JP7378442B2 - 温度制御装置、温度制御方法、および載置台 - Google Patents

温度制御装置、温度制御方法、および載置台 Download PDF

Info

Publication number
JP7378442B2
JP7378442B2 JP2021102840A JP2021102840A JP7378442B2 JP 7378442 B2 JP7378442 B2 JP 7378442B2 JP 2021102840 A JP2021102840 A JP 2021102840A JP 2021102840 A JP2021102840 A JP 2021102840A JP 7378442 B2 JP7378442 B2 JP 7378442B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater
heaters
divided
disconnected
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021102840A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021153203A (ja
Inventor
克之 小泉
健吾 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2021102840A priority Critical patent/JP7378442B2/ja
Publication of JP2021153203A publication Critical patent/JP2021153203A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7378442B2 publication Critical patent/JP7378442B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Description

本発明の種々の側面および実施形態は、温度制御装置、温度制御方法、および載置台に関する。
半導体の製造プロセスでは、被処理基板である半導体ウエハの温度が、半導体の特性を左右する重要な要素の一つである。そのため、製造プロセスでは、半導体ウエハの温度を高い精度で制御することが求められる。これを実現するため、例えば、半導体ウエハを載置する載置台を複数の領域に分割し、分割されたそれぞれの領域に独立制御が可能なヒータを設けることが考えられる。
また、製造プロセスでは、処理ガスの温度や圧力、高周波電力の分布、処理ガスの流れ等の要因により、半導体ウエハ上で局所的に温度分布の偏りが生じる場合がある。これを抑制するために、載置台の領域をより細かく分割し、それぞれの領域に埋め込まれたヒータにより、各領域の温度を独立に制御することが考えられる。
載置台の領域の分割数が多くなると、それぞれの領域の面積が小さくなり、それぞれの領域に埋め込まれるヒータのサイズも小さくなる。ヒータのサイズが小さくなると、所定の熱量を発生させるためにはヒータを細くすることになる。これにより、ヒータの断線リスクが高まる。載置台の領域は、数百以上の領域に分割される場合があり、その中の一部の領域内においてヒータが断線すると、載置台全体を交換することになり、半導体の製造コストが増加する。
これを回避するために、一部のヒータが断線した場合、その周辺のヒータの熱量を制御することにより、断線したヒータの周辺のヒータで、断線したヒータが発生させるべき熱量を補完する自動修正方法が知られている（例えば、下記特許文献１参照）。
特開２０１６－６８７５号公報
ところで、従来の自動修正方法では、断線したヒータが、断線していないヒータに隣接している場合には、断線したヒータが発生させるべき熱量を、周辺のヒータにより補完することが可能である。しかし、隣接する複数のヒータが断線した場合には、断線したヒータと断線していないヒータとが隣接していない場合がある。そのような場合には、断線したヒータが発生させるべき熱量を、周辺のヒータにより補完することが困難となる。
本発明の一側面は、温度制御装置であって、載置台と、複数のヒータと、制御部とを備える。載置台は、被処理基板を載置する。複数のヒータは、載置台の内部であって、載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に埋め込まれている。制御部は、分割領域毎に、分割領域に埋め込まれている複数のヒータに流れる電流の合計値に基づいて、分割領域毎に埋め込まれている一部のヒータの断線の有無を判定する。また、それぞれの分割領域に埋め込まれている複数のヒータは並列に接続されている。また、制御部は、それぞれの分割領域において、当該分割領域に埋め込まれている一部のヒータが断線していると判定した場合に、一部のヒータが断線している分割領域内に埋め込まれているヒータ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータも断線していない場合にヒータ１つ当たりに流す電流よりも多くなるように制御する。
本発明の種々の側面および実施形態によれば、ヒータが断線した場合でも被処理基板の温度制御の精度を高く維持することができる。
図１は、基板処理装置の一例を示す断面図である。 図２は、静電チャックの上面の一例を示す図である。 図３は、各分割領域に設けられたヒータの構造の一例を示す図である。 図４は、制御ボードの一例を示すブロック図である。 図５は、温度制御処理の一例を示すフローチャートである。 図６は、各分割領域に設けられたヒータの構造の他の例を示す図である。
開示する温度制御装置は、１つの実施形態において、載置台と、複数のヒータと、制御部とを備える。載置台は、被処理基板を載置する。複数のヒータは、載置台の内部であって、載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に埋め込まれている。制御部は、分割領域毎に、分割領域に埋め込まれている複数のヒータに流れる電流の合計値に基づいて、分割領域毎に埋め込まれている一部のヒータの断線の有無を判定する。また、それぞれの分割領域に埋め込まれている複数のヒータは並列に接続されている。また、制御部は、それぞれの分割領域において、当該分割領域に埋め込まれている一部のヒータが断線していると判定した場合に、一部のヒータが断線している分割領域内に埋め込まれているヒータ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータも断線していない場合にヒータ１つ当たりに流す電流よりも多くなるように制御する。
また、開示する温度制御装置の１つの実施形態において、それぞれの分割領域には、並列に接続されている２つのヒータが埋め込まれていてもよい。また、制御部は、分割領域毎に、分割領域に埋め込まれている２つのヒータに流れる電流の合計値が、いずれのヒータも断線していない場合に分割領域に埋め込まれている２つのヒータに流れる電流の合計値よりも小さい第１の閾値未満であり、かつ、第１の閾値よりも小さい第２の閾値以上である場合に、当該分割領域に埋め込まれている一部のヒータが断線していると判定してもよい。
また、開示する温度制御装置の１つの実施形態において、ヒータは、抵抗ヒータであってもよい。また、第１の閾値は、いずれのヒータも断線していない場合に分割領域に埋め込まれている２つのヒータに流れる電流の合計値の（１／２）倍の値に所定のマージンを加えた値であってもよく、第２の閾値は、０に所定のマージンを加えた値であってもよい。
