KR20010055674A - 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치 - Google Patents

반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치 Download PDF

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KR20010055674A
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치에 관한 것으로서, 본 발명은 웨이퍼의 로딩/언로딩을 위한 카세트부와, 상기 카세트부를 통해 로딩된 웨이퍼를 전달받아 상기 웨이퍼에 대해 화학기상증착을 실시하기 위한 프로세스부와, 상기 카세트부와 프로세스부 사이에 설치되어 카세트부와 프로세스부 사이의 압력차를 완화시키기 위한 펌핑 기능과 상기 웨이퍼의 정화를 위한 퍼지 기능을 선택적으로 수행하는 로드록부와, 상기 로드록부에 설치되어 웨이퍼가 카세트부에서 프로세스부로 이동되기 전에 상기 웨이퍼를 미리 가열시키는 예열수단을 포함함으로써 상기 웨이퍼의 화학기상증착을 위해 걸리는 증착시간이 단축되어 장비의 능률이 향상되고 생산성도 높아지도록 한 것이다.

Description

반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS FOR FORMING METAL LINE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT}
본 발명은 반도체소자의 배선형성장비에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼가 카세트 챔버에서 프로세스 챔버로 이동되기 전에 상기 웨이퍼를 미리 가열시킬 수 있는 구조를 구비한 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치에 관한 것이다.
도 1은 일반적인 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치가 개략적으로 도시된 블록도이고, 도 2는 상기한 화학기상증착장치의 로드록 챔버의 내부 구조가 도시된 구성도이다.
상기한 도 1을 참조하면, 일반적인 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치는 크게 웨이퍼의 로딩/언로딩을 위한 카세트부(10)와, 상기 카세트부(10)를 통해 로딩된 웨이퍼를 전달받아 상기 웨이퍼에 대해 화학기상증착을 실시하기 위한 프로세스부(30)와, 상기 카세트부(10)와 프로세스부(30) 사이에 설치되어 카세트부(10)와 프로세스부(30) 사이의 압력차를 완화시키기 위한 펌핑 기능과 상기 웨이퍼의 정화를 위한 퍼지(Purge) 기능을 수행하는 로드록부(20)로 이루어진다.
여기서, 상기 카세트부(10)는 웨이퍼의 위치를 확인하고 상기 웨이퍼를 로딩/언로딩시키는 제 1 및 제 2 카세트 챔버(11)(13)와, 상기 카세트 챔버(11)(13)로부터 이동된 웨이퍼를 플랫 존(Flat-zone) 정렬시키는 플랫 오리엔터(Flat orienter)(15)로 구성된다.
또한, 상기 프로세스부(30)는 웨이퍼에 화학기상증착을 실시하는 3개의 프로세스 챔버(31)(33)(35)와, 상기 로드록부(20)를 통과한 웨이퍼를 각각의 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 전달하는 트랜스퍼 챔버(37)로 구성된다.
또한, 상기 로드록부(20)는 카세트부(10)의 플랫 오리엔터(15)로부터 웨이퍼를 전달받아 프로세스부(30)의 트랜스퍼 챔버(37)로 이동시키거나 상기 트랜스퍼 챔버(37)의 웨이퍼를 상기 플랫 오리엔터(15)로 이동시키는 2개의 로드록 챔버(21)(23)로 구성된다.
특히, 상기 로드록 챔버(21)(23)는 도 2에 도시된 바와 같이, 소정 체적의 케이스(41)와, 상기 플랫 오리엔터(15)와 로드록 챔버(21)(23) 사이를 웨이퍼가 이동될 수 있도록 상기 케이스(41)의 일측에 설치된 카세트 방향 게이트(42)와, 상기 트랜스퍼 챔버(37)와 로드록 챔버(21)(23) 사이를 웨이퍼가 이동될 수 있도록 상기 케이스(41)의 타측에 설치된 트랜스퍼 방향 게이트(43)와, 상기 플랫 오리엔터(15)로부터 웨이퍼를 전달받아 상기 트랜스퍼 챔버(37)로 이동시키는 상부 링(44)과, 상기 트랜스퍼 챔버(37)로부터 웨이퍼를 전달받아 상기 플랫 오리엔터(15)로 이동시키는 동시에 상기 웨이퍼를 냉각시키는 하부 플레이트(45)와, 상기 상부 링(44)과 하부 플레이트(45)의 높이를 조정하는 수직이동축(46)을 포함하여 구성된다.
