JP2010519771A - スペクトルを使用した研磨終了点の決定 - Google Patents

スペクトルを使用した研磨終了点の決定 Download PDF

Info

Publication number
JP2010519771A
JP2010519771A JP2009551052A JP2009551052A JP2010519771A JP 2010519771 A JP2010519771 A JP 2010519771A JP 2009551052 A JP2009551052 A JP 2009551052A JP 2009551052 A JP2009551052 A JP 2009551052A JP 2010519771 A JP2010519771 A JP 2010519771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spectrum
spectra
substrate
rotation
matching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009551052A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010519771A5 (ja
JP5654753B2 (ja
Inventor
ハリー キュー． リー，
ボグスロー エー． スウェデク，
ドミニク ジェイ． ベンヴェニュ，
ジェフリー ドゥルー デーヴィッド，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2010519771A publication Critical patent/JP2010519771A/ja
Publication of JP2010519771A5 publication Critical patent/JP2010519771A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5654753B2 publication Critical patent/JP5654753B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • G—PHYSICS
    • G16—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS
    • G16Z—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G16Z99/00—Subject matter not provided for in other main groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

研磨シーケンス中に得られたスペクトルを使用して研磨終了点を決定する方法が説明される。特に、望ましいスペクトルだけを使用する技術、高速サーチ方法、より強力な速度の決定方法が説明される。
【選択図】 図４

Description

背景
[0001]本発明は、一般的に、基板の化学的機械研磨に関する。
[0002]集積回路は、典型的に、シリコンウェハ上に導体層、半導体層又は絶縁層を順次に堆積することにより基板上に形成される。１つの製造ステップは、非平坦面上に充填層を堆積し、次いで、その充填層を平坦化することを含む。ある用途では、充填層は、パターン化された層の上面が露出されるまで平坦化される。例えば、パターン化された絶縁層上に導体充填層を堆積して、その絶縁層のトレンチ又は穴を埋めることができる。平坦化の後、絶縁層の持ち上がったパターン間に残っている導体層の部分が、基板上の薄膜回路間に導体路をなすビア、プラグ及びラインを形成する。酸化物研磨のような他の用途では、非平坦面上に所定の厚みが残されるまで充填層が平坦化される。更に、通常は、ホトリソグラフィーのために基板表面の平坦化が必要とされる。
[0003]化学的機械研磨（ＣＭＰ）は、受け容れられた一つの平坦化方法である。この平坦化方法は、典型的に、キャリア又は研磨ヘッドに基板を装着することを必要とする。通常、基板の露出面が、回転する研磨ディスクパッド又はベルトパッドに載せられる。研磨パッドは、標準パッド又は固定の研磨材パッドのいずれかである。標準パッドは、耐久性のある粗面を有し、一方、固定の研磨材パッドは、収容媒体に保持された研磨材粒子を有している。キャリアヘッドは、制御可能な荷重を基板に与え、基板を研磨パッドに押し付ける。研磨パッドの表面には、典型的に、研磨スラリが供給される。研磨スラリは、少なくとも１つの化学反応剤を含み、また、標準研磨パッドと共に使用する場合には、研磨材粒子も含む。
[0004]ＣＭＰにおける１つの問題は、研磨プロセスが完了したかどうか、即ち基板層が望ましい平坦度又は厚みまで平坦化されたかどうか、又は望ましい量の材料が除去されたとき、を決定することである。導体層又は膜を研磨し過ぎると（除去し過ぎると）、回路抵抗の増加を招く。
[0005]他方、導体層が研磨不足（除去不足）であると、電気的な短絡を招く。基板層の初期厚み、スラリの組成、研磨パッド条件、研磨パッドと基板との間の相対的速度、及び基板にかかる荷重が変化すると、材料除去率の変化を生じさせる。これらの変化は、研磨終了点に到達するのに要する時間の変化を引き起こす。それ故、研磨終了点は、単に研磨時間の関数として決定することができない。
概要
[0006]終了点の決定を改善するための技術について説明する。
[0007]本発明の１つ以上の実施形態の細部を添付図面及び以下の説明において述べる。本発明の他の特徴、目的、及び効果は、以下の説明及び添付図面、並びに特許請求の範囲から明らかとなるであろう。
研磨システムの概略断面図である。 代表的フラッシュ位置をもつプラテン上の基板を示す概略上面図である。 研磨終了点を決定するフローチャートである。 ライブラリーとして得られたスペクトルの代表的ＧＵＩを示す。 異常値スペクトルが除去された後のライブラリーとして得られたスペクトルの代表的ＧＵＩを示す。 終了点を決定するための複数のスペクトル及び強力な線適合を示すグラフである。 終了点を決定するための複スペクトル平均化及び強力な線適合を示すグラフである。
詳細な説明