また、開示する温度制御装置の１つの実施形態において、制御部は、それぞれの分割領域において、当該分割領域に埋め込まれている一部のヒータが断線していると判定した場合に、一部のヒータが断線している分割領域内に埋め込まれているヒータ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータも断線していない場合にヒータ１つ当たりに流す電流の√２倍となるように制御してもよい。
また、開示する温度制御装置の１つの実施形態において、載置台は、積層された複数の絶縁層を含んでいてもよく、分割領域に埋め込まれている複数のヒータのそれぞれは、複数の絶縁層の中の１つの絶縁層の異なる面に配置されていてもよい。
また、開示する温度制御装置の１つの実施形態において、載置台は、積層された複数の絶縁層を含んでいてもよく、分割領域に埋め込まれている複数のヒータのそれぞれは、複数の絶縁層の中の１つの絶縁層の同一の面に配置されていてもよい。
また、開示する温度制御方法は、１つの実施形態において、載置台の上に載置された被処理基板の温度を制御する温度制御方法であって、載置台の内部であって、載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に埋め込まれ、並列に接続されている複数のヒータに流れる電流の合計値を、分割領域毎に測定するステップと、分割領域毎の電流の合計値に基づいて、分割領域毎に埋め込まれている一部のヒータの断線の有無を判定するステップと、それぞれの分割領域において、当該分割領域に埋め込まれている一部のヒータが断線していると判定した場合に、一部のヒータが断線している分割領域内に埋め込まれているヒータ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータも断線していない場合にヒータ１つ当たりに流す電流よりも多くなるように制御するステップとを含む。
また、開示する載置台は、１つの実施形態において、被処理基板を載置する載置台であって、載置台の内部であって、載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に埋め込まれている複数のヒータを備え、それぞれの分割領域に埋め込まれている複数のヒータは並列に接続されている。
以下に、開示する温度制御装置、温度制御方法、および載置台の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示される温度制御装置、温度制御方法、および載置台が限定されるものではない。
［基板処理装置１００の構成］
図１は、基板処理装置１００の構成の一例を示す断面図である。基板処理装置１００は、例えば図１に示すように、気密に構成され、電気的に接地されたチャンバ１を有する。チャンバ１は、例えば表面が陽極酸化被膜で覆われたアルミニウム等により、略円筒状に形成されている。本実施例において、基板処理装置１００は、容量結合型の平行平板プラズマ処理装置である。
チャンバ１内には、例えばアルミニウム等の導電性の金属で形成された基材２ａが設けられている。基材２ａは、下部電極の機能を有する。基材２ａは、絶縁板３上に設けられた導体の支持台４に支持されている。また、基材２ａの上方の外周には、例えば単結晶シリコン等で形成されたフォーカスリング５が設けられている。さらに、基材２ａおよび支持台４の周囲には、基材２ａおよび支持台４を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。
基材２ａの上方には、基材２ａと略平行に対向するように、換言すれば、基材２ａ上に配置される半導体ウエハＷと対向するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６と基材２ａとは、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。基材２ａには、整合器１１ａを介して高周波電源１２ａが接続されている。また、基材２ａには、整合器１１ｂを介して高周波電源１２ｂが接続されている。
高周波電源１２ａは、例えばプラズマの発生に用いられる所定の周波数（例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力を基材２ａに供給する。また、高周波電源１２ｂは、例えばイオンの引き込み（バイアス）に用いられる所定の周波数の高周波電力であって、高周波電源１２ａよりも低い周波数（例えば、１３ＭＨｚ）の高周波電力を基材２ａに供給する。高周波電源１２ａおよび１２ｂのオンおよびオフの制御、ならびに、高周波電源１２ａおよび１２ｂによって供給される高周波の電力等は、後述する制御装置６０によって制御される。
基材２ａの上面には、被処理基板の一例である半導体ウエハＷを吸着保持すると共に、半導体ウエハＷの温度を制御するための静電チャック６が設けられている。静電チャック６は、多数積層された絶縁層６ｂと、絶縁層６ｂの間に設けられた電極６ａおよび複数のヒータ６ｃとを有する。電極６ａは、直流電源１３に接続されている。ヒータ６ｃは、後述する制御ボード２０に接続されている。電極６ａは、直流電源１３から印加された直流電圧によって静電チャック６の表面にクーロン力を発生させ、クーロン力により半導体ウエハＷを静電チャック６の上面に吸着保持する。直流電源１３のオンおよびオフは、後述する制御装置６０によって制御される。
また、静電チャック６は、ヒータ６ｃから発生する熱により、半導体ウエハＷを加熱する。静電チャック６の上面は、複数の領域である分割領域に分割されており、それぞれの分割領域に複数のヒータ６ｃが埋め込まれている。本実施例において、それぞれの分割領域に２個のヒータ６ｃが埋め込まれている。本実施例において、静電チャック６は、載置台の一例である。
基材２ａの内部には、ガルデン等の冷媒が流れる流路２ｂが形成されており、流路２ｂには、配管２ｃおよび２ｄを介してチラーユニット３３が接続されている。チラーユニット３３から供給された冷媒が流路２ｂ内を循環することによって、冷媒との熱交換により基材２ａが冷却される。チラーユニット３３によって供給される冷媒の温度および流量等は、後述する制御装置６０によって制御される。
また、基材２ａには、基材２ａを貫通するように、半導体ウエハＷの裏面側にヘリウムガス等の伝熱ガス（バックサイドガス）を供給するための配管３２が設けられている。配管３２は、伝熱ガス供給部３１に接続されている。伝熱ガス供給部３１から配管３２を通って半導体ウエハＷの裏面側に供給される伝熱ガスの流量等は、後述する制御装置６０によって制御される。
制御装置６０は、流路２ｂを流れる冷媒の温度と、静電チャック６内の各ヒータ６ｃに供給される電力と、半導体ウエハＷの裏面に供給される伝熱ガスの流量とを制御することにより、静電チャック６の上面に吸着保持された半導体ウエハＷの温度を、所定範囲内の温度に制御することができる。
シャワーヘッド１６は、チャンバ１の上部に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板をなす上部天板１６ｂとを備えており、絶縁性部材４５を介してチャンバ１の上部に支持されている。本体部１６ａは、例えば表面に陽極酸化処理が施されたアルミニウム等により形成され、その下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持する。上部天板１６ｂは、例えば石英等のシリコン含有物質で形成される。
