JP4538805B2 - 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス - Google Patents
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Description
持装置と、研磨対象物を研磨可能な研磨部材を保持する研磨ヘッドとを備え、研磨部材の
研磨面を研磨対象物の被研磨面に当接させながら研磨部材を被研磨面内で相対移動させる
とともに、研磨対象物を研磨部材に対して相対回転させて研磨対象物の研磨を行うように
構成された研磨装置において、研磨ヘッドの水平面内での位置を検出する位置検出部と、
位置検出部に検出された研磨ヘッドの水平面内での位置に応じて研磨部材に加える研磨荷
重を変化させる制御を行う制御部とを備え、研磨面が被研磨面に接触する接触面積と研磨
部材及び研磨対象物の中心間距離との関係を直線近似させて得られる直線近似式、並びに
上記直線近似式に対して中心間距離が大きくなるにつれて接触面積の値を漸減させて得ら
れる直線の式を作成し、この直線の式を用いて研磨ヘッドの水平面内の位置に応じて研磨
荷重を算出し、制御部は、算出した研磨荷重が研磨部材に加わるように研磨荷重を研磨ヘ
ッドの位置に応じて変化させる制御を行うように構成される。
成されることが好ましい。
からその検出時より所定時間後における研磨ヘッドの位置を算出し、算出した所定時間後
における研磨ヘッドの位置に基づいて研磨荷重を変化させるように構成されることが好ま
しい。
x0≦x<x1のとき、P(x)=P1
x1≦x<x2のとき、P(x)=P2
x2≦x<x3のとき、P(x)=P3
x3≦x のとき、P(x)=P4
20 ウェハ(研磨対象物) 21 被研磨面
25 ウェハ保持テーブル(対象物保持装置)
30 研磨ヘッド 40 研磨部材
60 研磨パッド 61 研磨面
90 制御部 91 位置検出部
101 CMP装置(第2実施形態)
190 制御部 192 インターフェース部
193 データテーブル
Claims (5)
- 研磨対象物を保持する対象物保持装置と、前記研磨対象物を研磨可能な研磨部材を保持
する研磨ヘッドとを備え、前記研磨部材の研磨面を前記研磨対象物の被研磨面に当接させ
前記研磨部材を前記被研磨面内で相対移動させるとともに、前記研磨対象物を前記研磨部
材に対して相対回転させて前記研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置におい
て、
前記研磨ヘッドの水平面内での位置を検出する位置検出部と、
前記位置検出部に検出された前記研磨ヘッドの水平面内での位置に応じて前記研磨部材
に加える研磨荷重を変化させる制御を行う制御部とを備え、
前記研磨面が前記被研磨面に接触する接触面積と前記研磨部材及び前記研磨対象物の中
心間距離との関係を直線近似させて得られる直線近似式、並びに前記直線近似式に対して
前記中心間距離が大きくなるにつれて前記接触面積の値を漸減させて得られる直線の式を
作成し、前記直線の式を用いて前記研磨ヘッドの水平面内の位置に応じて研磨荷重を算出
し、
前記制御部は、前記算出した研磨荷重が前記研磨部材に加わるように前記研磨荷重を前
記研磨ヘッドの位置に応じて変化させる制御を行うように構成されることを特徴とする研
磨装置。 - 前記制御部が、非連続的に前記研磨荷重を変化させるように構成されることを特徴とす
る請求項1に記載の研磨装置。 - 前記制御部が、前記位置検出部に検出された前記研磨ヘッドの位置からその検出時より
所定時間後における前記研磨ヘッドの位置を算出し、算出した前記所定時間後における前
記研磨ヘッドの位置に基づいて前記研磨荷重を変化させるように構成されることを特徴と
する請求項1または2に記載の研磨装置。 - 前記研磨対象物は半導体ウェハであり、
請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の研磨装置を用いて前記半導体ウェハ
の表面を平坦化する工程を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 請求項4に記載の半導体デバイス製造方法により製造されたことを特徴とする半導体デ
バイス。
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