JP2002025961A - 半導体ウエーハの研削方法 - Google Patents

半導体ウエーハの研削方法

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JP2002025961A
JP2002025961A JP2000202661A JP2000202661A JP2002025961A JP 2002025961 A JP2002025961 A JP 2002025961A JP 2000202661 A JP2000202661 A JP 2000202661A JP 2000202661 A JP2000202661 A JP 2000202661A JP 2002025961 A JP2002025961 A JP 2002025961A
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wafer
semiconductor wafer
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chuck
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JP2000202661A
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Kazunao Arai
一尚 荒井
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Disco Abrasive Syst Ltd
株式会社ディスコ
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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    • B24B41/00Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/068Table-like supports for panels, sheets or the like

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研削による仕上がり精度の低下を招くことな
く、研削後の半導体ウエーハを円滑に搬送することがで
きる半導体ウエーハの研削方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエーハを保持するチャックテー
ブルと、該チャックテーブル上に保持された半導体ウエ
ーハの上面を研削する研削手段とを有する研削装置を用
いた半導体ウエーハの研削方法であって、研削加工後に
チャックテーブルから搬出された研削後の半導体ウエー
ハをウエーハ保持トレーに保持せしめるトレー保持工程
を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
研削方法、更に詳しくは半導体ウエーハを保持するチャ
ックテーブルと該チャックテーブル上に保持された半導
体ウエーハの上面を研削する研削手段とを有する研削装
置を用いた半導体ウエーハの研削方法に関する。
【0002】
【従来の技術】当業者には周知の如く、半導体デバイス
製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハ
を個々のペレットに分割して半導体素子を形成してい
る。半導体素子の放熱性を良好にするためは、半導体素
子の厚さをできるだけ薄く形成することが望ましい。ま
た、半導体素子を多数用いる携帯電話、スマートカー
ド、パソコン等の小型化を可能にするためにも、半導体
素子の厚さをできるだけ薄く形成することが望ましい。
そのため、半導体ウエーハを個々のペレットに分割する
前に、その裏面を研削して所定の厚さに加工している。
このような半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置
は、被加工物である半導体ウエーハをチャックテーブル
上に吸引保持し、このチャックテーブル上に表面側が吸
引保持された半導体ウエーハの裏面(上面)を研削手段
によって研削する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】而して、半導体ウエー
ハは例えば100μm以下の厚さまで研削されると、剛
性が低下して全体に撓みが生じ、搬送およびカセットへ
の収納が困難になるという問題がある。また、半導体ウ
エーハの裏面を研削する前にダイシング装置において表
面から所定深さのダイシング溝を予め形成しておき、半