또한, 상기 로드록 챔버(21)(23)에는 웨이퍼를 상기 플랫 오리엔터(15)나 트랜스퍼 챔버(37)로 이동시키는 경우 상기 케이스(41) 내부의 압력이 플랫 오리엔터(15)나 트랜스퍼 챔버(37)의 압력과 동일한 상태가 되도록 케이스(41) 내부의 압력을 조정하는 압력조정수단(미도시)과, 상기 프로세스 챔버(31)(33)(35)에서 증착을 마친 웨이퍼를 카세트 챔버(21)(23)로 이동시킬 때 상기 웨이퍼를 정화시키는 퍼지 기능을 수행하는 정화수단(미도시)이 설치되어 있다.
상기와 같이 구성된 종래의 화학기상증착장치는 다음과 같이 작동된다.
먼저, 카세트부(10)의 제 1 및 제 2 카세트 챔버(11)(13)에 25개 정도의 웨이퍼가 각각 로딩된다. 이와 같이 제 1 및 제 2 카세트 챔버(11)(13)에 웨이퍼가 로딩되면 상기 제 1 카세트 챔버(11) 내의 웨이퍼가 먼저 플랫 오리엔터(15)를 통해 플랫 존 정렬된 후 로드록 챔버(21)(23)로 이동된다. 이때, 상기 웨이퍼는 2개의 로드록 챔버(21)(23) 중 비어 있는 쪽으로 이동된다.
이후, 상기 로드록 챔버(21)(23) 내의 카세트 방향 게이트(42)를 통해 상부 링(44)에 웨이퍼가 안착되면 상기 카세트 방향 게이트(42)가 닫힌 후 압력조정수단이 동작되어 로드록 챔버(21)(23)의 케이스(41) 내부를 트랜스퍼 챔버(37)와 같은 저압 상태로 만든다. 이때, 상기 케이스(41)의 타측에 설치된 트랜스퍼 방향 게이트(43)는 물론 닫혀 있는 상태이다.
이후, 상기 케이스(41)의 내부 압력이 트랜스퍼 챔버(37)의 압력 상태와 동일하게 되면 상기 트랜스퍼 방향 게이트(43)가 열려 상기 상부 링(44)의 웨이퍼가 상기 트랜스퍼 챔버(37)로 이동된다.
이후, 상기 트랜스퍼 챔버(37)로 이동된 웨이퍼는 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 이동되는데, 이때 상기 웨이퍼는 3개의 프로세스 챔버(31)(33)(35) 중 비어 있는 쪽으로 이동된다.
상기와 같이 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 이동된 웨이퍼는 상기 프로세스 챔버(31)(33)(35) 내에서 일정 온도에 도달될 때까지 가열된 다음 온도안정화 단계와증착 단계를 거치면서 화학기상증착되게 된다.
이때, 상기 웨이퍼가 온도안정화 단계와 증착 단계를 거치기 전에 일정 온도로 가열되는 것은 대부분의 화학기상증착 공정이 고온에서 이루어지기 때문이다.
즉, 화학기상증착을 위한 다이클로드 사일렌(DCS: SiH2Cl2) 가스를 이용한 텅스텐 실리사이드 공정(WSix 공정)은 온도에 극히 민감한 공정이므로 상온의 웨이퍼를 충분히 가열시켜준 후 고온에서 증착이 이루어지게 해야하기 때문이다.
만약, 상기 웨이퍼를 충분히 가열하지 않고 증착을 실시하면 초기막이 비정질화되거나 배선을 패턴대로 형성하기 위한 식각시 프로파일 불량이 발생되는 등의 각종 공정 불량이 발생하게 된다.
상기와 같이 프로세스 챔버(31)(33)(35)에서 화학기상증착을 마친 웨이퍼는 트랜스퍼 챔버(37)로 이동된 후 다시 상기 로드록 챔버(21)(23)의 트랜스퍼 방향 게이트(43)를 통해 하부 플레이트(45)로 이동된다.
