JP2008060220A - ゲッタリング層形成装置 - Google Patents
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- 238000005247 gettering Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 84
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 44
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 9
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
【課題】研磨された半導体ウェーハの裏面に多結晶シリコン層やシリコン窒化層からなるゲッタリング層を形成する場合において、ゲッタリング層に十分なゲッタリング効果を生じさせる。
【解決手段】半導体ウェーハを保持する保持面180を有するチャックテーブル18と、保持面180に表面側が保持された半導体ウェーハWの裏面W2を研磨する研磨手段20、21と、裏面W2が研磨された半導体ウェーハWを洗浄する洗浄手段15と、洗浄済みの半導体ウェーハWを収容して半導体ウェーハWの裏面W2にシリコン窒化層または多結晶シリコン層のいずれかをゲッタリング層として形成するゲッタリング層形成手段47とから少なくとも構成されるゲッタリング層形成装置1を提供する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体ウェーハを保持する保持面180を有するチャックテーブル18と、保持面180に表面側が保持された半導体ウェーハWの裏面W2を研磨する研磨手段20、21と、裏面W2が研磨された半導体ウェーハWを洗浄する洗浄手段15と、洗浄済みの半導体ウェーハWを収容して半導体ウェーハWの裏面W2にシリコン窒化層または多結晶シリコン層のいずれかをゲッタリング層として形成するゲッタリング層形成手段47とから少なくとも構成されるゲッタリング層形成装置1を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体ウェーハの裏面にゲッタリング層を形成する機能を有するゲッタリング層形成装置に関するものである。
IC、LSI等のデバイスが複数形成された半導体ウェーハは、裏面が研磨されて所望の厚さに形成された後に、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、各種電子機器に用いられている。
ところが、半導体ウェーハの厚さが例えば100μm以下のように薄くなり鏡面加工されると、半導体ウェーハにおけるいわゆるゲッタリング効果が低下してデバイスの品質を低下させるという問題がある。そこで、半導体ウェーハの裏面に多結晶シリコン層、シリコン窒化層等を形成することによりゲッタリング効果を生じさせる技術が提案されている(例えば特許文献1参照)。裏面へのゲッタリング層の形成は、裏面を研磨して半導体ウェーハを所望の厚さに形成した後に行われる。
しかし、半導体ウェーハの裏面を研磨すると、シリコンの素面が露出して活性面となるため、空気中の酸素や不純物と反応し、ゲッタリング効果を発揮する多結晶シリコン層、シリコン窒化層の形成が困難になるという問題がある。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、研磨された半導体ウェーハの裏面に多結晶シリコン層やシリコン窒化層からなるゲッタリング層を形成する場合において、ゲッタリング層に十分なゲッタリング効果を生じさせることにある。
本発明は、表面に複数のデバイスが形成された半導体ウェーハの裏面を研磨し、裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成装置に関するもので、半導体ウェーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、保持面に表面側が保持された半導体ウェーハの裏面を研磨する研磨手段と、裏面が研磨された半導体ウェーハを洗浄する洗浄手段と、洗浄済みの半導体ウェーハを収容して該半導体ウェーハの裏面にシリコン窒化層または多結晶シリコン層のいずれかをゲッタリング層として形成するゲッタリング層形成手段とから少なくとも構成される。
ゲッタリング層形成手段は、半導体ウェーハの裏面をドライエッチングするドライエッチング手段の機能を併せ持つことが望ましい。
本発明に係るゲッタリング層形成装置は、研磨手段とゲッタリング層形成手段とを備えているため、半導体ウェーハの裏面を研磨した後に、活性面となった当該裏面に直ちに多結晶シリコン層または窒化層を形成することができるため、裏面が空気中の酸素や不純物と反応する前にゲッタリング層を形成することができる。
また、ゲッタリング層形成手段が、半導体ウェーハの裏面をドライエッチングするドライエッチング手段の機能を併せ持つと、研磨後の裏面をドライエッチングして半導体ウェーハの抗折強度を向上させることができると共に、仮に半導体ウェーハの裏面が研磨後に空気中の酸素や不純物と反応してしまったとしても、その部分をドライエッチングして除去することができる。
