JP6009436B2 - 化学機械研磨における研磨速度補正のためのフィードバック - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 224
- 238000012937 correction Methods 0.000 title description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 250
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 160
- 238000012886 linear function Methods 0.000 claims description 57
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 21
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 14
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 10
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 33
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- 101150107278 POLD1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150043219 POLD2 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- PQVHMOLNSYFXIJ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O)C(=O)O PQVHMOLNSYFXIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150099612 Esrrb gene Proteins 0.000 description 1
- 101100119135 Mus musculus Esrrb gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
- B24B49/04—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
Padj=(Pnew−Pold)*err+Pnew
上式で、Poldは時間T0前にその区間に加えられた圧力であり、PnewはPnew=Pold*(SD/S)として計算され、errは、1つまたは複数の先の基板のその区間の実際の研磨速度の、それらの先の基板のその区間に対する所望の研磨速度からの変動に基づいて計算される誤差値である。
適用errX+1=スケール誤差X+全誤差X−1
スケール誤差X=k1*errX
全誤差X−1=k2*(a1*適用errX−2+a2*適用errX−3+...+aN*適用err(X−(N+1))
ここでk1およびk2は定数であり、a1、a2、...aNは加重平均に対する定数であり、すなわちa1+a2+...+aN=1である。定数k1は約0.7とすることができ、定数k2は1とすることができる。errXは、上記の手法の1つに従って1つ前の基板に対して計算される誤差であり、たとえば、図12A〜12Dの実装形態の場合はerrX=[(SD−S’)/SD]もしくはerrX=[(S’−SD)/SD]であり、または図13の実装形態の場合はerrX=[(IT−AI)/(IT−SI)]である。適用errXという項は、たとえば現在の基板が基板X+1であると仮定すると、1つ前の基板に対する適用誤差であり、このとき適用errX−2は、3つ前の基板に対する適用誤差であり、適用errX−3 は、4つ前の基板に対する適用誤差であり、以下同様である。等式1または等式2のいずれの場合も、err=適用errX+1である。
Claims (16)
- それぞれが複数の区間を有する複数の基板を研磨するステップであって、各区間の研磨速度が別個に可変の研磨パラメータによって別個に制御可能である、ステップと、
ターゲット指標値を記憶するステップと、
研磨中の各区間からのスペクトルのシーケンスをインシトゥ監視システムで測定するステップと、
各区間に対するスペクトルの前記シーケンス内の各測定スペクトルに対して、基準スペクトルのライブラリから最良整合する基準スペクトルを決定するステップと、
各区間に対する最良整合する各基準スペクトルに対して、指標値を決定して指標値のシーケンスを生成するステップと、
各区間に対して、指標値の前記シーケンスに第1の線形関数を適合させるステップと、
前記複数の区間からの基準区間に対して、前記基準区間の前記第1の線形関数に基づいて、前記基準区間が前記ターゲット指標値に到達する予想時間を決定するステップと、
少なくとも1つの調整可能区間に対して、前記調整可能区間に対する前記研磨パラメータの調整を計算し、前記調整可能区間がそのような調整を行わない場合より前記予想時間において前記ターゲット指標値に近づくように、前記調整可能区間の前記研磨速度を調整するステップであって、前記計算が、1つ前の基板に対して計算されたフィードバック誤差に基づいて前記調整を計算することを含む、ステップと、
前記研磨パラメータの調整後、各区間に対して引き続き、スペクトルの前記シーケンスを測定し、基準スペクトルのライブラリから最良整合する基準スペクトルを決定し、指標値を決定して、前記研磨パラメータの前記調整後に得られる指標値の第2のシーケンスを生成するステップと、
各基板の前記少なくとも1つの調整可能区間に対して、指標値の前記第2のシーケンスに第2の線形関数を適合させるステップと、
前記第2の線形関数および所望の勾配に基づいて、前記少なくとも1つの調整可能区間の次の基板に対する前記フィードバック誤差を計算するステップと
を含むコンピュータ実装方法。 - 各調整可能区間に対して、前記調整可能区間が前記ターゲット指標値に到達する時間を決定するステップ、及び
前記少なくとも1つの調整可能区間に対して、前記少なくとも1つの調整可能区間がそのような調整を行わない場合より前記予想時間において前記ターゲット指標値に近づくように、前記研磨パラメータを調整するステップ、をさらに含み、前記研磨パラメータを調整するステップが、前記調整可能区間に対する所望の勾配を計算することを含む、請求項1に記載のコンピュータ実装方法。 - それぞれが複数の区間を有する複数の基板が研磨されるようにするステップであって、各区間の研磨速度が別個に可変の研磨パラメータによって別個に制御可能である、ステップと、
ターゲット指標値を記憶するステップと、
研磨中の各区間からのインシトゥ監視システムでのスペクトルのシーケンスの測定値を受信するステップと、
各区間に対するスペクトルの前記シーケンス内の各測定スペクトルに対して、基準スペクトルのライブラリから最良整合する基準スペクトルを決定するステップと、
各区間に対する最良整合する各基準スペクトルに対して、指標値を決定して指標値のシーケンスを生成するステップと、
各区間に対して、指標値の前記シーケンスに第1の線形関数を適合させるステップと、
