JPH10256209A - 研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、半導体ウェーハの表面を平坦化する
ＣＭＰ装置において、半導体ウェーハ間での平坦化後の
絶縁膜のばらつきを改善できるようにすることを最も主
要な特徴とする。 【解決手段】たとえば、半導体ウェーハ１６を保持する
ウェーハ保持盤１４に回転軸１５の回転運動を伝達する
ための駆動機構部１９の、各トルク駆動ピン１９ｂに歪
み検出ゲージ２０を取り付ける。そして、この歪み検出
ゲージ２０によって、半導体ウェーハ１６の被研磨膜面
と研磨クロスのクロス面との間の摩擦力を、研磨加工時
のトルク駆動ピン１９ｂの歪みとして検出する。こうし
て、摩擦力の変化を間接的にモニタすることで、研磨加
工の終点を物理的に判断する構成となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば、半導
体ウェーハの表面を研磨する研磨装置に関するもので、
特に、半導体ウェーハの表面を平坦化する化学的機械研
磨（以下、単にＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g ）と記す）技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の製造の分野において
は、半導体装置の高密度化・微細化にともない、種々の
微細加工技術が研究・開発されている。その中でも、Ｃ
ＭＰ法は、層間絶縁膜の平坦化、プラグの形成、埋め込
み金属配線の形成や埋め込み素子分離などを行う際には
かかすことのできない、必須の技術となっている。

【０００３】たとえば、ウェーハ上に形成された、電
極、キャパシタ、配線などの凸状構造、および、トレン
チやコンタクトホールなどの凹状構造を平坦化するため
の、酸化珪素膜といった絶縁膜をコロイダルシリカや酸
化セリウムを含む研磨剤を用いてポリッシュするＣＭＰ
法では、従来のメルト技術やレジスト・エッチ・バック
法に比べてより広い範囲での平坦化が可能である。

【０００４】しかしながら、その一方で、ポリッシング
レートの違いなどによって、ウェーハ間での平坦化のば
らつきを制御するのが難しいという問題があった。図８
は、周知の、ＣＭＰ法による平坦化にかかる処理を概略
的に示すものである。

【０００５】たとえば、図８（ａ）に示すように、ウェ
ーハ１上に形成された配線２を覆うようにして成膜され
たプラズマＴＥＯＳ膜などの絶縁膜３を研磨面４に沿っ
て平坦化する場合、一般に、平坦化後の絶縁膜３が所望
の厚さとなるような研磨時間をあらかじめ設定し、その
研磨時間にしたがって、ウェーハ１を数枚から２４枚程
度の単位でまとめて処理する方法が取られている。

【０００６】しかし、絶縁膜３の成膜条件や研磨クロス
の状態のばらつきなどの影響により、ポリッシングレー
トが一定でないために、平坦化後の絶縁膜（以下、残膜
と呼ぶ）３がウェーハ１ごとにばらつく場合がある。

【０００７】図９は、ポリッシングレートが一定でない
場合に、所定の研磨時間にしたがって２４枚のウェーハ
１をまとめて処理した際の、残膜３のばらつきを示すも
のである。

【０００８】すなわち、ポリッシングレートのばらつき
により、残膜３にはウェーハ１ごとに若干の差が生じ
る。特に、たとえば図８（ｂ）に示すように、ウェーハ
１上に形成された配線２が露出するまでポリッシングが
進行するような場合、上層配線の形成にともなって、い
たるところで層間ショートが発生するという不具合を招
く結果となる。

【０００９】また、たとえば図８（ｃ）に示すように、
ウェーハ１の表面に凹凸が残る程度にポリッシングが行
われるような場合、後工程において、上層配線の形成の
ためのパターニングを行っても、露光の焦点が合わずに
配線の形状が乱れるなど、綺麗にパターニングできない
という問題が発生する。

【００１０】このように、従来のＣＭＰ法による平坦化
の処理においては、ウェーハ１間での平坦化の均一性を
制御することが、半導体装置の良好な電気的特性や信頼
性を得る上で重要な課題となっていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、ポリッシングレートの違いなどによって、
ウェーハ間の残膜にばらつきがでるため、ウェーハ間で
の平坦化の均一性を制御するのが難しいという問題があ
った。