[0015]種々の添付図面において同様の要素は同じ参照番号で示される。
[0016]基板を研磨し、ここに研磨終了点を決定するためのシステムが説明されている。研磨中に基板からスペクトルを得るために光学的検出器が使用される。そのスペクトルが得られると、そのスペクトルがライブラリーのスペクトルと比較される。この比較は、全ての目的でここに援用する２００５年８月３６日に出願された米国特許出願第１１／２１３，３４４号及び２００６年５月１９日に出願された米国特許出願第６０／７４７，７６８号に更に説明された最小二乗和マッチング方法のような種々の技術を使用して実行することができる。ライブラリー内の各スペクトルにインデックス数字が指定される場合には、強力な線適合(robust line fitting)を使用してプロットされたインデックス数字に適合する線及び時間に基づいて、合致するインデックス数字をプロットすることができる。ターゲットスペクトルに対応するインデックスに線が交差するときに、ターゲット終了点に到達し、研磨を停止することができる。
[0017]研磨中にライブラリーを生成するために得られるスペクトルは、ノイズ又は望ましくない特徴を含む傾向がある。（例えば、ノイズや、罫書き線のような場所をフラッシュするために）怪しい（spurious）データを含むスペクトルは、終了点を決定するために使用すると、結果を歪めさせる。ノイズを伴うスペクトルは、基板の測定から得られるべき「真」のスペクトルとは著しく離れたものとなる。これらの異常値スペクトルは、終了点の決定から除去することができ、又はここに述べる技術を使用するために補償することができる。
[0018]図１は、基板１０を研磨するよう動作可能な研磨装置２０を示す。この研磨装置２０は、回転可能なディスク形状のプラテン２４を備え、その上に研磨パッド３０が載せられる。プラテンは、軸２５の周りを回転するように動作可能である。例えば、モータで駆動シャフト２２を回して、プラテン２４を回転させることができる。
[0019]アパーチャー（即ち、パッドを貫通して続く穴）又は中実の窓を含ませることにより研磨パッドを通る光学的アクセス部３６が設けられる。中実の窓は、研磨パッドに固定できるが、ある実施形態では、中実な窓をプラテン２４上に支持し、研磨パッドのアパーチャーへ突出させることができる。研磨パッド３０は、通常、プラテン２４に載せられて、アパーチャー又は窓が、プラテン２４のくぼみ２６に置かれた光学的ヘッド５３の上に横たわるようにする。従って、光学的ヘッド５３は、アパーチャー又は窓を通して、研磨されている基板へ光学的にアクセスすることができる。光学的ヘッドは、以下で更に説明する。
[0020]研磨装置２０は、複合スラリ／すすぎアーム３９を備えている。研磨中に、このアーム３９は、スラリのような研磨液体３８を付与するように動作可能である。或いは又、研磨装置は、研磨パッド３０にスラリを付与するように動作可能なスラリポートを含む。
[0021]研磨装置２０は、研磨パッド３０に対して基板１０を保持するように動作可能なキャリアヘッド７０を備えている。このキャリアヘッド７０は、例えば、カルーセルのような支持構造体７２から懸架されて、キャリア駆動シャフト７４によってキャリアヘッド回転モータ７６に接続されているので、キャリアヘッドが軸７１の周りで回転できる。更に、キャリアヘッド７０は、支持構造体７２に形成された半径方向スロット内を横方向に振動することができる。動作中、プラテンは、その中心軸２５の周りを回転され、また、キャリアヘッドは、その中心軸７１の周りを回転され、且つ研磨パッドの上面を横切って横方向に並進移動される。
[0022]また、研磨装置は、以下に述べるように研磨終了点を決定するのに使用できる光学的監視システムも備えている。この光学的監視システムは、光源５１と、光検出器５２とを含む。光は、光源５１から、研磨パッド３０内の光学的アクセス部３６を通過し、基板１０に当たって、そこから反射され、光学的アクセス部３６を戻り、光検出器５２へと進む。
[0023]二股の光学的ケーブル５４を使用して、光源５１からの光を光学的アクセス部３６へ伝送し且つ光学的アクセス部３６から光検出器５２へ戻すことができる。二股の光学的ケーブル５４は、「幹線」５５及び２つの「支線」５６、５８を含むことができる。
[0024]上述したように、プラテン２４は、くぼみ２６を備え、ここに光学的ヘッド５３が置かれる。光学的ヘッド５３は、二股のファイバケーブル５４の幹線５５の一端を保持し、これが、研磨されている基板表面へ光を搬送し、更に、基板表面から光を搬送するよう構成されている。光学的ヘッド５３は、二股のファイバケーブル５４の端の上に横たわる窓又は１つ以上のレンズを含むことができる。或いは又、光学的ヘッド５３は、単に研磨パッドの中実な窓付近に幹線５５の端を保持することもできる。光学的ヘッド５３は、フラッシュシステムの上述したノズルを保持することができる。また、光学的ヘッド５３は、例えば、予防的又は矯正的保守を行うために、必要に応じて、くぼみ２６から除去されることが可能である。
[0025]プラテンは、除去可能な、その場の(in-situ)監視モジュール５０を含んでいる。その場の監視モジュール５０は、次のもの、即ち光源５１、光検出器５２、及びこれらの光源５１及び光検出器５２と信号を送受信する回路、のうちの１つ以上を含むことができる。例えば、検出器５２の出力は、デジタル電子信号でもよく、これは、駆動シャフト２２のロータリーカプラー、例えば、スリップリングを経て光学的監視システムのコントローラへ通過することができる。同様に、光源は、コントローラからロータリーカプラーを経てモジュール５０へ通過するデジタル電子信号における制御コマンドに応答してオン又はオフに切り換えることができる。
[0026]また、その場の監視モジュールは、二股の光学的ケーブル５４の支線部分５６及び５８の各端を保持することもできる。光源は、光を伝送するように動作可能であり、その光は、支線５６を経て、光学的ヘッド５３に配置された幹線５５の端の外へ搬送されて、研磨されている基板に当たる。基板から反射された光は、光学的ヘッド５３に配置された幹線５５の端に受け取られ、支線５８を経て光検出器５２へ搬送される。
[0027]一実施形態では、二股の光学的ケーブル５４は、光ファイバの束である。この束は、光ファイバの第１グループと、光ファイバの第２グループとを含む。第１グループの光ファイバは、光源５１からの光を、研磨されている基板表面へ搬送するように接続される。第２グループの光ファイバは、研磨されている基板表面から反射する光を受け取って、その受け取った光を光検出器へ搬送するように接続されている。光ファイバは、第２グループの光ファイバが（二股のファイバケーブル５４の断面で見て）二股の光ファイバ５４の長手軸を中心とするＸ字状の形状を形成するように配列することができる。或いは又、他の配列を実施することもできる。例えば、第２グループの光ファイバは、互いの鏡像であるＶ字状の形状を形成することができる。適当な二股の光ファイバは、テキサス州キャロルトンのベリティインスツルーメント社から入手できる。
[0028]光源５１は、白色光を放出するように動作可能である。一実施形態では、放出される白色光は、波長が２００から８００ナノメートルの光を含む。適当な光源は、キセノンランプ又はキセノン水銀ランプである。
[0029]光検出器５２は、分光計である。分光計は、基本的に、電磁スペクトルの一部分にわたって光の強度を測定するための光学的計器である。適当な分光計は、格子分光計である。分光計の典型的な出力は、波長の関数としての光の強度である。
[0030]光源５１及び光検出器５２は、それらの動作を制御すると共にそれらの信号を受信するように動作可能なコンピューティング装置に接続されている。このコンピューティング装置は、研磨装置の付近に置かれたマイクロプロセッサ、例えば、パーソナルコンピュータを含むことができる。制御に関して、コンピューティング装置は、例えば、光源５１の起動（activation）をプラテン２４の回転と同期させることができる。図２に示すように、コンピュータは、その場の監視モジュールの上を基板１０が通過する直前に始まり且つその直後に終わる一連のフラッシュを光源５１が放出するようにさせることができる。（描かれた点５０１から５１１の各々は、その場の監視モジュールからの光が当たって反射する位置を表している。）或いは又、コンピュータは、その場の監視モジュールの上を基板１０が通過する直前に始まり且つその直後に終わる連続的な光を光源５１が放出するようにさせることができる。図示されていないが、基板１０が監視モジュールの上を通過するたびに、基板と監視モジュールとの整列は、その手前のパスの場合とは異なる。基板の一回転にわたって、基板上の異なる角度位置から、更に、異なる半径方向位置から、スペクトルが得られる。即ち、あるスペクトルは、基板の中心付近の位置から得られ、更に、あるスペクトルは、縁付近から得られる。基板は、半径方向ゾーンに区分化することができる。基板の表面上で３つ、４つ、５つ、６つ、７つ又はそれ以上のゾーンを画成することができる。ここに述べる方法の幾つかにおいて、スペクトルは、それに対応するゾーンにグループ分けされる。