本体部１６ａの内部には、ガス拡散室１６ｃが設けられている。本体部１６ａの底部には、ガス拡散室１６ｃの下部に位置するように、多数のガス流出口１６ｅが形成されている。上部天板１６ｂには、当該上部天板１６ｂを厚さ方向に貫通するように複数のガス導入口１６ｆが設けられており、それぞれのガス導入口１６ｆは、上記したガス流出口１６ｅに連通している。このような構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、それぞれのガス流出口１６ｅおよびガス導入口１６ｆを介してチャンバ１内にシャワー状に拡散されて供給される。なお、本体部１６ａ等には、図示しないヒータや、冷媒を循環させるための図示しない配管等の温度調整器が設けられており、半導体ウエハＷの処理中にシャワーヘッド１６を所望の範囲内の温度に制御できるようになっている。
本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃに処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。ガス導入口１６ｇには、配管１５ｂの一端が接続されており、配管１５ｂの他端には、弁Ｖおよびマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ａを介して、半導体ウエハＷの処理に用いられる処理ガスを供給する処理ガス供給源１５が接続されている。処理ガス供給源１５から供給された処理ガスは、配管１５ｂを介してガス拡散室１６ｃに供給され、それぞれのガス流出口１６ｅおよびガス導入口１６ｆを介してチャンバ１内にシャワー状に拡散されて供給される。弁ＶおよびＭＦＣ１５ａは、後述する制御装置６０により制御される。
シャワーヘッド１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）４０およびスイッチ４１を介して可変直流電源４２が電気的に接続されている。可変直流電源４２は、スイッチ４１により直流電圧の供給および遮断が可能となっている。可変直流電源４２からシャワーヘッド１６に供給される直流電圧の大きさや、スイッチ４１のオンおよびオフは、後述する制御装置６０によって制御される。例えば、高周波電源１２ａおよび１２ｂから高周波電力を基材２ａに供給してチャンバ１内の処理空間にプラズマを発生させる際には、必要に応じて制御装置６０によりスイッチ４１がオンとされ、上部電極として機能するシャワーヘッド１６に所定の大きさの直流電圧が印加される。
チャンバ１の底部には、排気口７１が形成されている。排気口７１には、排気管７２を介して排気装置７３が接続されている。排気装置７３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることによりチャンバ１内を所定の真空度まで減圧することができる。排気装置７３の排気流量等は、後述する制御装置６０により制御される。また、チャンバ１の側壁には、開口部７４が設けられており、開口部７４には、当該開口部７４を開閉するためのゲートバルブＧが設けられている。
チャンバ１の内壁には、内壁の面に沿って、デポシールド７６が、着脱自在に設けられている。また、内壁部材３ａの外周面には、内壁部材３ａを覆うようにデポシールド７７が設けられている。デポシールド７６および７７は、チャンバ１の内壁にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止する。静電チャック６上に吸着保持された半導体ウエハＷと略同じ高さのデポシールド７６の位置には、直流的にグランドに接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）７９が設けられている。導電性部材７９により、チャンバ１内の異常放電が抑制される。
また、チャンバ１の周囲には、同心円状にリング磁石９が配置されている。リング磁石９は、シャワーヘッド１６と基材２ａとの間の空間に磁場を形成する。リング磁石９は、図示しない回転機構により回転自在に保持されている。
制御装置６０は、プロセスコントローラ６１、ユーザインターフェース６２、および記憶部６３を有する。ユーザインターフェース６２は、基板処理装置１００のオペレータ等からの操作を受け付ける入力装置や、プロセスコントローラ６１による処理の結果やプロセスコントローラ６１からの通知を表示する表示装置等を含む。記憶部６３は、プロセスコントローラ６１によって実行されるプログラム、および、各処理の条件等を含むレシピ等を記憶する。プロセスコントローラ６１は、記憶部６３から読み出したプログラムを実行し、記憶部６３内に記憶されたレシピに基づいて基板処理装置１００の各部を制御することにより、基板処理装置１００によって所定の処理を実行する。
［静電チャック６］
図２は、静電チャック６の上面の一例を示す図である。静電チャック６の外周には、静電チャック６を囲むようにフォーカスリング５が設けられている。半導体ウエハＷが載置される静電チャック６の上面は複数の分割領域６ｄに分けられている。本実施例において、分割領域６ｄは、静電チャック６の上面が同心円状に複数の領域に分割され、さらに、中心の領域を除くそれぞれの同心円状の領域が周方向に複数の領域に分割されたそれぞれの領域である。なお、本実施例において、静電チャック６は、例えば図２に示すように、２７個の分割領域６ｄに分けられているが、分割領域６ｄの数はこれに限られず、静電チャック６は１００個以上の分割領域６ｄに分けられていてもよい。
本実施例において、それぞれの分割領域６ｄに対応する静電チャック６の内部には、ヒータ６ｃが２個ずつ埋め込まれている。それぞれの分割領域６ｄに埋め込まれたヒータ６ｃに供給される電力は、後述する制御ボード２０によってそれぞれ独立に制御される。
［分割領域内のヒータの構造］
図３は、各分割領域６ｄに設けられたヒータ６ｃの構造の一例を示す図である。図３（Ａ）は、各分割領域６ｄに設けられたヒータ６ｃの断面の一例を示す図である。図３（Ｂ）は、各分割領域６ｄに設けられたヒータ６ｃの一例を示す斜視図である。本実施例において、各分割領域６ｄには、例えば図３（Ａ）および（Ｂ）に示すように、２つのヒータ６ｃ－１および６ｃ－２が設けられている。各分割領域６ｄにおいて、ヒータ６ｃ－１は多数積層された絶縁層６ｂの中の１つの絶縁層６ｂの一方の面に、ヒータ６ｃ－２は当該絶縁層６ｂの他方の面に、例えば印刷等によりそれぞれ形成される。これにより、２つのヒータ６ｃ－１および６ｃ－２を短絡させることなく、２つのヒータ６ｃ－１および６ｃ－２を各分割領域６ｄに容易に形成することができる。各分割領域６ｄに設けられた２つのヒータ６ｃ－１および６ｃ－２は、例えば図３（Ｂ）に示すように並列に接続されており、配線２００を介して制御ボード２０に接続されている。
本実施例において、ヒータ６ｃ－１および６ｃ－２は、例えば抵抗ヒータである。なお、各分割領域６ｄにおいて、ヒータ６ｃ－１および６ｃ－２の抵抗値は、互いにほぼ等しいことが好ましい。また、他の例として、ヒータ６ｃ－１および６ｃ－２は、ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタ等の半導体ヒータや、ペルチェ素子等であってもよい。
［制御ボード２０の構成］
