JP2003282673A - 半導体ウエーハの搬送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエーハに帯電した静電気を確実に除
電することができるとともに、搬送中に半導体ウエーハ
の落下の虞がない半導体ウエーハの搬送装置を提供す
る。 【解決手段】 半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸
着パッドと、該吸着パッドに負圧を作用せしめる吸引手
段と、吸着パッドを所定位置に搬送する搬送移動手段と
を具備する半導体ウエーハの搬送装置であって、吸着パ
ッドにイオン化された空気を供給するイオン化空気供給
手段と、該イオン化空気供給手段と吸引手段を吸着パッ
ドに選択的に連通する切り替え手段とを具備している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
裏面を研削する研削装置や半導体ウエーハを個々の半導
体チップに分割するダイシング装置等の加工装置に装備
される半導体ウエーハの搬送装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】当業者には周知の如く、半導体デバイス
製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハ
の表面に格子状に配列された多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ
等の回路を形成し、該回路が形成された各領域を所定の
ストリート（切断ライン）に沿ってダイシング装置によ
りダイシングすることにより個々の半導体チップを製造
している。半導体チップの放熱性を良好にするためは、
半導体チップの厚さをできるだけ薄く形成することが望
ましい。そのため、半導体ウエーハを個々の半導体チッ
プに分割する前に、その裏面を研削装置により研削して
所定の厚さに加工している。

【０００３】上述したダイシング装置や研削装置等の加
工装置は、加工前カセットテーブル上に載置された加工
前ウエーハ用カセットに収容されている加工前半導体ウ
エーハを搬出する搬送機構と、搬出された加工前半導体
ウエーハをチャックテーブルに搬送する搬送機構と、チ
ャックテーブル上で所定の加工が施された加工後半導体
ウエーハを洗浄手段に搬送する搬送機構と、洗浄手段に
よって洗浄された加工後半導体ウエーハを加工後ウエー
ハ用カセットに搬送する搬送機構を具備している。しか
るに、半導体ウエーハの加工、洗浄および搬送等におい
て半導体ウエーハに静電気が帯電し、この静電気が半導
体ウエーハの品質を低下させるという問題がある。この
問題を解消するために、半導体ウエーハの搬送経路にイ
オン化空気供給手段を配設し、搬送機構によって搬送さ
れている半導体ウエーハにイオン化した空気を噴射する
ことにより、半導体ウエーハに帯電した静電気を除電す
る方法が一般に採用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】而して、半導体ウエー
ハにおける搬送機構の保持部材に保持されている面には
イオン化した空気を十分に作用することができず、帯電
した静電気を確実に除電することが困難である。また、
保持部材としてベルヌーイパッドを用いたものにおいて
は、円錐形状のパッドの内面に沿って空気を噴出するこ
とにより発生する負圧と半導体ウエーハの外周から中心
側に巻き込まれる空気の作用によって、半導体ウエーハ
をパッドに保持するが、ここにイオン化した空気が噴射
されると上記巻き込み空気が乱されて搬送中に半導体ウ
エーハが落下するという問題もある。

【０００５】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、半導体ウエーハに帯電し
た静電気を確実に除電することができるとともに、搬送
中に半導体ウエーハの落下の虞がない半導体ウエーハの
搬送装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、半導体ウエーハの上面を
吸引保持する吸着パッドと、該吸着パッドに負圧を作用
せしめる吸引手段と、該吸着パッドを所定位置に搬送す
る搬送移動手段と、を具備する半導体ウエーハの搬送装
置において、該吸着パッドにイオン化された空気を供給
するイオン化空気供給手段と、該イオン化空気供給手段
と該吸引手段を該吸着パッドに選択的に連通する切り替
え手段と、を具備している、ことを特徴とする半導体ウ
エーハの搬送装置が提供される。

