TW575475B - Polishing apparatus, semiconductor device manufacturing method using the polishing apparatus, and semiconductor device manufactured by the manufacturing method - Google Patents

Polishing apparatus, semiconductor device manufacturing method using the polishing apparatus, and semiconductor device manufactured by the manufacturing method Download PDF

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Nippon Kogaku Kk
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Description

575475 A7 _______B7____ 五、發明說明（（） 發明背景 發明之領域 本發明係關於一種拋光並平整用於半導體元件之例如 是晶圓等的基板表面之拋光裝置，使用該裝置之半導體元 件製造方法，以及使用該製造方法所製造之半導體元件。 相關技術之說明 近年來，因積體電路已變得更細微且更複雜，且因多 層接線之層數已增加，故積體電路表面之階層已大幅增加 ，且在形成各種薄膜之後實施的拋光晶圓表面之精確度已 變得更爲重要。若在該種薄膜成形之後實施的拋光精確度 很差，則在階層區域可能發生薄膜之局部薄化的危險，並 可能發生接線絕緣不良或短路等等。此外，在微影製程中 ，若在晶圓表面有眾多之凹痕及凸出物則可能導致失焦狀 態，故可能無法形成細微圖案。 傳統上，拋光且平整晶圓表面之拋光裝置係藉由將晶 圓表面（下表面）支承在心軸之下方部份以接觸黏附在旋轉 台之上方表面之拋光襯墊並同時供應包含二氧化矽顆粒之 液態泥漿（拋光液體）。日本專利申請案公開編號SHO 11 -.156711係揭示一種拋光裝置，其中，晶圓係支承在旋轉台 之上表面側，以能在拋光時觀察晶圓表面之拋光狀態，支 撐在裝附於心軸之拋光頭上的拋光構件係壓住該晶圓表面 ，且該晶圓係藉由將拋光襯墊黏附在該拋光構件之下側表 面以接觸該晶圓表面而拋光。 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r--------訂---------線· 575475 A7 _ —_ B7_ 五、發明說明（> ) 然而，在該種拋光裝置中，拋光表面（拋光襯墊）係具 有小於被拋光之例如晶圓等基板的尺寸（直徑較小），且該 裝置係配置成可藉由引起拋光頭相對於晶圓表面之擺動而 拋光整個晶圓表面。因此，在拋光時拋光表面突出晶圓之 外側周圍的情況中，拋光構件係傾斜的，故晶圓之周圍部 份係向下傾斜。此外，該裝置係配置成拋光構件以及晶圓 表面之間之接觸壓力係藉由在拋光頭內部驅動拋光構件往 下的氣壓而調整；然而，因該種藉由氣壓之控制的響應緩 慢，故當拋光表面突出晶圓之外側周圍時，接觸壓力之調 整無法追隨兩個部件之間接觸面積之變化。因此，晶圓表 面之拋光狀態容易不均勻。 發明之槪要 因此，本發明係直接關於一種拋光裝置以克服習知技 術之問題。 本發明之拋光裝置係包含一種用於支承欲拋光之基板 的旋轉台’一種具有壓住基板表面之拋光表面的拋光構件 ’其中’該拋光構件係對著大致上平行旋轉台之旋轉軸的 軸旋轉’且該拋光構件係在平行該基板表面之方向上擺動 ，以拋光該基板’以及一種藉由在拋光時施加校正力矩至該 拋光構件以用於將該拋光構件維持在相對於基板表面之固 定姿勢的姿勢維持機構。在此時，該名詞“校正力矩”係 表示作用在消除拋光構件相對於基板表面傾斜趨勢之方向 上的力矩。 4 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 575475 A7 ____ B7 _ 五、發明說明（j ) 在本發明之拋光裝置中，在拋光基板時施加校正力矩 至拋光構件，以使得拋光構件維持在相對於基板表面之固 定姿勢；因此，即使在拋光表面突出基板之外側周圍的情 況中，在基板之外側周圍邊緣處的拋光構件也不會傾斜， 故基板之邊緣部份不會往下傾斜（亦即，無斜面）。因此， 可增加合格晶圓之製造速率，故可減少製造成本。 在此時，若姿勢維持機構配置成使校正力矩係依照拋 光構件相對於旋轉台之位置施加至拋光構件，則僅需事先 硏究拋光構件相對於旋轉台之位置以及在該位置之情況下 拋光構件所能產生之傾斜方向上的力矩之間的關係，並在 記憶體內儲存該資料，並在拋光時依照拋光構件相對於旋 轉台之位置而施加消除上述力矩之校正力矩至拋光構件。 因此，可簡化控制系統之構造。或者，亦可能安裝一個偵 測拋光表面以及基板表面之間接觸壓力之分佈或拋光表面 相對於基板表面之傾斜的感測器，並佈置該裝置使得施加 至拋光構件之校正力矩係基於由該感測器偵測之資訊。在 此種情況中，該實施例係更爲複雜；然而，因可更可靠地 避免拋光構件之傾斜，拋光精確度係大幅改善。 在此時，希望該姿勢維持機構配置一種產生對應於供 •應電流之電磁力的電磁致動器，且該裝置係配置成使校正 力矩係使用由該電磁致動器產生之電磁力而施加至該拋光 構件。因該種電磁致動器係具有快速響應，故在本裝置中 ’在需要快速調整拋光構件姿勢的情況可獲得良好之效果。 此外，特別希望該電磁致動器配置一種環狀永久磁鐵 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 A7 ___B7__ 五、發明說明（4* ) ，其係支撐在該拋光構件之外側周圍部份上（例如，在工作 構造之突出構件51上），且其磁場係指向該拋光構件之半 徑方向，以及複數個線圈，其係支撐在放置成大致上與該 永久磁鐵共圓心之圓形的非旋轉構件上，並具有以直角橫 越該磁場的部份，且該裝置係配置成使得該電磁致動器係 使用在該磁場以及流過面對部份拋光構件之線圏水平部份 之電流之間所產生的羅倫茲(Lorenz)力施加校正力矩至該 拋光構件，該拋光構件係因該線圏被電氣化而從該基板表 面向上浮起或向下壓住該表面。若作到此點，則可使用簡 單構造以良好之響應實現拋光構件之姿勢校正。 .此外，希望該拋光構件係藉由接收由該電磁致動器產 生之電磁力壓住基板，且該拋光構件係配置成使得拋光表 面以及基板表面之間之接觸壓力可藉由調整供應至該電磁 致動器之電流而維持在定値。或者，該拋光構件可藉由接 收氣壓以及由該電磁致動器產生之電磁力壓住基板，且該 拋光構件係配置成使得拋光表面以及基板表面之間之接觸 壓力可藉由調整該氣壓以及供應至該電磁致動器之電流而 維持在定値。若使用此種實施例，永遠維持拋光表面以及 基板表面之間接觸壓力在定値之控制可較拋光構件（單獨) .藉由氣壓壓住基板之習知構造達成更佳之響應(特別在拋光 表面突出基板之外側周圍而使得該兩個部件之間接觸面積 變化時）；因此，可增進基板表面上拋光狀況之均勻性。 或者，該拋光構件可藉由接收由機軸馬達產生之電磁 力壓住基板，且可配置成該拋光表面以及基板表面之間之 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · _1 ·ϋ an n ϋ I n^*OJ« n 1 n n 線 575475 A7 B7 五、發明說明（< ) 接觸壓力可藉由供應至機軸馬達之電流而調整。拋光表面 以及基板表面之間之接觸壓力亦可使用該種實施例而快速 地調整。 此外，可使用一種實施例，其中，姿勢維持機構係配 備複數個汽缸式致動器，其係固定在非旋轉構件上，且其 中，具有裝附在下方末端部份之滾筒的活塞係在垂直方向 延伸之汽缸內部上下移動，該複數個汽缸式致動器係放置 成圍繞住拋光構件之周圍，該滾筒從上方接觸到拋光構件 之外側周圍部份（例如，工作構造之突出構件151)，並由 於位在拋光構件傾向於從基板表面向上浮起之區域的汽缸 式致動器之活塞被降低以使得該拋光構件被往下推而施加 校正力矩至該拋光構件。在此實施例中，當拋光構件傾斜 時，壓住該拋光構件之汽缸式致動器係固定在非旋轉構件 ，但活塞之下方末端部份係藉由可隨意滾動之滾筒接觸到 拋光構件之外側周圍部份，故不會干擾拋光構件之旋轉。 同樣在該種實施例中，即使在基板拋光時拋光表面突出基 板之外側周圍，在基板之外側周圍部份的拋光構件不會傾 斜；因此，可避免基板之周圍部份的傾斜(斜面）。 此外，可使用一種實施例，其中，該姿勢維持機構係 .配置複數個固定在非旋轉構件之汽缸式致動器，且其中， 具有裝附在下方末端部份之第一永久磁鐵的活塞係在垂直 方向延伸之汽缸內部上下移動；一種安裝成面對所有第一 永久磁鐵之環狀第二永久磁鐵係放置在該拋光構件之外側 周圍部份（例如，工作構造之突出構件251)，該複數個汽 7 本紙張尺度適用中闕家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公爱) — " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂·-------· *5^ 575475 A7 ___B7___ 五、發明說明（V ) 缸式致動器係放置成使其圍繞住拋光構件之周圍，各個永 久磁鐵之相對表面係具有相同極性，並由於位在拋光構件 傾向於從基板表面向上浮起之區域的汽缸式致動器之活塞 被降低，以使得該拋光構件被往下推而施加校正力矩至該 拋光構件。在此實施例中同樣地，當拋光構件傾斜時，壓 住該拋光構件之汽缸式致動器係固定在非旋轉構件，但活 塞之下方末端部份係藉由彼此相斥之磁鐵推動拋光構件往 下；因此，不會干擾拋光構件之旋轉。