TWI445098B - 使用光譜來判斷研磨終點 - Google Patents

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Description

使用光譜來判斷研磨終點
本發明大體上是關於基材之化學機械研磨。
積體電路的形成一般是藉由相繼沉積導電層、半導體層或絕緣層於矽晶圓上。一製造步驟涉及沉積填料層至非平面及平坦化填料層。就某些應用而言，乃持續平坦化填料層直到露出圖案化層的頂表面。導電填料層例如可沉積在圖案化的絕緣層上，以填充絕緣層內的溝渠或孔洞。平坦化後，部分導電層留在絕緣層的凸起圖案之間而構成通孔、插栓和連線，以做為基材上之薄膜電路的傳導路徑。就其他諸如氧化物研磨等應用而言，乃持續平坦化填料層直到非平面上的填料層達預定厚度。此外，光微影製程通常需要平坦化基材表面。
平坦化法之一為化學機械研磨(chemical mechanical polishing；CMP)。平坦化法一般需將基材放置在承載或研磨頭上。露出的基材表面通常抵靠著轉盤研磨墊或帶狀研磨墊。研磨墊可為標準型研磨墊或固定式研磨墊。標準型研磨墊具有耐久的粗糙表面，固定研磨墊則具有媒介所含的研磨顆粒。承載頭施加控制壓力來推動基材，使其抵著研磨墊。研磨漿(slurry)一般供應至研磨墊表面。研磨漿包括至少一化學反應劑；若配合使用標準型研磨墊，則還包括研磨顆粒。
CMP的問題之一在於判斷研磨製程何時完成，即是否已將基材層平坦化成希望的平坦度或厚度、或者是否已移除希望的材料量。過度研磨(overpolish)(移除太多)導電層會增加電路阻抗。
另一方面，研磨不足(underpolish)(移除太少)導電層會導致短路。基材層的初始厚度、研磨漿組成、研磨墊條件、研磨墊與基材的相對速度、和基材負載的壓力不同將造成不同的材料移除速率。這些差異將使得達到研磨終點所需的時間不同。因此，研磨終點不能只根據研磨時間判斷。
在此提出改良之終點判斷技術。
本發明之一或多個實施例將配合所附圖式詳述於後。本發明之其他特徵、目的、和優點在參閱以下說明、圖式與申請專利範圍後將變得更清楚易懂。
在此敘述用於研磨基材及判斷研磨終點的系統。光學偵測器用來獲取研磨期間的基材光譜。獲得光譜後，比對此光譜與資料庫中的光譜。比對方式可採取各種技術，例如最小平方和適配法，此進一步說明於美國專利申請號11/213,344(西元2005年8月26日申請)和美國專利申請號60/747,768(西元2006年5月19日申請)之申請案，其一併附上供作參考。若每一光譜被指定一指數，則可利用穩健 契合數線法按時間與適合指數之數線繪製適配指數。數線與對應之目標光譜的指數相交處代表達成目標終點而可停止研磨。
用來建立資料庫且於研磨期間取得之光譜易含有雜訊或不當特徵。使用包括假資料之光譜(如起因於雜訊或諸如切割道之閃光位置)來判斷終點可能會扭曲結果。具雜訊之光譜將明顯偏離基材測量的“真實”光譜。這些無關(outlier)光譜可從終點判斷移除或利用所述技術加以補償。
第1圖繪示研磨設備20，用以研磨基材10。研磨設備20包括可旋轉之盤狀平臺24，其上放置研磨墊30。平臺繞著軸25轉動。例如，馬達可轉動驅動軸22，進而轉動平臺24。
藉由設置孔徑(即穿過研磨墊的孔洞)或實心窗口可提供通過研磨墊的光學入口36。實心窗口可固定於研磨墊；但在一些實施例中，實心窗口可托在平臺24上並投映到研磨墊的孔徑。研磨墊30通常置於平臺24上，使得孔徑或窗口位於光學頭53上面，光學頭53則設在平臺24之凹槽26內。故光學頭53具有通過孔徑或窗口接近待研磨之基材的入口。光學頭將進一步說明於後。