【０００７】また、本発明によれば、半導体ウエーハの
上面を吸引保持するベルヌーイパッドと、該ベルヌーイ
パッドに空気を供給する空気供給手段と、該ベルヌーイ
パッドを所定位置に搬送する搬送移動手段と、を具備す
る半導体ウエーハの搬送装置において、該空気供給手段
は、イオン化された空気を供給するイオン化空気供給手
段からなっている、ことを特徴とする半導体ウエーハの
搬送装置が提供される。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体ウエー
ハの搬送装置の好適な実施形態について、添付図面を参
照して詳細に説明する。

【０００９】図１には本発明に従って構成された半導体
ウエーハの搬送装置を適用する研削装置の斜視図が示さ
れている。図示の実施形態における研削装置は、略直方
体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジン
グ２の図１において右上端には、静止支持板４が立設さ
れている。この静止支持板４の内側面には、上下方向に
延びる２対の案内レール６、６および８、８が設けられ
ている。一方の案内レール６、６には荒研削手段として
の荒研削ユニット１０が上下方向に移動可能に装着され
ており、他方の案内レール８、８には仕上げ研削手段と
しての仕上げ研削ユニット１２が上下方向に移動可能に
装着されている。

【００１０】荒研削ユニット１０は、ユニットハウジン
グ１０１と、該ユニットハウジング１０１の下端に回転
自在に装着された研削ホイール１０２と、該ユニットハ
ウジング１０１の上端に装着され研削ホイール１０２を
矢印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構１０３と、
ユニットハウジング１０１を装着した移動基台１０４と
を具備している。移動基台１０４には被案内レール１０
５、１０５が設けられており、この被案内レール１０
５、１０５を上記静止支持板４に設けられた案内レール
６、６に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニッ
ト１０が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態
における荒研削ユニット１０は、上記移動基台１０４を
案内レール６、６に沿って移動させ研削ホイール１０２
の切り込み深さを調整する送り機構１１を具備してい
る。送り機構１１は、上記静止支持板４に案内レール
６、６と平行に上下方向に配設され回転可能に支持され
た雄ねじロッド１１１と、該雄ねじロッド１１１を回転
駆動するためのパルスモータ１１２と、上記移動基台１
０４に装着され雄ねじロッド１１１と螺合する図示しな
い雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ１１２
によって雄ねじロッド１１１を正転および逆転駆動する
ことにより、荒研削ユニット１０を上下方向に移動せし
める。

【００１１】上記仕上げ研削ユニット１２も荒研削ユニ
ット１０と同様に構成されており、ユニットハウジング
１２１と、該ユニットハウジング１２１の下端に回転自
在に装着された研削ホイール１２２と、該ユニットハウ
ジング１２１の上端に装着され研削ホイール１２２を矢
印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構１２３と、ユ
ニットハウジング１２１を装着した移動基台１２４とを
具備している。移動基台１２４には被案内レール１２
５、１２５が設けられており、この被案内レール１２
５、１２５を上記静止支持板４に設けられた案内レール
８、８に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユ
ニット１２が上下方向に移動可能に支持される。図示の
形態における仕上げ研削ユニット１２は、上記移動基台
１２４を案内レール８、８に沿って移動させ研削ホイー
ル１２2 の切り込み深さを調整する送り機構１３を具備
している。この送り機構１３は、上記送り手段１１と実
質的に同じ構成である。即ち、送り機構１３は、上記静
止支持板４に案内レール8 、8と平行に上下方向に配設
され回転可能に支持された雄ねじロッド１３１と、該雄
ねじロッド１３１を回転駆動するためのパルスモータ１
３２と、上記移動基台１２４に装着され雄ねじロッド１
３１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備してお
り、パルスモータ１３２によって雄ねじロッド１３１を
正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニッ
ト１２を上下方向に移動せしめる。

