KR980005399A - 반도체 디바이스 제조장치, 제조장치의 공정 조건 조절방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법 - Google Patents

반도체 디바이스 제조장치, 제조장치의 공정 조건 조절방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법 Download PDF

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Abstract

반도체 디바이스 제조 장치에 관해 개시한다. 본 발명은 또한 상기 반도체 디바이스 제조 장치의 공정 조건 조절 방법 및 상기 제조 장치 및 공정 조건 조절 방법을 이용한 커패시터의 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명에 따른 디바이스 제조 장치는 이송 챔버와의 단절을 위한 게이트 밸브에 제1냉각 재킷, 상기 게이트 밸브 이외의 이송 챔버와 연결되는 연결부에 제2냉각 재킷, 반응 챔버내의 기체를 배기하는 배기부에 제3냉각 재킷 및 상기 게이트 밸브, 연결부 및 배기부를 제외한 상, 하단벽에 제4냉각 재킷을 구비한다. 또한 공정 조건 조절 방법은 펌핑 다운 시간을 조절하여 카세트 챔버의 압력을 0. 05mtorr 이하로 조절하고, 냉각 챔버와 이송 챔버의 압력을 동일하게 1. 0μTorr 이하로 조절한다.
본 발명에 의하면, 반응 챔버내의 오염원 발생이 최소화되어 신뢰도 높은 공정을 진행할 수 있으며, 특히 HSG-Si을 이용한 커패시터의 하부전극을 형성하는 경우, 표면적 증대를 최대로하여 유전율이 증가된 커패시터를 형성할 수 있게 된다.

Description

반도체 디바이스 제조장치, 제조장치의 공정 조건 조절방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반응 챔버의 단면도이다.

Claims (11)