研磨設備20包括研磨漿/沖洗結合手臂39。研磨時，手臂39用來分配研磨液38，例如研磨漿。或者，研磨設備包括研磨漿埠口來分配研磨漿至研磨墊30。
研磨設備20包括承載頭70，用以支承基材10使其抵靠著研磨墊30。承載頭70懸吊於如旋轉木馬之支撐結構 72，且由承載驅動軸74連接至承載頭轉動馬達76，讓承載頭繞著軸71轉動。此外，承載頭70可在支撐結構72之徑向槽中側向擺動。運作時，平台繞著其中心軸25轉動，承載頭繞著其中心軸71轉動且側向移動越過研磨墊的頂表面。
研磨設備還包括光學監測系統，用以判斷研磨終點，此將說明於下。光學監測系統包括光源51和光偵測器52。光線從光源51穿過研磨墊30之光學入口36而照射基材10，並自基材10反射回光學入口36而行進到光偵測器52。
分叉光纜54用來傳遞光源51之光線至光學入口36及將光學入口36之光線傳回光偵測器52。分叉光纜54包括一“主幹”55和二“分支”56、58。
如上述，平臺24包括凹槽26，其內設置光學頭53。光學頭53支承分叉光纜54的主幹55一端，藉以傳遞光線進出待研磨之基材表面。光學頭53包括一或多個透鏡或窗口，其位於分叉光纜54該端上。或者，光學頭53僅支承主幹55鄰接研磨墊之實心窗口的一端。光學頭53可支承上述沖洗系統的噴嘴。光學頭53亦可視需求脫離凹槽26，以例如進行預防維修或校正保養。
平臺包括可移動之原位(in－situ)監測模組50。原位監測模組50包括一或多個下列元件：光源51、光偵測器52、和用來傳送及接收訊號進出光源51與光偵測器52的電路。例如，偵測器52可輸出數位電子訊號，其通過驅動軸22之旋轉式耦接件(如夾環)而抵光學監測系統之控制器。 同樣地，可回應從控制器經過旋轉式耦接件而達模組50之數位電子訊號的控制指令，來打開或關閉光源。
原位監測模組亦可支承分叉光纜54之分支56、58各端。光源用來傳遞光線經過分支56及離開位於光學頭53之主幹55末端，且照射待研磨之基材。位於光學頭53之主幹55末端接收基材反射之光線及經由分支58傳遞到光偵測器52。
在一實施例中，分叉光纜54為一大束光纖。其包括第一組光纖和第二組光纖。第一組光纖傳遞光源51之光線至待研磨之基材表面。第二組光纖接收研磨之基材表面反射的光線並將接收之光線傳遞到光偵測器。第二組光纖可配置成X形，且設置在分叉光纜54的長軸中間(從分叉光纜54的截面觀之)。或者，可採取其他配置方式。例如，第二組光纖可配置成彼此呈鏡像的V形。適合的分叉光纖可取自美國德州Carrollton的Verity Instruments公司。
光源51用來發射白光。在一實施例中，白光包括波長為200~800奈米(nm)之光線。適合的光源為氙氣燈或氙汞燈。
光偵測器52可為光譜儀。光譜儀基本上為測量電磁波譜之光強度的光學儀器。適合的光譜儀為光柵光譜儀。光譜儀一般輸出隨波長變化的光強度。
光源51和光偵測器52連接至電腦裝置，用以控制其運作及接收訊號。電腦裝置可包括設於研磨設備附近的微處理器，例如個人電腦。至於控制方面，電腦裝置例如可 同步化光源51開啟和平臺24轉動。如第2圖所示，電腦促使光源51恰在基材10通過原位監測模組前後發射一連串的閃光。每一點501~511表示光線照射原位監測模組及自此反射的位置。或者，電腦可促使光源51恰在基材10通過原位監測模組前後連續發射光線。儘管未繪示，但每次基材10通過監測模組時，基材與監測模組的排列位置可與前次不同。基材旋轉時，可從基材的不同角度方位和徑向位置獲取光譜。即，一些光譜是取自靠近基材中心的位置，一些光譜則是取自靠近基材邊緣的位置。基材可劃分成放射區域。基材表面可界定成三、四、五、六、七或更多個區域。根據所述方法，光譜依對應區域分組。