이와 같이 상기 하부 플레이트(45)에 웨이퍼가 안착되면 상기 트랜스퍼 방향 게이트(43)가 닫히고 압력조정수단에 의해 상기 케이스(41) 내부의 압력은 플랫 오리엔터(15)와 같은 상압 상태로 조정된다. 이때, 상기 웨이퍼는 하부 플레이트(45)에 의해 상온 상태로 냉각되는 동시에 정화수단에 의해 불순물 등이 제거되어 깨끗한 상태가 된다.
이후, 상기 로드록 챔버(21)(23)의 압력이 플랫 오리엔터(15)와 동일하게 되면 카세트 방향 게이트(42)가 열려 상기 하부 플레이트(45)의 웨이퍼가 상기 플랫 오리엔터(15)로 이동되고, 상기 플랫 오리엔터(15)로 이동된 웨이퍼는 다시 상기 제1 카세트 챔버(11)로 이동된다.
상기의 과정이 제 1 카세트 챔버(11) 내의 25개의 웨이퍼에 대해 실시되어 각각의 웨이퍼가 모두 화학기상증착을 마치면 상기 제 1 카세트 챔버(11)의 웨이퍼는 언로딩된다.
상기에서, 제 1 카세트 챔버(11)의 25번째 웨이퍼가 로드록 챔버(21)(23)에서 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 이동되면 상기 제 2 카세트 챔버(13)의 1번째 웨이퍼가 바로 상기 로드록 챔버(21)(23)로 이동되어 웨이퍼에 대한 증착 공정은 계속해서 연속적으로 이루어지게 된다.
그러나, 상기와 같은 종래의 화학기상증착장치는 웨이퍼가 프로세스 챔버(31)(33)(35)에 이동된 이후부터 상기 웨이퍼의 가열이 시작되기 때문에 웨이퍼의 화학기상증착을 위해 상기 웨이퍼를 충분히 가열하는데 걸리는 시간이 길어져 웨이퍼의 증착시간이 과다하게 소요되고, 이로 인해 장비의 능률이 저하되는 동시에 생산성이 떨어지는 문제점이 있었다.
상기한 바와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은, 웨이퍼가 카세트 챔버에서 프로세스 챔버로 이동되기 전에 그 사이의 로드록 챔버에서 미리 가열시킴으로써 상기 웨이퍼의 화학기상증착을 위해 걸리는 증착시간이 단축되어 장비의 능률이 향상되고 생산성도 높아지도록 하는 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치를 제공함에 있다.
도 1은 일반적인 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치가 개략적으로 도시된 블록도,
도 2는 상기한 화학기상증착장치의 로드록 챔버의 내부 구조가 도시된 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 화학기상증착장치의 로드록 챔버의 내부 구조가 도시된 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 카세트부 11, 13 : 카세트 챔버
20 : 로드록부 21, 23 : 로드록 챔버
30 : 프로세스부 31, 33, 35 : 프로세스 챔버
51 : 케이스 52 : 카세트 방향 게이트
53 : 트랜스퍼 방향 게이트 55 : 상부 테이블 히터
57 : 하부 플레이트 59 : 수직이동축
61 : 단열재
상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼의 로딩/언로딩을 위한 카세트부와, 상기 카세트부를 통해 로딩된 웨이퍼를 전달받아 상기 웨이퍼에 대해 화학기상증착을 실시하기 위한 프로세스부와, 상기 카세트부와 프로세스부 사이에 설치되어 카세트부와 프로세스부 사이의 압력차를 완화시키기 위한 펌핑 기능과 상기 웨이퍼의 정화를 위한 퍼지 기능을 선택적으로 수행하는 로드록부와, 상기 로드록부에 설치되어 웨이퍼가 카세트부에서 프로세스부로 이동되기 전에 상기 웨이퍼를 미리 가열시키는 예열수단을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치가 제공된다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 일반적인 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치가 개략적으로 도시된 블록도이고, 도 3은 본 발명에 따른 화학기상증착장치의 로드록 챔버의 내부 구조가 도시된 구성도이다.