  1. 반도체 웨이퍼가 로딩되는 카세트 챔버, 로딩된 웨이퍼를 이송하는 이송 챔버, 상기 이송챔버로부터 이송된 웨이퍼위에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정이 진행되는 반응 챔버 및 상기 공정이 완료된 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 챔버를 구비하고, 상기 반응 챔버의 벽은 상기 이송 챔버와의 단절을 위한 게이트 밸브, 상기 게이트 밸브 이외의 이송 챔버와 연결되는 연결부, 반응 챔버내의 기체를 배기하는 배기부 및 상기 게이트 밸브, 연결부 및 배기부를 제외한 상, 하단벽으로 구성된 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 게이트 밸브에 형성된 제1냉각 재킷; 상기 연결부에 형성된 제2냉각 재킷; 상기 배기부에 형성된 제3냉각 재킷; 및 상기 상, 하단벽에 형성된 제4냉각 재킷을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1, 2, 3및 4 냉각 재킷에 사용되는 냉매는 냉각수, 냉각수와 에틸렌글리콜의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1, 2, 3및 4 냉각 재킷에는 유입 온도 9℃미만의 냉매가 흘러서 상기 반응챔버를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반응챔버벽의 온도를 10℃이하로 냉각시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  5. 반도체 웨이퍼가 로딩되는 카세트 챔버, 로딩된 웨이퍼를 이송하는 이송 챔버, 상기 이송 챔버로부터 이송된 웨이퍼위에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정이 완료된 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 챔버를 구비하는 반도체 제조장치 공정 조건 조절 방법에 있어서, 상기 카세트 챔버내의 압력을 0. 05 mtorr 이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치 공정 조건 조절 방법.
  6. 제5항에 있어서, 10~30 분동안 펌핑 다운(pumping down)하여 상기 카세트 챔버내의 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치 공정 조건 조절 방법.
  7. 반도체 웨이퍼가 로딩되는 카세트 챔버, 로딩된 웨이퍼를 이송하는 이송 챔버, 상기 이송 챔버로부터 이송된 웨이퍼위에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정이 진행되는 반응 챔버 및 상기 공정이 완료된 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 챔버로 이루어지는 반도체 제조 장치의 공정 조건 조절 방법에 있어서, 상기 냉각 챔버내의 압력을 이송 챔버내의 압력과 동일하게 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치 공정 조건 조절 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 압력은 1. 0μTorr 이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치 반응 조건 조절 방법.
  9. 반도체 웨이퍼가 로딩되는 카세트 챔버, 로딩된 웨이퍼를 이송하는 로봇 암이 구비되어 있는 이송 챔버, 상기 이송 챔버로부터 이송된 웨이퍼 위에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정이 진행되는 반응 챔버 및 상기 공정이 완료된 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 챔버로 이루어지는 반도체 제조장치를 이용하여 커패시터의 하부전극을제조하는 방법에 있어서, 상기 이송 챔버와 단절을 위한 게이트 밸브에 제1냉각 재킷, 상기 게이트 밸브 이외의 이송 챔버와 연결되는 연결부에 제2냉각 재킷 반응 챔버내의 기체를 배기하는 배기부에 제3냉각 재킷 및상기 게이트 밸브, 연결부 및 배기부를 제외한 상, 하단벽에 제4냉각 재킷이 형성되어 있어 각 냉각 재킷에는 냉매가 유동하고, 내부에는 히터와 웨이퍼를 받치기 위한 서셉터를 구비하는 반응 챔버내의 상기 세셉터웨에 상기 이송 챔버의 로봇 암을 사용하여 시키는 단계; 소오스 가스로서 실란, 디실란 또는 실란과 디실란이 30 : 1 내지 1 : 30 비율로 혼합된 혼합기체 중에서 선택된 어느 하나의 기체를 이용하여 하부전극을형성하기 위한 비정질 실리콘막을 상기 웨이퍼상에 형성하는 단계: 및 상기 비정질 실리콘막이 형성된 웨이퍼를 열처리하여 HSG-Si을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 커패시터 하부전극의 제조방법.
  10. 압력이 0. 05 mtorr 이하로 조절된 웨이퍼가 로딩되는 카세트 챔버, 로딩된 웨이퍼를 이송하는 이송 챔버, 상기 이송 챔버로부터 이송된 웨이퍼위에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정이 진행되는 반응 챔버 및 상기 공정이 진행되는 반응 챔버 및 상기 공정이 완료된 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 챔버를 구비하는 반도체 제조 장치를 이용한 커패시터 하부전극의 제조방법에 있어서, 상기 카세트 챔버에 로딩된 웨이퍼를 상기 이송 챔버를 통하여 상기 반응 챔버로 안착시키는 단계; 소오스 가스로서 실란, 디실란 또는 실란과 디실란이 30 : 1 내지 1 : 30 비율로 혼합된 혼합기체 중에서 선택된 어느 하나의 기체를 이용하여 하부전극을 형성하기 위한 비정질 실리콘막을 상기 웨이퍼상에 형성하는 단계; 및 상기 비정질 실리콘막이 형성된 웨이퍼를 열처리하여 HSG-Si을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 커패시터 하부전극의 제조방법.
  11. 반도체 웨이퍼가 로딩되는 카세트 챔버, 로딩된 웨이퍼를 이송하는 이송 챔버, 상기 이송 챔버로부터 이송된 웨이퍼위에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정이 진행되는 반응 챔버 및 상기 공정이 완료된 웨이퍼를 냉각시키고, 상기 이송 챔버내의 압력과 동일한 압력으로 조절된 냉각 챔버를 구비하는 반도체 제조 장치를 이용한 커패시터 하부전극의 제조방법에 있어서, 상기 카세트 챔버에 로딩된 웨이퍼를 상기 이송 챔버를 통하여 상기 반응 챔버로 안착시키는 단계; 소오스 가스로서 실란, 디실란 또는 실란과 디실란이 30 : 1 내지 1 :30비율로 혼합된 혼합기체 중에서 선택된 어느 하나의 기체를 이용하여 하부전극을 형성하기 위한 비정질 실리콘막을 상기 웨이퍼상에 형성하는 단계; 및 상기 비정질 실리콘막이 형성된 웨이퍼를 열처리하여 HSG-Si을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 커패시터 하부전극의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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TW086107830A TW345678B (en) 1996-06-08 1997-06-06 Apparatus for fabricating semiconductor device and method for fabricating polysilicon film using the same
JP16501297A JP4422217B2 (ja) 1996-06-08 1997-06-06 ＨＳＧ−Ｓｉ膜の製造方法
US08/871,452 US6039811A (en) 1996-06-08 1997-06-09 Apparatus for fabricating polysilicon film for semiconductor device
US09/146,260 US6221742B1 (en) 1996-06-08 1998-09-03 Method for fabricating polysilicon film for semiconductor device

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100449787B1 (ko) * 2000-12-12 2004-09-22 니뽄 가이시 가부시키가이샤 3-5족 질화물막의 제조 방법 및 제조 장치

