JPH0355840A - 縦型処理装置における処理方法 - Google Patents

縦型処理装置における処理方法

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JPH0355840A
JPH0355840A JP19217289A JP19217289A JPH0355840A JP H0355840 A JPH0355840 A JP H0355840A JP 19217289 A JP19217289 A JP 19217289A JP 19217289 A JP19217289 A JP 19217289A JP H0355840 A JPH0355840 A JP H0355840A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、縦型処理装置における処理方法に関する。
(従来の技術) 近年、LSIの高集積度化により、例えばMOS − 
FETの実装密度が向上し、最近のLSIでは、例えば
LM,4MDRAMの最小設計幅が1μm以下になり、
ゲート酸化膜の膜厚も100人以下になってきた。さら
に、16MDRAMのゲート酸化膜は、数十人とさらに
薄膜化の傾向となっている。
ここで、横型炉の場合には、半導体ウエハを搭載したボ
ートを反応管内部へ水平方向の駆動によりローディング
する際に、対流により空気が反応管内部へ混入すること
が避けられなかった。従って、横型炉の場合には、ウエ
ハをローディングする際に自然酸化膜の形成が避けられ
ず、ゲート酸化膜の膜厚を制御する必要のある高密度素
子への対応がその構造的理由により自ずから限界があっ
た。
一方、縦型炉の場合には、横型炉と比較して酸素の巻込
みが少なく、現在のIMDRAMの威膜に使用される装
置はこの縦型炉が主流となっている。
しかしながら、4M,16Mとさらに高密度化が促進す
ると、この縦型炉の場合にも自然酸化膜の生或を抑制す
べき改良が必要となってくる。
1989年3月に発行された雑誌「電子材料」の第38
頁から第39頁には、縦型炉においてウエハをローディ
ングする雰囲気を厳密に制御するための構成が開示され
ている。
ここに開示されているロードロック方式とは、縦型炉の
下方に配置されるボート上下機構等をロード口ックチャ
ンバー内に配置し、このチャンバー内部を真空ガス置換
などにより窒素で′完全に置換した後にボートのローデ
ィングを行うようにしている。この結果、ローディング
時にウエハが酸化されることを防止し、自然酸化膜を大
幅に抑制している。さらに、このロードロックチャンバ
−に予備室を接続し、ロードロックチャンバーへのウエ
ハのローディングまたはアンローディングをも、窒素雰
囲気にて実施するようにしている。
また、特開昭62−283842号公報には、プラズマ
気相戒長装置に真空予備室を接続し、この真空予備室に
てウエハをプリベークして水分等を除去するものが開示
されている。
(発明が解決しようとする課題) 上述した従来の技術は、縦型炉にウェハをローディング
する空間を酸素を断った雰囲気とすることで、自然酸化
膜の膜厚を極カ少なくすることにあった。
しかしながら、素子の高密度化が急速に進み、酸化膜の
膜厚コントロールがより緻密化すると、上述した従来の
技術のように自然酸化膜の生成を抑制するだけでは対処
することはできない。
また、酸化膜の或膜装置以外の処理装置にあっても、余
分な自然酸化膜を除去して歩留りの向上を確保する要求
がある。
そこで、本発明の目的とするところは、自然酸化膜の生
或は是認しながらも、成膜等の本来の処理工程の開始前
に、生成された自然酸化膜を予め除去することができる
縦型処理装置での処理方法を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の処理方法は、縦型処理容器内に被処理体をロー
ディングして処理するにあたり、上記縦型処理容器での
本来の処理前であって、この縦型処理容器、又はこれと
ロードロックチャンバーを介して連結された他の容器内
に被処理体をローディングした後に、被処理体を加熱し
た状態にてクリーニング用ガスを供給し、このガスの化
学的反応により、被処理体に形威されている自然酸化膜
の除去を行うことを特徴とする。
(作 用) 本発明方法によれば、縦型処理容器内にて被処理体の本
来の処理を開始する前に、予め自然酸化膜をクリーニン
