KR101921778B1 - 연마 장치 - Google Patents

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KR101921778B1
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도시카즈 가와하라
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가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명의 과제는, 기판의 연마 성능을 유지한 상태에서 기판의 끌어올림성을 향상시키는 것이다.
연마 장치(100)는, 기판(102)을 연마하기 위한 연마 패드(108)가 접착되는 연마 테이블(110)과, 연마 패드(108)의 연마면에 액체(109)를 공급하는 액체 공급부와, 액체 공급부에 의해 공급된 액체(109)를 개재하여 연마면에 접촉하고 있는 기판(102)을 흡착하여 연마면으로부터 반송하는 톱 링(116)과, 기판(102)의 반송 시에, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 액체(109)의 내부 영역(109a)에 유체(N2)를 주입시키는 제어부를 구비한다.

Description

연마 장치{POLISHING APPARATUS}
본 발명은, 연마 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면을 연마하기 위해, 연마 장치가 사용되고 있다. 연마 장치는, 기판을 연마하기 위한 연마 패드(예를 들어, 부직포, 우레탄 수지 등)가 접착된 연마 테이블을 회전시키면서, 연마 패드 상에 연마 지액(슬러리)을 공급한다. 또한, 연마 장치는, 톱 링에 의해 기판을 보유 지지하여 기판의 이면을 가압함으로써, 기판을 연마 패드에 가압하고, 기판의 표면을 연마한다.
한편, 기판의 연마가 종료되면, 연마 장치는, 톱 링에 의해 기판의 이면을 가압으로부터 흡착으로 전환하고, 톱 링에 기판을 흡착시킨 상태에서 톱 링을 상방으로 이동시킴으로써 기판을 끌어올린다(연마 패드로부터 이격되는 방향으로 상승시킴). 이 기판의 끌어올림 공정은, 기판의 연마 공정에 계속되어 순수 등의 세정액을 연마 패드 상에 공급하여 기판을 세정한 후에 행해지는 경우도 있다.
여기서, 기판의 끌어올림 공정에 있어서는, 기판을 연마 패드 상에 남긴 상태에서 기판을 끌어올릴 수 없는 경우가 있다. 즉, 기판의 연마 후의 연마 패드 상에는, 연마 지액이나 순수가 존재하므로, 기판을 연마 패드로부터 끌어올릴 때에, 기판과 연마 패드 사이에서 진공(부압) 영역이 발생하는 경우가 있다. 이 경우, 톱 링과 기판 사이, 기판과 연마 패드 사이에서 진공압에 의한 끌어당김이 발생하고, 기판과 연마 패드 사이의 진공압의 쪽이 높은 경우에는, 기판이 연마 패드에 흡착되고, 기판을 연마 패드 상에 남긴 상태에서 톱 링이 상승할 우려가 있다.
이에 반해, 종래 기술에서는, 연마 후의 기판을 톱 링에 흡착하여 연마 패드의 연마면을 따른 방향(횡방향)으로 슬라이드 이동시키고, 연마 패드로부터 기판의 일부를 밖으로 나오게 한 상태에서 상방으로 끌어올림으로써, 기판과 연마 패드 사이에 발생하는 흡착력을 저감시켜 기판을 끌어올리기 쉽게 하는 것이 알려져 있다.
또한, 그 밖의 종래 기술에서는, 톱 링에 의해 기판을 흡착하는 시간을 길게 함으로써, 톱 링과 기판 사이의 흡착력을 향상시켜, 기판을 끌어올리기 쉽게 하는 것이 알려져 있다.
일본 특허 출원 공개 제2009-178800호 공보
그러나, 종래 기술은, 기판의 연마 성능을 유지한 상태에서 기판의 끌어올림성을 향상시키는 것에 대해서는 고려되어 있지 않다.
즉, 기판의 일부를 연마 패드의 밖으로 나오게 하고 나서 기판을 끌어올리는 종래 기술에서는, 기판을 연마 패드로부터 떨어뜨려 기판을 파손할 우려가 있고, 또한, 기판을 연마 패드의 밖으로 이동시킬 때에 기판에 스크래치(흠집)가 발생할 우려가 있다.
또한, 톱 링에 의해 기판의 흡착의 시간을 길게 하는 종래 기술에서는, 기판의 끌어올림 스피드가 저하되고, 기판 연마의 처리량이 저하되므로, 다수의 기판을 효율적으로 처리하는 것이 요구되는 연마 장치에 있어서는 바람직하지 않다.
따라서, 본 발명은, 기판의 연마 성능을 유지한 상태에서 기판의 끌어올림성을 향상시키는 것을 과제로 한다.