至於接收訊號方面，電腦裝置例如可接收傳達光偵測器接收之光譜資訊的訊號。電腦裝置處理訊號以判斷研磨步驟的終點。不侷限於特定理論，基材反射光譜可推斷出研磨過程。反射光譜的性質會隨膜厚變化而改變，特定膜厚會呈現特定光譜。電腦裝置可執行邏輯以依一或多個光譜判斷何時達到終點。判斷終點所依據的一或多個光譜包括目標光譜。在此，目標光譜亦涵蓋參考光譜。目標光譜可對應達到研磨終點的晶圓光譜。由於系統接收停止研磨之訊號與平臺停止轉動的時間遲滯，停止研磨訊號可能在實際達到終點(此時取得參考光譜)前即傳送。因參考光譜與目標光譜的相關性取決於研磨和系統參數，為簡化說明，本申請案乃參考目標光譜。
在此說明書中，目標光譜是指膜層達到預定厚度時白 光自該膜層反射的光譜。舉例來說，預定厚度為1、2或3微米。或者，當該膜層被清除而露出底下的膜層時，預定厚度為0。
第3圖繪示判斷研磨步驟之終點的方法300。於研磨準備基材時收集光譜(步驟302)。把光譜存到資料庫中(步驟304)。或者，資料庫可包括依理論計算而得的光譜(如利用包括預期基材厚度與膜層折射率的模型)。編定光譜索引，使光譜各具獨特的指數。指數可選擇隨研磨過程單調增加，例如指數與平臺轉數呈正比。故指數可為整數，且指數可代表預期呈現相關光譜的平臺轉數。資料庫可建立在研磨設備之電腦裝置的記憶體中。
研磨各批基材，並在平臺每次旋轉時進行以下步驟。測量一或多個光譜以獲取當前平臺轉數的當前光譜(步驟306)。決定資料庫中最符合當前光譜的光譜(步驟308)。將資料庫中最符合當前光譜的光譜指數附加到終點指數圖形(步驟310)。終點圖形達到目標光譜之指數時即視為終點(步驟312)。
在一些實施例中，各獲取光譜的適配指數按時間或平臺轉數繪製。利用穩健契合數線法得到適合指數之數線。數線與目標指數相交處可定出終點時間或轉數。
在一些實施例中，收集之光譜經處理以提高正確性及/或精準度。在此所述之處理技術可單獨或搭配使用來改善終點判斷結果。
改善終點技術的方法為改進與樣品資料相比的資料 庫。參照第4圖，圖形使用者界面(GUI)400顯示得自基材自轉一次時，基材單一區域的8個光譜。光譜410明顯不同於其他光譜。在此，7個光譜401、402、403、404、405、406、407在各波長有相似的強度。然光譜410在大部分波長的強度不同於其餘7個。
使用者可目視選出無關光譜。或者，系統可自動決定何者為無關光譜。決定方式為計算各光譜與其他光譜間的平方差累積總和。在一些實施例中，相互比對的光譜皆位於同一放射區域內，且在相同轉數或預定週期內取得。GUI 400可顯示平方差累積總和415。視情況而定，可將各光譜除以光譜的最小平方差累積總和，以常態化此數值。GUI可顯示常態化結果420。若常態化之平方差累積總和超過預定值(如1.5或2)，則摒棄此光譜。若平方差累積總和未加以常態化，則平方差累積總和的絕對值可用來判斷何者為無關光譜。此外，可設定預定值當作無關光譜的門檻。預定值可依實驗決定。
參照第5圖，其顯示摒棄無關光譜後的剩餘光譜。由於所有的光譜可能很緊密、或有一個以上的無關光譜，因此使用者可檢視及改變此結果。使用者可在格子430上打勾而選擇使用光譜。或者，使用者可改變保留或摒棄光譜的門檻440。摒棄光譜表示後續計算時不採用該光譜或刪除該光譜。
