KR950020967A - 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 생성중에 열교환버스를 사용하여 서셉터에 의한 피처리기판의 냉각효율을 높이는 플라즈마 처리장치는, 서셉터의 상면의 둘레가장자리부에 개구하는 제1의 통로와, 이 제1의 통로를 통하여 서셉터와 피처리기판과의 사이에 형성되는 작은 틈에 열교환가스를 공급하는 제1의 가스공급원과, 제1의 통로를 개재하여 서셉터와 웨이퍼와의 사이에 형성되는 작은 틈 안을 배기하는 제1의 진공펌프와, 서셉터의 상면의 중앙부에 개구하는 제2의 통로와, 이 제2의 통로를 개재하여 서셉터와 웨이퍼와의 사이에 형성되는 작은 틈에 열교환가스를 공급하는 제2의 가스공급원과, 제2의 통로를 개재하여 서셉터와 웨이퍼의 사이에 형성되는 작은 틈 안을 배기하는 제2의 진공 펌프와, 제2의 가스공급수단 및 제2의 진공펌프에 의하여 제2의 통로내에 발생시키는 배압이, 제1의 가스공급원 제1의 진공펌프에 의하여 제1의 통로내에 발생시키는 배압보다 낮아지도록, 제1 및 제2의 가스공급원 그리고 제1 및 제2의 진공펌프를 개별로 제어하는 제어수단을 가진다.

Description

플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 제1의 실시예에 관계되는 플라즈마 처리장치의 전체를 나타낸 단면 투시도,
제7도는 서셉터(하부전극)을 위에서 보고 나타낸 평면도,
제8도 A 및 제8도 B는, 각각 서셉터의 일부를 확대하여서 나타낸 단면도,
제9도는 웨이퍼를 에칭처리할 때의 플로차트,
제10도는 실시예의 장치에 의하여 반도체 웨이퍼를 냉각하였을 때의 웨이퍼 각부의 온도를 나타낸 온도분포도.

Claims (17)