因此，使用此實施 例亦可獲得如上述使用滾筒之範例時所得到之類似效果； 然而，在此範例中，因系統係使用磁鐵之相斥力的非接觸 式系統，該系統之耐久性係優於使用滾筒之系統，故可減 少維護成本。 在此時，上述汽缸式致動器可藉由氣壓操作；然而， 爲增進響應速度，希望藉由電磁力操作這些致動器。 此外，本發明之半導體元件製造方法係具有一種製程 ，其中，基板之表面係使用該拋光裝置拋光。因此，可增 加由該半導體元件製造方法製造的半導體元件之良率。此 外，本發明之半導體元件係由該半導體元件製造方法所製 造。因具有高度平整性之基板係用在由該製造方法所製造 ，之半導體元件中，這些元件係呈現良好之性能，較不具有 例如接線之絕緣不良或短路等問題。 圖式簡單說明 圖1係使用本發明之拋光裝置之CMP裝置的部份截 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂·--------^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 A7 ^_B7__ 五、發明說明（rj ) 面側視圖； 圖2係在本發明之CMP裝置中拋光頭之周圍部份的 放大截面圖； 圖3係本發明之拋光頭的分解立體圖； 圖4係顯示本發明之電磁致動器中永久磁鐵以及線圏 之間位置關係的平面圖； 圖5(a)及5(b)係顯示描繪本發明之電磁致動器中永久 磁鐵及線圏組合之變型的部份截面側視圖； 圖6係本發明之CMP裝置中電磁致動器之較佳實施 例之拋光頭之周圍部份的部份截面圖； 圖7係顯示作爲較佳實施例之電磁致動器之汽缸式致 動器的部份截面圖； 圖8係本發明之CMP裝置中電磁致動器之第二種實 施例之拋光頭之周圍部份的部份截面圖； 圖9係顯示本發明之半導體元件製造方法的流程圖。 元件符號說明 --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 化學機械拋光裝置 10 基座 11 台支撐部件 12 機軸 13 旋轉台 14 支撐圓柱 15 第一移動站 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 575475 A7 _ B7 五、發明說明（S ) 16 水平臂 17 第二移動站 20 心軸 21 氣體供應通道 30 拋光頭 31 張緊凸緣 31a 圓盤構件 31b 汽缸構件 32 環形構件 32a 凸緣 33 驅動環 34 驅動板 34a 圓孔 34b 同心圓弧形通孔 34c 同心圓弧形通孔 34d 同心圓弧形通孔 35 隔板 35a 圓孔 40 拋光構件 41 參考板 41a 凸緣 42 襯墊板 43 拋光襯墊 44 中心構件 10 -----------t--------訂---------線# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 575475 A7 B7 五、發明說明（ 45 環形構件 50 姿勢維持機構 51 突出構件 52 磁鐵支承架 52a 磁鐵支承架 52b 磁鐵支承架 53 磁鐵支承架 53a 環狀永久磁鐵 53b 環狀永久磁鐵 54 環狀永久磁鐵 55 環狀永久磁鐵 57 線圈支承架 57a 汽缸部件 57b 汽缸部件 58 線圏 58a 線圈 58b 線圈 59a 鐵片零件 59b 鐵片零件 71 氣體吸引通道 72 吸引導管 81 拋光劑供應管 82 連接接頭 83 供應通道 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 575475 A7 B7 五、發明說明（v〇 84 流動通道 85 流動通道 86 流動通道 151 突出構件 157 致動器支承架 160 汽缸式致動器 161 汽缸 162 活塞 163 滾筒 171 圓柱磁鐵 172 管狀磁鐵 173 線圈 251 突出構件 257 致動器支承架 260 汽缸式致動器 261 汽缸 262 活塞 263 永久磁鐵 264 環狀永久磁鐵 S200 步驟 S201 步驟 S202 步驟 S203 步驟 S204 步驟 12 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 575475 A7 _ B7 五、發明說明（1丨） S205 步驟 S206 步驟 S207 步驟 S208 步驟 B1 螺栓 B2 螺栓 B3 螺栓 B4 螺栓 L 上方部份 L1 直線 L2 直線 Ml 電氣馬達 M2 電氣馬達 M3 電氣馬達 M4 電氣馬達 P1 中心插栓 P2 定位插栓 S 空間 U 下方部份 W 晶圓 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 較佳實施例之詳細說明 下面將參考附圖說明本發明之較佳工作實施例。 圖1係顯示一種實施例，其中，本發明之拋光裝置係 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 575475 A7 _____B7__ 五、發明說明 應用在CMP裝置(化學機械拋光裝置）。在該cmP裝置1 中，台支撐部件11係安裝在基座1〇之上表面，而機軸12 係支撐在該台支撐部件11上，以使得該機軸12垂直延伸 並能隨意旋轉。旋轉台13係以水平之姿勢安裝在該機軸 12之上方末端。晶圓w係藉由真空吸引支承在作爲組成拋 光構件基板的旋轉台13之上方表面側。旋轉台13係藉由 包含在該台支撐部件11之電氣馬達Ml驅動機軸12而在水 平面上旋轉。 支撐圓柱14係安裝成垂直延伸至台支撐部件11之其 中一側，而固定水平臂16之第一移動站15係支撐在該支 撐圓柱14上，以使得該第一移動站15能隨意地上下移動 。水平臂16係延伸在該旋轉台13之上方，而在垂直位置 支承心軸20之第二移動站17係支撐在水平臂16上，以使 得該第二移動站17能隨意地在水平方向移動。該第一移動 站15可藉由包含在該第一移動站15的電氣馬達M2之驅動 以沿著該支撐圓柱14上下地移動，而第二移動站17可藉 由包含在該第二移動站17的電氣馬達M3之驅動以沿著該 水平臂16在水平方向移動。此外，該心軸20可藉由包含 在該第二移動站17的電氣馬達M4旋轉地驅動（心軸20之 .旋轉軸大致上係平行機軸12之旋轉軸）。 拋光頭30係裝附在該心軸20之下方末端部份。如圖 2及圖3所示，該拋光頭30係由包含可分離地裝附在該心 軸20之圓盤構件31a及藉由螺栓B1可分離地裝附在該圓 盤構件31a之下方表面側之汽缸構件31b的張緊凸緣31、 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 A7 _______B7___ 五、發明說明（P ) 藉由螺栓B2固定在該汽缸構件31b之下方末端部份的環形 構件32、夾在該汽缸構件31b以及該環形構件32之間的 圓盤形驅動環33以及裝附於該驅動環33之下表面側的拋 光構件40所構成。 該驅動環33係包含金屬驅動板34以及疊層在該驅動 板34之下表面側之橡膠隔板35。大致上具有相同直徑之 圓孔34a及35a係分別形成在該驅動板34及隔板35之中 心部份。該驅動板34及隔板35之外側周圍部份係如上述 地夾住在張緊凸緣31以及環形構件32之間而固定在位置 上。然而，該驅動板34因爲三種與圓心相隔不同距離而形 成在該驅動板34本身之同心圓弧形通孔34b、34c及34d 而具有適當之彈性；因此，該驅動板34可呈現稍微脫離平 面之變形。 拋光構件40係由圓盤形參考板41、與上述參考板41 具有大致相同之外側直徑的圓盤形襯墊板42、以及具有稍 微小於該襯墊板42半徑之半徑的圓形拋光襯墊43所組成 。半徑稍微小於驅動環33之圓孔34a及35a(亦即，驅動板 34及隔板35之圓孔）之半徑的圓盤形中心構件44係藉由 螺栓B3固定在參考板41之中心部份的上表面側，而中心 與該中心構件44對準的驅動環33係夾住在該參考板41以 及藉由螺栓B4固定在參考板41之上表面側之環形構件45 之間。因此，該參考板41係藉由驅動環33固定在張緊凸 緣31，以使得心軸20之旋轉傳輸至參考板41。此外，從 參考板41之外側周圍部份向外突出之凸緣41a之外側直徑 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^ 297公釐） -----------梦--------tr--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 B7 五、發明說明（⑷） 係製造成大於從環形構件32之內側周圍部份向內突出之凸 緣32a之內側直徑，故該參考板41不會滑出該環形構件 32 0 如圖2所示，在平面方向延伸並在下表面側具有複數 個吸引附著開口之氣體吸引通道71係形成在參考板41內 部。該氣體吸引通道71亦朝向中心構件44延伸，並在張 緊凸緣31之內部空間S內部開孔；然而，延伸通過在心軸 20中心形成爲通孔之氣體供應通道21的吸引導管72係連 接至該開孔，且該裝置係配置成使得在襯墊板42放置於參 考板41之下表面側的狀況時，襯墊板42藉由經由上述吸 引導管72抽取空氣導致之真空吸引而附著於參考板41。 在此處，該襯墊板42係藉由安裝在襯墊板42以及參考板 41之間之中心插栓P1及定位插栓P2而放在旋轉方向之中 心並定位。因拋光襯墊43係因拋光而逐漸退化之消耗部件 ，故該拋光襯墊43係可分離地裝附於該襯墊板42之下表 面（例如，藉由黏著劑），以方便替換工件。 此外，如圖1及圖2所示，該CMP裝置1係設有姿 勢維持機構50，其藉由施加校正力矩至該拋光構件以在拋 光晶圓W時維持拋光構件40在相對於晶圓w(組成基板）表 、面之固疋姿勢上。