JPH08306673A - レーザを用いたプラズマ化学エッチング装置および方法 - Google Patents
レーザを用いたプラズマ化学エッチング装置および方法Info
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- JPH08306673A JPH08306673A JP8127647A JP12764796A JPH08306673A JP H08306673 A JPH08306673 A JP H08306673A JP 8127647 A JP8127647 A JP 8127647A JP 12764796 A JP12764796 A JP 12764796A JP H08306673 A JPH08306673 A JP H08306673A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 最終表面品質が高く非常に薄く均一な半導体
基板が得られる、レーザを用いたプラズマ化学エッチン
グ装置および方法を提供する。 【解決手段】 走査可能なレーザおよび制御部（５８）
を用いて、下流エッチングの間、半導体基板（４０）の
部分に示差的加熱処理を施す。かかる示差的加熱によっ
て、各加熱部分に異なるエッチング速度が得られるの
で、均一性が改善され、エッチングによって発生する表
面の損傷が減少する。下流プラズマを収容し、基板（４
０）と走査可能なレーザ部（５８）との間に直接視線を
設定可能なエッチング・チャンバ（５０）を備える。加
えて本システムは、適宜エッチング速度および温度を測
定することによって、動的なプロセス更新を可能にす
る。
基板が得られる、レーザを用いたプラズマ化学エッチン
グ装置および方法を提供する。 【解決手段】 走査可能なレーザおよび制御部（５８）
を用いて、下流エッチングの間、半導体基板（４０）の
部分に示差的加熱処理を施す。かかる示差的加熱によっ
て、各加熱部分に異なるエッチング速度が得られるの
で、均一性が改善され、エッチングによって発生する表
面の損傷が減少する。下流プラズマを収容し、基板（４
０）と走査可能なレーザ部（５８）との間に直接視線を
設定可能なエッチング・チャンバ（５０）を備える。加
えて本システムは、適宜エッチング速度および温度を測
定することによって、動的なプロセス更新を可能にす
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に半導体ウ
エハのエッチングに関し、更に特定すれば、非常に薄く
均一な素子層を生成するための半導体物質のエッチング
に関するものである。
エハのエッチングに関し、更に特定すれば、非常に薄く
均一な素子層を生成するための半導体物質のエッチング
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、絶縁物上シリコン（ＳＯＩ）素
子のように、ウエハ同士を接合する技術を用いる素子の
ような、最新の半導体素子の製造においては、制御すべ
き最も重大な要因は、素子ウエハの最終的な厚さ、その
厚さの均一性、および残った半導体層の表面品質の維持
であることはよく知られている。素子ウエハに要求され
る最終的な厚さは、素子を製造する技術の種類によって
異なるが、高度な均一性および高度な表面品質の双方
は、全ての素子技術に対して、高い歩留まりを得るには
必須である。
子のように、ウエハ同士を接合する技術を用いる素子の
ような、最新の半導体素子の製造においては、制御すべ
き最も重大な要因は、素子ウエハの最終的な厚さ、その
厚さの均一性、および残った半導体層の表面品質の維持
であることはよく知られている。素子ウエハに要求され
る最終的な厚さは、素子を製造する技術の種類によって
異なるが、高度な均一性および高度な表面品質の双方
は、全ての素子技術に対して、高い歩留まりを得るには
必須である。
【０００３】素子ウエハの薄層化(thinning)に最も広く
用いられている技術は、機械的な研削(mechanical grin
ding)および化学機械的研磨(chemical-mechanical poli
shing)である。しかしながら、これらの技術では、３つ
の重要な要因全てに対して、必要な度合いにまでプロセ
ス制御を行うことはできない。このように、上述の従来
の技術における実際上の限界は、現在のところ、層の最
終的厚さが約２ないし３μｍ、均一性即ち全体的厚さの
変動（ＴＴＶ）が０．５ないし１μｍであるが、これら
の値は、最新の相補型金属酸化物シリコン（ＣＭＯＳ）
や近い将来のバイポーラ／ＣＭＯＳ結合(ＢＩＭＯＳ:co
mbined bipolar and CMOS)素子に必要とされる、１ｍｍ
未満の最終的な層の厚さや、０．０１ｍｍ未満のＴＴＶ
とはかけ離れたものである。