前記複数の区間からの基準区間に対して、前記基準区間の前記第1の線形関数に基づいて、前記基準区間が前記ターゲット指標値に到達する予想時間を決定するステップと、
少なくとも1つの調整可能区間に対して、前記調整可能区間に対する前記研磨パラメータの調整を計算し、前記調整可能区間がそのような調整を行わない場合より前記予想時間において前記ターゲット指標値に近づくように、前記調整可能区間の前記研磨速度を調整するステップであって、前記計算が、1つ前の基板に対して計算されたフィードバック誤差に基づいて前記調整を計算することを含む、ステップと、
前記研磨パラメータの調整後、各区間に対して引き続き、スペクトルの前記シーケンスを測定し、基準スペクトルのライブラリから最良整合する基準スペクトルを決定し、指標値を決定して、前記研磨パラメータの前記調整後に得られる指標値の第2のシーケンスを生成するステップと、
各基板の前記少なくとも1つの調整可能区間に対して、指標値の前記第2のシーケンスに第2の線形関数を適合させるステップと、
前記第2の線形関数および所望の勾配に基づいて、前記少なくとも1つの調整可能区間の次の基板に対する前記フィードバック誤差を計算するステップと
を有する動作をコンピュータに実行させる、コンピュータプログラム。 - 前記動作が、
各調整可能区間に対して、前記調整可能区間が前記ターゲット指標値に到達する時間を決定するステップ、及び
前記少なくとも1つの調整可能区間に対して、前記少なくとも1つの調整可能区間がそのような調整を行わない場合より前記予想時間において前記ターゲット指標値に近づくように、前記研磨パラメータを調整するステップ、をさらに含む、請求項3に記載のコンピュータプログラム。 - 前記研磨パラメータを調整するステップが、前記調整可能区間に対する所望の勾配を計算することを含む、請求項4に記載のコンピュータプログラム。
- ある区間に対する前記所望の勾配SDを計算するステップが、SD=(IT−I)/(TE−T0)を計算することを含み、ここでT0が前記研磨パラメータを変化させる時間であり、TEが前記予想時間であり、ITが前記ターゲット指標値であり、Iが時間T0における前記区間の前記指標値である、請求項5に記載のコンピュータプログラム。
- 前記第1の線形関数を決定するステップが、時間T0より前のある時間に対する前記第1の線形関数の勾配Sを決定することを含む、請求項6に記載のコンピュータプログラム。
- 前記研磨パラメータを調整するステップが、調整された圧力Padj=(Pnew−Pold)*err+Pnewを計算することを含み、ここでerrが前記フィードバック誤差であり、Pnew=Pold*SD/Sであり、Poldが、時間T0より前に前記調整可能区間に加えられる圧力である、請求項7に記載のコンピュータプログラム。
- 前記動作が、
前記第2の線形関数から実際の勾配S’を決定するステップをさらに含み、前記フィードバック誤差errがerr=[(SD−S’)/SD]として計算される、請求項8に記載のコンピュータプログラム。 - 前記動作が、
前記第2の線形関数から実際の勾配S’を決定するステップと、前記調整可能区間の前記所望の勾配SDが前記調整可能区間の前記勾配Sより大きいかどうかを、前記研磨パラメータに対する前記調整前に決定するステップとをさらに含み、SD>Sである場合、前記フィードバック誤差errがerr=[(SD−S’)/SD]として計算され、SD<Sである場合、前記フィードバック誤差errがerr=[(S’−SD)/SD]として計算される、請求項8に記載のコンピュータプログラム。 - 前記フィードバック誤差errが、複数の先の基板からの前記調整可能区間のフィードバック誤差の累積から計算される、請求項8に記載のコンピュータプログラム。
- ある区間に対する前記所望の勾配SDを計算するステップが、SD=(ITadj−I)/(TE−T0)を計算することを含み、ここでT0が前記研磨パラメータを変化させる時間であり、TEが前記予想時間であり、ITadjが調整されたターゲット指標であり、Iが時間T0における前記区間の前記指標値である、請求項5に記載のコンピュータプログラム。
- 前記研磨パラメータを調整するステップが、新しい圧力Pnew=Pold*SD/Sを計算することを含み、ここでPoldが、時間T0より前に前記区間に加えられる圧力であり、勾配Sが、時間T0より前のある時間に対する前記第1の線形関数である、請求項12に記載のコンピュータプログラム。
- 前記動作が、
前記研磨パラメータを変化させる前記時間T0における開始指標SIを計算するステップをさらに含む、請求項13に記載のコンピュータプログラム。 - 前記調整されたターゲット指標ITadjが、ITadj=SI+(IT−SI)*(1+err)として計算され、ITが前記ターゲット指標値であり、SIが前記開始指標である、請求項14に記載のコンピュータプログラム。
- 前記動作が、
終点時間TE’において前記調整可能区間が到達する実際の指標AIを決定するステップをさらに含み、前記実際の指標AIを決定するステップが、前記終点時間ΤΕ’における前記第2の線形関数の値を計算することを含み、前記フィードバック誤差errが、err=[(IT−AI)/(IT−SI)]として計算され、ここでAIが前記実際の指標であり、SIが前記開始指標であり、ITが前記ターゲット指標値である、請求項15に記載のコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/781,644 US8190285B2 (en) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing |
US12/781,644 | 2010-05-17 | ||
PCT/US2011/033998 WO2011146208A2 (en) | 2010-05-17 | 2011-04-26 | Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013529386A JP2013529386A (ja) | 2013-07-18 |
JP2013529386A5 JP2013529386A5 (ja) | 2014-06-19 |
JP6009436B2 true JP6009436B2 (ja) | 2016-10-19 |
Family
ID=44912179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013511174A Active JP6009436B2 (ja) | 2010-05-17 | 2011-04-26 | 化学機械研磨における研磨速度補正のためのフィードバック |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8190285B2 (ja) |
JP (1) | JP6009436B2 (ja) |
KR (1) | KR101769886B1 (ja) |
TW (1) | TWI593513B (ja) |
WO (1) | WO2011146208A2 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101668675B1 (ko) * | 2008-09-04 | 2016-10-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세싱 동안 기판의 분광 모니터링의 이용에 의한 연마 속도들의 조정 |