【００１２】図示の実施形態における研削装置は、上記
静止支持板４の前側において装置ハウジング２の上面と
略面一となるように配設されたターンテーブル１５を具
備している。このターンテーブル１５は、比較的大径の
円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によ
って矢印１５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。タ
ーンテーブル１５には、図示の実施形態の場合それぞれ
１２０度の位相角をもって半導体ウエーハ載置部材とし
ての３個のチャックテーブル２０が水平面内で回転可能
に配置されている。このチャックテーブル２０は、上方
が開放された円形状の凹部を備えた円盤状の基台２１
と、該基台２１に形成された凹部に嵌合されるポーラス
セラミック盤によって形成された吸着保持チャック２２
とからなっており、図示しない回転駆動機構によって矢
印で示す方向に回転せしめられるように構成されてい
る。なお、チャックテーブル２０は図示しない吸引手段
に接続されている。以上のように構成されたターンテー
ブル１５に配設された３個のチャックテーブル２０は、
ターンテーブル１５が適宜回転することにより被加工物
搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加
工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめ
られる。

【００１３】図示の研削装置における被加工物搬入・搬
出域Ａに対して一方側には、研削加工前の半導体ウエー
ハを収容する研削前ウエーハ用カセット３１と、該研削
前ウエーハ用カセット３１と被加工物搬入・搬出域Ａと
の間に設けられた半導体ウエーハ載置部材としての仮り
置きテーブル３２が配設されている。研削前ウエーハ用
カセット３１には、表面にテープＴが貼着された半導体
ウエーハＷが収納される。

【００１４】一方、研削装置における被加工物搬入・搬
出域Ａに対して他方側には、研削加工後の該半導体ウエ
ーハを洗浄する洗浄装置３４が配設されている。この洗
浄装置３４は、研削加工後の半導体ウエーハを吸引保持
するするとともに回転せしめる半導体ウエーハ載置部材
としてのスピンナーテーブルを備えている。また、被加
工物搬入・搬出域Ａに対して他方側には、上記洗浄装置
３４によって洗浄された研削加工後の半導体ウエーハＷ
を収容する研削後ウエーハ用カセット３３が配設されて
いる。

【００１５】図示の実施形態における研削装置は、研削
前ウエーハ用カセット３１内に収納された半導体ウエー
ハＷを仮り置きテーブル３２に搬出するとともに洗浄装
置３４で洗浄された半導体ウエーハＷを研削後ウエーハ
用カセット３３に搬送する被加工物搬送機構３５を備え
ている。また、図示の実施形態における研削装置は、上
記仮り置きテーブル３２上に載置された半導体ウエーハ
Ｗを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャック
テーブル２０上に搬送する被加工物搬入機構３６と、被
加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブ
ル２０上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハ
Ｗを洗浄装置３４に搬送する被加工物搬出機構３７を具
備している。

【００１６】次に、上記研削装置の研削動作について簡
単に説明する。表面にテープＴを貼着した半導体ウエー
ハＷは、テープＴを下側に即ち裏面を上側にして研削前
ウエーハ用カセット３１に収容される。研削前ウエーハ
用カセット３１に収容された研削加工前の半導体ウエー
ハＷは被加工物搬送手段３４の上下動作および旋回動作
により搬送され、仮り置きテーブル３２に載置される。
仮り置きテーブル３２に載置された研削前の半導体ウエ
ーハＷは、例えば６本のピンの中心に向かう径方向運動
により中心合わせされる。仮り置きテーブル３２に載置
され中心合わせされた半導体ウエーハＷは、被加工物搬
入手段３５の上下動作および旋回動作によって被加工物
搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０
上にテープＴを下側即ち裏面を上側にして載置される。
チャックテーブル２０上に研削前の半導体ウエーハＷが
載置されたならば、図示しない吸引手段を作動すること
により、研削前の半導体ウエーハＷを吸着保持チャック
２２上に吸引保持することができる。そして、ターンテ
ーブル１５を図示しない回転駆動機構によって矢印１５
ａで示す方向に１２０度回動せしめて、研削前の半導体
ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０を荒研削加
工域Ｂに位置付ける。