儘管圖中顯示8個光譜或閃光，然也可於自轉一次時取得其他數量之光譜。但一般至少要有3個光譜，較佳為 5~10個光譜，其可提供較佳的(即快速)資料處理速度。
適用資料庫的自動法同樣或可應用到基材研磨期間獲取之光譜。用來產生終點訊號的來源光譜亦可經挑選而摒棄任一不適配研磨期間取得之大多數測量光譜的光譜。計算各光譜與其他光譜間的平方差累積總和可決定無關光譜。於自轉一次時取得之光譜可群集成組。視情況而定，光譜依區域分組且單一區域可個別定位。可將各光譜除以光譜的最小平方差累積總和，以常態化此數值。若光譜之常態化平方差累積總和超過預定值，則摒棄此光譜。摒棄無關光譜後，顯示其餘光譜供使用者檢視及編輯，例如供使用者決定是否應重設下次研磨程序的門檻。
另一應用到終點製程的方法為限制資料庫搜尋比對光譜的部分。資料庫通常包括比研磨基材獲得之光譜還多的光譜。更大範圍的光譜涵蓋較厚初始層產生的光譜和過度研磨產生的光譜。基材研磨期間，資料庫宜限制搜尋一定範圍的資料庫光譜。在一些實施例中，決定研磨基材的當前旋轉指數N。藉由搜尋全部的資料庫光譜可決定N。就下次旋轉取得之光譜而言，資料庫搜尋的自由度為N。即，在自轉一次時，若指數為N且在下次晚X個轉數旋轉的自由度為Y，則搜尋範圍為(N＋X)±Y。例如，若研磨基材首次自轉時的適配指數為8且自由度為5，則就第二次自轉取得之光譜而言，只有對應指數9±5的光譜會被搜尋比對。或者，當資料庫光譜的指數近似平臺轉數時，平臺轉數會將資料庫搜尋限制在一定的自由度。即，若光譜是在 轉數為8且自由度為6的情況下取得，則可搜尋比對資料庫中落在8±6範圍內的光譜。
上述任一技術均比搜尋比對整個資料庫快。加快處理速度可在基材研磨期間比對光譜，藉以判斷終點。另外還可防止跳序，此乃因膜厚呈規律循環差異時，光譜圖案有重複傾向，使得系統將提供一樣的光譜。
如上述，可於自轉一次時獲取多個光譜。根據判斷終點之一方法，每一光譜適配資料庫中的一指數。各光譜接著用於穩健數線契合。數線對應研磨速率。參照第6圖，圖形600顯示20個光譜，其適配資料庫中的旋轉指數且按時間繪製。部分資料零星散佈乃因各光譜適配不同指數。資料分散可能是因為區域內的厚度不均勻、雜訊資料、或各種因素結合所致。圖形600中較大的符號表示二或多個光譜重疊。
根據另一方法，光譜先平均、再比對資料庫。參照第7圖，所有光譜已經平均，而平均之光譜用來搜尋比對資料庫的最適配指數。採用與第6圖技術相同的原始光譜會得到不同的穩健數線契合結果。此結果會造成不一樣的終點判斷。
本發明之實施例和說明書所述之所有功能運作的實行可採用數位電子電路、或電腦軟體、韌體或硬體，包括本說明書提及的結構和其結構均等物、或其組合物。說明書所述之實施例可實施到一或多個電腦程式產品，即一或多個收錄於實體程式載體的電腦程式指令單元，用以執行或 控制資料處理設備的運作。實體程式載體可為傳播訊號或電腦可讀取媒體。傳播訊號為人工產生訊號，例如機器產生之電子、光學或電磁訊號，用以編碼傳送到適當接收設備的資訊，以利電腦執行。電腦可讀取媒體可為機器可讀取之儲存裝置、機器可讀取之儲存基材、記憶裝置、產生機器可讀取之傳播訊號的組件、或其組合物。
“資料處理設備”包含所有處理資料用之設備、裝置、和機器，例如包括可程式化處理器、電腦、或多個處理器或電腦。設備除硬體外還包括產生討論中之電腦程式執行環境的編碼，例如處理器韌體、協議棧、資料庫管理系統、操作系統、或其組合物的構成編碼。