用いられている技術は、機械的な研削(mechanical grin
ding)および化学機械的研磨(chemical-mechanical poli
shing)である。しかしながら、これらの技術では、３つ
の重要な要因全てに対して、必要な度合いにまでプロセ
ス制御を行うことはできない。このように、上述の従来
の技術における実際上の限界は、現在のところ、層の最
終的厚さが約２ないし３μｍ、均一性即ち全体的厚さの
変動（ＴＴＶ）が０．５ないし１μｍであるが、これら
の値は、最新の相補型金属酸化物シリコン（ＣＭＯＳ）
や近い将来のバイポーラ／ＣＭＯＳ結合(ＢＩＭＯＳ:co
mbined bipolar and CMOS)素子に必要とされる、１ｍｍ
未満の最終的な層の厚さや、０．０１ｍｍ未満のＴＴＶ
とはかけ離れたものである。
【０００４】加えて、機械的研削や化学機械的研磨は、
素子ウエハの表面に損傷を与えることは既知である。し
たがって、ウエハの薄層化プロセスに続いて付加的な処
理を施さなければ、必要とされている高い表面品質を達
成することができない。かかる付加的な処理工程のため
にウエハ製造のコストや複雑性も増大することになる。
素子ウエハの表面に損傷を与えることは既知である。し
たがって、ウエハの薄層化プロセスに続いて付加的な処
理を施さなければ、必要とされている高い表面品質を達
成することができない。かかる付加的な処理工程のため
にウエハ製造のコストや複雑性も増大することになる。
【０００５】近年、Hughes Danbury Optical Systems,I
nc.（ＨＤＯＳ）によって、プラズマ補助化学エッチン
グ(PACE:plasma assisted chemical etching)用のツー
ルが導入された。ＰＡＣＥは、空間密閉プラズマ(spati
ally confined plasma)を利用し、素子ウエハ表面上で
走査することによって物質の除去を制御可能にするもの
である。素子ウエハの表面を走査する際に、空間密閉プ
ラズマの滞留時間(dwell time)を、その表面のいずれか
の部分の相対的厚さに比例させる。こうして、最も大き
な厚さを有する領域から除去する物質を多くすることに
よって、ＴＴＶの低下を図る。エッチング・プロセス
は、従来のプラズマ・エッチングと同様であるが、反応
性イオン・エッチングの場合のような付勢イオン(energ
etic ions)ではなく、比較的低いエネルギ（１電子ボル
トより遥かに小さい）のニュートラル(neutral)を用い
ることが報告されている。
nc.（ＨＤＯＳ）によって、プラズマ補助化学エッチン
グ(PACE:plasma assisted chemical etching)用のツー
ルが導入された。ＰＡＣＥは、空間密閉プラズマ(spati
ally confined plasma)を利用し、素子ウエハ表面上で
走査することによって物質の除去を制御可能にするもの
である。素子ウエハの表面を走査する際に、空間密閉プ
ラズマの滞留時間(dwell time)を、その表面のいずれか
の部分の相対的厚さに比例させる。こうして、最も大き
な厚さを有する領域から除去する物質を多くすることに
よって、ＴＴＶの低下を図る。エッチング・プロセス
は、従来のプラズマ・エッチングと同様であるが、反応
性イオン・エッチングの場合のような付勢イオン(energ
etic ions)ではなく、比較的低いエネルギ（１電子ボル
トより遥かに小さい）のニュートラル(neutral)を用い
ることが報告されている。
【０００６】ＰＡＣＥツールは、達成可能な最終厚さお
よびＴＴＶの双方において著しい改善が得られることを
主張するが、必要な水準までＴＴＶを更に向上させるの
は、空間密閉プラズマの領域が比較的大きなサイズであ
ることのために、達成が困難であろう。また、ＰＡＣＥ
システムは、その空間密閉プラズマ領域に比較的低いエ
ネルギのニュートラルを用いると主張するが、適当なエ
ッチング速度を達成するためには比較的高い電圧を維持
しなければならないと考えられる。かかる比較的高い電
圧は放射損傷(radiation damage)を発生し得るもので、
後に残る半導体素子の表面品質を劣化させることにな
る。加えて、ＰＡＣＥは空間密閉プラズマをウエハ表面
全体にわたって移動させるために、プロセス・チャンバ
において機械的運動を必要とする。当業者にはおわかり
のように、ウエハ処理の間機械的運動が発生すると、い
かなるものでも微粒子の汚染源となる可能性があり、こ
れは多くの場合表面品質低下の重大な要因となる。最後
に、ＰＡＣＥシステムでは封じ込められたプラズマ放電
を利用しているので、ウエハのスループットに限界があ
り、コストを上昇させることになる。
よびＴＴＶの双方において著しい改善が得られることを
主張するが、必要な水準までＴＴＶを更に向上させるの