図４は、制御ボード２０の一例を示すブロック図である。制御ボード２０は、例えば図４に示すように、制御部２１および複数の制御ブロック２２－１～２２－ｎを有する。なお、以下では、複数の制御ブロック２２－１～２２－ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合に単に制御ブロック２２と記載する。制御ブロック２２は、静電チャック６内の１つの分割領域６ｄに対して１つ設けられている。それぞれの制御ブロック２２は、電圧制御部２３、スイッチ２４、電流制御部２５、および電流計２６を有する。静電チャック６と、各分割領域６ｄに埋め込まれているヒータ６ｃと、制御部２１とを備える基板処理装置１００は、温度制御装置の一例である。
電圧制御部２３は、制御部２１からの指示に応じて、所定電圧の電力を発生させ、スイッチ２４へ出力する。スイッチ２４は、制御部２１からの指示に応じて、電圧制御部２３から出力された電力を電流制御部２５または電流計２６へ出力する。電流制御部２５は、分割領域６ｄ内の各ヒータ６ｃに供給される電流の合計値を、制御部２１から指示された値に制御する。電流計２６は、制御部２１からの指示に応じて、電圧制御部２３から出力された電力に応じて、分割領域６ｄ内の各ヒータ６ｃに流れる電流の合計値を測定する。そして、電流計２６は、測定した電流の合計値の情報を制御部２１に通知する。
制御部２１は、基板処理装置１００による処理の開始前などの所定のタイミングで、分割領域６ｄ毎に、電圧制御部２３に所定電圧の電力を発生させ、電圧制御部２３からの電力を電流計２６へ出力するようにスイッチ２４を制御する。そして、制御部２１は、分割領域６ｄ内の各ヒータ６ｃに流れる電流の合計値を測定するように電流計２６を制御する。
ここで、静電チャック６内の各分割領域６ｄに設けられた２つのヒータ６ｃは並列に接続されている。そのため、各分割領域６ｄにおいて、いずれかのヒータ６ｃが断線した場合、分割領域６ｄに流れる電流の合計値は、いずれのヒータ６ｃも断線してない場合に分割領域６ｄに流れる電流の合計値よりも低くなる。本実施例において、各分割領域６ｄに設けられた２つのヒータ６ｃの抵抗値はほぼ等しい。そのため、各分割領域６ｄにおいて、いずれかのヒータ６ｃが断線した場合、分割領域６ｄに流れる電流の合計値は、いずれのヒータ６ｃも断線してない分割領域６ｄに流れる電流の合計値の約（１／２）倍以下の値となる。
制御部２１は、電流計２６によって測定された電流の合計値が第１の閾値以上か否かを判定する。本実施例において、第１の閾値は、例えば、各分割領域６ｄにおいていずれのヒータ６ｃも断線してない分割領域６ｄに流れる電流の合計値の（１／２）倍の値に所定のマージンを加えた値である。所定のマージンは、例えば、各ヒータ６ｃの抵抗値のばらつきや、電流計２６による電流の測定誤差等に基づいて予め決定された値である。第１の閾値は、各分割領域６ｄにおいていずれのヒータ６ｃも断線してない場合に分割領域６ｄに流れる電流の合計値の例えば（２／３）倍の値であってもよい。
電流計２６によって測定された電流の合計値が第１の閾値未満である場合、制御部２１は、電流計２６によって測定された電流の合計値が第２の閾値以上か否かを判定する。本実施例において、第２の閾値は、例えば０に所定のマージンを加えた値である。所定のマージンは、例えば電流計２６による電流の測定誤差等に基づいて予め決定された値である。第２の閾値は、各分割領域６ｄにおいていずれのヒータ６ｃも断線してない場合に分割領域６ｄに流れる電流の合計値の（１／３）倍の値であってもよい。
電流計２６によって測定された電流の合計値が第１の閾値未満であり、かつ、第２の閾値以上である場合、分割領域６ｄ内の一部のヒータ６ｃ、すなわち１つのヒータ６ｃが断線していると考えられる。そこで、制御部２１は、一部のヒータが断線している分割領域６ｄ内に埋め込まれているヒータ６ｃ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータ６ｃも断線していない場合にヒータ６ｃ１つ当たりに流す電流よりも多くなるように制御する。
具体的には、制御部２１は、分割領域６ｄに供給される電流の合計値を、いずれのヒータ６ｃも断線してない場合に分割領域６ｄに流れる電流の合計値の（１／√２）倍の値にするように電流制御部２５を制御する。これにより、一部のヒータ６ｃが断線している分割領域６ｄに埋め込まれているヒータ６ｃ１つ当たりに流れる電流が、いずれのヒータ６ｃも断線していない場合にヒータ６ｃ１つ当たりに流れる電流の√２倍となる。
これにより、一部のヒータ６ｃが断線している分割領域６ｄにおいて、断線してないヒータ６ｃに供給される電力を、いずれのヒータ６ｃも断線していない場合に分割領域６ｄに供給される電力とほぼ等しくすることができる。そのため、一部のヒータ６ｃが断線している分割領域６ｄにおいて、断線してないヒータ６ｃによって発生する熱量を、いずれのヒータ６ｃも断線していない分割領域６ｄ内のヒータ６ｃによって発生する熱量とほぼ等しくすることができる。これにより、各分割領域６ｄにおいて、一部のヒータ６ｃが断線した場合であっても、分割領域６ｄ内の断線していないヒータ６ｃによって、断線したヒータ６ｃの熱量を補完することができる。従って、ヒータ６ｃが断線した場合であっても半導体ウエハＷの温度制御の精度を高く維持することが可能となる。
全ての分割領域６ｄについて、電流計２６による電流の合計値の測定が終了した場合、制御部２１は、電圧制御部２３からの電力を電流制御部２５へ出力するように、各制御ブロック２２内のスイッチ２４を制御する。これにより、各分割領域６ｄ内のヒータ６ｃには、対応する制御ブロック２２内の電流制御部２５によって制御された電流が供給される。そして、基板処理装置１００により、記憶部６３内のレシピに従った処理が実行される。
一方、電流計２６によって測定された電流の合計値が第２の閾値未満となる分割領域６ｄがある場合、当該分割領域６ｄ内の全てのヒータ６ｃが断線していると考えられる。この場合、制御部２１は、全てのヒータ６ｃが断線している分割領域６ｄの情報を制御装置６０に通知する。制御装置６０は、全てのヒータ６ｃが断線している分割領域６ｄの情報を、ユーザインターフェース６２を介して基板処理装置１００のオペレータ等に通知する。
［温度制御処理］
図５は、温度制御処理の一例を示すフローチャートである。制御ボード２０は、例えば、基板処理装置１００の設置時や基板処理装置１００による処理の開始前などの所定のタイミングで、図５のフローチャートに示す処理を実行する。
まず、制御部２１は、複数の分割領域６ｄの中で、未選択の分割領域６ｄを１つ選択する（Ｓ１００）。そして、制御部２１は、ステップＳ１００で選択した分割領域６ｄに対応する制御ブロック２２において、電圧制御部２３に所定電圧の電力を発生させ、電圧制御部２３からの電力を電流計２６へ出力するようにスイッチ２４を制御する。これにより、ステップＳ１００で選択された分割領域６ｄ内のヒータ６ｃには、電流計２６を介して所定の電圧が印加される（Ｓ１０１）。
次に、電流計２６は、分割領域６ｄ内のヒータ６ｃに流れる電流の合計値を測定する（Ｓ１０２）。そして、電流計２６は、測定した電流の合計値を示す情報を制御部２１に通知する。制御部２１は、電流計２６から通知された情報で示される電流の合計値が第１の閾値以上か否かを判定する（Ｓ１０３）。
電流の合計値が第１の閾値以上である場合（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、制御部２１は、ステップＳ１０７に示す処理を実行する。一方、電流の合計値が第１の閾値未満である場合（Ｓ１０３：Ｎｏ）、制御部２１は、電流の合計値が第２の閾値未満か否かを判定する（Ｓ１０４）。電流の合計値が第２の閾値未満である場合（Ｓ１０４：Ｙｅｓ）、制御部２１は、第１の断線状態を示す情報を、ステップＳ１００で選択した分割領域６ｄに対応付けて記憶する（Ｓ１０５）。そして、制御部２１は、ステップＳ１０７に示す処理を実行する。第１の断線状態とは、分割領域６ｄに含まれる全てのヒータ６ｃが断線している状態である。