グ用ガスの加熱下での化学的反応を利用して除去するこ
とができる。従って、酸化膿の成膜処理を行う場合には
、素子の高密度化に対応した酸化膜の緻密な膜厚コント
ロールが可能となり、一方、他の処理を行う場合にあっ
ても、余分な自然酸化膜が生成されていない状態での処
理を実現することが可能である。
上記方法を実施する場合、クリーニング用ガスによる酸
化膜除去を縦型処理容器を兼用して行っても良いし、縦
型処理容器とは別の処理容器にて行っても良い。別の容
器で実施した場合には、ロードロックチャンバーを介し
て縦型処理容器にローディングすることにより、クリー
ニング処理後に自然酸化膜が形威されない雰囲気にてロ
ーディングすることができる。
(実施例) 以下、本発明方法を縦型酸化炉での実施に適用したー実
施例について、図面を参照して具体的に説明する。
第1図において、プロセスチューブ10は例えば石英に
て円筒状に形成され、その軸方向を垂直方向とすること
で縦型熱処理炉を構成している。
このプロセスチューブ10の上端側には、ガス導入管1
2が設けられている。このガス導入管12は、酸化膜を
形威するためのプロセスガス02を導入する他、バージ
ガス例えばN2ガスを導入可能であり、さらに、ウエハ
20の自然酸化膜を除去するためのクリーニング用ガス
をそれぞれ切り換えて導入可能である。このクリーニン
グ用ガスとしては、プラズマレスエッチングガスとして
NF3,Hc/等を挙げることができ、還元ガスとして
はH2等を挙げることができる。また、プロセスチュー
ブ10の周囲にはヒータ14が設けられ、このプロセス
チューブ10内を所定温度に設定可能としている。さら
に、このプロセスチューブ10の下端側には排気管16
が連結され、この排気管16は図示しない真空ボンブに
接続されている。そして、この排気管16を介して真空
引きすることで、前記プロセスチューブ10内を所定の
真空度に設定し、あるいは、プロセスチューブ10に導
入されたガスを排気可能としている。
このプロセスチューブ10内にはボート18が搬入出可
能となっている。このボート18は、ウエハ20を水平
状態にて、かつ、縦方向に所定間隔をおいて多数枚のウ
エハ20を搭載可能としている。このボート18は、前
記プロセスチューブ10の均熱領域に各ウエハ20を設
定するための保温筒22に載置固定され、この保温筒2
2がボートエレベータ26にて上下方向に駆動されるこ
とにより、前記ボート18をプロセスチューブ10内に
ローディングし、あるいはアンローディングできるよう
にしている。尚、前記保温筒22の下端部にはフランジ
24が設けられ、ボート18をプロセスチューブ10内
に設定した後に、このフランジ24がプロセスチューブ
10の下端開口部を密閉するようにしている。さらに、
ボート18がプロセスチューブ10より完全にアンロー
ディングされた後には、シャッター28が閉鎖駆動され
、プロセスチューブ10の下端開口部を密閉するように
している。
さらに、本実施例装置では前記ウエハ20への自然酸化
膜の生成を極力低減するために、第2図に示すようなロ
ードロック方式を採用している。
すなわち、前記プロセスチューブ1oの下方の領域であ
って、前記ボートエレベータ26の上下動機構等を含む
空間は、第1のロードロックチャンバ40内に設定され
ている。また、この第1のロードロックチャンバ40の
第2図の左側には、第2のロードロックチャンバ42が
配置され、右側には第3のロードロックチャンバ44が
配置されている。前記第1のロードロックチャンバ4o
は、その内部を真空置換し、その後不活性ガス等による
パージを実施できるようにガス導入管40a,排気管4
0bが接続されている。同様に第2.第3のロードロッ
クチャンバ42.44にも、それぞれガス導入管42a
,44m及び排気管42b,44bが接続されている。
さらに、各ロードロックチャンバ間を気密に遮断し、あ
るいは大気と遮断するために、各ロードロックチャンバ
40.42.44の両側には、ゲートバルブ46〜52
が設けられている。
そして、本実施例装置では、複数枚のウェハ20を搭載
したキャリアを前記第2のロードロッグチャンバ42内
に設定し、このキャリアより1枚ずつウエハ20を取り
出して、第1のロード口ックチャンバ40内部に配置さ
れている前記ボート18にウエハ20を移し換えるよう
にしている。