[0031]信号の受信に関して、コンピューティング装置は、例えば、光検出器により受け取られた光のスペクトルを記述する情報を保持する信号を受信することができる。コンピューティング装置は、この信号を処理して、研磨ステップの終了点を決定することができる。特定の理論に限定されることなく、基板から反射される光のスペクトルは、研磨が進むにつれて進化する。反射光のスペクトルの特性は、膜の厚みが変化するにつれて変化し、膜の特定厚みによって特定のスペクトルが示される。コンピューティング装置は、終了点に到達したときを１つ以上のスペクトルに基づいて決定するロジックを実行することができる。終了点を決定するベースである１つ以上のスペクトルは、ターゲットスペクトルを含むことができる。ここでは、ターゲットスペクトルが言及されるが、基準スペクトルもカバーされるものとする。ターゲットスペクトルとは、研磨終了点に達したときのウェハに対応するスペクトルである。システムが研磨停止信号を受信するときと、プラテンが回転を停止するときとの間にはタイムラグがあるために、研磨を停止するための信号は、実際の終了点より前の時間、即ち基準スペクトルが得られるときに、送信されてもよい。基準スペクトルとターゲットスペクトルとの間の相関は、研磨及びシステムパラメータに依存するので、簡単化のために、本出願ではターゲットスペクトルが言及されている。
[0032]本明細書で使用するターゲットスペクトルとは、当該膜がターゲット厚みを有するときに当該膜から反射する白色光により示されるスペクトルを指す。例えば、ターゲット厚みは、１、２又は３ミクロンである。或いは又、ターゲット厚みは、例えば、当該膜が除かれて、その下の膜が露出されたときには、ゼロである。
[0033]図３は、研磨ステップの終了点を決定するための方法３００を示す。設定基板を研磨することからスペクトルが収集される（ステップ３０２）。スペクトルは、ライブラリーに記憶される（ステップ３０４）。或いは又、ライブラリーは、収集されずに（例えば、基板の予想厚み及び層の屈折率を含むモデルから）理論に基づいて計算されたスペクトルを含むことができる。各スペクトルが独特のインデックス値を有するようにスペクトルがインデックスされる。インデックス値は、研磨が進むにつれて単調に増加するように選択することができ、例えば、インデックス値は、プラテンの回転数に比例させることができる。従って、各インデックス数字は、整数であり、また、インデックス数字は、関連するスペクトルが現れる予想プラテン回転を表すことができる。ライブラリーは、研磨装置のコンピューティング装置のメモリにおいて実施することができる。
[0034]基板のバッチから１つの基板が研磨され、プラテンの回転ごとに次のステップが遂行される。１つ以上のスペクトルが測定されて、現在のプラテン回転に対する現在スペクトルが得られる（ステップ３０６）。ライブラリーに記憶されたスペクトルで、現在スペクトルに最良に適合するものが決定される（ステップ３０８）。現在のスペクトルに最良に適合すると決定されたライブラリースペクトルのインデックスが、終了点のインデックストレースに添付される（ステップ３１０）。その終了点のトレースがターゲットスペクトルのインデックスに到達したときに終了点がコールされる（ステップ３１２）。
[0035]ある実施形態では、得られた各スペクトルに合致するインデックスが時間又はプラテンの回転に基づいてプロットされる。強力な線適合を使用してそのプロットされたインデックス数字に線が適合される。線がターゲットインデックスに合うところが、終了点時間又は回転を定める。
[0036]ある実施形態では、正確さ及び／又は精度を向上させるために、収集されたスペクトルが処理される。ここに述べる処理技術を単独で又は組み合わせて使用して、終了点決定の結果を改善することができる。
[0037]終了点決め技術を改善する１つの方法は、サンプルデータが比較されるライブラリーを改善することである。図４を参照すると、ＧＵＩ４００は、単一の回転中に基板上の単一ゾーンから得られた８つのスペクトルのグラフ表示である。スペクトル４１０の１つは、他のものと著しく異なる。ここでは、スペクトルの７つ４０１、４０２、４０３、４０４、４０５、４０６、４０７は、各波長において同様の強度をもつように見える。しかしながら、１つのスペクトル４１０は、ほとんどの波長において、他の７つとは異なる強度を示す。
[0038]異常値スペクトルは、ユーザが目で見て決定し選択することができる。或いは又、システムは、異常値スペクトルがあることを自動的に決定することができる。異常値は、スペクトルごとに、そのスペクトルと他の全てのスペクトルとの間の累積二乗和の差を計算することにより見出すことができる。ある実施形態では、互いに比較される全てのスペクトルは、同じ半径方向ゾーン内にあり、同じ回転中に又は規定の時間周期内に得られる。累積二乗和の差４１５は、ＧＵＩ４００に表示することができる。任意であるが、この値は、各スペクトルを、そのスペクトルに対する累積二乗和の最低の差で除算することにより、正規化することができる。正規化された結果４２０をＧＵＩに表示することができる。正規化された二乗和値が所定値又は閾値４４０、例えば、１．５又は２を越えるようなスペクトルは、破棄される。累積二乗和の差が正規化されない場合には、累積二乗和の差の絶対値を使用して、どのスペクトルが異常値であるか決定することができる。この場合も、異常値の閾値として所定値をセットすることができる。この所定値は、実験で決定することができる。
[0039]図５を参照すれば、異常値が破棄された後に、残りのスペクトルを表示することができる。全てのスペクトルが非常に接近しているか、又は２つ以上の異常値が存在することがあるので、ユーザが結果を目で見て点検し、変更することができる。ユーザは、ボックス４３０をチェックすることにより、どのスペクトルを使用すべきか選択することができる。或いは又、ユーザは、どのスペクトルを保持し、どれを破棄するか定義する閾値４４０を変更することができる。スペクトルを破棄することは、そのスペクトルをその後の計算に使用しないか、又はそのスペクトルを削除することを単に意味することができる。
[0040]８つのスペクトル又はフラッシュが示されているが、回転中に得られるいかなる数のスペクトルも使用できる。しかしながら、典型的に、少なくとも３つのスペクトルが望ましく、５から１０のスペクトルで充分な量のデータが与えられると共に、望ましい、即ち高速の処理速度が与えられる。
[0041]ライブラリーに適用される自動方法は、基板研磨中に得られるスペクトルに同様に適用することもできるし、それとは別に適用することもできる。終了点信号を発生するのに使用されるソーススペクトルは、研磨中に得られる測定されたスペクトルの過半数に合致しないスペクトルを破棄するために同様に分類することができる。異常値（１つ又は複数）は、スペクトルごとに、そのスペクトルと他の全てのスペクトルとの間の累積二乗和の差を計算することにより決定することができる。単一の回転中に得られたスペクトルは、一緒にグループ化される。任意であるが、スペクトルはゾーンへグループ化することができ、また、単一ゾーンは個々にアドレスすることができる。この値は、各スペクトルを、そのスペクトルに対する累積二乗和の最低の差で除算することにより正規化される。正規化された二乗和の値が所定値を越えるようなスペクトルは、破棄される。残りのスペクトルは、異常値が破棄された後にユーザが再検討し且つ編集するために、例えば、次の研磨シーケンスに対して閾値をリセットすべきかどうかユーザが決定するために、表示することができる。
[0042]終了点決めプロセス中に適用できる別の方法は、スペクトルをマッチングするためにサーチされるライブラリーの部分を制限することである。ライブラリーは、典型的に、基板を研磨する間に得られるものより広い範囲のスペクトルを含む。この広い範囲は、より厚い出発層から得られるスペクトル及び研磨し過ぎの後に得られるスペクトルを考慮している。基板研磨中に、ライブラリーのサーチは、所定範囲のライブラリースペクトルに制限される。ある実施形態では、研磨されている基板の現在回転インデックスＮが決定される。Ｎは、全てのライブラリースペクトルをサーチすることにより決定することができる。その後の回転中に得られるスペクトルに対して、ライブラリーは、Ｎの自由度の範囲内でサーチされる。即ち、ある回転中に、インデックス数字がＮであると分かった場合に、その後の回転中（Ｘ回転後）中に、自由度をＹとすれば、サーチされる範囲は、（Ｎ＋Ｘ）±Ｙとなる。例えば、基板の第１の研磨回転において、合致するインデックスが８であると分かり且つ自由度が５であると選択される場合に、第２の回転中に得られるスペクトルに対して、インデックス数字９±５に対応するスペクトルだけがマッチングのために探索される。
[0043]或いは又、ライブラリーのスペクトルに指定されるインデックス数字がプラテンの回転を近似する場合には、ライブラリーサーチは、プラテンの回転により所定の自由度に制限することができる。即ち、スペクトルが回転８において得られ且つ自由度が６である場合には、８±６内にあるスペクトルとのマッチングに対してライブラリーをサーチすることができる。
[0044]上述した技術は、いずれも、マッチングのためにライブラリー全体をサーチするものより高速である。処理速度を高めることで、基板研磨中にスペクトルマッチングを遂行して、終了点を決定することができる。更に、これは、順序のスキップを防止することができ、即ちスペクトルパターンが繰り返される傾向があるために生じる規則的な反復厚み、例えば、２０００オングストロームだけ相違する層厚みに対してシステムが同じスペクトルを与えることを防止できる。