は、空間密閉プラズマの領域が比較的大きなサイズであ
ることのために、達成が困難であろう。また、ＰＡＣＥ
システムは、その空間密閉プラズマ領域に比較的低いエ
ネルギのニュートラルを用いると主張するが、適当なエ
ッチング速度を達成するためには比較的高い電圧を維持
しなければならないと考えられる。かかる比較的高い電
圧は放射損傷(radiation damage)を発生し得るもので、
後に残る半導体素子の表面品質を劣化させることにな
る。加えて、ＰＡＣＥは空間密閉プラズマをウエハ表面
全体にわたって移動させるために、プロセス・チャンバ
において機械的運動を必要とする。当業者にはおわかり
のように、ウエハ処理の間機械的運動が発生すると、い
かなるものでも微粒子の汚染源となる可能性があり、こ
れは多くの場合表面品質低下の重大な要因となる。最後
に、ＰＡＣＥシステムでは封じ込められたプラズマ放電
を利用しているので、ウエハのスループットに限界があ
り、コストを上昇させることになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、ウエハ対
ウエハ結合技法を利用するような最新の半導体素子の製
造に用いられる、素子ウエハを薄層化する改良された方
法が必要とされている。特に、機械的研削、化学機械的
研磨に依存することなく、また比較的大きな空間的に密
閉されたプラズマ領域を用いるドライ・エッチング技法
にも依存することなく、素子ウエハを薄層化する改良さ
れた方法が必要とされている。かかる改良された方法
は、高い素子層品質を有し非常に薄く均一な層を生成可
能でなければならない。最後に、かかる高品質の素子層
を素早く、大量に、しかも比較的低コストで生産するこ
とも必要とされている。
ウエハ結合技法を利用するような最新の半導体素子の製
造に用いられる、素子ウエハを薄層化する改良された方
法が必要とされている。特に、機械的研削、化学機械的
研磨に依存することなく、また比較的大きな空間的に密
閉されたプラズマ領域を用いるドライ・エッチング技法
にも依存することなく、素子ウエハを薄層化する改良さ
れた方法が必要とされている。かかる改良された方法
は、高い素子層品質を有し非常に薄く均一な層を生成可
能でなければならない。最後に、かかる高品質の素子層
を素早く、大量に、しかも比較的低コストで生産するこ
とも必要とされている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の方法および装置
は、レーザ補助プラズマ化学エッチング（ＬＡＰＣＥ）
を適用することによって、半導体物質にエッチングを行
うものである。ＬＡＰＣＥ装置は、プラズマ化学エッチ
ング・プロセスの間、半導体物質の選択された部分に選
択的加熱処理(differential heating)を行うことによっ
て、かかる選択加熱処理を施された部分間で、半導体物
質のエッチング速度を変化させる機能を得るように設計
されている。この選択加熱機能を制御することによっ
て、本発明の方法および装置は、最終表面品質が高い、
非常に均一な半導体基板を得る手段を提供する。尚、こ
こで用いられる「半導体物質」という用語は単結晶シリ
コン、ポリシリコン、非結晶性シリコン、およびIII-V
半導体物質を含むが、これらに限定されるわけではない
ことは理解されよう。加えて、ここで用いられる「半導
体基板」または「ウエハ基板」という用語は、均質なウ
エハ形状の半導体物質、多層ウエハ、または基板上のフ
ィルムを含むが、これらに限定される訳ではないことも
理解されよう。
は、レーザ補助プラズマ化学エッチング（ＬＡＰＣＥ）
を適用することによって、半導体物質にエッチングを行
うものである。ＬＡＰＣＥ装置は、プラズマ化学エッチ
ング・プロセスの間、半導体物質の選択された部分に選
択的加熱処理(differential heating)を行うことによっ
て、かかる選択加熱処理を施された部分間で、半導体物
質のエッチング速度を変化させる機能を得るように設計
されている。この選択加熱機能を制御することによっ
て、本発明の方法および装置は、最終表面品質が高い、
非常に均一な半導体基板を得る手段を提供する。尚、こ
こで用いられる「半導体物質」という用語は単結晶シリ
コン、ポリシリコン、非結晶性シリコン、およびIII-V
半導体物質を含むが、これらに限定されるわけではない
ことは理解されよう。加えて、ここで用いられる「半導
体基板」または「ウエハ基板」という用語は、均質なウ
エハ形状の半導体物質、多層ウエハ、または基板上のフ
ィルムを含むが、これらに限定される訳ではないことも
理解されよう。
【０００９】
【発明の実施の形態】ここで図１を参照すると、ＬＡＰ
ＣＥシステム５の簡略図が示されている。ＬＡＰＣＥシ
ステムは、システム制御コンピュータ８０、基板加熱特
