JP5774482B2 - 処理中の基板の分光モニタリングにおける適合度 - Google Patents
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Description
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- その場光学モニタリングシステムを用いてスペクトルの時系列を入手することと、
ここで、前記スペクトルの時系列からの各スペクトルは、研磨を受けている最外層および少なくとも1層の下地層を有する基板から反射した光のスペクトルであること、
第1の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルに対して各スペクトルを比較して、ベストマッチする第1の参照スペクトルを決定することにより、ベストマッチする第1の参照スペクトルの時系列を生成することと、
第1の参照スペクトルライブラリとは異なる第2の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルに対して各スペクトルを比較して、ベストマッチする第2の参照スペクトルを決定することにより、ベストマッチする第2の参照スペクトルの時系列を生成することと、
ベストマッチする第1の参照スペクトル毎に、その参照スペクトルに関連付けた値である第1の値を決定することにより、第1の値の時系列を生成することと、
ここで、前記第1の値は、研磨の進捗状況を示すインデックス値であること、
ベストマッチする第2の参照スペクトル毎に、その参照スペクトルに関連付けた値である第2の値を決定することにより、第2の値の時系列を生成することと、
ここで、前記第2の値は、研磨の進捗状況を示すインデックス値であること、
前記第1の値の時系列に対して第1の関数を適合関数としてフィティングすることと、
前記第2の値の時系列に対して第2の関数を適合関数としてフィティングすることと、
前記第1の値の時系列に対してフィティングした前記第1の関数の適合度を第1の適合度として決定することと、
前記第2の値の時系列に対してフィティングした前記第2の関数の適合度を第2の適合度として決定することと、
前記第1の適合度と前記第2の適合度のどちらがより適合しているかを決定し、前記第1の値の時系列と前記第2の値の時系列のうちより適合している時系列が研磨終点を示しているときに研磨を停止することにより、研磨終点を決定することと
ここで、研磨終点は、適合度が高い方の時系列のインデックス値と目標インデックス値との比較結果または、適合度が高い方の適合関数の値と目標インデックス値との比較結果に基づいて検知されること
を含む、方法。 - 前記研磨終点を決定することが、ベストマッチする第1の参照スペクトルに係る前記第1の値の時系列が研磨終点を示すか否かを決定することと、もしそうであれば、前記第1の適合度が前記第2の適合度よりも良いか否かを決定することと、もしそうであれば、研磨終点を宣言することとを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の関数と前記第2の関数は線形関数である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の適合度を決定することが、前記第1の値の時系列と前記第1の関数との間の差分の二乗の総和を決定することを含み、前記第2の適合度を決定することが、前記第2の値の時系列と前記第2の関数との間の差分の二乗の総和を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルは、基板の下地層の厚さが第1の厚さである場合に対応し、前記第2の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルは、基板の下地層の厚さが第1の厚さとは異なる第2の厚さである場合に対応する、請求項1に記載の方法。
- 基板の第1のゾーンからの反射光のスペクトルの第1の時系列を受け取ることと、
前記基板の第2のゾーンからの反射光のスペクトルの第2の時系列を受け取ることと、
第1の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルに対して前記スペクトルの第1の時系列からの各スペクトルを比較することにより、ベストマッチする第1の参照スペクトルの時系列を生成することと、
前記第1の参照スペクトルライブラリとは異なる第2の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルに対して前記スペクトルの第2の時系列からの各スペクトルを比較することにより、ベストマッチする第2の参照スペクトルの時系列を生成することと、
ベストマッチする第1の参照スペクトル毎に、その参照スペクトルに関連付けた値である第1の値を決定することにより、第1の値の時系列を生成することと、
ここで、前記第1の値は、研磨の進捗状況を示すインデックス値であること、
ベストマッチする第2の参照スペクトル毎に、その参照スペクトルに関連付けた値である第2の値を決定することにより、第2の値の時系列を生成することと、
ここで、前記第2の値は、研磨の進捗状況を示すインデックス値であること、
前記第1の値の時系列に対して第1の関数を適合関数としてフィティングすることと、
前記第2の値の時系列に対して第2の関数を適合関数としてフィティングすることと、
前記第1の値の時系列に対してフィティングした前記第1の関数の適合度を第1の適合度として決定することと、
前記第2の値の時系列に対してフィティングした前記第2の関数の適合度を第2の適合度として決定することと、
前記第1の適合度と前記第2の適合度のどちらがより適合しているかを決定し、前記第1の値の時系列と前記第2の値の時系列のうちより適合している時系列が研磨終点を示しているときに研磨を停止することにより、ベストマッチする第1の参照スペクトルの時系列とベストマッチする第2の参照スペクトルの時系列とに基づいて研磨終点を決定することと
ここで、研磨終点は、適合度が高い方の時系列のインデックス値と目標インデックス値との比較結果または、適合度が高い方の適合関数の値と目標インデックス値との比較結果に基づいて検知されること
を含む、方法。 - コンピュータに、
その場光学モニタリングシステムを用いてスペクトルの時系列を入手するステップと、
ここで、前記スペクトルの時系列からの各スペクトルは、研磨を受けている最外層および少なくとも1層の下地層を有する基板から反射した光のスペクトルであること、
第1の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルに対して各スペクトルを比較して、ベストマッチする第1の参照スペクトルを決定することにより、ベストマッチする第1の参照スペクトルの時系列を生成するステップと、
第1の参照スペクトルライブラリとは異なる第2の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルに対して各スペクトルを比較して、ベストマッチする第2の参照スペクトルを決定することにより、ベストマッチする第2の参照スペクトルの時系列を生成するステップと、
ベストマッチする第1の参照スペクトル毎に、その参照スペクトルに関連付けた値である第1の値を決定することにより、第1の値の時系列を生成するステップと、
ここで、前記第1の値は、研磨の進捗状況を示すインデックス値であること、
ベストマッチする第2の参照スペクトル毎に、その参照スペクトルに関連付けた値である第2の値を決定することにより、第2の値の時系列を生成するステップと、
ここで、前記第2の値は、研磨の進捗状況を示すインデックス値であること、
前記第1の値の時系列に対して第1の関数を適合関数としてフィティングするステップと、
前記第2の値の時系列に対して第2の関数を適合関数としてフィティングするステップと、
