KR100959727B1 - 웨이퍼 냉각 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 냉각 장치에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼를 냉각하는 시간을 줄여 웨이퍼의 대기시간을 단축시키는 웨이퍼 냉각 장치를 제공하는 데 있다. 또한, 상기한 기술적 과제를 달성함과 동시에 웨이퍼를 안정적으로 냉각시킬 수 있는 웨이퍼 냉각 장치를 제공하는 데 있다.
이를 위해 본 발명은 웨이퍼가 비치될 수 있는 안착부가 형성되고, 제 1 냉각용 가스가 공급되는 적어도 하나 이상의 공급홀이 안착부까지 관통하여 형성되는 냉각 선반; 냉각 선반의 주변에 형성되거나 냉각 선반의 내측에 형성되어 냉각 선반을 냉각시키는 냉매가 흐르게 하는 냉각 파이프; 및 냉각 선반의 안착부와 대응하는 위치에 형성되며 제 2 냉각용 가스가 공급되기 위한 복 수개의 분사홀이 형성된 샤워 헤드를 구비하는 웨이퍼 냉각 장치를 개시한다.
따라서, 본 발명의 웨이퍼 냉각 장치는 웨이퍼의 냉각시간 시간을 줄여 웨이퍼의 대기하는 시간을 단축시키므로, 웨이퍼의 품질저하를 방지하고 웨이퍼의 생산성을 향상시키는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 웨이퍼 냉각 장치는 웨이퍼를 안정적으로 냉각시킬 수 있는 효과가 있다.
웨이퍼, 냉각, 아르곤, 헬륨, 냉각 선반