性生成コンピュータ(substrate heating profile gener
ating computer)８５、エッチング・チャンバ５０、お
よび真空発生装置６０を含む。
ＣＥシステム５の簡略図が示されている。ＬＡＰＣＥシ
ステムは、システム制御コンピュータ８０、基板加熱特
性生成コンピュータ(substrate heating profile gener
ating computer)８５、エッチング・チャンバ５０、お
よび真空発生装置６０を含む。
【００１０】システム制御コンピュータ８０は、基本的
に、例えば、ガス流、真空のようなＬＡＰＣＥの機能全
体、およびかかるシステム動作の連続処理を制御可能な
コンピュータである。制御コンピュータ８０は、ＬＡＰ
ＣＥシステムの機能を制御するようにプログラムされた
ソフトウエアを有する汎用デジタル・コンピュータとす
ることができる。あるいは、制御コンピュータ８０の機
能は、専用ハードウエア形態、または所望の機能性を提
供するハードウエアとソフトウエアとのいかなる組み合
わせでも、実現することができる。
に、例えば、ガス流、真空のようなＬＡＰＣＥの機能全
体、およびかかるシステム動作の連続処理を制御可能な
コンピュータである。制御コンピュータ８０は、ＬＡＰ
ＣＥシステムの機能を制御するようにプログラムされた
ソフトウエアを有する汎用デジタル・コンピュータとす
ることができる。あるいは、制御コンピュータ８０の機
能は、専用ハードウエア形態、または所望の機能性を提
供するハードウエアとソフトウエアとのいかなる組み合
わせでも、実現することができる。
【００１１】基板加熱特性生成コンピュータ８５は、半
導体基板４０の厚さ輪郭マップ(thickness profile ma
p)１２０を、基板４０の加熱特性マップ１３０に変換可
能なコンピュータである。厚さ輪郭マップ１２０は、半
導体基板４０の複数の部分における各部分について測定
された厚さおよび位置または場所のデータから発生され
る。単体(stand-alone)の厚さ測定および厚さ輪郭発生
システムが、商業的に入手可能である。したがって、か
かる単体システムから、基板４０の厚さ輪郭マップ１２
０を加熱特性生成コンピュータ８５に供給することがで
きる。あるいは、ＬＡＰＣＥシステムは、かかる厚さお
よび位置測定機能を含むこともできる。したがって、単
体の厚さ測定および厚さ輪郭発生システム、一体化され
た厚さ測定および厚さ輪郭発生モデュール、またはこれ
ら２つのあらゆる組み合わせでも、本発明に用いること
ができ、そして本発明の範囲は、ＬＡＰＣＥシステムが
用いるための厚さ輪郭マップ１２０を発生することがで
きる、かかる組み合わせ全てを含むことは、当業者には
明白であろう。加えて、測定され、後に選択加熱処理を
施される半導体基板４０の各部分のサイズは、非常に小
さくすることができる。典型的に、このサイズは、空間
密閉プラズマを用いて得られるサイズよりもはるかに小
さい。このように、加熱特性マップ１３０は、半導体基
板４０の各部分が必要とする加熱量を識別するものであ
る。
導体基板４０の厚さ輪郭マップ(thickness profile ma
p)１２０を、基板４０の加熱特性マップ１３０に変換可
能なコンピュータである。厚さ輪郭マップ１２０は、半
導体基板４０の複数の部分における各部分について測定
された厚さおよび位置または場所のデータから発生され
る。単体(stand-alone)の厚さ測定および厚さ輪郭発生
システムが、商業的に入手可能である。したがって、か
かる単体システムから、基板４０の厚さ輪郭マップ１２
０を加熱特性生成コンピュータ８５に供給することがで
きる。あるいは、ＬＡＰＣＥシステムは、かかる厚さお
よび位置測定機能を含むこともできる。したがって、単
体の厚さ測定および厚さ輪郭発生システム、一体化され
た厚さ測定および厚さ輪郭発生モデュール、またはこれ
ら２つのあらゆる組み合わせでも、本発明に用いること
ができ、そして本発明の範囲は、ＬＡＰＣＥシステムが
用いるための厚さ輪郭マップ１２０を発生することがで
きる、かかる組み合わせ全てを含むことは、当業者には
明白であろう。加えて、測定され、後に選択加熱処理を
施される半導体基板４０の各部分のサイズは、非常に小
さくすることができる。典型的に、このサイズは、空間
密閉プラズマを用いて得られるサイズよりもはるかに小
さい。このように、加熱特性マップ１３０は、半導体基
板４０の各部分が必要とする加熱量を識別するものであ
る。
【００１２】エッチング・チャンバ５０は、下流プラズ
マ(downstream plasma)を含むように構成されている。
当業者には既知のように、下流プラズマ・エッチング
は、ドライ・エッチング技術の中でも最も損傷が少ない
ものとして広く見なされているので、潜在的に最も高い
