JP6027454B2

JP6027454B2 - 研磨装置

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Publication number: JP6027454B2
Application number: JP2013020292A
Authority: JP
Inventors: 俊一河原
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2013-02-05
Filing date: 2013-02-05
Publication date: 2016-11-16
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Also published as: US9211629B2; JP2014151372A; KR101921778B1; KR20140100414A; CN103962937A; TWI629138B; US20140220864A1; TW201436945A

Description

本発明は、研磨装置に関するものである。

近年、半導体ウェーハなどの基板の表面を研磨するために、研磨装置が用いられている。研磨装置は、基板を研磨するための研磨パッド（例えば、不織布、ウレタン樹脂など）が貼り付けられた研磨テーブルを回転させながら、研磨パッド上に研磨砥液（スラリ）を供給する。また、研磨装置は、トップリングで基板を保持して基板の裏面を加圧することにより、基板を研磨パッドに押し付け、基板の表面を研磨する。

一方、基板の研磨が終了すると、研磨装置は、トップリングによって基板の裏面を加圧から吸着へ切り替え、トップリングに基板を吸着させた状態でトップリングを上方に移動させることによって基板を引き上げる（研磨パッドから離れる方向へ上昇させる）。この基板の引き上げ工程は、基板の研磨工程に続いて純水などの洗浄液を研磨パッド上に供給して基板を洗浄した後に行われる場合もある。

ここで、基板の引き上げ工程においては、基板を研磨パッド上に残したまま基板を引き上げられない場合がある。すなわち、基板の研磨後の研磨パッド上には、研磨砥液や純水が存在するため、基板を研磨パッドから引き上げる際に、基板と研磨パッド間で真空（負圧）域が発生する場合がある。この場合、トップリングと基板間、基板と研磨パッド間で真空圧での引き合いが発生し、基板と研磨パッド間の真空圧のほうが高い場合は、基板が研磨パッドに吸着され、基板を研磨パッド上に残したままトップリングが上昇するおそれがある。

これに対して、従来技術では、研磨後の基板をトップリングに吸着して研磨パッドの研磨面に沿った方向（横方向）へスライド移動させ、研磨パッドから基板の一部を外に出した状態で上方へ引き上げることにより、基板と研磨パッドの間に生じる吸着力を低減させて基板を引き上げ易くすることが知られている。

また、その他の従来技術では、トップリングによって基板を吸着する時間を長くすることによって、トップリングと基板間の吸着力を向上させ、基板を引き上げ易くすることが知られている。

特開２００９−１７８８００号公報

しかしながら、従来技術は、基板の研磨性能を維持したまま基板の引き上げ性を向上させることについては考慮されていない。

すなわち、基板の一部を研磨パッドの外に出してから基板を引き上げる従来技術では、基板を研磨パッドから落として基板を破損するおそれがあるし、また、基板を研磨パッドの外へ移動させる際に基板にスクラッチ（傷）が生じるおそれがある。

また、トップリングによって基板の吸着の時間を長くする従来技術では、基板の引き上
げスピードが低下し、基板研磨のスループットが低下するので、多数の基板を効率よく処理することが求められる研磨装置においては好ましくない。

そこで、本発明は、基板の研磨性能を維持したまま基板の引き上げ性を向上させることを課題とする。

本願発明の基板処理装置は、上記課題に鑑みなされたもので、基板を研磨するための研磨パッドが貼り付けられる研磨テーブルと、前記研磨パッドの研磨面に液体を供給する液体供給部と、前記液体供給部によって供給された液体を介在して前記研磨面に設置される基板を吸着して前記研磨面から離れる方向に搬送する基板保持部と、前記基板の搬送時に、前記基板と前記研磨パッドとの間に気体を注入させる制御部と、を備えることを特徴とする。

また、前記研磨パッド及び前記研磨テーブルに、前記研磨パッドの研磨面と前記研磨テーブルの側面又は裏面とを連通させる連通孔が形成された場合、前記制御部は、前記連通孔を介して前記基板と前記研磨パッドとの間に前記気体を注入する、ことができる。

