JP6575463B2 - ウェーハの研磨方法 - Google Patents

Description

本発明は、研磨装置及びウェーハの研磨方法に関する。

シリコン単結晶ウェーハなどの半導体ウェーハの研磨方法では、図１２のような、回転可能な定盤１０２上に貼り付けられた研磨布１０３と、１つの定盤の上方に位置する二個以上の研磨ヘッド１３０ａ、１３０ｂと、研磨スラリを研磨布１０３に供給できる研磨剤供給機構１０４を具備した研磨装置１０１を用いる。

各研磨ヘッド１３０ａ、１３０ｂには、バッキングパッド１３１とガラスエポキシ材等の樹脂からなるリテーナガイド１３２などが一体と成ったテンプレートアセンブリが貼り付けられており、バッキングパッド１３１とリテーナガイド１３２によって、それぞれ、ウェーハＷの裏面と側面を保持できる（特許文献１、２参照）。また、研磨ヘッド１３０ａ、１３０ｂは回転可能であり、保持したウェーハを研磨布１０３に押し当てて研磨することができる。また、研磨ヘッドは、研磨荷重を制御することができ、例えば、図１２に示すような研磨ヘッド１３０ａ、１３０ｂの場合、第一の空間部１３３の内部の圧力Ａ（外圧）を制御することによって、リテーナガイド１３２と研磨布１０３との接触圧を制御でき、また、第二の空間部１３４の内部の圧力Ｂ（内圧）を制御することによって、ウェーハＷと研磨布１０３との接触圧を制御できる。

また、一般的な研磨装置では、ウェーハＷにかかる研磨荷重とウェーハＷの周速を制御することで、研磨後のウェーハＷの形状をコントロールする。図１２の研磨装置１０１では、リテーナガイド１３２（テンプレートのガイド部）と研磨布１０３の接触圧を制御する圧力Ａ（外圧）と、ウェーハＷと研磨布１０３の接触圧を制御する圧力Ｂ（内圧）とを制御し、これら圧力Ａ、Ｂの圧力差を調整することで研磨後のウェーハＷの形状をコントロールできる。また、ウェーハＷの周速は、研磨ヘッド１３０ａ、１３０ｂの回転速度によって制御できる。

特許第４８３３３５５号 特開２０１２−３５３９３号公報

一般的に、図１２のような複数の研磨ヘッド１３０ａ、１３０ｂを有する研磨装置１０１では、全ての研磨ヘッドで共通の研磨荷重と周速条件（回転速度）を用いて研磨加工を行っている。全ての研磨ヘッドで同じ研磨荷重と回転速度となるのは、二個以上の研磨ヘッドを有する場合にも、全研磨ヘッドの荷重制御が共通の圧力制御機構でコントロールされ、さらに、周速制御（回転速度の制御）も全研磨ヘッドが共通の回転制御機構でコントロールされる装置構成であるためである。研磨装置１０１の場合、図１２、１３のように、研磨ヘッド１３０ａ、１３０ｂの研磨荷重の制御、即ち、上記の外圧と内圧の制御が、それぞれ、共通のコントローラ及び電空レギュレータで行われている。同様に、図１２、１３のように、研磨ヘッド１３０ａ、１３０ｂの回転速度が、同じコントローラ及びモータで制御されている。

研磨装置が複数の研磨ヘッドを有する場合、研磨ヘッド間でウェーハの取り代形状（取り代分布及び取り代の量など）の差が発生する。従来から、この差を小さくするために、研磨ヘッド間の取り代形状の差がより小さくなるような研磨荷重を、全ての研磨ヘッドで共通して用いて研磨を行っている。例えば、全研磨ヘッドで共通の外圧と内圧を適切な値に設定して、外圧と内圧の差を研磨ヘッド間の取り代形状の差がより小さくなるように最適化し、ウェーハ外周部の跳ねとダレを制御することが一般的に行われている。また、研磨ヘッドの回転速度と定盤の回転速度との比率の制御によってもウェーハの形状を制御することができるため、取り代形状の差がより小さくなるような共通の回転速度を全研磨ヘッドで用いて研磨を行うことが一般的に行われている。