該姿勢維持機構50係由藉著與參考板 41之外側周圍部份接合而可分離地裝附於該外側周圍部份 的圓盤形突出構件51、安裝在包含兩個突出張緊凸緣31 外側並從突出構件51之外側邊緣部份向上延伸之共圓心之 汽缸部件之磁鐵支承架52及53中的環狀永久磁鐵54及 16 本紙張尺度適用中_家標準（CNS)A4規格（21。X 297公爱)------- --------------------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 A7 __B7 ___ 五、發明說明（ 55，如圖1所示、從第二移動站Π向外突出並向下延伸’ 且其下方末端部份係位在永久磁鐵54及55之間的線圈支 承架57、以及四個捲繞該線圏支承架57的線圏58(參考圖 4)所組成。 在此處，該永久磁鐵54及55上下係分別極化，且不 同磁極係上下彼此相對（在位於外側之永久磁鐵54中，上 方側係南極而下方側係北極，而在位於內側之永久磁鐵55 中，上方側係北極而下方側係南極）。因此，在永久磁鐵 54及55之上方及下方部份的拋光構件40之徑向方向上係 產生兩種不同方向磁場的狀況。 該四個捲繞線圈支承架57之線圏58係具有相同之形 狀，並且安裝成使得該線圈對著心軸20之旋轉軸呈現出旋 轉對稱。因此，如圖4所示，藉由連接該四個線圏58之相 對配對之中心所獲得之兩條直線L1及L2係以直角彼此相 交；在此處，兩條直線L1及L2其中之一係與拋光頭30之 擺動方向一致（在本工作架構中，直線L1係與擺動方向一 致）。此外，該四個線圏58捲繞線圏支承架57以使得以心 軸20之旋轉軸爲中心的線圈之圓弧形部份爲水平部份，而 線圏5 8之垂直部份係沿著線圏支承架5 7之垂直壁向上 及向下地延伸。因此，各個線圈58之水平部份係形成兩個 橫列（上方及下方，如圖2所示之U及L);該水平部份U 及L兩者皆放置成使其分別以直角切過形成在上述永久磁 鐵54及55之間之上方及下方區域的兩個磁場（參考圖2及 圖4)。 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線. 575475 A7 _ —— ___ B7___ 五、發明說明（A ) 支承在線圏支承架57之四個線圏58可藉由控制裝置( 在附圖中未顯示)個別地在順向及逆向方向電氣化。當參考 板41旋轉時，該永久磁鐵54及55亦與參考板41同時旋 轉。因永久磁鐵54及55具有如上述之環形，故作用在永 久磁鐵5 4及5 5之間的磁場（兩種具有不同方向之磁場）係 與參考板41停止時相同；然而，當電流流過在此狀況下的 線圏58時，流過線圏58水平部份之電流係以直角橫越上 述之磁場，故以直角與電流及磁場兩者相交的羅倫茲力係 作用在各部件之間。 羅倫茲力係一種導致線圈58在垂直方向移動的力。在 此處，因線圏58係支承在線圈支承架57並固定在第二移 動站17上，故作用力導致永久磁鐵54及55，亦即參考板 41，在垂直方向移動（面對電流流通之線圏58的參考板41 部份向上或向下係依照電流流過該線圈58之方向而定）。 在此處，在流過所有四個線圏58之電流流向爲相同方向的 情況中，係產生導致參考板41整體向上或向下移動的力； 而在電流流過四個線圈58其中之一的情況或在流過兩個相 對線圈58之電流流向爲相反方向的情況中，係產生傾斜參 考板41的力。此外，在此處因支承在線圈支承架57之線 .圏58之數目爲四，該拋光構件40傾斜之方向係以90度分 隔的四個方向其中之一。 爲將拋光頭30安裝至心軸20，首先係單獨將張緊凸 緣31之圓盤構件31a裝附至心軸20，並在驅動環33放在 已裝附中心構件44之參考板41之上表面側的狀況下，將 18 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂·-------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 575475 _____B7 _ 五、發明說明（^ ) 環形構件45藉由螺栓B3裝附至參考板41。接著，在已裝 附上述參考板41之驅動環33放置在汽缸構件31b之下方 末端部份的狀況下，將環形構件32藉由螺栓B2裝附至汽 缸構件31b。接著，在已因此裝附參考板41之汽缸構件 31b放置在圓盤構件31a之下表面側的狀況下，栓緊螺栓 B1以使得汽缸構件31b裝附至圓盤構件31a(因此，完成組 裝張緊凸緣3 1 )。接著，已貼附拋光襯墊43之襯墊板42 係藉由真空吸引附著於參考板41之下表面側，其後姿勢維 持機構50之磁鐵支承架52係裝附在參考板41之外側周圍 部份，以使得線圏支承架57之下方末端部份，亦即該四個 線圈58，係放置在磁鐵54及55之間。當在拋光頭30已 因此裝附至心軸2G的狀況下欲實施晶圓拋光時，拋光目標 之晶圓W首先藉由真空吸引支承在旋轉台13之上表面側， 並驅動電氣馬達Ml以使得旋轉台13開始旋轉。在此時， 晶圓W係附著於旋轉台13以使得晶圓W之中心與旋轉台 13之中心重合。接著，驅動電氣馬達M3以使得第二站17 定位在晶圓W之上方，而心軸20係由電氣馬達M4驅動以 使得拋光頭30開始旋轉。接著，驅動電氣馬達M2以降低 拋光頭30並使拋光襯墊43從上方壓住該晶圓之表面，並 .驅動電氣馬達M3以使得拋光頭30開始在平行晶圓表面之 方向上擺動。 在此時，如圖2所示形成在心軸20內部之氣體供應通 道21係連接至空氣輸送線（附圖中未顯示）；空氣係從該處 輸入以使得張緊凸緣31之內部空間S內部壓力提高，藉此 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —f-------1訂_1-------線_ 575475 A7 _____B7_____ 五、發明說明（j) 能在張緊凸緣31內部驅動整個拋光構件40往下。此外’ 拋光襯墊43以及晶圓表面之間的接觸壓力可藉由增加或減 少上述內部空間S內部之氣體壓力而依需要調整。 此外，以螺旋形延伸通過氣體供應通道21並在張緊凸 緣31之內部空間S內部開孔的拋光劑供應管81係經由安 裝在心軸20以及中心構件44之間的連接接頭82而與貫穿 中心構件44所形成的供應通道83、通過中心插栓P1的流 動通道84、形成在襯墊板42內部的流動通道85以及形成 在拋光襯墊43內的流動通道86相通，且〔該裝置〕係配 置成使得從拋光劑供應儀器（附圖中未顯示）供應而來包含 二氧化矽顆粒之液態泥漿（拋光液體）可供應至拋光襯墊43 之下表面側。 因此，因晶圓本身之旋轉動作以及拋光頭30之旋轉及 擺動動作(亦即，拋光襯墊43之動作)並同時供應上述之拋 光劑，係均勻地拋光及平滑晶圓W之表面。因參考板41 係藉由如上述之彈性驅動環33裝附至張緊凸緣31，故可 能有稍微脫離平面之變形，故即使在開始拋光之前因裝置 組裝等等錯誤造成拋光表面（亦即，拋光襯墊43)以及晶圓 表面之平行定向程度不足的情況中，在拋光時可承受該差 .異。 在此時，在拋光頭30發生擺動以使得拋光表面突出晶 圓W之外側周圍的情況中，拋光構件40係與作爲支撐點 的晶圓W之外側周圍傾斜。若未使用手段來避免此情況， 則將以在傾斜狀況之拋光構件40執行拋光，故晶圓W之 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 A7 _____ B7 _ 五、發明說明（ί| ) 周圍部份傾斜地向下(亦即，斜面的）。然而，在本CMP裝置 1中，可藉由上述姿勢維持機構50施加校正力矩至拋光構 件40而將拋光構件40維持在相對於晶圓表面的固定姿勢 中。因此，可避免晶圓W之周圍表面部份的傾斜(斜面）。 在此時，姿勢維持機構50係依照拋光構件40相對於 旋轉台13之位置而施加校正力矩至拋光構件40。具體地 說，拋光構件40相對於旋轉台13之位置以及在該位置之 情況下拋光構件40所能產生之傾斜力矩之間的關係被事先 硏究過，且關於該關係之資料係儲存在記憶體內；接著， 在拋光時，消除上述傾斜力矩之校正力矩係依照拋光構件 40相對於旋轉台13之位置而施加至拋光構件40上。該種 實施例係提供控制系統簡單之優點；然而，爲能更確定地 避免拋光構件之傾斜，最好能安裝偵測拋光表面(拋光襯墊 43)以及晶圓表面之間接觸壓力之分佈或拋光表面相對於晶 圓表面之傾斜的感測器（附圖中未顯示），並佈置該裝置使 得施加至拋光構件40之校正力矩係基於從該感測器而來之 偵測資訊。雖然該種實施例較爲複雜，拋光精確度係大幅 改善。 在該種情況中，拋光構件40姿勢之矯正可藉由施加電 ，流至位在拋光表面(拋光襯墊43)傾向於從晶圓表面向上浮 起之區域中的線圈58而以具體方式完成之，且該電流係以 造成向上方向之羅倫茲力以作用在這些線圏58的方向施加 。因此，夾住線圏58的環狀永久磁鐵54及55之部份接收 到從作用在線圏58之羅倫茲力而來之作用力’且該作用力 21 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） 575475 A7 ____JB7____ 五、發明說明（/°) 係作爲校正力矩以維持拋光構件40之原始姿勢（或在拋光 構件40已傾斜時，使姿勢恢復至原始姿勢）。或者，亦可 能以上述方向施加電流至位在拋光表面(拋光襯墊43)傾向 於從晶圓表面向上浮起之區域中的線圏58，並以相反方向 施加電流至位在與上述線圈58相反之位置的線圏58。在 此種情況中，夾住兩組線圏58、58的永久磁鐵54及55部 份接收到從作用在線圏58、58之羅倫茲力而來之作用力， 且該作用力係作爲校正力矩以維持拋光構件40之原始姿勢 (或在拋光構件40已傾斜時，使姿勢恢復至原始姿勢）。