JP2692162B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング装置

Info

Publication number
JP2692162B2
JP2692162B2 JP63193832A JP19383288A JP2692162B2 JP 2692162 B2 JP2692162 B2 JP 2692162B2 JP 63193832 A JP63193832 A JP 63193832A JP 19383288 A JP19383288 A JP 19383288A JP 2692162 B2 JP2692162 B2 JP 2692162B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cooling
substrate holder
dry etching
aluminum nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63193832A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0242721A (ja
Inventor
秀充 青木
徹 最上
秀和 岡林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63193832A priority Critical patent/JP2692162B2/ja
Publication of JPH0242721A publication Critical patent/JPH0242721A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2692162B2 publication Critical patent/JP2692162B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ドライエッチング装置に関し、特に低温冷
却できる基板台部を有するドライエッチング装置に関す
るものである。
(従来の技術) 従来の装置は、基板を冷却するためには、基板台部の
内部に冷媒や液体窒素を循環させ、また、エッチンググ
レートや選択比を制御するために基板ホルダーに高周波
電力を印加している。この場合、基板ホルダーに高周波
電力を印加しつつ冷却可能にするために、基板ホルダー
と冷却部の間に、絶縁性の高い材料としてテフロン、石
英が挿入されており、また絶縁性と共に熱伝導性の良い
材料としてアルミナが挿入されている。
(発明が解決しようとする課題) アルミナは、絶縁性においては優れているが、熱伝導
性は、石英やテフロンに比較すれば良いものの基板の冷
却に対しては冷却効率が悪く、十分な基板冷却ができな
い。
本発明の目的は、基板ホルダーと冷却部の間に絶縁性
に優れ、しかも熱伝導性が高い材料を用いることによ
り、基板ホルダーに高周波電力を印加しつつ、効率の良
い冷却ができるドライエッチング装置を提供することに
ある。
(課題を解決するための手段) 上記目的は、基板が冷却できるドライエッチング装着
において、窒化アルミニウム、炭化ケイ素またはダイヤ
モンドを高周波を印加する基板ホルダー部と冷却部の間
に挿入した基板台部を有することにより達成される。
(作用) 窒化アルミニウム、炭化ケイ素及びダイヤモンドは、
絶縁抵抗においては、アルミナと同程度の絶縁抵抗を有
し、熱伝導率では、常温でアルミナの10倍〜100倍と高
いため、これを基板ホルダーと冷却部の間に挿入するこ
とにより、基板に高周波電力を印加しつつ、効率の良い
基板冷却ができる。また、窒化アルミニウムは、100K付
近で常温の3〜4倍の熱伝導率になり、炭化ケイ素、ダ
イヤモンドに至っては、7〜8倍の熱伝導率になるた
め、100K付近の低温に冷却するためにより、冷却効率は
更に良くなる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマ型
エッチング装置を第1図により説明する。真空容器3内
に基板ホルダー5が置かれ、冷却部7との間に厚さ5mm
程度の窒化アルミニウム板6が挿入されている。基板ホ
ルダー5、窒化アルミニウム板6、冷却部7で基板台部
を構成している。また基板ホルダー5には高周波電源8
が接続されている。基板ホルダー上方にはマグネット
1、マイクロ波導波管2が設けてある。
なお本実施例では、窒化アルミニウムを用いたが、炭
化ケイ素やダイヤモンドを用いても良い。更に、基板冷
却は基板ホルダーと基板の間に気体を流すことにより基
板冷却を行っているが、基板ホルダーに基板を接触させ
て行っても良い。
また、基板は基板ホルダーに機械的に固定されても良
いし静電吸着されても良い。
更に、基板の温度制御は、基板ホルダーに設置するヒ
ータにより行っても良い。
基板冷却に関しては、チラーによる冷却や液体窒素を
循環させるなどの方式を用いても良いが、基板台部が結
露する恐れがあるため、クライオ冷凍機にて冷却部のヘ
ッドのみを冷却し、結露のない冷却方式を用いて良い。
(発明の効果) 本発明によれば基板は、熱伝導性の良好な窒化アルミ
ニウム、炭化ケイ素、ダイヤモンドを通して効率の良い
低温冷却が行われ、かつ、基板に高周波電極を印加しつ
つ、エッチングが可能なためサイドエッチ量が0.01μm
程度の異方性をもち、選択比も100倍以上の高い値が得
られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例であるドライエッチング装
置を示す断面図である。 1……マグネット 2……マイクロ波導波管 3……真空容器 4……基板 5……基板ホルダー 6……窒化アルミニウム板 7……冷却部 8……高周波電源

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板が冷却できるドライエッチング装置に
    おいて、窒化アルミニウム、炭化ケイ素またはダイヤモ
    ンドを高周波を印加する基板ホルダー部と冷却部の間に
    挿入した基板台部を有することを特徴とするドライエッ
    チング装置。
JP63193832A 1988-08-02 1988-08-02 ドライエッチング装置 Expired - Lifetime JP2692162B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63193832A JP2692162B2 (ja) 1988-08-02 1988-08-02 ドライエッチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63193832A JP2692162B2 (ja) 1988-08-02 1988-08-02 ドライエッチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0242721A JPH0242721A (ja) 1990-02-13
JP2692162B2 true JP2692162B2 (ja) 1997-12-17

Family

ID=16314481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63193832A Expired - Lifetime JP2692162B2 (ja) 1988-08-02 1988-08-02 ドライエッチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2692162B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0711446A (ja) * 1993-05-27 1995-01-13 Applied Materials Inc 気相成長用サセプタ装置
KR100390665B1 (ko) * 1999-03-05 2003-07-12 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 프로세스용 장치
JP2006295205A (ja) * 1999-03-05 2006-10-26 Tadahiro Omi プラズマプロセス用装置
JP6296770B2 (ja) * 2013-11-29 2018-03-20 日本特殊陶業株式会社 基板載置装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63155727A (ja) * 1986-12-19 1988-06-28 Hitachi Ltd 低温ドライエツチング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0242721A (ja) 1990-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7274004B2 (en) Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
KR910002451B1 (ko) 온도제어가능 진공처리장치
JP5053632B2 (ja) 基板支持体、プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置内の基板を熱的に制御する方法
KR100880132B1 (ko) 작업편 지지체의 표면을 가로지르는 공간 온도 분포를제어하기 위한 방법 및 장치
JPH05109876A (ja) 温度サイクル動作型セラミツク静電式チヤツク
JP2001077040A (ja) 半導体装置の製造装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2000299288A (ja) プラズマ処理装置
JP2001502116A (ja) 高密度プラズマの化学気相堆積用の可変高温チャック
JPH05121333A (ja) プラズマ処理装置
JP2692162B2 (ja) ドライエッチング装置
JP3050124B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3100236B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH07183277A (ja) 処理装置
JP3165515B2 (ja) 処理装置
JP3167493B2 (ja) 圧力制御装置
JP3144969B2 (ja) プラズマエッチング方法
JP3024148B2 (ja) エッチング装置
JPS61238985A (ja) 平行平板型プラズマエツチング装置
JPH01268126A (ja) ウエハ加工装置
CN104752135A (zh) 等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法
JPH07106317A (ja) 試料台
JP2000164563A (ja) プラズマ処理装置
JP3541286B2 (ja) クランプ板及びエッチング装置
JPS63261147A (ja) 極低温装置
JPH03154334A (ja) 低温処理方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term