品質の最終層を提供することができる。反応性化学薬品
または反応性化学薬品の混合物を含むキャリア・ガス
を、例えば、マイクロ波空胴(microwave cavity)のよう
な反応性種発生手段を通過させ、反応性種を含むキャリ
ア・ガスを、入力ポート５３を介して、エッチング・チ
ャンバ５０に導入する。反応性化学薬品または化学薬品
の混合物の選択は、エッチングされる半導体物質の性質
によって決定されることは、十分に理解されよう。例え
ば、４フッ化炭素(CF4)と酸素との混合物が、シリコン
のエッチングには適している。エッチング・チャンバ５
０は、更に、エッチング・チャンバ５０の一方の壁また
は壁の一部を形成する透明窓５４も含む。基板４０は、
温度が制御されたチャック５２上に配置される。チャッ
ク５２は、基板４０を所定温度に維持するために用いら
れる。これによって、基板４０の選択加熱および全体的
エッチング速度を最高に高めることが可能となる。透明
窓５４は、図１ではエッチング・チャンバ５０の外部に
取り付けられて示されているレーザ走査部５８に対し
て、半導体基板４０が直接視線に入る(in a direct lin
e of sight)ように位置付けられている。レーザ走査部
５８は、光学的加熱ビームを、透明窓５４を通じて、半
導体基板４０の部分に発射することができる。レーザ走
査部５８は、半導体基板４０のほぼ全体を走査すること
や、加熱特性マップ１３０のように、半導体基板４０の
特定部分を選択的に加熱することができる。
マ(downstream plasma)を含むように構成されている。
当業者には既知のように、下流プラズマ・エッチング
は、ドライ・エッチング技術の中でも最も損傷が少ない
ものとして広く見なされているので、潜在的に最も高い
品質の最終層を提供することができる。反応性化学薬品
または反応性化学薬品の混合物を含むキャリア・ガス
を、例えば、マイクロ波空胴(microwave cavity)のよう
な反応性種発生手段を通過させ、反応性種を含むキャリ
ア・ガスを、入力ポート５３を介して、エッチング・チ
ャンバ５０に導入する。反応性化学薬品または化学薬品
の混合物の選択は、エッチングされる半導体物質の性質
によって決定されることは、十分に理解されよう。例え
ば、４フッ化炭素(CF4)と酸素との混合物が、シリコン
のエッチングには適している。エッチング・チャンバ５
０は、更に、エッチング・チャンバ５０の一方の壁また
は壁の一部を形成する透明窓５４も含む。基板４０は、
温度が制御されたチャック５２上に配置される。チャッ
ク５２は、基板４０を所定温度に維持するために用いら
れる。これによって、基板４０の選択加熱および全体的
エッチング速度を最高に高めることが可能となる。透明
窓５４は、図１ではエッチング・チャンバ５０の外部に
取り付けられて示されているレーザ走査部５８に対し
て、半導体基板４０が直接視線に入る(in a direct lin
e of sight)ように位置付けられている。レーザ走査部
５８は、光学的加熱ビームを、透明窓５４を通じて、半
導体基板４０の部分に発射することができる。レーザ走
査部５８は、半導体基板４０のほぼ全体を走査すること
や、加熱特性マップ１３０のように、半導体基板４０の
特定部分を選択的に加熱することができる。
【００１３】エッチング・チャンバ５０は、更に、真空
発生装置６０に結合されている出力ポート５５を含む。
真空発生装置６０は、エッチング・チャンバ５０を大気
圧以下に維持するように機能する。これは、既知の下流
プラズマ・エッチング処理と一貫することである。
発生装置６０に結合されている出力ポート５５を含む。
真空発生装置６０は、エッチング・チャンバ５０を大気
圧以下に維持するように機能する。これは、既知の下流
プラズマ・エッチング処理と一貫することである。
【００１４】エッチング・チャンバ５０の構造は、特定
用途によって変更し得ることは理解されよう。反応種(r
eactive species)発生手段５６、入力ポート５３、出力
ポート５５、およびエッチング・チャンバ５０のその他
の詳細の位置および性質は、個々に構成可能である。し
たがって、前述の必須ではない素子の構成は、全体的と
しては、本発明の適正な機能にはさほど重要ではない。
しかしながら、透明窓５４の相対的位置は、半導体基板
４０とレーザ走査部５８との間に直接視線が通るように
決めなければならない。
用途によって変更し得ることは理解されよう。反応種(r
eactive species)発生手段５６、入力ポート５３、出力
ポート５５、およびエッチング・チャンバ５０のその他
の詳細の位置および性質は、個々に構成可能である。し
たがって、前述の必須ではない素子の構成は、全体的と
しては、本発明の適正な機能にはさほど重要ではない。
