JP2003257912A - 半導体ウエーハの洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエーハの先ダイシング法による研削
時や切削ブレードによるダイシング時に、切削溝に入り
込んだ研削屑や切削屑を確実に除去することができる半
導体ウエーハの洗浄装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエーハを吸引保持する吸引保持
面を有するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブ
ルの吸引保持面上に吸引保持された半導体ウエーハに洗
浄流体を供給する洗浄流体供給手段とを具備する半導体
ウエーハの洗浄装置であって、スピンナーテーブルの吸
引保持面は凸状の湾曲面によって形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
裏面を研削する研削装置や半導体ウエーハを個々の半導
体チップに分割する切削装置等に装備される半導体ウエ
ーハの洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】当業者には周知の如く、半導体デバイス
製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハ
の表面に格子状に配列された多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ
等の回路を形成し、該回路が形成された各領域を所定の
ストリート（切断ライン）に沿ってダイシングすること
により個々の半導体チップを製造している。半導体チッ
プの放熱性を良好にするためは、半導体チップの厚さを
できるだけ薄く形成することが望ましい。また、半導体
素子を多数用いる携帯電話、スマートカード、パソコン
等の小型化を可能にするためにも、半導体素子の厚さを
できるだけ薄く形成することが望ましい。そのため、半
導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する前に、そ
の裏面を研削して所定の厚さに加工している。また、半
導体ウエーハを個々の半導体チップに分割方法として、
半導体ウエーハの裏面を研削する前に切削装置において
表面から所定深さの切削溝を予め形成しておき、半導体
ウエーハの裏面を研削装置により研削して切削溝を表出
させることにより、個々の半導体チップに分割する所謂
先ダイシング法も広く用いられている。なお、裏面が研
削される半導体ウエーハはその表面に保護テープが貼着
されているので、個々に分割された半導体チップはバラ
バラにはならず半導体ウエーハの状態が維持される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】而して、上述した先ダ
イシング法は半導体ウエーハの裏面に予め切削溝を形成
し、裏面を研削して切削溝を表出させるので、表出した
切削溝に研削屑が入り込む。この研削後、個々の半導体
チップに分割された半導体ウエーハは洗浄装置によって
洗浄されるが、切削溝に入り込んだ研削屑は除去されず
半導体チップの側面を汚染するという問題がある。

【０００４】また、上述した先ダイシング法による研削
時における研削屑程ではないが、切削ブレードを用いた
切削装置によって半導体ウエーハをダイシングする際に
も、切削溝に切削屑が入り込み、この切削屑を洗浄によ
って全て除去することが難しく、半導体チップの側面を
汚染する原因となっている。

【０００５】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、半導体ウエーハの先ダイ
シング法による研削時や切削ブレードによるダイシング
時に、切削溝に入り込んだ研削屑や切削屑を確実に除去
することができる半導体ウエーハの洗浄装置を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、半導体ウエーハを吸引保
持する吸引保持面を有するスピンナーテーブルと、該ス
ピンナーテーブルの該吸引保持面上に吸引保持された半
導体ウエーハに洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段
と、を具備する半導体ウエーハの洗浄装置において、該
スピンナーテーブルは、該吸引保持面が凸状の湾曲面に
よって形成されている、ことを特徴とする半導体ウエー
ハの洗浄装置が提供される。

【０００７】上記吸引保持面の曲率半径は、１〜１０ｍ
に設定されていることが望ましい。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体ウエー
ハの洗浄装置の好適な実施形態について、添付図面を参
照して詳細に説明する。

【０００９】図１には本発明による半導体ウエーハの洗
浄装置を装備した研削装置の斜視図が示されている。図
示の実施形態における研削装置は、略直方体状の装置ハ
ウジング２を具備している。装置ハウジング２の図１に
おいて右上端には、静止支持板４が立設されている。こ
の静止支持板４の内側面には、上下方向に延びる２対の
案内レール６、６および８、８が設けられている。一方
の案内レール６、６には荒研削手段としての荒研削ユニ
ット１０が上下方向に移動可能に装着されており、他方
の案内レール８、８には仕上げ研削手段としての仕上げ
研削ユニット１２が上下方向に移動可能に装着されてい
る。