[0045]上述したように、単一の回転中に複数のスペクトルを得ることができる。終了点を決定する１つの方法において、ライブラリー内のインデックス数字に対して各スペクトルがマッチングされる。次いで、各スペクトルは、強力な線適合に対して使用される。線は、研磨の割合に対応する。図６を参照すれば、グラフ６００は、ライブラリー内の回転インデックスに合致し且つ時間に基づいてプロットされた２０個のスペクトルを示す。スペクトルの各々が異なるインデックスでマッチングするためにデータがある程度散在する。この散在は、ゾーン内の非均一厚み、ノイズ性のデータ、又はファクタの組み合わせによることもある。２つ以上のスペクトルが重畳する場合には、より大きな記号がグラフ６００に描かれる。
[0046]別の方法として、スペクトルが先ず平均化され、次いで、ライブラリーに対してマッチングされる。図７を参照すれば、全てのスペクトルが平均化され、その平均スペクトルを使用して、最良のインデックス突き合わせに対してライブラリーをサーチする。図６について述べた技術に使用されたものと同じ生のスペクトルを使用して、異なる、強力な線適合結果が得られる。これは、異なる終了点決定を生じさせる。
[0047]本明細書で説明される要旨及び機能的動作の実施形態は、本明細書で説明される構造及びその構造的等効物を含めて、デジタル電子回路、或いはコンピュータソフトウェア、ファームウェア、又はハードウェアで具現化することができ、或いはそれらの１つ以上の組み合わせで具現化することができる。本明細書に説明された要旨の実施形態は、１つ以上のコンピュータプログラム製品として具現化することができ、即ちデータ処理装置により実行するために又はデータ処理装置の動作を制御するために有形のプログラムキャリアにおいてエンコードされたコンピュータプログラムインストラクションの１つ以上のモジュールとして具現化することができる。有形のプログラムキャリアは、伝播信号又はコンピュータ読み取り可能な媒体である。伝播信号は、人為的に発生される信号、例えば、マシン発生される電気、光学又は電磁信号であり、これは、適当な受信装置へ送信してコンピュータにより実行するように情報をエンコードするために発生される。また、コンピュータ読み取り可能な媒体は、マシン読み取り可能な記憶装置、マシン読み取り可能な記憶基板、メモリ装置、マシン読み取り可能な伝播信号に作用する事柄の構成、或いはそれらの１つ以上の組み合わせである。
[0048]「データ処理装置」という語は、例えば、プログラム可能なプロセッサ、コンピュータ、或いはマルチプロセッサ又はコンピュータを含めて、データを処理するための全ての装置、デバイス及びマシンを包含する。装置は、ハードウェアに加えて、当該コンピュータプログラムのための実行環境を生成するコード、例えば、プロセッサファームウェア、プロトコルスタック、データベースマネージメントシステム、オペレーティングシステム、又はその１つ以上の組み合わせを構成するコードを包含することができる。
[0049]コンピュータプログラム（プログラム、ソフトウェア、ソフトウェアアプリケーション、スクリプト又はコードとしても知られている）は、コンパイル又は解釈言語、或いは宣言又は手続言語を含めて、任意の形式のプログラミング言語で書くことができ、更に、コンピューティング環境で使用するのに適したコンポーネント、サブルーチン又は他のユニットをスタンドアローンプログラム又はモジュールとして含む任意の形態で展開することができる。コンピュータプログラムは、必ずしも、ファイルシステム内のファイルに対応しない。プログラムは、他のプログラム又はデータ（例えば、マークアップ言語ドキュメントに記憶された１つ以上のスクリプト）を保持するファイルの一部分、当該プログラムに専用とされた単一のファイル、又は複数の座標付きファイル（例えば、１つ以上のモジュール、サブプログラム、又はコードの部分）に記憶することができる。コンピュータプログラムは、１つのサイトに配置されるか又は複数のサイトにわたって分散されて通信ネットワークによって相互接続される１つのコンピュータ又は複数のコンピュータにおいて実行されるように展開することができる。
[0050]本明細書で述べるプロセス及びロジックフローは、入力データに対して動作して出力を発生することで機能を遂行するように１つ以上のコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプログラム可能なプロセッサにより遂行することができる。また、このプロセス及びロジックフローは、特殊目的のロジック回路、例えば、ＦＰＧＡ（現場でプログラム可能なゲートアレイ）又はＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）によって遂行することもできるし、また、装置は、その特殊目的のロジック回路として具現化することもできる。
[0051]コンピュータプログラムを実行するのに適したプロセッサは、例えば、汎用及び特殊目的の両マイクロプロセッサ、並びに任意の種類のデジタルコンピュータの１つ以上のプロセッサを含む。一般的に、プロセッサは、リードオンリメモリ又はランダムアクセスメモリ或いはその両方からインストラクション及びデータを受け取る。コンピュータの本質的な要素は、インストラクションを遂行するためのプロセッサと、インストラクション及びデータを記憶するための１つ以上のメモリ装置である。また、一般的に、コンピュータは、データを記憶するための１つ以上の大量記憶装置、例えば、磁気ディスク、磁気光学ディスク又は光学ディスクも備え、或いはそこからデータを受け取り、そこへデータを転送し、又はその両方を行うよう作動的に結合される。しかしながら、コンピュータは、このような装置を有する必要はない。
[0052]コンピュータプログラムインストラクション及びデータを記憶するのに適したコンピュータ読み取り可能な媒体は、一例として、半導体メモリ装置、例えば、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュメモリ装置；磁気ディスク、例えば、内部ハードディスク又は除去可能なディスク；磁気光学ディスク；並びにＣＤ ＲＯＭ及びＤＶＤ−ＲＯＭディスクを含めて、不揮発性メモリ、媒体及びメモリ装置の全ての形態を含む。プロセッサ及びメモリは、特殊目的のロジック回路により補足することができ、又はそれに合体することができる。
[0053]ユーザとの対話を与えるために、本明細書に述べる要旨の実施形態は、ユーザに情報を表示するためのディスプレイ装置、例えば、ＣＲＴ（陰極線管）又はＬＣＤ（液晶ディスプレイ）モニタと、ユーザがコンピュータへ入力を与えることができるようにするキーボード及びポインティング装置、例えば、マウス又はトラックボールとを有するコンピュータにおいて具現化することができる。ユーザとの対話を与えるのに他の種類の装置を使用することもでき、例えば、ユーザに与えられるフィードバックは、任意の形態の感覚フィードバック、例えば、視覚フィードバック、聴覚フィードバック又は触覚フィードバックであり、また、ユーザからの入力は、音響、スピーチ又は触覚入力を含む任意の形態で受け取ることができる。
[0054]本明細書は、多数の細目を含んでいるが、それらは、発明の範囲又は特許請求の範囲を限定するものと解釈されてはならず、むしろ、特定の発明の特定の実施形態特有の特徴を説明するものと解釈されたい。また、別々の実施形態に関して本明細書に述べた幾つかの特徴は、単一の実施形態において組み合わせて具現化することもできる。逆に、単一の実施形態に関して説明した種々の特徴は、複数の実施形態において別々に又は適した副組合せ（subcombination）で具現化することもできる。更に、それらの特徴は、幾つかの組み合わせにおいて作用するものとして説明され且つそのように最初に請求もされるが、請求された組み合わせからの１つ以上の特徴を、あるケースでは、その組み合わせから削除することができ、且つ請求された組み合わせが副組み合わせ又は副組み合わせの変形へと向けられてもよい。
[0055]同様に、動作は添付図面において特定の順序で描かれたが、これは、このような動作を、図示された特定の順序又は逐次の順序で遂行すること、又は希望の結果を得るために図示された全ての動作を遂行すること、を要求していると理解されてはならない。ある環境では、マルチタスク及び並列処理が効果的なことがある。更に、上述した実施形態において種々のシステムコンポーネントを分離したことは、全ての実施形態においてそのような分離を要求していると理解されてはならず、また、上述したプログラムコンポーネント及びシステムは、一般的に、単一のソフトウェア製品に一緒に一体化もできるし、又は複数のソフトウェア製品へとパッケージもできることを理解されたい。
[0056]本明細書に述べる要旨の特定の実施形態を説明した。他の実施形態も、特許請求の範囲内に含まれる。例えば、特許請求の範囲に列挙された動作は、異なる順序で遂行されても、希望の結果を得ることができる。一例として、添付図面に描かれたプロセスは、希望の結果を得るのに、必ずしも、図示された特定の順序又は逐次の順序を必要としない。ある具現化においては、マルチタスク及び並列処理が効果的なこともある。
１０…基板、２０…研磨装置、２２…駆動シャフト、２４…プラテン、２５…軸、２６…くぼみ、３０…研磨パッド、３６…光学的アクセス部、３８…研磨液体、３９…アーム、５０…その場の監視モジュール、５１…光源、５２…光検出器、５３…光学的ヘッド、５４…二股の光学的ケーブル、５５…幹線、５６、５８…支線、７０…キャリアヘッド、７１…軸、７２…支持構造体、７４…キャリア駆動シャフト、７６…キャリアヘッド回転モータ