しかしながら、透明窓５４の相対的位置は、半導体基板
４０とレーザ走査部５８との間に直接視線が通るように
決めなければならない。
【００１５】ＬＡＰＣＥエッチング・チャンバ５０は、
上述のように、処理の間エッチング・チャンバ内では機
械的な運動を含まないので、この主要な潜在的汚染源を
除去することは明白である。加えて、ＬＡＰＣＥシステ
ムは、いつでも基板４０の全部分をエッチング可能なの
で、空間密閉プラズマを利用するシステムと比較して、
スループットを向上させることになる。
上述のように、処理の間エッチング・チャンバ内では機
械的な運動を含まないので、この主要な潜在的汚染源を
除去することは明白である。加えて、ＬＡＰＣＥシステ
ムは、いつでも基板４０の全部分をエッチング可能なの
で、空間密閉プラズマを利用するシステムと比較して、
スループットを向上させることになる。
【００１６】図２において、レーザ走査部５８は、加熱
装置７０と位置制御部７２とを含む。加熱装置７０は、
透明窓５４（図１参照）を通じて、基板４０の全部分に
合焦され、かつ吸収され得るいずれかの高エネルギ光源
(high energy optical source)を含むことができる。加
えて、加熱装置７０は、異なる熱を発生するようにその
エネルギ出力を変調可能でなければならない。レーザ
は、かかる加熱装置として既知である。したがって、記
載および理解を容易にするために、加熱装置７０を以後
レーザ発生装置７０と呼ぶことにするが、かかるエネル
ギ出力の変調が可能な他の加熱素子も使用可能であるこ
とは理解されよう。同様に、位置制御部７２は、コンピ
ュータと、いかなる高エネルギ光源の位置でも方向付け
可能に構成された機械的構成物との組み合わせであるこ
とは理解されようが、記載および理解を容易にするため
に、以後位置制御部７２のことをレーザ位置制御部７２
と呼ぶことにする。本発明の範囲は、このレーザ技術の
使用に限定されることを意図する訳ではなく、レーザ以
外の加熱源も含まれることは理解されよう。
装置７０と位置制御部７２とを含む。加熱装置７０は、
透明窓５４（図１参照）を通じて、基板４０の全部分に
合焦され、かつ吸収され得るいずれかの高エネルギ光源
(high energy optical source)を含むことができる。加
えて、加熱装置７０は、異なる熱を発生するようにその
エネルギ出力を変調可能でなければならない。レーザ
は、かかる加熱装置として既知である。したがって、記
載および理解を容易にするために、加熱装置７０を以後
レーザ発生装置７０と呼ぶことにするが、かかるエネル
ギ出力の変調が可能な他の加熱素子も使用可能であるこ
とは理解されよう。同様に、位置制御部７２は、コンピ
ュータと、いかなる高エネルギ光源の位置でも方向付け
可能に構成された機械的構成物との組み合わせであるこ
とは理解されようが、記載および理解を容易にするため
に、以後位置制御部７２のことをレーザ位置制御部７２
と呼ぶことにする。本発明の範囲は、このレーザ技術の
使用に限定されることを意図する訳ではなく、レーザ以
外の加熱源も含まれることは理解されよう。
【００１７】レーザ位置制御部７２は、レーザ発生装置
７０の出力の位置を、半導体基板４０（図１参照）の主
面の複数の部分の各々に移動することができるので、基
板４０（図１参照）の局所的な部分に選択加熱処理を施
すことができる。この移動を行う際、レーザ位置制御部
７２は、加熱特性生成コンピュータ８５によって生成さ
れた加熱特性マップ１３０を利用し、更に、特性マップ
１３０によって詳述される半導体基板４０の各部分の厚
さに応じて、レーザ発生装置７０からのエネルギ出力
と、半導体基板４０（図１参照）の主面の各部分に対す
る滞留時間との双方の変調を行うことができる。
７０の出力の位置を、半導体基板４０（図１参照）の主
面の複数の部分の各々に移動することができるので、基
板４０（図１参照）の局所的な部分に選択加熱処理を施
すことができる。この移動を行う際、レーザ位置制御部
７２は、加熱特性生成コンピュータ８５によって生成さ
れた加熱特性マップ１３０を利用し、更に、特性マップ
１３０によって詳述される半導体基板４０の各部分の厚
さに応じて、レーザ発生装置７０からのエネルギ出力
と、半導体基板４０（図１参照）の主面の各部分に対す
る滞留時間との双方の変調を行うことができる。
【００１８】当業者は知っているように、かかるエネル
ギ出力および／または滞留時間の変調を部分毎に行うこ
とによって、走査される半導体基板４０の各部分に選択
加熱処理を施すことになり、各部分について、半導体物
質のエッチング速度を異ならせることができる。以下の
式１から、温度が上昇すると、これに比例してエッチン
グ速度も上昇するが、他のプロセス変数は一定のままで
あることが理解されよう。例えば、原子フッ素を用いて