導体ウエーハの裏面を研削して50μm程度の厚さに仕
上げることにより、チップ毎に分割する所謂先ダイシン
グと称する製造方法においては、研削後の半導体ウエー
ハは表面側に貼着された保護テープの作用で個々のチッ
プに分離されはしないが、半導体ウエーハの形態として
全く剛性を有しないので、研削後の搬送およびカセット
への収納が極めて難しくなる。
【0004】なお、研削後の半導体ウエーハの搬送を容
易にするためには、半導体ウエーハを予め剛性の高い基
板に貼着しておき、この半導体ウエーハを貼着した基板
をチャックテーブルに載置して半導体ウエーハを研削す
れば、研削により半導体ウエーハが薄くなっても基板の
剛性によって撓むことなく搬送することができるととも
にカセット内への収納が容易となる。しかしながら、チ
ャックテーブルの表面精度と研削手段の研削面精度とに
よって半導体ウエーハの仕上がり精度が決まる研削装置
においては、半導体ウエーハとチャックテーブルとの間
に基板を介在させることは仕上がり精度を低下させる要
因となる。
【0005】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、研削による仕上がり精度
の低下を招くことなく、研削後の半導体ウエーハを円滑
に搬送することができる半導体ウエーハの研削方法を提
供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、半導体ウエーハを保持す
るチャックテーブルと、該チャックテーブル上に保持さ
れた半導体ウエーハの上面を研削する研削手段とを有す
る研削装置を用いた半導体ウエーハの研削方法であっ
て、該チャックテーブルに研削すべき該半導体ウエーハ
を載置する研削前ウエーハ載置工程と、該チャックテー
ブルに載置された該半導体ウエーハの上面を該研削手段
によって所定厚さに研削するウエーハ研削工程と、研削
後の該半導体ウエーハを該チャックテーブルから搬出す
るウエーハ搬出工程と、該チャックテーブルから搬出さ
れた研削後の該半導体ウエーハをウエーハ保持トレーに
保持せしめるトレー保持工程と、を含む、ことを特徴と
する半導体ウエーハの研削方法が提供される。
【0007】上記半導体ウエーハを保持するウエーハ保
持トレーは、無数の気孔が表面に形成され弾性による復
元力と密着性とで気孔が潰れ負圧が生じた際に吸着力を
発生する弾性パッドと、該弾性パッドを装着するととも
に弾性パッドに負圧または加圧力を導入する連通孔を有
する基板とから構成されており、上記トレー保持工程
は、上記チャックテーブルから搬出された半導体ウエー
ハを上記ウエーハ保持トレーの弾性パッドの表面に載置
し、上記連通孔に負圧を導入して半導体ウエーハを弾性
パッドに吸着保持せしめる。
【0008】上記研削装置は、研削後の半導体ウエーハ
を載置するスピンナーテーブルを有する洗浄手段と、上
記ウエーハ保持トレーを収容するトレー用カセットとを
具備しており、上記トレイ保持工程は、研削後の半導体
ウエーハを上記スピンナーテーブルに載置する前に上記
トレー用カセット内に収納されているウエーハ保持トレ
ーを搬出してスピンナーテーブルに載置する保持トレー
セット工程と、スピンナーテーブルに載置されたウエー
ハ保持トレーの弾性パッド上に研削後の半導体ウエーハ
を載置する研削後ウエーハ載置工程と、スピンナーテー
ブルに載置されたウエーハ保持トレーの基板に形成され
た連通孔に負圧を導入して半導体ウエーハを弾性パッド
に吸着保持せしめる研削後ウエーハ吸着保持工程とを含
んでいる。
【0009】また、上記研削装置は、洗浄後の半導体ウ
エーハを収納する研削後ウエーハ用カセットを具備して
おり、上記洗浄手段において半導体ウエーハの洗浄が終
了した後に、洗浄手段から上記ウエーハ保持トレーと一
体となった半導体ウエーハを研削後ウエーハ用カセット
内に収納する研削後ウエーハ収納工程を有している。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体ウエー
ハの研削方法の好適な実施形態について、添付図面を参
照して詳細に説明する。
【0011】図1には本発明による半導体ウエーハの研
削方法を実施するための研削装置の斜視図が示されてい
る。図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の
装置ハウジング2を具備している。装置ハウジング2の
図1において右上端には、静止支持板4が立設されてい
る。この静止支持板4の内側面には、上下方向に延びる
2対の案内レール6、6および8、8が設けられてい
る。一方の案内レール6、6には荒研削手段としての荒