電腦程式(亦已知為程式、軟體、軟體應用、或編碼)可以任一包括編譯或解譯語言、或說明性或例行性語言之程式語言編寫，其並可配置成任一型式，包括獨立程式或模組、元件、子程式、或其他適合電腦環境的單元。電腦程式不一定要對應一檔案。程式可儲存在含有其他程式或資料的檔案(如一或多個儲存於補算語言文件的編碼)、提問程式專用的檔案、或多重座標檔案(如儲存一或多個模組、子程式或部分編碼的檔案)。電腦程式可配置供單一電腦或多個位於一網點或遍及多個網點且由通信網絡相連的電腦執行。
一或多個執行一或多個電腦程式的可程式化處理器可藉由運算輸入資料及產生輸出而進行說明書所述之製程和邏輯流程。諸如現場可規劃閘陣列(field programmable gate array；FPGA)或特定功能積體電路(application specific integrated circuit；ASIC)等具特殊用途的邏輯電路也可用來進行製程和邏輯流程。
適合執行電腦程式的處理器例如包括通用與特定用途的微處理器、和任一數位電腦類型的處理器。處理器一般接收唯讀記憶體或隨機存取記憶體或二者的指令與資料。電腦的主要元件為執行指令的處理器和一或多個儲存指令與資料的記憶裝置。電腦通常還包括或操作耦合以接收或傳送資料進出一或多個儲存資料用的大容量儲存裝置；此類裝置例如為磁碟、磁光碟、或光碟。然電腦不一定要有此裝置。
適合儲存電腦程式指令與資料的電腦可讀取媒體包括所有類型的非揮發性記憶體、媒體和記憶裝置，例如包括半導體記憶裝置(如可拭除且可程式唯讀記憶體(EPROM)、電子抹除式可編程唯讀記憶體(EEPROM)、和快閃記憶體)、磁碟(如內裝硬碟或可拆式磁碟)、磁光碟、和唯讀光碟(CD－ROM)與數位影音光碟(DVD－ROM)。處理器和記憶體可以特定功能積體電路加強或與之結合。
為與使用者互動，說明書所述之實施例可施行於具諸如陰極射線管(CRT)或液晶顯示器(LCD)之顯示器裝置的電腦，以提供使用者訊息，電腦尚具有鍵盤和諸如滑鼠或追蹤球之定點設備，供使用者輸入電腦。其他種類的裝置也可用來與使用者互動，例如以任何知覺形式回饋給使用者(如視覺回饋、聽覺回饋、或觸覺回饋)，以及接受任一 使用者輸入形式，包括聲音、說話、或觸碰。
說明書提及之特定實施例是用來說明本發明之特徵，而非用來限定本發明所欲申請保護之範圍。說明書中各實施例的特徵亦可合併用於單一實施例。反之，單一實施例所述之各特徵也可各自用於多個實施例或重新組合。再者，雖然上述特徵存於特定組合物，但主張之組合物的一或多個特徵有時可得自組合物，使得主張之組合物可能與重新組合物或重新變化組合物有關。
同樣地，儘管圖式繪示特定順序的運作流程，然應可理解上述運作不限於特定順序或必須依序或進行所有步驟才能達到預期結果。在一些情況下，有利於採行多工及平行處理。再者，上述實施例中各系統組件不一定為分離元件，應可理解所述程式組件和系統通常可一起整合至單一軟體產品或包裝成多個軟體產品。
本發明已以較佳實施例揭露如上。但其他實施例亦不脫離後附申請專利範圍所界定之保護範圍。例如，申請專利範圍提及之動作可依不同順序進行而仍達到預期結果。舉例來說，所附圖式所示之製程不一定需按特定順序或依序進行才能達到預期結果。在一些實施例中，最好採行多工及平行處理。
10‧‧‧基材
20‧‧‧研磨設備
22、74‧‧‧驅動軸
24‧‧‧平臺
25、71‧‧‧軸
26‧‧‧凹槽
30‧‧‧研磨墊
36‧‧‧入口
38‧‧‧研磨液
39‧‧‧手臂
50‧‧‧模組
51‧‧‧光源
52‧‧‧偵測器
53‧‧‧光學頭
54‧‧‧光纜
55‧‧‧主幹
56、58‧‧‧分支
70‧‧‧承載頭
72‧‧‧支撐結構
76‧‧‧馬達
300‧‧‧方法