일 형태의 기판 처리 장치는, 상기 과제에 비추어 이루어진 것으로, 기판을 연마하기 위한 연마 패드가 접착되는 연마 테이블과, 상기 연마 패드의 연마면에 액체를 공급하는 액체 공급부와, 상기 액체 공급부에 의해 공급된 액체를 개재하여 상기 연마면에 접촉하고 있는 기판을 흡착하여 상기 연마면으로부터 반송하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판의 반송 시에, 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 유체를 주입시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 연마 패드 및 상기 연마 테이블에, 상기 연마 패드의 연마면과 상기 연마 테이블의 측면 또는 이면을 연통시키는 연통 구멍이 형성된 경우, 상기 제어부는, 상기 연통 구멍을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입할 수 있다.
또한, 상기 연마 패드에, 상기 연마 패드의 연마면과 상기 연마 패드의 측면을 연통시키는 연통 구멍이 형성된 경우, 상기 제어부는, 상기 연통 구멍을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 연마 패드의 연마면에 대향한 위치, 상기 연마 테이블의 외주부의 외측의 위치, 또는 상기 기판의 외주부의 외측의 위치에 설치되어 상기 유체를 토출 가능한 노즐을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입할 수 있다.
또한, 상기 연마 테이블을 회전시키는 구동부와, 상기 연마 테이블의 회전 위치를 검출하는 위치 검출 센서를 구비한 경우, 상기 제어부는, 상기 위치 검출 센서에 의해 검출되는 연마 테이블의 회전 위치에 기초하여, 상기 연통 구멍이 상기 기판의 판면에 대향하도록 상기 연마 테이블을 회전시키고, 이 상태에서, 상기 연통 구멍을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 연통 구멍을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입하여 상기 기판이 반송된 후, 상기 유체의 주입을 정지하고, 상기 연통 구멍에 액체를 주입할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 개재하는 액체의 내부 영역에 유체를 주입할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 연마 패드와 상기 액체 사이, 또는 상기 액체와 상기 기판 사이에 유체를 주입할 수 있다.
또한, 상기 액체는, 상기 기판의 연마에 사용하는 연마 지액, 또는 상기 기판의 세정에 사용하는 세정액으로 할 수 있다. 또한, 상기 유체는, 기체로 할 수 있다.
이러한 본원 발명에 따르면, 기판의 연마 성능을 유지한 상태에서 기판의 끌어올림성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 연마 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 사시도.
도 2는 제1 실시 형태의 연마 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 3은 연통 구멍의 형성예를 설명하기 위한 도면.
도 4는 연마 장치의 처리 흐름을 나타내는 도면.
도 5는 연마 장치에 의한 기판의 연마 처리 및 끌어올림 처리의 모습을 모식적으로 도시하는 도면.
도 6은 제2 실시 형태의 연마 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 7은 제3 실시 형태의 연마 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
이하, 본원 발명의 일 실시 형태에 관한 연마 장치를 도면에 기초하여 설명한다. 이하의 실시 형태는, 일례로서, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 연마 장치를 설명하지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 연마 장치의 전체 구성을 모식적으로 도시하는 사시도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 연마 장치(100)는, 반도체 웨이퍼 등의 기판(102)을 연마하기 위한 연마 패드(108)를 상면에 장착 가능한 연마 테이블(110)과, 연마 테이블(110)을 회전 구동하는 제1 전동 모터(구동부)(112)를 구비한다. 또한, 연마 장치(100)는, 기판(102)의 연마 시에 기판(102)을 가압하여 연마 패드(108)에 압박하는 동시에, 기판(102)의 끌어올림 시에 기판(102)을 흡착하여 끌어올리는 톱 링(기판 보유 지지부)(116)과, 톱 링(116)을 회전 구동하는 제2 전동 모터(118)를 구비한다.
또한, 연마 장치(100)는, 연마 패드(108)의 상면에 연마재를 포함하는 연마 지액을 공급 가능한 슬러리 라인(지액 공급부)(120)과, 연마 패드(108)의 컨디셔닝(드레싱)을 행하는 드레서 디스크(122)를 구비하는 드레서 유닛(124)을 구비한다. 또한, 연마 장치(100)는, 연마 패드(108) 상에 기판 세정용의 세정액을 공급하는 DIW(De-Ionized Water) 라인(세정액 공급부)(125)을 구비한다. 또한, 슬러리 라인(지액 공급부)(120)과, DIW 라인(세정액 공급부)(125)은, 연마 패드(108)의 연마면에 액체를 공급하는 액체 공급부의 기능을 갖는다. 또한, 톱 링(116)은, 액체 공급부에 의해 연마 패드(108)의 연마면에 공급된 액체를 개재하여 연마면에 설치되는(접촉하고 있는) 기판(102)을 흡착하여, 연마면으로부터 이격되는 방향으로 반송하는 기능을 갖는다.