【００１０】荒研削ユニット１０は、ユニットハウジン
グ１０１と、該ユニットハウジング１０１の下端に回転
自在に装着された研削ホイール１０２と、該ユニットハ
ウジング１０１の上端に装着され研削ホイール１０２を
矢印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構１０３と、
ユニットハウジング１０１を装着した移動基台１０４と
を具備している。移動基台１０４には被案内レール１０
５、１０５が設けられており、この被案内レール１０
５、１０５を上記静止支持板４に設けられた案内レール
６、６に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニッ
ト１０が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態
における荒研削ユニット１０は、上記移動基台１０４を
案内レール６、６に沿って移動させ研削ホイール１０２
の切り込み深さを調整する送り機構１１を具備してい
る。送り機構１１は、上記静止支持板４に案内レール
６、６と平行に上下方向に配設され回転可能に支持され
た雄ねじロッド１１１と、該雄ねじロッド１１１を回転
駆動するためのパルスモータ１１２と、上記移動基台１
０４に装着され雄ねじロッド１１１と螺合する図示しな
い雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ１１２
によって雄ねじロッド１１１を正転および逆転駆動する
ことにより、荒研削ユニット１０を上下方向に移動せし
める。

【００１１】上記仕上げ研削ユニット１２も荒研削ユニ
ット１０と同様に構成されており、ユニットハウジング
１２１と、該ユニットハウジング１２１の下端に回転自
在に装着された研削ホイール１２２と、該ユニットハウ
ジング１２１の上端に装着され研削ホイール１２２を矢
印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構１２３と、ユ
ニットハウジング１２１を装着した移動基台１２４とを
具備している。移動基台１２４には被案内レール１２
５、１２５が設けられており、この被案内レール１２
５、１２５を上記静止支持板４に設けられた案内レール
８、８に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユ
ニット１２が上下方向に移動可能に支持される。図示の
形態における仕上げ研削ユニット１２は、上記移動基台
１２４を案内レール８、８に沿って移動させ研削ホイー
ル１２３の切り込み深さを調整する送り機構１３を具備
している。この送り機構１３は、上記送り手段１１と実
質的に同じ構成である。即ち、送り機構１３は、上記静
止支持板４に案内レール６、６と平行に上下方向に配設
され回転可能に支持された雄ねじロッド１３１と、該雄
ねじロッド１３１を回転駆動するためのパルスモータ１
３２と、上記移動基台１２４に装着され雄ねじロッド１
３１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備してお
り、パルスモータ１３２によって雄ねじロッド１３１を
正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニッ
ト１２を上下方向に移動せしめる。

【００１２】図示の実施形態における研削装置は、上記
静止支持板４の前側において装置ハウジング２の上面と
略面一となるように配設されたターンテーブル１５を具
備している。このターンテーブル１５は、比較的大径の
円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によ
って矢印１５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。タ
ーンテーブル１５には、図示の実施形態の場合それぞれ
１２０度の位相角をもって３個のチャックテーブル２０
が水平面内で回転可能に配置されている。このチャック
テーブル２０は、上方が開放された円形状の凹部を備え
た円盤状の基台２１と、該基台２１に形成された凹部に
嵌合されるポーラスセラミック盤によって形成された吸
着保持チャック２２とからなっており、図示しない回転
駆動機構によって矢印で示す方向に回転せしめられるよ
うに構成されている。なお、チャックテーブル２０は図
示しない吸引手段に接続されている。以上のように構成
されたターンテーブル１５に配設された３個のチャック
テーブル２０は、ターンテーブル１５が適宜回転するこ
とにより被加工物搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、お
よび仕上げ研削加工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａ
に順次移動せしめられる。

【００１３】図示の研削装置における被加工物搬入・搬
出域Ａに対して一方側には、研削加工前の被加工物であ
る半導体ウエーハをストックする研削前ウエーハ用カセ
ット３１と、該研削前ウエーハ用カセット３１と被加工
物搬入・搬出域Ａとの間に設けられた被加工物載置部３
２が配設されている。研削前ウエーハ用カセット３１に
は、表面にテープＴが貼着された半導体ウエーハＷが収
納される。

