KR100796227B1 - 연마 장치, 이 연마 장치를 이용한 반도체 소자 제조 방법및 이 방법에 의하여 제조된 반도체 소자 - Google Patents
연마 장치, 이 연마 장치를 이용한 반도체 소자 제조 방법및 이 방법에 의하여 제조된 반도체 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100796227B1 KR100796227B1 KR1020027017255A KR20027017255A KR100796227B1 KR 100796227 B1 KR100796227 B1 KR 100796227B1 KR 1020027017255 A KR1020027017255 A KR 1020027017255A KR 20027017255 A KR20027017255 A KR 20027017255A KR 100796227 B1 KR100796227 B1 KR 100796227B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- polishing member
- actuator
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/04—Headstocks; Working-spindles; Features relating thereto
- B24B41/042—Balancing mechanisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/068—Table-like supports for panels, sheets or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
Abstract
Description
Claims (33)
- 연마 대상 기판을 유지시키는 회전 테이블과;상기 연마 대상 기판의 표면에 대하여 압박되는 연마면을 구비하고, 상기 회전 테이블의 회전 축선에 대하여 실질적으로 평행한 축선을 중심으로 하여 회전하며, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 진동하여 상기 기판을 연마하는 연마 부재와;연마중에 연마 부재에 교정 모멘트를 인가함으로써 상기 연마 부재를 기판의 표면에 대하여 고정된 자세로 유지시키는 자세 유지 수단을 구비하고,상기 자세 유지 수단은 공급되는 전류에 상응하는 전자기력을 발생시키는 전자 작동기를 구비하고, 상기 전자 작동기에 의하여 발생되는 전자기력을 사용하여 상기 연마 부재에 교정 모멘트를 인가하는 것인 연마 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 자세 유지 수단은 회전형 테이블에 대한 연마 부재의 위치에 따라 연마 부재에 교정 모멘트를 인가하는 것인 연마 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 자세 유지 수단은 연마면과 기판의 표면 사이의 접촉 압력 분포 및 기판의 표면에 대한 연마면의 경사도 중 하나를 검출하는 센서를 구비하고, 이 센서로부터의 검출 정보를 기초로 연마 부재에 교정 모멘트를 인가하는 것인 연마 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 전자 작동기는연마 부재의 외주부상에 지지되고 자계가 연마 부재의 반경 방향으로 지향되는 환형 영구 자석과;비회전 지지 부재상에 상기 환형 영구 자석과 실질적으로 동심인 원의 형태로 배치되고 상기 자계와 직각으로 교차하는 부분을 갖는 복수 개의 코일을 구비하며, 상기 전자 작동기는 상기 기판의 표면으로부터 상방으로 들뜨는 연마 부재의 부분과 마주하고 있는 코일 부분을 통해서 흐르는 전류와 상기 자계 사이에서 발생는 로렌쯔 힘을 사용하여 상기 연마 부재에 교정 모멘트를 인가하거나, 또는 상기 코일의 자화로 인하여 상기 기판의 표면에 대하여 하방으로 가압되는 것인 연마 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 연마 부재는 전자 작동기에 의하여 발생된 전자기력을 받음으로써 기판에 대하여 압박되고, 상기 연마면과 기판 표면 사이의 접촉 압력은 상기 전자 작동기에 대하여 공급되는 전류를 조절함으로써 일정한 값에 유지되는 것인 연마 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 연마 부재는 상기 전자 작동기에 의하여 발생된 전자기력을 받음으로써 기판에 대하여 압박되고, 상기 연마면과 기판 표면 사이의 접촉 압력은 전자 작동기에 대하여 공급되는 전류를 조절함으로써 일정한 값에 유지되는 것인 연마 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 연마 부재는 공기 압력과 상기 전자 작동기에 의하여 발생된 전자기력을 받음으로써 기판에 대하여 압박되고, 상기 연마면과 기판 표면 사이의 접촉 압력은 상기 공기 압력 및 전자 작동기에 대하여 공급되는 전류를 조절함으로써 일정한 값에 유지되는 것인 연마 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 연마 부재는 공기 압력과 상기 전자 작동기에 의하여 발생된 전자기력을 받음으로써 기판에 대하여 압박되고, 상기 연마면과 기판 표면 사이의 접촉 압력은 상기 공기 압력 및 전자 작동기에 대하여 