しかしながら、全ての研磨ヘッドで共通の研磨荷重及び回転速度を用いる従来の研磨装置では、研磨ヘッド固有の取り代分布ばらつきを研磨ヘッド毎に個別に調整できず、また、複数の研磨ヘッドの全てで、研磨ヘッド間の取り代形状の差がより小さくなるように研磨荷重を設定するため、実際には研磨ヘッド間の取り代形状の差を限りなくゼロに近づけることができなかった。さらに、取り代分布を合わせるために研磨荷重の調整を行うと、研磨ヘッド間の取り代（取り代の量）のばらつきが大きくなり、研磨ヘッド間の取り代を合わせることができないという問題もあった。

本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、研磨ヘッド間の取り代分布及び取り代のばらつきを小さく抑制することが可能な研磨装置及びウェーハの研磨方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、ウェーハを研磨する研磨布が貼り付けられた定盤と、前記ウェーハを保持しながら回転可能であり、前記ウェーハに研磨荷重を加えながら前記研磨布に押し当てることが可能な複数の研磨ヘッドとを具備し、前記研磨ヘッドを回転させながら、前記研磨ヘッドで保持されたウェーハを前記研磨布に押し当てて研磨する研磨装置であって、前記複数の研磨ヘッドが、研磨ヘッド毎にそれぞれ個別に、前記研磨ヘッドの研磨荷重を制御する圧力制御機構と前記研磨ヘッドの回転速度を制御する回転制御機構とを有するものであることを特徴とする研磨装置を提供する。

このようなものであれば、研磨ヘッド毎に個別に研磨荷重及び回転速度を任意の値に設定でき、特に、研磨ヘッド間でのウェーハの取り代分布の差及び取り代の差を小さく抑制するように、研磨ヘッド毎に研磨荷重及び回転速度を設定できる。

このとき、前記研磨ヘッドが、前記ウェーハの裏面を保持するバックパッド、及び、前記ウェーハの側面を保持する円環状のリテーナガイドを有するものであり、前記圧力制御機構が、前記研磨荷重として、前記研磨ヘッドに保持された前記ウェーハと前記研磨布との接触圧と、前記リテーナガイドと前記研磨布との接触圧とを制御するものであることが好ましい。

研磨ヘッドに保持されたウェーハと研磨布との接触圧と、リテーナガイドと研磨布との接触圧とを制御可能な研磨装置であれば、これらの接触圧の差を調整することでより精度よくウェーハの取り代分布を制御することができる。

また、上記目的を達成するために、本発明は、上記の研磨装置を用いたウェーハの研磨方法であって、研磨ヘッド毎に設けられた前記圧力制御機構及び前記回転制御機構によって、前記複数の研磨ヘッドの前記研磨荷重及び前記回転速度を、研磨ヘッド毎にそれぞれ個別に制御して前記ウェーハの研磨を行うことを特徴とするウェーハの研磨方法を提供する。

研磨ヘッド毎に個別に研磨荷重及び回転速度を制御することで、各研磨ヘッドで研磨されるウェーハの取り代分布及び取り代をウェーハ毎に設定できる。特に、研磨ヘッド間でのウェーハの取り代分布の差及び取り代の差を小さく抑制することができる。

また、前記研磨ヘッド毎に前記研磨荷重を制御することにより、前記複数の研磨ヘッド間の前記ウェーハの取り代分布差を制御し、前記研磨ヘッド毎に前記回転速度を制御することにより、前記複数の研磨ヘッド間の前記ウェーハの取り代差を制御することができる。

このようにして、研磨ヘッド間の取り代分布差及び取り代差を制御し、特に、これらの差を小さくすることで、研磨ヘッド間のウェーハの形状のばらつきを小さく抑制することができる。

本発明の研磨装置及びウェーハの研磨方法であれば、研磨ヘッド間の取り代分布及び取り代のばらつきを小さく抑制することが可能である。特に、複数の研磨ヘッド間に生じるウェーハの取り代分布の差及び取り代の差を小さく抑制するように、研磨ヘッド毎に研磨荷重及び回転速度を制御することができ、均一な形状を持つウェーハを得ることができる。