そして、プロセスチューブ10での処理が終了した後は
、ボート18より1枚ずつウエハ20を取り出して、第
3のロードロックチャンバ44内部に配置されているキ
ャリアにウエハ20を移し換え、移し換え動作終了後に
、第3のロード口ックチャンバ44からキャリアごと搬
出して次の工程に移行するようにしている。
ここで、第1,第2,第3のロードロックチャンバ40
,42.44の間での、ウエハの移シ換え機構の一例に
ついて、第3図を参照して説明する。
同図に示すように、第1のロードロックチャンバ40内
部には、ウエハ20の移し換え動作を行うためのハンド
ラー70が配置されている。このハンドラー70は、1
枚のウエハ20を載置して支持するためのピンセット7
2を有し、このピンセット72を前記第2のロードロッ
クチャンバ42内部に設定されているキャリア60への
搬入出位置、前記第1のロード口ックチャンバ40内部
に配置されているボート18への搬入出位置、及び前記
第3のロードロックチャンバ44内部に配置されている
キャリア62への搬入出位置にそれぞれ移動可能として
いる。尚、本実施例のハンドラー70は上下動機構を有
していないが、ボールねじ26aに螺合して上下動する
前記ボートエレベータ26の移動により、ボート18に
対する上下方向の位置を可変でき、一方、前記キャリア
60.62は、図示しない上下動機構によりその上下方
向の位置を可変するようにしている。
次に、前記ビンセット72に移動機構について説明する
と、このピンセット72は、支点80.80に一端を回
転自在に支持した2本のリンク74.74を有している
。一方、第3図の矢印方向に回転可能な基台76には、
支点84.84を中心に回転自在なリンク78.78が
設けられている。そして、この一対のリンク74.78
の連結部を支点82とすることで、いわゆるフラグレッ
グ方式により伸縮自在な機構を実現している。
そして、このリンク74.78による伸縮動作、及び前
記基台76の回転動作により、上述した各搬入出位置に
対してピンセット72を移動可能としている。
次に、作用について説明する。
まず、ゲートバルブ46をクローズとし、ゲートバルブ
50をオーブンとした状態で、第2のロード口ツクチャ
ンバ42内部にキャリア60を搬入する。その後、ゲー
トバルブ50をクローズとし、排気管42bを介して真
空引きした後に、ガス導入管42aよりパージガスを導
入し、第2のロードロックチャンバ42内部をパージす
る。このバージガスとしては、不活性ガスとしてのN2
またはAr,あるいは水素ガスH2を挙げることができ
る。特に、水素ガスH2でパージした場合には、この水
素ガスH2の純度をかなり高めることが可能であるので
酸素を排出することに効果的であり、かつ、仮に反応し
たとしても還元作用を呈するので、ウエハ20の酸化を
防止することが可能である。
次に、第1のロードロックチャンバ40内部を同様に真
空引きし、かつ、パージした後にゲートバルブ46をオ
ープンとし、キャリア60よりボート18に対するウエ
ハ20の移動を行う。この際、キャリア60を載置した
上下動機構及びボート18を支持したボートエレベータ
26の上下動機構により、キャリア60及びボート18
の上下方向位置を変更し、ハンドラ−70のリンク74
,78の伸縮動作及び基台76の回転動作によりビンセ
ット72をキャリア60,ボート18間で移動させ、ウ
エハ20を1枚ずつボートエ8に移送することになる。
このウエハ20の移送動作により、ボート18はボート
エレベータ26の1ステップ上昇動作に従って、プロセ
スチューブ10に向けて上昇移動されることになる。そ
こで、ボート18がシャッター28と干渉しないタイミ
ングでこのシャツタ−28を開放し、ボート18の上端
側よりプロセスチューブ10への搬入(ローディング)
が開始されることなる。
このようにして、プロセスチューブ10へのローディン
グを行い、ボート18のローディングが完了すると、保
温筒22のフランジ24によって、プロセスチューブ1
0の下端開口部が密閉されることになる。そして、この
後排気管16を介して真空引きを行い、その後N2パー
ジを実施すると共に、ヒータ14の加熱により、プロセ
スチューブ10内部を所定のクリーニング温度に設定す
ることになる。
そして、クリーニング温度にて安定した後に、ウエハ2
0の自然酸化膜のクリーニング動作が開始されることに
なる。
