JP2003273055A - スピンナー洗浄装置 - Google Patents

スピンナー洗浄装置

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JP2003273055A
JP2003273055A JP2002068238A JP2002068238A JP2003273055A JP 2003273055 A JP2003273055 A JP 2003273055A JP 2002068238 A JP2002068238 A JP 2002068238A JP 2002068238 A JP2002068238 A JP 2002068238A JP 2003273055 A JP2003273055 A JP 2003273055A
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Japan
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spinner
semiconductor wafer
grinding
workpiece
support
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JP2002068238A
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Satoshi Yamanaka
聡 山中
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 被加工物の下面を傷が付ることなく、また、
被加工物に抵抗が作用することなく外周領域を支持する
ことができるスピンナー洗浄装置を提供する。 【解決手段】 被加工物の中央領域を吸引保持する吸引
保持面を有するスピンナーテーブルと、該スピンナーテ
ーブルの吸引保持面上に吸引保持された被加工物に洗浄
流体を供給する第1の洗浄流体供給手段とを具備するス
ピンナー洗浄装置であって、被加工物の外周領域を支持
する支持面を備えたサポートテーブルと、該サポートテ
ーブルの支持面に洗浄流体を供給する第2の洗浄流体供
給手段とを具備している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハ等
の被加工物を研削した後に被加工物の研削面等に付着し
たコンタミを洗浄するスピンナー洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】当業者には周知の如く、半導体デバイス
製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハ
の表面に格子状に配列された多数の領域にIC、LSI
等の回路を形成し、該回路が形成された各領域を所定の
ストリート(切断ライン)に沿ってダイシングすること
により個々の半導体チップを製造している。半導体チッ
プの放熱性を良好にするためは、半導体チップの厚さを
できるだけ薄く形成することが望ましい。また、半導体
素子を多数用いる携帯電話、スマートカード、パソコン
等の小型化を可能にするためにも、半導体素子の厚さを
できるだけ薄く例えば100〜50μm以下に形成する
ことが望ましい。そのため、半導体ウエーハを個々の半
導体チップに分割する前に、その裏面を研削装置によっ
て研削して所定の厚さに加工している。半導体ウエーハ
の裏面を研削する研削装置は、研削面に付着したコンタ
ミを洗浄する洗浄装置を装備している。この洗浄装置と
しては、半導体ウエーハを吸引保持する吸引保持面を有
するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルの該
吸引保持面上に吸引保持された半導体ウエーハの上面
(研削された裏面)に洗浄流体を供給する流体供給手段
とを具備するスピンナー洗浄装置が一般に用いられてい
る。
【0003】而して、研削時にコンタミが半導体ウエー
ハの外周から下側に回りこみ、半導体ウエーハの下面外
周部を汚染するという問題がある。しかるに、上述した
ように半導体ウエーハの上面に洗浄流体を供給するスピ
ンナー洗浄装置においては、半導体ウエーハの下面外周
部に付着したコンタミを洗浄することはできない。
【0004】また、近年半導体ウエーハのサイズ(直
径)が拡大されており、半導体ウエーハの直径がスピン
ナー洗浄装置のスピンナーテーブルの直径より大きい場
合が多い。このため、半導体ウエーハの外周部にスピン
ナーテーブルによって支持されない領域が発生する。こ
の結果、100〜50μm以下に研削された半導体ウエ