一方、電流の合計値が第２の閾値以上である場合（Ｓ１０４：Ｎｏ）、制御部２１は、第２の断線状態を示す情報を、ステップＳ１００で選択した分割領域６ｄに対応付けて記憶する（Ｓ１０６）。第２の断線状態とは、分割領域６ｄに含まれる一部のヒータ６ｃが断線している状態である。
次に、制御部２１は、全ての分割領域６ｄを選択したか否かを判定する（Ｓ１０７）。未選択の分割領域６ｄがある場合（Ｓ１０７：Ｎｏ）、制御部２１は、再びステップＳ１００に示した処理を実行する。
一方、全ての分割領域６ｄを選択した場合（Ｓ１０７：Ｙｅｓ）、制御部２１は、第１の断線状態の分割領域６ｄが存在するか否かを判定する（Ｓ１０８）。第１の断線状態の分割領域６ｄが存在する場合（Ｓ１０８：Ｙｅｓ）、制御部２１は、第１の断線状態の分割領域６ｄを示す情報を、アラームとして制御装置６０に通知する（Ｓ１１０）。制御装置６０のプロセスコントローラ６１は、第１の断線状態の分割領域６ｄを示す情報を、ユーザインターフェース６２を介して基板処理装置１００のオペレータ等にアラームとして通知する。そして、制御ボード２０は、本フローチャートに示した動作を終了する。
一方、第１の断線状態の分割領域６ｄが存在しない場合（Ｓ１０８：Ｎｏ）、制御部２１は、第２の断線状態の分割領域６ｄに供給される電流の値が所定の値となるように電流制御部２５を制御し（Ｓ１０９）、制御ボード２０は、本フローチャートに示した動作を終了する。具体的には、制御部２１は、第２の断線状態の分割領域６ｄ内に埋め込まれているヒータ６ｃ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータ６ｃも断線していない場合にヒータ６ｃ１つ当たりに流す電流よりも多くなるように電流制御部２５を制御する。例えば、制御部２１は、第２の断線状態の分割領域６ｄに供給される電流が、いずれのヒータ６ｃも断線状態にない場合に分割領域６ｄに供給される電流の合計値の例えば（１／√２）倍となるように、電流制御部２５を制御する。これにより、第２の断線状態にある分割領域６ｄ内で断線していないヒータ６ｃには、いずれのヒータ６ｃも断線状態にない場合にヒータ６ｃ１つ当たりに流れる電流の√２倍の電流が流れることになる。
ここで、いずれのヒータ６ｃも断線状態にない分割領域６ｄに電流Ｉが供給された場合、当該分割領域６ｄに含まれる２つのヒータ６ｃにはそれぞれ電流Ｉの（１／２）倍の電流が流れる。そのため、それぞれのヒータ６ｃの抵抗値をＲとすると、それぞれのヒータ６ｃに供給される電力は、Ｒ・（Ｉ／２）2となり、分割領域６ｄ全体では、（ＲＩ2／２）の電力に応じた熱量が発生する。
一方、第２の断線状態にある分割領域６ｄには、いずれのヒータ６ｃも断線状態にない場合に分割領域６ｄに供給される電流Ｉの（１／√２）倍の電流が供給される。そのため、第２の断線状態にある分割領域６ｄ内で断線していないヒータ６ｃには（Ｉ／√２）の電流が流れる。そのため、第２の断線状態にある分割領域６ｄ全体では、いずれのヒータ６ｃも断線状態にない分割領域６ｄ内のヒータ６ｃによって発生する熱量とほぼ同じ（ＲＩ2／２）の電力に応じた熱量が発生する。このように、各分割領域６ｄにおいて、一部のヒータ６ｃが断線した場合であっても、分割領域６ｄ内で断線していないヒータ６ｃにより、断線したヒータ６ｃの熱量を補完することができる。
以上、基板処理装置１００の実施例について説明した。上記説明から明らかなように、本実施例の基板処理装置１００によれば、ヒータ６ｃが断線した場合でも半導体ウエハＷの温度制御の精度を高く維持することができる。
＜その他＞
なお、本発明は、上記した実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
例えば、上記した実施例において、各分割領域６ｄに設けられた複数のヒータ６ｃは、１つの絶縁層６ｂにおける異なる面に形成されるが、開示の技術はこれに限られない。各分割領域６ｄに設けられた複数のヒータ６ｃは、例えば図６に示すように、１つの絶縁層６ｂにおける同一の面に形成されていてもよい。図６は、各分割領域６ｄに設けられたヒータ６ｃの構造の他の例を示す図である。図６（Ａ）は、各分割領域６ｄに設けられたヒータ６ｃの断面の一例を示す図である。図６（Ｂ）は、各分割領域６ｄに設けられたヒータ６ｃの一例を示す斜視図である。
２つのヒータ６ｃ－１および６ｃ－２が、図６に示すように絶縁層６ｂの同一の面に形成されることにより、各ヒータ６ｃから半導体ウエハＷまでの距離をほぼ等しくすることができる。これにより、各分割領域６ｄにおいて、一方のヒータ６ｃのみを発熱させた場合と、他方のヒータ６ｃのみを発熱させた場合とで、半導体ウエハＷに与える熱量の差を小さくすることができる。これにより、一部のヒータ６ｃが断線した場合でも半導体ウエハＷの温度制御の精度を高く維持することができる。
また、上記した実施例では、各分割領域６ｄに並列に接続された２つのヒータ６ｃが設けられたが、他の例として、各分割領域６ｄには並列に接続された３つ以上のヒータ６ｃが設けられていてもよい。
また、上記した実施例では、多数積層された絶縁層６ｂの中の１つの絶縁層６ｂに複数のヒータ６ｃが設けられたが、開示の技術はこれに限られない。例えば、絶縁性のフィルムの同一の面または異なる面に並列に接続された複数のヒータ６ｃが形成され、ヒータ６ｃが形成されたフィルムが静電チャック６の下面に貼り付けられてもよい。
また、上記した実施例では、容量結合型の平行平板プラズマ処理装置の一例である基板処理装置１００を用いて説明したが、開示の技術は、これに限られない。半導体ウエハＷを処理する装置であって、処理において半導体ウエハＷの温度を制御する装置であれば、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）方式やマイクロ波方式等のプラズマを用いた処理装置についても、上記した実施例に開示された技術を適用することができる。また、プラズマを用いない熱処理等を行う装置においても、上記した実施例に開示された技術を適用することが可能である。
Ｇ ゲートバルブ
Ｖ 弁
Ｗ 半導体ウエハ
１００ 基板処理装置
１ チャンバ
２ａ 基材
２ｂ 流路
２ｃ 配管
２ｄ 配管
３ 絶縁板
３ａ 内壁部材
４ 支持台
５ フォーカスリング
６ 静電チャック
６ａ 電極
６ｂ 絶縁層
６ｃ ヒータ
６ｄ 分割領域
９ リング磁石
１１ａ、１１ｂ 整合器
１２ａ、１２ｂ 高周波電源
１３ 直流電源
１５ 処理ガス供給源
１５ａ ＭＦＣ
１５ｂ 配管
１６ シャワーヘッド
１６ａ 本体部
１６ｂ 上部天板
１６ｃ ガス拡散室
１６ｅ ガス流出口
１６ｆ ガス導入口
１６ｇ ガス導入口
２０ 制御ボード
２００ 配線
２１ 制御部
２２ 制御ブロック
２３ 電圧制御部
２４ スイッチ
２５ 電流制御部
２６ 電流計
３１ 伝熱ガス供給部
３２ 配管
３３ チラーユニット
４０ ＬＰＦ
４１ スイッチ
４２ 可変直流電源
４５ 絶縁性部材
６０ 制御装置
６１ プロセスコントローラ
６２ ユーザインターフェース
６３ 記憶部
７１ 排気口
７２ 排気管
７３ 排気装置
７４ 開口部
７６ デポシールド
７７ デポシールド
７９ 導電性部材