図1に示すゲッタリング層形成装置1は、半導体ウェーハの裏面を研磨し、その研磨された裏面にゲッタリング層を形成することができる装置である。
ゲッタリング層形成装置1においては、例えば図2に示す半導体ウェーハWの裏面W2にゲッタリング層を形成する。この半導体ウェーハWは、ストリートSによって区画されて複数のデバイスDが表面W1に形成されたものであり、ゲッタリング層形成装置1において裏面W2が研磨されるにあたり、表面W1にはデバイスDを保護するための保護部材10が貼着され、図3のように半導体ウェーハWと保護部材10とが一体となる。
ゲッタリング層形成前の半導体ウェーハWは、図3に示したように表面に保護部材10が貼着された状態の半導体ウェーハW(以下では単に「半導体ウェーハW」という。)は、で第一のウェーハカセット11に収容される。一方、ゲッタリング層形成後の半導体ウェーハWは、保護部材10が貼着された状態で第二のウェーハカセット12に収容される。
図1に示した第一のウェーハカセット11及び第二のウェーハカセット12の近傍には、第一のウェーハカセット11から加工前の半導体ウェーハを搬出すると共に、加工済みの半導体ウェーハを第二のウェーハカセット12に搬入する機能を有する搬出入手段13が配設されている。搬出入手段13は、屈曲自在なアーム部130の先端に半導体ウェーハを保持する保持部131が設けられた構成となっており、保持部131の可動域には、加工前の半導体ウェーハの位置合わせをする位置合わせ手段14及び加工済みの半導体ウェーハを洗浄する洗浄手段15が配設されている。洗浄手段15は、半導体ウェーハを保持して回転するスピンナーテーブル150を備え、その正面側及び背面側が開口した構成となっている。
位置合わせ手段14の近傍には第一の搬送手段16が配設され、洗浄手段15の近傍には第二の搬送手段17が配設されている。第一の搬送手段16は、位置合わせ手段14に載置された加工前の半導体ウェーハをいずれかのチャックテーブルに搬送する機能を有し、第二の搬送手段17は、いずれかのチャックテーブルに保持された加工済みの半導体ウェーハを洗浄手段15に搬送する機能を有する。4つのチャックテーブル18は、それぞれが半導体ウェーハを保持する保持面180を有しており、ターンテーブル19によって自転及び公転可能に支持されており、ターンテーブル19の回転によって、いずれかのチャックテーブルが第一の搬送手段16及び第二の搬送手段17の近傍に位置付けられる。
第一の研磨手段20は、垂直方向の軸心を有するスピンドル22と、スピンドル22を回転可能に支持するスピンドルハウジング23と、スピンドル23の一端に連結されたモータ24と、スピンドル22の他端に設けられたホイールマウント25と、ホイールマウント25に装着され下面に砥石27が固着された研磨ホイール26とから構成され、モータ24の駆動によりスピンドル22が回転し、それに伴い砥石27も回転する構成となっている。砥石27としては、例えば粗研磨用の砥石が用いられる。
第一の研磨手段20は、第一の研磨送り手段28によって垂直方向に移動可能となっている。第一の研磨送り手段28は、垂直方向に配設された一対のガイドレール29と、ガイドレール29に摺接する昇降板30と、昇降板30を昇降させるモータ31とから構成され、モータ31による駆動により昇降板30がガイドレール29にガイドされて昇降するのに伴い、昇降板30に固定された第一の研磨手段20が昇降する構成となっている。
第二の研磨手段21は、垂直方向の軸心を有するスピンドル32と、スピンドル32を回転可能に支持するハウジング33と、スピンドル32の一端に連結されたモータ34と、スピンドル32の他端に設けられたホイールマウント35と、ホイールマウント35に装着され下面に砥石37が固着された研磨ホイール36とから構成され、モータ34の駆動によりスピンドル33が回転し、それに伴い砥石37も回転する構成となっている。
第二の研磨手段21は、第二の研磨送り手段38によって垂直方向に移動可能となっている。第二の研磨送り手段38は、垂直方向に配設されたガイドレール39と、ガイドレール39に摺接する昇降板40と、昇降板40を昇降させるモータ41とから構成され、モータ41による駆動により昇降板40がガイドレール39にガイドされて昇降するのに伴い、昇降板40に固定された第二の研磨手段21が昇降する構成となっている。
第一のウェーハカセット11に収容された半導体ウェーハWを研磨するにあたっては、搬出入手段13によって半導体ウェーハWが位置合わせ手段14に搬送され、半導体ウェーハWの中心が一定の位置に位置合わせされた後に、第一の搬送手段16によって近くに位置するチャックテーブル18に搬送される。チャックテーブル18においては、表面に貼着された保護部材10側が保持され、裏面W2が露出した状態となる。
次に、ターンテーブル19が反時計回りに所定角度(図示の例では90度)回転することによってチャックテーブル18に保持された半導体ウェーハWが第一の研磨手段20の直下に移動する。そして、チャックテーブル18の回転に伴って半導体ウェーハWが回転すると共に、スピンドル22の回転に伴って砥石27が回転しながら、第一の研磨送り手段28によって第一の切削手段20が下方に研磨送りされて下降する。そうすると、回転する砥石27が半導体ウェーハWの裏面W2に接触して当該裏面W2が粗研磨される。
