JPH0513389A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置

Info

Publication number
JPH0513389A
JPH0513389A JP3160682A JP16068291A JPH0513389A JP H0513389 A JPH0513389 A JP H0513389A JP 3160682 A JP3160682 A JP 3160682A JP 16068291 A JP16068291 A JP 16068291A JP H0513389 A JPH0513389 A JP H0513389A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
wafer
pad
slurry
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3160682A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3334139B2 (ja
Inventor
Junichi Sato
淳一 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP16068291A priority Critical patent/JP3334139B2/ja
Priority to US07/904,507 priority patent/US5246525A/en
Priority to KR1019920011463A priority patent/KR100240455B1/ko
Publication of JPH0513389A publication Critical patent/JPH0513389A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3334139B2 publication Critical patent/JP3334139B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】ウエハー５の表面研磨がより均一になされる研
磨装置を提供する。 【構成】表面に研磨パッド９を備えた研磨プレート３と
上記パッド９の表面に対向し、且つ被研磨基板（ウエハ
ー）を接触可能にする基板支持台と、ウエハーを研磨す
るための研磨剤２を上記パッド９の表面に供給する研磨
剤供給口１とを具備する研磨装置において、上記研磨パ
ッド９の表面への研磨剤２の供給量を上記パッド９の表
面の所定位置でコントロール可能にして、ウエハー面内
での研磨剤２の供給量をコントロール可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板を研磨して平坦化
する研磨装置、特に半導体集積回路等の複雑な段差を有
する基板を均一性良く平坦化する研磨装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化、超高集積化に
伴い、例えばシリコン（Ｓｉ）半導体では回路基板の多
層化が進んでいる。従って、回路基板の多層化のためは
層間絶縁膜を中心とした平坦化技術が今後ますます重要
になってくると思われる。この平坦化技術は表１に示し
たように、種々の方法が知られている。
【０００３】
【表１】
【０００４】ここでは、広く知られているＣＶＤ法によ
って絶縁膜を形成した後、上方から平坦にエッチングを
行なう（ＣＶＤ＋エッチバック）プロセスを例にとって
説明する。
【０００５】このＣＶＤ＋エッチバックプロセスは、図
４に示すように、例えばアルミニウム（Ａｌ）配線１１
上にＳｉＯ2等の層間絶縁膜のＣＶＤ膜１２を厚くＡｌ
配線１１状態にならって積層した後、その上面にレジス
トあるいはＳＯＧ（スピンオングラス）等の平坦化用塗
布膜１３を塗布して平坦化し、塗布膜１３とＣＶＤ膜１
２のエッチレートを１：１と同一条件でブランケットエ
ッチバックを行い、平坦化用塗布膜１３の塗布後、平坦
化形状を層間絶縁膜１２の形状に平坦に反映するもので
ある。しかしながら、 １）プロセスが複雑である。 ２）平坦化用塗布膜１３と層間絶縁膜１２のエッチング
比率を１：１にすることは困難である。というのは、レ
ジスト１３と層間絶縁膜１２の面積比がエッチバックが
進むにつれて変化するため、マイクロローディング効果
によってそれぞれのエッチングレートが多少異なってく
るという理由からである。このことは図４でＡ１−Ａ２
とＢ１−Ｂ２の面がＣＶＤ膜１２を切って得られるそれ
ぞれの面積が変化することからも理解できる。
【０００６】そこで、上記１）と２）の欠点を克服する
ために研磨による平坦化技術が最近Ｓｉプロセスにも取
