JP2006507689A - 研磨制御のための方法および器具 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2002年11月22日付けで出願された米国仮出願第60/428、569号に優先権を主張するものであり、この内容の全体を参照として本願に組み入れる。
Claims (34)
- インライン度量衡ステーションを使用した化学機械研磨における閉鎖ループ制御のための方法であって、
度量衡ステーションにおいて、複数のウエハの中から第1ウエハのアレイ内の誘電体の厚みを測定するステップと、
第1ウエハのアレイ内の誘電体の厚みの少なくとも1つの研磨パラメータを決定するステップと、
複数のウエハの中から後のウエハを、研磨パラメータを用いて研磨するステップと、
を含む方法。 - 第1ウエハのフィールド内の誘電体の厚みを測定するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1つの研磨パラメータを決定するステップが、第1ウエハのフィールド内の誘電体の厚みを使用する工程を含む、請求項2に記載の方法。
- 腐食の測定値を決定するステップであって、前記腐食部の測定値が、フィールド内の誘電体の厚みとアレイ内の誘電体の厚みとの間で異なるステップを更に含み、
前記少なくとも1つの研磨パラメータを決定するステップが、腐食部の測定値を使用する工程を含む、請求項2に記載の方法。 - 少なくとも1つの研磨パラメータを決定するステップが、予想される金属特徴部の厚みの均一性を複数のウエハの中の後のウエハにおいて最大化する複数の制約の下で最適な解決法を概算する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 第1ウエハ上の複数のアレイの複数の誘電体の厚みを測定し、複数のアレイ内の複数の誘電体の厚みの中から少なくとも1つの研磨パラメータを決定するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 誘電体の厚みの測定をコントローラへ送るステップを更に含む、請求項7に記載の方法。
- 研磨パラメータを化学機械研磨器具へ送るステップを更に含む、請求項7に記載の方法。
- バリア層残留物の厚みを測定し、誘電体の厚みとバリア層残留物の厚みから少なくとも1つの研磨パラメータを決定するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 研磨パラメータを決定するステップが、複数の制約の下で最良の解決法を概算するために、アレイ内の誘電体の厚みの測定値を使用し、これを参照することで、予想される銅特徴部の厚みの均一性が最大化され、予想される銅特徴部の厚みと対象銅特徴部の厚みの間の差が最小化する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 研磨パラメータが少なくとも研磨時間を含む、請求項1に記載の方法。
- インライン度量衡ステーションを使用した化学機械研磨における閉鎖ループ制御のための方法であって、
第1ウエハ全体の複数の地点において、度量衡ステーション金属特徴部の厚みを測定するステップであって、この場合、第1ウエハが複数のウエハのうちの1つであるステップと、
複数の制約の下で最良の解決法を概算する第1ウエハの金属特徴部の厚みの測定値を用いて、少なくとも1つの研磨パラメータを計算するステップであって、これを参照することで、複数のウエハの中の後のウエハ内で、予想された金属特徴部の厚みの均一性が最大化されるステップと、
複数のウエハの中の後のウエハを、少なくとも1つの研磨パラメータを用いて研磨するステップと、
を含む方法。 - 測定するステップが、音響光学度量衡装置で測定する工程を含む、請求項11に記載の方法。
- 測定するステップが、非接触型光学度量衡装置で測定する工程を含む、請求項11に記載の方法。
- 測定するステップが、ウエハの中央からの異なる半径位置における複数のダイ内の金属特徴部の厚みを測定する工程を含む、請求項11に記載の方法。
- 複数の制約が、後のウエハに予想される腐食の最小化を含む、請求項11に記載の方法。
- 金属特徴部の厚みを測定するステップが、銅特徴部の厚みを測定する工程を含む、請求項11に記載の方法。
- 少なくとも1つの研磨パラメータが研磨時間を含む、請求項11に記載の方法。
- インライン度量衡ステーションを使用した化学機械研磨における閉鎖ループ制御のための方法であって、
化学機械研磨器具上で、1組の研磨パラメータを使用して、複数のウエハの中の第1ウエハを研磨するステップと、
度量衡ステーションにて研磨された第1ウエハのプロファイルを測定するステップであって、前記プロファイルが、第1アレイ内の誘電体厚みの第1測定値、第2アレイ内の誘電体厚みの第2測定値、第1フィールド内の誘電体厚みの第1測定値、第2フィールド内の誘電体厚みの第2測定値を少なくとも含み、ここで、第1アレイが第1フィールドと近接し、第2フィールドが第2アレイと近接しているステップと、
第1腐食部測定値と第2腐食部測定値を決定するステップであって、ここで、第1腐食部測定値が、第1フィールド内の第1誘電体厚みと第2アレイ内の第1誘電体厚みとの間の差であり、第2腐食測定値が、第2フィールド内の第2誘電体厚みと第2アレイ内の第2誘電体厚みとの間の差であるステップと、
第1、第2アレイ内の第1、第2誘電体の厚みと、第1、第2腐食測定値とを用いて、第1ウエハのプロファイルの測定値より新規の研磨パラメータを計算するステップと、
前記新規の研磨パラメータを化学機械研磨器具へ通信するステップと、
前記新規の研磨パラメータを、後のウエハを研磨するために使用するステップと、
を含む方法。 - フィールド誘電性材料またはアレイ誘電性材料の上に重なっているバリア層材料残留物を測定するステップを更に含み、
前記複数の制約が、バリア層材料残留物を完全に除去する化学機械研磨器具を含む、請求項19に記載の方法。 - フィールド誘電性材料、アレイ誘電性材料、金属特徴部分上に重なっている金属残留物を測定するステップを更に含み、
前記複数の制約が残留物の完全な除去を含む、請求項19に記載の方法。 - インライン度量衡ステーションを用いた化学機械研磨における閉鎖ループ制御のための方法であって、
度量衡ステーションにおいて第1ウエハの第1アレイ内の第1誘電体の厚みを測定するステップと、
度量衡ステーションにおいて第1ウエハの第2アレイ内の第2誘電体の厚みを測定するステップと、
第1、第2誘電体の厚みを度量衡ステーションからコントローラへ送るステップと、
第1、第2誘電体の厚みを使用して、コントローラにおいて、コントローラ内の研磨パラメータを少なくとも1つ決定するステップと、
後のウエハを少なくとも1つの研磨パラメータで研磨するステップと、
を含む方法。 - インライン度量衡ステーションを使用した化学機械研磨における閉鎖ループ制御のための方法であって、
第1ウエハ上の金属残留物とバリア材料残留物を測定するステップであって、この場合、前記金属残留物とバリア材料残留物が、フィールド誘電性材料、アレイ誘電性材料、金属特徴部上に位置するステップと、
金属残留物測定値およびバリア材料残留物測定値を使用して、少なくとも1つの研磨パラメータを計算するステップであって、この場合、少なくとも1つの研磨パラメータによって、第2ウエハ内の金属残留物とバリア材料残留物の完全な除去が確実に行われるステップと、
少なくとも1つの研磨パラメータを使用して、第2ウエハを研磨するステップと、を含む方法。 - インライン度量衡ステーションを使用した化学機械研磨における閉鎖ループ制御のための方法であって、