【００１２】そこで、この発明は、各半導体基板の研磨
後の被研磨膜のばらつきを改善でき、半導体基板間での
平坦化の均一性を容易に制御することが可能な研磨装置
を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の研磨装置にあっては、凹凸を覆うよう
にして被研磨膜が設けられてなる半導体基板を保持する
保持手段と、この保持手段を支持し、該保持手段に保持
された前記半導体基板の被研磨膜面を研磨定盤上の研磨
布に当接させる、回転可能に設けられた支持手段と、こ
の支持手段の回転運動を前記保持手段に伝達するための
伝達手段と、この伝達手段に設けられ、研磨動作により
生じる、前記半導体基板の被研磨膜面と前記研磨定盤上
の研磨布との間の研磨力を間接的に検出する検出手段と
を具備し、前記検出手段の出力にもとづいて、前記研磨
動作の終点を判断する構成とされている。

【００１４】この発明の研磨装置によれば、研磨動作時
の半導体基板の被研磨膜面と研磨定盤上の研磨布との間
の摩擦力の変化をモニタできるようになる。これによ
り、研磨動作の終点を物理的に判断することが可能とな
るものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる、ＣＭＰ装置の概略構成を示すものであ
る。

【００１６】すなわち、研磨定盤１１は、軸１２を中心
に図示矢印方向に定速回転できるようになっている。そ
して、その研磨定盤１１の上面には、研磨クロス（研磨
布）１３が貼付されている。

【００１７】上記研磨定盤１１の上方には、該研磨定盤
１１の中心から外れた位置にウェーハ保持盤（保持手
段）１４が配置されている。このウェーハ保持盤１４
は、回転軸（支持手段）１５を中心に図示矢印方向に定
速回転できるようになっている。

【００１８】また、ウェーハ保持盤１４は、その下面に
おいて、研磨対象物としての半導体ウェーハ（半導体基
板）１６を真空チャックなどにより保持できるようにな
っている。そして、ウェーハ保持盤１４は、研磨定盤１
１の上面に対して昇降可能に支持されて、研磨（平坦
化）加工を行う際には、保持する半導体ウェーハ１６の
被研磨膜面を所定の圧力で上記研磨クロス１３のクロス
面に押圧できるように構成されている。

【００１９】また、上記研磨定盤１１の上方には供給装
置１７が配設されている。この供給装置１７は、上記半
導体ウェーハ１６の外周部分が位置する上記研磨クロス
１３の、回転の中心の近傍で、かつ、上記半導体ウェー
ハ１６が対応する上流側の位置に、コロイダルシリカや
酸化セリウムを含む研磨剤１７ａを供給するようになっ
ている。

【００２０】図２は、上記したウェーハ保持盤１４の構
成を、さらに詳細に示すものである。上記ウェーハ保持
盤１４は、たとえば、上記回転軸１５に対して圧力伝達
機構１８を介して揺動自在に支持されて、上記回転軸１
５の回転運動が直に伝達されないようになっている。

【００２１】圧力伝達機構１８は、上記回転軸１５に加
えられる、エアーシリンダなどの図示していない加圧機
構からの垂直な下向き方向の圧力を、たとえば、球面に
よって受ける形状のジョイント部品やロータリー・ジョ
イントなどにより構成されている。

【００２２】上記ウェーハ保持盤１４には、たとえば、
伝達手段としての駆動機構部１９を介して、上記回転軸
１５の回転運動が伝達されるようになっている。駆動機
構部１９は、上記回転軸１５に取り付けられたトルク伝
達ピン１９ａと、このトルク伝達ピン１９ａに係合され
るように、上記ウェーハ保持盤１４に取り付けられたト
ルク駆動ピン１９ｂとで構成されている。

【００２３】ここでの伝達手段としては、たとえば同図
に示すように、４組の駆動機構部１９がそれぞれ所定の
角度を保って等間隔に配設されてなる構成とされてい
る。各駆動機構部１９の、トルク駆動ピン１９ｂのそれ
ぞれには、歪み検出ゲージ（検出手段）２０が取り付け
られている。この歪み検出ゲージ２０は、上記半導体ウ
ェーハ１６の被研磨膜面と上記研磨クロス１３のクロス
面との間の摩擦力を、各トルク駆動ピン１９ｂの歪み
（変形量）として検出するものである。