プラズマレスエッチングを行う場合には、上記クリーニ
ング温度として600℃,950℃に設定し、エッチン
グガスとしてNF,又はHcl等をガス導入管12を介
して導入する。
このエッチングガスは、上記温度にてエッチングの化学
的反応が促進されるので、ウエハ20上に形成されてい
る自然酸化膜を除去することができる。
なお、第2図に示すようにロツドーロック方式を採用し
た場合には、ウエハ20がプロセスナュブ10にローデ
ィングされる際に酸化される可能性が少なく、このため
自然酸化膜の膜厚も薄くなっている。従って、上記のプ
ラズマレスエッチングとしては、ウエハ20をSi基板
とした場合のS i / S i O 2の高選択比を
実現できるものが好ましい。
一方、還元作用を行う場合には、上記クリーニング温度
として例えば1050℃に設定し、還元ガスとしてH2
等をガス導入管12を介して導入する。
この還元ガスは、上記温度にてエッチングの還元反応が
促進されるので、ウエハ20上に形成されている自然酸
化膜を除去することができる。
このような自然酸化膜の除去工程が終了したら、プロセ
スチューブ10内を真空置換した後にN2パージすると
共に、ヒータ14を制御して酸化膜の成膜プロセス温度
例えば850℃に設定する。
その後、ガス導入管12を介して酸素ガス02をプロセ
スチューブ10内に導入し、加熱下においてウエハ20
に対する例えばゲート酸化膜の成膜処理を行うことにな
る。
プロセスチューブ10内部での威膜工程が終了した後、
ヒータ14の温度を下降させて冷却し、この後ボートエ
レベータ26の駆動によりボート18のアンローディン
グを実施すβ。また、この間を利用して、ゲートバルブ
48.52をクローズとした状態で、第3のロードロッ
クチャンバ44内部の真空引き、及びガスパージを実施
しておく。
そして、第1,第3のロードロックチャンバ40.44
内部を、酸素のない同一雰囲気に設定した後に、ゲート
バルブ48をオープンとして、ボート18からキャリア
62へのウエハ20の移送を実施する。このウエハ20
の移送動作は、ボート18の上下動,キャリア62の上
下動及びハンドラー70の移動により実施する。
第3のロード口ックチャ/バ44内部に配置されている
キャリア62へのウェハ2oの移送が完了した後に、ゲ
ートバルブ48をクローズとし、この第3のロード口ッ
クチャンバ44内部の圧力を大気圧に設定する。その後
、ゲートバルブ52をオーブンとし、キャリア62の搬
出を行う。以上のような動作により、ゲート酸化膜の成
膜工程の1バッチ処理が終了することになる。
このように、本実施例によれば、プロセスチューブ10
に対してボート18をローディングした後に、本来の処
理を行うべき容器と同一のプロセスチューブ10内にて
、予めプラズマレスエッチング又は還元作用により、ウ
ェハ2o上に形或されている自然酸化膜を除去すること
ができ、プロセスチューブ10内部にての本来のゲート
酸化膜の緻密が膜厚コントロールを実現することが可能
となる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
本発明を実施するに際して、上記実施例のように本来の
処理を行うべきプロセスチューブ10を酸化膜の除去処
理容器として兼用する場合には、必ずしも上記実施例の
ようなロードロック方式を採用するものに限らない。し
かし、ウエハ20に形成される自然酸化膜を極力抑制す
るためには、上記ようなロードロック方式を併せて採用
するものが好ましい。この際、設置面積等の要請により
第2図に示すような構成を採用できない場合には、第4
図に示すようなロードロック方式を採用することもでき
る。同図によれば、第3のロードロックチャンバ44を
設けず、第2のロード口ックチャンバ42を、第1のロ
ードロックチャンバ40に対するウエハ20の搬入出用
の予備室として兼用したものである。このようにした場
合、搬入出経路が同一であるためスループットの低下は
否めないが、酸素を断った雰囲気にてウエハの搬入出動
作を実現できるため、自然酸化膜の生成を極力抑制する
ことが可能である。
また、本発明は上記各実施例のように、必ずしも本来の
処理を実施するプロセスチューブ10を酸化膜の除去工
程を実施する容器と兼用するものに限らない。
第5図は、本来の処理容器以外の他の容器にて予め酸化
膜を除去する実施例の概略断面図である。