WO2010062910A2 (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-03 | Applied Materials, Inc. | Using optical metrology for feed back and feed forward process control |
US8190285B2 (en) * | 2010-05-17 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing |
US8666665B2 (en) * | 2010-06-07 | 2014-03-04 | Applied Materials, Inc. | Automatic initiation of reference spectra library generation for optical monitoring |
US20120034844A1 (en) * | 2010-08-05 | 2012-02-09 | Applied Materials, Inc. | Spectrographic monitoring using index tracking after detection of layer clearing |
US8694144B2 (en) | 2010-08-30 | 2014-04-08 | Applied Materials, Inc. | Endpoint control of multiple substrates of varying thickness on the same platen in chemical mechanical polishing |
US10643853B2 (en) | 2012-02-10 | 2020-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer thinning apparatus having feedback control and method of using |
KR101918800B1 (ko) * | 2012-02-27 | 2018-11-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 균일한 토포그래피를 위해 소거의 검출 및 조절을 이용하는 피드백 제어 |
US8563335B1 (en) | 2012-04-23 | 2013-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling polishing using in-situ optical monitoring and fourier transform |
US9011202B2 (en) * | 2012-04-25 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Fitting of optical model with diffraction effects to measured spectrum |
US9289875B2 (en) * | 2012-04-25 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Feed forward and feed-back techniques for in-situ process control |
US9248544B2 (en) * | 2012-07-18 | 2016-02-02 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection during polishing using integrated differential intensity |
US9296084B2 (en) * | 2012-07-19 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing control using weighting with default sequence |
US20140030956A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Jimin Zhang | Control of polishing of multiple substrates on the same platen in chemical mechanical polishing |
WO2014078151A1 (en) * | 2012-11-16 | 2014-05-22 | Applied Materials, Inc. | Recording measurements by sensors for a carrier head |
US20140242877A1 (en) * | 2013-02-26 | 2014-08-28 | Applied Materials, Inc. | Spectrographic metrology with multiple measurements |
KR101699197B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2017-01-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인-시튜 프로파일 제어(ispc)를 이용한 동적 잔류물 클리어링 제어 |
US9375824B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of polishing rates during substrate polishing with predictive filters |
US9490186B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-11-08 | Applied Materials, Inc. | Limiting adjustment of polishing rates during substrate polishing |
US9997420B2 (en) | 2013-12-27 | 2018-06-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Method and/or system for chemical mechanical planarization (CMP) |
US10464184B2 (en) | 2014-05-07 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Modifying substrate thickness profiles |
US9610672B2 (en) * | 2014-06-27 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Configurable pressure design for multizone chemical mechanical planarization polishing head |