Claims (20)

  1. 異常値スペクトルを決定するための方法において、
    基板を研磨する間に、上記基板の回転中に上記基板の表面から少なくとも３つのスペクトルを得るステップと、
    上記少なくとも３つのスペクトルの各々の間の差を決定するステップと、
    上記差に基づき上記少なくとも３つのスペクトルから異常値スペクトルを選択するステップと、
    上記異常値スペクトルを破棄するステップと、
    を備えた方法。
  2. 差を決定する上記ステップは、
    スペクトルごとに、そのスペクトルと他のスペクトルとの間の累積二乗和の差を計算する段階と、
    上記累積和のうちの最低の累積和を選択する段階と、
    各累積和を上記最低の累積和で除算して、各スペクトルに対する正規化数字を得る段階と、
    を含む、請求項１に記載の方法。
  3. 異常値を選択する上記ステップは、正規化数字が所定の閾値を越えるスペクトルを選択する段階を含む、請求項２に記載の方法。
  4. 差を決定する上記ステップは、スペクトルごとに、そのスペクトルと他のスペクトルとの間の累積二乗和の差を計算する段階を含み、
    異常値を選択する上記ステップは、上記累積二乗和の差の絶対値に基づいて異常値を選択する段階を備える、請求項１に記載の方法。
  5. 終了点を決定する方法において、
    上記基板の第１回転中に得られたスペクトルに対して請求項１に記載の方法を遂行するステップと、
    上記第１回転中に得られた非破棄スペクトルをスペクトルのライブラリーと比較して、合致するスペクトルを見出すステップと、
    を備えた方法。
  6. 上記基板の第２回転中に得られたスペクトルに対して請求項１に記載の方法を遂行するステップと、
    上記第２回転中に得られた非破棄スペクトルをスペクトルのライブラリーと比較して、合致するスペクトルを見出すステップと、
    上記第１回転のスペクトルと合致するスペクトル及び上記第２回転のスペクトルと合致するスペクトルの変化に基づいて研磨速度を決定するステップと、
    上記研磨速度及びターゲットスペクトルに基づいて研磨終了点を予測するステップと、
    を更に備えた、請求項５に記載の方法。
  7. 研磨終了点を決定する方法において、
    基板の回転中に第１スペクトルを得るステップと、
    上記第１スペクトルをライブラリー内の複数のスペクトルと比較して、第１の合致するスペクトルを決定するステップであって、上記第１スペクトルの比較は、上記第１の合致するスペクトルに対する第１インデックス数字を決定する段階を含み、上記第１インデックス数字がＮである、上記ステップと、
    基板の、その後の回転中に第２スペクトルを得るステップであって、上記その後の回転は上記回転後のＸ回転であるステップと、
    上記第２スペクトルを上記ライブラリー内の複数のスペクトルのうちのサブセットと比較して、第２の合致するスペクトルを決定するステップであって、上記第２スペクトルの比較は、上記第２の合致するスペクトルに対する第２インデックス数字を決定する段階を含み、自由度Ｙが所定の数字であり、且つ上記ライブラリー内の複数のスペクトルのサブセットは、（Ｎ＋Ｘ）±Ｙのインデックス数字に対応するスペクトルであるステップと、
    を備えた方法。
  8. 化学的機械研磨のためのシステムにおいて、
    研磨面を支持するための回転可能なプラテンと、
    上記プラテン内の光源と、
    上記プラテン内の光検出器と、
    上記研磨面に対して基板を保持すると共に基板を移動するように構成されたキャリアヘッドであって、上記光源からの光が上記基板の上記表面に向けられ且つ上記基板から反射した光が上記光検出器によって検出されるようにするキャリアヘッドと、
    上記キャリアヘッドを制御するためのコントローラと、
    上記光検出器からの信号を受け取るように構成されたコンピュータであって、上記基板の回転中に得られる少なくとも３つのスペクトルを受け取り、この少なくとも３つのスペクトルの各々の間の差を決定し、この差に基づいて上記少なくとも３つのスペクトルから異常値スペクトルを選択し、その異常値スペクトルを破棄するように更に構成されたコンピュータと、
    を備えたシステム。
  9. 上記コンピュータは、更に、
    スペクトルごとに、そのスペクトルと他のスペクトルとの間の累積二乗和の差を計算し、
    上記累積和のうちの最低の累積和を選択し、
    各累積和を上記最低の累積和で除算して、各スペクトルに対する正規化数字を得る、
    というように構成された、請求項８に記載のシステム。
  10. 上記コンピュータは、更に、正規化数字が所定の閾値を越えるスペクトルを選択することにより上記異常値を選択するように構成される、請求項９に記載のシステム。
  11. 上記コンピュータは、更に、
    スペクトルごとに、そのスペクトルと他のスペクトルとの間の累積二乗和の差を計算し、
    上記累積二乗和の差の絶対値に基づいて上記異常値を選択する、
    というように構成された、請求項８に記載のシステム。
  12. 上記コンピュータは、更に、
    上記第２回転中に得られた非破棄スペクトルをスペクトルの上記ライブラリーと比較して、合致するスペクトルを見出し、
    上記第１回転のスペクトルと合致するスペクトル及び第２回転と合致するスペクトルの変化に基づいて研磨速度を決定し、
    上記研磨速度及びターゲットスペクトルに基づいて研磨終了点を予測する（project）、
    というように構成された、請求項１に記載のシステム。
  13. 化学的機械研磨のためのシステムにおいて、
    研磨面を支持するための回転可能なプラテンと、
    上記プラテン内の光源と、
    上記プラテン内の光検出器と、
    上記研磨面に対して基板を保持すると共に上記基板を移動するように構成されるキャリアヘッドであって、上記光源からの光が上記基板の上記表面に向けられ且つ上記基板から反射した光が上記光検出器によって検出される、上記キャリアヘッドと、
    上記キャリアヘッドを制御するためのコントローラと、
    上記光検出器からの光を受け取るように構成されたコンピュータであって、基板の回転中に第１スペクトルを得て、この第１スペクトルをライブラリー内の複数のスペクトルと比較して、第１の合致するスペクトルを決定し、基板のその後の回転中に第２スペクトルを得て、この第２スペクトルをライブラリー内の複数のスペクトルのうちのサブセットと比較して、第２の合致するスペクトルを決定し、上記第１の合致するスペクトルに対する第１インデックス数字（この第１インデックス数字はＮ）を決定し、上記第２の合致するスペクトルに対する第２インデックス数字を決定し、自由度Ｙが所定の数字であり、且つ上記ライブラリーの複数のスペクトルのサブセットは、（Ｎ＋Ｘ）±Ｙのインデックス数字に合致するスペクトルである、というように構成された、上記コンピュータと、
    を備えたシステム。
  14. 化学的機械研磨のためのシステムにおいて、
    研磨面を支持するための回転可能なプラテンと、
    上記プラテン内の光源と、
    上記プラテン内の光検出器と、
    上記研磨面に対して基板を保持すると共に上記基板を移動するように構成されるキャリアヘッドであって、上記光源からの光が上記基板の上記表面に向けられ且つ上記基板から反射した光が上記光検出器によって検出される、上記キャリアヘッドと、
    上記キャリアヘッドを制御するためのコントローラと、
    上記光検出器からの光を受け取るように構成されたコンピュータであって、基板の第１回転中に複数の第１スペクトルを得て、この複数の第１スペクトルをライブラリー内のスペクトルと比較して、複数の第１の合致するスペクトル及びその第１の合致するスペクトルに対する複数の第１のインデックス数字を決定し、基板の第２回転中に複数の第２スペクトルを得て、この複数の第２スペクトルをライブラリー内のスペクトルと比較して、複数の第２の合致するスペクトル及びその複数の第２の合致するスペクトルに対する複数の第２のインデックス数字を決定し、回転又は時間に従って上記複数の第１のインデックス数字及び複数の第２のインデックス数字に線を適合させ、その線がターゲットインデックス数字に交差するところとして終了点を定義するように更に構成された、上記コンピュータと、
    を備えたシステム。
  15. 上記基板の回転中に上記基板の表面から少なくとも３つのスペクトルを受け取り、
    上記少なくとも３つのスペクトルの各々の間の差を決定し、
    上記差に基づき上記少なくとも３つのスペクトルから異常値スペクトルを選択し、
    上記異常値スペクトルを破棄する、
    ことを備えるオペレーションをデータ処理装置に遂行させるように動作可能な、有形プログラムキャリアにエンコードされたコンピュータプログラム製品。
  16. 上記差の決定は、
    スペクトルごとに、そのスペクトルと他のスペクトルとの間の累積二乗和の差を計算し、
    上記累積和のうちの最低の累積和を選択し、
    各累積和を上記最低の累積和で除算して、各スペクトルに対する正規化数字を得る、
    ことを含む、請求項１５に記載のコンピュータプログラム製品。
  17. 上記異常値の選択は、正規化数字が所定の閾値を越えるスペクトルを選択することを含む、請求項１６に記載のコンピュータプログラム製品。
  18. 上記差の決定は、スペクトルごとに、そのスペクトルと他のスペクトルとの間の累積二乗和の差を計算することを含み、
    上記異常値の選択は、上記累積二乗和の差の絶対値に基づいて異常値を選択することを含む、
    というオペレーションをデータ処理装置に遂行させるように動作可能である、請求項１５に記載のコンピュータプログラム製品。
  19. 上記基板の第２回転中に得られたスペクトルに対して請求項１に記載の方法を遂行し、
    上記第２回転中に得られた非破棄スペクトルをスペクトルの上記ライブラリーと比較して、合致するスペクトルを見出し、
    上記第１回転の上記スペクトルと上記合致するスペクトル及び上記第２回転の上記スペクトルと上記合致するスペクトルの変化に基づいて研磨速度を決定し、
    上記研磨速度及びターゲットスペクトルに基づいて研磨終了点を予測する、
    ことを備えるオペレーションをデータ処理装置に遂行させるように動作可能である、請求項１５に記載のコンピュータプログラム製品。
  20. 基板の回転中に第１スペクトルを得て、
    上記第１スペクトルをライブラリー内の複数のスペクトルと比較して、第１の合致するスペクトルを決定し、
    基板のその後の回転中に第２スペクトルを得て、
    上記第２スペクトルを上記ライブラリー内の複数のスペクトルのうちのサブセットと比較して、第２の合致するスペクトルを決定し、
    上記第１の合致するスペクトルに対する第１インデックス数字（この第１のインデックス数字はＮ）を決定し、且つ上記その後の回転は上記回転後のＸ回転であり、
    上記第２の合致するスペクトルに対する第２インデックス数字を決定し、自由度Ｙが所定の数字であり、且つ上記ライブラリーの複数のスペクトルのサブセットは、（Ｎ＋Ｘ）±Ｙのインデックス数字に合致するスペクトルである、
    ことを備えるオペレーションをデータ処理装置に遂行させるように動作可能である、有形プログラムキャリアにエンコードされたコンピュータプログラム製品。
JP2009551052A 2007-02-23 2008-02-22 スペクトルを使用した研磨終了点の決定 Active JP5654753B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US89148707P 2007-02-23 2007-02-23
US60/891,487 2007-02-23
PCT/US2008/054807 WO2008103964A2 (en) 2007-02-23 2008-02-22 Using spectra to determine polishing endpoints