【００１４】一方、研削装置における被加工物搬入・搬
出域Ａに対して他方側には、研削加工後の該半導体ウエ
ーハを洗浄する洗浄装置４０が配設されている。この洗
浄装置４０について、図２を参照して説明する。図２に
示す洗浄装置４０は、研削加工後の半導体ウエーハを吸
引保持するするとともに回転せしめるスピンナーテーブ
ル機構５０と、該スピンナーテーブル機構５０に保持さ
れた半導体ウエーハに洗浄流体を供給するための洗浄流
体供給手段６０とを具備している。

【００１５】図示の実施形態におけるスピンナーテーブ
ル機構５０は、半導体ウエーハを吸引保持するスピンナ
ーテーブル５１と、該スピンナーテーブル５１に負圧を
作用せしめる吸引手段５４と、スピンナーテーブル５１
を回転せしめる電動モータ５５とを備えている。スピン
ナーテーブル５１は、円盤状の基台５２と円盤状の吸着
保持チャック５３とからなっている。基台５２はステン
レス鋼等の金属材によって構成され、その上面には上方
が開放された円形状の凹部５２１が形成されており、そ
の下面中央部には回転軸部５２２が突出して形成されて
いる。なお、回転軸部５２２には、その中心部に上記凹
部５２１に連通する連通路５２２ａと、該連通路５２２
ａと連通し外周面に開口する連通路５２２ｂが設けられ
ている。このように構成された基台５２の凹部５２１に
吸引保持領域として機能する吸着保持チャック５３が嵌
合される。この吸着保持チャック５３はポーラスセラミ
ック盤によって形成され、その上面即ち半導体ウエーハ
を吸引保持する吸引保持面５３１が凸状の湾曲面によっ
て形成されている。なお、吸引保持面５３１を形成する
湾曲面の曲率半径は、図示の実施形態においては１〜１
０ｍに設定されている。スピンナーテーブル５１は以上
のように構成されており、基台５２の回転軸部５２２に
下端が電動モータ５５に連結されている。

【００１６】上述したスピンナーテーブル５１に負圧を
作用せしめる吸引手段５４は、上記基台５２の回転軸部
５２２における連通路５２２ｂが形成された部分に嵌合
して配設されたロータリージョイント５４１と、負圧タ
ンク等の吸引源５４２と、該吸引源５４２とロータリー
ジョイント５４１とを接続する配管５４３と、該配管５
４３に配設された電磁切替え弁５４４とを備えている。
この電磁切替え弁５４４は、除勢されているときには上
記凹部５２１を大気に開放しており、付勢されると凹部
５２１を吸引源５４２に連通する。従って、電磁切替え
弁５４４が付勢されると、スピンナーテーブル５１の基
台５２に形成された凹部５２１には負圧が作用し、この
負圧がポーラスセラミック盤によって形成された吸着保
持チャック５３の吸引保持面５３１に作用するので、こ
の吸引保持面５３１上に半導体ウエーハが載置されてい
る場合には、この半導体ウエーハは吸着保持チャック５
３に吸引保持される。

【００１７】次に、スピンナーテーブル５１に保持され
た半導体ウエーハに洗浄流体を供給するための洗浄流体
供給手段６０について、図２を参照して説明する。図示
の実施形態における洗浄流体供給手段６０は、洗浄水供
給手段６１と高圧エアー供給手段６２および洗浄流体供
給ノズル６３とを具備している。洗浄水供給手段６１
は、洗浄水を収容する洗浄水タンクおよび該洗浄水タン
ク内の洗浄水を送り出すポンプ等を含んでおり、配管６
４に洗浄水を送り出す。この配管６４は三方向ジョイン
ト６５に接続されており、その中間部には電磁開閉弁６
６が配設されている。高圧エアー供給手段６２は、エア
ーコンプレッサーやエアータンク等を含んでおり、配管
６７によって上記三方向ジョイント６５に接続されてい
る。なお、配管６７中には電磁開閉弁６８が配設されて
いる。上記洗浄流体供給ノズル６３は、配管６９によっ
て上記三方向ジョイント６５に接続されている。このよ
うに構成された洗浄流体供給手段６０は、上記電磁開閉
弁６６および６８を付勢して配管６４および６７を連通
すると、洗浄水供給手段６１から供給された洗浄水と高
圧エアー供給手段６２から供給された高圧エアーが三方
向ジョイント６５で混合されて洗浄流体となり、配管６
９を介して洗浄流体供給ノズル６３から上記スピンナー
テーブル５１の吸着保持チャック５３の吸引保持面５３
１上に吸引保持された半導体ウエーハ上に供給される。
なお、洗浄流体供給ノズル６３は、洗浄流体供給時にお
いてはスピンナーテーブル５１の上方における水平面内
で揺動せしめられるようになっている。