り入れられてきた。この平坦化技術としては、従来ウエ
ハー（Ｓｉ基板）の鏡面仕上げ、最近ではＳＯＩ（Ｓil
icon Ｏn Ｉnsulator）デバイスで用いられてきた技術
である。例えば、文献「“Ｔrench Ｉsolation by Ｓel
ective Ｅpi and ＣＶＤ Ｏxide Ｃap”Ｊ．Ｅlectroch
em ＳＯＣ，Ｖol.１３７ Ｎo.１２、１９９０年１２
月」に開示されたように、ＩＢＭでは層間絶縁膜の平坦
化の研究を報告している。この研究では一般的に図５に
示したように、Ａｌ配線１１上に破線１２で示すように
層間絶縁膜としてのＣＶＤ膜１２を厚く積み、研磨装置
で研磨（ポリッシュ）して研磨後のＣＶＤ膜１２ａのよ
うに平坦化するものである。
【０００７】この研磨装置は図６に示すように、回転す
る研磨プレート回転軸４に支承され、表面に研磨パッド
９を備えた研磨プレート３上にウエハー（基板）５をセ
ットし、研磨剤（以下、スラリーという）２を、スラリ
ー供給口１を介してウエハー５の周辺から供給しながら
研磨する装置である。
【０００８】図中、６はウエハー保持試料台、７はウエ
ハー支持台回転軸、８はウエハー５をパッド９へ押し付
けるための研磨圧力調整機構であり、１０はスラリー２
を研磨パッド９上に供給するスラリー供給系である。
【０００９】上記従来の研磨装置を用いてウエハーを研
磨すると、図７（ａ）および図９に示すようにウエハー
中心よりもウエハー周辺でより研磨がなされるというウ
エハー内の研磨速度に分布をもつことが見出された。特
に、図９からウエハーの研磨パッドへの接触圧力が小さ
い程その傾向がわかる。この原因は、上記研磨装置では
一般的に図６に示したようにウエハー周辺からスラリー
を供給するために、ウエハー中心までスラリーが充分に
行き亘らないことに起因することがわかった。
【００１０】そこで、上記装置の欠点を解消するため、
下記のような２つの研磨装置が提案された。第１の例と
しては、実開昭６３−７５４号に開示された研磨装置で
ある。この研磨装置は図８に示されているように、スラ
リー系供給系１０から出たスラリー２を、研磨プレート
３とウエハー研磨パッド９に同心円状に穿った複数の小
孔（スラリー供給口）１を通して、ウエハー（図示せ
ず）の表面にほぼ均等に供給しながら、その表面を研磨
することによって研磨速度を一定にして研磨の均一性を
向上させたものである。
【００１１】第２の例としては、すでに本出願人が提案
した装置で特開平２−１００３２１号に開示されている
ように、上記ウエハー研磨パッド９を多孔質で連続孔を
有する材料で形成し、上記第１の例と同じウエハー面の
研磨の均一性を向上させる装置であった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記第１、第２の提案
例は、ウエハー外周のみからしかスラリーが供給されな
い従来の研磨装置と比較すると、ウエハー面に直接スラ
リーが供給されるような構造となったため、ウエハー内
の研磨の均一性は改善例の図７（ｂ）に示すように、ウ
エハー研磨の分布が図７（ａ）の凸レンズ状と異なり、
ほぼ一定に改善されている。
【００１３】しかしながら、近年、ウエハーの直径が大
口径となるにつれて、ウエハー５が研磨プレート３上の
研磨パッド９に押し付けられる圧力はウエハー周辺に比
べて中心の方が大きくなり、しかもスラリー量がウエハ
ー面に直接均一に供給されるタイプでは研磨後の断面形
状が従来の凸レンズ状から凹レンズ状になることも予想
される。また、それに到らなくとも充分な研磨均一性が
得られない可能性がある。
【００１４】本発明は、ウエハー表面の研磨がより均一
になされる研磨装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を本発明によれ
ば、表面に研磨パッドを備えた研磨プレートと、前記研
磨パッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を接触可能に
する基板支持台と、前記被研磨基板を研磨するためのス
ラリーを前記研磨パッドの表面に供給する研磨剤供給口
とを具備する研磨装置において、前記研磨パッドの表面
への前記研磨剤の供給量を該研磨パッドの表面の所定位
置においてコントロール可能にして、前記被研磨基板面
内で前記スラリーの供給量をコントロール可能にしたこ
とを特徴とする研磨装置によって解決される。
【００１６】
【作用】本発明によれば、被研磨基板５に接触される研
磨パッド９の表面への研磨剤２の供給量がそのパッド表
面の所定位置でコントロール可能になっており、従っ
て、研磨パッド９の表面に接触されて研磨される被研磨
基板５がその面内で研磨剤２の供給量がコントロール可
能となっているため、研磨速度が基板表面の中心でもま