また、前記研磨パッドに、該研磨パッドの研磨面と該研磨パッドの側面とを連通させる連通孔が形成された場合、前記制御部は、前記連通孔を介して前記基板と前記研磨パッドとの間に前記気体を注入する、ことができる。

また、前記制御部は、前記研磨パッドの研磨面に対向した位置、前記研磨テーブルの外周部の外側の位置、又は前記基板の外周部の外側の位置に設けられ前記気体を吐出可能なノズルを介して前記基板と前記研磨パッドとの間に前記気体を注入する、ことができる。

また、前記研磨テーブルを回転させる駆動部と、前記研磨テーブルの回転位置を検出する位置検出センサと、を備えた場合、前記制御部は、前記位置検出センサによって検出される研磨テーブルの回転位置に基づいて、前記連通孔が前記基板の板面に対向するように前記研磨テーブルを回転させ、この状態で、前記連通孔を介して前記基板と前記研磨パッドとの間に前記気体を注入する、ことができる。

また、前記制御部は、前記連通孔を介して前記基板と前記研磨パッドとの間に前記気体を注入して前記基板が搬送されたた後、前記気体の注入を停止し、前記連通孔に液体を注入する、ことができる。

また、前記制御部は、前記基板と前記研磨パッドとの間に介在する液体の内部領域に気体を注入する、ことができる。

また、前記制御部は、前記研磨パッドと前記液体の間、又は前記液体と前記基板との間に気体を注入する、ことができる。

また、前記液体は、前記基板の研磨に用いる研磨砥液、又は前記基板の洗浄に用いる洗浄液とすることができる。

かかる本願発明によれば、基板の研磨性能を維持したまま基板の引き上げ性を向上させることができる。

図１は、研磨装置の構成を模式的に示す斜視図である。図２は、第１実施形態の研磨装置の構成を模式的に示す図である。図３は、連通孔の形成例を説明するための図である。図４は、研磨装置の処理フローを示す図である。図５は、研磨装置による基板の研磨処理、及び引き上げ処理の様子を模式的に示す図である。図６は、第２実施形態の研磨装置の構成を模式的に示す図である。図７は、第３実施形態の研磨装置の構成を模式的に示す図である。

以下、本願発明の一実施形態に係る研磨装置を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、一例として、ＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）研磨装置を説明するが、これには限られない。

図１は、研磨装置の全体構成を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、研磨装置１００は、半導体ウェーハなどの基板１０２を研磨するための研磨パッド１０８を上面に取付け可能な研磨テーブル１１０と、研磨テーブル１１０を回転駆動する第１の電動モータ（駆動部）１１２とを備える。また、研磨装置１００は、基板１０２の研磨時に基板１０２を加圧して研磨パッド１０８に押圧するとともに、基板１０２の引き上げ時に基板１０２を吸着して引き上げるトップリング（基板保持部）１１６と、トップリング１１６を回転駆動する第２の電動モータ１１８と、を備える。

また、研磨装置１００は、研磨パッド１０８の上面に研磨材を含む研磨砥液を供給可能なスラリーライン（砥液供給部）１２０と、研磨パッド１０８のコンディショニング（目立て）を行うドレッサーディスク１２２を備えるドレッサーユニット１２４と、を備える。また、研磨装置１００は、研磨パッド１０８上に基板洗浄用の洗浄液を供給するＤＩＷ（Ｄｅ−ＩｏｎｉｚｅｄＷａｔｅｒ）ライン（洗浄液供給部）１２５を備える。なお、スラリーライン（砥液供給部）１２０と、ＤＩＷライン（洗浄液供給部）１２５は、研磨パッド１０８の研磨面に液体を供給する液体供給部の機能を有する。なお、トップリング１１６は、液体供給部によって研磨パッド１０８の研磨面に供給された液体を介在して研磨面に設置される基板１０２を吸着して、研磨面から離れる方向に搬送する機能を有する。

基板１０２を研磨するときは、研磨材を含む研磨砥液をスラリーライン１２０から研磨パッド１０８の上面に供給し、第１の電動モータ１１２によって研磨テーブル１１０を回転駆動する。そして、トップリング１１６を、研磨テーブル１１０の回転軸とは偏心した位置で、回転させた状態で、トップリング１１６に保持された基板１０２を研磨パッド１０８に押圧する。これにより、基板１０２は研磨パッド１０８によって研磨され、平坦化される。