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100263901B1 (ko) * 1997-10-14 2000-08-16 윤종용 반도체 디바이스 제조 장치, ｈｓｇ-다결정 실리콘막의 제조 방법 및 ｈｓｇ-다결정 실리콘막을 전극으로 포함하는 커패시터의 제조 방법
KR100462237B1 (ko) * 2000-02-28 2004-12-17 주성엔지니어링(주) 기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비
US6902623B2 (en) 2001-06-07 2005-06-07 Veeco Instruments Inc. Reactor having a movable shutter
US8110044B2 (en) * 2003-03-07 2012-02-07 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and temperature control device
KR100585873B1 (ko) 2003-11-03 2006-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리실리콘 액정표시소자 및 그 제조방법
US9481944B2 (en) 2006-11-22 2016-11-01 Soitec Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same
US8545628B2 (en) * 2006-11-22 2013-10-01 Soitec Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber
KR101379410B1 (ko) * 2006-11-22 2014-04-11 소이텍 3-5족 반도체 재료들의 대량생산을 위한 설비
KR101330156B1 (ko) * 2006-11-22 2013-12-20 소이텍 삼염화 갈륨 주입 구조
US9481943B2 (en) 2006-11-22 2016-11-01 Soitec Gallium trichloride injection scheme
US8382898B2 (en) * 2006-11-22 2013-02-26 Soitec Methods for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials
EP2083935B1 (en) * 2006-11-22 2012-02-22 S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies Method for epitaxial deposition of a monocrystalline Group III-V semiconductor material
US20090223441A1 (en) * 2006-11-22 2009-09-10 Chantal Arena High volume delivery system for gallium trichloride
US7897495B2 (en) * 2006-12-12 2011-03-01 Applied Materials, Inc. Formation of epitaxial layer containing silicon and carbon
US20080138955A1 (en) * 2006-12-12 2008-06-12 Zhiyuan Ye Formation of epitaxial layer containing silicon
US9064960B2 (en) * 2007-01-31 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Selective epitaxy process control
US7772074B2 (en) * 2007-10-18 2010-08-10 Applied Materials, Inc. Method of forming conformal silicon layer for recessed source-drain
KR20100100958A (ko) 2007-12-27 2010-09-15 엑사테크 엘.엘.씨. 멀티-패스 진공 코팅 시스템
CN103132027A (zh) * 2011-11-28 2013-06-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 真空镀膜设备
CN102618845B (zh) * 2012-04-01 2014-06-11 中微半导体设备(上海)有限公司 具有遮挡板装置的反应器
KR20140015874A (ko) * 2012-07-26 2014-02-07 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
CN106030761B (zh) 2014-01-27 2019-09-13 威科仪器有限公司 用于化学气相沉积系统的晶片载体及其制造方法
JP6285411B2 (ja) * 2015-12-25 2018-02-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2927857B2 (ja) * 1990-01-19 1999-07-28 株式会社東芝 基板加熱装置
US5284521A (en) * 1990-09-21 1994-02-08 Anelva Corporation Vacuum film forming apparatus
TW209253B (ko) * 1990-09-21 1993-07-11 Nidden Aneruba Kk
JP2508948B2 (ja) * 1991-06-21 1996-06-19 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5494841A (en) * 1993-10-15 1996-02-27 Micron Semiconductor, Inc. Split-polysilicon CMOS process for multi-megabit dynamic memories incorporating stacked container capacitor cells
US5851602A (en) * 1993-12-09 1998-12-22 Applied Materials, Inc. Deposition of high quality conformal silicon oxide thin films for the manufacture of thin film transistors
US5656531A (en) * 1993-12-10 1997-08-12 Micron Technology, Inc. Method to form hemi-spherical grain (HSG) silicon from amorphous silicon
US5453125A (en) * 1994-02-17 1995-09-26 Krogh; Ole D. ECR plasma source for gas abatement
US5658381A (en) * 1995-05-11 1997-08-19 Micron Technology, Inc. Method to form hemispherical grain (HSG) silicon by implant seeding followed by vacuum anneal
US5721171A (en) * 1996-02-29 1998-02-24 Micron Technology, Inc. Method for forming controllable surface enhanced three dimensional objects
US5940713A (en) * 1996-03-01 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Method for constructing multiple container capacitor
US5760434A (en) * 1996-05-07 1998-06-02 Micron Technology, Inc. Increased interior volume for integrated memory cell
US6027970A (en) * 1996-05-17 2000-02-22 Micron Technology, Inc. Method of increasing capacitance of memory cells incorporating hemispherical grained silicon

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100449787B1 (ko) * 2000-12-12 2004-09-22 니뽄 가이시 가부시키가이샤 3-5족 질화물막의 제조 방법 및 제조 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1055973A (ja) 1998-02-24
US6221742B1 (en) 2001-04-24
KR100200705B1 (ko) 1999-06-15
JP4422217B2 (ja) 2010-02-24
US6039811A (en) 2000-03-21
TW345678B (en) 1998-11-21

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