기판(102)을 연마할 때에는, 연마재를 포함하는 연마 지액을 슬러리 라인(120)으로부터 연마 패드(108)의 상면에 공급하고, 제1 전동 모터(112)에 의해 연마 테이블(110)을 회전 구동한다. 그리고, 톱 링(116)을, 연마 테이블(110)의 회전축과는 편심된 위치에서, 회전시킨 상태에서, 톱 링(116)에 보유 지지된 기판(102)을 연마 패드(108)에 압박한다. 이에 의해, 기판(102)은 연마 패드(108)에 의해 연마되어, 평탄화된다.
(제1 실시 형태)
다음으로, 제1 실시 형태의 연마 장치에 대해 설명한다. 도 2는 제1 실시 형태의 연마 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 연마 장치(100)는, 기판(102)의 연마 및 끌어올림에 관한 제어를 행하는 제어부(130)와, 연마 테이블(110)의 회전 위치를 검출하는 위치 검출 센서(140)를 구비한다.
또한, 연마 장치(100)는, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이의 영역에 순수(DIW)를 공급하는 DIW 공급부(150)와, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이의 영역에 N2(기체)를 공급하는 N2 공급부(160)를 구비한다.
여기서, 도 2에 도시하는 바와 같이, 연마 패드(108) 및 연마 테이블(110)에는, 연마 패드(108)의 연마면과 연마 테이블(110)의 이면을 연통시키는 연통 구멍(135)이 형성되어 있다. 연통 구멍(135)은, 연마 테이블(110) 및 연마 패드(108)에 미리 구멍을 형성해 두고, 연마 패드(108)를 연마 테이블(110)에 접착할 때에, 양자의 구멍의 위치가 합치하도록 접착함으로써 형성할 수 있다. 또한, 도 2에서는 연통 구멍(135)이 3개 형성되어 있는 예를 나타냈지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 연통 구멍(135)의 개수는, 1개 또는 복수개로 할 수 있다. 단, 연통 구멍(135)의 수를 늘린 쪽이 기판(102)의 끌어올림성에는 우위하지만, 연마 시에는 악영향으로 되므로, 최대한 줄이는 쪽이 좋다. 또한, 연통 구멍(135)의 사이즈는 큰 쪽이 기판(102)의 끌어올림성에는 우위하지만, 연마 시에는 악영향으로 되므로, 최대한 작게 하는 쪽이 좋다.
연통 구멍(135)의 저부에는, 기체 또는 액체를 반송하는 기액 반송 라인(170)의 일단부가 설치되어 있다. 기액 반송 라인(170)의 타단부는 2방향으로 분기하고, 한쪽의 액체 반송 라인(172)은 DIW 공급부(150)에 접속되고, 다른 쪽의 기체 반송 라인(174)은 N2 공급부(160)에 접속된다.
액체 반송 라인(172)에는, 액체 반송 라인(172)을 개폐할 수 있는 개폐 밸브(180)가 설치되어 있다. 또한, 기체 반송 라인(174)에는, 기체 반송 라인(174)을 개폐할 수 있는 개폐 밸브(190)가 설치되어 있다.
제어부(130)는, 기판(102)의 끌어올림 시(반송 시)에, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 기체를 주입시키는 기능을 갖는다. 즉, 기판(102)의 연마 시에는, 슬러리 라인(120)을 통해 연마 패드(108) 상에 연마 지액이 공급되고, 연마 패드(108)와 기판(102) 사이에 연마 지액이 개재한 상태에서 연마가 행해진다. 그 후, 기판(102)을 세정하기 위해, DIW 라인(125)을 통해 연마 패드(108) 상에 순수가 공급되는 경우도 있다. 어떻게 하든, 기판(102)의 끌어올림 공정은, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 액체(연마 지액 또는 순수)(109)가 개재한 상태에서 행해진다. 제어부(130)는, 예를 들어, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 액체(109)(연마 지액 또는 순수)의 내부 영역(109a)에 기체를 주입시킨다. 또한, 제어부(130)는, 이것에 한정하지 않고, 연마 패드(108)와 액체(109) 사이, 또는 액체(109)와 기판 사이에 기체를 주입시킬 수도 있다. 또한 기체는, 예를 들어 N2 또는 공기 등이다. 단, 이것에 한정하지 않고, 불활성 가스를 사용할 수 있다. 또한, 제어부(130)는, 기체에 한정하지 않고, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 액체 등의 유체를 주입시킬 수도 있다.
제어부(130)는, 기판(102)의 끌어올림을 행할 때에는, 우선, 기판(102)과 연통 구멍(135)의 위치 정렬을 행한다. 구체적으로는, 제어부(130)는, 위치 검출 센서(140)에 의해 검출되는 연마 테이블(110)의 회전 위치에 기초하여, 연통 구멍(135)이 기판(102)의 판면(표면)에 대향하도록 연마 테이블(110)을 회전시킬 수 있다. 그리고, 제어부(130)는, 연통 구멍(135)이 기판(102)의 판면에 대향한 상태에서, 연통 구멍(135)을 통해 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 연마 지액 또는 순수의 내부 영역(109a)에 기체를 주입한다.