前記第1の値の時系列に対してフィティングした前記第1の関数の適合度を第1の適合度として決定するステップと、
前記第2の値の時系列に対してフィティングした前記第2の関数の適合度を第2の適合度として決定するステップと、
前記第1の適合度と前記第2の適合度のどちらがより適合しているかを決定し、前記第1の値の時系列と前記第2の値の時系列のうちより適合している時系列が研磨終点を示しているときに研磨を停止することにより、研磨終点を決定するステップと
ここで、研磨終点は、適合度が高い方の時系列のインデックス値と目標インデックス値との比較結果または、適合度が高い方の適合関数の値と目標インデックス値との比較結果に基づいて検知されること
を実行させるプログラム。 - コンピュータに、
その場光学モニタリングシステムより基板の第1のゾーンからの反射光のスペクトルの第1の時系列を受け取るステップと、
その場光学モニタリングシステムより前記基板の第2のゾーンからの反射光のスペクトルの第2の時系列を受け取るステップと、と、
第1の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルに対して前記スペクトルの第1の時系列からの各スペクトルを比較することにより、ベストマッチする第1の参照スペクトルの時系列を生成するステップと、
前記第1の参照スペクトルライブラリとは異なる第2の参照スペクトルライブラリからの複数の参照スペクトルに対して前記スペクトルの第2の時系列からのスペクトルを比較することにより、ベストマッチする第2の参照スペクトルの時系列を生成するステップと、
ベストマッチする第1の参照スペクトル毎に、その参照スペクトルに関連付けた値である第1の値を決定することにより、第1の値の時系列を生成するステップと、
ここで、前記第1の値は、研磨の進捗状況を示すインデックス値であること、
ベストマッチする第2の参照スペクトル毎に、その参照スペクトルに関連付けた値である第2の値を決定することにより、第2の値の時系列を生成するステップと、
ここで、前記第2の値は、研磨の進捗状況を示すインデックス値であること、
前記第1の値の時系列に対して第1の関数を適合関数としてフィティングするステップと、
前記第2の値の時系列に対して第2の関数を適合関数としてフィティングするステップと、
前記第1の値の時系列に対してフィティングした前記第1の関数の適合度を第1の適合度として決定するステップと、
前記第2の値の時系列に対してフィティングした前記第2の関数の適合度を第2の適合度として決定するステップと、
前記第1の適合度と前記第2の適合度のどちらがより適合しているかを決定し、前記第1の値の時系列と前記第2の値の時系列のうちより適合している時系列が研磨終点を示しているときに研磨を停止することにより、ベストマッチする第1の参照スペクトルの時系列とベストマッチする第2の参照スペクトルの時系列とに基づいて研磨終点を決定するステップと
ここで、研磨終点は、適合度が高い方の時系列のインデックス値と目標インデックス値との比較結果または、適合度が高い方の適合関数の値と目標インデックス値との比較結果に基づいて検知されること
を実行させるプログラム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/258,966 US20100103422A1 (en) | 2008-10-27 | 2008-10-27 | Goodness of fit in spectrographic monitoring of a substrate during processing |
US12/258,923 US8392012B2 (en) | 2008-10-27 | 2008-10-27 | Multiple libraries for spectrographic monitoring of zones of a substrate during processing |
US12/258,966 | 2008-10-27 | ||
US12/258,923 | 2008-10-27 | ||
PCT/US2009/061351 WO2010062497A2 (en) | 2008-10-27 | 2009-10-20 | Goodness of fit in spectrographic monitoring of a substrate during processing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012507146A JP2012507146A (ja) | 2012-03-22 |
JP5774482B2 true JP5774482B2 (ja) | 2015-09-09 |
Family
ID=42226308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011533275A Active JP5774482B2 (ja) | 2008-10-27 | 2009-10-20 | 処理中の基板の分光モニタリングにおける適合度 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5774482B2 (ja) |
KR (1) | KR101616024B1 (ja) |
TW (1) | TWI492005B (ja) |
WO (1) | WO2010062497A2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8751033B2 (en) * | 2008-11-14 | 2014-06-10 | Applied Materials, Inc. | Adaptive tracking spectrum features for endpoint detection |
US8190285B2 (en) * | 2010-05-17 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing |
US8954186B2 (en) * | 2010-07-30 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Selecting reference libraries for monitoring of multiple zones on a substrate |
US8547538B2 (en) * | 2011-04-21 | 2013-10-01 | Applied Materials, Inc. | Construction of reference spectra with variations in environmental effects |
WO2012148716A2 (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | Applied Materials, Inc. | Varying coefficients and functions for polishing control |
US9168630B2 (en) * | 2012-04-23 | 2015-10-27 | Applied Materials, Inc. | User-input functions for data sequences in polishing endpoint detection |
US9221147B2 (en) * | 2012-10-23 | 2015-12-29 | Applied Materials, Inc. | Endpointing with selective spectral monitoring |