상기한 도 1 및 도 3을 참조하면, 상기한 본 발명의 화학기상증착장치는 웨이퍼의 로딩/언로딩을 위한 카세트부(10)와, 상기 카세트부(10)를 통해 로딩된 웨이퍼를 전달받아 상기 웨이퍼에 대해 화학기상증착을 실시하기 위한 프로세스부(30)와, 상기 카세트부(10)와 프로세스부(30) 사이에 설치되어 카세트부(10)와 프로세스부(30) 사이의 압력차를 완화시키기 위한 펌핑 기능과 상기 웨이퍼의 정화를 위한 퍼지 기능을 선택적으로 수행하는 로드록부(20)와, 상기 로드록부(20)에 설치되어 웨이퍼가 카세트부(10)에서 프로세스부(30)로 이동되기 전에 상기 웨이퍼를 미리 가열시키는 예열수단을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 카세트부(10)는 웨이퍼의 위치를 확인하고 상기 웨이퍼를 로딩/언로딩시키는 제 1 및 제 2 카세트 챔버(11)(13)와, 상기 카세트 챔버(11)(13)로부터 이동된 웨이퍼를 플랫 존 정렬시키는 플랫 오리엔터(15)로 구성된다.
또한, 상기 프로세스부(30)는 웨이퍼에 화학기상증착을 실시하는 3개의 프로세스 챔버(31)(33)(35)와, 상기 로드록부(20)를 통과한 웨이퍼를 각각의 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 전달하는 트랜스퍼 챔버(37)로 구성된다.
또한, 상기 로드록부(20)는 카세트부(10)의 플랫 오리엔터(15)로부터 웨이퍼를 전달받아 프로세스부(30)의 트랜스퍼 챔버(37)로 이동시키거나 상기 트랜스퍼 챔버(37)의 웨이퍼를 상기 플랫 오리엔터(15)로 이동시키는 2개의 로드록 챔버(21)(23)로 구성된다.
또한, 상기 로드록 챔버(21)(23)는 도 3에 도시된 바와 같이, 소정 체적의 케이스(51)와, 상기 플랫 오리엔터(15)와 로드록 챔버(21)(23) 사이를 웨이퍼가 이동될 수 있도록 상기 케이스(51)의 일측에 설치된 카세트 방향 게이트(52)와, 상기 트랜스퍼 챔버(37)와 로드록 챔버(21)(23) 사이를 웨이퍼가 이동될 수 있도록 상기 케이스(51)의 타측에 설치된 트랜스퍼 방향 게이트(53)와, 상기 플랫 오리엔터(15)로부터 웨이퍼를 전달받아 상기 트랜스퍼 챔버(37)로 이동시키는 동시에 상기 웨이퍼를 미리 가열시키는 상부 테이블 히터(55)와, 상기 트랜스퍼 챔버(37)로부터 웨이퍼를 전달받아 상기 플랫 오리엔터(15)로 이동시키는 동시에 상기 웨이퍼를 냉각시키는 하부 플레이트(57)와, 상기 상부 테이블 히터(55)과 하부 플레이트(57)의 높이를조정하는 수직이동축(59)을 포함하여 구성된다.
또한, 상기 로드록 챔버(21)(23)에는 웨이퍼를 상기 플랫 오리엔터(15)나 트랜스퍼 챔버(37)로 이동시키는 경우 상기 케이스(51) 내부의 압력이 플랫 오리엔터(15)나 트랜스퍼 챔버(37)의 압력과 동일한 상태가 되도록 케이스(51) 내부의 압력을 조정하는 압력조정수단(미도시)과, 상기 프로세스 챔버(31)(33)(35)에서 증착을 마친 웨이퍼를 카세트 챔버(11)(13)로 이동시킬 때 상기 웨이퍼를 정화시키는 퍼지 기능을 수행하는 정화수단이 설치된다.
또한, 상기 상부 테이블 히터(55)과 하부 플레이트(57) 사이에는 상부 테이블 히터(55)과 하부 플레이트(57)간의 열전달을 차단하기 위한 단열재(61)가 설치되어 있다.
상기와 같은 구조에서는 로드록 챔버(21)(23) 내에 설치된 상부 테이블 히터(55)가 웨이퍼를 카세트부(10)에서 프로세스부(30)로 이동시키기 전에 미리 가열하는 기능을 수행하는 예열수단이 된다.