【００１７】研削前の半導体ウエーハＷを載置したチャ
ックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられると
図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転
せしめられ、一方、荒研削ユニット１０の研削ホイール
１０２が矢印で示す方向に回転せしめられつつ送り機構
１１によって所定量下降することにより、チャックテー
ブル２０上の研削前半導体ウエーハＷの裏面に荒研削加
工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａ
に位置付けられた次のチャックテーブル２０上には、上
述したように研削前の半導体ウエーハＷが載置される。
次に、ターンテーブル１５を矢印１５ａで示す方向に１
２０度回動せしめて、荒研削加工した半導体ウエーハＷ
を載置したチャックテーブル２０を仕上げ研削加工域Ｃ
に位置付ける。なお、このとき被加工物搬入・搬出域Ａ
において研削前の半導体ウエーハＷが載置された次のチ
ャックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられ、
次の次のチャックテーブル２０が被加工物搬入・搬出域
Ａに位置付けられる。

【００１８】このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付
けられたチャックテーブル２０上に載置された荒研削加
工前の半導体ウエーハＷには荒研削ユニット１０によっ
て荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付け
られたチャックテーブル２０上に載置され荒研削加工さ
れた半導体ウエーハＷには仕上げ研削ユニット１２によ
って仕上げ研削加工が施される。次に、ターンテーブル
１５を矢印１５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、
仕上げ研削加工した研削後の半導体ウエーハＷを載置し
たチャックテーブル２０を被加工物搬入・搬出域Ａに位
置付ける。なお、荒研削加工域Ｂにおいて荒研削加工さ
れた半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０
は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにお
いて研削前の半導体ウエーハＷが載置されたチャックテ
ーブル２０は荒研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられ
る。

【００１９】なお、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加
工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャ
ックテーブル２０は、ここで研削後の半導体ウエーハＷ
の吸着保持を解除する。次に、被加工物搬出手段３７の
上下動作および旋回動作によって被加工物搬入・搬出域
Ａに戻ったチャックテーブル２０上で吸着保持が解除さ
れた研削後の半導体ウエーハＷをチャックテーブル２０
から搬出し、洗浄装置３４の半導体ウエーハ載置部材と
してのスピンナーテーブル３４１上に載置する。スピン
ナーテーブル３４１上に載置された研削後の半導体ウエ
ーハＷはスピンナーテーブル３４１上に吸着保持され、
ここで研削時に付着したコンタミが洗浄され、更にスピ
ン乾燥される。半導体ウエーハＷが洗浄・乾燥されたな
らば、半導体ウエーハＷの吸着保持を解除する。次に、
スピンナーテーブル３４１上で吸着保持が解除された半
導体ウエーハＷは、被加工物搬送手段３５の上下動作お
よび旋回動作により研削後ウエーハ用カセット３３に搬
送され収納される。

【００２０】上述した研削装置に装備された上記被加工
物搬送機構３５と被加工物搬入機構３６および被加工物
搬出機構３７は、いずれも半導体ウエーハの上面を吸引
保持する吸着パッドと、該吸着パッドに負圧を作用せし
める吸引手段と、該吸着パッドを所定位置に搬送する搬
送移動手段とを具備している。従って、本発明に従って
構成された半導体ウエーハの搬送装置の一実施形態とし
て、被加工物搬出機構３７に適用した例を図２を参照し
て説明する。

【００２１】図２に示す被加工物搬出機構３７は、Ｌ字
状の作動アーム４１を備えている。このＬ字状の作動ア
ーム４１は垂直部４１１と水平部４１２とからなってお
り、垂直部４１１の下端が昇降機構４２に連結されてい
る。昇降機構４２は例えばエアピストン等からなってお
り、作動アーム４１を図２において矢印４２ａで示すよ
うに上下方向に作動せしめる。また、作動アーム４１の
垂直部４１１と連結した昇降手段４２は、正転・逆転可
能な電動モータを含む旋回機構４３に連結されている。
従って、作動機構４３を正転方向または逆転方向に駆動
することにより、作動アーム４１は垂直部４１１を中心
として揺動せしめられる。この結果、作動アーム４１の
水平部４１２は水平面内で作動せしめられ、この水平部
４１２の先端部に装着される後述する吸着パッド４４が
水平面内で作動せしめられる。なお、作動アーム４１、
上記昇降機構４２および旋回機構４３は、吸着パッド４
４を所定位置に搬送する搬送移動手段として機能する。