研削ユニット10が上下方向に移動可能に装着されてお
り、他方の案内レール8、8には仕上げ研削手段として
の仕上げ研削ユニット12が上下方向に移動可能に装着
されている。
【0012】荒研削ユニット10は、ユニットハウジン
グ101と、該ユニットハウジング101の下端に回転
自在に装着された研削ホイール102と、該ユニットハ
ウジング101の上端に装着され研削ホイール102を
矢印で示す方向に回転せしめられる回転駆動機構103
と、ユニットハウジング101を装着した移動基台10
4とを具備している。移動基台104には被案内レール
105、105が設けられており、この被案内レール1
05、105を上記静止支持板4に設けられた案内レー
ル6、6に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニ
ット10が上下方向に移動可能に支持される。図示の形
態における荒研削ユニット10は、上記移動基台104
を案内レール6、6に沿って移動させ研削ホイール10
2の切り込み深さを調整する送り機構11を具備してい
る。送り機構11は、上記静止支持板4に案内レール
6、6と平行に上下方向に配設され回転可能に支持され
た雄ねじロッド111と、該雄ねじロッド111を回転
駆動するためのパルスモータ112と、上記移動基台1
04に装着され雄ねじロッド111と螺合する図示しな
い雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ112
によって雄ねじロッド111を正転および逆転駆動する
ことにより、荒研削ユニット10を上下方向に移動せし
める。
【0013】上記仕上げ研削ユニット12も荒研削ユニ
ット10と同様に構成されており、ユニットハウジング
121と、該ユニットハウジング121の下端に回転自
在に装着された研削ホイール122と、該ユニットハウ
ジング121の上端に装着され研削ホイール122を矢
印で示す方向に回転せしめられる回転駆動機構123
と、ユニットハウジング121を装着した移動基台12
4とを具備している。移動基台124には被案内レール
125、125が設けられており、この被案内レール1
25、125を上記静止支持板4に設けられた案内レー
ル8、8に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削
ユニット12が上下方向に移動可能に支持される。図示
の形態における仕上げ研削ユニット12は、上記移動基
台124を案内レール8、8に沿って移動させ研削ホイ
ール123の切り込み深さを調整する送り機構13を具
備している。この送り機構13は、上記送り手段11と
実質的に同じ構成である。即ち、送り機構13は、上記
静止支持板4に案内レール6、6と平行に上下方向に配
設され回転可能に支持された雄ねじロッド131と、該
雄ねじロッド131を回転駆動するためのパルスモータ
132と、上記移動基台124に装着され雄ねじロッド
131と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備して
おり、パルスモータ132によって雄ねじロッド131
を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニ
ット12を上下方向に移動せしめる。
【0014】図示の実施形態における研削装置は、上記
静止支持板4の前側において装置ハウジング2の上面と
略面一となるように配設されたターンテーブル15を具
備している。このターンテーブル15は、比較的大径の
円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によ
って矢印15aで示す方向に適宜回転せしめられる。タ
ーンテーブル15には、図示の実施形態の場合それぞれ
120度の位相角をもって3個のチャックテーブル20
が水平面内で回転可能に配置されている。このチャック
テーブル20は、上方が開放された円形状の凹部を備え
た円盤状の基台21と、該基台21に形成された凹部に
嵌合されるポーラスセラミック盤によって形成された吸
着保持チャック22とからなっており、図示しない回転
駆動機構によって矢印で示す方向に回転せしめられるよ
うに構成されている。なお、チャックテーブル20は図
示しない吸気手段に接続されている。以上のように構成
されたターンテーブル15に配設された3個のチャック
テーブル20は、ターンテーブル15が適宜回転するこ
とにより被加工物搬入・搬出域A、荒研削加工域B、お
よび仕上げ研削加工域Cおよび被加工物搬入・搬出域A
に順次移動せしめられる。
【0015】図示の研削装置における被加工物搬入・搬
