
構で下部電極を冷却して一定の低温下でエッチング処理
を行なうようにしている。ところが、冷却機構と載置台
間にはこれらの構成部材間の境界に僅かではあるが細隙
が形成され、これらの細隙で冷却機構からの伝熱量が阻
害されるため、各細隙にはＨｅ等の熱伝導性に優れた熱
伝導性ガスを供給して各構成部材間の熱抵抗を下げて載
置台をできるだけ効率良く冷却するようにしている。
【０００３】また最近では、半導体デバイスが１６ＭＤ
ＲＡＭ、６４ＭＤＲＡＭと高集積化し、その配線構造を
形成するにはハーフミクロン、クォータミクロンオーダ
ーの超微細加工が要求されており、それに伴って従来以
上にイオンの方向を揃えて異方性エッチングを達成する
必要から液体窒素などの冷媒を用いて下部電極を−数１
０℃以下の超低温に制御して半導体ウエハを超低温に冷
却する必要が生じて来ている。
ＲＡＭ、６４ＭＤＲＡＭと高集積化し、その配線構造を
形成するにはハーフミクロン、クォータミクロンオーダ
ーの超微細加工が要求されており、それに伴って従来以
上にイオンの方向を揃えて異方性エッチングを達成する
必要から液体窒素などの冷媒を用いて下部電極を−数１
０℃以下の超低温に制御して半導体ウエハを超低温に冷
却する必要が生じて来ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
処理装置は、４ＭＤＲＡＭ以前の微細加工、つまり０.
８ミクロンまでのサブミクロンオーダーの設計ルールで
の微細加工に対応することができるが、最近のように１
６ＭＤＲＡＭ以降のハーフミクロン、クォータミクロン
オーダーの設計ルールになると上述のように電極を超低
温に維持する必要性が益々必要になるが、従来の処理装
置の電極構造ではその断熱性が十分でなく、電極を超低
温に維持することが困難であり、また、高周波電圧下で
その絶縁性を維持することが難しくなる可能性があり、
微細加工プロセスに対応した処理を精度良く行なうこと
が難しくなるという課題があった。
処理装置は、４ＭＤＲＡＭ以前の微細加工、つまり０.
８ミクロンまでのサブミクロンオーダーの設計ルールで
の微細加工に対応することができるが、最近のように１
６ＭＤＲＡＭ以降のハーフミクロン、クォータミクロン
オーダーの設計ルールになると上述のように電極を超低
温に維持する必要性が益々必要になるが、従来の処理装
置の電極構造ではその断熱性が十分でなく、電極を超低
温に維持することが困難であり、また、高周波電圧下で
その絶縁性を維持することが難しくなる可能性があり、
微細加工プロセスに対応した処理を精度良く行なうこと
が難しくなるという課題があった。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、被処理体の処理時にそれを保持する電極を
超低温に安定的に維持することができると共に電極に印
加する高周波電圧に対して安定した絶縁性を維持するこ
とができ、しかも被処理体を超低温域で所望の温度に制
御することができ、もって１６ＭＤＲＡＭ以降の高集積
回路に対応した超微細加工を低ダメージで行なうことが
できる処理装置を提供することを目的としている。
れたもので、被処理体の処理時にそれを保持する電極を
超低温に安定的に維持することができると共に電極に印
加する高周波電圧に対して安定した絶縁性を維持するこ
とができ、しかも被処理体を超低温域で所望の温度に制
御することができ、もって１６ＭＤＲＡＭ以降の高集積
回路に対応した超微細加工を低ダメージで行なうことが
できる処理装置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の処理
装置の電極構造の使用材料について詳細に見直した結
果、従来の処理装置の電極はその周囲がアルミナ製のホ
ルダーで被覆されており、しかもアルミナはその熱伝導
率が約２１［Ｗ／ｍ・Ｋ］で、誘電率が約１０［１ＭＨ
z］という高い値を有しており、このようなことから従
来は電極の断熱性及び高周波電圧下での絶縁性について
十分に配慮されていないことを知見した。従って、本発
明は上記知見に基づいてなされたものである。尚、誘電
率が約１０［１ＭＨz］とは、周波数１ＭＨｚの電圧を
ホルダーを形成するアルミナに印加してその誘電率を測
定した時に得られた誘電率の値が約１０であることを意
味する。従って、［１ＭＨz］は誘電率の測定条件を表
している。
装置の電極構造の使用材料について詳細に見直した結
果、従来の処理装置の電極はその周囲がアルミナ製のホ
ルダーで被覆されており、しかもアルミナはその熱伝導
率が約２１［Ｗ／ｍ・Ｋ］で、誘電率が約１０［１ＭＨ
z］という高い値を有しており、このようなことから従
来は電極の断熱性及び高周波電圧下での絶縁性について
十分に配慮されていないことを知見した。従って、本発
明は上記知見に基づいてなされたものである。尚、誘電
率が約１０［１ＭＨz］とは、周波数１ＭＨｚの電圧を
ホルダーを形成するアルミナに印加してその誘電率を測
定した時に得られた誘電率の値が約１０であることを意
味する。従って、［１ＭＨz］は誘電率の測定条件を表
している。
【０００７】即ち、本発明の請求項１に記載の処理装置
は、 被処理体を保持する保持体と、この保持体を冷却
する冷却ブロックと、これら両者間に介在し上記保持体
の温度を調整する温度調整機構と、これらを支持する支
持台とを有する電極を備え、上記電極の周面に断熱、絶
縁性材料からなるホルダーを設け、上記電極で被処理体
を保持し、この被処理体を上記冷却ブロックにより冷却
しながら上記温度調整機構を介して所定の温度で処理を
行なう処理装置において、上記冷却ブロックと上 記支持
台間及び上記電極と上記ホルダー間にそれぞれ形成され
た境界細隙に、これらの境界細隙を封止するためにそれ