此 外，在後者的情況中，作用在相對線圈58、58各自之羅倫 茲力係指向相反之方向；因此，作用在永久磁鐵54及55 上各自之作用力亦指向相反之方向，故校正力矩爲對等力 。此外，亦可能藉由施加電流至位在從晶圓表面將拋光表 面向下推動之區域中而非將拋光表面往上浮起之區域中的 線圈58產生校正力矩。 .此外，在拋光表面突出晶圓W之外側周圍以使得接觸 區域減少的情況中，將減少拋光構件40對晶圓W之壓力 ，藉此調整拋光表面以及晶圓表面之間之壓力以使得該接 觸壓力永遠維持在定値。如上所述，在此情況中，拋光表 .面(亦即，拋光襯墊43)以及晶圓表面之間接觸壓力之調整( 亦即，拋光構件40對晶圓W壓力之調整)係藉由調整從氣 體供應通道21供應至張緊凸緣31之內部空間S內部之空 氣壓力而完成。在上述構造之電磁致動器用在如本CMP裝 置1之姿勢維持機構50的情況中，推動拋光構件40整體 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 A7 _____ B7____ 五、發明說明（：） 往下的力可藉由引起相同方向及量値之電流流過所有四個 線圈58而產生。因此，亦可能〔使用一種構造，其中〕拋 光構件40係藉由例如電磁致動器壓住晶圓W，而非(或共 同使用）拋光構件40藉由氣壓壓住晶圓W的上述構造。 具體地說，在拋光構件40係因接收由電磁致動器產生 之電磁力而壓住晶圓W的情況中，拋光表面以及晶圓表面 之間之接觸壓力係藉由調整供應至電磁致動器之電流而維 持在定値，而在拋光構件40係因接收氣壓以及由電磁致動 器產生之電磁力而壓住晶圓W的情況中，拋光表面以及晶 圓表面之間之接觸壓力係藉由調整氣壓以及供應至電磁致 動器之電流而維持在定値。 在該種實施例的情況中，永遠維持拋光表面以及晶圓 表面之間接觸壓力在定値之控制可較拋光構件40(單獨)藉 由氣壓壓住晶圓W之習知構造的情況達成更佳之響應；因 此，可增進晶圓表面拋光之均勻性。此外，在拋光構件40 被氣壓及電磁致動器兩者壓住之實施例的情況中，最好能 將該裝置配置成壓力之主要元件（低頻元件）係藉由慢速響 應之氣壓調整，而壓力之變動元件（高頻元件）係藉由快速 響應之電磁致動器調整。若達成此點，則能以高效率實現 .接觸壓力之控制。 此外，雖然在附圖中未顯示，亦可使用一種實施例， 其中，拋光構件40係裝附在與心軸20共軸安裝的機軸馬 達之可動機軸之下方末端部份，並藉由該機軸馬達所產生 之電磁力施加向下驅動力。同時在該種實施例中，拋光表 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # i——Μ訂--------線 575475 A7 ___B7___ 五、發明說明（yy) 面以及晶圓表面之間之接觸壓力可藉由調整供應至機軸馬 達之電流而快速地調整。此外，該名詞“機軸馬達”係指 一種電磁致動器，其具有安裝於線圏內部之可動機軸（可動 機心），且其構造係使得該可動機軸可藉由對應於施加至線 圏之電流的大力量而在軸向移動。 圖5係顯示結合圖2所示之電磁致動器之永久磁鐵及 線圏的變更。在圖5(A)中，從突出構件51向上延伸之磁 鐵支承架係製成單一支承架（磁鐵支承架52a) ’且上下極 化（上方爲南極而下方爲北極）之環狀永久磁鐵53a係安裝 在該磁鐵支承架52a。同時，環狀鐵片零件59a係安裝在 線圈支承架57之下方末端部份面對永久磁鐵53a的位置上 ，且上述四個線圏58係安裝在該鐵片零件59a面對永久磁 鐵53a的位置（如圖2所示之電磁致動器）。 當面對上下極化之永久磁鐵53a的鐵片零件59a係如 此安裝時，該鐵片零件59a係被永久磁鐵53a磁化且係上 下極化（上方爲北極而下方爲南極），故在永久磁鐵53a以 及鐵片零件59a之間上方及下方區域的拋光構件4G之徑向 方向係產生兩種具有不同指向之磁場。各個線圈58之水平 部份係形成兩個橫列（上方及下方，標示爲U及L);該水 平部份U及L兩者皆放置成使其以直角切過在上述永久磁 鐵53a以及鐵片零件59a之間之上方及下方區域所產生的 兩種磁場。 此外，在圖5(B)中，從突出構件51向上延伸之磁鐵 支承架係同樣地製成單一支承架（磁鐵支承架52b)，且上 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 A7 ___ Β7_ 五、發明說明（7^7) 下極化（上方爲南極而下方爲北極）之環狀永久磁鐵53b係 安裝在該磁鐵支承架52b。同時，兩個共圓心之汽缸部件 57a及57b係形成在線圈支承架57之下方末端部份，且環 狀鐵片零件59a及59b係安裝在汽缸部件57a及57b之下 方末端部份面對永久磁鐵53b的位置上。四個線圈58a及 58b係分別安裝在面對鐵片零件59a及59b以及永久磁鐵 53b的位置（如圖2所示之電磁致動器）。 當面對上下極化之永久磁鐵53b的鐵片零件59a及 59b係如此安裝時，該鐵片零件59a及59b係被永久磁鐵 53b磁化且係上下極化（鐵片零件59a及59b兩者皆係上方 爲北極而下方爲南極），故在永久磁鐵53b以及鐵片零件 59a及59b之間上方及下方區域的拋光構件40之徑向方向 係產生兩種具有不同指向之磁場。各個線圏58a及58b之 水平部份係形成兩個橫列（上方及下方，標示爲U及L); 該水平部份U及L兩者皆放置成使其以直角切過在上述永 久磁鐵53b以及鐵片零件59a及59b之間之上方及下方區 域所產生的兩種磁場。在圖5(A)以及圖5(B)所示之變更中 ，係執行類似於上述電磁致動器（亦即，圖2所示之電磁致 動器）之操作。 圖6係顯示用在本CMP裝置1的電磁致動器之第一 種變更。在此處所示之實施例中，在上述CMP裝置1之部 件中，固定在該第二移動站17之線圏支承架57係由類似 地放置之汽缸致動器支承架157替換之，且裝附在參考板 41之磁鐵支承架51係由圓盤形突出構件151替換之（上述 25 --------------------訂---------^ IAWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 575475 A7 ____B7_ 五、發明說明（一〇 致動器支承架157及突出構件151係以截面圖〔在圖6中 〕顯示）；此外，複數個汽缸式致動器160係裝附在非旋轉 構件之致動器支承架157。該汽缸式致動器160各自之汽 缸161係固定在致動器支承架157並在垂直方向延伸；此 外，滾筒163係安裝成使該滾筒可隨意地滾動至活塞162 之下方末端部份，該活塞162係可在每個汽缸161內部上 下移動。此外，該汽缸式致動器160係放置成使其圍繞住 拋光構件40之周圍，且各個滾筒163從上方接觸到突出構 件151(其係從拋光構件40突出）。 在該種實施例中，該裝置係佈置成在拋光表面(亦即， 拋光襯墊43)突出晶圓W之外側周圍且當拋光晶圓W時傾 斜的情況中，位在拋光構件40傾向於從晶圓表面向上浮起 之區域的汽缸式致動器160之活塞162係被降低，使得突 出構件151(亦即，拋光構件40)被推向下，藉此施加校正 力矩至拋光構件40。因此，各個汽缸式致動器160係安裝 在當拋光構件40傾斜時（例如，在圖4之直線L1位置上） 可施加向下壓力至拋光構件40將可能從晶圓表面向上浮起 之部份的位置上。 在此時，汽缸式致動器160可製成氣壓汽缸，其中， .活塞162係藉由供應氣壓至汽缸161內部而導致上下移動 :然而，爲增進響應，亦可使用電磁致動器，其中，係在 汽缸161內部結合磁鐵及線圏且活塞係藉由電磁力而導致 上下移動。 圖7係顯示一種實施例，其中，汽缸式致動器160係 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 B7 五、發明說明（/) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由結合汽缸161內部之磁鐵及線圈而製作成電磁致動器 。在此處所示之實施例中，在垂直方向延伸之圓柱磁鐵 Π1以及在垂直方向延伸以使其圍繞住該中間〔圓柱〕磁 鐵〔Π1〕之管狀磁鐵172係安裝在〔每個〕活塞162之上 方末端部份中心，且該磁鐵171及172係上下極化，故彼 此面對之磁極係不同之磁極(在圓柱磁鐵的情況中上方爲南 極且下方爲北極，而在管狀磁鐵的情況中上方爲北極且下 方爲南極）。同時，線圏173係安裝在〔每個〕汽缸161， 以使得該線圈位在圓柱磁鐵Π1外側但在管狀磁鐵172內 側。因此，當電流開始流過線圈Π3時，電流方向以及作 用在兩個磁鐵171以及172之間之磁流方向係彼此以直角 相交，而在垂直方向指向之羅倫茲力係作用在線圏173上 。因線圏Π3係固定在致動器支承架157，最終之作用力 係引起活塞162上下移動。 在此實施例中，當拋光構件40傾斜時，推動該拋光構 件40之汽缸式致動器160係固定在非旋轉構件之致動器支 承架157 ;然而，因活塞162之下方末端部份係藉由可隨 意滾動之滾筒163接觸到拋光構件40之外側周圍部份(突 出構件151)，故不會干擾拋光構件40之旋轉。同時在該 ，種實施例中，在晶圓W拋光時，拋光表面(亦即，拋光襯 墊43)突出晶圓W之外側周圍的情況中，亦可抑制在晶圓 W之外側周圍邊緣的拋光構件40之傾斜，故拋光構件40 可維持在相對於晶圓表面之固定姿勢；因此，可避免晶圓 之周圍部份的傾斜(斜面）。 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）— 575475 A7 ______B7___ 五、發明說明（>) 圖8係顯示用在本CMP裝置1的電磁致動器之第二 種實施例。