【００１８】図１に戻って説明を続けると、研削装置に
おける被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側には、上
記洗浄装置４０によって洗浄された研削加工後の被加工
物である半導体ウエーハＷをストックする研削後ウエー
ハ用カセット３３が配設されている。図示の実施形態に
おける研削装置は、研削前ウエーハ用カセット３１内に
収納された被加工物である半導体ウエーハＷを被加工物
載置部３２に搬出するとともに洗浄装置４０で洗浄され
た半導体ウエーハＷを研削後ウエーハ用カセット３３に
搬送する被加工物搬送手段３４を備えている。この被加
工物搬送手段３４は、半導体ウエーハＷを全面吸着する
吸着保持部３４１を備えている。また、図示の実施形態
における研削装置は、上記被加工物載置部３２上に載置
された半導体ウエーハＷを被加工物搬入・搬出域Ａに位
置付けられたチャックテーブル２０上に搬送する被加工
物搬入手段３５と、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付け
られたチャックテーブル２０上に載置されている研削加
工後の半導体ウエーハＷを洗浄装置４０に搬送する被加
工物搬出手段３６を具備している。

【００１９】本発明に従って構成された半導体ウエーハ
の洗浄装置を装備した研削装置は以上のように構成され
ており、以下、半導体ウエーハの先ダイシング法による
研削動作について説明する。先ダイシング法による研削
においては、図１に示す研削加工前の半導体ウエーハＷ
は表面に形成されたストリート（切断ライン）に沿って
所定深さの切削溝が形成されており、その表面にテープ
Ｔが貼着されている。なお、表面にテープＴを貼着した
半導体ウエーハＷは、テープＴを下側に即ち裏面を上側
にして研削前ウエーハ用カセット３１に収容される。研
削前ウエーハ用カセット３１に収容された研削加工前の
半導体ウエーハＷは被加工物搬送手段３４の上下動作お
よび進退動作により搬送され、被加工物載置部３２に載
置される。被加工物載置部３２に載置された研削前の半
導体ウエーハＷは、６本のピン３２１の中心に向かう径
方向運動により中心合わせされる。被加工物載置部３２
に載置され中心合わせされた半導体ウエーハＷは、被加
工物搬入手段３５の旋回動作によって被加工物搬入・搬
出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０上にテー
プＴを下側即ち裏面を上側にして載置される。チャック
テーブル２０上に研削前の半導体ウエーハＷが載置され
たならば、図示しない吸引手段を作動することにより、
研削前の半導体ウエーハＷを吸着保持チャック２２上に
吸引保持することができる。そして、ターンテーブル１
５を図示しない回転駆動機構によって矢印１５ａで示す
方向に１２０度回動せしめて、研削前の半導体ウエーハ
Ｗを載置したチャックテーブル２０を荒研削加工域Ｂに
位置付ける。

【００２０】研削前の半導体ウエーハＷを載置したチャ
ックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられると
図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転
せしめられ、一方、荒研削ユニット１０の研削ホイール
１０２が矢印で示す方向に回転せしめられつつ送り機構
１１によって所定量下降することにより、チャックテー
ブル２０上の研削前半導体ウエーハＷの裏面に荒研削加
工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａ
に位置付けられた次のチャックテーブル２０上には、上
述したように研削前の半導体ウエーハＷが載置される。
次に、ターンテーブル１５を矢印１５ａで示す方向に１
２０度回動せしめて、荒研削加工した半導体ウエーハＷ
を載置したチャックテーブル２０を仕上げ研削加工域Ｃ
に位置付ける。なお、このとき被加工物搬入・搬出域Ａ
において研削前の半導体ウエーハＷが載置された次のチ
ャックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられ、
次の次のチャックテーブル２０が被加工物搬入・搬出域
Ａに位置付けられる。