ーハの外周領域が供給される洗浄流体の圧力によって垂
れ下がり、半導体ウエーハが損傷するという問題があ
る。
【0005】上記半導体ウエーハの外周領域の垂れ下が
りによる損傷を防止するためには、スピンナーテーブル
を半導体ウエーハと同じサイズに構成すればよいが、ス
ピンナーテーブルを半導体ウエーハと同じサイズに構成
しても研削時に半導体ウエーハの下面外周部に付着した
コンタミを洗浄することは困難である。
【0006】上述した問題を解消するために本出願人
は、半導体ウエーハ中央領域を吸引保持するスピンナー
テーブルの周囲に半導体ウエーハの外周領域を支持する
ブラシを配設することにより、半導体ウエーハの下面外
周部に付着したコンタミを除去するとともに、洗浄流体
の圧力による半導体ウエーハの外周領域の撓みの防止す
るすることができるスピンナー洗浄装置を特開2000
−260740号として提案した。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】而して、特開2000
−260740号として提案されたスピンナー洗浄装置
は、半導体ウエーハの外周領域をブラシによって支持す
る構成であるため、半導体ウエーハ等の被加工物の下面
に傷が付き易く、また、ブラシとの接触により半導体ウ
エーハに抵抗がかかり割れる虞があり、必ずしも満足し
得るものではない。
【0008】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、被加工物の下面を傷が付
くことなく、また、被加工物に抵抗が作用することなく
外周領域を支持することができるスピンナー洗浄装置を
提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、被加工物の中央領域を吸
引保持する吸引保持面を有するスピンナーテーブルと、
該スピンナーテーブルの該吸引保持面上に吸引保持され
た被加工物に洗浄流体を供給する第1の洗浄流体供給手
段と、を具備するスピンナー洗浄装置において、被加工
物の外周領域を支持する支持面を備えたサポートテーブ
ルと、該サポートテーブルの該支持面に洗浄流体を供給
する第2の洗浄流体供給手段と、を具備している、こと
を特徴とするスピンナー洗浄装置が提供される。
【0010】上記サポートテーブルを支持面がスピンナ
ーテーブルの吸引保持面より僅かに低い作用位置と該作
用位置から退避する非作用位置に位置付けるサポートテ
ーブル位置付け手段を具備していることが望ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明に従って構成された
スピンナー洗浄装置の好適な実施形態について、添付図
面を参照して詳細に説明する。
【0012】図1には本発明に従って構成されたスピン
ナー洗浄装置を装備した研削装置の斜視図が示されてい
る。図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の
装置ハウジング2を具備している。装置ハウジング2の
図1において右上端には、静止支持板4が立設されてい
る。この静止支持板4の内側面には、上下方向に延びる
2対の案内レール6、6および8、8が設けられてい
る。一方の案内レール6、6には荒研削手段としての荒
研削ユニット10が上下方向に移動可能に装着されてお
り、他方の案内レール8、8には仕上げ研削手段として
の仕上げ研削ユニット12が上下方向に移動可能に装着
されている。
【0013】荒研削ユニット10は、ユニットハウジン
グ101と、該ユニットハウジング101の下端に回転
自在に装着された研削ホイール102と、該ユニットハ
ウジング101の上端に装着され研削ホイール102を
矢印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構103と、
ユニットハウジング101を装着した移動基台104と
を具備している。移動基台104には被案内レール10
5、105が設けられており、この被案内レール10
5、105を上記静止支持板4に設けられた案内レール
6、6に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニッ
ト10が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態
における荒研削ユニット10は、上記移動基台104を
案内レール6、6に沿って移動させ研削ホイール102
の切り込み深さを調整する送り機構11を具備してい
る。送り機構11は、上記静止支持板4に案内レール
6、6と平行に上下方向に配設され回転可能に支持され