た周辺でも均一化がなされ、基板研磨の均一性が飛躍的
に向上する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
【００１８】図１（ａ）および図１（ｂ）は、本発明の
第１の実施例を示す概略平面図および図１（ａ）のＰＰ
断面図である。本発明の実施例は、図６で示した従来の
研磨装置システムのうち、特に研磨プレート部のみを示
した。図１（ａ），（ｂ）に示した符号は図６と同様に
した。
【００１９】第１実施例は図１（ａ）および図１（ｂ）
に示すように、スラリーの供給は図８に示した装置と同
様に研磨プレート３内を介してなされるが、特にスラリ
ーの供給口１の配置は研磨プレート３の中心部Ａほど粗
に構成し、周辺Ｂほど密に構成した。
【００２０】本研磨装置を用いて以下の条件でウエハー
上にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2の研磨を行なった。
【００２１】 研磨プレート３の回転数：３７ｒｐｍ ウエハー支持台回転数：１７ｒｐｍ 研磨圧力：８ｐｓｉ スラリー流量：２２５ｍｌ／ｍｉｎ 研磨パッド温度：９０℃ この結果、ＳｉＯ2研磨速度の均一化が図られ、ウエハ
ー研磨後の断面形状が凹レンズ状になることを抑制でき
た。
【００２２】次に、第２の実施例を図１と同様に図２
（ａ）および図２（ｂ）で示す。本第２実施例は研磨プ
レートに設けたスラリー供給口１の直径をウエハーの中
心部では小さく、周辺部では大きくなるように構成した
研磨装置である。
【００２３】このようにスラリー供給口を構成した研磨
装置を用いて上記第１実施例と同じ条件でウエハー上に
ＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2の研磨を行なった。
【００２４】この結果、第１実施例と同様にＳｉＯ2研
磨速度の均一化が図られ、ウエハー研磨後の断面形状が
凹レンズ状になることを抑制できた。
【００２５】次に、第３の実施例を図１と同様に図３
（ａ）および図３（ｂ）で示す。本第３実施例は図３
（ａ）および図３（ｂ）で示されるように研磨プレート
３内を介して供給されるスラリーの供給量をコントロー
ルする機構１０を複数設けた構成とし、ウエハー中心に
対するスラリー供給量を調整可能とした研磨装置であ
る。従って、本装置ではスラリーの供給をウエハー中心
に対しては少なく、ウエハー周辺に対しては多く供給す
ることができる。
【００２６】このように、スラリー供給量をコントロー
ルする機構を有するスラリー供給系１０を具備した本研
磨装置を用いて、上記実施例と同じ条件でウエハー上に
ＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2の研磨を行なった。この結
果、第１実施例と同様に、ＳｉＯ2研磨速度の均一化が
図られ、ウエハー研磨後の断面形状が凹レンズ状になる
ことを抑制できた。
【００２７】以上、第１〜第３の実施例では、研磨圧力
がウエハー中心程高くなり、研磨後の形状が凹レンズ状
になることを防止する実施例として説明した。
【００２８】しかしながら、本発明は、上記研磨後の形
状の凹レンズ状を防止する例のみならず、研磨後の形状
の凸レンズの防止をも可能となるようにウエハー面内に
わたってスラリー供給量をコントロールして、研磨の均
一性を高めることもできる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
研磨量を均一にするようにウエハー中心からウエハー周
辺まで適当量のスラリーを供給できるので、ウエハー全
体にわたり均一な研磨速度が得られ、したがって高精度
な加工ができ、高品質の半導体集積回路を製造すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図４】従来の平坦化技術であるレジスト＋エッチバッ
クの問題点を示す断面図である。
【図５】研磨（ポリッシング）による平坦化を示す断面
図である。
【図６】従来の研磨装置の一例を示す概略図である。
【図７】研磨後のウエハー表面形状を示す図である。
【図８】従来の研磨装置の他の一例を示す概略断面図で
ある。
【図９】スラリーがウエハー外周からのみ供給される従
来装置を用いた場合の研磨量とウエハー上の研磨位置の
関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１ スラリー（研磨剤）供給口 ２ スラリー（研磨剤） ３ 研磨プレート（プラテン） ４ 研磨プレート回転軸 ５ ウエハー（被研磨基板） ６ ウエハー支持台 ７ ウエハー支持台回転軸 ８ 研磨圧力調整機構 ９ 研磨パッド １０ スラリー供給系 １１ アルミニウム（Ａｌ）配線 １２ ＣＶＤ膜 １３ 平坦化用レジスト