在此處所示之實施例中，在上述CMP裝置1之 部件中，固定在該第二移動站17之線圈支承架57係由類 似地放置之汽缸致動器支承架257替換之，且裝附在參考 板41之磁鐵支承架51係由圓盤形突出構件251替換之（上 述致動器支承架257及突出構件251係以截面圖在圖6中 顯示）；此外，複數個汽缸式致動器260係裝附在非旋轉構 件之致動器支承架257。該汽缸式致動器260各自之汽缸 261係固定在致動器支承架257並在垂直方向延伸；此外 ，永久磁鐵263係安裝在可在每個汽缸261內部上下移動 的活塞262之下方末端部份。此外，環狀永久磁鐵264係 安裝在裝附於拋光構件40之外側周圍部份的圓盤形突出構 件251 ’以使得該環狀永久磁鐵264面對所有裝附在各個 汽缸式致動器26G之永久磁鐵263。此外，該汽缸式致動 器260係放置成使其圍繞住拋光構件40之周圍，且係安裝 成使永久磁鐵263及264彼此面對之磁極係相同之磁極（在 此範例中係北極）。 在該種實施例中，該裝置係佈置成在拋光表面(亦即， 拋光襯墊43)突出晶圓W之外側周圍且當拋光晶圓W時傾 .斜的情況中，位在拋光構件40傾向於從晶圓表面向上浮起 之區域的汽缸式致動器260之活塞262係被降低，使得拋 光構件40(亦即，突出構件251)被推向下，藉此施加校正 力矩至拋光構件40。因此，各個汽缸式致動器260係安裝 在當拋光構件40傾斜時可施加向下壓力至拋光構件40將 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 A7 ____B7___ 五、發明說明（/p 可能從晶圓表面向上浮起之部份的位置上。 在此實施例中同樣地，當拋光構件40傾斜時，推動該 拋光構件40之汽缸式致動器260係固定在非旋轉構件之致 動益支承架257，然而’因活塞262之下方末端部份係藉 由彼此相斥之磁鐵263及264推動拋光構件40，故不會干 擾拋光構件40之旋轉。因此，可獲得類似於如上述使用滾 筒163時所得到之效果；然而，在此情況中，因系統係使 用磁鐵263及264之相斥力的非接觸式系統，該系統之耐 久性係優於使用滾筒之系統，故可減少維護成本。 此外，在第二種實施例中係如同第一種實施例，該汽 缸式致動器260可製成氣壓汽缸，其中，活塞262係藉由 供應氣壓至汽缸261內部而上升及下降；然而，爲增進響 應，該致動器可製成電磁致動器，其中，係在汽缸261內 部結合磁鐵及線圈且活塞係藉由電磁力而上升及下降。 在本CMP裝置1中，如上文所述，該裝置係佈置成 在拋光晶圓W時，藉由施加校正力矩至拋光構件40 ·而使 該拋光構件40維持在相對於晶圓表面之固定姿勢。因此， 即使在拋光表面(亦即，拋光襯墊43)突出晶圓W之外側周 圍的情況中，在晶圓W之外側周圍邊緣處拋光構件40不 會傾斜，故晶圓W之邊緣部份不會傾斜(斜面）。因此，可 增加合格晶圓之製造速率，故可減少製造成本。 接著，將說明一種本發明的半導體元件製造方法之實 施例。圖9係顯示該半導體元件製程的流程圖。當半導體 製程開始時，適當之工作程序係先在步驟S200中選擇如下 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線. 575475 A7 ___B7 —_ 五、發明說明（A) 所述之步驟S201至步驟S204,且工作進行至該步驟其中 之一。 在此處，步驟S201係氧化製程，其中，晶圓之表面 係被氧化。步驟S202係CVD製程，其中，係藉由CVD 等在晶圓之表面形成絕緣膜或介電質膜。步驟S203係電極 形成製程，其中，係藉由真空蒸鍍等在晶圓上形成電極。 步驟S204係離子注入製程，其中，離子係注入晶圓內。 在該CVD製程(S202)或電極形成製程(S203)之後，工 作進行至步驟S205。步驟S205係CMP製程。在該CMP 製程中，內層絕緣膜之平滑或金屬鑲嵌之形成係藉由使用 本發明之拋光裝置(亦即，上述CMP裝置1)拋光半導體元 件表面上金屬膜或介電質膜而實施。 在CMP製程(S205)或氧化製程(S201)之後，工作係進 行至步驟S206。步驟S2.06係光微影製程。在此製程中， 晶圓係以光阻塗層，電路圖案係藉由使用曝光裝置曝光燒 製在晶圓上，並顯影該曝光晶圓。此外，下一個步驟S207 係蝕刻步驟，其中，除顯影的光阻影像之外的部份係藉由 蝕刻移除，並接著去除光阻，故在蝕刻完成後不必要之光 阻係被移除。 接著，在步驟S208中，進行評估所有必要製程是否 已完成；若這些製程尙未完成，則工作回到步驟S200，並 重複先前步驟，以在晶圓上形成電路圖案。若在步驟S208 中評估所有製程已完成，則結束工作。 因本發明之拋光裝置(亦即，CMP裝置1)係用在本發 30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱) " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---訂---------線- 575475 A7 _____ B7_____ 五、發明說明（^ ) 明之半導體元件製造方法之CMP製程中，可增加製造的半 導體元件之良率。因此，能以較習知半導體元件製造方法 爲低之成本製造半導體元件。此外，本發明之拋光裝置亦 可用在上述半導體元件製程之外的半導體元件製程之CMP 製程中。 此外，因具有高度平整性之晶圓（基板）係用在由上述 半導體元件製造方法製造之半導體元件(例如，電晶體或記 憶體等）中，故可獲得例如絕緣不良或接線短路等問題甚少 之良好性能的元件。 此外，在本CMP裝置1中的姿勢維持構件50係配置 依照供應之電流產生電磁力之電磁致動器，且係佈置成校 正力矩可藉此施加至該拋光構件。因此，本發明之裝置具 有快速之響應，故拋光構件40之姿勢可快速地調整。具體 地說’若使用藉由產生電流及磁場之間之羅倫茲力以施加 校正力矩至拋光構件40的上述形式之電磁致動器，則拋光 構件40之姿勢可使用簡單構造而以良好響應校正之。 目前已揭示本發明之較佳實施例；然而，本發明之範 圍並非限制於上述之實施例。舉例而言，在該實施例中， 在線圏支承架57上支承的線圏58之數目係四個。然而， .本發明並非限制在四個線圈；亦可能安裝更多或更少之線 圏，且同樣地可能僅在相對位置安裝兩個線圏。然而，如 上所述，永遠需要在抑制拋光構件40之傾斜的位置安裝線 圏。 此外，在該實施例中，係揭示一種CMP裝置作爲範 31 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ~ --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 A7 ___B7_ 五、發明說明（>1〇) 例，其中，係在供應包含二氧化矽顆粒之液態泥漿（拋光液 體）時實施晶圓之拋光。然而，本發明之晶圓製造裝置並非 絕對需要具有供應該泥漿之元件。 在本發明之拋光裝置中，如上所述，在基板之外側周 圍邊緣的拋光構件不會傾斜，且因此即使在拋光表面突出 基板之外側周圍的情況中，基板之周圍部份不會傾斜(斜面 )。因此，增加合格基板之製造速率，故可減少製造成本。 在此時，若姿勢維持構件係佈置成依照拋光構件相對 於旋轉台之位置而施加校正力矩至拋光構件上，則可簡化 控制系統之構造。此外，若安裝偵測拋光表面及基板表面 之間接觸壓力、或拋光表面相對於基板表面之傾斜的感測 器，且該裝置係佈置成基於從該感測器而來之檢測資訊施 加校正力矩至拋光構件，則能可靠地避免拋光構件之傾斜。 此外，若姿勢維持構件具有依照供應之電流產生電磁 力之電磁致動器，並配置成使校正力矩係使用由該電磁致 動器產生之電磁力而施加至該拋光構件，則可加速響應， 故可快速地實現拋光構件之姿勢調整。 此外，若該電磁致動器係配置支撐在該拋光構件之外 側周圍部份且磁場係指向拋光構件之徑向方向的環狀永久 .磁鐵，以及複數個支撐在放置成大致上與該永久磁鐵共圓 心之圓形之非旋轉構件上並具有以直角橫越該磁場之部份 的線圈，且該裝置係配置成使得校正力矩係藉由供應電流 至面對拋光構件從基板表面向上浮起或向下推動之部份的 線圈以在該磁場以及流過該線圈水平部份之電流之間產生 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 575475 五、發明說明（Μ ) 羅倫兹力而施加至該拋光構件時’則能藉由簡單構造以良 好響應校正該拋光構件之姿勢。 此外，希望該裝置係配置成該拋光構件係因接收由該 電磁致動器產生之電磁力而壓住基板’故拋光表面以及基 板表面之間之接觸壓力可藉由調整供應至該電磁致動器之 電流而維持在定値。或者，亦可能排列該裝置以使得拋光 構件係因接收氣壓以及由該電磁致動器產生之電磁力而壓 住基板，並使得拋光表面以及基板表面之間之接觸壓力可 藉由調整該氣壓以及供應至該電磁致動器之電流而維持在 定値。若使用此種實施例，永遠維持拋光表面以及基板表 面之間接觸壓力在定値之控制可較拋光構件（單獨）藉由氣 壓壓住基板之習知構造的情況達成更佳之響應(特別在拋光 表面突出基板之外側周圍而使得該兩個部件之間接觸面積 變化的情況中）；因此，可增進晶圓表面上拋光之均勻性。 或者，拋光表面以及基板表面之間之接觸壓力的調整 亦可使用一種構造而實現，其中，該拋光構件係因接收由 機軸馬達產生之電磁力而壓住基板，且該裝置係配置成藉 由供應至機軸馬達之電流而調整拋光表面以及基板表面之 間之接觸壓力。 此外，亦可使用一種實施例，其中，姿勢維持機構係 配備複數個汽缸式致動器，其係固定在非旋轉構件上，且 其中’具有裝附在下方末端部份之滾筒的活塞係在垂直方 向延伸之汽缸內部上下移動，該複數個汽缸式致動器係放 置成圍繞住拋光構件之周圍，該滾筒從上方接觸到拋光構 33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21Q—X 297公餐) ' --------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575475 A7 _B7_______ 五、發明說明（ 件之外側周圍部份，並由於位在拋光構件傾向於從基板表 面向上浮起之區域的汽缸式致動器之活塞被降低以使得該 拋光構件被往下推而施加校正力矩至該拋光構件。