더욱 구체적으로는, 제어부(130)는, 개폐 밸브(190)에 대해 개폐 신호를 출력함으로써, 개폐 밸브(190)를 개폐시킬 수 있다. 제어부(130)는, 기판(102)의 끌어올림 시에, 개폐 밸브(190)를 「개방」으로 제어함으로써, 기체 반송 라인(174), 기액 반송 라인(170) 및 연통 구멍(135)을 통해, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 연마 지액 또는 순수의 내부 영역(109a)에 기체를 주입시킬 수 있다.
이와 같이, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 연마 지액 또는 순수의 내부 영역(109a)에 기체를 주입시킴으로써, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에서 발생한 진공 영역을 파과시킬 수 있다. 이에 의해, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이의 진공압보다, 톱 링(116)과 기판(102) 사이의 진공압의 쪽이 높아지므로, 톱 링(116)과 기판(102) 사이의 흡착력의 쪽이 강해진다. 그 결과, 기판(102)은 톱 링(116)에 흡착된 상태에서 상방으로 끌어올려지므로, 기판(102)이 연마 패드(108) 상에 남겨지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서는, 2개의 물체 사이의 진공압이 높아질수록 양자 사이의 흡착력은 강해지는 것으로 한다.
한편, 제어부(130)는, 연통 구멍(135)을 통해 기판(102)과 연마 패드(108) 사이의 영역에 기체를 주입하여 기판(102)이 끌어올려진 후, 기체의 주입을 정지하고, 연통 구멍(135)에 액체를 주입할 수 있다.
구체적으로는, 제어부(130)는, 개폐 밸브(180)에 대해 개폐 신호를 출력함으로써, 개폐 밸브(180)를 개폐시킬 수 있다. 제어부(130)는, 기판(102)이 끌어올려진 후, 개폐 밸브(180)를 개방으로 제어함으로써, 액체 반송 라인(172) 및 기액 반송 라인(170)을 통해 연통 구멍(135)에 순수를 주입할 수 있다. 이에 의해, 기판(102)의 끌어올림 후에 연통 구멍(135) 내를 세정할 수 있다. 또한, 연마 중, 연통 구멍(135) 내에 순수를 저류시켜 둠으로써, 슬러리가 연통 구멍(135) 내에 침입하는 것을 방지할 수 있는 동시에, 연마 성능에 악영향을 미치는 것을 저감할 수 있다.
여기서, 연통 구멍의 형성 형태에 대해 설명한다. 도 3은 연통 구멍의 형성예를 설명하기 위한 도면이다. 도 3은 연마 패드(108)의 상방에서 연마 패드(108)를 본 경우의, 연통 구멍(135)의 형성 위치와 기판(102)의 위치를 모식적으로 도시한 것이다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 연통 구멍(135)은, 여러 가지 형태로 형성할 수 있다. 도 3의 (a)는 도 2에서 도시한 연통 구멍(135)에 대응하고 있고, 기판(102)의 대략 중앙부에 3개의 연통 구멍(135)을 한꺼번에 배치한 것이다. 또한, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 연통 구멍(135)은, 기판(102)의 주연부에 3개 한꺼번에 배치할 수도 있다.
또한, 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이, 연통 구멍(135)은, 연마 테이블(110)을 회전시켰을 때에 기판(102)의 중앙이 천이하는 궤적을 모식적으로 도시한 천이 라인(103)을 따라, 이격하여 배치할 수도 있다. 또한, 도 3의 (d)에 도시하는 바와 같이, 연통 구멍(135)은, 천이 라인(103)에 교차하는 방향으로 이격하여 배치할 수도 있다. 또한, 도 3의 (e)에 도시하는 바와 같이, 연통 구멍(135)은, 기판(102)의 주연부에 있어서, 천이 라인(103)에 교차하는 방향으로 이격하여 배치할 수도 있다. 또한, 도 3에서는, 적어도 1개의 연통 구멍(135)이 천이 라인(103) 상에 배치되어 있지만, 이것에 한정하지 않고, 연통 구멍(135)은 천이 라인(103) 상에 배치되지 않아도 된다.
다음으로, 연마 장치(100)의 처리 흐름에 대해 설명한다. 도 4는 연마 장치의 처리 흐름을 나타내는 도면이다. 도 5는 연마 장치에 의한 기판의 연마 처리 및 끌어올림 처리의 모습을 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 4의 처리 흐름은, 최초에 기판(102)의 연마를 행하고, 연마 후에 기판(102)의 끌어올림을 행하는 예이지만, 기판(102)의 연마와 기판(102)의 끌어올림 사이에 기판의 세정을 행할 수도 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 우선, 제어부(130)는, 기판 전달 위치에 있어서 톱 링(116)에 기판(102)을 흡착한다(스텝 S101). 계속해서, 제어부(130)는, 톱 링(116)을 연마 테이블(110)[연마 패드(108)] 상으로 이동시킨다(스텝 S102).