本発明の研磨装置の一例を示した概略図である。 本発明の研磨装置の研磨荷重及び回転速度の制御方法を示す概略図である。 本発明のウェーハの研磨方法における調整工程のフロー図である。 実施例の研磨荷重調整前の各研磨ヘッドにおける取り代分布である。 実施例の研磨荷重調整後の各研磨ヘッドにおける取り代分布である。 実施例の研磨荷重及び回転速度調整前後の各研磨ヘッドにおける取り代である。 比較例の研磨荷重調整後の各研磨ヘッドにおける取り代分布である。 比較例の研磨荷重調整後の各研磨ヘッドにおける取り代である。 実施例、比較例の本研磨後のシリコンウェーハのΔＳＦＱＲ（ｍａｘ）の測定結果である。 実施例、比較例の本研磨後のシリコンウェーハのΔＥＳＦＱＲ（ｍａｘ）の測定結果である。 実施例、比較例の本研磨後のシリコンウェーハの取り代の測定結果である。 従来の研磨装置の一例を示した概略図である。 従来の研磨装置の研磨荷重及び回転速度の制御方法を示す概略図である。

以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

まず、本発明の研磨装置について、図１、２を参照して説明する。図１に示すように、本発明の研磨装置１は、ウェーハＷを研磨する研磨布３が貼り付けられた定盤２と、ウェーハＷを保持しながら回転可能であり、ウェーハＷに研磨荷重を加えながら研磨布３に押し当てることが可能な複数の研磨ヘッド３０とを具備する。図１には、一つの定盤２の上に二つの研磨ヘッド（図１中の研磨ヘッド３０ａ及び研磨ヘッド３０ｂ）を具備する場合を例示した。しかしながら、複数の研磨ヘッド３０の個数はこれに限定されることはなく、本発明の研磨装置は、一つの定盤２の上に三つ以上の研磨ヘッドを具備していてもよい。また、さらに、研磨布３上に研磨剤を供給する研磨剤供給機構４を具備していてもよい。

本発明の研磨装置では、複数の研磨ヘッドが、研磨ヘッド毎にそれぞれ個別に、研磨ヘッドの研磨荷重を制御する圧力制御機構と研磨ヘッドの回転速度を制御する回転制御機構とを有する。図１の研磨装置１の場合、研磨ヘッド３０ａが圧力制御機構１０ａと回転制御機構２０ａを、研磨ヘッド３０ｂが圧力制御機構１０ｂと回転制御機構２０ｂを有しており、研磨ヘッド３０ａと研磨ヘッド３０ｂは、互いに独立して研磨荷重及び回転速度を制御できる構成となっている。このような研磨装置１では、研磨ヘッド３０ａ、３０ｂを回転させながら、研磨ヘッド３０ａ、３０ｂで保持されたウェーハＷを研磨布３に押し当てて研磨することができる。

このようなものであれば、研磨ヘッド毎に個別に研磨荷重及び回転速度を任意の値に制御でき、研磨ヘッド毎にウェーハ形状を制御できる。これによって、特に、研磨ヘッド間でのウェーハの取り代分布の差及び取り代の差を小さく抑制するように、研磨ヘッド毎に研磨荷重及び回転速度を設定できる。即ち、全ての研磨ヘッドで、ウェーハの取り代分布の差及び取り代の差がほとんどない同一形状のウェーハを得ることができる。また、研磨ヘッド毎に異なる研磨荷重及び回転速度で研磨を実施できるため、一度の研磨で、異なる規格の形状を有するウェーハを製造し、多品種のウェーハを得ることも可能である。

また、上記のような本発明の研磨装置１は以下のような構成のものとすることができる。即ち、より具体的には、研磨ヘッドが、ウェーハの裏面を保持するバックパッド、及び、ウェーハの側面を保持する円環状のリテーナガイドを有するものであることが好ましく、圧力制御機構が、研磨荷重として、研磨ヘッドに保持されたウェーハと研磨布との接触圧と、リテーナガイドと研磨布との接触圧とを制御するものとすることができる。

図１の研磨装置１の場合、研磨ヘッド３０ａ、研磨ヘッド３０ｂが、それぞれ、バックパッド３１ａ、３１ｂ及びリテーナガイド３２ａ、３２ｂを有するものであり、ウェーハＷの側面と裏面を保持できる。