第1ウエハ全体の複数の地点において、度量衡ステーション金属特徴部の厚みを測定するステップと、この場合、第1ウエハが複数のウエハのうちの1つであるステップと、
複数の制約の下で最適な解決法を概算する第1ウエハの金属特徴部の厚みの測定値を使用して、少なくとも1つの研磨パラメータを計算するステップであって、これを参照することで、予想される金属特徴部の厚みと対象金属特徴部の厚みの差が最小化されるステップと、
複数のウエハのうちの後のウエハを、少なくとも1つの研磨パラメータを使用して研磨するステップと、
を含む方法。 - インライン度量衡ステーションを使用した化学機械研磨における閉鎖ループ制御のための方法であって、
度量衡ステーションにおいて、複数の基板のうちの第1基板のバリア層残留物の厚みを測定するステップと、
第1基板のバリア層残留物の厚みから、少なくとも1つの研磨パラメータを決定するステップと、
前記研磨パラメータを使用して、複数の基板のうちの後の基板を研磨するステップと、
を含む方法。 - 前記研磨パラメータが、化学機械研磨器具の研磨ステーションへ通信される、請求項26に記載の方法。
- 第1基板上の複数のバリア層残留物の厚みを測定し、複数のバリア層残留物の厚みから少なくとも1つの研磨パラメータを決定するステップを更に含む、請求項26に記載の方法。
- インライン度量衡ステーションを使用した化学機械研磨における閉鎖ループ制御のための方法であって、
化学機械研磨器具上で、1組の研磨パラメータを使用して、複数の基板のうちの第1基板を研磨するステップと、
度量衡ステーションにおいて、研磨した第1基板のプロファイルを測定するステップであって、前記プロファイルが、アレイ内の誘電体の厚みの測定値とバリア層残留物の厚みの測定値とから成るグループより選択された少なくとも1つの測定を含むステップと、
第1基板のプロファイルの測定値から新規の研磨パラメータを決定するステップと、
前記新規の研磨パラメータを化学機械研磨装置へ通信するステップと、
後の基板を研磨するために、前記新規の研磨パラメータを使用するステップと、
を含む方法。 - 前記新規の研磨パラメータが、誘電体の厚みの測定値から計算される、請求項29に記載の方法。
- 前記新規のパラメータが、研磨システムがバリア層材料残留物を完全に除去するよう選択される、請求項29に記載の方法。
- 前記新規の研磨パラメータが、研磨システムが均一な銅特徴の厚みを提供するよう選択される、請求項29に記載の方法。
- 前記新規の研磨パラメータが、複数の基板のうちの一つの基板から別の基板にかけて均一な研磨を提供するよう選択される、請求項29に記載の方法。
- 前記プロファイル測定値が残留物の厚みを含む、請求項29に記載の方法。
- インライン度量衡ステーションを使用した化学機械研磨における閉鎖ループ制御のための方法であって、
度量衡ステーションにて、複数の基板のうちの第1基板のアレイ内における金属特徴部の厚みを測定するステップと、
第1基板のアレイ内の金属特徴部の厚みから、少なくとも1つの研磨パラメータを決定するステップと、
前記研磨パラメータを使用して、複数の基板のうちの後の基板を研磨するステップと、
を含む方法。
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Families Citing this family (15)
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---|---|---|---|---|
TW200536662A (en) * | 2004-03-04 | 2005-11-16 | Trecenti Technologies Inc | Method and system of chemicalmechanical polishing and manufacturing method of semiconductor device |
US20070082490A1 (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-12 | Chun-Ting Hu | Apparatus of chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing process |
US20070123046A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-31 | Applied Materials, Inc. | Continuous in-line monitoring and qualification of polishing rates |
US8695708B2 (en) * | 2007-03-26 | 2014-04-15 | Schlumberger Technology Corporation | Method for treating subterranean formation with degradable material |
DE102007035833B3 (de) * | 2007-07-31 | 2009-03-12 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Fortgeschrittene automatische Abscheideprofilzielsteuerung und Kontrolle durch Anwendung von fortgeschrittener Polierendpunktsystemrückkopplung |
TWI367524B (en) * | 2007-08-01 | 2012-07-01 | Univ Nat Taiwan Science Tech | Chemical mechanical polishing apparatus and chemical mechanical polishing method thereof |
US8628376B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-01-14 | Applied Materials, Inc. | In-line wafer thickness sensing |
US8579675B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Methods of using optical metrology for feed back and feed forward process control |
US20110195636A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-11 | United Microelectronics Corporation | Method for Controlling Polishing Wafer |
US10643853B2 (en) | 2012-02-10 | 2020-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer thinning apparatus having feedback control and method of using |