이 상태를 도시한 것이 도 5의 (a)이다. 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 톱 링(116)은, 기판(102)을 흡착한 상태에서, 연마 패드(108) 상으로 이동된다.
계속해서, 제어부(130)는, 톱 링(116)을 하강하고, 기판(102)의 흡착을 정지한다(스텝 S103). 이에 의해, 기판(102)은 연마 패드(108) 상에 적재된다.
계속해서, 제어부(130)는, 톱 링(116)에 의해 기판(102)을 가압하고, 슬러리를 연마 패드(108) 상에 공급한다(스텝 S104). 또한, 기판(102)을 연마 패드(108) 상에 적재하기 전부터 슬러리의 공급을 개시해도 된다. 계속해서, 제어부(130)는, 기판(102)의 연마를 행한다(스텝 S105). 구체적으로는, 제어부(130)는, 톱 링(116)에 의해 기판(102)을 가압하면서, 연마 테이블(110)을 회전시키는 동시에, 톱 링(116)을 회전시킨다.
이 상태를 도시한 것이 도 5의 (b)이다. 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 기판(102)은 톱 링(116)에 의해 연마 패드(108)로 가압되고, 연마 테이블(110)과 톱 링(116)의 회전에 수반하여 연마 지액에 의해 연마된다. 또한, 기판(102)의 연마 중에 연통 구멍(135)에 순수를 공급함으로써, 연마 지액이 연통 구멍(135)에 침입하는 것을 막을 수도 있다. 단, 다량의 순수를 공급하면 연마 지액에 순수가 섞이므로, 연통 구멍(135)에 연마 지액이 침입하는 것을 막는 정도의 양으로 하는 것이 좋다. 연통 구멍(135)에는, 또한 연마 중의 기판(102)의 피연마면의 연마 상태를 감시하는 감시 장치를 설치할 수 있다. 감시 장치에 의한 측정 시에는, 연통 구멍(135) 내를 물(순수)로 채움으로써, 기판(102)과 감시 장치 사이에 연마 지액이 들어가지 않도록 할 수 있다. 따라서, 감시 장치가 설치되는 연통 구멍(135)에, 기액 반송 라인(170)을 접속시킬 수 있다.
계속해서, 제어부(130)는, 연마가 종료되었는지 여부를 판정한다(스텝 S106). 기판(102)의 연마가 종료되었는지 여부의 판정은, 예를 들어, 제1 전동 모터(112) 또는 제2 전동 모터(118)의 토크 전류의 변화에 기초하여 행할 수 있다.
제어부(130)는, 기판(102)의 연마가 종료되어 있지 않다고 판정하면(스텝 S106, 아니오), 연마가 종료되었다고 판정될 때까지, 연마 처리를 반복한다. 한편, 제어부(130)는, 기판(102)의 연마가 종료되었다고 판정하면(스텝 S106, 예), 연마 테이블(110)을 소정의 위치로 이동하고, 톱 링(116)에 기판(102)을 흡착시킨다(스텝 S107). 계속해서, 제어부(130)는, 연통 구멍(135)으로부터 N2를 공급 개시한다(스텝 S108). 또한, 스텝 S107과 스텝 S108은, 차례가 반대여도 된다.
이 상태를 도시한 것이 도 5의 (c)이다. 제어부(130)는, 위치 검출 센서(140)에 의해 검출되는 연마 테이블(110)의 회전 위치에 기초하여, 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이, 연통 구멍(135)이 기판(102)의 판면에 대향하도록 연마 테이블(110)을 회전시킨다. 또한, 제어부(130)는, 톱 링(116)에 기판(102)을 흡착시킨다. 또한, 연마 테이블(110)을 소정의 위치로 이동하는 처리와, 톱 링(116)에 기판(102)을 흡착시키는 처리는, 어느 쪽을 먼저 행해도 된다. 그리고, 제어부(130)는, 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이, 연통 구멍(135)의 저부로부터 N2를 공급한다.
이에 의해, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 연마 지액의 내부 영역(109a)에 N2를 주입시킬 수 있다. 그 결과, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에서 발생한 진공 영역을 파과할 수 있다.
계속해서, 제어부(130)는, 기판(102)을 끌어올린다(스텝 S109). 구체적으로는, 제어부(130)는, 기판(102)을 흡착한 톱 링(116)을 상방으로 이동시킴으로써, 기판(102)을 끌어올린다.