Claims (39)

  1. 基材と、
    前記基材上に配置され、複数の分割領域を有する静電チャックと、
    前記複数の分割領域にそれぞれ対応する複数の制御ブロックと
    を備え、
    前記静電チャックは、第１の面と前記第１の面の反対側にある第２の面とを有する絶縁層を含み、
    前記複数の分割領域の各々は、
    前記絶縁層の前記第１の面に配置される第１のヒータと、
    前記絶縁層の前記第１の面又は前記第２の面に配置され、前記第１のヒータと並列に接続される第２のヒータと、
    を含み、
    前記複数の制御ブロックの各々は、
    対応する分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに接続される電流計と、
    前記電流計からの出力に基づいて、対応する分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに供給される電流を制御するように構成される電流制御部と、
    を含み、
    前記第１のヒータ及び前記第２のヒータが断線していない場合、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに電流が流れ、
    前記電流計は、並列に接続された前記第１のヒータおよび前記第２のヒータと、前記電流制御部とを接続する配線に接続されている、温度制御装置。
  2. 前記第２のヒータは、前記絶縁層の前記第２の面に配置される、請求項１に記載の温度制御装置。
  3. 前記電流制御部は、
    対応する分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに供給される電流の合計値が第１の閾値未満である場合に、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに供給される電流を増大させる、請求項１または２に記載の温度制御装置。
  4. 前記第１の閾値は、前記分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータのいずれも断線していない場合に、当該分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに流れる電流の合計値の（１／２）倍の値に所定のマージンを加えた値である、請求項３に記載の温度制御装置。
  5. 基材と、
    前記基材上に配置され、複数の分割領域を有する静電チャックと、
    前記複数の分割領域にそれぞれ対応する複数の制御ブロックと
    を備え、
    前記静電チャックは、第１の面と前記第１の面の反対側にある第２の面とを有する絶縁層を含み、
    前記複数の分割領域の各々は、
    前記絶縁層の前記第１の面に配置される第１のヒータと、
    前記絶縁層の前記第１の面又は前記第２の面に配置され、前記第１のヒータと並列に接続される第２のヒータと、
    を含み、
    前記複数の制御ブロックの各々は、
    対応する分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに接続される電流計と、
    前記電流計からの出力に基づいて、対応する分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに供給される電流を制御するように構成される電流制御部と、
    を含み、
    前記第１のヒータ及び前記第２のヒータが断線していない場合、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに電流が流れ、
    前記複数の分割領域のうちの第１の分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータのいずれかのヒータが断線していると判定した場合に、前記第１の分割領域に含まれるヒータ１つ当たりに流す電流を、前記複数の分割領域のうちの、いずれのヒータも断線していない第２の分割領域に含まれるヒータ１つ当たりに流す電流よりも多くなるように前記電流制御部を制御するように構成される第１制御部をさらに備える、温度制御装置。
  6. 基材と、
    前記基材上に配置され、複数の分割領域を有する静電チャックと、
    前記複数の分割領域にそれぞれ対応する複数の制御ブロックと
    を備え、
    前記静電チャックは、第１の面と前記第１の面の反対側にある第２の面とを有する絶縁層を含み、
    前記複数の分割領域の各々は、
    前記絶縁層の前記第１の面に配置される第１のヒータと、
    前記絶縁層の前記第１の面又は前記第２の面に配置され、前記第１のヒータと並列に接続される第２のヒータと、
    を含み、
    前記複数の制御ブロックの各々は、
    対応する分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに接続される電流計と、
    前記電流計からの出力に基づいて、対応する分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに供給される電流を制御するように構成される電流制御部と、
    を含み、
    前記第１のヒータ及び前記第２のヒータが断線していない場合、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに電流が流れ、
    前記複数の分割領域毎に、前記分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに流れる電流の合計値が、いずれのヒータも断線していない場合に前記分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに流れる電流の合計値よりも小さい第１の閾値未満であり、かつ、前記第１の閾値よりも小さい第２の閾値以上である場合に、当該分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータのいずれかが断線していると判定するように構成される第１制御部をさらに備える、温度制御装置。
  7. 前記第１の閾値は、前記分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータのいずれも断線していない場合に、当該分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに流れる電流の合計値の（１／２）倍の値に所定のマージンを加えた値であり、前記第２の閾値は、０に所定のマージンを加えた値である、請求項６に記載の温度制御装置。
  8. 前記第２のヒータは、前記絶縁層の前記第２の面に配置される、請求項５から７のいずれか一項に記載の温度制御装置。
  9. 前記第１制御部は、
    前記複数の分割領域において、当該分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータのいずれかのヒータが断線していると判定した場合に、いずれかのヒータが断線している分割領域内に含まれるヒータ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータも断線していない場合にヒータ１つ当たりに流す電流の√２倍となるように制御する、請求項５から８のいずれか一項に記載の温度制御装置。
  10. 前記電流制御部は、
    前記分割領域内の前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに供給される電流の合計値を前記第１制御部から指示された値となるように制御し、
    前記複数の制御ブロックは、
    所定の電圧を有する電力を生成して出力するように構成された電圧制御部と、
    前記電圧制御部から出力される前記電力に応じて前記分割領域内の前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに流れる前記電流の前記合計値を測定し、電流の前記合計値に関する情報を前記第１制御部に通知する電流計と、
    前記電圧制御部から出力される前記電力を、前記電流制御部は前記電流計に出力するように構成されたスイッチをさらに含む、請求項５から９のいずれか一項に記載の温度制御装置。
  11. 前記第１制御部は、
    前記所定の電圧を有する電力を生成するように前記電圧制御部を制御し、
    所定のタイミングで前記複数の分割領域のそれぞれに対して、前記電圧制御部から前記電流計に前記電力を出力するように前記スイッチを制御し、
    前記分割領域内の前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに流れる前記電流の前記合計値を測定するように前記電流計を制御し、
    前記電流計による前記電流の前記合計値の測定が前記複数の分割領域に対して完了したとき、前記電圧制御部から前記電流制御部に前記電力を出力するように前記複数の制御ブロックのそれぞれの前記スイッチを制御する、請求項１０に記載の温度制御装置。
  12. 前記第１制御部は、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータが断線しているという判定に応じて、外部装置に通知するように構成された、請求項５から１１のいずれか一項に記載の温度制御装置。
  13. 前記第１のヒータ及び前記第２のヒータは、抵抗ヒータである請求項１から１２のいずれか一項に記載の温度制御装置。
  14. 前記第１のヒータ及び前記第２のヒータは、半導体ヒータである請求項１から１２のいずれか一項に記載の温度制御装置。
  15. 前記第１のヒータ及び前記第２のヒータは、ペルチェ素子である請求項１から１２のいずれか一項に記載の温度制御装置。
  16. 前記電流制御部は、
    対応する分割領域に含まれる前記第１のヒータ及び前記第２のヒータに対し、電流を独立的に制御する、請求項１から１５のいずれか一項に記載の温度制御装置。
  17. 前記複数の分割領域において、前記第１のヒータ及び前記第２のヒータの抵抗値は互いに略同一である、請求項１から１６のいずれか一項に記載の温度制御装置。
  18. 前記複数の制御ブロックは、少なくとも１つの制御ボード上に提供される、請求項１から１７のいずれか一項に記載の温度制御装置。
  19. 被処理基板を載置する載置台と、