【００２２】上記作動アーム４１の水平部４１２の先端
部に装着される吸着パッド４４は、図２に示すように円
盤状の基台４５とパッド４６とからなっている。基台４
５は適宜の金属材によって構成され、その上面中央部に
は支持軸部４５ａが突出して形成されており、この支持
軸部４５ａが作動アーム４１を構成する水平部４１２の
先端部に装着される。支持軸部４５ａの上端には係止部
４５ｂが設けられており、この係止部４５ｂが水平部４
１２に形成された係合部４１３と係合するようになって
いる。なお、基台４５の上面と作動アーム４１を構成す
る水平部４１２との間には圧縮コイルばね４７が配設さ
れ、基台４５を下方に向けて付勢している。

【００２３】吸着パッド４４を構成する基台４５は、下
方が開放された円形状の凹部４５１を備えている。この
凹部４５１にポーラスセラミック部材によって円盤状に
形成されたパッド４６が嵌合されている。吸着パッド４
４を構成する基台４５に形成された円形状の凹部４５１
は、支持軸部４５ａに設けられた連通路４５２を介して
作動アーム４１内に配設されたフレキシブルパイプ等の
配管４８１に接続されている。

【００２４】上記配管４８１は作動アーム４１の垂直部
４１１を通して配設され、配管４８２、三方向ジョイン
ト４８３、配管４８４、４８５を介して吸引手段５０お
よびイオン化空気供給手段５１に連通するように構成さ
れている。吸引手段５０は真空ポンプや負圧タンクを含
んでおり、またはエジェクター機構等からなっている。
イオン化空気供給手段５１は、空気をイオン化する手段
と送風機等を含んでいる。吸引手段５０と三方向ジョイ
ント４８３を接続する配管４８４中には、電磁開閉弁５
２が配設されている。この電磁開閉弁５２は、除勢（Ｏ
ＦＦ）している状態では配管４８４の連通を遮断してお
り、付勢（ＯＮ）されると配管４８４を連通せしめる。
また、イオン化空気供給手段５１と三方向ジョイント４
８３を接続する配管４８５中には、電磁開閉弁５３が配
設されている。この電磁開閉弁５３は、除勢（ＯＦＦ）
している状態では配管４８５の連通を遮断しており、付
勢（ＯＮ）されると配管４８５を連通せしめる。従っ
て、電磁開閉弁５２および５３は、吸引手段５０とイオ
ン化空気供給手段５１を吸着パッド４４に選択的に連通
する切り替え手段として機能する。なお、電磁開閉弁５
２および５３は、図示しない制御手段によってその作動
が制御される。

【００２５】図示の実施形態における被加工物搬出機構
３７は以上のように構成されており、以下その作動につ
いて図３および図４を参照して説明する。なお、以下の
説明においては、上記チャックテーブル２０上で研削加
工された研削後の半導体ウエーハＷを洗浄装置３４のス
ピンナーテーブル３４１上に搬送する例について述べ
る。上記のように図１に示す被加工物搬入・搬出域Ａに
戻ったチャックテーブル２０は、研削加工された半導体
ウエーハＷの吸着保持を解除する。同時に被加工物搬出
機構３７の昇降機構４２および旋回機構４３が作動せし
められて、吸着パッド４４の下面（吸引面）をチャック
テーブル２０上の研削後の半導体ウエーハＷの上面に接
触させる。そして、電磁開閉弁５２を付勢（ＯＮ）して
配管４８５を連通すると、吸引手段５０の負圧が吸着パ
ッド４４の下面（吸引面）に作用し、図３に示すように
半導体ウエーハＷは吸着パッド４４の下面に吸引保持さ
れる。このようにして、吸着パッド４４が半導体ウエー
ハＷを吸引保持した状態で昇降機構４２および旋回機構
４３を作動して、洗浄装置３４のスピンナーテーブル３
４１上に搬送する。そして、電磁開閉弁５２を除勢（Ｏ
ＦＦ）するとともに、電磁開閉弁５３を付勢（ＯＮ）す
る。従って、配管４８４が遮断されて配管４８５が連通
され、イオン化空気供給手段５１によってイオン化され
た空気が吸着パッド４４の下面に噴出せしめられる。こ
の結果、図４に示すように吸着パッド４４に吸引保持さ
れていた半導体ウエーハＷは、吸着パッド４４から引き
離されてスピンナーテーブル３４１上に載置されるとと
もに、半導体ウエーハＷの上面にはイオン化された空気
が供給される。このイオン化された空気の供給を所定時
間実施することにより、研削加工時および搬送時に半導
体ウエーハＷに帯電された静電気は、効果的に除電され
る。