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013127106A Division JP5774059B2 (ja) 2007-02-23 2013-06-18 スペクトルを使用した研磨終了点の決定

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010519771A true JP2010519771A (ja) 2010-06-03
JP2010519771A5 JP2010519771A5 (ja) 2014-05-29
JP5654753B2 JP5654753B2 (ja) 2015-01-14

Family

ID=39710785

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009551052A Active JP5654753B2 (ja) 2007-02-23 2008-02-22 スペクトルを使用した研磨終了点の決定
JP2013127106A Active JP5774059B2 (ja) 2007-02-23 2013-06-18 スペクトルを使用した研磨終了点の決定

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013127106A Active JP5774059B2 (ja) 2007-02-23 2013-06-18 スペクトルを使用した研磨終了点の決定

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8569174B2 (ja)
EP (1) EP2125291A4 (ja)
JP (2) JP5654753B2 (ja)
KR (3) KR101678082B1 (ja)
TW (1) TWI445098B (ja)
WO (1) WO2008103964A2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012019114A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨終点検出装置、及び研磨終点検出方法
JP2012507146A (ja) * 2008-10-27 2012-03-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 処理中の基板の分光モニタリングにおける適合度
KR20140051798A (ko) * 2012-10-23 2014-05-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 선택적 스펙트럼 모니터링을 이용한 종료점 지정
JP2015020242A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨状態監視方法
JPWO2015163164A1 (ja) * 2014-04-22 2017-04-13 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
US9999955B2 (en) 2013-07-11 2018-06-19 Ebara Corporation Polishing apparatus and polished-state monitoring method