KR101679131B1 (ko) * | 2014-12-29 | 2016-11-23 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마장치 및 그 연마방법 |
JP6575463B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2019-09-18 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法 |
WO2018071302A1 (en) * | 2016-10-10 | 2018-04-19 | Applied Materials, Inc. | Real time profile control for chemical mechanical polishing |
JP6847811B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2021-03-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
TWI825075B (zh) * | 2018-04-03 | 2023-12-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 針對墊子厚度使用機器學習及補償的拋光裝置、拋光系統、方法及電腦儲存媒體 |
US11989492B2 (en) * | 2018-12-26 | 2024-05-21 | Applied Materials, Inc. | Preston matrix generator |
TWI810069B (zh) | 2020-06-08 | 2023-07-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於在拋光相鄰導電層的堆疊期間的輪廓控制的系統、方法及電腦程式產品 |
JP7447284B2 (ja) | 2020-06-24 | 2024-03-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 研磨パッドの摩耗補償による基板層の厚さの決定 |
JP7436684B2 (ja) * | 2020-06-26 | 2024-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 変形可能な基板チャック |
JP7389718B2 (ja) * | 2020-06-29 | 2023-11-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法、研磨装置、およびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
EP4301549A1 (en) | 2021-03-05 | 2024-01-10 | Applied Materials, Inc. | Control of processing parameters during substrate polishing using cost function or expected future parameter changes |
CN113246012B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-08-09 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 化学机械研磨的控制方法、设备和存储介质 |
JP2024040885A (ja) * | 2022-09-13 | 2024-03-26 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置におけるグラフの表示方法およびコンピュータプログラム |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5681215A (en) * | 1995-10-27 | 1997-10-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6024630A (en) * | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
US6491569B2 (en) * | 2001-04-19 | 2002-12-10 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for using optical reflection data to obtain a continuous predictive signal during CMP |
JP3932836B2 (ja) | 2001-07-27 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 |
US6945845B2 (en) * | 2003-03-04 | 2005-09-20 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with non-conductive elements |
US6991516B1 (en) * | 2003-08-18 | 2006-01-31 | Applied Materials Inc. | Chemical mechanical polishing with multi-stage monitoring of metal clearing |
US7074109B1 (en) * | 2003-08-18 | 2006-07-11 | Applied Materials | Chemical mechanical polishing control system and method |
JP4464642B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2010-05-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨状態監視装置、研磨状態監視方法、研磨装置及び研磨方法 |
KR101078007B1 (ko) * | 2004-06-21 | 2011-10-28 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 및 폴리싱방법 |
JP4689367B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2011-05-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨プロファイル又は研磨量の予測方法、研磨方法及び研磨装置 |
KR101361875B1 (ko) * | 2005-05-26 | 2014-02-12 | 가부시키가이샤 니콘 | Cmp 연마 장치에서의 연마 종료점 검출 방법, cmp연마 장치, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