た雄ねじロッド111と、該雄ねじロッド111を回転
駆動するためのパルスモータ112と、上記移動基台1
04に装着され雄ねじロッド111と螺合する図示しな
い雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ112
によって雄ねじロッド111を正転および逆転駆動する
ことにより、荒研削ユニット10を上下方向に移動せし
める。
【0014】上記仕上げ研削ユニット12も荒研削ユニ
ット10と同様に構成されており、ユニットハウジング
121と、該ユニットハウジング121の下端に回転自
在に装着された研削ホイール122と、該ユニットハウ
ジング121の上端に装着され研削ホイール122を矢
印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構123と、ユ
ニットハウジング121を装着した移動基台124とを
具備している。移動基台124には被案内レール12
5、125が設けられており、この被案内レール12
5、125を上記静止支持板4に設けられた案内レール
8、8に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユ
ニット12が上下方向に移動可能に支持される。図示の
形態における仕上げ研削ユニット12は、上記移動基台
124を案内レール8、8に沿って移動させ研削ホイー
ル123の切り込み深さを調整する送り機構13を具備
している。この送り機構13は、上記送り手段11と実
質的に同じ構成である。即ち、送り機構13は、上記静
止支持板4に案内レール6、6と平行に上下方向に配設
され回転可能に支持された雄ねじロッド131と、該雄
ねじロッド131を回転駆動するためのパルスモータ1
32と、上記移動基台124に装着され雄ねじロッド1
31と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備してお
り、パルスモータ132によって雄ねじロッド131を
正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニッ
ト12を上下方向に移動せしめる。
【0015】図示の実施形態における研削装置は、上記
静止支持板4の前側において装置ハウジング2の上面と
略面一となるように配設されたターンテーブル15を具
備している。このターンテーブル15は、比較的大径の
円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によ
って矢印15aで示す方向に適宜回転せしめられる。タ
ーンテーブル15には、図示の実施形態の場合それぞれ
120度の位相角をもって3個のチャックテーブル20
が水平面内で回転可能に配置されている。このチャック
テーブル20は、上方が開放された円形状の凹部を備え
た円盤状の基台21と、該基台21に形成された凹部に
嵌合されるポーラスセラミック盤によって形成された吸
着保持チャック22とからなっており、図示しない回転
駆動機構によって矢印で示す方向に回転せしめられるよ
うに構成されている。なお、チャックテーブル20は図
示しない吸引手段に接続されている。以上のように構成
されたターンテーブル15に配設された3個のチャック
テーブル20は、ターンテーブル15が適宜回転するこ
とにより被加工物搬入・搬出域A、荒研削加工域B、お
よび仕上げ研削加工域Cおよび被加工物搬入・搬出域A
に順次移動せしめられる。
【0016】図示の研削装置における被加工物搬入・搬
出域Aに対して一方側には、研削加工前の被加工物であ
る半導体ウエーハをストックする研削前ウエーハ用カセ
ット31と、該研削前ウエーハ用カセット31と被加工
物搬入・搬出域Aとの間に設けられた被加工物載置部3
2が配設されている。研削前ウエーハ用カセット31に
は、表面にテープTが貼着された半導体ウエーハWが収
納される。
【0017】一方、研削装置における被加工物搬入・搬
出域Aに対して他方側には、研削加工後の該半導体ウエ
ーハを洗浄するスピンナー洗浄装置40が配設されてい
る。このスピンナー洗浄装置40について、図2および
図3を参照して説明する。図2に示すスピンナー洗浄装
置40は、研削加工後の半導体ウエーハを吸引保持する
とともに回転せしめるスピンナーテーブル機構50と、
該スピンナーテーブル機構50に保持された半導体ウエ
ーハに洗浄流体を供給するための第1の洗浄流体供給機
構60と、洗浄後の半導体ウエーハを乾燥するための高
圧エアー供給機構70を具備している。
【0018】図示の実施形態におけるスピンナーテーブ