Description

웨이퍼 냉각 장치{WAFER COOLING DEVICE}
본 발명은 웨이퍼 냉각 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 냉각하는 시간이 단축되는 웨이퍼 냉각 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 가운데 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition) 공정은 고열의 상태에서 웨이퍼에 도전막 또는 절연막을 증착시키게 된다. 따라서, 물리적 기상 증착을 마친 웨이퍼는 냉각 과정을 거쳐 상온을 유지하여야 후속 공정에 공정오차를 유발하지 않는다.
이를 위해 웨이퍼는 물리적 기상 증착이 끝난 후, 한 장씩 냉각 장치를 구비하는 냉각 챔버에 수용되어 냉각을 진행하게 된다. 일반적으로, 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각 챔버 내의 냉각 장치는 냉각수가 흐르는 냉각 파이프에 의해 냉각되는 선반위에 웨이퍼를 비치하여 약 2분 동안 냉각을 진행하게 된다. 여기서, 냉각 챔버 내에는 아르곤 가스 주입되어 웨이퍼의 냉각 속도를 향상시킨다.
그러나, 웨이퍼가 약 2분 동안 냉각되는 과정에서 냉각되기 위해 대기하는 또 다른 웨이퍼는 고열인 상태이므로, 웨이퍼에 파티클이 형성되어 품질이 저하되는 문제가 발생한다. 이와 더불어, 또한, 웨이퍼가 냉각 장치에 의해 냉각되기 위 해 대기하는 시간이 너무 길어 반도체 기판의 생산성이 저하되는 문제가 발생한다.
상기한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 기술적 과제는 웨이퍼를 냉각하는 시간을 줄여 웨이퍼의 대기시간을 단축시키는 웨이퍼 냉각 장치를 제공하는 데 있다.
또한, 상기한 기술적 과제를 달성함과 동시에 웨이퍼를 안정적으로 냉각시킬 수 있는 웨이퍼 냉각 장치를 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 냉각 장치는 웨이퍼가 비치될 수 있는 안착부가 형성되고, 제 1 냉각용 가스가 공급되는 적어도 하나 이상의 공급홀이 상기 안착부까지 관통하여 형성되는 냉각 선반; 상기 냉각 선반의 주변에 형성되거나 상기 냉각 선반의 내측에 형성되어 상기 냉각 선반을 냉각시키는 냉매가 흐르게 하는 냉각 파이프; 및 상기 냉각 선반의 안착부와 대응하는 위치에 형성되며 제 2 냉각용 가스가 공급되기 위한 복 수개의 분사홀이 형성된 샤워 헤드를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 냉각 선반의 안착부에는 상기 공급홀에서 상기 냉각 선반의 원주부까지 이어지는 복수 개의 골이 형성되어 상기 공급홀들을 통과하는 제 1 냉각용 가스가 상기 골을 통해 흐를 수 있다.
또한, 상기 제 2 냉각용 가스는 상기 제 1 냉각용 가스보다 큰 압력으로 분사될 수 있다. 여기서, 상기 제 1 냉각용 가스는 아르곤으로 형성되고, 상기 제 2 냉각용 가스는 헬륨으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼 냉각 장치는 상기 냉각선반의 원주부에 수직하게 형성되는 벽체를 더 포함하여 형성될 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 냉각 장치는 웨이퍼의 냉각시간 시간을 줄여 웨이퍼의 대기하는 시간을 단축시키므로, 웨이퍼의 품질저하를 방지하고 웨이퍼의 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 냉각 장치는 웨이퍼를 안정적으로 냉각시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명하기로 한다. 이하의 실시예들에서는 동일한 도면부호에 대해 동일한 부호를 사용하기로 하며, 동일한 구성요소의 중복되는 설명은 가능한 하지 않기로 한다.
도 1a은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 냉각 장치의 정면도이다. 도 1b는 도 1a에 도시된 냉각 선반의 저면도이다. 도 1c는 도 1a에 도시된 샤워 헤드의 저면도이다.
도 1a 및 도 1c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 냉각 장치(100)는 냉각 선반(110), 냉각 파이프(120) 및, 샤워 헤드(130)를 포함하여 형성된다. 이하의 설명에서는 웨이퍼 냉각 장치가 냉각 챔버(미도시) 내에 비치되 어 있는 상태로 설명하기로 한다.
상기 냉각 선반(110)은 웨이퍼(10)가 비치될 수 있는 대략 원형의 형태인 안착부(111)가 형성된다. 또한, 냉각 선반(110)은 제 1 냉각용 가스가 공급되는 적어도 하나 이상의 공급홀(112)이 안착부(111)까지 관통하여 형성된다. 따라서, 냉각 선반(110)에 안착되는 웨이퍼(10)는 안착부(111)에 형성된 공급홀(112)에 공급되는 제 1 냉각용 가스에 의해 웨이퍼(10)의 하면(10b)이 냉각될 수 있다.
여기서, 상기 냉각 선반(110)의 안착부(111)에는 공급홀(112)에서 냉각 선반(110)의 원주부까지 이어지는 복수 개의 골(113)과 상기 골(113)을 잇는 원형골(114)이 형성되어 공급홀(112)들에 공급되는 제 1 냉각용 가스가 골(113)을 통해 흐른다. 즉, 웨이퍼(10)는 복수 개의 골(113)과 원형골(114)에 따라 흐르는 제 1 냉각용 가스에 의해 전체적으로 균일하게 냉각된다. 또한, 공급홀(112)은 웨이퍼(10)에 의해 덮혀져 있으므로, 웨이퍼(10)는 공급홀(112)에 의해 공급되는 제 1 냉각용 가스의 압력에 의해 뜨게 될 수 있다. 이 경우를 위해, 복수 개의 골(113)과 원형골(114)을 안착부(111)에 형성하여 안착부(111)의 상면에 형성된 웨이퍼(10)가 뜨는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 냉각 선반(110)의 원주부에는 벽체(115)가 수직하게 형성될 수 있다. 상기 벽체(115)는 웨이퍼(10)가 냉각 선반(110)의 안착부(111) 내에 안착될 수 있도록 웨이퍼(10)의 이동 범위를 한정하여 정해진 위치에서 냉각되게 한다. 따라서, 벽체(115)는 공급홀(112)에서 공급되는 제 1 냉각용가스에 의해 웨이퍼(10)가 유동 될 경우, 웨이퍼(10)의 이탈을 방지하여 웨이퍼(10)가 안정적으로 냉각되 게 한다.
또한, 상기 냉각 선반(110)의 공급홀(112)을 통해 공급되는 상기 제 1 냉각용 가스는 아르곤이 사용될 수 있다. 즉, 반도체 소자가 형성되지 않는 웨이퍼(10)의 하면(10b)에 공급되는 제 1 냉각용 가스는 가격이 상대적으로 저렴한 아르곤 가스를 사용하여 웨이퍼(10)를 안정적으로 냉각시키고, 웨이퍼(10)의 냉각비용을 감소시킬 수 있다.
상기 냉각 파이프(120)는 냉각 선반(110)의 주변에 형성되거나 냉각 선반(110)의 내측에 형성되어 냉각 선반(110)을 냉각시키는 냉매가 흐르게 한다. 도 에서는 냉각 파이프(120)는 냉각 선반(110)에 하부에 배치되어 냉각 선반(110)을 냉각시키는 상태이다. 여기서, 상기 냉매는 순수(De-Ionized Water)가 사용될 수 있다.
상기 샤워 헤드(130)는 웨이퍼(10)의 원판 형상과 대응하도록 대략 원형인 형태로 형성될 수 있다. 또한, 샤워 헤드(130)는 냉각 선반(110)의 안착부(111)와 대응하는 위치에 형성되며 제 2 냉각용 가스가 공급되기 위한 복 수개의 분사홀(131)이 형성된다. 따라서, 분사홀(131)을 통해 분사되는 제 2 냉각용 가스는 웨이퍼(10)의 상면(10a)을 냉각시킬 수 있다.
여기서, 상기 샤워 헤드(130)의 분사홀(131)을 통해 분사되는 제 2 냉각용 가스는 상기 냉각 선반(110)의 공급홀(112)을 통해 공급되는 제 1 냉각용 가스보다 큰 압력으로 분사될 수 있다. 즉, 웨이퍼(10)는 제 2 냉각용 가스의 분사압에 의해 냉각 선반(110)에 밀착될 수 있으므로, 제 1 냉각용 가스의 압력에 의한 웨이 퍼(10)의 유동을 방지하여 웨이퍼(10)를 안정적으로 냉각시킬 수 있다.
또한, 상기 샤워 헤드(130)의 분사홀(131)을 통해 분사되는 상기 제 2 냉각용 가스는 헬륨가 사용될 수 있다. 즉, 웨이퍼(10)는 상면 전체에 제 2 냉각용 가스가 직접적으로 분사되기 때문에 반도체 소자들이 제 2 냉각용 가스에 의해 손상을 입을 수 있다. 따라서, 제 2 냉각용 가스는 안정적이면서 냉각성능이 좋은 헬륨가스를 사용할 수 있다.
상기한 웨이퍼 냉각 장치(100)는 웨이퍼(10)의 하면과 상면을 동시에 냉각하여 냉각시간이 종래보다 줄어들게 든다. 즉, 웨이퍼(10)는 대기시간이 감소하여 생산성이 향상되고, 웨이퍼(10)에 파티클이 형성되지 않아 웨이퍼(10)의 불량이 감소된다. 또한, 웨이퍼 냉각 장치(100)는 웨이퍼(10)의 대기시간을 종래보다 줄어들게 하는 것뿐만 아니라, 웨이퍼(10)를 안정적으로 냉각한다.
도 1a은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 냉각 장치의 정면도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 냉각 선반의 저면도이다.
도 1c는 도 1a에 도시된 샤워 헤드의 저면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 ; 웨이퍼 100 ; 웨이퍼냉각 장치
110 ; 냉각 선반 111 ; 안착부
112 ; 공급홀 113 ; 골
114 ; 원형골 115 ; 벽체
120 ; 냉각 파이프 130 ; 샤워 헤드
131 ; 분사홀