ぞれ設けられたシール部材と、これらのシール部材を介
して封止された上記各境界細隙から上記電極の外部へ通
じる流通路と、これらの流通路を介して上記各境界細隙
を減圧する排気手段とを備え、且つ、上記ホルダーを熱
伝導率λが２［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下で且つその誘電率εが
５［１ＭＨz］以下の断熱、絶縁性材料によって形成し
たものである。
は、 被処理体を保持する保持体と、この保持体を冷却
する冷却ブロックと、これら両者間に介在し上記保持体
の温度を調整する温度調整機構と、これらを支持する支
持台とを有する電極を備え、上記電極の周面に断熱、絶
縁性材料からなるホルダーを設け、上記電極で被処理体
を保持し、この被処理体を上記冷却ブロックにより冷却
しながら上記温度調整機構を介して所定の温度で処理を
行なう処理装置において、上記冷却ブロックと上 記支持
台間及び上記電極と上記ホルダー間にそれぞれ形成され
た境界細隙に、これらの境界細隙を封止するためにそれ
ぞれ設けられたシール部材と、これらのシール部材を介
して封止された上記各境界細隙から上記電極の外部へ通
じる流通路と、これらの流通路を介して上記各境界細隙
を減圧する排気手段とを備え、且つ、上記ホルダーを熱
伝導率λが２［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下で且つその誘電率εが
５［１ＭＨz］以下の断熱、絶縁性材料によって形成し
たものである。
【０００８】また、本発明の請求項２に記載の処理装置
は、請求項１に記載の発明において、上記ホルダーを珪
素酸化物によって形成したものである。
は、請求項１に記載の発明において、上記ホルダーを珪
素酸化物によって形成したものである。
【０００９】また、本発明の請求項３に記載の処理装置
は、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記冷却ブロックと上記温度調整機構の間、及び上記温
度調整機構と上記保持体の間にそれぞれ介在する各境界
細隙にそれぞれを封止する第２のシール部材を設けると
共にこれらのシール部材で封止された上記各境界細隙か
ら上記電極の外部へ通じる第２の流通路を延設し、且つ
第２の流通路を介して上記各境界細隙に熱伝導性に優れ
た気体を供給する気体供給源及び第２の流通路を介して
上記各境界細隙を排気する排気手段をそれぞれ設けると
共に上記気体供給源及び排気手段を上記各境界細隙に連
通するように切り替える切替手段を上記流通路に設けた
ものである。
は、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記冷却ブロックと上記温度調整機構の間、及び上記温
度調整機構と上記保持体の間にそれぞれ介在する各境界
細隙にそれぞれを封止する第２のシール部材を設けると
共にこれらのシール部材で封止された上記各境界細隙か
ら上記電極の外部へ通じる第２の流通路を延設し、且つ
第２の流通路を介して上記各境界細隙に熱伝導性に優れ
た気体を供給する気体供給源及び第２の流通路を介して
上記各境界細隙を排気する排気手段をそれぞれ設けると
共に上記気体供給源及び排気手段を上記各境界細隙に連
通するように切り替える切替手段を上記流通路に設けた
ものである。
【００１０】
【作用】本発明の請求項１ないし請求項３に記載の発明
によれば、切替手段を切り替えて気体供給源を流通路を
介して冷却ブロックと温度調整機構の間、及び温度調整
機構と保持体の間のぞれぞれに介在する各境界細隙に同
時に連通させた後、気体供給源から流通路を介して上記
各境界細隙に熱伝導性に優れた気体を流して各境界細隙
での熱伝導性を高める一方、排気手段により冷却ブロッ
クと支持台間及び電極とホルダー間に形成された各境界
細隙を排気して断熱すると、ホルダーは熱伝導率λが２
［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下で且つその誘電率εが５［１ＭＨ
z］以下の断熱、絶縁性材料によって形成されているた
め、ホルダーから電極内への入熱を遮断して冷却ブロッ
クにより電極で保持する被処理体を効率良く冷却して所
定の低温を維持することができると共に、電極とその周
辺間の高周波放電を防止し、所定の低温で被処理体に安
定した超微細加工を施すことができる。
によれば、切替手段を切り替えて気体供給源を流通路を
介して冷却ブロックと温度調整機構の間、及び温度調整
機構と保持体の間のぞれぞれに介在する各境界細隙に同
時に連通させた後、気体供給源から流通路を介して上記
各境界細隙に熱伝導性に優れた気体を流して各境界細隙
での熱伝導性を高める一方、排気手段により冷却ブロッ
クと支持台間及び電極とホルダー間に形成された各境界
細隙を排気して断熱すると、ホルダーは熱伝導率λが２
［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下で且つその誘電率εが５［１ＭＨ
z］以下の断熱、絶縁性材料によって形成されているた
め、ホルダーから電極内への入熱を遮断して冷却ブロッ
クにより電極で保持する被処理体を効率良く冷却して所
定の低温を維持することができると共に、電極とその周
辺間の高周波放電を防止し、所定の低温で被処理体に安
定した超微細加工を施すことができる。
【００１１】
【実施例】以下、図１に示すプラズマエッチング装置を
例に挙げて本発明を説明する。本実施例の処理装置は、
図１に示すように、例えばアルミニウム等の導電性材料
からなる処理室１と、この処理室１内の底面に配設され
且つ被処理体としての半導体ウエハＷを載置した状態で
保持するサセプタ２１を備えた下部電極２と、この下部
電極２の上方に例えば１５〜２０ｍｍの間隔を隔てて配