ル機構50は、テーブルハウジング51と、該テーブル
ハウジング51に回転自在に支持され半導体ウエーハを
吸引保持するスピンナーテーブル52とを具備してい
る。スピンナーテーブル52は、上面に上方が開放され
た円形状の凹部521aを備えた円盤状の基台521
と、該基台521の凹部521aに嵌合されたポーラス
セラミック盤からなり上面に吸引保持面522aを有す
る吸着保持チャック522とによって構成されている。
このように構成されたスピンナーテーブル52の基台5
21は、テーブルハウジング51に配設された図示しな
い回転駆動機構によって回転せしめられるように構成さ
れてとともに、上記凹部521aが図示しない吸引手段
に接続されている。
【0019】次に、スピンナーテーブル52に保持され
た半導体ウエーハに洗浄流体を供給するための第1の洗
浄流体供給手段60について、図2を参照して説明す
る。図示の実施形態における第1の洗浄流体供給機構6
0は、洗浄水供給手段61と洗浄流体供給ノズル62と
を備えている。洗浄水送出手段61は、洗浄水を収容す
る洗浄水タンクおよび該洗浄水タンク内の洗浄水を送り
出すポンプ等を含んでおり、配管63によって洗浄流体
供給ノズル62に接続されている。なお、配管63中に
は電磁開閉弁64が配設されている。このように構成さ
れた第1の洗浄流体供給機構60は、電磁開閉弁64を
付勢して配管63を連通すると、洗浄水送出手段61か
ら供給された洗浄水が配管63を通して洗浄流体供給ノ
ズル62から上記スピンナーテーブル52の吸着保持チ
ャック522に吸引保持された半導体ウエーハの上面に
供給される。
【0020】上記エアー供給手段70は、エアー送出手
段71とエアーノズル72とを備えている。エアー送出
手段71は、エアーコンプレッサーやエアータンク等を
含んでおり、配管73によってエアーノズル72に接続
されている。なお、配管73中には電磁開閉弁74が配
設されている。このように構成されたエアー供給手段7
0は、電磁開閉弁74を付勢して配管73を連通する
と、エアー送出手段71から供給された高圧エアーが配
管73を通してエアーノズル72から上記スピンナーテ
ーブル52の吸着保持チャック522の吸引保持された
半導体ウエーハの上面に供給される。
【0021】図示の実施形態におけるスピンナー洗浄装
置40は、上記スピンナーテーブル52の吸着保持チャ
ック522に吸引保持された半導体ウエーハの外周領域
を支持するサポートテーブル機構80と、該サポートテ
ーブル機構80に洗浄流体を供給する第2の洗浄流体供
給手段90を具備している。サポートテーブル機構80
は、サポートテーブル81と、該サポートテーブル81
を作用位置と非作用位置に位置付けるサポートテーブル
位置付け手段82とからなっている。サポートテーブル
81は、アルミニウム合金等の金属材によって環状に形
成され、中央部に上記スピンナーテーブル52が挿通可
能な穴811を備えており、外周の一部に支持部材81
2が装着されている。このサポートテーブル81の内部
には図3に示すように環状の通路813と、該環状の通
路813と連通し上面である支持面810に開口する複
数個(図示の実施形態においては4個)の通路814備
えている。また、上記支持部材812には、図2におい
て破線で示すように上記環状の通路813と連通する通
路815が形成されている。
【0022】上記サポートテーブル位置付け手段82
は、図示の実施形態においてはエアーシリンダ821か
らなっており、そのピストンロッド822の先端が上記
サポートテーブル81の支持部材812に適宜の連結機
構によって連結されている。このエアーシリンダ821
は、サポートテーブル81を図3において実線で示す作
用位置と、該作用位置から下方に退避する2点鎖線で示
す非作用位置(図2で示す位置)に選択的に位置付け
る。なお、サポートテーブル81は、図3において実線
で示す作用位置に位置付けられると、支持面810がス
ピンナーテーブル52の吸引保持面522aより僅かに
(1〜3mm)低い位置になるように設定されている。
【0023】上述したサポートテーブル機構80を構成
するサポートテーブル81の支持面810に洗浄流体を
供給する第2の洗浄流体供給手段90は、図示の実施形
態においては洗浄流体として上記第1の洗浄水供給手段
60の洗浄水送出手段61によって供給される洗浄水が
利用される。即ち、流体供給手段90は、洗浄水送出手
段61と電磁開閉弁64とを接続する配管63とサポー
トテーブル81の支持部材812に形成された通路81
5とを接続する配管91と、該配管91に配設された電
磁開閉弁92とを具備している。従って、電磁開閉弁9