US9375824B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of polishing rates during substrate polishing with predictive filters |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6106662A (en) * | 1998-06-08 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing |
US6190234B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection with light beams of different wavelengths |
US6334807B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Chemical mechanical polishing in-situ end point system |
JP2001287159A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Nikon Corp | 表面状態測定方法及び測定装置及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法 |
JP3946470B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2007-07-18 | 株式会社デンソー | 半導体層の膜厚測定方法及び半導体基板の製造方法 |
US6491569B2 (en) * | 2001-04-19 | 2002-12-10 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for using optical reflection data to obtain a continuous predictive signal during CMP |
JP3932836B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 |
US6609086B1 (en) * | 2002-02-12 | 2003-08-19 | Timbre Technologies, Inc. | Profile refinement for integrated circuit metrology |
US6806948B2 (en) * | 2002-03-29 | 2004-10-19 | Lam Research Corporation | System and method of broad band optical end point detection for film change indication |
JP4542324B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2010-09-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨状態監視装置及びポリッシング装置 |
US7265382B2 (en) * | 2002-11-12 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus employing integrated metrology for improved dielectric etch efficiency |
JP2004191266A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置 |
US7008296B2 (en) * | 2003-06-18 | 2006-03-07 | Applied Materials, Inc. | Data processing for monitoring chemical mechanical polishing |
JP4994227B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2012-08-08 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
US7981309B2 (en) * | 2005-05-26 | 2011-07-19 | Nikon Corporation | Method for detecting polishing end in CMP polishing device, CMP polishing device, and semiconductor device manufacturing method |
US7409260B2 (en) * | 2005-08-22 | 2008-08-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate thickness measuring during polishing |
JP5534672B2 (ja) * | 2005-08-22 | 2014-07-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視のための装置および方法 |
US7768659B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Determining copper concentration in spectra |
TWI445098B (zh) * | 2007-02-23 | 2014-07-11 | Applied Materials Inc | 使用光譜來判斷研磨終點 |
US7952708B2 (en) * | 2007-04-02 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | High throughput measurement system |
-
2009
- 2009-10-20 KR KR1020117012150A patent/KR101616024B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-20 WO PCT/US2009/061351 patent/WO2010062497A2/en active Application Filing
- 2009-10-20 JP JP2011533275A patent/JP5774482B2/ja active Active
- 2009-10-23 TW TW098135987A patent/TWI492005B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010062497A3 (en) | 2010-08-05 |
WO2010062497A2 (en) | 2010-06-03 |
KR20110090965A (ko) | 2011-08-10 |
TWI492005B (zh) | 2015-07-11 |
TW201022870A (en) | 2010-06-16 |
JP2012507146A (ja) | 2012-03-22 |
KR101616024B1 (ko) | 2016-04-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120402 |
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A977 | Report on retrieval |
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|
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