こうして粗研磨が終了すると、ターンテーブル19が反時計回りに所定角度回転することによって、半導体ウェーハWが第二の研磨手段21の直下に位置付けられる。そして、チャックテーブル18の回転に伴って半導体ウェーハWが回転すると共に、スピンドル32の回転に伴って砥石37が回転しながら、第二の研磨送り手段38によって第二の研磨手段21が下方に研磨送りされて下降する。そうすると、回転する砥石37が半導体ウェーハWの裏面W2に接触して当該裏面W2が仕上げ研磨される。
仕上げ研磨が終了すると、ターンテーブル19が反時計回りに所定角度回転することにより、チャックテーブル18が第二の搬送手段17の近傍に位置付けられる。そして、半導体ウェーハWが第二の搬送手段17によって保持されて洗浄手段15のスピンナーテーブル150に搬送される。洗浄手段15では、スピンナーテーブル150において裏面W2が露出した状態で半導体ウェーハWが保持され、スピンナーテーブル150が回転すると共に洗浄水が噴射されて、裏面W2に付着した研磨屑が除去される。更に、スピンナーテーブル150が回転すると共に高圧エアーが噴射されて、洗浄水が除去される。
このようにして裏面が研磨され洗浄された半導体ウェーハWは、洗浄手段15に隣接する第三の搬送手段43によってゲッタリング層形成手段47に搬送される。第三の搬送手段43は、半導体ウェーハWを吸着する吸着部44と、吸着部44を水平方向及び垂直方向に移動させるアーム部45と、アーム部45を駆動する駆動部46とから構成され、吸着部44によって洗浄後の半導体ウェーハWが吸着され、吸着部44が移動することにより半導体ウェーハWがゲッタリング層形成手段47に搬送される。
図4に示すように、ゲッタリング層形成手段47は、複数のガスタンク48a、48b、48cからなるガスタンク部48と、バルブ49a、49b、49cを介して個々のガスタンクと連結されガスを混合する混合部50とを備えている。混合部50において生成されたガスは、ガス供給部51に送られ、ガス供給部51から処理部52に供給される。
ガスタンク部48を構成する個々のガスタンクには、ドライエッチング用のガス及びゲッタリング層形成用のガスが蓄えられている。図4の例ではドライエッチング用のガスとしてガスタンク48aにSF6が蓄えられている。一方、ゲッタリング層形成用のガスとしては、ガスタンク48bにSiH4−NH3、ガスタンク48cにSiH4が蓄えられている。
図4に示すように、処理部52は、プラズマエッチングが行われるチャンバ53の上部側からガス噴出手段54を収容すると共に、半導体ウェーハWを保持するチャックテーブル55を下部側から収容した構成となっている。
ガス噴出手段54は、チャックテーブル55に保持された半導体ウェーハWの裏面にガスを供給する機能を有し、軸部54aがチャンバ53に対して軸受け56を介して昇降自在に挿通しており、内部にはガス供給部51に連通すると共にポーラス部材で形成された噴出部57aに連通するガス流通孔57が形成されている。ガス噴出手段54は、モータ58に駆動されてボールネジ59が回動し、ボールネジ59に螺合したナットを有する昇降部60が昇降するのに伴い昇降する構成となっている。
一方、チャックテーブル55は、軸部55aが軸受け61を介して回動可能に挿通しており、内部には吸引源62に連通する吸引路63及び冷却部64に連通する冷却路65が形成されており、吸引路63は上面の吸引部63aに連通している。
チャンバ53の側部にはエッチングする板状物の搬出入口となる開口部66が形成されており、開口部66の外側には昇降により開口部66を開閉するシャッター67が配設されている。このシャッター67は、シリンダ68に駆動されて昇降するピストン69によって昇降する。
チャンバ53の下部にはガス排出部70に連通する排気口71が形成されており、排気口71から使用済みのガスを排出することができる。また、ガス噴出手段54及びチャックテーブル55には高周波電源72が接続され、高周波電圧を供給し、ガスをプラズマ化することができる。
ゲッタリング層形成手段47では、半導体ウェーハWの裏面のドライエッチング及び裏面へのゲッタリング層の形成を行うことができる。ドライエッチングを行わずにゲッタリング層を形成することもできるが、以下では、裏面をドライエッチングした後にその裏面にゲッタリング層を形成する場合について説明する。
半導体ウェーハWは、シャッター67を下降させて開口部66を開口させた状態で、開口部66から図1に示した吸着部44をチャンバ53の内部に進入させ、半導体ウェーハWの裏面W2を上に向けて露出させた状態で吸着を解除してチャックテーブル55の吸引部63aに載置すると共に吸引部63aにおいて吸着力を作用させることにより、吸引部63aにおいて保持される。そして、吸着部44をチャンバ53の外部に退避させた後にシャッター67を元の位置に戻して開口部66を閉め、内部を減圧排気する。