【００２１】このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付
けられたチャックテーブル２０上に載置された荒研削加
工前の半導体ウエーハＷには荒研削ユニット１０によっ
て荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付け
られたチャックテーブル２０上に載置され荒研削加工さ
れた半導体ウエーハＷには仕上げ研削ユニット１２によ
って仕上げ研削加工が施される。以上のようにして半導
体ウエーハＷの裏面を荒研削および仕上げ研削加工する
ことにより、表面に形成されたストリート（切断ライ
ン）に沿って所定深さに形成された切削溝が表出して、
半導体ウエーハＷは個々の半導体チップに分割される。
なお、半導体ウエーハＷはその表面に保護テープが貼着
されているので、個々に分割された半導体チップはバラ
バラにはならず半導体ウエーハの状態が維持される。

【００２２】次に、ターンテーブル１５を矢印１５ａで
示す方向に１２０度回動せしめて、仕上げ研削加工した
研削後の半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル
２０を被加工物搬入・搬出域Ａに位置付ける。なお、荒
研削加工域Ｂにおいて荒研削加工された半導体ウエーハ
Ｗを載置したチャックテーブル２０は仕上げ研削加工域
Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削前の半導体
ウエーハＷが載置されたチャックテーブル２０は荒研削
加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられる。

【００２３】なお、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加
工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャ
ックテーブル２０は、ここで個々の半導体チップに分割
された研削後の半導体ウエーハＷの吸着保持を解除す
る。次に、被加工物搬出手段３６を作動して被加工物搬
入・搬出域Ａに戻ったチャックテーブル２０上で吸着保
持が解除された研削後の半導体ウエーハＷをチャックテ
ーブル２０から搬出し、洗浄装置４０のスピンナーテー
ブル５１を構成する吸着保持チャック５３の載置面５３
１上に載置する。そして、吸引手段５４の電磁切替え弁
５４４を付勢してスピンナーテーブル５１の基台５２に
形成された凹部５２１に負圧を作用せしめることによ
り、吸着保持チャック５３の吸引保持面５３１上に載置
され個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハＷ
は吸着保持チャック５３に吸引保持される。このとき、
吸着保持チャック５３の吸引保持面５３１は凸状の湾曲
面によって形成されているので、図３に誇張して示すよ
うに個々の分割された半導体チップＳは吸引保持面５３
１の湾曲面に沿って吸引保持されるため、個々の半導体
チップＳ間に形成されている切削溝Ｇは上側が広げられ
た状態となる。従って、上記研削時に切削溝Ｇに入り込
んだ研削屑が除去され易い状態となる。なお、吸引保持
面５３１を形成する湾曲面は、曲率半径が大きいと湾曲
面の効果が減少し、曲率半径が小さいと半導体ウエーハ
Ｗの表面に貼着されたテープＴが湾曲面に追随しなくな
る。本発明者の実験によると、吸引保持面５３１を形成
する湾曲面の曲率半径は１〜１０ｍが望ましい。

【００２４】このようにして、個々の半導体チップＳに
分割された半導体ウエーハＷをスピンナーテーブル５１
を構成する吸着保持チャック５３の吸引保持面５３１上
に吸引保持したならば、電動モータ５５を駆動してスピ
ンナーテーブル５１を５０〜１００ｒｐｍで回転すると
ともに、洗浄流体供給手段６０の洗浄流体供給手段６０
の電磁開閉弁６６および６８を付勢する。この結果、上
述したように洗浄水と高圧エアーとが混合された洗浄流
体が洗浄流体供給ノズル６３から半導体ウエーハＷに供
給され、個々に分割された半導体チップＳが洗浄され
る。このとき、吸着保持チャック５３の湾曲面をした吸
引保持面５３１上に吸引保持されている個々の半導体チ
ップＳ間に形成されている切削溝Ｇは上側が広げられた
状態となっているため、研削時に切削溝Ｇに入り込んだ
研削屑が上記洗浄流体によって確実に除去される。な
お、洗浄流体の供給時においては、洗浄水供給手段６１
からは毎分７００ｃｃ程度の洗浄水が供給され、高圧エ
アー供給手段６２からは０．３〜０．６メガパスカル
（Ｍｐａ）の高圧エアーが供給される。このようにし
て、個々の半導体チップＳに分割された半導体ウエーハ
Ｗが洗浄されたならば、洗浄流体供給手段６０の電磁開
閉弁６６および６８を除勢して洗浄流体の供給を停止す
る。そして、電動モータ５５を駆動したままスピンナー
テーブル５１を回転駆動し続けることにより、上述した
ように洗浄された半導体ウエーハＷはスピン乾燥され
る。半導体ウエーハＷがスピン乾燥されたならば、電動
モータ５５を停止してスピンナーテーブル５１の回転を
停止するとともに、吸引手段５４の電磁切替え弁５４４
を除勢してスピンナーテーブル５１上に載置され個々の
半導体チップＳに分割された半導体ウエーハＷの吸着保
持を解除する。次に、スピンナーテーブル５１上で吸着
保持が解除された半導体ウエーハＷは、被加工物搬送手
段３４の上下動作および進退動作により研削後ウエーハ
用カセット３３に搬送され収納される。