藉由此 種構造亦可避免基板之周圍部份的傾斜(斜面）。 此外，可使用一種實施例，其中，姿勢維持機構係配 置複數個固定在非旋轉構件之汽缸式致動器，且其中，具 有裝附在下方末端部份之第一永久磁鐵的活塞係在垂直方 向延伸之汽缸內部上下移動，一種安裝成面對所有第一永 久磁鐵之環狀第二永久磁鐵係放置在該拋光構件之外側周 圍部份，該複數個汽缸式致動器係放置成使其圍繞住拋光 構件之周圍，各個永久磁鐵之相對表面係具有相同極性’ 並由於位在拋光構件傾向於從基板表面向上浮起之區域的 汽缸式致動器之活塞被降低以使得該拋光構件被往下推而 施加校正力矩至該拋光構件。若使用此種實施例，可更改 善該裝置之耐久性，故可減少維護成本。在此時，上述汽 缸式致動器亦可能係藉由氣壓操作之致動器；然而，爲達 到較快之響應，該致動器最好係藉由電磁力操作之致動器。 此外，在本發明之半導體元件製造方法中’因該拋光 裝置係用在基板拋光製程中，可增加所製造的半導體元件 .之良率。再者，因具有高度平整性之基板係用在由該半導 體元件製造方法所製造的本發明之半導體元件中’這些元 件係呈現良好之性能，較不具有例如接線之絕緣不良或短 路等問題。 34 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 I — I I I I I--· I I I I I I 1 · I I I I I I I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 575475 V C8 D8 六、申請專利範圍 專利申請案第90123269號申請專利範圍修正本 1 · 一種拋光裝置，其係包含： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一個旋轉台，其係用於支承欲拋光之基板； 一個拋光構件，其係具有壓住欲拋光之基板表面之拋 光表面，其中，該拋光構件係對著大致上平行旋轉台之旋 轉軸的軸旋轉，且該拋光構件係在平行該基板表面之方向 上擺動以拋光該基板； 一個姿勢維持機構，其係藉由在拋光時施加校正力矩 至該拋光構件以用於將該拋光構件維持在相對於基板表面 之固定姿勢上。 2 ·如申請專利範圍第1項之拋光裝置，其中，該姿勢 維持機構係依據該拋光構件相對於該旋轉台之位置施加校 正力矩至該拋光構件。 3 .如申請專利範圍第1項之拋光裝置，其中，該姿勢 維持機構係包含一個感測器，其偵測拋光表面及基板表面 之間接觸壓力之分佈以及拋光表面相對於基板表面之傾斜 的其中之一，並基於從該感測器而來之偵測資訊施加校正 力矩至該拋光構件。 4 .如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之拋光裝 置，其中，該姿勢維持機構係包含一個電磁致動器以用於 產生對應於供應電流之電磁力，並使用由該電磁致動器產 生之電磁力施加校正力矩至該拋光構件。 5 ·如申請專利範圍第4項之拋光裝置，其中，該電磁 致動器係包含： 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） A8B8C8D8 575475 I 六、申請專利範圍 一個環狀永久磁鐵，其係支撐在該拋光構件之外側周 圍部份上，其中，一個磁場係指向該拋光構件之半徑方向 :以及 複數個線圏，其係支撐在放置成大致上與該環狀永久 磁鐵共圓心之圓形的非旋轉構件上，並具有以直角橫越該 磁場的部份，其中，該電磁致動器係使用在該磁場以及流 過面對部份拋光構件之線圏部份之電流之間所產生的羅倫 茲力施加校正力矩至該拋光構件，其係因該線圏被電氣化 而從該基板表面向上浮起或向下壓住該基板表面。 6·如申請專利範圍第4項之拋光裝置，其中，該拋光 構件係藉由接收由該電磁致動器產生之電磁力壓住基板， 其中，拋光表面以及基板表面之間之接觸壓力係藉由調整 供應至該電磁致動器之電流而維持在定値。 7 .如申請專利範圍第5項之拋光裝置，其中，該拋光 構件係藉由接收由該電磁致動器產生之電磁力壓住基板， 其中，拋光表面以及基板表面之間之接觸壓力係藉由調整 供應至該電磁致動器之電流而維持在定値。 8 .如申請專利範圍第4項之拋光裝置，其中，該拋光 構件係藉由接收氣壓以及由該電磁致動器產生之電磁力壓 住基板，其中，拋光表面以及基板表面之間之接觸壓力係 藉由調整該氣壓以及供應至該電磁致動器之電流而維持在 定値。 9 .如申請專利範圍第5項之拋光裝置，其中，該拋光 構件係藉由接收氣壓以及由該電磁致動器產生之電磁力壓 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 575475 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 住基板，其中，拋光表面以及基板表面之間之接觸壓力係 藉由調整該氣壓以及供應至該電磁致動器之電流而維持在 定値。 10 ·如申請專利範圍第4項之拋光裝置，其中，該拋 光構件係藉由接收由機軸馬達產生之電磁力壓住基板，其 中，拋光表面以及基板表面之間之接觸壓力係藉由供應電 流至機軸馬達而調整。 11 ·如申請專利範圍第5項之拋光裝置，其中，該拋 光搆件係藉由接收由機軸馬達產生之電磁力壓住基板，其 中，拋光表面以及基板表面之間之接觸壓力係藉由供應電 流至機軸馬達而調整。 12 ·如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之拋光 裝置，其中，該姿勢維持機構係包含： 複數個汽缸式致動器，其每個係固定在非旋轉構件上 ，該致動器係包含活塞，其包含裝附在該活塞之下方末端 部份之滾筒，該活塞係在垂直方向延伸之汽缸內部上下移 動，其中，該複數個汽缸式致動器係圍繞住該拋光構件之 周圍，該滾筒從上方接觸到該拋光構件之外側周圍部份， 並由於位在拋光構件從基板表面向上浮起之區域的汽缸式 致動器之活塞被降低，以使得該拋光構件被往下推而施加 校正力矩至該拋光構件。 13 ·如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之拋光 裝置，其中，該姿勢維持機構係包含： 複數個固定在非旋轉構件之汽缸式致動器，其中，活 3 V紙張尺度適用肀國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 一 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 裝 訂 線 575475 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 塞係具有裝附在該活塞之下方末端部份之第一永久磁鐵， 該活塞係在垂直方向延伸之汽缸內部上下移動； 一個面對該第一永久磁鐵之環狀第二永久磁鐵，其係 放置在該拋光構件之外側周圍部份，其中，該複數個汽缸 式致動器係圍繞住分別面對具有相同極性之第一及第二永 久磁鐵的拋光構件之周圍，並由於位在拋光構件從基板表 面向上浮起之區域的汽缸式致動器之活塞被降低以使得該 拋光構件被往下推而施加校正力矩至該拋光構件。 14 ·如申請專利範圍第12項之拋光裝置，其中，該汽 缸式致動器係藉由空氣或電磁力操作。 15 ·如申請專利範圍第13項之拋光裝置，其中，該汽 缸式致動器係藉由空氣或電磁力操作。 16 · —種半導體元件製造方法，其包含一種製程，其 中，基板之表面係使用如申請專利範圍第1項至第3項中 任一項之拋光裝置拋光之。 17 · —種半導體元件製造方法，其包含一種製程，其 中，基板之表面係使用如申請專利範圍第4項之拋光裝置 拋光之。 18 · —種半導體元件製造方法，其包含一種製程，其 中，基板之表面係使用如申請專利範圍第5項至第11項中 任一項之拋光裝置拋光之。 19 · 一種半導體元件製造方法，其包含一種製程，其 中，基板之表面係使用如申請專利範圍第12項之拋光裝置 拋光之。 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇x297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)