また、研磨ヘッド３０ａ、３０ｂはラバーチャック方式の研磨ヘッドとすることができ、それぞれ、第一の空間部３３ａ、３３ｂの内部の圧力Ａ（外圧）を制御することによって、リテーナガイド３２ａ、３２ｂと研磨布３との接触圧を制御でき、また、第二の空間部３４ａ、３４ｂの内部の圧力Ｂ（内圧）を制御することによって、ウェーハＷと研磨布３との接触圧を制御できるものとなっている。

また、本発明の研磨装置１の場合、研磨ヘッド３０ａ、研磨ヘッド３０ｂのそれぞれに個別に備え付けられた、圧力制御機構１０ａと圧力制御機構１０ｂによって、上記の圧力Ａ、Ｂをそれぞれ制御することができる。より具体的には、図１のように、圧力制御機構１０ａ、１０ｂは、第一の空間部３３ａ、３３ｂの内部の圧力Ａ（外圧）を制御する第一の電空レギュレータ１１ａ、１１ｂと第二の空間部３４ａ、３４ｂの内部の圧力Ｂ（内圧）を制御する第二の電空レギュレータ１２ａ、１２ｂと、これらの電空レギュレータに制御信号を送り、出力を制御するコントローラ１３ａ、１３ｂとからなるものとすることができる。これによって、図２のように、本発明では、研磨ヘッド毎に圧力Ａ及びＢを研磨ヘッド毎に個別に制御することができる。

また、回転制御機構２０ａ、２０ｂは、図１、２のように、研磨ヘッド３０ａ、３０ｂをそれぞれ自転させる、モータ２１ａ、２１ｂと、これらのモータに制御信号を送り、回転速度を制御するコントローラ２２ａ、２２ｂとからなるものとすることができる。これによって、図２のように、研磨ヘッド毎に回転速度を制御することができる。

次に、本発明の研磨装置１を用いたウェーハの研磨方法について説明する。本発明のウェーハの研磨方法では、研磨ヘッド毎に設けられた圧力制御機構１０ａ、１０ｂ及び回転制御機構２０ａ、２０ｂによって、複数の研磨ヘッド３０の研磨荷重及び回転速度を、研磨ヘッド毎にそれぞれ個別に制御してウェーハＷの研磨を行う。

この際に、特に、研磨ヘッド毎に研磨荷重を制御することにより、複数の研磨ヘッド３０間のウェーハＷの取り代分布差を制御し、研磨ヘッド毎に回転速度を制御することにより、複数の研磨ヘッド３０間のウェーハＷの取り代差を制御することができる。

この際、図３のような調整工程で、研磨ヘッド毎の取り代分布差及び取り代差が小さくなるように、各研磨ヘッドの研磨荷重及び回転速度を個別に調整することができる。

まず、複数の研磨ヘッドを組み上げる（図３の（Ａ））。

次に、全研磨ヘッドで上記圧力Ａ（外圧）、圧力Ｂ（内圧）、及び回転速度を同じ数値に設定する（図３の（Ｂ））。

次に、全研磨ヘッドでウェーハを研磨する（図３の（Ｃ））。この際、上記のように、全ての研磨ヘッドで圧力Ａ及び圧力Ｂ、即ち、研磨荷重は同じとなっている。

次に、研磨したウェーハの取り代分布を算出する（図３の（Ｄ））。取り代分布は、研磨加工前後のウェーハの表面の平坦度を平坦度測定機などで測定することで算出できる。

次に、取り代分布に基づき各研磨ヘッドの外圧と内圧を調整する（図３の（Ｅ））。より具体的には、各研磨ヘッドにおいて研磨されたウェーハの取り代のプロファイルをそれぞれ計算し、取り代プロファイルが取り代変位量のゼロ線（基準線）から離れていた量に応じて、外圧と内圧の差を各研磨ヘッドで変更する。取り代変位量のゼロ線としては、例えば、ウェーハの中心部の取り代量をゼロ線（基準線）として用いることができる。