한편, 기존의 화학기상증착장치의 형태 중에는 웨이퍼를 카세트 챔버(11)(13)에서 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 이동시키는 동작과 상기 프로세스 챔버(31)(33)(35)에서 카세트 챔버(11)(13)로 이동시키는 동작이 상부 링과 하부 플레이트에 의해 구분되어 수행되지 않고 하나의 테이블에 의해 수행되도록 구성된 것이 있다.
이와 같은 경우, 상기 예열수단은 웨이퍼를 이동시키는 테이블에 장착됨으로써 상기 웨이퍼를 카세트 챔버(11)(13)에서 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 이동시키는 동안에만 작동되어 웨이퍼를 예열시키는 히터로 구성될 수 있다.
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 예열수단은 로드록 챔버(21)(23)의 전, 후에 설치되어 웨이퍼가 카세트 챔버(11)(13)에서 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 이동되는 과정에서만 상기 웨이퍼를 예열시키는 기능을 수행하는 프리히트 챔버로 구성될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치는 다음과 같이 작동된다.
먼저, 카세트부(10)의 제 1 및 제 2 카세트 챔버(11)(13)에 25개 정도의 웨이퍼가 각각 로딩된다. 이와 같이 제 1 및 제 2 카세트 챔버(11)(13)에 웨이퍼가 로딩되면 상기 제 1 카세트 챔버(11) 내의 웨이퍼가 먼저 플랫 오리엔터(15)를 통해 플랫 존 정렬된 후 로드록 챔버(21)(23)로 이동된다. 이때, 상기 웨이퍼는 2개의 로드록 챔버(21)(23) 중 비어 있는 쪽으로 이동된다.
이후, 상기 로드록 챔버(21)(23) 내의 카세트 방향 게이트(52)를 통해 상부 테이블 히터(55)에 웨이퍼가 안착되면 상기 카세트 방향 게이트(52)가 닫힌 후 압력조정수단이 동작되어 로드록 챔버(21)(23)의 케이스(51) 내부를 트랜스퍼 챔버(37)와 같은 저압 상태로 만든다. 이때, 상기 케이스(51)의 타측에 설치된 트랜스퍼 방향 게이트(53)는 물론 닫혀 있는 상태이다.
이와 동시에 상부 테이블 히터(55)가 작동되어 상기 상부 테이블 히터(55)에 안착된 웨이퍼를 화학기상증착을 실시하는데 도움이 되도록 미리 가열하게 된다.
이로써, 본 발명은 웨이퍼가 프로세스 챔버(31)(33)(35)에서 증착될 때까지로드록 챔버(21)(23)에서 다음 웨이퍼가 대기 상태로 기다리는 동안 상기 웨이퍼를 상부 테이블 히터(55)를 통해 예열시킬 수 있게 되어 웨이퍼의 증착시간이 단축되는 동시에 상기 웨이퍼를 충분한 시간동안 적정 온도로 가열할 수 있게 되는 효과가 있다.
이후, 상기 케이스(51)의 내부 압력이 트랜스퍼 챔버(37)의 압력 상태와 동일하게 되면 상기 트랜스퍼 방향 게이트(53)가 열려 상기 상부 테이블 히터(55)의 웨이퍼가 상기 트랜스퍼 챔버(37)로 이동된다.
이후, 상기 트랜스퍼 챔버(37)로 이동된 웨이퍼는 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 이동되는데, 이때 상기 웨이퍼는 3개의 프로세스 챔버(31)(33)(35) 중 비어 있는 쪽으로 이동되게 된다.
상기와 같이 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 이동된 웨이퍼는 상기 프로세스 챔버(31)(33)(35) 내에서 온도안정화 단계와 증착 단계를 거치면서 화학기상증착되게 된다.
이후, 상기 프로세스 챔버(31)(33)(35)에서 화학기상증착을 마친 웨이퍼는 트랜스퍼 챔버(37)로 이동된 후 다시 상기 로드록 챔버(21)(23)의 트랜스퍼 방향 게이트(53)를 통해 하부 플레이트(57)로 이동된다.