設された上部電極３とを備えて構成されている。そし
て、上記処理室１には排気装置４が配管４１を介して接
続され、この排気装置４によって上記処理室１内を減圧
雰囲気、例えば１０−２Torr以下の減圧状態を形成する
ように構成されている。また、上記下部電極２にはブロ
ッキングコンデンサ５、マッチング回路５Ａを介して高
周波電源６が接続され、上記高周波電源６の電圧を下部
電極２に印加して接地された上部電極３との間でＣＦ4
等のエッチング用ガスをプラズマ化してイオン、ラジカ
ル等の活性種を生成するように構成されている。更に、
上記上部電極３は中空状に形成され、その上面に中空内
にエッチング用ガスを供給する供給配管３Ａが接続さ
れ、また、その下面にエッチング用ガスを噴出する孔３
Ｂが複数分散形成され、分散した複数の孔３Ｂからエッ
チング用ガスを処理室１内に供給し、下部電極２と上部
電極３間の放電により生成するイオン、ラジカル等の活
性種により半導体ウエハＷをエッチングするように構成
されている。
例に挙げて本発明を説明する。本実施例の処理装置は、
図１に示すように、例えばアルミニウム等の導電性材料
からなる処理室１と、この処理室１内の底面に配設され
且つ被処理体としての半導体ウエハＷを載置した状態で
保持するサセプタ２１を備えた下部電極２と、この下部
電極２の上方に例えば１５〜２０ｍｍの間隔を隔てて配
設された上部電極３とを備えて構成されている。そし
て、上記処理室１には排気装置４が配管４１を介して接
続され、この排気装置４によって上記処理室１内を減圧
雰囲気、例えば１０−２Torr以下の減圧状態を形成する
ように構成されている。また、上記下部電極２にはブロ
ッキングコンデンサ５、マッチング回路５Ａを介して高
周波電源６が接続され、上記高周波電源６の電圧を下部
電極２に印加して接地された上部電極３との間でＣＦ4
等のエッチング用ガスをプラズマ化してイオン、ラジカ
ル等の活性種を生成するように構成されている。更に、
上記上部電極３は中空状に形成され、その上面に中空内
にエッチング用ガスを供給する供給配管３Ａが接続さ
れ、また、その下面にエッチング用ガスを噴出する孔３
Ｂが複数分散形成され、分散した複数の孔３Ｂからエッ
チング用ガスを処理室１内に供給し、下部電極２と上部
電極３間の放電により生成するイオン、ラジカル等の活
性種により半導体ウエハＷをエッチングするように構成
されている。
【００１２】次に、上記下部電極２について詳述する。
上記下部電極２は、図１に示すように、半導体ウエハＷ
を載置するサセプタ２１及びこのサセプタ２１を冷却す
る冷却機構としての冷却ブロック２２と、この冷却ブロ
ック２２と上記サセプタ２１間に介装された温度調整機
構２３と、これらを支承する支持台２４と、これらの構
成部材の周囲を囲む本実施例の特徴であるホルダー２５
とを備え、上記サセプタ２１上に配置され且つ半導体ウ
エハＷの大きさに形成された静電チャック２６に半導体
ウエハＷを静電吸着させた状態で半導体ウエハＷを冷却
ブロック２２により冷却しながらエッチング処理を行な
うように構成されている。
上記下部電極２は、図１に示すように、半導体ウエハＷ
を載置するサセプタ２１及びこのサセプタ２１を冷却す
る冷却機構としての冷却ブロック２２と、この冷却ブロ
ック２２と上記サセプタ２１間に介装された温度調整機
構２３と、これらを支承する支持台２４と、これらの構
成部材の周囲を囲む本実施例の特徴であるホルダー２５
とを備え、上記サセプタ２１上に配置され且つ半導体ウ
エハＷの大きさに形成された静電チャック２６に半導体
ウエハＷを静電吸着させた状態で半導体ウエハＷを冷却
ブロック２２により冷却しながらエッチング処理を行な
うように構成されている。
【００１３】そして、上記冷却ブロック２２は、冷媒と
して例えば液体窒素Ｌを貯留する冷媒貯留部２２Ａと、
この冷媒貯留部２２Ａに液体窒素Ｌを供給する冷媒供給
配管２２Ｂ及び気化した窒素ガスを排出するガス排出配
管２２Ｃとを備えて構成されている。これらの冷媒供給
配管２２Ｂ及びガス排出配管２２Ｃは、減圧２重管ジョ
イント（図示せず）によって上記処理室１に接続され、
各配管２２Ｂ、２２Ｃ内に極力入熱しないように構成さ
れている。また、上記温度調整機構２３は、セラミック
ス製のヒータ２３Ａとこのヒータ２３Ａを固定、支持す
る支持部材２３Ｂとを備え、半導体ウエハＷの冷却温度
に応じて冷却ブロック２２からの冷熱の流入の度合を調
整できるように構成されている。また、上記静電チャッ
ク２６は、例えばポリイミド系樹脂等の絶縁材料によっ
て形成されたチャックシートの内部に導電膜２６Ａを有
し、この導電膜２６Ａに電源により電圧を印加した時に
発生する表面のクーロン力により半導体ウエハＷを吸着
するように構成されている。そして、上記サセプタ２
１、冷却ブロック２２及びヒータ２３Ａの支持部材２３
Ｂは熱伝導性の良いアルミニウム等によって形成されて
いる。
して例えば液体窒素Ｌを貯留する冷媒貯留部２２Ａと、
この冷媒貯留部２２Ａに液体窒素Ｌを供給する冷媒供給
配管２２Ｂ及び気化した窒素ガスを排出するガス排出配
管２２Ｃとを備えて構成されている。これらの冷媒供給
配管２２Ｂ及びガス排出配管２２Ｃは、減圧２重管ジョ
イント（図示せず）によって上記処理室１に接続され、
各配管２２Ｂ、２２Ｃ内に極力入熱しないように構成さ
れている。また、上記温度調整機構２３は、セラミック
ス製のヒータ２３Ａとこのヒータ２３Ａを固定、支持す
る支持部材２３Ｂとを備え、半導体ウエハＷの冷却温度
に応じて冷却ブロック２２からの冷熱の流入の度合を調
整できるように構成されている。また、上記静電チャッ
ク２６は、例えばポリイミド系樹脂等の絶縁材料によっ
て形成されたチャックシートの内部に導電膜２６Ａを有
し、この導電膜２６Ａに電源により電圧を印加した時に