出域Aに対して一方側には、研削加工前の被加工物であ
る半導体ウエーハをストックする研削前ウエーハ用カセ
ット31と、該研削前ウエーハ用カセット31と被加工
物搬入・搬出域Aとの間に設けられた被加工物載置部3
2が配設されている。研削前ウエーハ用カセット31に
は、下面にテープTが貼着された半導体ウエーハWが収
納される。一方、研削装置における被加工物搬入・搬出
域Aに対して他方側には、研削加工後の該半導体ウエー
ハを洗浄するスピンナーテーブル330を有する洗浄手
段33が配設されている。この洗浄手段33のスピンナ
ーテーブル330は、図2に示すように上方が開放され
た円形状の凹部を備えた円盤状の基台331と、該基台
331に形成された凹部に嵌合されるポーラスセラミッ
ク盤によって形成された吸着保持チャッ332とからな
っており、図示しない吸気手段に接続されている。ま
た、研削装置における被加工物搬入・搬出域Aに対して
他方側には、洗浄手段33によって洗浄された研削加工
後の被加工物である半導体ウエーハWをストックする研
削後ウエーハ用カセット34と、研削加工後の半導体ウ
エーハWを保持するための後述するウエーハ保持トレー
40を収容するトレー用カセット35が配設されてい
る。更に、図示の実施形態における研削装置は、研削前
ウエーハ用カセット31内に収納された被加工物である
半導体ウエーハWを被加工物載置部32に搬出するとと
もに洗浄手段33で洗浄された半導体ウエーハWを研削
後ウエーハ用カセット34に搬送する被加工物搬送手段
36を備えている。なお、この被加工物搬送手段36
は、上記トレー用カセット35に収容された後述するウ
エーハ保持トレー40を上記洗浄手段33のスピンナー
テーブル330上に搬送する機能も有している。また、
図示の実施形態における研削装置は、上記被加工物載置
部32上に載置された半導体ウエーハWを被加工物搬入
・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル20上に
搬送する被加工物搬入手段37と、被加工物搬入・搬出
域Aに位置付けられたチャックテーブル20上に載置さ
れている研削加工後の半導体ウエーハWを洗浄手段33
に搬送する被加工物搬出手段38を具備している。
【0016】次に、研削加工後の半導体ウエーハを保持
するためのウエーハ保持トレー40について、図3乃至
図5を参照して説明する。ウエーハ保持トレー40は、
円形の基板41と、該基板41の上面に装着される円形
の弾性パッド42とからなっている。基板41は、例え
ばアルミニウムや合成樹脂等の硬質部材からなり、1m
m程度の厚みを有し容易に撓むことがないように構成さ
れている。このように形成された基板41には、上面か
ら下面に貫通する複数個の連通孔411が設けられてい
る。なお、図示の実施形態において基板41は円形に形
成されているが、基板41は被加工物の形状に合わせた
形状とすることが望ましい。
【0017】上記弾性パッド42は、例えばアルキルベ
ンゼンスルホン酸等の合成樹脂等からなる弾性を有する
部材によって基板41の形状に対応した形状に形成され
ている。このように形成された弾性パッド42には、図
5に拡大して示すように無数の気孔421が少なくとも
表面420に形成されている。また、弾性パッド42の
隣り合う気孔421と気孔421との間には、上面から
下面に貫通する幅が数十μm程度の貫通孔422が形成
されており、この貫通孔422を通してエアーが流通可
能となっている。なお、弾性パッド42の厚さは、被加
工物の性質を考慮して決められるが、0.5mm程度が
好ましい。このような弾性パッド42は、例えばダース
ボンド社から提供されている。
【0018】上記のように構成された弾性パッド42を
上記基板41の上面に適宜の接着剤によって装着するこ
とにより、基板41と弾性パッド42とが一体化された
ウエーハ保持トレー40を構成することができる。この
ように構成されたウエーハ保持トレー40は、弾性パッ
ド42の上面に半導体ウエーハWを載置し、基板41に
設けられた連通孔411を通して負圧を導入すると、負
圧が弾性パッド42に形成された貫通孔422を通して
弾性パッド42の上面に載置された半導体ウエーハWに
作用し、該半導体ウエーハWを弾性パッド42に吸着す
る。このとき、弾性パッド42が圧縮され表面420に
形成された気孔421が潰れる。この結果、ウエーハ保
持トレー40は、基板41に設けられた連通孔411を
通して負圧の導入が解除されても、弾性パッド42が有
する弾性による復元力と密着性とによって気孔421に
負圧が生じ、この負圧が吸引力となって半導体ウエーハ
Wの吸着状態を維持する。