2を付勢して配管91を連通すると、洗浄水送出手段6
1から供給された洗浄水が配管63および配管91を通
して支持部材812に形成された通路815に流入す
る。支持部材812の通路815に流入した洗浄水は、
サポートテーブル81に形成された環状の通路813お
よび複数個の通路814を通してサポートテーブル81
の支持面810に供給される。
【0024】図1に戻って説明を続けると、研削装置に
おける被加工物搬入・搬出域Aに対して他方側には、上
記スピンナー洗浄装置40によって洗浄された研削加工
後の被加工物である半導体ウエーハWをストックする研
削後ウエーハ用カセット33が配設されている。図示の
実施形態における研削装置は、研削前ウエーハ用カセッ
ト31内に収納された被加工物である半導体ウエーハW
を被加工物載置部32に搬出するとともにスピンナー洗
浄装置40で洗浄された半導体ウエーハWを研削後ウエ
ーハ用カセット33に搬送する被加工物搬送手段34を
備えている。また、図示の実施形態における研削装置
は、上記被加工物載置部32上に載置された半導体ウエ
ーハWを被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャ
ックテーブル20上に搬送する被加工物搬入手段35
と、被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャック
テーブル20上に載置されている研削加工後の半導体ウ
エーハWを洗浄装置40に搬送する被加工物搬出手段3
6を具備している。
【0025】本発明に従って構成されたスピンナー洗浄
装置を装備した研削装置は以上のように構成されてお
り、以下、研削処理動作について説明する。表面にテー
プTを貼着した半導体ウエーハWは、テープTを下側に
即ち裏面を上側にして研削前ウエーハ用カセット31に
収容される。研削前ウエーハ用カセット31に収容され
た研削加工前の半導体ウエーハWは被加工物搬送手段3
4の上下動作および進退動作により搬送され、被加工物
載置部32に載置される。被加工物載置部32に載置さ
れた研削前の半導体ウエーハWは、6本のピン321の
中心に向かう径方向運動により中心合わせされる。被加
工物載置部32に載置され中心合わせされた半導体ウエ
ーハWは、被加工物搬入手段35の旋回動作によって被
加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブ
ル20上にテープTを下側即ち裏面を上側にして載置さ
れる。チャックテーブル20上に研削前の半導体ウエー
ハWが載置されたならば、図示しない吸引手段を作動す
ることにより、研削前の半導体ウエーハWを吸着保持チ
ャック22上に吸引保持することができる。そして、タ
ーンテーブル15を図示しない回転駆動機構によって矢
印15aで示す方向に120度回動せしめて、研削前の
半導体ウエーハWを載置したチャックテーブル20を荒
研削加工域Bに位置付ける。
【0026】研削前の半導体ウエーハWを載置したチャ
ックテーブル20は荒研削加工域Bに位置付けられると
図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転
せしめられ、一方、荒研削ユニット10の研削ホイール
102が矢印で示す方向に回転せしめられつつ送り機構
11によって所定量下降することにより、チャックテー
ブル20上の研削前半導体ウエーハWの裏面に荒研削加
工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域A
に位置付けられた次のチャックテーブル20上には、上
述したように研削前の半導体ウエーハWが載置される。
次に、ターンテーブル15を矢印15aで示す方向に1
20度回動せしめて、荒研削加工した半導体ウエーハW
を載置したチャックテーブル20を仕上げ研削加工域C
に位置付ける。なお、このとき被加工物搬入・搬出域A
において研削前の半導体ウエーハWが載置された次のチ
ャックテーブル20は荒研削加工域Bに位置付けられ、
次の次のチャックテーブル20が被加工物搬入・搬出域
Aに位置付けられる。
【0027】このようにして、荒研削加工域Bに位置付
けられたチャックテーブル20上に載置された荒研削加
工前の半導体ウエーハWには荒研削ユニット10によっ
て荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Cに位置付け
られたチャックテーブル20上に載置され荒研削加工さ
れた半導体ウエーハWには仕上げ研削ユニット12によ
って仕上げ研削加工が施される。以上のようにして半導
体ウエーハWの裏面を荒研削および仕上げ研削加工する