이 상태를 도시한 것이, 도 5의 (d)이다. 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에서 발생한 진공 영역을 파과함으로써, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이의 진공압은, 톱 링(116)과 기판(102) 사이의 진공압보다 낮아진다. 그 결과, 톱 링(116)과 기판(102) 사이의 흡착력의 쪽이 강해지므로, 기판(102)은 톱 링(116)에 흡착된 상태에서 상방으로 끌어올려지고, 기판(102)이 연마 패드(108) 상에 남겨지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 기판(102)을 연마면을 따라 슬라이드 이동시키지 않으므로 기판(102)에 스크래치(흠집)가 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한, 기판(102)의 흡착 시간을 길게 하지 않으므로 기판(102)의 연마의 처리량이 저하되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 기판(102)의 연마 성능을 유지한 상태에서 기판(102)의 끌어올림성을 향상시킬 수 있다.
계속해서, 제어부(130)는, 톱 링(116)을 기판(102)의 전달 위치로 이동한다(스텝 S110). 그 후, 제어부(130)는, 연통 구멍(135)의 세정 공정으로 이행한다. 즉, 제어부(130)는, N2의 공급을 정지하고(스텝 S111), 연통 구멍(135)에 DIW(순수)를 공급 개시한다(스텝 S112). 이에 의해, 연통 구멍(135)에 부착된 슬러리나 연마 칩 등을 세정할 수 있다. 그 후, 제어부(130)는, DIW의 공급을 정지하여(스텝 S113), 처리를 종료한다. 또한, 제어부(130)는, 톱 링(116)을 기판(102)의 전달 위치로 이동한 후, 다음으로 연마 처리해야 하는 기판에 대해, 스텝 S101로부터 마찬가지의 처리를 반복한다.
(제2 실시 형태)
다음으로, 제2 실시 형태의 연마 장치에 대해 설명한다. 도 6은 제2 실시 형태의 연마 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 6의 (a)는 연마 패드(108)의 상방에서 연마 패드(108)를 본 경우의, 연통 구멍(145)의 형성 위치와 기판(102)의 위치를 모식적으로 도시한 것이다. 도 6의 (b)는 제2 실시 형태의 연마 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 제2 실시 형태는, 제1 실시 형태와 비교하여, 연통 구멍의 형성 형태가 다를 뿐이므로, 그 밖의 구성의 설명은 생략한다.
도 6의 (a), (b)에 도시하는 바와 같이, 연통 구멍(145)은, 연마 패드(108)의 연마면과, 연마 패드(108)의 측면을 연통시키도록, 연마 패드(108)를 도려내어 형성된다. 도 6에서는, 연통 구멍(145)을 1개 형성하는 예를 나타냈지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 연마 패드(108)의 둘레 방향을 따라, 복수의 연통 구멍(145)을 형성할 수도 있다.
제2 실시 형태에 있어서도, 제어부(130)는 제1 실시 형태와 마찬가지로, 기판(102)의 끌어올림 시에, 연통 구멍(145)을 통해, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 연마 지액 또는 순수의 내부 영역에 기체를 주입시킨다. 이에 의해, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에서 발생한 진공 영역을 파과할 수 있으므로, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이의 진공압은, 톱 링(116)과 기판(102) 사이의 진공압보다 낮아진다. 그 결과, 톱 링(116)과 기판(102) 사이의 흡착력의 쪽이 강해지므로, 기판(102)은 톱 링(116)에 흡착된 상태에서 상방으로 끌어올려지고, 기판(102)이 연마 패드(108) 상에 남겨지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 실시 형태에 따르면, 연마 테이블(110)에 연통 구멍을 형성할 필요가 없으므로, 범용성을 높일 수 있는 동시에, 연마 패드(108)를 연마 테이블(110)에 접착할 때의 구멍의 위치 정렬이 불필요해지므로 연마 장치(100)의 제조를 용이하게 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 기판(102)을 연마면을 따라 슬라이드 이동시키지 않으므로 기판(102)에 스크래치(흠집)가 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한, 기판(102)의 흡착 시간을 길게 하지 않으므로 기판(102)의 연마의 처리량이 저하되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 기판(102)의 연마 성능을 유지한 상태에서 기판(102)의 끌어올림성을 향상시킬 수 있다.
(제3 실시 형태)
다음으로, 제3 실시 형태의 연마 장치에 대해 설명한다. 도 7은 제3 실시 형태의 연마 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 7의 (a)는 연마 패드(108)의 상방에서 연마 패드(108)를 본 경우의, 노즐(155)의 위치와 기판(102)의 위치를 모식적으로 도시한 것이다. 도 7의 (b)는 제3 실시 형태의 연마 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 제3 실시 형태는, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태와 비교하여, 주로, 연통 구멍을 형성하지 않고 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 연마 지액 또는 순수의 내부 영역에 노즐로부터 직접 기체를 주입하는 점이 다르다. 제1, 제2 실시 형태와 중복되는 구성의 설명은 생략한다.