【0019】図示の実施形態における研削装置およびウ
エーハ保持トレーは以上のように構成されており、以下
その研削加工の作業手順について説明する。研削前ウエ
ーハ用カセット31に収容された研削加工前の被加工物
である半導体ウエーハWは被加工物搬送手段36の上下
動作および進退動作により搬送され、被加工物載置部3
2に載置される。被加工物載置部32に載置された研削
前の半導体ウエーハWは、6本のピン321の中心に向
かう径方向運動により中心合わせされる。被加工物載置
部32に載置され中心合わせされた半導体ウエーハW
は、被加工物搬入手段37の旋回動作によって被加工物
搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル20
上に載置される(研削前ウエーハ載置工程)。チャック
テーブル20上に研削前の半導体ウエーハWが載置され
たならば、図示しない吸引手段を作動することにより、
研削前の半導体ウエーハWを吸着保持チャック22上に
吸引保持することができる。そして、ターンテーブル1
5を図示しない回転駆動機構によって矢印15aで示す
方向に120度回動せしめて、研削前の半導体ウエーハ
Wを載置したチャックテーブル20を荒研削加工域Bに
位置付ける。
【0020】研削前の半導体ウエーハWを載置したチャ
ックテーブル20は荒研削加工域Bに位置付けられると
図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転
せしめられ、一方、荒研削ユニット10の研削ホイール
102が矢印で示す方向に回転せしめられつつ送り機構
11によって所定量下降することにより、チャックテー
ブル20上の研削前半導体ウエーハに荒研削加工が施さ
れる(ウエーハ荒研削工程)。なお、この間に被加工物
搬入・搬出域Aに位置付けられた次のチャックテーブル
20上には、上述したように研削前の半導体ウエーハW
が載置される。次に、ターンテーブル15を矢印15a
で示す方向に120度回動せしめて、荒研削加工した半
導体ウエーハWを載置したチャックテーブル20を仕上
げ研削加工域Cに位置付ける。なお、このとき被加工物
搬入・搬出域Aにおいて研削前の半導体ウエーハWが載
置された次のチャックテーブル20は荒研削加工域Bに
位置付けられ、次の次のチャックテーブル20が被加工
物搬入・搬出域Aに位置付けられる。
【0021】このようにして、荒研削加工域Bに位置付
けられたチャックテーブル20上に載置された荒研削加
工前の半導体ウエーハWには荒研削ユニット10によっ
て荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Cに位置付け
られたチャックテーブル20上に載置され荒研削加工さ
れた半導体ウエーハWには仕上げ研削ユニット12によ
って仕上げ研削加工が施される(ウエーハ仕上げ研削工
程)。上述した荒研削加工および仕上げ研削加工におい
ては、半導体ウエーハWはチャックテーブル20上に直
接載置されるので、仕上がり精度の低下を招くことはな
い。次に、ターンテーブル15を矢印15aで示す方向
に120度回動せしめて、仕上げ研削加工した研削後の
半導体ウエーハWを載置したチャックテーブル20を被
加工物搬入・搬出域Aに位置付ける。なお、荒研削加工
域Bにおいて荒研削加工された半導体ウエーハWを載置
したチャックテーブル20は仕上げ研削加工域Cに、被
加工物搬入・搬出域Aにおいて研削前の半導体ウエーハ
Wが載置されたチャックテーブル20は荒研削加工域B
にそれぞれ移動せしめられる。
【0022】なお、荒研削加工域Bおよび仕上げ研削加
工域Cを経由して被加工物搬入・搬出域Aに戻ったチャ
ックテーブル20は、ここで仕上げ研削加工された半導
体ウエーハWの吸着保持を解除する。被加工物搬入・搬
出域Aに戻ったチャックテーブル20上で吸着保持が解
除された研削後の半導体ウエーハWを洗浄手段33に搬
送する前に、トレー用カセット35内に収容されている
ウエーハ保持トレー40が被加工物搬送手段36の上下
動作および進退動作により搬送され、洗浄手段33のス
ピンナーテーブル330上に載置される(保持トレーセ
ット工程)。このようにしてスピンナーテーブル330
上にウエーハ保持トレー40が載置されたならば、被加
工物搬出手段38を作動して被加工物搬入・搬出域Aに
戻ったチャックテーブル20上で吸着保持が解除された
研削後の半導体ウエーハWをチャックテーブル20から
搬出し(ウエーハ搬出工程)、スピンナーテーブル33
0上に載置されたウエーハ保持トレー40の弾性パッド
上に載置する(加工後ウエーハ載置工程)。そして、ス
ピンナーテーブル330に接続された図示しない吸引手