공급되는 전류를 조절함으로써 일정한 값에 유지되는 것인 연마 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 연마 부재는 샤프트 모터에 의하여 발생된 전자기력을 받음으로써 기판에 대하여 압박되고, 상기 연마면과 기판 표면 사이의 접촉 압력은 상기 샤프트 모터에 대하여 공급되는 전류에 의하여 조절되는 것인 연마 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 연마 부재는 샤프트 모터에 의하여 발생된 전자기력을 받음으로써 기판에 대하여 압박되고, 상기 연마면과 기판 표면 사이의 접촉 압력은 상기 샤프트 모터에 대하여 공급되는 전류에 의하여 조절되는 것인 연마 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 자세 유지 수단은 각기 비회전 부재에 고정되고 피스톤을 포함하는 복수 개의 실린더형 작동기를 구비하며, 이들 피스톤은 수직 방향으로 연장하는 실린더 내에서 상하로 이동하는 하단 부분에 부착되는 롤러를 구비하며,상기 복수 개의 실린더형 작동기는 연마 부재의 둘레를 포위하며, 상기 롤러는 상기 연마 부재의 외주부와 위에서 접촉하며, 상기 연마 부재가 기판의 표면으로부터 상방으로 들뜨는 부위에 위치하는 실린더형 작동기의 피스톤이 하강하여 연마 부재를 하방으로 가압함으로써 연마 부재에 교정 모멘트가 인가되는 것인 연마 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 자세 유지 수단은비회전 부재에 고정되어 있는 복수 개의 실린더형 작동기로서, 수직 방향으로 연장하는 실린더 내에서 상하로 이동하는 피스톤의 하단 부분에는 제1 영구 자석이 부착되어 있는 복수 개의 실린더형 작동기와;연마 부재의 외주부상에 배치되어 상기 제1 영구 자석과 마주하고 있는 환형의 제2 영구 자석을 포함하고, 상기 복수 개의 실린더형 작동기는 연마 부재의 둘레를 포위하 고, 각 제1 영구 자석과 제2 영구 자석의 상호 마주하는 표면은 동일한 극성을 가지며, 상기 연마 부재가 기판의 표면으로부터 상방으로 들뜨는 부위에 위치하는 실린더형 작동기의 피스톤이 하강하여 연마 부재를 하방으로 가압함으로써 연마 부재에 교정 모멘트가 인가되는 것인 연마 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 실린더형 작동기는 공기 압력 또는 전자기력에 의하여 작동되는 것인 연마 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 실린더형 작동기는 공기 압력 또는 전자기력에 의하여 작동되는 것인 연마 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 연마 장치를 사용하여 기판의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 것인 반도체 소자 제조 방법.
- 삭제
- 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 연마 장치를 사용하여 기판의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 것인 반도체 소자 제조 방법.
- 제12항에 따른 연마 장치를 사용하여 기판의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 것인 반도체 소자 제조 방법.
- 제13항에 따른 연마 장치를 사용하여 기판의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 것인 반도체 소자 제조 방법.
- 제14항 및 제15항 중 어느 하나의 항에 따른 연마 장치를 사용하여 기판의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 것인 반도체 소자 제조 방법.
- 제16항에 따른 반도체 소자 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자.
- 삭제
- 제18항에 따른 반도체 소자 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자.
- 제19항에 따른 반도체 소자 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자.
- 제20항에 따른 반도체 소자 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자.
- 제21항에 따른 반도체 소자 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자.
- 연마 대상 기판을 별도로 유지시키는 회전 테이블과,상기 연마 대상 기판의 표면에 대하여 압박되는 연마면을 구비하고, 상기 회전 테이블의 회전축에 실질적으로 평행한 축을 중심으로 하여 회전하며, 상기 기판의 표면에 대하여 평행한 방향으로 진동하여 상기 기판을 연마하는 연마 부재와,연마중에 상기 연마 부재를 상방으로 이동시키는 힘을 발생시키는 하나 이상의 작동기를 구비하고, 상기 연마 부재는 상기 회전 테이블 위에 배치되며,상기 작동기는 공급되는 전류에 상응하는 전자기력을 발생시키는 전자 작동기이고, 상기 작동기에 의하여 발생되는 전자기력을 사용하여 상기 연마 부재에 교정 모멘트를 인가하는 것인 연마 장치.