ことにより、半導体ウエーハWは所定の厚さに形成され
る。このようにして所定の厚さに形成された半導体ウエ
ーハWには、研削加工された裏面に研削時に生成される
コンタミが付着しているとともに、このコンタミが外周
縁より下側に回り込み表面外周部にも付着している。
【0028】次に、ターンテーブル15を矢印15aで
示す方向に120度回動せしめて、仕上げ研削加工した
研削後の半導体ウエーハWを載置したチャックテーブル
20を被加工物搬入・搬出域Aに位置付ける。なお、荒
研削加工域Bにおいて荒研削加工された半導体ウエーハ
Wを載置したチャックテーブル20は仕上げ研削加工域
Cに、被加工物搬入・搬出域Aにおいて研削前の半導体
ウエーハWが載置されたチャックテーブル20は荒研削
加工域Bにそれぞれ移動せしめられる。
【0029】なお、荒研削加工域Bおよび仕上げ研削加
工域Cを経由して被加工物搬入・搬出域Aに戻ったチャ
ックテーブル20は、ここで研削後の半導体ウエーハW
の吸着保持を解除する。次に、被加工物搬出手段34を
作動して被加工物搬入・搬出域Aに戻ったチャックテー
ブル20上で吸着保持が解除された研削後の半導体ウエ
ーハWをチャックテーブル20から搬出し、洗浄装置4
0のスピンナーテーブル51を構成する吸着保持チャッ
ク52の吸着保持面522a上に載置する。このとき、
サポートテーブル81は図3において2点鎖線で示す非
作用位置に位置付けられている。なお、半導体ウエーハ
Wは吸着保持チャック52の吸着保持面522a上に載
置する際には、研削加工された裏面を上側にし下側の表
面を吸着保持面522a上に載置するが、以下、上側の
裏面を上面とし下側の表面を下面として説明する。
【0030】上記のようにして、研削後の半導体ウエー
ハWをスピンナーテーブル52の吸引保持面522a上
に載置したら、図示しない吸引手段を作動してスピンナ
ーテーブル52上に半導体ウエーハWを吸引保持する。
次に、サポートテーブル位置付け手段82としてのエア
ーシリンダ821を作動して、サポートテーブル81を
図3において実線で示す作用位置に位置付ける。そし
て、第2の洗浄流体供給手段90の電磁開閉弁92を付
勢して配管91を連通せしめ、洗浄水送出手段61から
供給された洗浄水を配管63、配管91、支持部材81
2に形成された通路815、サポートテーブル81に形
成された環状の通路813および複数個の通路814を
通してサポートテーブル81の支持面810に供給す
る。この結果、サポートテーブル81の支持面810と
スピンナーテーブル52に中央部が吸引保持された半導
体ウエーハWの下面外周領域との間に洗浄水が供給され
ることになる。従って、半導体ウエーハWの外周領域
は、スピンナーテーブル52との間に供給される洗浄水
によって支持されることになる。なお、サポートテーブ
ル81の支持面810と半導体ウエーハWの外周領域と
の間に形成される洗浄水層の厚さは1〜3mmが望まし
く、サポートテーブル81の支持面810に供給する洗
浄水の流量は、例えば直径200mmの半導体ウエーハ
の場合、毎分0.1〜0.5リットルが適当である。
【0031】上述したように半導体ウエーハWをスピン
ナーテーブル52およびサポートテーブル81の支持面
810に供給された洗浄水によって支持したならば、図
示しない回転駆動機構を作動してスピンナーテーブル5
2を200〜500rpmで回転するとともに、第1の
洗浄流体供給機構60の電磁開閉弁64を付勢して配管
63を連通し、洗浄水送出手段61から供給された洗浄
水を配管63を通して洗浄流体供給ノズル62から半導
体ウエーハWの上面に供給する。この結果、半導体ウエ
ーハWの上面が洗浄されるとともに、サポートテーブル
81の支持面810と半導体ウエーハWの下面外周領域
との間に供給される洗浄水によって半導体ウエーハWの
下面外周部に付着したコンタミが確実に除去される。な
お、上記洗浄時において、半導体ウエーハWの外周領域
はサポートテーブル81の支持面810との間に供給さ
れる洗浄水によって支持されることになるので、上面に
供給される洗浄水の圧力によって垂れ下がることはな
く、また、支持された下面に傷が付かないとともに、回
転時の抵抗も極めて小さい。
【0032】上述したように、研削後の半導体ウエーハ
Wが洗浄されたならば、第1の洗浄流体供給手段60の
電磁開閉弁64を除勢して洗浄水の供給を停止する。ま
た、第2の洗浄流体供給手段90の電磁開閉弁92を除
勢してサポートテーブル81の支持面810への洗浄水
の供給を停止するとともに、サポートテーブル位置付け
手段82としてのエアーシリンダ821を作動してサポ