シリコンをエッチングする場合、エッチング速度は以下
の式で与えられる。
ギ出力および／または滞留時間の変調を部分毎に行うこ
とによって、走査される半導体基板４０の各部分に選択
加熱処理を施すことになり、各部分について、半導体物
質のエッチング速度を異ならせることができる。以下の
式１から、温度が上昇すると、これに比例してエッチン
グ速度も上昇するが、他のプロセス変数は一定のままで
あることが理解されよう。例えば、原子フッ素を用いて
シリコンをエッチングする場合、エッチング速度は以下
の式で与えられる。
【００１９】
【数１】 エッチング速度 = CnfT1/2eEact/RT （式１） ここで、C=2.86E12; Eact=2.48キロカロリー／モル、原
子フッ素濃度はnf=3.05E15原子／立方センチメートルで
あり、シリコンのエッチング速度は以下のように計算さ
れる。
子フッ素濃度はnf=3.05E15原子／立方センチメートルで
あり、シリコンのエッチング速度は以下のように計算さ
れる。
【００２０】 ER=225 ナノメートル／分 （25°Cにおいて） ER=6000ナノメートル／分 (100°Cにおいて） ER=12000ナノメートル／分 (200°Cにおいて） このように、レーザ位置制御部７２は、複数の部分の中
の各部分に選択加熱を施し、各部分について異なる速度
でエッチングを行い、基板４０（図１参照）のより厚い
部分を、より薄い部分よりも高温に加熱する。これによ
って、より厚い部分をより薄い部分よりも高い速度でエ
ッチングすることになり、均一性を改善することができ
る。
の各部分に選択加熱を施し、各部分について異なる速度
でエッチングを行い、基板４０（図１参照）のより厚い
部分を、より薄い部分よりも高温に加熱する。これによ
って、より厚い部分をより薄い部分よりも高い速度でエ
ッチングすることになり、均一性を改善することができ
る。
【００２１】ここでは基板４０（図１参照）のいくつか
の部分に選択加熱を施して、かかる部分のエッチング速
度を高めたが、使用する化学薬品および温度制御チャッ
ク５２の温度によって決定されるある基本エッチング速
度で、基板４０（図１参照）の全部分をエッチングする
ことも、当業者には理解されよう。したがって、選択加
熱を行うと、所定の最終厚さが得られたとき、残りの半
導体物質のＴＴＶが低下することになる。
の部分に選択加熱を施して、かかる部分のエッチング速
度を高めたが、使用する化学薬品および温度制御チャッ
ク５２の温度によって決定されるある基本エッチング速
度で、基板４０（図１参照）の全部分をエッチングする
ことも、当業者には理解されよう。したがって、選択加
熱を行うと、所定の最終厚さが得られたとき、残りの半
導体物質のＴＴＶが低下することになる。
【００２２】図３において、レーザ走査部５８は、図２
に関して先に説明したレーザ発生装置７０およびレーザ
位置制御部７２、ならびに温度測定装置７４を含む。本
実施例では、温度測定装置７４が、透明窓５４（図１参
照）を介して、基板４０の主面の各部分の動的温度測定
を行うように機能する。したがって、測定装置７４は、
例えば、赤外線サーモグラフィ(infrared thermograph
y)によって、基板４０（図１参照）の主面の各部分の温
度を測定できるように構成された、コンピュータと機械
的構成物との組み合わせから成ることは理解されよう。
これら動的温度測定は、加熱特性生成コンピュータ８５
にフィードバックを与え、加熱特性マップ１３０の動的
な更新を可能にするものである。したがって、レーザ位
置制御部７２は更新された加熱特性マップ１３０を利用
するので、選択加熱および結果的に得られるエッチング
速度の制御性が向上し、上述の図２の実施例に対して均
一性が向上した所定厚さの基板が得られる。
に関して先に説明したレーザ発生装置７０およびレーザ
位置制御部７２、ならびに温度測定装置７４を含む。本
実施例では、温度測定装置７４が、透明窓５４（図１参
照）を介して、基板４０の主面の各部分の動的温度測定
を行うように機能する。したがって、測定装置７４は、
例えば、赤外線サーモグラフィ(infrared thermograph
y)によって、基板４０（図１参照）の主面の各部分の温
度を測定できるように構成された、コンピュータと機械
的構成物との組み合わせから成ることは理解されよう。
これら動的温度測定は、加熱特性生成コンピュータ８５
にフィードバックを与え、加熱特性マップ１３０の動的
な更新を可能にするものである。したがって、レーザ位
置制御部７２は更新された加熱特性マップ１３０を利用
するので、選択加熱および結果的に得られるエッチング
速度の制御性が向上し、上述の図２の実施例に対して均
一性が向上した所定厚さの基板が得られる。
【００２３】図４において、レーザ走査部５８は、レー