（第１実施形態）
次に、第１実施形態の研磨装置について説明する。図２は、第１実施形態の研磨装置の構成を模式的に示す図である。図２に示すように、研磨装置１００は、基板１０２の研磨及び引き上げに関する制御を行う制御部１３０と、研磨テーブル１１０の回転位置を検出する位置検出センサ１４０と、を備える。

また、研磨装置１００は、基板１０２と研磨パッド１０８との間の領域に純水（ＤＩＷ）を供給するＤＩＷ供給部１５０と、基板１０２と研磨パッド１０８との間の領域にＮ_２（気体）を供給するＮ_２供給部１６０と、を備える。

ここで、図２に示すように、研磨パッド１０８及び研磨テーブル１１０には、研磨パッド１０８の研磨面と研磨テーブル１１０の裏面とを連通させる連通孔１３５が形成されている。連通孔１３５は、研磨テーブル１１０及び研磨パッド１０８にあらかじめ孔を形成しておき、研磨パッド１０８を研磨テーブル１１０に貼り付ける際に、両者の孔の位置が合致するように貼り付けることによって形成することができる。なお、図２では連通孔１３５が３個形成されている例を示したが、これには限られない。連通孔１３５の個数は、１個又は複数個とすることができる。ただし、連通孔１３５の数を増やした方が基板１０２の引き上げ性には優位であるが、研磨時には悪影響となるため、極力減らすほうがよい。また、連通孔１３５のサイズは大きいほうが基板１０２の引き上げ性には優位であるが、研磨時には悪影響となるため、極力小さくするほうがよい。

連通孔１３５の底部には、気体又は液体を搬送する気液搬送ライン１７０の一端が設けられている。気液搬送ライン１７０の他端は２方向に分岐し、一方の液体搬送ライン１７２はＤＩＷ供給部１５０に接続され、他方の気体搬送ライン１７４はＮ２供給部１６０に接続される。

液体搬送ライン１７２には、液体搬送ライン１７２を開閉することができる開閉弁１８０が設けられている。また、気体搬送ライン１７４には、気体搬送ライン１７４を開閉することができる開閉弁１９０が設けられている。

制御部１３０は、基板１０２の引き上げ時（搬送時）に、基板１０２と研磨パッド１０８との間に気体を注入させる機能を有する。すなわち、基板１０２の研磨時には、スラリーライン１２０を介して研磨パッド１０８上に研磨砥液が供給され、研磨パッド１０８と基板１０２との間に研磨砥液が介在した状態で研磨が行われる。その後、基板１０２を洗浄するために、ＤＩＷライン１２５を介して研磨パッド１０８上に純水が供給される場合もある。いずれにしても、基板１０２の引き上げ工程は、基板１０２と研磨パッド１０８との間に液体（研磨砥液又は純水）１０９が介在した状態で行われる。制御部１３０は、例えば、基板１０２と研磨パッド１０８との間に介在する液体１０９（研磨砥液又は純水）の内部領域１０９ａに気体を注入させる。また、制御部１３０は、これに限らず、研磨パッド１０８と液体１０９の間、又は液体１０９と基板の間に気体を注入させることもできる。なお気体は、例えばＮ２又は空気などである。ただし、これに限らず、不活性ガスを用いることができる。

制御部１３０は、基板１０２の引き上げを行う際には、まず、基板１０２と連通孔１３５との位置合わせを行う。具体的には、制御部１３０は、位置検出センサ１４０によって検出される研磨テーブル１１０の回転位置に基づいて、連通孔１３５が基板１０２の板面（表面）に対向するように研磨テーブル１１０を回転させることができる。そして、制御部１３０は、連通孔１３５が基板１０２の板面に対向した状態で、連通孔１３５を介して基板１０２と研磨パッド１０８との間に介在する研磨砥液又は純水の内部領域１０９ａに気体を注入する。