段を作動することにより、図6に示すようにスピンナー
テーブル330上にウエーハ保持トレー40および研削
後の半導体ウエーハWが吸着保持される(研削後ウエー
ハ吸着保持工程)。即ち、図示しない吸引手段の作用に
よる負圧が、スピンナーテーブル330のポーラスセラ
ミック盤によって形成され吸着保持チャッ332を通し
てウエーハ保持トレー40を構成する基板41の下面に
作用することにより、ウエーハ保持トレー40がスピン
ナーテーブル330に吸着保持される。また、上記負圧
が基板41に設けられた連通孔411を通して負圧を導
入すると、負圧が弾性パッド42に形成された貫通孔4
22を通して弾性パッド42の上面に載置された研削後
の半導体ウエーハWに作用し、該研削後の半導体ウエー
ハWが弾性パッド42に吸着される。このようにして、
スピンナーテーブル330上にウエーハ保持トレー40
および研削後の半導体ウエーハWが吸着保持されたなら
ば、洗浄手段33が作動して研削後の半導体ウエーハW
の洗浄が行われる(研削後ウエーハ洗浄工程)。
【0023】上述した研削後ウエーハ洗浄工程を実行し
たならば、スピンナーテーブル330に接続された図示
しない吸引手段の作動を停止して、スピンナーテーブル
330上に載置されたウエーハ保持トレー40の吸着保
持を解除する。このとき、図示しない吸引手段の作動が
停止すると、ウエーハ保持トレー40の基板41に設け
られた連通孔411を通して負圧の導入が解除される
が、ウエーハ保持トレー40は上述したように研削後の
半導体ウエーハWの吸着状態を維持している。即ち、上
記研削後ウエーハ吸着保持工程において弾性パッド42
に研削後の半導体ウエーハWを吸引保持する際に、上述
したように弾性パッド42が圧縮され表面420に形成
された気孔421が潰れ、その結果、弾性パッド42が
有する弾性による復元力と密着性とによって気孔421
に生ずる負圧の吸引力により半導体ウエーハWの吸着状
態が維持される。
【0024】次に、スピンナーテーブル330上で吸着
保持が解除されたウエーハ保持トレー40に吸着保持さ
れている研削後の半導体ウエーハWは、被加工物搬送手
段36の上下動作および進退動作により研削後ウエーハ
用カセット34に搬送され収納される(研削後ウエーハ
収納工程)。この被加工物搬送手段36による搬送にお
いて、研削後の半導体ウエーハWはウエーハ保持トレー
40に吸着保持された状態であるため、研削加工されて
薄くなっても、また、所謂先ダイシングによって各チッ
プ毎に分割されても、ウエーハ保持トレー40の剛性に
支持されて撓むことがないので、円滑に搬送することが
できるとともに、研削後ウエーハ用カセット34に容易
に収納することができる。そして、研削後ウエーハ用カ
セット34に収納された研削後の半導体ウエーハWを他
の製造工程に搬送する際にも、上述したように研削後の
半導体ウエーハWは保持トレー40に吸着保持され一体
化されているので、ウエーハ保持トレー40の剛性に支
持されて撓むことがないため、円滑に搬送することがで
きる。なお、ウエーハ保持トレー40による研削後の半
導体ウエーハWの吸着保持を解除するには、ウエーハ保
持トレー40の基板41を図示しない加圧手段に装着
し、高圧エアーを基板41に設けられた連通孔411に
供給する。この結果、連通孔411に供給された高圧エ
アーが弾性パッド42の貫通孔422を通って気孔42
1に侵入して吸着力が減衰するため、研削後の半導体ウ
エーハWをウエーハ保持トレー40から容易に離脱する
ことができる。
【0025】
【発明の効果】本発明に係る半導体ウエーハの研削方法
は以上のように構成されているで、次の作用効果を奏す
る。
【0026】即ち、本発明によれば、研削加工後にチャ
ックテーブルから搬出された研削後の半導体ウエーハを
ウエーハ保持トレーに保持せしめるトレー保持工程を有
しているので、半導体ウエーハは研削加工されて薄くな
っても、また、所謂先ダイシングによって各チップ毎に
分割されても、ウエーハ保持トレーの剛性に支持されて
撓むことがないので、円滑に搬送することができるとと
もに、研削後ウエーハ用カセットに容易に収納すること
ができる。また、研削時にはチャックテーブルと半導体
ウエーハとの間にウエーハ保持トレーは介在されないの
で、仕上がり精度の低下を招くことがなく、良好な研削
精度を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体ウエーハの研削方法を実施
するための研削装置の斜視図。
【図2】図1に示す表面研削装置に装備される洗浄装置
を構成するスピンナーテーブルの要部斜視図。
【図3】本発明による半導体ウエーハの研削方法を実施