発生する表面のクーロン力により半導体ウエハＷを吸着
するように構成されている。そして、上記サセプタ２
１、冷却ブロック２２及びヒータ２３Ａの支持部材２３
Ｂは熱伝導性の良いアルミニウム等によって形成されて
いる。
【００１４】また、本実施例では上記ホルダー２５が断
熱、絶縁性材料によって形成されている。この断熱、絶
縁性材料は熱伝導率λが２［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下で且つそ
の誘電率εが５［１ＭＨz］以下からなるものである。
断熱、絶縁性材料の熱伝導率が２［Ｗ／ｍ・Ｋ］を超え
ると断熱性が十分でなく、エッチング処理時に下部電極
２の周囲からの入熱が大きくなり上記冷却ブロック２１
によって半導体ウエハＷを安定した超低温に維持するこ
とが困難になる虞があって好ましくない。また、断熱、
絶縁性材料の誘電率εが５［１ＭＨz］を超えると高周
波電圧下での絶縁性が十分でなく放電する可能性があ
り、安定した高周波電圧を印加することが難しくなる虞
があって好ましくない。また、このような断熱、絶縁性
材料としては、例えば、石英ガラス、硼珪酸ガラス等の
無機材料、及びフッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリ
アミドイミド系樹脂、ＰＥＥＫ等の有機材料を挙げるこ
とができる。
熱、絶縁性材料によって形成されている。この断熱、絶
縁性材料は熱伝導率λが２［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下で且つそ
の誘電率εが５［１ＭＨz］以下からなるものである。
断熱、絶縁性材料の熱伝導率が２［Ｗ／ｍ・Ｋ］を超え
ると断熱性が十分でなく、エッチング処理時に下部電極
２の周囲からの入熱が大きくなり上記冷却ブロック２１
によって半導体ウエハＷを安定した超低温に維持するこ
とが困難になる虞があって好ましくない。また、断熱、
絶縁性材料の誘電率εが５［１ＭＨz］を超えると高周
波電圧下での絶縁性が十分でなく放電する可能性があ
り、安定した高周波電圧を印加することが難しくなる虞
があって好ましくない。また、このような断熱、絶縁性
材料としては、例えば、石英ガラス、硼珪酸ガラス等の
無機材料、及びフッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリ
アミドイミド系樹脂、ＰＥＥＫ等の有機材料を挙げるこ
とができる。
【００１５】また、上記下部電極２を構成するサセプタ
２１、温度調整機構２３及び冷却ブロック２２それぞれ
の各境界に僅かではあるが境界細隙δ１及びδ２が形成
され、また、上記冷却ブロック２２と支持台２４の境界
及び上記サセプタ２１及びその下方に積層された各構成
部材とこれらを囲むカバー部材２５の境界にも僅かな境
界細隙δ３及びδ４が形成されている。そして、本実施
例では、上記下部電極２は内部の冷却ブロック２２の冷
熱が上述のように上記ホルダー２５によって外部へ伝達
しないように構成され、更に、その各境界細隙δ１、δ
２、δ３及びδ４を後述のように利用して冷却ブロック
２２の冷熱を効果的に利用するように構成されている。
２１、温度調整機構２３及び冷却ブロック２２それぞれ
の各境界に僅かではあるが境界細隙δ１及びδ２が形成
され、また、上記冷却ブロック２２と支持台２４の境界
及び上記サセプタ２１及びその下方に積層された各構成
部材とこれらを囲むカバー部材２５の境界にも僅かな境
界細隙δ３及びδ４が形成されている。そして、本実施
例では、上記下部電極２は内部の冷却ブロック２２の冷
熱が上述のように上記ホルダー２５によって外部へ伝達
しないように構成され、更に、その各境界細隙δ１、δ
２、δ３及びδ４を後述のように利用して冷却ブロック
２２の冷熱を効果的に利用するように構成されている。
【００１６】即ち、上記境界細隙δ１、δ２の各周縁部
にはシール部材２７Ａ、２７Ｂがそれぞれ設けられてい
ると共に、これらのシール部材２７Ａ、２７Ｂで囲まれ
た上記各境界細隙δ１、δ２から上記下部電極２の外
部、即ち上記処理室１の外部へ通じる流通路２８Ａが延
設されている。また、上記処理室１の外部には、上記各
流通路２８Ａを介して上記各境界細隙δ１、δ２に熱伝
導性に優れた気体として例えばＨｅガスを供給する気体
供給源２９Ａ及び上記各流通路２８Ａを介して上記各境
界細隙を排気する排気ポンプ３０Ａがそれぞれ設けられ
ていると共に、上記各流通路２８Ａの連結部には上記気
体供給源２８Ａ及び排気ポンプ３０Ａを上記流通路２８
Ａを介して境界細隙δ１及び／または境界細隙δ２に連
通するように切り替える三方切替弁３１Ａが設けられて
いる。そして、この三方切替弁３１Ａと上記気体供給源
２９Ａ及び排気ポンプ３０Ａとの間の流通路２８Ａには
開閉弁３２Ａが配設され、これらの開閉弁３２Ａによっ
てそれぞれの流通路２８Ａを開閉するように構成されて
いる。また、上記三方切替弁３１Ａ及び開閉弁３２Ａは
図示しない制御装置によって適宜開閉可能に制御できる
電磁弁によって構成されている。
にはシール部材２７Ａ、２７Ｂがそれぞれ設けられてい
ると共に、これらのシール部材２７Ａ、２７Ｂで囲まれ
た上記各境界細隙δ１、δ２から上記下部電極２の外
部、即ち上記処理室１の外部へ通じる流通路２８Ａが延
設されている。また、上記処理室１の外部には、上記各
流通路２８Ａを介して上記各境界細隙δ１、δ２に熱伝
導性に優れた気体として例えばＨｅガスを供給する気体
供給源２９Ａ及び上記各流通路２８Ａを介して上記各境
界細隙を排気する排気ポンプ３０Ａがそれぞれ設けられ
ていると共に、上記各流通路２８Ａの連結部には上記気
体供給源２８Ａ及び排気ポンプ３０Ａを上記流通路２８
Ａを介して境界細隙δ１及び／または境界細隙δ２に連