さらに具体的には、制御部１３０は、開閉弁１９０に対して開閉信号を出力することによって、開閉弁１９０を開閉させることができる。制御部１３０は、基板１０２の引き上げ時に、開閉弁１９０を「開」に制御することによって、気体搬送ライン１７４、気液搬送ライン１７０、及び連通孔１３５を介して、基板１０２と研磨パッド１０８との間に介在する研磨砥液又は純水の内部領域１０９ａに気体を注入させることができる。

このように、基板１０２と研磨パッド１０８との間に介在する研磨砥液又は純水の内部領域１０９ａに気体を注入させることによって、基板１０２と研磨パッド１０８間で発生した真空域を破瓜させることができる。これにより、基板１０２と研磨パッド１０８間の
真空圧より、トップリング１１６と基板１０２間の真空圧のほうが高くなるので、トップリング１１６と基板１０２間の吸着力のほうが強くなる。その結果、基板１０２はトップリング１１６に吸着された状態で上方へ引き上げられるので、基板１０２が研磨パッド１０８上に残されるのを防止することができる。なお、本明細書においては、２つの物体間の真空圧が高くなるほど両者の間の吸着力は強くなるものとする。

一方、制御部１３０は、連通孔１３５を介して基板１０２と研磨パッド１０８との間の領域に気体を注入して基板１０２が引き上げられた後、気体の注入を停止し、連通孔１３５に液体を注入することができる。

具体的には、制御部１３０は、開閉弁１８０に対して開閉信号を出力することによって、開閉弁１８０を開閉させることができる。制御部１３０は、基板１０２が引き上げられた後、開閉弁１８０を開に制御することによって、液体搬送ライン１７２、及び気液搬送ライン１７０を介して連通孔１３５に純水を注入することができる。これによって、基板１０２の引き上げ後に連通孔１３５内を洗浄することができる。また、研磨中、連通孔１３５内に純水を溜めておくことで、スラリが連通孔１３５内に侵入することを防止できると共に、研磨性能に悪影響を与えることを低減することができる。

ここで、連通孔の形成態様について説明する。図３は、連通孔の形成例を説明するための図である。図３は、研磨パッド１０８の上方から研磨パッド１０８を見た場合の、連通孔１３５の形成位置と基板１０２の位置とを模式的に示したものである。

図３に示すように、連通孔１３５は、様々な態様で形成することができる。図３（ａ）は、図２で示した連通孔１３５に対応しており、基板１０２の略中央部に３個の連通孔１３５をまとめて配置したものである。また、図３（ｂ）に示すように、連通孔１３５は、基板１０２の周縁部に３個まとめて配置することもできる。

また、図３（ｃ）に示すように、連通孔１３５は、研磨テーブル１１０を回転させた際に基板１０２の中央が遷移する軌跡を模式的に示した遷移ライン１０３に沿って、離して配置することもできる。また、図３（ｄ）に示すように、連通孔１３５は、遷移ライン１０３に交差する方向に離して配置することもできる。また、図３（ｅ）に示すように、連通孔１３５は、基板１０２の周縁部において、遷移ライン１０３に交差する方向に離して配置することもできる。

次に、研磨装置１００の処理フローについて説明する。図４は、研磨装置の処理フローを示す図である。図５は、研磨装置による基板の研磨処理、及び引き上げ処理の様子を模式的に示す図である。図４の処理フローは、最初に基板１０２の研磨を行い、研磨後に基板１０２の引き上げを行う例であるが、基板１０２の研磨と基板１０２の引き上げの間に基板の洗浄を行うこともできる。

図４に示すように、まず、制御部１３０は、基板受け渡し位置においてトップリング１１６に基板１０２を吸着する（ステップＳ１０１）。続いて、制御部１３０は、トップリング１１６を研磨テーブル１１０（研磨パッド１０８）上に移動させる（ステップＳ１０２）。

この状態を示したのが図５（ａ）である。図５（ａ）に示すように、トップリング１１６は、基板１０２を吸着した状態で、研磨パッド１０８上に移動される。

続いて、制御部１３０は、トップリング１１６を下降し、基板１０２の吸着を停止する（ステップＳ１０３）。これにより、基板１０２は研磨パッド１０８上に載置される。

続いて、制御部１３０は、トップリング１１６によって基板１０２を加圧し、スラリを研磨パッド１０８上に供給する（ステップＳ１０４）。なお、基板１０２を研磨パッド１０８上に載置する前からスラリの供給を開始してもよい。続いて、制御部１３０は、基板１０２の研磨を行う（ステップＳ１０５）。具体的には、制御部１３０は、トップリング１１６によって基板１０２を加圧しながら、研磨テーブル１１０を回転させるとともに、トップリング１１６を回転させる。