    575475 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 20 · —種半導體元件製造方法，其包含一種製程，其 中，基板之表面係使用如申請專利範圍第13項之拋光裝置 拋光之。 21 · —種半導體元件製造方法，其包含一種製程，其 中，基板之表面係使用如申請專利範圍第14項至第15項 中任一項之拋光裝置拋光之。 22 · —種半導體元件，其係藉由如申請專利範圍第Μ 項之半導體元件製造方法所製造。 23 · —種半導體元件，其係藉由如申請專利範圍第π 項之半導體元件製造方法所製造。 24 · —種半導體元件，其係藉由如申請專利範圍第18 項之半導體元件製造方法所製造。 25 · —種半導體元件，其係藉由如申請專利範圍第19 項之半導體元件製造方法所製造。 26 · —種半導體元件，其係藉由如申請專利範圍第20 項之半導體元件製造方法所製造。 27 . —種半導體元件，其係藉由如申請專利範圍第21 項之半導體元件製造方法所製造。 28. —種拋光裝置，其係包含： 一個旋轉台，其係用於支承欲拋光之基板； 一個拋光構件，其係具有壓住欲拋光之基板表面之拋 光表面，其中，該拋光構件係對著大致上平行旋轉台之旋 轉軸的軸旋轉，且該拋光構件係在平行該基板表面之方向 上擺動以拋光該基板；及 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） -...................!:·装·…… (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、言 線 575475 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 至少一個致動器，係於進行拋光時產生使該拋光構件 往上移動之作用力； 該拋光構件係配置於該旋轉台上方。 29 ·如申請專利範圍第28項之拋光裝置，其中，該致 動器係電磁致動器。 30 · —種半導體元件製造方法，其包含一種製程，其 中，基板之表面係使用申請專利範圍第28項之拋光裝置拋 光之。 .31. —種拋光裝置，其係包含： 一個旋轉台，其係用於支承欲拋光之基板； 一個拋光構件，其係具有壓住欲拋光之基板表面之拋 光表面，其中，該拋光構件係對著大致上平行旋轉台之旋 轉軸的軸旋轉，且該拋光構件係在平行該基板表面之方向 上擺動以拋光該基板；及 複數個致動器，係於進行拋光時產生使該拋光構件傾 斜之作用力。 32 ·如申請專利範圍第31項之拋光裝置，其中，該致 動器係電磁致動器。 33 · —種半導體元件製造方法，其包含一種製程，其 中，基板之表面係使用申請專利範圍第31項之拋光裝置拋 光之。 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 裝 、1Tr 線
TW90123269A 2000-09-21 2001-09-21 Polishing apparatus, semiconductor device manufacturing method using the polishing apparatus, and semiconductor device manufactured by the manufacturing method TW575475B (en)

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WO (1) WO2002024409A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI620618B (zh) * 2012-05-31 2018-04-11 Ebara Corp 研磨裝置及研磨方法
US10702972B2 (en) 2012-05-31 2020-07-07 Ebara Corporation Polishing apparatus
CN116372786A (zh) * 2023-06-05 2023-07-04 北京特思迪半导体设备有限公司 一种晶圆抛光设备

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4669968B2 (ja) * 1997-02-10 2011-04-13 プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ 造血及び血管生成の調節方法
JP2004265950A (ja) * 2003-02-25 2004-09-24 Nikon Corp 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法
US7046496B2 (en) 2003-05-05 2006-05-16 Nikon Corporation Adaptive gain adjustment for electromagnetic devices
JP4269259B2 (ja) * 2003-05-30 2009-05-27 株式会社ニコン 加工装置、この加工装置を用いた半導体デバイスの製造方法
US6855032B1 (en) 2003-11-24 2005-02-15 Nikon Corporation Fine force control of actuators for chemical mechanical polishing apparatuses
US7172493B2 (en) * 2003-11-24 2007-02-06 Nikon Corporation Fine force actuator assembly for chemical mechanical polishing apparatuses
US20050197045A1 (en) * 2003-11-24 2005-09-08 Novak W. T. Fine force control of actuators for chemical mechanical polishing apparatuses
US20050221736A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-06 Nikon Corporation Wafer polishing control system for chemical mechanical planarization machines
JP4814677B2 (ja) * 2006-03-31 2011-11-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
JP2009194134A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Ebara Corp 研磨方法及び研磨装置
JP5393039B2 (ja) 2008-03-06 2014-01-22 株式会社荏原製作所 研磨装置
US9138857B2 (en) * 2010-08-05 2015-09-22 Hwatsing Technology Co., Ltd. Chemical mechanical polishing machine and chemical mechanical polishing apparatus comprising the same
US8896293B2 (en) * 2010-12-23 2014-11-25 Qed Technologies International, Inc. Method and apparatus for measurement and control of magnetic particle concentration in a magnetorheological fluid
US8986585B2 (en) * 2012-03-22 2015-03-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers having a window
US8968055B2 (en) * 2012-04-28 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pre-chemical mechanical planarization buffing module
US8998677B2 (en) * 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Bellows driven floatation-type abrading workholder
US8998678B2 (en) * 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Spider arm driven flexible chamber abrading workholder
US9011207B2 (en) * 2012-10-29 2015-04-21 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder
US9039488B2 (en) * 2012-10-29 2015-05-26 Wayne O. Duescher Pin driven flexible chamber abrading workholder
US8845394B2 (en) * 2012-10-29 2014-09-30 Wayne O. Duescher Bellows driven air floatation abrading workholder
US9174323B2 (en) * 2012-11-07 2015-11-03 Intermolecular, Inc. Combinatorial tool for mechanically-assisted surface polishing and cleaning
CN105009257A (zh) * 2013-02-19 2015-10-28 株式会社Ｌｅａｐ 化学机械研磨装置及化学机械研磨方法
KR102431971B1 (ko) * 2014-04-18 2022-08-16 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN107107309B (zh) * 2015-01-19 2020-09-18 株式会社荏原制作所 抛光研磨处理中研磨量的模拟方法、抛光研磨装置及研磨量的模拟用存储介质