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 表面に研磨パッドを備えた研磨プレート
    と、前記研磨パッドの表面に対向し、且つ被研磨基板を
    接触可能にする基板支持台と、前記被研磨基板を研磨す
    るための研磨剤を前記研磨パッドの表面に供給する研磨
    剤供給口とを具備する研磨装置において、前記研磨パッ
    ドの表面への前記研磨剤の供給量を該研磨パッドの表面
    の所定位置においてコントロール可能にして、前記被研
    磨基板面内で前記研磨剤の供給量をコントロール可能に
    したことを特徴とする研磨装置。
JP16068291A 1991-07-01 1991-07-01 研磨装置 Expired - Lifetime JP3334139B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16068291A JP3334139B2 (ja) 1991-07-01 1991-07-01 研磨装置
US07/904,507 US5246525A (en) 1991-07-01 1992-06-25 Apparatus for polishing
KR1019920011463A KR100240455B1 (ko) 1991-07-01 1992-06-29 연마장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16068291A JP3334139B2 (ja) 1991-07-01 1991-07-01 研磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0513389A true JPH0513389A (ja) 1993-01-22
JP3334139B2 JP3334139B2 (ja) 2002-10-15

Family

ID=15720192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16068291A Expired - Lifetime JP3334139B2 (ja) 1991-07-01 1991-07-01 研磨装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5246525A (ja)
JP (1) JP3334139B2 (ja)
KR (1) KR100240455B1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2548668B2 (ja) * 1993-02-26 1996-10-30 エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社 半導体デバイス製造装置
US5853317A (en) * 1996-06-27 1998-12-29 Nec Corporation Polishing pad and polishing apparatus having the same
JP2001291687A (ja) * 1999-12-13 2001-10-19 Applied Materials Inc 研磨装置の領域にスラリを制御して送出する装置および方法
US6783446B1 (en) 1998-02-26 2004-08-31 Nec Electronics Corporation Chemical mechanical polishing apparatus and method of chemical mechanical polishing
US20100151772A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-17 Schneider Gmbh & Co. Kg Polishing head for the zonal machining of optical spectacle surfaces
JP2011235425A (ja) * 2010-05-13 2011-11-24 Asahi Glass Co Ltd 研磨パッド及び研磨パッドを用いた研磨装置
KR101420900B1 (ko) * 2007-06-25 2014-07-17 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 슬러리의 수동적 제거를 제공하는 연마 어셈블리들을 구비한 ｃｍｐ 장치들
KR20210121279A (ko) * 2019-02-28 2021-10-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 후면 층의 습윤의 조정에 의한 화학적 기계적 연마 패드 강성 제어