【００２６】次に、本発明に従って構成された半導体ウ
エーハの搬送装置の他の実施形態について、図５および
図６を参照して説明する。なお、図５および図６に示す
実施形態においては、上記図２の実施形態における構成
部材と同一部材には同一符号を付して詳細な説明は省略
する。図５および図６に示す搬送装置は、ダイシング装
置に装備される搬送装置に適用されているもので、半導
体ウエーハの上面を吸引保持する吸引保持部材としてベ
ルヌーイパッドを用いたものである。ベルヌーイパッド
６０は従来周知の構成でよく、円錐形状のパッド６１の
内面に沿って多数の噴出口６１１から空気を流すように
構成されている。円錐形状のパッド６１の外周部内面に
はゴム材からなる複数個（例えば６個）の支持部材６１
３が装着されており、噴出口６１１から流出されパッド
６１の内面に沿って流れる空気は、支持部材６１３間を
通して流れる。パッド６１に形成された噴出口６１１は
連通路６１２および配管４８５を介してイオン化空気供
給手段５１に連通するように構成されている。配管４８
５中には、電磁開閉弁５３が配設されている。なお、上
記ベルヌーイパッドは、Ｌ字状の作動アーム４１に装着
されており、この作動アーム４１は昇降機構４２および
旋回機構４３によって作動せしめられるように構成され
ている。

【００２７】図５および図６に示す搬送装置は以上のよ
うに構成されており、以下その作動について図６を参照
して説明する。適宜の半導体ウエーハ載置部材上に載置
された半導体ウエーハＷを搬送するには、昇降機構４２
および旋回機構４３を作動してベルヌーイパッド６０を
半導体ウエーハＷの上方に位置付ける、そして、電磁開
閉弁５３を付勢（ＯＮ）して配管４８５を連通する。こ
の結果、イオン化空気供給手段５１によってイオン化さ
れた空気が円錐形状のパッド６１の内面に沿って噴出さ
れ、この空気の噴出流ににより発生する負圧と半導体ウ
エーハの外周から中心側に巻き込まれる空気の作用によ
って、導体ウエーハＷはパッド６１に保持される。この
ようにして、ベルヌーイパッド６０が半導体ウエーハＷ
を保持した状態で昇降機構４２および旋回機構４３を作
動して搬送する。図５および図６に示す搬送装置におい
ては、ベルヌーイパッド６０を作動する空気としてイオ
ン化空気供給手段５１によって供給されるイオン化され
た空気が用いられるので、半導体ウエーハＷを保持して
搬送している間に加工時および搬送時に帯電された静電
気を効果的に除電することができる。なお、図示の実施
形態においては、ベルヌーイパッド６０を作動する空気
としてイオン化された空気が用いられ、従来のようにベ
ルヌーイパッド６０に保持されて搬送されている半導体
ウエーハＷにイオン化された空気を噴射するものではな
いので、ベルヌーイパッドの巻き込み空気を乱すことに
よる半導体ウエーハＷの脱落を未然に防止することでき
る。