ートテーブル81を図3において2点鎖線で示す非作用
位置に位置付ける。そして、スピンナーテーブル52を
回転駆動し続けるとともに、エアー供給手段70の電磁
開閉弁74を付勢して配管73を連通しエアー送出手段
71から供給された高圧エアーをエアーノズル72から
上記のようにして洗浄された半導体ウエーハWに供給す
ることにより、半導体ウエーハWはスピン乾燥される。
半導体ウエーハWがスピン乾燥されたならば、電磁開閉
弁74を除勢してエアーの供給を停止し、スピンナーテ
ーブル52の回転を停止するとともに、スピンナーテー
ブル52上に載置され半導体ウエーハWの吸着保持を解
除する。次に、スピンナーテーブル52上で吸着保持が
解除された半導体ウエーハWは、被加工物搬送手段34
の上下動作および進退動作により研削後ウエーハ用カセ
ット33に搬送され収納される。
【0033】
【発明の効果】本発明に係るスピンナー洗浄装置は以上
のように構成され、被加工物の外周領域を支持する支持
面を備えたサポートテーブルを備え、該サポートテーブ
ルの支持面に洗浄流体を供給するようにしたので、被加
工物の下面外周部に付着したコンタミをサポートテーブ
ルの支持面との間に供給される洗浄水によって確実に洗
浄することができる。また、被加工物の下面外周部はコ
ンタミをサポートテーブルの支持面との間に供給される
洗浄水によって支持されるので、傷が付かないととも
に、回転時の抵抗も極めて小さい。更に、被加工物の外
周領域はサポートテーブルの支持面との間に供給される
洗浄水によって支持されることになるので、被加工物が
薄く形成されたものであっても上面に供給される洗浄水
の圧力によって外周領域が垂れ下がることはなく、外周
領域が垂れ下がることによる損傷を防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従って構成されたスピンナー洗浄装置
を装備した研削装置の斜視図。
【図2】本発明に従って構成されたスピンナー洗浄装置
の説明図。
【図3】図1に示すスピンナー洗浄装置の要部を拡大し
て示す断面図。す説明図。
【符号の説明】
2:装置ハウジング 4:静止支持板4 6:案内レール 8:案内レール 10:荒研削ユニット 101:ユニットハウジング 102:研削ホイール 103:回転駆動機構 104:移動基台 105:被案内レール 11:送り機構 111:雄ねじロッド 112:パルスモータ 12:仕上げ研削ユニット 121:ユニットハウジング 122:研削ホイール 123:回転駆動機構 124:移動基台 125:被案内レール 13:送り機構 131:雄ねじロッド 132:パルスモータ 15:ターンテーブル 20:チャックテーブル 21:チャックテーブルの基台 22:チャックテーブルの吸着保持チャック 31:研削前ウエーハ用カセット 32:被加工物載置部 33:研削後ウエーハ用カセット 34:被加工物搬送手段 35:被加工物搬入手段 36:被加工物搬出手段 40:スピンナー洗浄装置 50:スピンナーテーブル機構 51:テーブルハウジング 52:スピンナーテーブル 521:スピンナーテーブルの基台 522:スピンナーテーブルの吸着保持チャック 60:第1の洗浄流体供給手段 61:洗浄水送出手段 62:洗浄流体供給ノズル 64:電磁開閉弁 70:エアー供給手段 71:エアー送出手段 74:電磁開閉弁 80:サポートテーブル機構 81:サポートテーブル 82:サポートテーブル位置付け手段 821:エアーシリンダ 822:ピストンロッド 90:第2の洗浄流体供給手段 92:電磁開閉弁

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被加工物の中央領域を吸引保持する吸引
    保持面を有するスピンナーテーブルと、該スピンナーテ
    ーブルの該吸引保持面上に吸引保持された被加工物に洗
    浄流体を供給する第1の洗浄流体供給手段と、を具備す
    るスピンナー洗浄装置において、 被加工物の外周領域を支持する支持面を備えたサポート
    テーブルと、該サポートテーブルの該支持面に洗浄流体
    を供給する第2の洗浄流体供給手段と、を具備してい
    る、 ことを特徴とするスピンナー洗浄装置。
  2. 【請求項2】 該サポートテーブルを該支持面が該スピ
    ンナーテーブルの該吸引保持面より僅かに低い作用位置
    と該作用位置から退避する非作用位置に位置付けるサポ
    ートテーブル位置付け手段を具備している、請求項1記
    載のスピンナー洗浄装置。
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