【００２４】上記歪み検出ゲージ２０の各歪み出力は、
たとえば、無線などの通信手段を介して、図示していな
い加工終点検出部に送られるようになっている。この加
工終点検出部では、上記各歪み検出ゲージ２０からの出
力にもとづいて研磨加工の終点を判断し、該ＣＭＰ装置
の制御装置（図示せず）に対して研磨終了信号を発生す
るようになっている。

【００２５】ここで、図３を参照して、上記半導体ウェ
ーハ１６の被研磨膜面および上記研磨クロス１３のクロ
ス面間における摩擦力と、上記トルク駆動ピン１９ｂの
歪みとの関係について説明する。

【００２６】なお、同図（ａ）は、研磨時間に対する、
上記半導体ウェーハ１６の被研磨膜面と上記研磨クロス
１３のクロス面との間の摩擦力の変化を、同図（ｂ）
は、研磨時間に対する、上記歪み検出ゲージ２０の歪み
出力の変化を、それぞれ概略的に示すものである。

【００２７】この図からも明らかなように、上記半導体
ウェーハ１６の被研磨膜面と上記研磨クロス１３のクロ
ス面との間の摩擦力の変化にほぼ比例する形で、上記歪
み検出ゲージ２０の歪み出力は変化する。

【００２８】これは、上記ウェーハ保持盤１４に対して
上記回転軸１５の回転運動が伝達される、上記各駆動機
構部１９のトルク駆動ピン１９ｂのそれぞれには、上記
半導体ウェーハ１６の被研磨膜面と上記研磨クロス１３
のクロス面との間の摩擦力がダイレクトにかかるためと
考えられる。

【００２９】したがって、上記トルク駆動ピン１９ｂの
歪みを検出することで、上記半導体ウェーハ１６の被研
磨膜面と上記研磨クロス１３のクロス面との間の摩擦力
を、間接的に検出できる。

【００３０】このように、上記トルク駆動ピン１９ｂに
は、上記半導体ウェーハ１６の被研磨膜面と上記研磨ク
ロス１３のクロス面との間の摩擦力が最も敏感に影響す
る。このため、上記歪み検出ゲージ２０の歪み出力によ
って、被研磨膜面の平坦化の進行の状況を容易にモニタ
することが可能となる。

【００３１】なお、本図においては、凹凸を覆うように
して設けられた被研磨膜としての層間絶縁膜（図４参
照）を研磨加工した際の、摩擦力と歪み出力との関係を
示している。

【００３２】この例の場合、研磨時間が経過するにした
がって摩擦力が大きくなる一方で、ある時点より、摩擦
力の変化の度合いが小さくなる。これは、層間絶縁膜に
凹凸がある方がクロス面との間の摩擦力は小さく、平坦
になるにつれて摩擦力は大きくなり、やがて、完全に平
坦になって摩擦力が安定になるためである。

【００３３】そこで、摩擦力が安定するのにともなっ
て、上記トルク駆動ピン１９ｂの歪みの変化の度合いが
小さくなる時点を目安に研磨加工を終了させることで、
ポリッシングレートのばらつきにかかわらず、上記半導
体ウェーハ１６間での平坦化の均一性を容易に制御でき
るようになる。

【００３４】次に、このような構成のＣＭＰ装置におけ
る研磨の方法について説明する。図４は、被研磨膜とし
ての、半導体ウェーハ１６上の層間絶縁膜を研磨して平
坦化する場合を例に示すものである。

【００３５】たとえば、同図（ａ）に示すように、半導
体ウェーハ１６上に形成された配線１６ａを覆うように
して成膜されたプラズマＴＥＯＳ膜などの絶縁膜１６ｂ
を研磨面１６ｃに沿って平坦化する場合、まず、研磨定
盤１１を定速回転させる。

【００３６】そして、研磨クロス１３上の、その回転の
中心の近傍で、かつ、上記半導体ウェーハ１６が対応す
る上流側の位置に、供給装置１７より研磨剤１７ａを供
給する。

【００３７】一方、ウェーハ保持盤１４の下面に、研磨
加工に供される半導体ウェーハ１６を、絶縁膜１６ｂを
下にして保持させる。そして、ウェーハ保持盤１４を定
速回転させながら降下させ、さらに、所定の圧力により
押圧して、半導体ウェーハ１６の絶縁膜１６ｂを研磨ク
ロス１３のクロス面に接触させる。