【００２８】

【発明の効果】本発明に係る半導体ウエーハの搬送装置
は以上のように構成され、吸着パッドに半導体ウエーハ
を吸引保持して搬送した位置で吸着パッドをイオン化空
気供給手段に連通し、半導体ウエーハの上面にイオン化
された空気を供給するようにしたので、イオン化された
空気によって半導体ウエーハが吸着パッドから引き離さ
れるとともに、加工時および搬送時に半導体ウエーハに
帯電された静電気が効果的に除電される。

【００２９】また、本発明によれば、半導体ウエーハの
上面を吸引保持するベルヌーイパッドにイオン化空気供
給手段によってイオン化された空気を供給するようにし
たので、半導体ウエーハを保持して搬送している間に加
工時および搬送時に帯電された静電気を効果的に除電す
ることができる。また、イオン化された空気がベルヌー
イパッドに保持されて搬送されている半導体ウエーハに
噴射するものではないので、ベルヌーイパッドの巻き込
み空気を乱すことによる半導体ウエーハＷの脱落を未然
に防止することできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置を適用する研削装置の斜視図。

【図２】本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置の一実施形態を示す構成図。

【図３】図２に示す半導体ウエーハの搬送装置の作動状
態を示す説明図。

【図４】図２に示す半導体ウエーハの搬送装置の作動状
態を示す説明図。

【図５】本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置の他の実施形態を示す構成図。

【図６】図５に示す半導体ウエーハの搬送装置の作動状
態を示す説明図。

【符号の説明】

２：装置ハウジング ４：静止支持板４ ６：案内レール ８：案内レール １０：荒研削ユニット １０１：ユニットハウジング １０２：研削ホイール １０３：回転駆動機構 １０４：移動基台 １０５：被案内レール １１：送り機構 １１１：雄ねじロッド １１２：パルスモータ １２：仕上げ研削ユニット １２１：ユニットハウジング １２２：研削ホイール １２３：回転駆動機構 １２４：移動基台 １２５：被案内レール １３：送り機構 １３１：雄ねじロッド １３２：パルスモータ １５：ターンテーブル ２０：チャックテーブル ２１：チャックテーブルの基台 ２２：チャックテーブルの吸着保持チャック ３１：研削前ウエーハ用カセット ３２：被加工物載置部 ３３：研削後ウエーハ用カセット ３４：洗浄装置 ３５：被加工物搬送手段 ３６：被加工物搬入手段 ３７：被加工物搬出手段 ４１：作動アーム ４２：昇降機構 ４３：旋回機構 ４４：吸着パッド ４５：基台 ４６：パッド ５０：吸引手段 ５１：イオン化空気供給手段 ５２：電磁開閉弁 ５３：電磁開閉弁 ６０：ベルヌーイパッド ６１：パッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA01 DA15 FA01 FA07 FA11 FA12 FA15 GA28 GA35 GA43 GA47 GA49 HA12 LA09 LA12 LA15 MA22 MA23 MA34 PA21

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸
   着パッドと、該吸着パッドに負圧を作用せしめる吸引手
   段と、該吸着パッドを所定位置に搬送する搬送移動手段
   と、を具備する半導体ウエーハの搬送装置において、 該吸着パッドにイオン化された空気を供給するイオン化
   空気供給手段と、 該イオン化空気供給手段と該吸引手段を該吸着パッドに
   選択的に連通する切り替え手段と、を具備している、 ことを特徴とする半導体ウエーハの搬送装置。
2. 【請求項２】 半導体ウエーハの上面を吸引保持するベ
   ルヌーイパッドと、該ベルヌーイパッドに空気を供給す
   る空気供給手段と、該ベルヌーイパッドを所定位置に搬
   送する搬送移動手段と、を具備する半導体ウエーハの搬
   送装置において、 該空気供給手段は、イオン化された空気を供給するイオ
   ン化空気供給手段からなっている、 ことを特徴とする半導体ウエーハの搬送装置。