この状態を示したのが図５（ｂ）である。図５（ｂ）に示すように、基板１０２はトップリング１１６によって研磨パッド１０８へ押し付けられ、研磨テーブル１１０とトップリング１１６の回転にともなって研磨砥液で研磨される。なお、基板１０２の研磨中に連通孔１３５に純水を供給することによって、研磨砥液が連通孔１３５に侵入するのを防ぐこともできる。ただし、多量の純水を供給すると研磨砥液に純水が混ざるので、連通孔１３５に研磨砥液が侵入するのを防ぐ程度の量とするのがよい。

続いて、制御部１３０は、研磨が終了したか否かを判定する（ステップＳ１０６）。基板１０２の研磨が終了したか否かの判定は、例えば、第１の電動モータ１１２又は第２の電動モータ１１８のトルク電流の変化に基づいて行うことができる。

制御部１３０は、基板１０２の研磨が終了していないと判定したら（ステップＳ１０６，Ｎｏ）、研磨が終了したと判定されるまで、研磨処理を繰り返す。一方、制御部１３０は、基板１０２の研磨が終了したと判定したら（ステップＳ１０６，Ｙｅｓ）、研磨テーブル１１０を所定の位置に移動し、トップリング１１６に基板１０２を吸着させる（ステップＳ１０７）。続いて、制御部１３０は、連通孔１３５からＮ_２を供給開始する（ステップＳ１０８）。

この状態を示したのが図５（ｃ）である。制御部１３０は、位置検出センサ１４０によって検出される研磨テーブル１１０の回転位置に基づいて、図５（ｃ）に示すように、連通孔１３５が基板１０２の板面に対向するように研磨テーブル１１０を回転させる。また、制御部１３０は、トップリング１１６に基板１０２を吸着させる。なお、研磨テーブル１１０を所定の位置に移動する処理と、トップリング１１６に基板１０２を吸着させる処理は、どちらを先に行ってもよい。そして、制御部１３０は、図５（ｃ）に示すように、連通孔１３５の底部からＮ_２を供給する。

これによって、基板１０２と研磨パッド１０８との間に介在する研磨砥液の内部領域１０９ａにＮ_２を注入させることができる。その結果、基板１０２と研磨パッド１０８間で発生した真空域を破瓜することができる。

続いて、制御部１３０は、基板１０２を引き上げる（ステップＳ１０９）。具体的には、制御部１３０は、基板１０２を吸着したトップリング１１６を上方へ移動させることによって、基板１０２を引き上げる。

この状態を示したのが、図５（ｄ）である。基板１０２と研磨パッド１０８間で発生した真空域を破瓜することによって、基板１０２と研磨パッド１０８間の真空圧は、トップリング１１６と基板１０２間の真空圧より低くなる。その結果、トップリング１１６と基板１０２間の吸着力のほうが強くなるので、基板１０２はトップリング１１６に吸着された状態で上方へ引き上げられ、基板１０２が研磨パッド１０８上に残されるのを防止することができる。

また、本実施形態によれば、基板１０２を研磨面に沿ってスライド移動させないので基
板１０２にスクラッチ（傷）が生じることを抑制することができ、かつ、基板１０２の吸着時間を長くしないので基板１０２の研磨のスループットが低下するのを抑制することができる。その結果、基板１０２の研磨性能を維持したまま基板１０２の引き上げ性を向上させることができる。