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6964890B1 (en) 1992-03-17 2005-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US5733175A (en) 1994-04-25 1998-03-31 Leach; Michael A. Polishing a workpiece using equal velocity at all points overlapping a polisher
US5562530A (en) * 1994-08-02 1996-10-08 Sematech, Inc. Pulsed-force chemical mechanical polishing
US5783497A (en) * 1994-08-02 1998-07-21 Sematech, Inc. Forced-flow wafer polisher
US5607341A (en) 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
ATE186001T1 (de) 1994-08-09 1999-11-15 Ontrak Systems Inc Linear poliergerät und wafer planarisierungsverfahren
US5593344A (en) * 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
JPH08195363A (ja) * 1994-10-11 1996-07-30 Ontrak Syst Inc 流体軸受を有する半導体ウェーハポリシング装置
US5558111A (en) * 1995-02-02 1996-09-24 International Business Machines Corporation Apparatus and method for carrier backing film reconditioning
US5658185A (en) * 1995-10-25 1997-08-19 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical polishing apparatus with slurry removal system and method
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US5804507A (en) * 1995-10-27 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Radially oscillating carousel processing system for chemical mechanical polishing
US5709593A (en) 1995-10-27 1998-01-20 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system
US5916012A (en) * 1996-04-26 1999-06-29 Lam Research Corporation Control of chemical-mechanical polishing rate across a substrate surface for a linear polisher
US6056851A (en) * 1996-06-24 2000-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Slurry supply system for chemical mechanical polishing
US5899801A (en) * 1996-10-31 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing a substrate from a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
US6379221B1 (en) 1996-12-31 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically changing a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
US5921849A (en) * 1997-06-04 1999-07-13 Speedfam Corporation Method and apparatus for distributing a polishing agent onto a polishing element
US5931724A (en) * 1997-07-11 1999-08-03 Applied Materials, Inc. Mechanical fastener to hold a polishing pad on a platen in a chemical mechanical polishing system
US6336845B1 (en) 1997-11-12 2002-01-08 Lam Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
US6135865A (en) 1998-08-31 2000-10-24 International Business Machines Corporation CMP apparatus with built-in slurry distribution and removal
US6227950B1 (en) 1999-03-08 2001-05-08 Speedfam-Ipec Corporation Dual purpose handoff station for workpiece polishing machine
US6346032B1 (en) * 1999-09-30 2002-02-12 Vlsi Technology, Inc. Fluid dispensing fixed abrasive polishing pad
US6341998B1 (en) 1999-11-04 2002-01-29 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit (IC) plating deposition system and method
US6514863B1 (en) * 2000-02-25 2003-02-04 Vitesse Semiconductor Corporation Method and apparatus for slurry distribution profile control in chemical-mechanical planarization
JP2001287154A (ja) * 2000-04-06 2001-10-16 Nec Corp 研磨装置および研磨方法
US6949466B2 (en) * 2001-09-18 2005-09-27 Oriol Inc. CMP apparatus and method for polishing multiple semiconductor wafers on a single polishing pad using multiple slurry delivery lines
US6849547B2 (en) * 2001-04-05 2005-02-01 Speedfam Ipec Corporation Apparatus and process for polishing a workpiece
US7314402B2 (en) * 2001-11-15 2008-01-01 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for controlling slurry distribution
US6599765B1 (en) * 2001-12-12 2003-07-29 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection
US7025660B2 (en) * 2003-08-15 2006-04-11 Lam Research Corporation Assembly and method for generating a hydrodynamic air bearing
US7232363B2 (en) * 2004-07-22 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Polishing solution retainer
US20080305725A1 (en) * 2006-07-26 2008-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chemical mechanical polish system having multiple slurry-dispensing systems
US8371316B2 (en) * 2009-12-03 2013-02-12 International Test Solutions, Inc. Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware
CN102275124B (zh) * 2011-06-02 2014-03-05 友达光电（苏州）有限公司 研磨平台及研磨方法
JP6027454B2 (ja) * 2013-02-05 2016-11-16 株式会社荏原製作所 研磨装置
US9352443B2 (en) * 2013-11-13 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Platen assembly, chemical-mechanical polisher, and method for polishing substrate
CN113649944A (zh) 2016-06-24 2021-11-16 应用材料公司 用于化学机械抛光的浆料分布设备
JP6894805B2 (ja) 2017-08-21 2021-06-30 株式会社荏原製作所 基板研磨装置および基板研磨装置における研磨液吐出方法
US11705354B2 (en) 2020-07-10 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Substrate handling systems
CN111805396A (zh) * 2020-07-17 2020-10-23 中国科学院微电子研究所 一种抛光装置及抛光组件
CN112264928A (zh) * 2020-10-23 2021-01-26 长江存储科技有限责任公司 一种化学机械研磨设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4021279A (en) * 1972-04-20 1977-05-03 Stichting Reactor Centrum Nederland Method of forming groove pattern
JPS609129A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd ウエツト処理装置
US4940507A (en) * 1989-10-05 1990-07-10 Motorola Inc. Lapping means and method