するために容易されるウエーハ保持トレーの斜視図。
【図4】図3に示すウエーハ保持トレーの構成部材を分
解して示す分解斜視図
【図5】図3に示すウエーハ保持トレーを構成する弾性
パッドの拡大断面図。
【図6】図3に示すウエーハ保持トレーをスピンナーテ
ーブル上に載置した状態を示す斜視図。
【符号の説明】
2:装置ハウジング 4:静止支持板4 6:案内レール 8:案内レール 10:荒研削ユニット 101:ユニットハウジング 102:研削ホイール 103:回転駆動機構 104:移動基台 105:被案内レール 11:送り機構 111:雄ねじロッド 112:パルスモータ 12:仕上げ研削ユニット 121:ユニットハウジング 122:研削ホイール 123:回転駆動機構 124:移動基台 125:被案内レール 13:送り機構 131:雄ねじロッド 132:パルスモータ 15:ターンテーブル 20:チャックテーブル 21:チャックテーブルの基台 22:チャックテーブルの吸着保持チャック 31:研削前ウエーハ用カセット 32:被加工物載置部 33:洗浄手段 330:スピンナーテーブル 331:スピンナーテーブルの基台 332:スピンナーテーブルの吸着保持チャック 34:研削後ウエーハ用カセット 35:トレー用カセット 36:被加工物搬送手段 77:被加工物搬入手段 38:被加工物搬出手段 40:ウエーハ保持トレー 41:ウエーハ保持トレーの基板 411:連通孔 42:ウエーハ保持トレーの弾性パッド 421:気孔 422:貫通孔

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエーハを保持するチャックテー
    ブルと、該チャックテーブル上に保持された半導体ウエ
    ーハの上面を研削する研削手段とを有する研削装置を用
    いた半導体ウエーハの研削方法であって、 該チャックテーブルに研削すべき該半導体ウエーハを載
    置する研削前ウエーハ載置工程と、 該チャックテーブルに載置された該半導体ウエーハの上
    面を該研削手段によって所定厚さに研削するウエーハ研
    削工程と、 研削後の該半導体ウエーハを該チャックテーブルから搬
    出するウエーハ搬出工程と、 該チャックテーブルから搬出された研削後の該半導体ウ
    エーハをウエーハ保持トレーに保持せしめるトレー保持
    工程と、を含む、 ことを特徴とする半導体ウエーハの研削方法。
  2. 【請求項2】 該半導体ウエーハを保持する該ウエーハ
    保持トレーは、無数の気孔が表面に形成され弾性による
    復元力と密着性とで気孔が潰れ負圧が生じた際に吸着力
    を発生する弾性パッドと、該弾性パッドを装着するとと
    もに該弾性パッドに負圧または加圧力を導入する連通孔
    を有する基板と、から構成されており、 該トレー保持工程は、該チャックテーブルから搬出され
    た該半導体ウエーハを該ウエーハ保持トレーの該弾性パ
    ッドの表面に載置し、該連通孔に負圧を導入して該半導
    体ウエーハを該弾性パッドに吸着保持せしめる、請求項
    1記載の半導体ウエーハの研削方法。
  3. 【請求項3】 該研削装置は、研削後の該半導体ウエー
    ハを載置するスピンナーテーブルを有する洗浄手段と、
    該ウエーハ保持トレーを収容するトレー用カセットとを
    具備しており、 該トレイ保持工程は、研削後の該半導体ウエーハを該ス
    ピンナーテーブルに載置する前に該トレー用カセット内
    に収納されている該ウエーハ保持トレーを搬出して該ス
    ピンナーテーブルに載置する保持トレーセット工程と、
    該スピンナーテーブルに載置された該ウエーハ保持トレ
    ーの該弾性パッド上に研削後の該半導体ウエーハを載置
    する研削後ウエーハ載置工程と、該スピンナーテーブル
    に載置された該ウエーハ保持トレーの該基板に形成され
    た該連通孔に負圧を導入して該半導体ウエーハを該弾性
    パッドに吸着保持せしめる研削後ウエーハ吸着保持工程
    とを含む、請求項2記載の半導体ウエーハの研削方法。
  4. 【請求項4】 該研削装置は、洗浄後の該半導体ウエー
    ハを収納する研削後ウエーハ用カセットを具備してお
    り、 該洗浄手段において該半導体ウエーハの洗浄が終了した
    後に、該洗浄手段から該ウエーハ保持トレーと一体とな
    った該半導体ウエーハを該研削後ウエーハ用カセット内
    に収納する研削後ウエーハ収納工程を有する、請求項3
    記載の半導体ウエーハの研削方法。
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