次に、バルブ49aを開けてSF6をガス供給部51に送り込むと共に、ガス噴出手段54を下降させ、その状態でガス供給部51からガス流通孔57にエッチングガスとしてSF6を供給し、ガス噴出手段54の下面の噴出部57aからSF6ガスを噴出させると共に、高周波電源72からガス噴出手段54とチャックテーブル55との間に高周波電圧を印加してSF6ガスをプラズマ化させる。そうすると、プラズマのエッチング効果により半導体ウェーハWの裏面がエッチングされ、研磨により形成された研磨歪みが除去される。この例のようにエッチングガスとしてSF6を用いた場合、半導体ウェーハWがシリコンウェーハであると、Fラジカルとシリコンとの反応によりフッ化シリコンが生成されてエッチングが行われる。また、混合部50におけるガスの混合は行われないが、エッチングを促進する触媒を混合するようにしてもよい。
エッチング終了後は、処理部52に残ったエッチングガスを排気口71からガス排出部70へと排気する。そして、処理部52の温度を350〜400℃とした状態で、例えばバルブ49bを開けてSiH4−NH3を噴出部57aから噴出させて処理部52に導入すると共に、高周波電源72からガス噴出手段54とチャックテーブル55との間に高周波電圧を印加してSiH4−NH3を活性化させる。そうすると、図5に示すように、低温CVDによりSiH4−NH3がエッチングされた裏面に堆積し、シリコン窒化層80が形成される。このシリコン窒化層80がゲッタリング層となる。また、バルブ49cを開けてSiH4を噴出部57aから噴出させて同様に活性化した場合は、多結晶シリコン層が形成され、ゲッタリング層80となる。ゲッタリング層が薄すぎるとゲッタリング効果が十分に生じないおそれがあるため、ゲッタリング層は、例えば0.5〜1.5μm程度の厚さに形成することが好ましい。
このように、ゲッタリング層形成装置1は、研磨手段20、21とゲッタリング層形成手段47とを備えており、その間を第三の搬送手段43によって半導体ウェーハWが搬送されるため、半導体ウェーハWの裏面W2を研磨した後に、活性面となった当該裏面W2に直ちに多結晶シリコン層または窒化層を形成することができる。したがって、裏面が空気中の酸素や不純物と反応する前にゲッタリング層を形成することができる。
また、ゲッタリング層形成手段47は、半導体ウェーハWの裏面W2をドライエッチングするドライエッチングの機能と、CVDによりゲッタリング層を形成する機能とを併せ持つため、研磨後の裏面をドライエッチングして半導体ウェーハの抗折強度を向上させることができると共に、仮に半導体ウェーハの裏面が研磨後に空気中の酸素や不純物と反応してしまったとしても、その部分をドライエッチングして除去することができる。
このようにして裏面にゲッタリング層が形成された半導体ウェーハWは、シャッター67を下降させて開口部66を開け、吸着部44によって半導体ウェーハWを吸着すると共に、吸着部41を移動させてチャンバ53の外部に搬出する。そして、図1に示した洗浄手段15の背面側から吸着部44を進入させてスピンナーテーブル150に半導体ウェーハWを移し替え、半導体ウェーハを洗浄した後、搬出入手段13によってカセット12に収容する。以上のような工程をウェーハカセット11に収容されたすべての半導体ウェーハについて行うと、裏面にゲッタリング層が形成されたすべての半導体ウェーハWがウェーハカセット12に収容される。
W:半導体ウェーハ
W1:表面 S:ストリート D:デバイス
W2:裏面
10:保護部材
1:ゲッタリング層形成装置
11:第一のウェーハカセット 12:第二のウェーハカセット
13;搬出入手段 130:アーム部 131:保持部
14:位置合わせ手段
15:洗浄手段 150:スピンナーテーブル
16:第一の搬送手段 17:第二の搬送手段 18:チャックテーブル
19:ターンテーブル
20:第一の研磨手段 21:第二の研磨手段
22:スピンドル 23:スピンドルハウジング 24:モータ
25:ホイールマウント 26:研磨ホイール 27:砥石
28:第一の研磨送り手段 29:ガイドレール 30:昇降板 31:モータ
32:スピンドル 33:ハウジング 34:モータ 35:ホイールマウント
36:研磨ホイール 37:砥石
38:第二の研磨送り手段 39:ガイドレール 40:昇降板 41:モータ
43:第三の搬送手段
44:吸着部 45:アーム部 46:駆動部
47;ゲッタリング層形成手段
48:ガスタンク部 49a、49b、49c:バルブ 50:混合部
51:ガス供給部 52:処理部 53:チャンバ
54:エッチングガス供給手段 55:チャックテーブル 56:軸受け
57:ガス流通孔 57a:噴出部 58:モータ 59:ボールネジ
60:昇降部 61:軸受け 62:吸引源 63:吸引路 64:冷却部
65:冷却路 66:開口部 67:シャッター 68:シリンダ 69:ピストン
70:ガス排出部 71:排気口 72:高周波電源
80:ゲッタリング層
W1:表面 S:ストリート D:デバイス
W2:裏面
10:保護部材
1:ゲッタリング層形成装置
11:第一のウェーハカセット 12:第二のウェーハカセット
13;搬出入手段 130:アーム部 131:保持部
14:位置合わせ手段
15:洗浄手段 150:スピンナーテーブル
16:第一の搬送手段 17:第二の搬送手段 18:チャックテーブル
19:ターンテーブル
20:第一の研磨手段 21:第二の研磨手段
22:スピンドル 23:スピンドルハウジング 24:モータ
25:ホイールマウント 26:研磨ホイール 27:砥石