同図に示すように、第1のロードロックチャンバ40に
は、プロセスチj−ブ10a,ガス導入管12a.ヒー
タ14a,排気管16a,シャッタ28g等で構成され
る縦型酸化炉と、プロセスチューブ10b,ガス導入管
12b9 ヒータ14b,排気管16b,  シャッタ
28bで等構成される縦型クリーニング装置とを連結し
ている。
このような装置によれば、第1,第2のロードロックチ
ャンバ40.42間は、上述したハンドラー70によっ
てウエハ20をキャリア62よりボート18に向けて移
送を行う。ボートl8を先ずプロセスチューブ10bに
ローディングし、ここで自然酸化膜の除去を実施する。
プロセスチューブ10bよりアンローディングした後は
、ボート18をプロセスチューブ10aに下方まで図示
しないボートハンドラーによって移動させ、プロセスチ
ューブ1〔〕aにローディングし、本来の成膜処理を実
施する。その後は、上記実施例と同様にボート18のア
ンローイング,ウエハ18の移送およびキャリア62の
搬出によって1バッチ処理が終了することになる。
ここで、酸化膜の除去後のプロセスチューブ10Hに対
するローディング動作を、酸素を断った雰囲気での第1
のロードロックチャンバ40を介して実施できるので、
新たな自然酸化膜が戊膜工程前に付着することを防止で
きる。
なお、本発明は必ずしも酸化膜の成膜処理装置に適用す
るものに限らず、他の成膜装置あるいは成膜以外の処理
装置について適用した場合にも、余分な自然酸化膜の形
成を除去できるため、歩留まりの向上を図ることが可能
となる。
さらに、本発明は必ずしも上記実施例のような複数枚の
被処理体を・一度に処理するバッチ処理装置に適用され
るものに限らず、枚葉式の処理装置についても同様の効
果を奏することができる。
[発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば被処理体の本来の
処理を実施する縦型処理容器、あるいはこれとロード口
ツクチャンバを介して連結された他の容器にて、加熱下
でクリーニング用のガスを供給することで、被処理体に
形威されている自然酸化膜を、本来の処理工程実施前に
クリーニング用ガスの化学的作用により除去することが
できる。従って、酸化膜の成膜処理装置にあっては素子
の高密度化に対応した緻密な膜厚コントロールが可能と
なり、他の処理装置に適用した場合にも余分な自然酸化
膜を除去できることにより歩留まりの向上を図ることが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明方法を実施する縦型酸化炉一実施例を
示すの概略断面図、 第2図は、実施例装置に適用されたロードロック方式を
説明するための概略断面図、 第3図は、複数のロードロックチャンバに対するウエハ
の移送機構を説明するための平面図、第4図は、ロード
ロック方式の変形例を説明するための概略断面図、 第5図は、他の容器にて酸化膜除去を行う変形例を説明
するための概略断面図である。 1.0,IOa・・・縦梨処理容器 10b・・・他の容器、 12,12a,12b・・・ガス導入管、14,14a
,14b−・・ヒータ、 18・・・ボー ト、20・・・被処理体〈ウヱノ\)
、26・・・ボートエレベータ、 40,42.44・・・0−ドロツクチャンバ、46〜
52・・・ゲー1・バルブ、

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)縦型処理容器内に被処理体をローディングして処
    理するにあたり、 上記縦型処理容器での本来の処理前であって、この縦型
    処理容器、又はこれとロードロックチャンバーを介して
    連結された他の容器内に被処理体をローディングした後
    に、被処理体を加熱した状態にてクリーニング用ガスを
    供給し、このガスの化学的反応により、被処理体に形成
    されている自然酸化膜の除去を行うことを特徴とする縦
    型処理装置における処理方法。
  2. (2)クリーニング用ガスをプラズマレスエッチングガ
    スとした請求項(1)に記載の縦型処理装置における処
    理方法。
  3. (3)クリーニング用ガスを還元ガスとした請求項(1
    )に記載の縦型処理装置における処理方法。
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