通するように切り替える三方切替弁３１Ａが設けられて
いる。そして、この三方切替弁３１Ａと上記気体供給源
２９Ａ及び排気ポンプ３０Ａとの間の流通路２８Ａには
開閉弁３２Ａが配設され、これらの開閉弁３２Ａによっ
てそれぞれの流通路２８Ａを開閉するように構成されて
いる。また、上記三方切替弁３１Ａ及び開閉弁３２Ａは
図示しない制御装置によって適宜開閉可能に制御できる
電磁弁によって構成されている。
【００１７】また、上記境界細隙δ３には内部を断熱す
る例えばポリイミド樹脂等の断熱材料からなるシール部
材２７Ｃが設けられ、また、上記境界細隙δ４の上下両
端部にはシール部材２７Ｄがそれぞれ設けられており、
このシール部材２７Ｃ及びシール部材２７Ｄによってそ
れぞれの境界細隙δ３、δ４の気密を保持している。そ
して、上記各境界細隙δ３、δ４から上記下部電極２の
外部、即ち上記処理室１の外部へ通じる流通路２８Ｂが
それぞれ延設されている。また、上記処理室１の外部に
は上記各流通路２８Ｂを介して上記各境界細隙δ３、δ
４を排気する排気ポンプ３０Ｂが設けられ、上記各境界
細隙δ３、δ４は上記流通路２８Ｂに配設された開閉弁
３２Ｂによって所定の減圧状態に適宜制御できるように
構成されている。
る例えばポリイミド樹脂等の断熱材料からなるシール部
材２７Ｃが設けられ、また、上記境界細隙δ４の上下両
端部にはシール部材２７Ｄがそれぞれ設けられており、
このシール部材２７Ｃ及びシール部材２７Ｄによってそ
れぞれの境界細隙δ３、δ４の気密を保持している。そ
して、上記各境界細隙δ３、δ４から上記下部電極２の
外部、即ち上記処理室１の外部へ通じる流通路２８Ｂが
それぞれ延設されている。また、上記処理室１の外部に
は上記各流通路２８Ｂを介して上記各境界細隙δ３、δ
４を排気する排気ポンプ３０Ｂが設けられ、上記各境界
細隙δ３、δ４は上記流通路２８Ｂに配設された開閉弁
３２Ｂによって所定の減圧状態に適宜制御できるように
構成されている。
【００１８】次に、動作について説明する。例えば１０
−２Torr以下の減圧状態を形成した処理室１内のサセプ
タ２２に半導体ウエハＷを載置し、静電チャック２６の
クーロン力で半導体ウエハＷをサセプタ２２上で保持す
る。次いで下部電極２に高周波電圧を印加して上部電極
３との間に放電空間を形成すると共に上部電極３の供給
配管３Ａからのエッチング用ガスを孔３Ｂを介して処理
室１内に供給すると、処理室１内でエッチング用ガスが
プラズマ化し、その活性種によって半導体ウエハＷをエ
ッチングする。
−２Torr以下の減圧状態を形成した処理室１内のサセプ
タ２２に半導体ウエハＷを載置し、静電チャック２６の
クーロン力で半導体ウエハＷをサセプタ２２上で保持す
る。次いで下部電極２に高周波電圧を印加して上部電極
３との間に放電空間を形成すると共に上部電極３の供給
配管３Ａからのエッチング用ガスを孔３Ｂを介して処理
室１内に供給すると、処理室１内でエッチング用ガスが
プラズマ化し、その活性種によって半導体ウエハＷをエ
ッチングする。
【００１９】そして本実施例では、石英ガラス等の断
熱、絶縁性材料からなるホルダー２５によって冷却ブロ
ック２２を外部から断熱してあり、しかも下部電極２に
印加する高周波電圧をホルダー２５によって確実に絶縁
してあるため、下部電極２を安定した超低温に維持する
ことができると共に安定した高周波電圧を下部電極２に
印加することができ、上述のエッチング処理に際し、活
性イオンを一方向に揃えて半導体ウエハＷに衝突させる
ことができ、１６ＭＤＲＡＭ以降の設計ルールに即した
超微細加工を低ダメージ状態のまま行なうことができ
る。
熱、絶縁性材料からなるホルダー２５によって冷却ブロ
ック２２を外部から断熱してあり、しかも下部電極２に
印加する高周波電圧をホルダー２５によって確実に絶縁
してあるため、下部電極２を安定した超低温に維持する
ことができると共に安定した高周波電圧を下部電極２に
印加することができ、上述のエッチング処理に際し、活
性イオンを一方向に揃えて半導体ウエハＷに衝突させる
ことができ、１６ＭＤＲＡＭ以降の設計ルールに即した
超微細加工を低ダメージ状態のまま行なうことができ
る。
【００２０】また、この際、気体供給源２９Ａ側の開閉
弁３２Ａを開放すると共に排気ポンプ３０Ａ側の開閉弁
３２Ａを閉止した状態で、三方切替弁３１Ａを切り替え
て気体供給源２９Ａを流通路２８Ａを介してサセプタ２
１と温度調整機構２３間の境界細隙δ１及び温度調整機
構２３と冷却ブロック２２間の境界細隙δ２に連通させ
ると、気体供給源２９ＡからのＨｅガスがこれら両境界
細隙δ１、δ２に入り込み、冷却ブロック２２からサセ
プタ２１への熱伝導経路が形成され、ホルダー２５の断
熱作用と相俟ってサセプタ２１を効率良く冷却して液体
窒素Ｌの消費量を抑制することができる。また他方の開
閉弁３２Ｂを開放した状態で、排気ポンプ３０Ｂを冷却
ブロック２２と支持台２４間の境界細隙δ３及び上記サ
セプタ２１等とこれらを囲むホルダー２５間の境界細隙
δ４に連通させて排気ポンプ３０Ｂを駆動して排気し、
これらの冷却ブロック２２の周囲を減圧断熱することに
よって半導体ウエハＷを所望の超低温域に制御すること
ができ、低ダメージで１６ＭＤＲＡＭ以降の高集積回路
に即した超微細加工を行なうことができる。
弁３２Ａを開放すると共に排気ポンプ３０Ａ側の開閉弁
３２Ａを閉止した状態で、三方切替弁３１Ａを切り替え
て気体供給源２９Ａを流通路２８Ａを介してサセプタ２
１と温度調整機構２３間の境界細隙δ１及び温度調整機
構２３と冷却ブロック２２間の境界細隙δ２に連通させ
ると、気体供給源２９ＡからのＨｅガスがこれら両境界
細隙δ１、δ２に入り込み、冷却ブロック２２からサセ
プタ２１への熱伝導経路が形成され、ホルダー２５の断