【００３８】これにより、ウェーハ保持盤１４によって
保持された半導体ウェーハ１６の被研磨膜面に対して、
研磨加工が施される。すなわち、研磨剤１７ａを介在さ
せた状態で、半導体ウェーハ１６上の絶縁膜１６ｂが研
磨クロス１３のクロス面と繰り返し摺接されることによ
り、絶縁膜１６ｂは徐々に研磨されて平坦化される。

【００３９】このとき、各駆動機構部１９のトルク駆動
ピン１９ｂのそれぞれの歪みを歪み検出ゲージ２０によ
って検出することにより、絶縁膜１６ｂの平坦化の進行
の状況がモニタされる。

【００４０】そして、それぞれの歪み検出ゲージ２０か
らの出力にもとづいて、たとえば、各トルク駆動ピン１
９ｂの歪みの変化の度合いが小さくなる時点を目安に研
磨加工の終点が判断され、加工終点検出部により該ＣＭ
Ｐ装置の制御装置に対して研磨終了信号が発生される。

【００４１】これにより、ウェーハ保持盤１４が上昇さ
れて、半導体ウェーハ１６が研磨クロス１３上から引き
離されることにより、研磨加工は終了される。このよう
に、トルク駆動ピン１９ｂの歪みによって絶縁膜１６ｂ
の平坦化の進行の状況をモニタし、その終点を物理的に
判断するようにすることで、同図（ｂ）に示すように、
半導体ウェーハ１６上の絶縁膜１６ｂの研磨加工を制御
性よく終了できるようになる。

【００４２】図５は、上記の研磨方法により、２４枚の
半導体ウェーハ１６をまとめて処理した際の残膜のばら
つきを示すものである。この図からも明らかなように、
ポリッシングレートが一定でない場合でも、各半導体ウ
ェーハ１６に対する研磨加工の終点を物理的に判断する
ことが可能になるため、半導体ウェーハ１６間での平坦
化後の絶縁膜１６ｂのばらつきを大幅に減少できる。

【００４３】この結果、半導体ウェーハ１６間での平坦
化の均一性を容易に制御することが可能となり、半導体
装置を製造する際にも、良好な電気的特性や信頼性が得
られるようになるものである。

【００４４】すなわち、半導体ウェーハ１６上に形成さ
れた配線１６ａが露出するまでポリッシングが進行し、
上層配線の形成にともなって、いたるところで層間ショ
ートが発生するという不具合を解決できる。

【００４５】また、半導体ウェーハ１６の表面に凹凸が
残る程度にポリッシングが行われ、後工程において、上
層配線の形成のためのパターニングを行った際に、露光
の焦点が合わずに配線の形状が乱れるなど、綺麗にパタ
ーニングできないという問題が生じることもない。

【００４６】上記したように、研磨加工時の半導体ウェ
ーハの絶縁膜と研磨定盤上の研磨クロスとの間の摩擦力
の変化をモニタできるようにしている。すなわち、トル
ク駆動ピンには半導体ウェーハ上の絶縁膜と研磨クロス
のクロス面との間の摩擦力が最も敏感に影響するため、
この摩擦力の変化をトルク駆動ピンの歪みとして検出す
るようにしている。これにより、絶縁膜の平坦化の進行
の状況をモニタできるようになるため、研磨加工の終点
を物理的に判断することが可能となる。したがって、ポ
リッシングレートのばらつきによらず、各半導体ウェー
ハの平坦化後の絶縁膜のばらつきを改善でき、半導体ウ
ェーハ間での平坦化の均一性を容易に制御することが可
能となるものである。

【００４７】なお、上記した本発明の実施の一形態にお
いては、被研磨膜としての層間絶縁膜の凹凸を平坦化す
る場合について説明したが、これに限らず、たとえばプ
ラグの形成、埋め込み配線や埋め込み素子分離を形成す
る場合にも同様に適用できる。

【００４８】図６は、半導体ウェーハ１６上に埋め込み
配線を形成する場合を例に示すものである。たとえば、
半導体ウェーハ１６上に形成された配線１６ａを覆うよ
うにして成膜されたプラズマＴＥＯＳ膜などの絶縁膜１
６ｂに、上記配線１６ａなどにつながる埋め込み配線も
しくは上層配線としての埋め込み配線を形成する場合、
まず、同図（ａ）に示すように、上記絶縁膜１６ｂの表
面が研磨面１６ｃに沿って平坦化される。