JP6250406B2 (ja) * | 2014-01-15 | 2017-12-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置の異常検出装置、及び基板処理装置 |
US10478937B2 (en) | 2015-03-05 | 2019-11-19 | Applied Materials, Inc. | Acoustic emission monitoring and endpoint for chemical mechanical polishing |
EP3113215A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-04 | IMEC vzw | Method and device for inspection of a semiconductor device |
CN109585315B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-11-03 | 联华电子股份有限公司 | 半导体结构的制作方法 |
US11701749B2 (en) | 2018-03-13 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Monitoring of vibrations during chemical mechanical polishing |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288245A (ja) * | 1995-04-12 | 1996-11-01 | Sony Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JPH11325840A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | メタル残膜判定方法およびメタル残膜判定装置 |
US20020005957A1 (en) * | 1999-03-10 | 2002-01-17 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Method and apparatus for monitoring a chemical mechanical planarization process applied to metal-based patterned objects |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3801969A1 (de) | 1988-01-23 | 1989-07-27 | Zeiss Carl Fa | Verfahren und vorrichtung zum laeppen bzw. polieren optischer flaechen |
US5081796A (en) | 1990-08-06 | 1992-01-21 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer |
US5658183A (en) | 1993-08-25 | 1997-08-19 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring |
US5486129A (en) | 1993-08-25 | 1996-01-23 | Micron Technology, Inc. | System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head |
US5474381A (en) | 1993-11-30 | 1995-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Method for real-time semiconductor wafer temperature measurement based on a surface roughness characteristic of the wafer |
KR100255961B1 (ko) | 1994-03-11 | 2000-05-01 | 아끼구사 나오유끼 | 물리량 측정방법 및 장치, 반도체 장치의 제조방법과 파장측정방법 및 장치 |
KR100281723B1 (ko) | 1995-05-30 | 2001-10-22 | 코트게리 | 연마방법및그장치 |
KR970030225A (ko) | 1995-11-08 | 1997-06-26 | 김광호 | 자외선 테이프를 사용하여 웨이퍼의 후면을 연마하는 반도체 소장 제조방법 |
US5948203A (en) * | 1996-07-29 | 1999-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical dielectric thickness monitor for chemical-mechanical polishing process monitoring |
US5957751A (en) | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
US5888120A (en) | 1997-09-29 | 1999-03-30 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for chemical mechanical polishing |
JP2001523586A (ja) * | 1997-11-18 | 2001-11-27 | スピードファム−アイピーイーシー コーポレイション | 化学機械的研磨工程をモデル化する方法および装置 |
US6132289A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-17 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit |
JPH11307604A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Toshiba Corp | プロセスモニタ方法及びプロセス装置 |
US5985094A (en) | 1998-05-12 | 1999-11-16 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier |
US6261152B1 (en) * | 1998-07-16 | 2001-07-17 | Nikon Research Corporation Of America | Heterdoyne Thickness Monitoring System |
US6186865B1 (en) * | 1998-10-29 | 2001-02-13 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for performing end point detection on a linear planarization tool |
US6159073A (en) | 1998-11-02 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing |
US6422927B1 (en) | 1998-12-30 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing |
US6247998B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for determining substrate layer thickness during chemical mechanical polishing |
US6690473B1 (en) * | 1999-02-01 | 2004-02-10 | Sensys Instruments Corporation | Integrated surface metrology |
IL128920A0 (en) * | 1999-03-10 | 2000-02-17 | Nova Measuring Instr Ltd | Method for monitoring metal cmp |
IL136608A0 (en) * | 2000-02-20 | 2001-06-14 | Nova Measuring Instr Ltd | Test structure for metal cmp process monitoring |
IL134626A (en) * | 2000-02-20 | 2006-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Test structure for metal cmp process control |
US6413145B1 (en) * | 2000-04-05 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | System for polishing and cleaning substrates |
US6428673B1 (en) * | 2000-07-08 | 2002-08-06 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for electrochemical processing of a microelectronic workpiece, capable of modifying processing based on metrology |
US6540591B1 (en) * | 2001-04-18 | 2003-04-01 | Alexander J. Pasadyn | Method and apparatus for post-polish thickness and uniformity control |
US7160739B2 (en) * | 2001-06-19 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles |
US6626741B2 (en) * | 2001-07-20 | 2003-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for improving thickness uniformity on a semiconductor wafer during chemical mechanical polishing |
US6589800B2 (en) * | 2001-08-21 | 2003-07-08 | Texas Instruments Incorporated | Method of estimation of wafer-to-wafer thickness |
US6884724B2 (en) * | 2001-08-24 | 2005-04-26 | Applied Materials, Inc. | Method for dishing reduction and feature passivation in polishing processes |
US6842659B2 (en) * | 2001-08-24 | 2005-01-11 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for providing intra-tool monitoring and control |
US6964924B1 (en) * | 2001-09-11 | 2005-11-15 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit process monitoring and metrology system |
US20030074098A1 (en) * | 2001-09-18 | 2003-04-17 | Cheung Robin W. | Integrated equipment set for forming an interconnect on a substrate |
US6630360B2 (en) * | 2002-01-10 | 2003-10-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Advanced process control (APC) of copper thickness for chemical mechanical planarization (CMP) optimization |
US6857947B2 (en) * | 2002-01-17 | 2005-02-22 | Asm Nutool, Inc | Advanced chemical mechanical polishing system with smart endpoint detection |
IL153894A (en) * | 2003-01-12 | 2010-05-31 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and system for measuring the thickness of thin conductive layers |
US20070123046A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-31 | Applied Materials, Inc. | Continuous in-line monitoring and qualification of polishing rates |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288245A (ja) * | 1995-04-12 | 1996-11-01 | Sony Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
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US20020005957A1 (en) * | 1999-03-10 | 2002-01-17 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Method and apparatus for monitoring a chemical mechanical planarization process applied to metal-based patterned objects |
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