302、304、306、308、310、312‧‧‧步驟
400‧‧‧GUI
401~407、410‧‧‧光譜
415‧‧‧累積總和
420‧‧‧常態化結果
430‧‧‧格子
440‧‧‧門檻
501~511‧‧‧點
600‧‧‧圖形
第1圖繪示研磨系統的截面。
第2圖為平臺上之基材的俯視圖，具有代表性閃光點。
第3圖為判斷研磨終點的流程圖。
第4圖繪示用於資料庫的光譜GUI。
第5圖繪示移除無關光譜後，用於資料庫的光譜GUI。
第6圖顯示多個光譜和穩健契合判斷終點之數線。
第7圖顯示平均光譜和穩健契合判斷終點之數線。
各圖中同樣的元件符號代表類似的元件。
400‧‧‧GUI
401‧‧‧光譜
415‧‧‧累積總和
420‧‧‧常態化結果
430‧‧‧格子
440‧‧‧‧門檻

Claims (20)

  1. 一種用以決定無關光譜的方法，其至少包含：研磨一基材的同時，在一原位監測模組橫跨該基材通過的期間，獲取該基材之一表面的至少三光譜；判斷該至少三光譜各自間的一差異，其中判斷該差異的步驟包括計算該至少三光譜的各個光譜中，該光譜與該至少三光譜的所有其他光譜之間的累積差異；依據該差異，從該至少三光譜中挑選一無關光譜；以及摒棄該無關光譜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中判斷該差異包含：計算每一光譜中，該光譜與其他光譜間的一平方差累積總和；選出該些累積總和的一最小累積總和；以及將每一累積總和除以該最小累積總和，而獲得各個光譜的一常態化數值。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中挑選該無關光譜包含選擇一常態化數值超過一預定門檻的一光譜。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中：判斷該差異包含計算每一光譜中，該光譜與其他光譜間 的一平方差累積總和；以及挑選該無關光譜包含依據該平方差累積總和的一絕對值來挑選該無關光譜。
  5. 一種判斷一終點的方法，其至少包含：進行申請專利範圍第1項所述之方法，以在一平臺的一第一自轉期間獲取光譜，該平臺支撐一研磨表面以研磨該基材；以及比對在該第一自轉期間取得的一未遭摒棄之光譜和一光譜資料庫，以找出一適配光譜。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，更包含：進行申請專利範圍第1項所述之方法，以在該平臺的一第二自轉期間獲取光譜；比對在該第二自轉期間取得的一未遭摒棄之光譜和該光譜資料庫，以找出一適配光譜；依據該第一自轉期的該適配光譜至該第二自轉期間的該適配光譜的一變化，決定一研磨速率；以及依據該研磨速率和一目標光譜，推斷一研磨終點。
  7. 一種判斷一研磨終點的方法，其至少包含：在一平臺之一自轉期間，自一基材獲取一第一光譜，該平臺支撐一研磨墊以研磨該基材； 比對該第一光譜與一資料庫中複數個光譜，以決定一第一適配光譜，其中比對該第一光譜包含決定該第一適配光譜的一第一指數，其中該第一指數為N；在該平臺之一後續自轉期間，獲取一第二光譜，其中該後續自轉比該自轉晚X個轉數；以及比對該第二光譜與該資料庫中選自該些光譜的一套光譜，以決定一第二適配光譜，其中比對該第二光譜包含決定該第二適配光譜的一第二指數，其中一預定自由度為Y，且該資料庫中選自該些光譜的該套光譜為對應一指數範圍為[(N+X)±Y]的光譜。