熱作用と相俟ってサセプタ２１を効率良く冷却して液体
窒素Ｌの消費量を抑制することができる。また他方の開
閉弁３２Ｂを開放した状態で、排気ポンプ３０Ｂを冷却
ブロック２２と支持台２４間の境界細隙δ３及び上記サ
セプタ２１等とこれらを囲むホルダー２５間の境界細隙
δ４に連通させて排気ポンプ３０Ｂを駆動して排気し、
これらの冷却ブロック２２の周囲を減圧断熱することに
よって半導体ウエハＷを所望の超低温域に制御すること
ができ、低ダメージで１６ＭＤＲＡＭ以降の高集積回路
に即した超微細加工を行なうことができる。
【００２１】以上説明したように本実施例によれば、半
導体ウエハＷを保持するサセプタ２１と、このサセプタ
２１を冷却する冷却ブロック２２と、これら両者２１、
２２間に介在しサセプタ２１の温度を調整する温度調整
機構２３と、これらを支持する支持台とを有する下部電
極２を備え、下部電極２の周面に断熱、絶縁性材料から
なるホルダー２５を設け、下部電極２で半導体ウエハＷ
を保持し、この半導体ウエハＷを冷却ブロック２２によ
り冷却しながら温度調整機構２３を介して所定の温度で
処理を行なう処理装置において、冷却ブロック２２と支
持台２４間及び下部電極２とホルダー２５間にそれぞれ
形成された境界細隙δ ３ 、δ ４ に、これらの境界細隙δ
３ 、δ ４ を封止するためにそれぞれ設けられたシール部
材２７Ｃ、２７Ｄと、これらのシール部材２７Ｃ、２７
Ｄを介して封止された境界細隙δ ３ 、δ ４ から上記電極
の外部へ通じる流通路２８Ｂと、これらの流通路２８Ｂ
を介して境界細隙δ ３ 、δ ４ を減圧する排気ポンプ３０
Ｂとを備え、且つ、ホルダー２５を熱伝導率λが２［Ｗ
／ｍ・Ｋ］以下で且つその誘電率εが５［１ＭＨz］以
下の断熱、絶縁性材料によって形成したため、半導体ウ
エハＷをエッチングする時にホルダー２５によって下部
電極２を外部から断熱すると共に下部電極２に印加する
高周波電圧を確実に絶縁して放電を防止し、下部電極２
を所定の超低温下で維持することができると共に安定し
た高周波電圧を印加することができ、エッチング処理時
に活性イオンを一方向に揃えて半導体ウエハＷを１６Ｍ
ＤＲＡＭ以降の設計ルールに即した超微細加工を低ダメ
ージで行なうことができる。
導体ウエハＷを保持するサセプタ２１と、このサセプタ
２１を冷却する冷却ブロック２２と、これら両者２１、
２２間に介在しサセプタ２１の温度を調整する温度調整
機構２３と、これらを支持する支持台とを有する下部電
極２を備え、下部電極２の周面に断熱、絶縁性材料から
なるホルダー２５を設け、下部電極２で半導体ウエハＷ
を保持し、この半導体ウエハＷを冷却ブロック２２によ
り冷却しながら温度調整機構２３を介して所定の温度で
処理を行なう処理装置において、冷却ブロック２２と支
持台２４間及び下部電極２とホルダー２５間にそれぞれ
形成された境界細隙δ ３ 、δ ４ に、これらの境界細隙δ
３ 、δ ４ を封止するためにそれぞれ設けられたシール部
材２７Ｃ、２７Ｄと、これらのシール部材２７Ｃ、２７
Ｄを介して封止された境界細隙δ ３ 、δ ４ から上記電極
の外部へ通じる流通路２８Ｂと、これらの流通路２８Ｂ
を介して境界細隙δ ３ 、δ ４ を減圧する排気ポンプ３０
Ｂとを備え、且つ、ホルダー２５を熱伝導率λが２［Ｗ
／ｍ・Ｋ］以下で且つその誘電率εが５［１ＭＨz］以
下の断熱、絶縁性材料によって形成したため、半導体ウ
エハＷをエッチングする時にホルダー２５によって下部
電極２を外部から断熱すると共に下部電極２に印加する
高周波電圧を確実に絶縁して放電を防止し、下部電極２
を所定の超低温下で維持することができると共に安定し
た高周波電圧を印加することができ、エッチング処理時
に活性イオンを一方向に揃えて半導体ウエハＷを１６Ｍ
ＤＲＡＭ以降の設計ルールに即した超微細加工を低ダメ
ージで行なうことができる。
【００２２】また、本実施例によれば、冷却ブロック２
２と温度調整機構２３の間、及び温度調整機構２３とサ
セプタ２１の間にそれぞれ介在する各境界細隙δ １ 、δ
２ にそれぞれを封止するシール部材２７Ａ、２７Ｂを設
けると共にこれらのシール部材２７Ａ、２７Ｂで封止さ
れた各境界細隙δ １ 、δ ２ から下部電極２の外部へ通じ
る流通路２８Ａを延設し、且つ流通路２８Ａを介して各
境界細隙δ １ 、δ ２ に熱伝導性に優れた気体を供給する
気体供給源２９Ａ及び流通路２８Ａを介して各境界細隙
δ １ 、δ ２ を排気する排気ポンプ３０Ａをそれぞれ設け
ると共に気体供給源２９Ａ及び排気ポンプ３０Ａを各境
界細隙δ １ 、δ ２ に連通するように切り替える三方切替
弁３１Ａを流通路２８Ａに設けたため、三方切替弁３１
Ａを介してシール部材２７Ａ、２７Ｂで封止された温度
調整機構２３とサセプタ２１の間及び／または冷却ブロ
ック２２と温度調整機構２３の間の各境界細隙δ １ 、δ
２ へのＨｅガスの供給と排気を制御することにより半導
体ウエハＷを超低温域で所望の温度に正確且つ迅速に制
御することができ、１６ＭＤＲＡＭ以降の高集積回路に
即した超微細加工を確実に行なうことができる。
２と温度調整機構２３の間、及び温度調整機構２３とサ
セプタ２１の間にそれぞれ介在する各境界細隙δ １ 、δ
２ にそれぞれを封止するシール部材２７Ａ、２７Ｂを設
けると共にこれらのシール部材２７Ａ、２７Ｂで封止さ
れた各境界細隙δ １ 、δ ２ から下部電極２の外部へ通じ
る流通路２８Ａを延設し、且つ流通路２８Ａを介して各
境界細隙δ １ 、δ ２ に熱伝導性に優れた気体を供給する
気体供給源２９Ａ及び流通路２８Ａを介して各境界細隙
δ １ 、δ ２ を排気する排気ポンプ３０Ａをそれぞれ設け
ると共に気体供給源２９Ａ及び排気ポンプ３０Ａを各境
界細隙δ １ 、δ ２ に連通するように切り替える三方切替