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8392012B2 (en) * 2008-10-27 2013-03-05 Applied Materials, Inc. Multiple libraries for spectrographic monitoring of zones of a substrate during processing
US8260446B2 (en) 2005-08-22 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Spectrographic monitoring of a substrate during processing using index values
US7998358B2 (en) 2006-10-31 2011-08-16 Applied Materials, Inc. Peak-based endpointing for chemical mechanical polishing
EP2125291A4 (en) 2007-02-23 2013-08-07 Applied Materials Inc USE OF SPECTROS FOR THE DETERMINATION OF POLISHING POINTS
US20090275265A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Endpoint detection in chemical mechanical polishing using multiple spectra
US8369978B2 (en) * 2008-09-04 2013-02-05 Applied Materials Adjusting polishing rates by using spectrographic monitoring of a substrate during processing
US20100103422A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Goodness of fit in spectrographic monitoring of a substrate during processing
US8628376B2 (en) * 2008-11-07 2014-01-14 Applied Materials, Inc. In-line wafer thickness sensing
US8352061B2 (en) 2008-11-14 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Semi-quantitative thickness determination
US8579675B2 (en) 2008-11-26 2013-11-12 Applied Materials, Inc. Methods of using optical metrology for feed back and feed forward process control
JP5968783B2 (ja) 2009-11-03 2016-08-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ スペクトルの等高線図のピーク位置と時間の関係を使用する終点方法
JP5728239B2 (ja) * 2010-03-02 2015-06-03 株式会社荏原製作所 研磨監視方法、研磨方法、研磨監視装置、および研磨装置
TWI496661B (zh) * 2010-04-28 2015-08-21 Applied Materials Inc 用於光學監測之參考光譜的自動產生
US9579767B2 (en) * 2010-04-28 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Automatic generation of reference spectra for optical monitoring of substrates
CN102884613B (zh) * 2010-05-05 2016-08-31 应用材料公司 用于终点检测的动态或适应性追踪光谱特征
US8190285B2 (en) * 2010-05-17 2012-05-29 Applied Materials, Inc. Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing
US8666665B2 (en) * 2010-06-07 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Automatic initiation of reference spectra library generation for optical monitoring
JP5612945B2 (ja) 2010-07-23 2014-10-22 株式会社荏原製作所 基板の研磨の進捗を監視する方法および研磨装置
US8954186B2 (en) * 2010-07-30 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Selecting reference libraries for monitoring of multiple zones on a substrate
TWI521625B (zh) * 2010-07-30 2016-02-11 應用材料股份有限公司 使用光譜監測來偵測層級清除
US20120100781A1 (en) * 2010-10-20 2012-04-26 Jimin Zhang Multiple matching reference spectra for in-situ optical monitoring
US8547538B2 (en) * 2011-04-21 2013-10-01 Applied Materials, Inc. Construction of reference spectra with variations in environmental effects
US8755928B2 (en) * 2011-04-27 2014-06-17 Applied Materials, Inc. Automatic selection of reference spectra library
US8942842B2 (en) 2011-04-28 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Varying optical coefficients to generate spectra for polishing control
KR101892914B1 (ko) 2012-03-08 2018-08-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 측정된 스펙트럼에 대한 광학 모델의 피팅
US9248544B2 (en) * 2012-07-18 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Endpoint detection during polishing using integrated differential intensity
US20140141696A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-22 Applied Materials, Inc. Polishing System with In-Sequence Sensor
US20140242881A1 (en) * 2013-02-27 2014-08-28 Applied Materials, Inc. Feed forward parameter values for use in theoretically generating spectra
US10502694B2 (en) * 2013-08-06 2019-12-10 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for patterned wafer characterization
US20160013085A1 (en) * 2014-07-10 2016-01-14 Applied Materials, Inc. In-Situ Acoustic Monitoring of Chemical Mechanical Polishing
US20160033958A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Globalfoundries Inc. Endpoint determination using individually measured target spectra
TWI816620B (zh) * 2017-04-21 2023-09-21 美商應用材料股份有限公司 使用神經網路來監測的拋光裝置
JP6902452B2 (ja) * 2017-10-19 2021-07-14 株式会社荏原製作所 研磨装置
TWI825075B (zh) 2018-04-03 2023-12-11 美商應用材料股份有限公司 針對墊子厚度使用機器學習及補償的拋光裝置、拋光系統、方法及電腦儲存媒體
JP7086835B2 (ja) * 2018-12-28 2022-06-20 株式会社荏原製作所 研磨レシピ決定装置
CN110181984A (zh) * 2019-06-03 2019-08-30 泉州龙捷园林古建工程有限公司 一种于板材上制作图文的方法
US11282755B2 (en) 2019-08-27 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Asymmetry correction via oriented wafer loading
KR20220114089A (ko) 2020-06-24 2022-08-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 연마 패드 마모 보상을 이용한 기판 층 두께의 결정
TW202402453A (zh) * 2022-06-22 2024-01-16 美商應用材料股份有限公司 用於控制研磨處理的窗口邏輯

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7004A (en) * 1850-01-08 Connecting ctjttees to shafts of boeing instetjments
JP2001287159A (ja) * 2000-04-05 2001-10-16 Nikon Corp 表面状態測定方法及び測定装置及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法
JP2002359217A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Omron Corp 研磨終点検出方法およびその装置
JP2005012218A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Applied Materials Inc エッチング処理をモニタリングする方法およびシステム