  8. 一種用於化學機械研磨之系統，該系統至少包含：一可旋轉之平臺，用來支撐一研磨表面；一光源，設於該平臺；一光偵測器，設於該平臺；一承載頭，用以支承一基材使其抵靠著該研磨表面及移動該基材，如此來自該光源之一光線指向該基材之一表面，並且該光偵測器偵測自該基材反射之一光線；一控制器，用來控制該承載頭；以及一電腦，用以接收來自該光偵測器之一訊號，其中該電腦更用來：接收在該平臺之一自轉期間取得的至少三光譜；判斷該至少三光譜各自間的一差異，其中判斷該差異的步驟包括計算該至少三光譜的各個光譜中，該光譜與該 至少三光譜的所有其他光譜之間的累積差異；依據該差異從該至少三光譜中挑選一無關光譜；以及摒棄該無關光譜。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之系統，其中該電腦更用來：計算每一光譜中，該光譜與其他光譜間的一平方差累積總和；選出該些累積總和的一最小累積總和；以及將每一累積總和除以該最小累積總和，而獲得各個光譜的一常態化數值。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該電腦更用來藉由選擇一常態化數值超過一預定門檻的一光譜，以挑選該無關光譜。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之系統，其中該電腦更用來：計算每一光譜中，該光譜與其他光譜間的一平方差累積總和；以及依據該平方差累積總和的一絕對值來挑選該無關光譜。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之系統，其中該電腦更用來：比對在一第一自轉期間取得的未遭摒棄之光譜和該光 譜資料庫，以找出一適配光譜；接收在一第二自轉期間取得的至少三光譜；判斷在該第二自轉期間取得的該至少三光譜各自間的一差異，其中判斷該差異的步驟包括計算在該第二自轉期間取得的該至少三光譜的各個光譜中，該光譜與在該第二自轉期間取得的該至少三光譜的所有其他光譜之間的累積差異；依據該差異從在該第二自轉期間取得的該至少三光譜中挑選一無關光譜；摒棄來自該第二自轉期間的該無關光譜；比對在該第二自轉期間取得的一未遭摒棄之光譜和該光譜資料庫，以找出一適配光譜；依據該第一自轉期間的該適配光譜至該第二自轉期間的該適配光譜的一變化，決定一研磨速率；以及依據該研磨速率和一目標光譜，推斷一研磨終點。
  13. 一種用於化學機械研磨之系統，該系統至少包含：一可旋轉之平臺，用來支撐一研磨表面；一光源，設於該平臺；一光偵測器，設於該平臺；一承載頭，用以支承一基材使其抵靠著該研磨表面及移動該基材，如此來自該光源之一光線指向該基材之一表面，並且該光偵測器偵測自該基材反射之一光線； 一控制器，用來控制該承載頭；以及一電腦，用以接收來自該光偵測器之一訊號，其中該電腦更用來：在該平臺之一自轉期間獲取一第一光譜；比對該第一光譜與一資料庫中複數個光譜，以決定一第一適配光譜；在該平臺之一後續自轉期間獲取一第二光譜；比對該第二光譜與該資料庫中選自該些光譜的一套光譜，以決定一第二適配光譜；決定該第一適配光譜的一第一指數，其中該第一指數為N，且該後續自轉比該自轉晚X個轉數；以及決定該第二適配光譜的一第二指數，其中一預定自由度為Y，且該資料庫中選自該些光譜的該套光譜為對應一指數範圍為[(N+X)±Y]的光譜。