    前記載置台の内部であって、前記載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に複数含まれるヒータと、
    前記ヒータを制御する制御部と
    を備え、
    それぞれの前記分割領域に含まれる複数のヒータは、並列接続され、
    複数の前記ヒータが断線していない場合、複数の前記ヒータに電流が流れ、
    前記制御部は、
    それぞれの前記分割領域において、当該分割領域に含まれる一部のヒータが断線していると判定した場合に、一部のヒータが断線している分割領域内に含まれる断線しているヒータとは別のヒータ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータも断線していない場合にヒータ１つ当たりに流す電流よりも多くなるように制御し、
    前記制御部は、並列に接続された複数の前記ヒータと、前記制御部とを接続する配線に接続されている電流計からの出力に基づいて、複数の前記ヒータに供給される電流を制御するように構成される、温度制御装置。
  20. 前記載置台は、積層された複数の絶縁層を含み、
    前記分割領域に含まれる複数のヒータのそれぞれは、前記複数の絶縁層の中の１つの絶縁層の異なる面に配置されている、請求項１９に記載の温度制御装置。
  21. 被処理基板を載置する載置台と、
    前記載置台の内部であって、前記載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に複数含まれるヒータと、
    前記ヒータを制御する制御部と
    を備え、
    それぞれの前記分割領域に含まれる複数のヒータは、並列接続され、
    複数の前記ヒータが断線していない場合、複数の前記ヒータに電流が流れ、
    前記制御部は、
    それぞれの前記分割領域において、当該分割領域に含まれる一部のヒータが断線していると判定した場合に、一部のヒータが断線している分割領域内に含まれる断線しているヒータとは別のヒータ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータも断線していない場合にヒータ１つ当たりに流す電流よりも多くなるように制御し、
    それぞれの前記分割領域には、並列に接続されている２つのヒータが埋め込まれており、
    前記制御部は、
    前記分割領域毎に、前記分割領域に埋め込まれている２つのヒータに流れる電流の合計値が、いずれのヒータも断線していない場合に前記分割領域に埋め込まれている２つのヒータに流れる電流の合計値よりも小さい第１の閾値未満であり、かつ、前記第１の閾値よりも小さい第２の閾値以上である場合に、当該分割領域に埋め込まれている一部のヒータが断線していると判定する、温度制御装置。
  22. 前記載置台は、積層された複数の絶縁層を含み、
    前記分割領域に含まれる複数のヒータのそれぞれは、前記複数の絶縁層の中の１つの絶縁層の異なる面に配置されている、請求項２１に記載の温度制御装置。
  23. 前記ヒータは、抵抗ヒータであり、
    前記第１の閾値は、いずれのヒータも断線していない場合に前記分割領域に埋め込まれている２つのヒータに流れる電流の合計値の（１／２）倍の値に所定のマージンを加えた値であり、
    前記第２の閾値は、０に所定のマージンを加えた値である、請求項２１または２２に記載の温度制御装置。
  24. 前記制御部は、
    それぞれの前記分割領域において、当該分割領域に埋め込まれている一部のヒータが断線していると判定した場合に、一部のヒータが断線している分割領域内に埋め込まれているヒータ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータも断線していない場合にヒータ１つ当たりに流す電流の√２倍となるように制御する、請求項２３に記載の温度制御装置。
  25. 制御部によって実行され、載置台の上に載置された被処理基板の温度を制御する温度制御方法であって、
    前記載置台の内部であって、前記載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に含まれ、並列に接続されている複数のヒータに流れる電流を、前記分割領域毎に測定するステップと、
    前記分割領域毎の電流の測定値に基づいて、前記分割領域毎に含まれている一部のヒータの断線の有無を判定するステップと、
    それぞれの前記分割領域において、当該分割領域に含まれている一部のヒータが断線していると判定した場合に、並列に接続された複数の前記ヒータと、前記制御部とを接続する配線に接続されている電流計からの出力に基づいて、一部のヒータが断線している分割領域内に含まれているヒータ１つ当たりに流す電流を、いずれのヒータも断線していない場合にヒータ１つ当たりに流す電流よりも多くなるように制御するステップと
    を含み、
    複数の前記ヒータが断線していない場合、複数の前記ヒータに電流が流れる、温度制御方法。
  26. 前記載置台は、積層された複数の絶縁層を含み、
    前記分割領域に含まれる複数のヒータのそれぞれは、前記複数の絶縁層の中の１つの絶縁層の異なる面に配置されている、請求項２５に記載の温度制御方法。
  27. 被処理基板を載置する載置台であって、
    前記載置台の内部であって、前記載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に含まれる複数のヒータを備え、
    それぞれの前記分割領域に含まれる複数のヒータは並列に接続されており、
    複数の前記ヒータが断線していない場合、複数の前記ヒータに電流が流れ、
    前記分割領域に含まれる複数の前記ヒータに供給される電流に基づいて、当該分割領域に含まれる前記ヒータに供給される電流が制御され、
    複数の前記ヒータに供給される電流は制御部によって制御され、
    前記制御部は、並列に接続された複数の前記ヒータと、前記制御部とを接続する配線に接続されてい電流計からの出力に基づいて、複数の前記ヒータに供給される電流を制御する、載置台。
  28. 前記載置台は、積層された複数の絶縁層を含み、
    前記分割領域に含まれる複数のヒータのそれぞれは、前記複数の絶縁層の中の１つの絶縁層の異なる面に配置されている、請求項２７に記載の載置台。
  29. 前記分割領域に含まれる複数の前記ヒータに供給される電流の合計値が第１の閾値未満である場合に、複数の前記ヒータに供給される電流を増大させる、請求項２７または２８に記載の載置台。
  30. 前記第１の閾値は、前記分割領域に含まれる複数の前記ヒータのいずれも断線していない場合に、当該分割領域に含まれる複数の前記ヒータに流れる電流の合計値の（１／２）倍の値に所定のマージンを加えた値である、請求項２９に記載の載置台。
  31. 被処理基板を載置する載置台であって、
    前記載置台の内部であって、前記載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に含まれる複数のヒータを備え、
    それぞれの前記分割領域に含まれる複数のヒータは並列に接続されており、
    複数の前記ヒータが断線していない場合、複数の前記ヒータに電流が流れ、
    前記分割領域に含まれる複数の前記ヒータに供給される電流に基づいて、当該分割領域に含まれる前記ヒータに供給される電流が制御され、
    複数の前記分割領域のうちの第１の分割領域に含まれる複数の前記ヒータのいずれかのヒータが断線している場合に、前記第１の分割領域に含まれるヒータ１つ当たりに流す電流が、複数の前記分割領域のうちの、いずれのヒータも断線していない第２の分割領域に含まれるヒータ１つ当たりに流す電流よりも多くなるように制御される、載置台。
  32. 被処理基板を載置する載置台であって、
    前記載置台の内部であって、前記載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に含まれる複数のヒータを備え、
    それぞれの前記分割領域に含まれる複数のヒータは並列に接続されており、
    複数の前記ヒータが断線していない場合、複数の前記ヒータに電流が流れ、
    前記分割領域に含まれる複数の前記ヒータに供給される電流に基づいて、当該分割領域に含まれる前記ヒータに供給される電流が制御され、
    複数の前記分割領域毎に、前記分割領域に含まれる複数の前記ヒータに流れる電流の合計値が、いずれのヒータも断線していない場合に前記分割領域に含まれる複数の前記ヒータに流れる電流の合計値よりも小さい第１の閾値未満であり、かつ、前記第１の閾値よりも小さい第２の閾値以上である場合に、当該分割領域に含まれる複数の前記ヒータのいずれかが断線していると判定される、載置台。
  33. 前記第１の閾値は、前記分割領域に含まれる複数の前記ヒータのいずれも断線していない場合に、当該分割領域に含まれる複数の前記ヒータに流れる電流の合計値の（１／２）倍の値に所定のマージンを加えた値であり、前記第２の閾値は、０に所定のマージンを加えた値である、請求項３２に記載の載置台。
  34. 前記載置台は、積層された複数の絶縁層を含み、
    前記分割領域に含まれる複数のヒータのそれぞれは、前記複数の絶縁層の中の１つの絶縁層の異なる面に配置されている、請求項３１から３３のいずれか一項に記載の載置台。
  35. 複数の前記分割領域に含まれる複数の前記ヒータのいずれかのヒータが断線している場合に、当該分割領域内に含まれるヒータ１つ当たりに流す電流が、いずれのヒータも断線していない場合にヒータ１つ当たりに流す電流の√２倍となるように制御される、請求項３１から３４のいずれか一項に記載の載置台。
  36. 複数の前記ヒータは、抵抗ヒータである請求項２７から３５のいずれか一項に記載の載置台。
  37. 複数の前記ヒータは、半導体ヒータである請求項２７から３５のいずれか一項に記載の載置台。
  38. 複数の前記ヒータは、ペルチェ素子である請求項２７から３５のいずれか一項に記載の載置台。
  39. 複数の前記分割領域において、複数の前記ヒータの抵抗値は互いに略同一である、請求項２７から３８のいずれか一項に記載の載置台。
JP2021102840A 2016-10-11 2021-06-22 温度制御装置、温度制御方法、および載置台 Active JP7378442B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021102840A JP7378442B2 (ja) 2016-10-11 2021-06-22 温度制御装置、温度制御方法、および載置台