Claims (5)

  1. 웨이퍼가 비치될 수 있는 안착부가 형성되고, 제 1 냉각용 가스가 공급되는 적어도 하나 이상의 공급홀이 상기 안착부까지 관통하여 형성되는 냉각 선반;
    상기 냉각 선반의 주변에 형성되거나 상기 냉각 선반의 내측에 형성되어 상기 냉각 선반을 냉각시키는 냉매가 흐르게 하는 냉각 파이프; 및
    상기 냉각 선반의 안착부와 대응하는 위치에 형성되며 제 2 냉각용 가스가 공급되기 위한 복 수개의 분사홀이 형성된 샤워 헤드를 포함하며,
    상기 적어도 하나 이상의 공급홀을 통해 공급된 제1냉각용 가스는 상기 웨이퍼의 하면을 냉각하고,
    상기 복 수개의 분사홀을 통해 공급된 제2냉각용 가스는 상기 웨이퍼의 상면을 냉각하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 냉각 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각 선반의 안착부에는 상기 공급홀에서 상기 냉각 선반의 원주부까지 이어지는 복수 개의 골이 형성되어 상기 공급홀들을 통과하는 제 1 냉각용 가스가 상기 골을 통해 흐르는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 냉각 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 냉각용 가스는 상기 제 1 냉각용 가스보다 큰 압력으로 분사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 냉각 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 냉각용 가스는 아르곤으로 사용되고, 상기 제 2 냉각용 가스는 헬륨으로 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 냉각 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각선반의 원주부에 수직하게 형성되는 벽체를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 냉각 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9881827B2 (en) 2014-05-26 2018-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249586A (ja) * 1993-12-22 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法
KR20030050736A (ko) * 2001-12-19 2003-06-25 삼성전자주식회사 플라즈마를 이용한 반도체 제조장치
KR20060133485A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 동경 엘렉트론 주식회사 상부 전극, 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법, 및 제어 프로그램을 기록한 기록매체
KR20070014606A (ko) * 2005-07-29 2007-02-01 주식회사 에이디피엔지니어링 상부전극 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249586A (ja) * 1993-12-22 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法
KR20030050736A (ko) * 2001-12-19 2003-06-25 삼성전자주식회사 플라즈마를 이용한 반도체 제조장치
KR20060133485A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 동경 엘렉트론 주식회사 상부 전극, 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법, 및 제어 프로그램을 기록한 기록매체
KR20070014606A (ko) * 2005-07-29 2007-02-01 주식회사 에이디피엔지니어링 상부전극 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9881827B2 (en) 2014-05-26 2018-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method

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