- 삭제
- 제28항의 연마 장치를 이용하여 기판의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 것인 반도체 소자 제조 방법.
- 연마 대상 기판을 별도로 유지시키는 회전 테이블과,상기 연마 대상 기판의 표면에 대하여 압박되는 연마면을 구비하고, 상기 회전 테이블의 회전축에 실질적으로 평행한 축을 중심으로 하여 회전하며, 상기 기판의 표면에 대하여 평행한 방향으로 진동하여 상기 기판을 연마하는 연마 부재와,연마중에 상기 연마 부재가 경사지게 하는 힘을 발생시키는 복수의 작동기를 구비하고,상기 작동기는 공급되는 전류에 상응하는 전자기력을 발생시키는 전자 작동기이고, 상기 작동기에 의하여 발생되는 전자기력을 사용하여 상기 연마 부재에 교정 모멘트를 인가하는 것인 연마 장치.
- 삭제
- 제31항의 연마 장치를 이용하여 기판의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 것인 반도체 소자 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2000-00286435 | 2000-09-21 | ||
JP2000286435A JP2002100593A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 研磨装置、これを用いた半導体デバイスの製造方法及びこの製造方法により製造された半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030031498A KR20030031498A (ko) | 2003-04-21 |
KR100796227B1 true KR100796227B1 (ko) | 2008-01-21 |
Family
ID=18770354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020027017255A KR100796227B1 (ko) | 2000-09-21 | 2001-05-25 | 연마 장치, 이 연마 장치를 이용한 반도체 소자 제조 방법및 이 방법에 의하여 제조된 반도체 소자 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6857950B2 (ko) |
JP (1) | JP2002100593A (ko) |
KR (1) | KR100796227B1 (ko) |
TW (1) | TW575475B (ko) |
WO (1) | WO2002024409A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160143649A (ko) * | 2014-04-18 | 2016-12-14 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4669968B2 (ja) * | 1997-02-10 | 2011-04-13 | プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ | 造血及び血管生成の調節方法 |
JP2004265950A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-24 | Nikon Corp | 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
US7046496B2 (en) | 2003-05-05 | 2006-05-16 | Nikon Corporation | Adaptive gain adjustment for electromagnetic devices |
JP4269259B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-05-27 | 株式会社ニコン | 加工装置、この加工装置を用いた半導体デバイスの製造方法 |
US6855032B1 (en) | 2003-11-24 | 2005-02-15 | Nikon Corporation | Fine force control of actuators for chemical mechanical polishing apparatuses |
US20050197045A1 (en) * | 2003-11-24 | 2005-09-08 | Novak W. T. | Fine force control of actuators for chemical mechanical polishing apparatuses |
US7172493B2 (en) * | 2003-11-24 | 2007-02-06 | Nikon Corporation | Fine force actuator assembly for chemical mechanical polishing apparatuses |
US20050221736A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | Nikon Corporation | Wafer polishing control system for chemical mechanical planarization machines |
JP4814677B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-11-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置および研磨装置 |
JP2009194134A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
JP5393039B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2014-01-22 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
US9138857B2 (en) * | 2010-08-05 | 2015-09-22 | Hwatsing Technology Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing machine and chemical mechanical polishing apparatus comprising the same |
US8896293B2 (en) * | 2010-12-23 | 2014-11-25 | Qed Technologies International, Inc. | Method and apparatus for measurement and control of magnetic particle concentration in a magnetorheological fluid |
US8986585B2 (en) * | 2012-03-22 | 2015-03-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers having a window |
US8968055B2 (en) * | 2012-04-28 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for pre-chemical mechanical planarization buffing module |
US10702972B2 (en) | 2012-05-31 | 2020-07-07 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JP5976522B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-08-23 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
US9011207B2 (en) * | 2012-10-29 | 2015-04-21 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder |
US8845394B2 (en) * | 2012-10-29 | 2014-09-30 | Wayne O. Duescher | Bellows driven air floatation abrading workholder |
US8998677B2 (en) * | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Bellows driven floatation-type abrading workholder |
US9039488B2 (en) * | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Wayne O. Duescher | Pin driven flexible chamber abrading workholder |