続いて、制御部１３０は、トップリング１１６を基板１０２の受け渡し位置へ移動する（ステップＳ１１０）。その後、制御部１３０は、連通孔１３５の洗浄工程へ移る。すなわち、制御部１３０は、Ｎ_２の供給を停止し（ステップＳ１１１）、連通孔１３５へＤＩＷ（純水）を供給開始する（ステップＳ１１２）。これによって、連通孔１３５に付着したスラリや研磨屑などを洗浄することができる。その後、制御部１３０は、ＤＩＷの供給を停止して（ステップＳ１１３）、処理を終了する。なお、制御部１３０は、トップリング１１６を基板１０２の受け渡し位置へ移動した後、次に研磨処理すべき基板に対して、ステップＳ１０１から同様の処理を繰り返す。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の研磨装置について説明する。図６は、第２実施形態の研磨装置の構成を模式的に示す図である。図６（ａ）は、研磨パッド１０８の上方から研磨パッド１０８を見た場合の、連通孔１４５の形成位置と基板１０２の位置とを模式的に示したものである。図６（ｂ）は、第２実施形態の研磨装置の構成を模式的に示す図である。第２実施形態は、第１実施形態と比較して、連通孔の形成態様が異なるだけであるので、その他の構成の説明は省略する。

図６（ａ）（ｂ）に示すように、連通孔１４５は、研磨パッド１０８の研磨面と、研磨パッド１０８の側面とを連通させるように、研磨パッド１０８をくり抜いて形成される。図６では、連通孔１４５を１個形成する例を示したが、これには限られない。例えば、研磨パッド１０８の周方向に沿って、複数の連通孔１４５を形成することもできる。

第２実施形態においても、制御部１３０は第１実施形態と同様に、基板１０２の引き上げ時に、連通孔１４５を介して、基板１０２と研磨パッド１０８との間に介在する研磨砥液又は純水の内部領域に気体を注入させる。これによって、基板１０２と研磨パッド１０８間で発生した真空域を破瓜することができるので、基板１０２と研磨パッド１０８間の真空圧は、トップリング１１６と基板１０２間の真空圧より低くなる。その結果、トップリング１１６と基板１０２間の吸着力のほうが強くなるので、基板１０２はトップリング１１６に吸着された状態で上方へ引き上げられ、基板１０２が研磨パッド１０８上に残されるのを防止することができる。また、第２実施形態によれば、研磨テーブル１１０に連通孔を形成する必要がないので、汎用性を高めることができるとともに、研磨パッド１０８を研磨テーブル１１０へ貼り付ける際の孔の位置合わせが不要となるので研磨装置１００の製造を容易にすることができる。

また、本実施形態によれば、基板１０２を研磨面に沿ってスライド移動させないので基板１０２にスクラッチ（傷）が生じることを抑制することができ、かつ、基板１０２の吸着時間を長くしないので基板１０２の研磨のスループットが低下するのを抑制することができる。その結果、基板１０２の研磨性能を維持したまま基板１０２の引き上げ性を向上させることができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態の研磨装置について説明する。図７は、第３実施形態の研磨装置の構成を模式的に示す図である。図７（ａ）は、研磨パッド１０８の上方から研磨パッド１０８を見た場合の、ノズル１５５の位置と基板１０２の位置とを模式的に示したものである。図７（ｂ）は、第３実施形態の研磨装置の構成を模式的に示す図である。第３実施形
態は、第１実施形態及び第２実施形態と比較して、主に、連通孔の形成せずに基板１０２と研磨パッド１０８との間に介在する研磨砥液又は純水の内部領域にノズルから直接気体を注入する点が異なる。第１，第２実施形態と重複する構成の説明は省略する。

図７（ａ）（ｂ）に示すように、研磨パッド１０８の研磨面に対向した位置、研磨テーブル１１０の外周部の外側の位置、又は基板１０２の外周部の外側の位置には、気体搬送ライン１７４と接続されており気体を吐出可能なノズル１５５が設けられる。ノズル１５５は、その気体吐出口１５５ａを基板１０２と研磨パッド１０８との間に介在する研磨砥液又は純水の内部領域に向けて配置可能になっており、気体吐出口１５５ａから吐出された気体を基板１０２と研磨パッド１０８との間に介在する研磨砥液又は純水の内部領域に注入可能になっている。