弁３１Ａを流通路２８Ａに設けたため、三方切替弁３１
Ａを介してシール部材２７Ａ、２７Ｂで封止された温度
調整機構２３とサセプタ２１の間及び／または冷却ブロ
ック２２と温度調整機構２３の間の各境界細隙δ １ 、δ
２ へのＨｅガスの供給と排気を制御することにより半導
体ウエハＷを超低温域で所望の温度に正確且つ迅速に制
御することができ、１６ＭＤＲＡＭ以降の高集積回路に
即した超微細加工を確実に行なうことができる。
【００２３】尚、上記実施例ではプラズマエッチング装
置について説明したが、本発明は上記エッチング装置に
制限されるものでなく、その他のプラスマＣＶＤ装置、
スパッタリング装置等の処理装置についても適宜適用す
ることができる。
置について説明したが、本発明は上記エッチング装置に
制限されるものでなく、その他のプラスマＣＶＤ装置、
スパッタリング装置等の処理装置についても適宜適用す
ることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１及
び請求項２に記載の発明によれば、 被処理体を保持す
る保持体と、この保持体を冷却する冷却ブロックと、こ
れら両者間に介在し上記保持体の温度を調整する温度調
整機構と、これらを支持する支持台とを有する電極を備
え、上記電極の周面に断熱、絶縁性材料からなるホルダ
ーを設け、上記電極で被処理体を保持し、この被処理体
を上記冷却ブロックにより冷却しながら上記温度調整機
構を介して所定の温度で処理を行なう処理装置におい
て、上記冷却ブロックと上記支持台間及び上記電極と上
記ホルダー間にそれぞ れ形成された境界細隙に、これら
の境界細隙を封止するためにそれぞれ設けられたシール
部材と、これらのシール部材を介して封止された上記各
境界細隙から上記電極の外部へ通じる流通路と、これら
の流通路を介して上記各境界細隙を減圧する排気手段と
を備え、且つ、上記ホルダーを熱伝導率λが２［Ｗ／ｍ
・Ｋ］以下で且つその誘電率εが５［１ＭＨz］以下の
断熱、絶縁性材料によって形成したため、被処理体の処
理時にそれを保持する電極を超低温に安定的に維持する
ことができると共に電極に印加する高周波電圧に対して
安定した絶縁性を維持することができ、しかも被処理体
を超低温域に所望の温度に制御することができ、もって
１６ＭＤＲＡＭ以降の高集積回路に対応した超微細加工
を低ダメージで行なうことができる処理装置を提供する
ことを目的としている。
び請求項２に記載の発明によれば、 被処理体を保持す
る保持体と、この保持体を冷却する冷却ブロックと、こ
れら両者間に介在し上記保持体の温度を調整する温度調
整機構と、これらを支持する支持台とを有する電極を備
え、上記電極の周面に断熱、絶縁性材料からなるホルダ
ーを設け、上記電極で被処理体を保持し、この被処理体
を上記冷却ブロックにより冷却しながら上記温度調整機
構を介して所定の温度で処理を行なう処理装置におい
て、上記冷却ブロックと上記支持台間及び上記電極と上
記ホルダー間にそれぞ れ形成された境界細隙に、これら
の境界細隙を封止するためにそれぞれ設けられたシール
部材と、これらのシール部材を介して封止された上記各
境界細隙から上記電極の外部へ通じる流通路と、これら
の流通路を介して上記各境界細隙を減圧する排気手段と
を備え、且つ、上記ホルダーを熱伝導率λが２［Ｗ／ｍ
・Ｋ］以下で且つその誘電率εが５［１ＭＨz］以下の
断熱、絶縁性材料によって形成したため、被処理体の処
理時にそれを保持する電極を超低温に安定的に維持する
ことができると共に電極に印加する高周波電圧に対して
安定した絶縁性を維持することができ、しかも被処理体
を超低温域に所望の温度に制御することができ、もって
１６ＭＤＲＡＭ以降の高集積回路に対応した超微細加工
を低ダメージで行なうことができる処理装置を提供する
ことを目的としている。
【００２５】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記冷却ブロックと上記温度調整機構の間、及び上記温
度調整機構と上記保持体の間にそれぞれ介在する各境界
細隙にそれぞれを封止する第２のシール部材を設けると
共にこれらのシール部材で封止された上記各境界細隙か
ら上記電極の外部へ通じる第２の流通路を延設し、且つ
第２の流通路を介して上記各境界細隙に熱伝導性に優れ
た気体を供給する気体供給源及び第２の流通路を介して
上記各境界細隙を排気する排気手段をそれぞれ設けると
共に上記気体供給源及び排気手段を上記各境界細隙に連
通するように切り替える切替手段を上記流通路に設けた
ため、切替手段を介して第２のシール部材で封止された
上記冷却ブロックと上記温度調整機構の間及び／または
上記温度調整機構と上記保持体の間の各境界細隙への熱
伝導性気体の供給と排気を制御することにより被処理体
を超低温域で所望の温度に正確且つ迅速に制御すること
ができ、１６ＭＤＲＡＭ以降の高集積回路に即した超微
細加工を確実に行なうことができる処理装置を提供する
ことができる。
れば、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記冷却ブロックと上記温度調整機構の間、及び上記温
度調整機構と上記保持体の間にそれぞれ介在する各境界
細隙にそれぞれを封止する第２のシール部材を設けると
共にこれらのシール部材で封止された上記各境界細隙か
ら上記電極の外部へ通じる第２の流通路を延設し、且つ
第２の流通路を介して上記各境界細隙に熱伝導性に優れ
た気体を供給する気体供給源及び第２の流通路を介して
上記各境界細隙を排気する排気手段をそれぞれ設けると
共に上記気体供給源及び排気手段を上記各境界細隙に連
通するように切り替える切替手段を上記流通路に設けた
ため、切替手段を介して第２のシール部材で封止された