도 7의 (a), (b)에 도시하는 바와 같이, 연마 패드(108)의 연마면에 대향한 위치, 연마 테이블(110)의 외주부의 외측의 위치, 또는 기판(102)의 외주부의 외측의 위치에는, 기체 반송 라인(174)과 접속되어 있고 기체를 토출 가능한 노즐(155)이 설치된다. 노즐(155)은, 그 기체 토출구(155a)를 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 연마 지액 또는 순수의 내부 영역을 향해 배치 가능하게 되어 있고, 기체 토출구(155a)로부터 토출된 기체를 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 연마 지액 또는 순수의 내부 영역에 주입 가능하게 되어 있다.
제3 실시 형태에 있어서는, 제어부(130)는, 기판(102)의 끌어올림 시에, 노즐(155)을 통해, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에 개재하는 연마 지액 또는 순수의 내부 영역에 기체를 주입시킨다. 이에 의해, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이에서 발생한 진공 영역을 파과할 수 있으므로, 기판(102)과 연마 패드(108) 사이의 진공압은, 톱 링(116)과 기판(102) 사이의 진공압보다 낮아진다. 그 결과, 톱 링(116)과 기판(102) 사이의 흡착력의 쪽이 강해지므로, 기판(102)은 톱 링(116)에 흡착된 상태에서 상방으로 끌어올려지고, 기판(102)이 연마 패드(108) 상에 남겨지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제3 실시 형태에서는, 연통 구멍을 형성하고 있지 않으므로, 연통 구멍의 세정을 행하기 위한 액체 반송 라인(172) 및 개폐 밸브(180) 등은 불필요하다. 또한, 제3 실시 형태에 따르면, 연마 테이블(110) 및 연마 패드(108)의 쌍방에 연통 구멍을 형성할 필요가 없으므로, 범용성을 높일 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 기판(102)을 연마면을 따라 슬라이드 이동시키지 않으므로 기판(102)에 스크래치(흠집)가 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한, 기판(102)의 흡착 시간을 길게 하지 않으므로 기판(102)의 연마의 처리량이 저하되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 기판(102)의 연마 성능을 유지한 상태에서 기판(102)의 끌어올림성을 향상시킬 수 있다.
100 : 연마 장치
102 : 기판
108 : 연마 패드
109 : 액체
109a : 내부 영역
110 : 연마 테이블
112 : 전동 모터(구동부)
116 : 톱 링(기판 보유 지지부)
120 : 슬러리 라인(액체 공급부)
125 : DIW 라인(액체 공급부)
130 : 제어부
135, 145 : 연통 구멍
140 : 위치 검출 센서
150 : DIW 공급부
155 : 노즐
155a : 기체 토출구
160 : N2 공급부

Claims (10)

  1. 기판을 연마하기 위한 연마 패드가 접착되는 연마 테이블과,
    상기 연마 패드의 연마면에 액체를 공급하는 액체 공급부와,
    상기 액체 공급부에 의해 공급된 액체를 개재하여 상기 연마면에 접촉하고 있는 기판을 흡착하여 상기 연마면으로부터 반송하는 기판 보유 지지부와,
    상기 연마 테이블을 회전시키는 구동부와,
    상기 연마 테이블의 회전 위치를 검출하는 위치 검출 센서와,
    상기 기판의 반송 시에, 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 유체를 주입시키는 제어부를 구비하고,
    상기 연마 패드 및 상기 연마 테이블에는, 상기 연마 패드의 연마면과 상기 연마 테이블의 측면 또는 이면을 연통시키는 연통 구멍이 형성되고,
    상기 제어부는, 상기 연통 구멍을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입하며,
    상기 제어부는, 상기 연통 구멍을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입하여 상기 기판이 반송된 후, 상기 유체의 주입을 정지하고, 상기 연통 구멍에 액체를 주입하고,
    상기 제어부는, 상기 위치 검출 센서에 의해 검출되는 연마 테이블의 회전 위치에 기초하여, 상기 연통 구멍이 상기 기판의 판면에 대향하도록 상기 연마 테이블을 회전시키고, 이 상태에서, 상기 연통 구멍을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  2. 기판을 연마하기 위한 연마 패드가 접착되는 연마 테이블과,
    상기 연마 패드의 연마면에 액체를 공급하는 액체 공급부와,
    상기 액체 공급부에 의해 공급된 액체를 개재하여 상기 연마면에 접촉하고 있는 기판을 흡착하여 상기 연마면으로부터 반송하는 기판 보유 지지부와,
    상기 연마 테이블을 회전시키는 구동부와,
    상기 연마 테이블의 회전 위치를 검출하는 위치 검출 센서와,
    상기 기판의 반송 시에, 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 유체를 주입시키는 제어부를 구비하고,
    상기 연마 패드에는, 상기 연마 패드의 연마면과 상기 연마 패드의 측면을 연통시키는 연통 구멍이 형성되고,
    상기 제어부는, 상기 연통 구멍을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입하며,
    상기 제어부는, 상기 연통 구멍을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입하여 상기 기판이 반송된 후, 상기 유체의 주입을 정지하고, 상기 연통 구멍에 액체를 주입하고,
    상기 제어부는, 상기 위치 검출 센서에 의해 검출되는 연마 테이블의 회전 위치에 기초하여, 상기 연통 구멍이 상기 기판의 판면에 대향하도록 상기 연마 테이블을 회전시키고, 이 상태에서, 상기 연통 구멍을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 연마 패드의 연마면에 대향한 위치, 상기 연마 테이블의 외주부의 외측의 위치, 또는 상기 기판의 외주부의 외측의 위치에 설치되어 상기 유체를 토출 가능한 노즐을 통해 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상기 유체를 주입하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 개재하는 액체의 내부 영역에 유체를 주입하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 연마 패드와 상기 액체 사이, 또는 상기 액체와 상기 기판 사이에 유체를 주입하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액체는, 상기 기판의 연마에 사용하는 연마 지액, 또는 상기 기판의 세정에 사용하는 세정액인 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유체는 기체인 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6295107B2 (ja) * 2014-03-07 2018-03-14 株式会社荏原製作所 基板処理システムおよび基板処理方法