28:第一の研磨送り手段 29:ガイドレール 30:昇降板 31:モータ
32:スピンドル 33:ハウジング 34:モータ 35:ホイールマウント
36:研磨ホイール 37:砥石
38:第二の研磨送り手段 39:ガイドレール 40:昇降板 41:モータ
43:第三の搬送手段
44:吸着部 45:アーム部 46:駆動部
47;ゲッタリング層形成手段
48:ガスタンク部 49a、49b、49c:バルブ 50:混合部
51:ガス供給部 52:処理部 53:チャンバ
54:エッチングガス供給手段 55:チャックテーブル 56:軸受け
57:ガス流通孔 57a:噴出部 58:モータ 59:ボールネジ
60:昇降部 61:軸受け 62:吸引源 63:吸引路 64:冷却部
65:冷却路 66:開口部 67:シャッター 68:シリンダ 69:ピストン
70:ガス排出部 71:排気口 72:高周波電源
80:ゲッタリング層
Claims (2)
- 表面に複数のデバイスが形成された半導体ウェーハの裏面を研磨し、該裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成装置であって、
半導体ウェーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、該保持面に表面側が保持された半導体ウェーハの裏面を研磨する研磨手段と、該裏面が研磨された半導体ウェーハを洗浄する洗浄手段と、洗浄済みの半導体ウェーハを収容して該半導体ウェーハの裏面にシリコン窒化層または多結晶シリコン層のいずれかをゲッタリング層として形成するゲッタリング層形成手段と
から少なくとも構成されるゲッタリング層形成装置。 - 前記ゲッタリング層形成手段は、半導体ウェーハの裏面をドライエッチングするドライエッチング手段の機能を併せ持つ請求項1に記載のゲッタリング層形成装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006233517A JP2008060220A (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | ゲッタリング層形成装置 |
TW096125219A TW200811955A (en) | 2006-08-30 | 2007-07-11 | Apparatus for forming gettering layer |
KR1020070074255A KR20080020474A (ko) | 2006-08-30 | 2007-07-24 | 게더링층 형성 장치 |
CN2007101466954A CN101136313B (zh) | 2006-08-30 | 2007-08-24 | 吸杂层形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006233517A JP2008060220A (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | ゲッタリング層形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008060220A true JP2008060220A (ja) | 2008-03-13 |
Family
ID=39160317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006233517A Pending JP2008060220A (ja) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | ゲッタリング層形成装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008060220A (ja) |
KR (1) | KR20080020474A (ja) |
CN (1) | CN101136313B (ja) |
TW (1) | TW200811955A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010232539A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法、及び光電変換装置の製造方法 |
JP2011253983A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | シリコンウェーハへのゲッタリング層付与方法 |
JP2019220580A (ja) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 株式会社ディスコ | ゲッタリング層形成装置 |
JP2020027900A (ja) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7989321B2 (en) * | 2008-08-21 | 2011-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device gate structure including a gettering layer |