이때, 상기 트랜스퍼 챔버(37)에서 로드록 챔버(21)(23)의 하부 플레이트(57)로 증착을 마친 웨이퍼가 이동되는 동시에 상기 로드록 챔버(21)(23)의 상부 테이블 히터(55)에 안착되어 예열되어 있던 대기 상태의 웨이퍼가 상기 트랜스퍼 챔버(37)로 이동되게 된다.
이후, 상기 하부 플레이트(57)에 웨이퍼가 안착되면 상기 트랜스퍼 방향 게이트(53)가 닫히고 압력조정수단에 의해 상기 케이스(51) 내부의 압력은 플랫 오리엔터(15)와 같은 상압 상태로 조정된다. 이때, 상기 웨이퍼는 하부 플레이트(57)에 의해 상온 상태로 냉각되는 동시에 정화수단에 의해 불순물 등이 제거되어 깨끗한 상태가 된다.
이후, 상기 로드록 챔버(21)(23)의 압력이 플랫 오리엔터(15)와 동일하게 되면 카세트 방향 게이트(52)가 열려 상기 하부 플레이트(57)의 웨이퍼가 상기 플랫 오리엔터(15)로 이동되고, 상기 플랫 오리엔터(15)로 이동된 웨이퍼는 다시 상기 제 1 카세트 챔버(11)로 이동된다.
상기의 과정이 제 1 카세트 챔버(11) 내의 25개의 웨이퍼에 대해 실시되어 각각의 웨이퍼가 모두 화학기상증착을 마치면 상기 제 1 카세트 챔버(11)의 웨이퍼는 언로딩된다.
상기에서, 제 1 카세트 챔버(11)의 25번째 웨이퍼가 로드록 챔버(21)(23)에서 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 이동되면 상기 제 2 카세트 챔버(13)의 1번째 웨이퍼가 바로 상기 로드록 챔버(21)(23)로 이동되어 웨이퍼에 대한 증착 공정은 계속해서 연속적으로 이루어지게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치는, 웨이퍼가 카세트 챔버(11)(13)에서 프로세스 챔버(31)(33)(35)로 이동되기 전에 상기 웨이퍼를 로드록 챔버(21)(23)에서 미리 가열시킬 수 있으므로 웨이퍼의 화학기상증착을 위해 걸리는 증착시간이 단축되어 장비의 능률이 향상되는 동시에 생산성이 높아지는 이점이 있다.
특히, 본 발명은 이전 웨이퍼가 프로세스 챔버(31)(33)(35)에서 증착되는 동안 로드록 챔버(21)(23)에서 대기 상태로 기다리는 웨이퍼를 예열시킬 수 있게 되어 장비의 능률 및 생산성 향상에 한층 더 유리한 이점이 있다.
또한, 본 발명은 웨이퍼를 로드록 챔버(21)(23)에서 예열시켜 화학기상증착을 위한 적정 온도로 상기 웨이퍼를 충분히 가열시킬 수 있게 되므로 웨이퍼의 온도안정화가 이루어져 온도로 인한 각종 불량이 제거되는 이점이 있다.

Claims (3)

  1. 웨이퍼의 로딩/언로딩을 위한 카세트부와, 상기 카세트부를 통해 로딩된 웨이퍼를 전달받아 상기 웨이퍼에 대해 화학기상증착을 실시하기 위한 프로세스부와, 상기 카세트부와 프로세스부 사이에 설치되어 카세트부와 프로세스부 사이의 압력차를 완화시키기 위한 펌핑 기능과 상기 웨이퍼의 정화를 위한 퍼지 기능을 선택적으로 수행하는 로드록부와, 상기 로드록부에 설치되어 웨이퍼가 카세트부에서 프로세스부로 이동되기 전에 상기 웨이퍼를 미리 가열시키는 예열수단을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 예열수단은 로드록부를 구성하는 로드록 챔버의 내부에 설치되어 웨이퍼를 카세트부에서 프로세스부로 이동시키는 동시에 상기 웨이퍼를 미리 가열하는 테이블 히터인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 예열수단은 로드록부를 구성하는 로드록 챔버의 전, 후에 설치되어 웨이퍼를 카세트부에서 프로세스부로 이동하는 과정에서 상기 웨이퍼를 미리 가열하는 기능을 수행하는 프리히트 챔버인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배선 형성을 위한 화학기상증착장치.
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