WO2007024807A2 (en) * | 2005-08-22 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for spectrum based monitoring of chemical mechanical polishing |
KR101593927B1 (ko) * | 2005-08-22 | 2016-02-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학적 기계적 폴리싱의 스펙트럼 기반 모니터링을 위한 장치 및 방법 |
US8392012B2 (en) * | 2008-10-27 | 2013-03-05 | Applied Materials, Inc. | Multiple libraries for spectrographic monitoring of zones of a substrate during processing |
US8260446B2 (en) * | 2005-08-22 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Spectrographic monitoring of a substrate during processing using index values |
US7409260B2 (en) * | 2005-08-22 | 2008-08-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate thickness measuring during polishing |
TWI445098B (zh) * | 2007-02-23 | 2014-07-11 | Applied Materials Inc | 使用光譜來判斷研磨終點 |
KR101668675B1 (ko) * | 2008-09-04 | 2016-10-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세싱 동안 기판의 분광 모니터링의 이용에 의한 연마 속도들의 조정 |
JP5774482B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2015-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 処理中の基板の分光モニタリングにおける適合度 |
US20100103422A1 (en) * | 2008-10-27 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | Goodness of fit in spectrographic monitoring of a substrate during processing |
US20100114532A1 (en) * | 2008-11-03 | 2010-05-06 | Applied Materials, Inc. | Weighted spectrographic monitoring of a substrate during processing |
US20100120331A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Applied Materials, Inc. | Endpoint control of multiple-wafer chemical mechanical polishing |
US8295967B2 (en) | 2008-11-07 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Endpoint control of multiple-wafer chemical mechanical polishing |
WO2010062910A2 (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-03 | Applied Materials, Inc. | Using optical metrology for feed back and feed forward process control |
US8190285B2 (en) * | 2010-05-17 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing |
-
2010
- 2010-05-17 US US12/781,644 patent/US8190285B2/en active Active
-
2011
- 2011-04-26 WO PCT/US2011/033998 patent/WO2011146208A2/en active Application Filing
- 2011-04-26 KR KR1020127032822A patent/KR101769886B1/ko active IP Right Grant
- 2011-04-26 JP JP2013511174A patent/JP6009436B2/ja active Active
- 2011-05-09 TW TW100116191A patent/TWI593513B/zh active
-
2012
- 2012-05-24 US US13/480,434 patent/US8467896B2/en active Active
-
2013
- 2013-06-17 US US13/919,144 patent/US8755927B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101769886B1 (ko) | 2017-08-21 |
US20130273812A1 (en) | 2013-10-17 |
KR20130079441A (ko) | 2013-07-10 |
US20110281501A1 (en) | 2011-11-17 |
TW201210742A (en) | 2012-03-16 |
US8755927B2 (en) | 2014-06-17 |
WO2011146208A2 (en) | 2011-11-24 |
JP2013529386A (ja) | 2013-07-18 |
US20120231701A1 (en) | 2012-09-13 |
WO2011146208A3 (en) | 2012-03-01 |
US8467896B2 (en) | 2013-06-18 |
TWI593513B (zh) | 2017-08-01 |
US8190285B2 (en) | 2012-05-29 |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
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A601 | Written request for extension of time |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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