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5893796A (en) 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5747380A (en) 1996-02-26 1998-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Robust end-point detection for contact and via etching
US6489624B1 (en) 1997-07-18 2002-12-03 Nikon Corporation Apparatus and methods for detecting thickness of a patterned layer
US6271047B1 (en) 1998-05-21 2001-08-07 Nikon Corporation Layer-thickness detection methods and apparatus for wafers and the like, and polishing apparatus comprising same
US6361646B1 (en) * 1998-06-08 2002-03-26 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing
TW398036B (en) 1998-08-18 2000-07-11 Promos Technologies Inc Method of monitoring of chemical mechanical polishing end point and uniformity
IL125964A (en) 1998-08-27 2003-10-31 Tevet Process Control Technolo Method and apparatus for measuring the thickness of a transparent film, particularly of a photoresist film on a semiconductor substrate
US6159073A (en) 1998-11-02 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing
JP4484370B2 (ja) 1998-11-02 2010-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板上のメタル層の化学機械研磨に関して終点を決定するための方法及び基板のメタル層を研磨するための装置
US6908374B2 (en) 1998-12-01 2005-06-21 Nutool, Inc. Chemical mechanical polishing endpoint detection
JP2000183001A (ja) 1998-12-10 2000-06-30 Okamoto Machine Tool Works Ltd ウエハの研磨終点検出方法およびそれに用いる化学機械研磨装置
US6204922B1 (en) 1998-12-11 2001-03-20 Filmetrics, Inc. Rapid and accurate thin film measurement of individual layers in a multi-layered or patterned sample
US6172756B1 (en) 1998-12-11 2001-01-09 Filmetrics, Inc. Rapid and accurate end point detection in a noisy environment
US6184985B1 (en) 1998-12-11 2001-02-06 Filmetrics, Inc. Spectrometer configured to provide simultaneous multiple intensity spectra from independent light sources
US6190234B1 (en) 1999-01-25 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Endpoint detection with light beams of different wavelengths
JP2000310512A (ja) 1999-04-28 2000-11-07 Hitachi Ltd 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその装置
JP3327289B2 (ja) 2000-03-29 2002-09-24 株式会社ニコン 工程終了点測定装置及び測定方法及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法及び信号処理プログラムを記録した記録媒体
US6358327B1 (en) 1999-06-29 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Method for endpoint detection using throttle valve position
US6340602B1 (en) 1999-12-10 2002-01-22 Sensys Instruments Method of measuring meso-scale structures on wafers
US6399501B2 (en) * 1999-12-13 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting polishing endpoint with optical monitoring
JP3259225B2 (ja) 1999-12-27 2002-02-25 株式会社ニコン 研磨状況モニタ方法及びその装置、研磨装置、プロセスウエハ、半導体デバイス製造方法、並びに半導体デバイス
WO2002014840A2 (en) 2000-08-10 2002-02-21 Sensys Instruments Corporation Database interpolation method for optical measurement of diffractive microstructures
WO2002065545A2 (en) 2001-02-12 2002-08-22 Sensys Instruments Corporation Overlay alignment metrology using diffraction gratings
US6676482B2 (en) 2001-04-20 2004-01-13 Speedfam-Ipec Corporation Learning method and apparatus for predictive determination of endpoint during chemical mechanical planarization using sparse sampling
US6762838B2 (en) 2001-07-02 2004-07-13 Tevet Process Control Technologies Ltd. Method and apparatus for production line screening
JP3932836B2 (ja) 2001-07-27 2007-06-20 株式会社日立製作所 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法
US6678046B2 (en) 2001-08-28 2004-01-13 Therma-Wave, Inc. Detector configurations for optical metrology
US6618130B2 (en) 2001-08-28 2003-09-09 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for optical endpoint detection during chemical mechanical polishing
US6898596B2 (en) 2001-10-23 2005-05-24 Therma-Wave, Inc. Evolution of library data sets
US6678055B2 (en) 2001-11-26 2004-01-13 Tevet Process Control Technologies Ltd. Method and apparatus for measuring stress in semiconductor wafers
TWI224381B (en) * 2001-12-31 2004-11-21 Tokyo Electron Ltd Method of detecting, identifying and correcting process performance
US6942546B2 (en) 2002-01-17 2005-09-13 Asm Nutool, Inc. Endpoint detection for non-transparent polishing member
US6813034B2 (en) 2002-02-05 2004-11-02 Therma-Wave, Inc. Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements
US6806948B2 (en) 2002-03-29 2004-10-19 Lam Research Corporation System and method of broad band optical end point detection for film change indication
US6947135B2 (en) 2002-07-01 2005-09-20 Therma-Wave, Inc. Reduced multicubic database interpolation method for optical measurement of diffractive microstructures
JP4542324B2 (ja) 2002-10-17 2010-09-15 株式会社荏原製作所 研磨状態監視装置及びポリッシング装置
US6885467B2 (en) 2002-10-28 2005-04-26 Tevet Process Control Technologies Ltd. Method and apparatus for thickness decomposition of complicated layer structures
EP1620828B1 (en) * 2003-04-29 2014-12-24 Anoto AB Methods, apparatus, computer program and storage medium for position decoding
US7097537B1 (en) 2003-08-18 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Determination of position of sensor measurements during polishing
JP4464642B2 (ja) 2003-09-10 2010-05-19 株式会社荏原製作所 研磨状態監視装置、研磨状態監視方法、研磨装置及び研磨方法
JP2005159203A (ja) 2003-11-28 2005-06-16 Hitachi Ltd 膜厚計測方法及びその装置、研磨レート算出方法並びにｃｍｐ加工方法及びその装置
US7255771B2 (en) 2004-03-26 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Multiple zone carrier head with flexible membrane
US7120553B2 (en) 2004-07-22 2006-10-10 Applied Materials, Inc. Iso-reflectance wavelengths
KR101423579B1 (ko) * 2005-08-22 2014-07-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학적 기계적 폴리싱의 스펙트럼 기반 모니터링을 위한 장치 및 방법
JP5534672B2 (ja) * 2005-08-22 2014-07-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視のための装置および方法
US7226339B2 (en) * 2005-08-22 2007-06-05 Applied Materials, Inc. Spectrum based endpointing for chemical mechanical polishing
US7406394B2 (en) 2005-08-22 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Spectra based endpointing for chemical mechanical polishing
EP2125291A4 (en) 2007-02-23 2013-08-07 Applied Materials Inc USE OF SPECTROS FOR THE DETERMINATION OF POLISHING POINTS

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7004A (en) * 1850-01-08 Connecting ctjttees to shafts of boeing instetjments
JP2001287159A (ja) * 2000-04-05 2001-10-16 Nikon Corp 表面状態測定方法及び測定装置及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法
JP2002359217A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Omron Corp 研磨終点検出方法およびその装置
JP2005012218A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Applied Materials Inc エッチング処理をモニタリングする方法およびシステム

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012507146A (ja) * 2008-10-27 2012-03-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 処理中の基板の分光モニタリングにおける適合度
JP2012019114A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨終点検出装置、及び研磨終点検出方法
KR20140051798A (ko) * 2012-10-23 2014-05-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 선택적 스펙트럼 모니터링을 이용한 종료점 지정
JP2014086733A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Applied Materials Inc 選択的スペクトルモニタリングを使用した終点決定
KR101980921B1 (ko) 2012-10-23 2019-05-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 선택적 스펙트럼 모니터링을 이용한 종료점 지정
US9999955B2 (en) 2013-07-11 2018-06-19 Ebara Corporation Polishing apparatus and polished-state monitoring method
JP2015020242A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨状態監視方法
JPWO2015163164A1 (ja) * 2014-04-22 2017-04-13 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101643992B1 (ko) 2016-07-29
EP2125291A4 (en) 2013-08-07
KR20090112765A (ko) 2009-10-28
KR101504508B1 (ko) 2015-03-20
JP5774059B2 (ja) 2015-09-02
US20080206993A1 (en) 2008-08-28
US9142466B2 (en) 2015-09-22
EP2125291A2 (en) 2009-12-02
WO2008103964A3 (en) 2008-11-27
KR101678082B1 (ko) 2016-11-21
TW200849416A (en) 2008-12-16
US8569174B2 (en) 2013-10-29
WO2008103964A2 (en) 2008-08-28
US20140045282A1 (en) 2014-02-13
KR20150140400A (ko) 2015-12-15
KR20140147146A (ko) 2014-12-29
JP5654753B2 (ja) 2015-01-14
JP2013232660A (ja) 2013-11-14
TWI445098B (zh) 2014-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5654753B2 (ja) スペクトルを使用した研磨終了点の決定
JP5542802B2 (ja) 複数のスペクトルを使用する化学機械研磨での終点検出
JP6316794B2 (ja) 終点検出のためのスペクトル特徴部の動的または適応的な追跡
JP5675617B2 (ja) 加工時における基板の分光モニタリングを使用した研磨速度の調整
JP6017538B2 (ja) 環境の影響の変動を伴う基準スペクトルの構築
US8992286B2 (en) Weighted regression of thickness maps from spectral data
US20100114532A1 (en) Weighted spectrographic monitoring of a substrate during processing
KR20110102376A (ko) 피드 백 및 피드 포워드 프로세스 제어를 위한 광학적 측정 이용
US20100103422A1 (en) Goodness of fit in spectrographic monitoring of a substrate during processing
US9233450B2 (en) Optical detection of metal layer clearance
US9073169B2 (en) Feedback control of polishing using optical detection of clearance
JP5774482B2 (ja) 処理中の基板の分光モニタリングにおける適合度
US9811077B2 (en) Polishing with pre deposition spectrum
JP6292819B2 (ja) 選択的スペクトルモニタリングを使用した終点決定
US9168630B2 (en) User-input functions for data sequences in polishing endpoint detection

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20101130

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110125

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110125

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120925

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121218

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130315

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130325

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131015

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140109

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140117

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140214

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140221

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140313

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140320

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20140411

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140624

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140910

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140918

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141028

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141121

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5654753

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250