  1. 플라즈마 생성중에 열교환가스를 사용하여 서셉터에 의한 피처리기판의 냉각효율을 높이는 플라즈마 처리장치로서, 서셉터의 상면의 둘레가장자리부에 개구하는 제1의 통로와, 이 제1의 통로를 통하여 서셉터와 피처리기판과의 사이에 형성되는 작은 틈에 열교환가스를 공급하는 제1의 가스공급수단과, 제1의 통로를 개재하여 서셉터와 피처리기판과의 사이에 형성되는 작은 틈 안을 배기하는 제1의 배기수단과, 서셉터의 상면의 중앙부에 개구하는 제2의 통로와, 이 제2의 통로를 개재하여 서셉터와 피처리기판과의 사이에 형성되는 작은 틈에 열교환가스를 공급하는 제1의 가스공급수단과, 제2의 통로를 개재하여 서셉터와 피처리기판과의 사이에 형서되는 작은 틈 안을 배기하는 제2의 배기수단과, 제2의 가스공급수단 및 제2의 배기수단에 의하여 제2의 통로내에 발생시키는 배압이, 제1의 가스공급수단 및 제1의 배기수단에 의하여 제1의 통로내에 발생시키는 배압보다 낮아지도록, 제1 및 제2의 가스공급수단 그리고 제1 및 제2의 배기수단을 개별로 제어하는 제어수단을 가지는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 더미웨이퍼를 이용하여 온도와 배압의 상관을 구한 데이타를 기억하여 놓는 기억수단을 더욱 포함하여 구성되며, 제어수단은, 기억수단으로부터 호출한 데이타에 기초하여 제2의 가스공급수단 및 제2의 배기수단을 동작제어하고, 제2의 통로내의 배압을 변송시키는 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 서셉터 온도를 검출하는 온도센서를 더욱 포함하여 구성되며, 제어수단은, 검출온도에 기초하여 제2의 가스공급수단및 제2의 배기수단을 동작제어하고, 제2의 통로내의 배압을 변동시키는 플라즈마 처리장치.
  4. 제2항에 있어서, 제어수단은, 둘레가장자리 영역으로 도입하는 열교환가스의 배압을 5~30 Torr의 범위내의 일정치로 제어하고, 중앙영역에 도입하는 열교환가스의 배압을 5~12.5 Torr의 범위내에서 변동시키는 플라즈마 처리장치.
  5. 제3항에 있어서, 제어수단은, 둘레가장자리 영역으로 도입하는 열교환가스의 배압을 5~30 Torr의 범위내의 일정치로 제어하고, 중앙영역에 도입하는 열교환가스의 배압을 5~12.5 Torr의 범위내에서 변동시키는 플라즈마 처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 제1 및 제2의 통로는 서셉터 상면에서 각각 복수장소에 개구하고, 제1의 개구군과 제2의 개구관은 서셉터 상면에 동심원 형상으로 배열되어 있는 플라즈마 처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 서셉터 상면의 둘레가장자리부에 동심원 형상으로 나란히 복수의 홈이 더욱 형성되고, 이들의 홈의 저부에 상기 제1의 개구가 형성되어 있는 플라즈마 처리장치.
  8. 제6항에 있어서, 제1의 개구군과 제2의 개구군의 상호간 거리가 50mm이내인 플라즈마 처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 서셉터 상면의 둘레가장자리부와 중앙부의 중간에 위치하는 중간부에 개구하는 제3의 통로와, 이 제3의 통로를 통하여 서셉터와 피처리기판의 사이에 형성되는 작은 틈에 열교환가스를 공급하는 제3의 가스공급수단과, 제3의 통로를 통하여 서셉터와 피처리기판의 사이에 형성되는 작은 틈내를 배기하는 제3의 배기수단을 더욱 포함하여 구성되는 플라즈마 처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 제1 및 제2의 가스공급수단으로부터 공급되는 열교환가스는, 같은 조성인 플라즈마 처리장치.
  11. 제1항에 있어서, 제1 및 제2의 가스공급수단으로부터 공급되는 열교환가스는, 상호간에 다른 조성인 플라즈마 처리장치.
  12. 플라즈마 생성중에 열교환가스를 사용하여 서셉터에 의한 피처리기판의 냉각효율을 높이는 플라즈마 처리 장치로서, 서셉터의 피처리기판 얹어놓는 면의 둘레가장자리부에 개구하는 제1의 통로와, 이 제1의 통로를 통하여 서셉터와 피처리기판과의 사이에 형성되는 작은 틈에 열교환가스를 공급하는 가스공급수단과, 서셉터의 피처리기판 얹어놓는 면의 중앙부에 개구하는 제2의 통로와, 이 제2의 통로를 개재하여 서셉터와 피처리기판과의 사이에 형성되는 작은 틈 안을 배기하는 제2의 배기수단과, 이 배기수단과 가스공급수단을 개별로 제어하는 제어수단을 가지는 플라즈마 처리장치.
  13. 제12항에 있어서, 배기수단을 제2 가스통로를 통하여 배기되는 가스의 압력을 검출하는 압력검출수단을 더욱 구비하는 플라즈마 처리장치.
  14. 플라즈마 생성중에 열교환가스를 사용하여 서셉터에 의한 피처리기판의 냉각효율을 높이는 플라즈마 처리방법으로서, 서셉터와 피처리기판과의 사이에 형성되는 작은 틈 안을 배기하면서, 서셉터 상면의 둘레가장자리부의 개구로부터 상기 틈에 제1의 열교환가스를 도입함과 동시에, 서셉터 상면의 중앙부의 개구로부터도 상기 틈에 제2의 열교환가스를 도입하고, 상기 제1의 열교환가스의 배압을 상기 제2의 열교환가스의 배압보다 높게 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 제1의 열교환 가스의 배압을 5~30 Torr의 범위내의 일정치로 설정하고, 제2의 열교환 가스의 배압을 5~12.5 Torr의 범위내에서 변동시키는 방법.
  16. 제14항에 있어서, 플라즈마 생성중에 있어서의 서셉터의 온도를 실온이하로 제어하는 방법.
  17. 제14항에 있어서, 플라즈마 생성중에 있어서의 서셉터를 영하 10℃이하의 온도영역으로 설정하고, 피처리기판의 표면을 20~70℃의 온도영역으로 설정하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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