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2548668B2 (ja) * 1993-02-26 1996-10-30 エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社 半導体デバイス製造装置
US5853317A (en) * 1996-06-27 1998-12-29 Nec Corporation Polishing pad and polishing apparatus having the same
US6783446B1 (en) 1998-02-26 2004-08-31 Nec Electronics Corporation Chemical mechanical polishing apparatus and method of chemical mechanical polishing
US6951512B2 (en) 1998-02-26 2005-10-04 Nec Electronics Corporation Chemical mechanical polishing apparatus and method of chemical mechanical polishing
JP2001291687A (ja) * 1999-12-13 2001-10-19 Applied Materials Inc 研磨装置の領域にスラリを制御して送出する装置および方法
KR101420900B1 (ko) * 2007-06-25 2014-07-17 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 슬러리의 수동적 제거를 제공하는 연마 어셈블리들을 구비한 ｃｍｐ 장치들
US20100151772A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-17 Schneider Gmbh & Co. Kg Polishing head for the zonal machining of optical spectacle surfaces
JP2011235425A (ja) * 2010-05-13 2011-11-24 Asahi Glass Co Ltd 研磨パッド及び研磨パッドを用いた研磨装置
KR20210121279A (ko) * 2019-02-28 2021-10-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 후면 층의 습윤의 조정에 의한 화학적 기계적 연마 패드 강성 제어
CN113543932A (zh) * 2019-02-28 2021-10-22 应用材料公司 通过调整背层中的润湿来控制化学机械抛光垫刚度
JP2022521752A (ja) * 2019-02-28 2022-04-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド バッキング層の濡れを調整することによる化学機械研磨パッド剛性の制御

Also Published As

Publication number Publication date
US5246525A (en) 1993-09-21
JP3334139B2 (ja) 2002-10-15
KR100240455B1 (ko) 2000-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3334139B2 (ja) 研磨装置
US6435942B1 (en) Chemical mechanical polishing processes and components
JP2001068441A (ja) 選択的ダマシンケミカルメカニカルポリシング
US6245193B1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus improved substrate carrier head and method of use
JPH10180618A (ja) Ｃｍｐ装置の研磨パッドの調整方法
KR20020072293A (ko) 반도체 웨이퍼의 개선된 균일성을 달성하기 위한 평탄화방법
JP2870537B1 (ja) 研磨装置及び該装置を用いる半導体装置の製造方法
US6758726B2 (en) Partial-membrane carrier head
US6136138A (en) Method and apparatus for chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer
US6394882B1 (en) CMP method and substrate carrier head for polishing with improved uniformity
KR20070113634A (ko) 화학적 기계적 연마 장치의 연마 방법
KR20030032305A (ko) 화학적 기계적 연마 장치의 연마 플래튼 및 그를 이용한평탄화방법
US20020100743A1 (en) Multi-step polish process to control uniformity when using a selective slurry on patterned wafers
US20030077986A1 (en) Front-reference carrier on orbital solid platen
US6251000B1 (en) Substrate holder, method for polishing substrate, and method for fabricating semiconductor device
KR20000000583A (ko) 화학 물리적 연마 장치
US6362101B2 (en) Chemical mechanical polishing methods using low pH slurry mixtures
JP3276409B2 (ja) 半導体ウェハの研磨方法および研磨装置
US6080671A (en) Process of chemical-mechanical polishing and manufacturing an integrated circuit
JPH10256202A (ja) 研磨方法、研磨装置および半導体集積回路装置の製造方法
KR100414741B1 (ko) 반도체소자의제조방법
CN210757119U (zh) 研磨装置
US20220388117A1 (en) Polishing pad surface cooling by compressed gas
US6821195B1 (en) Carrier head having location optimized vacuum holes
JPH08213612A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080802

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090802

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100802

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110802

Year of fee payment: 9

EXPY Cancellation because of completion of term