【００２５】以上、本発明による半導体ウエーハの洗浄
装置を研削装置に適用した実施形態について説明した
が、本発明による洗浄装置は切削ブレードを用いて半導
体ウエーハをダイシングする切削装置に適用しても同様
の作用効果を奏する。

【００２６】

【発明の効果】本発明に係る半導体ウエーハの洗浄装置
は以上のように構成され、半導体ウエーハを吸引保持す
るスピンナーテーブルの吸引保持面が凸状の湾曲面によ
って形成されているので、半導体ウエーハが個々の分割
された半導体チップは吸引保持面の湾曲面に沿って吸引
保持されるため、個々の半導体チップ間に形成されてい
る切削溝は上側が広げられた状態となる。従って、上記
研削或いは切削時に切削溝に入り込んだ研削屑或いは切
削屑が除去され易い状態となり、洗浄流体を供給するこ
とによって上記研削屑或いは切削屑を確実に除去するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従って構成された半導体ウエーハの洗
浄装置を装備した研削装置の斜視図。

【図２】本発明に従って構成された半導体ウエーハの洗
浄装置の説明図。

【図３】図１に示す洗浄装置を構成するスピンナーテー
ブルの吸引保持面に半導体ウエーハを吸引保持した状態
を示す説明図。

【符号の説明】

２：装置ハウジング ４：静止支持板４ ６：案内レール ８：案内レール １０：荒研削ユニット １０１：ユニットハウジング １０２：研削ホイール １０３：回転駆動機構 １０４：移動基台 １０５：被案内レール １１：送り機構 １１１：雄ねじロッド １１２：パルスモータ １２：仕上げ研削ユニット １２１：ユニットハウジング １２２：研削ホイール １２３：回転駆動機構 １２４：移動基台 １２５：被案内レール １３：送り機構 １３１：雄ねじロッド １３２：パルスモータ １５：ターンテーブル ２０：チャックテーブル ２１：チャックテーブルの基台 ２２：チャックテーブルの吸着保持チャック ３１：研削前ウエーハ用カセット ３２：被加工物載置部 ３３：研削後ウエーハ用カセット ３４：被加工物搬送手段 ３５：被加工物搬入手段 ３６：被加工物搬出手段 ４０：洗浄装置 ５０：スピンナーテーブル機構 ５１：スピンナーテーブル ５２：スピンナーテーブルの基台 ５３：スピンナーテーブルの吸着保持チャック ５３１：吸着保持チャックの吸引保持面 ５４：吸引手段 ５４１：ロータリージョイント ５４２：吸引源 ５４４：電磁切替え弁 ５５：電動モータ ６０：洗浄流体供給手段 ６１：洗浄水供給手段 ６２：高圧エアー供給手段 ６３：洗浄流体供給ノズル ６６：電磁開閉弁 ６８：電磁開閉弁

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエーハを吸引保持する吸引保持
   面を有するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブ
   ルの該吸引保持面上に吸引保持された半導体ウエーハに
   洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段と、を具備する半
   導体ウエーハの洗浄装置において、 該スピンナーテーブルは、該吸引保持面が凸状の湾曲面
   によって形成されている、 ことを特徴とする半導体ウエーハの洗浄装置。
2. 【請求項２】 該吸引保持面の曲率半径は、１〜１０ｍ
   に設定されている、請求項１記載の半導体ウエーハの洗
   浄装置。