JP2013184277A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Disco Corp | バイト切削装置 |
JP6300763B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2018-03-28 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP6856335B2 (ja) * | 2016-09-06 | 2021-04-07 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07263453A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10256263A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-09-25 | Nec Corp | Soi基板およびその製造方法 |
JP2005011834A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置製造システム |
JP2005311199A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 基板の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4943636B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2012-05-30 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-08-30 JP JP2006233517A patent/JP2008060220A/ja active Pending
-
2007
- 2007-07-11 TW TW096125219A patent/TW200811955A/zh unknown
- 2007-07-24 KR KR1020070074255A patent/KR20080020474A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-08-24 CN CN2007101466954A patent/CN101136313B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07263453A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10256263A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-09-25 | Nec Corp | Soi基板およびその製造方法 |
JP2005011834A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置製造システム |
JP2005311199A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 基板の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010232539A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法、及び光電変換装置の製造方法 |
JP2011253983A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | シリコンウェーハへのゲッタリング層付与方法 |
JP2019220580A (ja) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 株式会社ディスコ | ゲッタリング層形成装置 |
JP7094793B2 (ja) | 2018-06-20 | 2022-07-04 | 株式会社ディスコ | ゲッタリング層形成装置 |
JP2020027900A (ja) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7173787B2 (ja) | 2018-08-14 | 2022-11-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080020474A (ko) | 2008-03-05 |
TW200811955A (en) | 2008-03-01 |
CN101136313A (zh) | 2008-03-05 |
CN101136313B (zh) | 2010-07-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090724 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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