US8998678B2 (en) * | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
US9174323B2 (en) * | 2012-11-07 | 2015-11-03 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial tool for mechanically-assisted surface polishing and cleaning |
US20160001418A1 (en) * | 2013-02-19 | 2016-01-07 | LEAP Co., Ltd | Cmp apparatus and cmp method |
JP6643258B2 (ja) * | 2015-01-19 | 2020-02-12 | 株式会社荏原製作所 | バフ研磨処理における研磨量のシミュレーション方法およびバフ研磨装置 |
US10593554B2 (en) | 2015-04-14 | 2020-03-17 | Jun Yang | Method and apparatus for within-wafer profile localized tuning |
CN105458903A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-04-06 | 上海妍杰机械工程有限公司 | 一种可自动调节研磨压力的研磨抛光机 |
WO2017165068A1 (en) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | Applied Materials, Inc. | Local area polishing system and polishing pad assemblies for a polishing system |
CN109075054B (zh) * | 2016-03-25 | 2023-06-09 | 应用材料公司 | 具有局部区域速率控制及振荡模式的研磨系统 |
CN107520717A (zh) * | 2017-08-11 | 2017-12-29 | 王臻 | 一种风能发电叶片用打磨装置 |
JP6941046B2 (ja) * | 2017-12-20 | 2021-09-29 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドおよび研磨装置 |
WO2020106904A1 (en) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | Applied Materials, Inc. | Offset head-spindle for chemical mechanical polishing |
US11890717B2 (en) | 2018-12-26 | 2024-02-06 | Applied Materials, Inc. | Polishing system with platen for substrate edge control |
JP7178259B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-11-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
KR20210006550A (ko) * | 2019-07-08 | 2021-01-19 | 삼성전자주식회사 | 회전체 모듈 및 이를 구비하는 화학 기계적 연마 장치 |
CN110893576B (zh) * | 2019-11-11 | 2021-04-16 | 东旭(锦州)精密光电科技有限公司 | 抛光机 |
JP7466658B2 (ja) * | 2020-07-08 | 2024-04-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 複数の歯部が設けられた磁気的に制御される保持リング |
CN112071620B (zh) * | 2020-09-08 | 2021-12-21 | 包头市英思特稀磁新材料股份有限公司 | 一种永磁体合金材料的制备工艺 |
CN214481245U (zh) * | 2020-11-30 | 2021-10-22 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 发声器件 |
US11919120B2 (en) | 2021-02-25 | 2024-03-05 | Applied Materials, Inc. | Polishing system with contactless platen edge control |
CN115816213B (zh) * | 2022-12-20 | 2023-07-21 | 绍兴市雅克汽配有限公司 | 一种高压分配转子加工工艺及其加工设备 |
CN116372786B (zh) * | 2023-06-05 | 2023-08-18 | 北京特思迪半导体设备有限公司 | 一种晶圆抛光设备 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000005988A (ja) * | 1998-04-24 | 2000-01-11 | Ebara Corp | 研磨装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3762105A (en) * | 1971-05-24 | 1973-10-02 | Owens Illinois Inc | Apparatus for finishing surfaces |
JPS6299073A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Fujitsu Ltd | 研磨装置 |
JP3024373B2 (ja) * | 1992-07-07 | 2000-03-21 | 信越半導体株式会社 | シート状弾性発泡体及びウェーハ研磨加工用治具 |
US5658183A (en) * | 1993-08-25 | 1997-08-19 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring |
JP2933488B2 (ja) * | 1994-08-10 | 1999-08-16 | 日本電気株式会社 | 研磨方法および研磨装置 |
JPH1058308A (ja) * | 1996-05-29 | 1998-03-03 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP3679882B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2005-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 研磨用クロスのドレッサー及びその製造方法 |
JP3076291B2 (ja) | 1997-12-02 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 研磨装置 |
US5993302A (en) | 1997-12-31 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus |
JPH11198026A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-27 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JPH11214344A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US6135868A (en) * | 1998-02-11 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Groove cleaning device for chemical-mechanical polishing |
JP3314032B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2002-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2968784B1 (ja) | 1998-06-19 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 研磨方法およびそれに用いる装置 |
US6302770B1 (en) * | 1998-07-28 | 2001-10-16 | Nikon Research Corporation Of America | In-situ pad conditioning for CMP polisher |
US6033290A (en) * | 1998-09-29 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