CN104201141A (zh) * 2014-08-27 2014-12-10 上海华力微电子有限公司 研磨垫及晶片清洗方法
CN106141905B (zh) * 2016-08-22 2018-06-29 上海华力微电子有限公司 一种晶圆研磨头清洗装置及清洗方法
DE202016106124U1 (de) * 2016-11-01 2016-11-17 Francotyp-Postalia Gmbh Vereinzelungsstation
JP6948868B2 (ja) * 2017-07-24 2021-10-13 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
US11679468B2 (en) * 2019-05-16 2023-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical-mechanical polishing system and method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110177762A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Ahn Jin-Woo Wafer unloading system and wafer processing equipment including the same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3334139B2 (ja) * 1991-07-01 2002-10-15 ソニー株式会社 研磨装置
US5245790A (en) * 1992-02-14 1993-09-21 Lsi Logic Corporation Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers
US5443416A (en) * 1993-09-09 1995-08-22 Cybeq Systems Incorporated Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus
JP2976862B2 (ja) * 1995-09-28 1999-11-10 日本電気株式会社 研磨装置
US5899801A (en) * 1996-10-31 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing a substrate from a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
JPH10261601A (ja) * 1997-03-20 1998-09-29 Speedfam Co Ltd 研磨装置のワーク剥離方法及びワーク剥離装置
US5816900A (en) * 1997-07-17 1998-10-06 Lsi Logic Corporation Apparatus for polishing a substrate at radially varying polish rates
US6033293A (en) * 1997-10-08 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Apparatus for performing chemical-mechanical polishing
KR100545680B1 (ko) * 1998-02-14 2006-01-24 램 리서치 코포레이션 웨이퍼를 처리하는 적재부
US6602380B1 (en) * 1998-10-28 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for releasably attaching a polishing pad to a chemical-mechanical planarization machine
JP2001009699A (ja) * 1999-07-05 2001-01-16 Nichiden Mach Ltd 平面研磨装置
JP2002217147A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ研磨装置のウェーハ回収方法及び装置
US6722949B2 (en) * 2001-03-20 2004-04-20 Taiwan Semiconductors Manufacturing Co., Ltd Ventilated platen/polishing pad assembly for chemcial mechanical polishing and method of using
CN101383271A (zh) * 2003-08-07 2009-03-11 株式会社荏原制作所 基片处理装置、基片处理方法和基片固定装置
JP2005123485A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Ebara Corp 研磨装置
US6951597B2 (en) * 2003-10-31 2005-10-04 Novellus Systems, Inc. Dynamic polishing fluid delivery system for a rotational polishing apparatus
US20060135047A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Alexei Sheydayi Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
US20070190788A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Manoj Balachandran Wafer removing force reduction on cmp tool
TW200736001A (en) * 2006-03-27 2007-10-01 Toshiba Kk Polishing pad, method of polishing and polishing apparatus
JP5009101B2 (ja) * 2006-10-06 2012-08-22 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
JP2008147591A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Nec Electronics Corp 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP5248127B2 (ja) 2008-01-30 2013-07-31 株式会社荏原製作所 研磨方法及び研磨装置
TWI613037B (zh) * 2011-07-19 2018-02-01 荏原製作所股份有限公司 硏磨方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110177762A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Ahn Jin-Woo Wafer unloading system and wafer processing equipment including the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP6027454B2 (ja) 2016-11-16
TW201436945A (zh) 2014-10-01
US9211629B2 (en) 2015-12-15
US20140220864A1 (en) 2014-08-07
KR20140100414A (ko) 2014-08-14
CN103962937A (zh) 2014-08-06
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