上記冷却ブロックと上記温度調整機構の間及び／または
上記温度調整機構と上記保持体の間の各境界細隙への熱
伝導性気体の供給と排気を制御することにより被処理体
を超低温域で所望の温度に正確且つ迅速に制御すること
ができ、１６ＭＤＲＡＭ以降の高集積回路に即した超微
細加工を確実に行なうことができる処理装置を提供する
ことができる。
【図１】本発明の処理装置の一実施例の構成を示す断面
図である。
図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ２ 下部電極（電極） ２２ 冷却ブロック（冷却機構） ２５ ホルダー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23C 14/50 H01L 21/203
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理体を保持する保持体と、この保持
体を冷却する冷却ブロックと、これら両者間に介在し上
記保持体の温度を調整する温度調整機構と、これらを支
持する支持台とを有する電極を備え、上記電極の周面に
断熱、絶縁性材料からなるホルダーを設け、上記電極で
被処理体を保持し、この被処理体を上記冷却ブロックに
より冷却しながら上記温度調整機構を介して所定の温度
で処理を行なう処理装置において、上記冷却ブロックと
上記支持台間及び上記電極と上記ホルダー間にそれぞれ
形成された境界細隙に、これらの境界細隙を封止するた
めにそれぞれ設けられたシール部材と、これらのシール
部材を介して封止された上記各境界細隙から上記電極の
外部へ通じる流通路と、これらの流通路を介して上記各
境界細隙を減圧する排気手段とを備え、且つ、上記ホル
ダーを熱伝導率λが２［Ｗ／ｍ・Ｋ］以下で且つその誘
電率εが５［１ＭＨz］以下の断熱、絶縁性材料によっ
て形成したことを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 上記ホルダーを珪素酸化物によって形成
したことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項３】 上記冷却ブロックと上記温度調整機構の
間、及び上記温度調整機構と上記保持体の間にそれぞれ
介在する各境界細隙にそれぞれを封止する第２のシール
部材を設けると共にこれらのシール部材で封止された上
記各境界細隙から上記電極の外部へ通じる第２の流通路
を延設し、且つ第２の流通路を介して上記各境界細隙に
熱伝導性に優れた気体を供給する気体供給源及び第２の
流通路を介して上記各境界細隙を排気する排気手段をそ
れぞれ設けると共に上記気体供給源及び排気手段を上記
各境界細隙に連通するように切り替える切替手段を上記
流通路に設けたことを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03755293A JP3263721B2 (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 処理装置 |
| KR1019930014453A KR100238626B1 (ko) | 1992-07-28 | 1993-07-28 | 플라즈마 처리장치 |
| US08/104,475 US5376213A (en) | 1992-07-28 | 1993-07-28 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03755293A JP3263721B2 (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232085A JPH06232085A (ja) | 1994-08-19 |
| JP3263721B2 true JP3263721B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=12500691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03755293A Expired - Fee Related JP3263721B2 (ja) | 1992-07-28 | 1993-02-01 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3263721B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS631595A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 感熱転写記録用受像体 |
| JP4339442B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2009-10-07 | 忠弘 大見 | プラズマプロセス用装置 |
| JP6522180B1 (ja) * | 2018-02-08 | 2019-05-29 | Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 | 基板載置台及びこれを備えたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
1993
- 1993-02-01 JP JP03755293A patent/JP3263721B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06232085A (ja) | 1994-08-19 |
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