次に、外圧と内圧の調整後の全研磨ヘッドでウェーハを研磨する（図３の（Ｆ））。

次に、各研磨したウェーハの取り代分布を算出し、取り代変位量がゼロに近づいたら各研磨ヘッドにおける内圧と外圧の調整を終了する（図３の（Ｇ））。取り代変位量が大きい場合には、取り代変位量が十分に小さくなるまで、上記のように内圧と外圧の調整を行う。以上のようにして、取り代変位量がゼロに近づく研磨荷重を各研磨ヘッドにおいて選別する。

次に、選別した研磨荷重における取り代を各研磨ヘッドで確認し、研磨ヘッド間で取り代の差があれば、研磨ヘッドの回転速度を調整する（図３の（Ｈ））。例えば、取り代が少ない研磨ヘッドの回転速度をより大きく設定して取り代をより大きくして、取り代差をより小さくすればよい。

次に、回転速度の調整後の全研磨ヘッドでウェーハを研磨する（図３の（Ｉ））。

次に、研磨後のウェーハの取り代分布差と取り代差とを計算し、これらがともに十分小さくなったら、各研磨ヘッドの研磨荷重及び回転速度の調整を終了する（図３の（Ｊ））。

以上のようにして、各研磨ヘッドの研磨荷重及び回転速度を調整した後に、本研磨を実施することで、取り代分布差及び取り代差を小さくすることができる。

以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

（実施例）
図１に示すような、二つの研磨ヘッド３０ａ、３０ｂを有し、研磨ヘッド毎に個別に圧力制御機構と回転制御機構とを有する研磨装置１を用いてシリコンウェーハの研磨を行った。このような研磨装置は、不二越機械工業株式会社製の片面研磨機の各研磨ヘッドに圧力制御機構と回転制御機構とを装着したものとした。

シリコンウェーハの研磨は以下のように行った。まず、図３に示す調整工程に従って、二つの研磨ヘッド３０ａ、３０ｂの研磨荷重及び回転速度を、研磨ヘッド３０ａ、３０ｂ間のウェーハの取り代分布差と取り代差とが小さくなるような値に設定した。その結果、研磨ヘッド３０ａの内圧と外圧の圧力差を７．５ｋＰａ、回転速度を３３ｒｐｍに調整した。また、研磨ヘッド３０ｂの内圧と外圧の圧力差を５．２ｋＰａ、回転速度を３８ｒｐｍに調整した。

研磨荷重の調整前（即ち、全ての研磨ヘッドで研磨荷重（内圧と外圧の圧力差が１５ｋＰａ）及び回転速度（３０ｒｐｍ）が同じ値）の各研磨ヘッドの取り代分布を図４に示す。また、調整工程において最終的に測定した調整終了後の各研磨ヘッドの取り代分布を図５に示す。なお、図４、５及び下記の図７の「取代変位量」とは、ウェーハの中心の取り代量をゼロ線（基準線）とした場合の、該基準線からの変位量を表す。図５から分かるように、研磨ヘッド間の取り代分布の差をほとんどゼロにすることができた。

また、研磨荷重及び回転速度の調整前後の各研磨ヘッドにおける研磨レートを図６に示す。実施例では研磨荷重及び回転速度の調整後、研磨レートが各研磨ヘッドでほぼ同じとなり、研磨ヘッド間で取り代差を無くすことができた。

研磨荷重及び回転速度の調整後、本研磨を行った。本研磨の研磨加工条件は下記の通りである。
［研磨加工条件］
加工ウェーハ： 直径３００ｍｍ Ｐ⁻品＜１００＞
研磨布： 二次研磨クロス 不織布
研磨剤： ＫＯＨベースコロイダルシリカ
研磨ヘッド数： ２
研磨ウェーハ枚数： 各ヘッド１０枚加工

また、本研磨後のシリコンウェーハのΔＳＦＱＲ（ｍａｘ）、ΔＥＳＦＱＲ（ｍａｘ）、及び取り代を測定した。なお、測定装置としては、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製フラットネス測定機 ＷａｆｅｒＳｉｇｈｔ２を用いた。

（比較例）
図１２のような、研磨ヘッド毎に個別に圧力制御機構と回転制御機構とを有しておらず、全研磨ヘッドを共通の研磨荷重及び回転速度として研磨を行う従来の研磨装置を用いて、実施例と同様にシリコンウェーハの研磨を行った。