【００４９】そして、たとえば同図（ｂ）に示すよう
に、上記絶縁膜１６ｂに形成された、上記配線１６ａな
どにつながる接続孔１６ｄもしくは上層配線のための溝
１６ｅ内を埋め込むようにして、メタル膜（被研磨膜）
１６ｆが成膜される。

【００５０】この後、たとえば同図（ｃ）に示すよう
に、上述した絶縁膜１６ｂの平坦化と同様にして研磨加
工が行われ、上記絶縁膜１６ｂ上の余分なメタル膜１６
ｆが除去される。

【００５１】すなわち、上記半導体ウェーハ１６はウェ
ーハ保持手段１４の下面にメタル膜１６ｆを下にして保
持され、回転と荷重とが加えられた状態で、その被研磨
膜面が、供給装置１７より研磨剤１７ａが供給されつつ
回転される研磨クロス１３のクロス面に接触される。こ
れにより、メタル膜１６ｆは徐々に研磨されて平坦化さ
れる。

【００５２】このとき、ウェーハ保持手段１４におけ
る、各駆動機構部１９のトルク駆動ピン１９ｂのそれぞ
れの歪みを歪み検出ゲージ２０によって検出することに
より、メタル膜１６ｆの平坦化の進行の状況がモニタさ
れる。

【００５３】そして、それぞれの歪み検出ゲージ２０か
らの出力にもとづいて、たとえば、絶縁膜１６ｂの表面
が露出することによって、各トルク駆動ピン１９ｂの歪
みの変化の度合いが小さくなる時点を目安に研磨加工の
終点が判断され、加工終点検出部により該ＣＭＰ装置の
制御装置に対して研磨終了信号が発生される。

【００５４】こうして、たとえば同図（ｃ）に示すよう
に、研磨加工が終了されることによって、上記接続孔１
６ｄおよび上記溝１６ｅ内にそれぞれメタル膜が埋め込
まれてなる、埋め込み配線１６ｇが制御性よく形成され
る。

【００５５】この結果、たとえば、研磨時間が不足して
絶縁膜１６ｂ上にメタル膜１６ｆが残って配線間ショー
トを引き起こしたり、逆に、研磨時間が過剰となって埋
め込み配線１６ｇが減って配線抵抗が上がったり、配線
オープンとなるのを防止できる。

【００５６】また、絶縁膜１６ｂの残膜のばらつきが改
善されるため、埋め込み配線１６ｇの深さおよび開口面
積をそろえることができて、埋め込み配線１６ｇの抵抗
のばらつきをも低減できる。

【００５７】図７は、上記したメタル膜１６ｆを研磨し
た際の、摩擦力と歪み出力との関係を概略的に示すもの
である。なお、同図（ａ）は、上記半導体ウェーハ１６
上のメタル膜１６ｆと上記研磨クロス１３のクロス面と
の間の摩擦力の変化を、同図（ｂ）は、上記歪み検出ゲ
ージ２０の歪み出力の変化を、それぞれ研磨時間に対し
てプロットしたものである。

【００５８】この図からも明らかなように、上記半導体
ウェーハ１６上のメタル膜１６ｆが研磨されて絶縁膜１
６ｂが露出されるにつれ、研磨クロス１３との間の摩擦
力は徐々に小さくなり、それにもとなって、上記トルク
駆動ピン１９ｂの歪みの変化の度合いも小さくなる。

【００５９】これは、メタル膜１６ｆよりも絶縁膜１６
ｂの方が、摩擦力が小さいためと考えられる。したがっ
て、埋め込み配線１６ｇを形成する場合においても、上
記トルク駆動ピン１９ｂの歪みの変化の度合いが小さく
なる時点を目安に研磨加工を終了させることで、ポリッ
シングレートのばらつきにかかわらず、上記半導体ウェ
ーハ１６間でのばらつきを大幅に減少できるようになる
ものである。

【００６０】また、上記した実施の各形態においては、
４つの駆動機構部１９の各トルク駆動ピン１９ｂにそれ
ぞれ歪み検出ゲージ２０を取り付け、半導体ウェーハ１
６の被研磨膜面と上記研磨クロス１３のクロス面との間
の摩擦力をより正確に検出できるようにした場合につい
て説明したが、たとえば、少なくとも１つの駆動機構部
１９のトルク駆動ピン１９ｂにのみ歪み検出ゲージ２０
を取り付けるようにしてもよく、駆動機構部１９や歪み
検出ゲージ２０の数には何ら制限されないものである。