US6354907B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-03-12 | Ebara Corporation | Polishing apparatus including attitude controller for turntable and/or wafer carrier |
TW467795B (en) * | 1999-03-15 | 2001-12-11 | Mitsubishi Materials Corp | Wafer transporting device, wafer polishing device and method for making wafers |
US6407000B1 (en) * | 1999-04-09 | 2002-06-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatuses for making and using bi-modal abrasive slurries for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6498101B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-12-24 | Micron Technology, Inc. | Planarizing pads, planarizing machines and methods for making and using planarizing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies |
US6354928B1 (en) * | 2000-04-21 | 2002-03-12 | Agere Systems Guardian Corp. | Polishing apparatus with carrier ring and carrier head employing like polarities |
-
2000
- 2000-09-21 JP JP2000286435A patent/JP2002100593A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-23 US US09/862,323 patent/US6857950B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-25 KR KR1020027017255A patent/KR100796227B1/ko active IP Right Grant
- 2001-05-25 WO PCT/JP2001/004387 patent/WO2002024409A1/en active Application Filing
- 2001-09-21 TW TW90123269A patent/TW575475B/zh active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000005988A (ja) * | 1998-04-24 | 2000-01-11 | Ebara Corp | 研磨装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160143649A (ko) * | 2014-04-18 | 2016-12-14 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
KR102120687B1 (ko) * | 2014-04-18 | 2020-06-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
KR20200067909A (ko) * | 2014-04-18 | 2020-06-12 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
KR20200067910A (ko) * | 2014-04-18 | 2020-06-12 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
KR102193325B1 (ko) * | 2014-04-18 | 2020-12-22 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
KR102193334B1 (ko) * | 2014-04-18 | 2020-12-22 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6857950B2 (en) | 2005-02-22 |
WO2002024409A1 (en) | 2002-03-28 |
JP2002100593A (ja) | 2002-04-05 |
TW575475B (en) | 2004-02-11 |
US20020033230A1 (en) | 2002-03-21 |
KR20030031498A (ko) | 2003-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100796227B1 (ko) | 연마 장치, 이 연마 장치를 이용한 반도체 소자 제조 방법및 이 방법에 의하여 제조된 반도체 소자 | |
JP4608218B2 (ja) | 研磨装置及びこれを使用する研磨方法 | |
US5882243A (en) | Method for polishing a semiconductor wafer using dynamic control | |
JP4372423B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
KR0145257B1 (ko) | 위치결정 스테이지 장치 | |
US6183342B1 (en) | Polishing apparatus | |
JPH06267823A (ja) | 位置決め装置 | |
TWI307916B (ko) | ||
US20090049981A1 (en) | Mechanism for varying cylinder stop position and substrate processing apparatus including same | |
JP4538805B2 (ja) | 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス | |
JP2024507525A (ja) | 非接触型プラテンエッジ制御付き研磨システム | |
US6178580B1 (en) | Processing apparatus | |
KR100562498B1 (ko) | 씨엠피 설비의 패드 컨디셔너 | |
JP2005022059A (ja) | 研削盤及び研削方法 | |
JP2002217153A (ja) | 研磨装置、半導体デバイス製造方法及び半導体デバイス | |
EP0109147A2 (en) | Charged particle beam lithography machine incorporating localized vacuum envelope | |
JP2002200553A (ja) | 研磨装置 | |
JPH10256209A (ja) | 研磨装置 | |
JPH1058308A (ja) | ポリッシング装置 | |
JP2007258467A (ja) | 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス | |
JPH08155831A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JP2004265950A (ja) | 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 | |
JP3872629B2 (ja) | ターンテーブル装置の姿勢制御装置を備えたポリッシング装置 | |
JP3728008B2 (ja) | 軸受装置および位置決め装置 | |
KR100504116B1 (ko) | 집적회로 제조를 위한 화학적 기계적 연마 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121227 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131218 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141230 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151217 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161221 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180104 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200106 Year of fee payment: 13 |