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016199843A JP2018063974A (ja) 2016-10-11 2016-10-11 温度制御装置、温度制御方法、および載置台
JP2021102840A JP7378442B2 (ja) 2016-10-11 2021-06-22 温度制御装置、温度制御方法、および載置台

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016199843A Division JP2018063974A (ja) 2016-10-11 2016-10-11 温度制御装置、温度制御方法、および載置台

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021153203A JP2021153203A (ja) 2021-09-30
JP7378442B2 true JP7378442B2 (ja) 2023-11-13

Family

ID=61829079

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016199843A Pending JP2018063974A (ja) 2016-10-11 2016-10-11 温度制御装置、温度制御方法、および載置台
JP2021102840A Active JP7378442B2 (ja) 2016-10-11 2021-06-22 温度制御装置、温度制御方法、および載置台

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016199843A Pending JP2018063974A (ja) 2016-10-11 2016-10-11 温度制御装置、温度制御方法、および載置台

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10923369B2 (ja)
JP (2) JP2018063974A (ja)
KR (2) KR102435773B1 (ja)
CN (2) CN107919301B (ja)
TW (2) TWI746656B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018063974A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および載置台
JP6971199B2 (ja) * 2018-05-31 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN111326388B (zh) * 2018-12-17 2023-02-28 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种用于基片支撑的加热装置以及等离子体处理器
CN111385917B (zh) * 2018-12-29 2022-07-15 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种用于组装esc的多平面多路可调节温度的加热器
JP7244348B2 (ja) 2019-05-13 2023-03-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム
KR102280033B1 (ko) * 2019-05-29 2021-07-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005197161A (ja) 2004-01-09 2005-07-21 Ngk Insulators Ltd ヒーター
JP2014525664A (ja) 2011-08-30 2014-09-29 ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー サーマルアレイシステム
JP2016001638A (ja) 2014-06-11 2016-01-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の運用方法、及び給電装置
JP2016006875A (ja) 2014-06-17 2016-01-14 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 半導体基板支持アセンブリの温度制御板における動作不良熱制御素子の自動修正
JP2016100473A (ja) 2014-11-21 2016-05-30 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
JP2016165006A (ja) 2010-10-22 2016-09-08 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 多重加熱器アレイのための故障検出の方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5566977A (en) * 1978-11-13 1980-05-20 Seiko Epson Corp Quick-drying ink for ink-jet recording
US4825199A (en) * 1986-10-22 1989-04-25 Antilozi John E Circuit underloading monitoring system
US5591269A (en) * 1993-06-24 1997-01-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
JP2975927B1 (ja) * 1998-06-10 1999-11-10 助川電気工業株式会社 板体加熱装置
JP4151749B2 (ja) * 1998-07-16 2008-09-17 東京エレクトロンＡｔ株式会社 プラズマ処理装置およびその方法
JP3323135B2 (ja) * 1998-08-31 2002-09-09 京セラ株式会社 静電チャック
US6008549A (en) * 1999-03-19 1999-12-28 Eldec Corporation Solid-state high voltage switch and switching power supply
US6617553B2 (en) * 1999-05-19 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US20050211385A1 (en) * 2001-04-30 2005-09-29 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US7713431B2 (en) * 2004-06-10 2010-05-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing method
TWI281833B (en) * 2004-10-28 2007-05-21 Kyocera Corp Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater
JP4891139B2 (ja) * 2007-04-20 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度設定方法、熱処理板の温度設定装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
TWI459851B (zh) * 2007-09-10 2014-11-01 Ngk Insulators Ltd heating equipment
JP5142914B2 (ja) * 2008-09-25 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
US8637794B2 (en) * 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
JP5496630B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
JP5915026B2 (ja) * 2011-08-26 2016-05-11 住友大阪セメント株式会社 温度測定用板状体及びそれを備えた温度測定装置
US9089007B2 (en) * 2012-04-27 2015-07-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate support with multi-zone heating
KR101374752B1 (ko) * 2012-12-21 2014-03-17 주식회사 나래나노텍 기판 온도 측정 및 제어 시스템을 구비한 기판 열처리 챔버, 장치 및 방법
US9681497B2 (en) * 2013-03-12 2017-06-13 Applied Materials, Inc. Multi zone heating and cooling ESC for plasma process chamber
US10236194B2 (en) * 2013-04-30 2019-03-19 Semes Co., Ltd. Supporting unit and substrate treatment apparatus
JP6100672B2 (ja) * 2013-10-25 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置
JP6335341B2 (ja) * 2014-07-23 2018-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 可変型温度制御式基板支持アセンブリ
JP6463938B2 (ja) * 2014-10-08 2019-02-06 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
JP6172301B2 (ja) * 2014-11-20 2017-08-02 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US10237916B2 (en) * 2015-09-30 2019-03-19 Tokyo Electron Limited Systems and methods for ESC temperature control
US10690414B2 (en) * 2015-12-11 2020-06-23 Lam Research Corporation Multi-plane heater for semiconductor substrate support
JP2018063974A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および載置台

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005197161A (ja) 2004-01-09 2005-07-21 Ngk Insulators Ltd ヒーター
JP2016165006A (ja) 2010-10-22 2016-09-08 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 多重加熱器アレイのための故障検出の方法
JP2014525664A (ja) 2011-08-30 2014-09-29 ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー サーマルアレイシステム
JP2016001638A (ja) 2014-06-11 2016-01-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の運用方法、及び給電装置
JP2016006875A (ja) 2014-06-17 2016-01-14 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 半導体基板支持アセンブリの温度制御板における動作不良熱制御素子の自動修正
JP2016100473A (ja) 2014-11-21 2016-05-30 日本特殊陶業株式会社 静電チャック

Also Published As

Publication number Publication date
KR102435773B1 (ko) 2022-08-23
CN107919301B (zh) 2022-05-17
TW202205371A (zh) 2022-02-01
CN115050670A (zh) 2022-09-13
TWI746656B (zh) 2021-11-21
US20210134629A1 (en) 2021-05-06
US20180102267A1 (en) 2018-04-12
KR102626163B1 (ko) 2024-01-16
KR20220120534A (ko) 2022-08-30
KR20180040108A (ko) 2018-04-19
US10923369B2 (en) 2021-02-16
JP2018063974A (ja) 2018-04-19
US11837480B2 (en) 2023-12-05
TW201826330A (zh) 2018-07-16
TWI772200B (zh) 2022-07-21
CN107919301A (zh) 2018-04-17
JP2021153203A (ja) 2021-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7378442B2 (ja) 温度制御装置、温度制御方法、および載置台
US10103011B2 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
US20080236493A1 (en) Plasma processing apparatus
JP6335229B2 (ja) 基板温度制御方法及びプラズマ処理装置
US11569073B2 (en) Assembly provided with coolant flow channel, method of controlling assembly provided with coolant flow channel, and substrate processing apparatus
KR20180080996A (ko) 플라즈마 처리 장치
US20190304814A1 (en) Plasma processing apparatus
JP6797079B2 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ制御方法、及びプラズマ制御プログラム
US9991100B2 (en) Plasma processing apparatus and control method
JP6573498B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2011119708A (ja) 基板保持装置、及び、プラズマ処理装置
CN109390200B (zh) 等离子体处理装置
US11133203B2 (en) Plasma processing apparatus
TW201933474A (zh) 半導體製造裝置用之零件及半導體製造裝置
TW202114029A (zh) 邊緣環、載置台、基板處理裝置及基板處理方法
JP7466432B2 (ja) プラズマ処理装置及び消耗量測定方法
JP7509997B2 (ja) プラズマ処理装置
CN113451098A (zh) 等离子体处理装置和消耗量测定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210719

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210719

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220809

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20221011

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230314

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20230509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231031

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7378442

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150