比較例においては、２個の研磨ヘッド１３０ａ、１３０ｂ間のウェーハの取り代分布差と取り代差とが小さくなるように、２個の研磨ヘッドで、いずれも、内圧と外圧の圧力差を５ｋＰａに調整した。なお、この際の研磨ヘッドの回転速度はいずれの研磨ヘッドでも共通の３０ｒｐｍとした。このときの各研磨ヘッドの取り代分布を図７に、取り代を図８に示す。図７から分かるように、実施例ほど取り代分布差を小さくすることができず、また、図８からわかるように、取り代差は実施例よりも大きくなった。

次に、実施例と同様にシリコンウェーハの本研磨、及び本研磨後のシリコンウェーハのΔＳＦＱＲ（ｍａｘ）、ΔＥＳＦＱＲ（ｍａｘ）、及び取り代の測定を行った。比較例の本研磨では、２個の研磨ヘッドのいずれも、内圧と外圧の圧力差を５ｋＰａ、回転速度を３０ｒｐｍとした。

上記実施例、比較例のΔＳＦＱＲ（ｍａｘ）、ΔＥＳＦＱＲ（ｍａｘ）、及び取り代の測定結果を、それぞれ、図９、１０、１１に示す。

実施例では、比較例に比べて、ΔＳＦＱＲ（ｍａｘ）、ΔＥＳＦＱＲ（ｍａｘ）、及び取り代のばらつきが小さく、このことから、研磨ヘッド毎に研磨荷重及び回転速度を制御することで、研磨ヘッド間のウェーハの取り代分布差及び取り代差を小さくできることが確認できた。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１…本発明の研磨装置、 ２…定盤、 ３…研磨布、
４…研磨剤供給機構、
１０ａ、１０ｂ…圧力制御機構、 １１ａ、１１ｂ…第一の電空レギュレータ、
１２ａ、１２ｂ…第二の電空レギュレータ、 １３ａ、１３ｂ…コントローラ、
２０ａ、２０ｂ…回転制御機構、 ２１ａ、２１ｂ…モータ、
２２ａ、２２ｂ…コントローラ、
３０…複数の研磨ヘッド、 ３０ａ、３０ｂ…研磨ヘッド、
３１ａ、３１ｂ…バックパッド、 ３２ａ、３２ｂ…リテーナガイド、
３３ａ、３３ｂ…第一の空間部、 ３４ａ、３４ｂ…第二の空間部、
Ｗ…ウェーハ。

Claims (2)

1. ウェーハを研磨する研磨布が貼り付けられた定盤と、前記ウェーハを保持しながら回転可能であり、前記ウェーハに研磨荷重を加えながら前記研磨布に押し当てることが可能な複数の研磨ヘッドとを具備する研磨装置を用い、前記研磨ヘッドを回転させながら、前記研磨ヘッドで保持されたウェーハを前記研磨布に押し当てて研磨するウェーハの研磨方法であって、
   前記研磨装置として、前記複数の研磨ヘッドが、研磨ヘッド毎にそれぞれ個別に、前記研磨ヘッドの研磨荷重を制御する圧力制御機構と前記研磨ヘッドの回転速度を制御する回転制御機構とを有するものを用い、
   研磨ヘッド毎に設けられた前記圧力制御機構及び前記回転制御機構によって、前記複数の研磨ヘッドの前記研磨荷重及び前記回転速度を、研磨ヘッド毎にそれぞれ個別に制御して前記ウェーハの研磨を行うとき、
   前記研磨ヘッド毎に前記研磨荷重を制御することにより、前記複数の研磨ヘッド間の前記ウェーハの取り代分布差を制御し、前記研磨ヘッド毎に前記回転速度を制御することにより、前記複数の研磨ヘッド間の前記ウェーハの取り代差を制御することを特徴とするウェーハの研磨方法。
2. 前記研磨ヘッドを、前記ウェーハの裏面を保持するバックパッド、及び、前記ウェーハの側面を保持する円環状のリテーナガイドを有するものとし、
   前記圧力制御機構を、前記研磨荷重として、前記研磨ヘッドに保持された前記ウェーハと前記研磨布との接触圧と、前記リテーナガイドと前記研磨布との接触圧とを制御するものとすることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの研磨方法。

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