  14. 一種用於化學機械研磨之系統，該系統至少包含：一可旋轉之平臺，用來支撐一研磨表面；一光源，設於該平臺；一光偵測器，設於該平臺；一承載頭，用以支承一基材使其抵靠著該研磨表面及移動該基材，如此來自該光源之一光線指向該基材之一表面，並且該光偵測器偵測自該基材反射之一光線；一控制器，用來控制該承載頭；以及一電腦，用以接收來自該光偵測器之一訊號，其中該電腦更用來：在該平臺之一第一自轉期間獲取複數個第一光譜；比對該些第一光譜與一資料庫中複數個光譜，以決定 複數個第一適配光譜和該些第一適配光譜的複數個第一指數；在該平臺之一第二自轉期間，獲取複數個第二光譜；比對該些第二光譜與該資料庫中該些光譜，以決定複數個第二適配光譜和該些第二適配光譜的複數個第二指數；按轉數或時間繪製契合該些第一指數與該些第二指數的一數線；以及定義該數線與一目標指數相交處為一終點。
  15. 一種電腦程式產品，收錄於一實體程式載體，用以使一資料處理設備執行多個操作，該些操作包含：在一原位監測模組橫跨一基材通過的期間，接收該基材之一表面的至少三光譜；判斷該至少三光譜各自間的一差異，其中判斷該差異的步驟包括計算該至少三光譜的各個光譜中，該光譜與該至少三光譜的所有其他光譜之間的累積差異；依據該差異，從該至少三光譜中挑選一無關光譜；以及摒棄該無關光譜。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之電腦程式產品，其中判斷該差異包含：計算每一光譜中，該光譜與其他光譜間的一平方差累積總和；選出該些累積總和的一最小累積總和；以及將每一累積總和除以該最小累積總和，而獲得各個光譜 的一常態化數值。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之電腦程式產品，其中挑選該無關光譜包含選擇一常態化數值超過一預定門檻的一光譜。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之電腦程式產品，其中該產品是用來使該資料處理設備執行多個操作，該些操作包含：判斷該差異，包含計算每一光譜中該光譜與其他光譜間的一平方差累積總和；以及挑選該無關光譜，包含依據該平方差累積總和的一絕對值來挑選該無關光譜。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之電腦程式產品，其中該產品是用來使該資料處理設備執行多個操作，該些操作包含：進行申請專利範圍第15項所述之操作，以在一平臺的一第一自轉期間獲取光譜，該平臺支撐一研磨表面以研磨該基材；比對在該第一自轉期間取得的未遭摒棄之光譜和一光譜資料庫，以找出一適配光譜；進行申請專利範圍第15項所述之操作，以在該平臺的 一第二自轉期間獲取光譜；比對在該第二自轉期間取得的未遭摒棄之光譜和該光譜資料庫，以找出一適配光譜；依據該第一自轉期間的該適配光譜至該第二自轉期間的該適配光譜的一變化，決定一研磨速率；以及依據該研磨速率和一目標光譜，推斷一研磨終點。
  20. 一種電腦程式產品，收錄於一實體程式載體，用以使一資料處理設備執行多個操作，該些操作包含：在一平臺之一自轉期間，獲取一第一光譜；比對該第一光譜與一資料庫中複數個光譜，以決定一第一適配光譜；在該平臺之一後續自轉期間，獲取一第二光譜；比對該第二光譜與該資料庫中選自該些光譜的一套光譜，以決定一第二適配光譜；決定該第一適配光譜的一第一指數，其中該第一指數為N，該後續自轉比該自轉晚X個轉數；決定該第二適配光譜的一第二指數，其中一預定自由度為Y，且該資料庫中選自該些光譜的該套光譜為對應一指數範圍為[(N+X)±Y]的光譜。
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