【００６１】また、上記した歪み検出ゲージ２０によっ
て、たとえば、駆動機構部１９のトルク伝達ピン１９ａ
の歪みを検出するようにした場合にも、同様に実施でき
る。その他、この発明の要旨を変えない範囲において、
種々変形実施可能なことは勿論である。

【００６２】

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、各半導体基板の研磨後の被研磨膜のばらつきを改善
でき、半導体基板間での平坦化の均一性を容易に制御す
ることが可能な研磨装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の一形態にかかる、ＣＭＰ装置
の概略を示す構成図。

【図２】同じく、ＣＭＰ装置におけるウェーハ保持盤の
概略構成を示す斜視図。

【図３】同じく、層間絶縁膜を平坦化した際の、摩擦力
と歪みとの関係について説明するために示す概略図。

【図４】同じく、半導体ウェーハ上の層間絶縁膜を平坦
化する場合を例に、ＣＭＰ装置における研磨の方法につ
いて説明するために示す概略断面図。

【図５】同じく、半導体ウェーハ間での残膜のばらつき
を示す概略図。

【図６】同じく、半導体ウェーハ上に埋め込み配線を形
成する場合を例に、ＣＭＰ装置における研磨の方法につ
いて説明するために示す概略断面図。

【図７】同じく、メタル膜を研磨した際の、摩擦力と歪
み出力との関係について説明するために示す概略図。

【図８】従来技術とその問題点を説明するために示す、
周知の、ＣＭＰ法による平坦化にかかる処理の概略図。

【図９】同じく、半導体ウェーハ間での残膜のばらつき
を示す概略図。

【符号の説明】

１１…研磨定盤 １２…軸 １３…研磨クロス １４…ウェーハ保持盤 １５…回転軸 １６…半導体ウェーハ １７…供給装置 １７ａ…研磨剤 １８…圧力伝達機構 １９…駆動機構部 １９ａ…トルク伝達ピン １９ｂ…トルク駆動ピン ２０…歪み検出ゲージ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 凹凸を覆うようにして被研磨膜が設けら
   れてなる半導体基板を保持する保持手段と、 この保持手段を支持し、該保持手段に保持された前記半
   導体基板の被研磨膜面を研磨定盤上の研磨布に当接させ
   る、回転可能に設けられた支持手段と、 この支持手段の回転運動を前記保持手段に伝達するため
   の伝達手段と、 この伝達手段に設けられ、研磨動作により生じる、前記
   半導体基板の被研磨膜面と前記研磨定盤上の研磨布との
   間の研磨力を間接的に検出する検出手段とを具備し、 前記検出手段の出力にもとづいて、前記研磨動作の終点
   を判断するようにしたことを特徴とする研磨装置。
2. 【請求項２】 前記伝達手段は、前記支持手段に取り付
   けられたトルク伝達ピンと、このトルク伝達ピンに係合
   されるように、前記保持手段に取り付けられたトルク駆
   動ピンとからなる、少なくとも１組の駆動機構部によっ
   て構成されることを特徴とする請求項１に記載の研磨装
   置。
3. 【請求項３】 前記検出手段は、前記伝達手段を構成す
   る、各駆動機構部のトルク駆動ピンのそれぞれに設けら
   れることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれ
   かに記載の研磨装置。
4. 【請求項４】 前記検出手段は、前記半導体基板の被研
   磨膜面と前記研磨定盤上の研磨布との間の摩擦力に応じ
   た、前記トルク駆動ピンの変形量を検出する歪み検出ゲ
   ージであることを特徴とする請求項１、請求項２または
   請求項３のいずれかに記載の研磨装置。
5. 【請求項５】 前記支持手段は、前記保持手段を圧力伝
   達機構を介して揺動自在に支持するものであることを特
   徴とする請求項１に記載の研磨装置。
6. 【請求項６】 前記被研磨膜は、前記半導体基板上の凹
   凸を覆うようにして設けられた絶縁膜であることを特徴
   とする請求項１に記載の研磨装置。
7. 【請求項７】 前記被研磨膜は、前記半導体基板上の凹
   凸に沿って埋め込まれた埋め込み配線であることを特徴
   とする請求項１に記載の研磨装置。