US10593554B2 (en) 2015-04-14 2020-03-17 Jun Yang Method and apparatus for within-wafer profile localized tuning
CN105458903A (zh) * 2015-12-31 2016-04-06 上海妍杰机械工程有限公司 一种可自动调节研磨压力的研磨抛光机
CN109075054B (zh) * 2016-03-25 2023-06-09 应用材料公司 具有局部区域速率控制及振荡模式的研磨系统
CN109155249B (zh) * 2016-03-25 2023-06-23 应用材料公司 局部区域研磨系统以及用于研磨系统的研磨垫组件
CN107520717A (zh) * 2017-08-11 2017-12-29 王臻 一种风能发电叶片用打磨装置
JP6941046B2 (ja) * 2017-12-20 2021-09-29 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドおよび研磨装置
TWI837213B (zh) * 2018-11-21 2024-04-01 美商應用材料股份有限公司 拋光系統、載具頭組件及拋光基板的方法
US11890717B2 (en) 2018-12-26 2024-02-06 Applied Materials, Inc. Polishing system with platen for substrate edge control
JP7178259B2 (ja) * 2018-12-27 2022-11-25 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
KR20210006550A (ko) * 2019-07-08 2021-01-19 삼성전자주식회사 회전체 모듈 및 이를 구비하는 화학 기계적 연마 장치
CN110893576B (zh) * 2019-11-11 2021-04-16 东旭(锦州)精密光电科技有限公司 抛光机
KR20220116322A (ko) * 2020-07-08 2022-08-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다치형, 자기 제어 리테이닝 링
CN112071620B (zh) * 2020-09-08 2021-12-21 包头市英思特稀磁新材料股份有限公司 一种永磁体合金材料的制备工艺
CN214481245U (zh) * 2020-11-30 2021-10-22 瑞声科技(新加坡)有限公司 发声器件
US11919120B2 (en) 2021-02-25 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Polishing system with contactless platen edge control
CN115816213B (zh) * 2022-12-20 2023-07-21 绍兴市雅克汽配有限公司 一种高压分配转子加工工艺及其加工设备

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3762105A (en) * 1971-05-24 1973-10-02 Owens Illinois Inc Apparatus for finishing surfaces
JPS6299073A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Fujitsu Ltd 研磨装置
JP3024373B2 (ja) * 1992-07-07 2000-03-21 信越半導体株式会社 シート状弾性発泡体及びウェーハ研磨加工用治具
US5658183A (en) * 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
JP2933488B2 (ja) * 1994-08-10 1999-08-16 日本電気株式会社 研磨方法および研磨装置
JPH1058308A (ja) * 1996-05-29 1998-03-03 Ebara Corp ポリッシング装置
JP3679882B2 (ja) * 1997-02-07 2005-08-03 株式会社荏原製作所 研磨用クロスのドレッサー及びその製造方法
JP3076291B2 (ja) 1997-12-02 2000-08-14 日本電気株式会社 研磨装置
US5993302A (en) * 1997-12-31 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus
JPH11198026A (ja) * 1998-01-16 1999-07-27 Ebara Corp ポリッシング装置
JPH11214344A (ja) * 1998-01-22 1999-08-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6135868A (en) * 1998-02-11 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Groove cleaning device for chemical-mechanical polishing
JP2000005988A (ja) 1998-04-24 2000-01-11 Ebara Corp 研磨装置
JP3314032B2 (ja) * 1998-04-28 2002-08-12 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2968784B1 (ja) 1998-06-19 1999-11-02 日本電気株式会社 研磨方法およびそれに用いる装置
US6302770B1 (en) * 1998-07-28 2001-10-16 Nikon Research Corporation Of America In-situ pad conditioning for CMP polisher
US6033290A (en) * 1998-09-29 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing conditioner
TW467792B (en) 1999-03-11 2001-12-11 Ebara Corp Polishing apparatus including attitude controller for turntable and/or wafer carrier
TW467795B (en) * 1999-03-15 2001-12-11 Mitsubishi Materials Corp Wafer transporting device, wafer polishing device and method for making wafers
US6407000B1 (en) * 1999-04-09 2002-06-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatuses for making and using bi-modal abrasive slurries for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6498101B1 (en) * 2000-02-28 2002-12-24 Micron Technology, Inc. Planarizing pads, planarizing machines and methods for making and using planarizing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies
US6354928B1 (en) * 2000-04-21 2002-03-12 Agere Systems Guardian Corp. Polishing apparatus with carrier ring and carrier head employing like polarities

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI620618B (zh) * 2012-05-31 2018-04-11 Ebara Corp 研磨裝置及研磨方法
US10702972B2 (en) 2012-05-31 2020-07-07 Ebara Corporation Polishing apparatus
CN116372786A (zh) * 2023-06-05 2023-07-04 北京特思迪半导体设备有限公司 一种晶圆抛光设备
CN116372786B (zh) * 2023-06-05 2023-08-18 北京特思迪半导体设备有限公司 一种晶圆抛光设备

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KR100796227B1 (ko) 2008-01-21
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US6857950B2 (en) 2005-02-22

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