第３実施形態においては、制御部１３０は、基板１０２の引き上げ時に、ノズル１５５を介して、基板１０２と研磨パッド１０８との間に介在する研磨砥液又は純水の内部領域に気体を注入させる。これによって、基板１０２と研磨パッド１０８間で発生した真空域を破瓜することができるので、基板１０２と研磨パッド１０８間の真空圧は、トップリング１１６と基板１０２間の真空圧より低くなる。その結果、トップリング１１６と基板１０２間の吸着力のほうが強くなるので、基板１０２はトップリング１１６に吸着された状態で上方へ引き上げられ、基板１０２が研磨パッド１０８上に残されるのを防止することができる。なお、第３実施形態では、連通孔を設けていないので、連通孔の洗浄を行うための液体搬送ライン１７２及び開閉弁１８０等は不要である。また、第３実施形態によれば、研磨テーブル１１０及び研磨パッド１０８の双方に連通孔を形成する必要がないので、汎用性を高めることができる。

１００研磨装置
１０２基板
１０８研磨パッド
１０９液体
１０９ａ内部領域
１１０研磨テーブル
１１２電動モータ（駆動部）
１１６トップリング（基板保持部）
１２０スラリーライン（液体供給部）
１２５ＤＩＷライン（液体供給部）
１３０制御部
１３５，１４５連通孔
１４０位置検出センサ
１５０ＤＩＷ供給部
１５５ノズル
１５５ａ気体吐出口
１６０Ｎ_２供給部

Claims

基板を研磨するための研磨パッドが貼り付けられる研磨テーブルと、
前記研磨パッドの研磨面に液体を供給する液体供給部と、
前記液体供給部によって供給された液体を介在して前記研磨面に設置される基板を吸着して前記研磨面から離れる方向に搬送する基板保持部と、
前記基板の搬送時に、前記基板と前記研磨パッドとの間に気体を注入させる制御部と、を備え、
前記研磨パッド及び前記研磨テーブルには、前記研磨パッドの研磨面と前記研磨テーブルの側面又は裏面とを連通させる連通孔が形成され、
前記制御部は、前記連通孔を介して前記基板と前記研磨パッドとの間に前記気体を注入し、
前記制御部は、前記連通孔を介して前記基板と前記研磨パッドとの間に前記気体を注入して前記基板が搬送されたた後、前記気体の注入を停止し、前記連通孔に液体を注入する、
ことを特徴とする研磨装置。
基板を研磨するための研磨パッドが貼り付けられる研磨テーブルと、
前記研磨パッドの研磨面に液体を供給する液体供給部と、
前記液体供給部によって供給された液体を介在して前記研磨面に設置される基板を吸着して前記研磨面から離れる方向に搬送する基板保持部と、
前記基板の搬送時に、前記基板と前記研磨パッドとの間に気体を注入させる制御部と、
を備え、
前記研磨パッドには、該研磨パッドの研磨面と該研磨パッドの側面とを連通させる連通孔が形成され、
前記制御部は、前記連通孔を介して前記基板と前記研磨パッドとの間に前記気体を注入し、
前記制御部は、前記連通孔を介して前記基板と前記研磨パッドとの間に前記気体を注入
して前記基板が搬送されたた後、前記気体の注入を停止し、前記連通孔に液体を注入する、
ことを特徴とする研磨装置。
請求項１又は２の研磨装置において、
前記研磨テーブルを回転させる駆動部と、
前記研磨テーブルの回転位置を検出する位置検出センサと、を備え、
前記制御部は、前記位置検出センサによって検出される研磨テーブルの回転位置に基づいて、前記連通孔が前記基板の板面に対向するように前記研磨テーブルを回転させ、この状態で、前記連通孔を介して前記基板と前記研磨パッドとの間に前記気体を注入する、
ことを特徴とする研磨装置。
請求項１乃至３のいずれか１項の研磨装置において、
前記制御部は、前記基板と前記研磨パッドとの間に介在する液体の内部領域に気体を注入する、
ことを特徴とする研磨装置。
請求項１乃至３のいずれか１項の研磨装置において、
前記制御部は、前記研磨パッドと前記液体の間、又は前記液体と前記基板との間に気体を注入する、
ことを特徴とする研磨装置。
請求項１乃至５のいずれか１項の研磨装置において、
前記液体は、前記基板の研磨に用いる研磨砥液、又は前記基板の洗浄に用いる洗浄液である、
ことを特徴とする研磨装置。