ザ発生装置７０、レーザ位置制御部７２、温度測定装置
７４、厚さ測定装置７６、およびエッチング速度計算コ
ンピュータ７８を含む。レーザ発生装置７０、位置制御
部７２および温度測定装置７４は、上述の図２および図
３と同様のものと理解されたい。
ザ発生装置７０、レーザ位置制御部７２、温度測定装置
７４、厚さ測定装置７６、およびエッチング速度計算コ
ンピュータ７８を含む。レーザ発生装置７０、位置制御
部７２および温度測定装置７４は、上述の図２および図
３と同様のものと理解されたい。
【００２４】本実施例では、厚さ測定装置７６は、動的
厚さ測定を行うように機能する。厚さ測定装置７６は、
レーザ干渉計(laser interferometer)のような光学式測
定部を含む。光学式測定部は、計算および機械構成物の
組み合わせに結合され、エッチングの間基板４０（図１
参照）の主面の各部分において、初期厚さ測定およびそ
の後の厚さ測定が行えるように構成されている。走査さ
れた各部分の厚さ測定のフィードバックが、エッチング
速度計算コンピュータ７８に送られ、ここで半導体基板
４０の主面上の各部分に対するエッチング速度が計算さ
れる。エッチング速度計算コンピュータ７８は、動的エ
ッチング速度計算を実行可能なコンピュータを含む。こ
の動的エッチング速度データは、加熱特性生成コンピュ
ータ８５に送られ、加熱特性マップ１３０の動的更新を
可能とする。次に、レーザ位置制御部７２は更新された
加熱特性マップ１３０を利用することにより、複数の部
分の各々に対する選択加熱およびエッチングの制御性を
向上させ、各部分に対するエッチング速度の制御性を向
上させるので、所定厚さの非常に均一な基板を得ること
ができる。本実施例では、温度測定装置７４は、任意の
機能部(optional function unit)として表わされてい
る。当業者は理解するであろうが、温度測定装置７４
は、図３に関連する実施例のように、厚さ測定装置７６
と共に、およびこれに加えて用い、付加データを供給し
たり、エッチング速度の制御性を更に向上させることが
できる。
厚さ測定を行うように機能する。厚さ測定装置７６は、
レーザ干渉計(laser interferometer)のような光学式測
定部を含む。光学式測定部は、計算および機械構成物の
組み合わせに結合され、エッチングの間基板４０（図１
参照）の主面の各部分において、初期厚さ測定およびそ
の後の厚さ測定が行えるように構成されている。走査さ
れた各部分の厚さ測定のフィードバックが、エッチング
速度計算コンピュータ７８に送られ、ここで半導体基板
４０の主面上の各部分に対するエッチング速度が計算さ
れる。エッチング速度計算コンピュータ７８は、動的エ
ッチング速度計算を実行可能なコンピュータを含む。こ
の動的エッチング速度データは、加熱特性生成コンピュ
ータ８５に送られ、加熱特性マップ１３０の動的更新を
可能とする。次に、レーザ位置制御部７２は更新された
加熱特性マップ１３０を利用することにより、複数の部
分の各々に対する選択加熱およびエッチングの制御性を
向上させ、各部分に対するエッチング速度の制御性を向
上させるので、所定厚さの非常に均一な基板を得ること
ができる。本実施例では、温度測定装置７４は、任意の
機能部(optional function unit)として表わされてい
る。当業者は理解するであろうが、温度測定装置７４
は、図３に関連する実施例のように、厚さ測定装置７６
と共に、およびこれに加えて用い、付加データを供給し
たり、エッチング速度の制御性を更に向上させることが
できる。
【００２５】一例として半導体基板４０の一部を図５に
示す。半導体基板４０は、ハンドル・ウエハ(handle wa
fer)１０、ハンドル・ウエハ１０を覆う誘電体層２０、
および誘電体層２０を覆う素子ウエハ３０とで構成され
ている。典型的な絶縁物上シリコン(SOI)基板４０で
は、素子ウエハ３０は、初期厚さが約２００ないし５０
０μｍの単結晶シリコンである。誘電体層２０は二酸化
シリコンであり、ハンドル・ウエハ１０はシリコン・ウ
エハである。当業者はわかっているであろうが、かかる
接合型素子ウエハ３０のＴＴＶは約１０μｍであるが、
５０μｍまでの値も異常ではない。この厚さのばらつき
は、素子ウエハ３０の主面３２と下面３４とが平行に表
現されていないこと、ならびに第１厚さ３６および第２
厚さ３８によって、図５に表わされている。したがっ
て、素子ウエハ３０は、約１０μｍのＴＴＶを有し、第
１厚さは例えば４０μｍ、第２厚さは例えば５０μｍで
ある。厚さ３６が複数の部分の中の第１部分３６を表わ
し、厚さ３８が第２部分３８を表わすとすると、ＬＡＰ
ＣＥプロセスの間、第２部分に選択加熱を施すことによ
り、第１部分よりもエッチング速度を高くすることは、
当業者には理解されよう。この選択加熱は、２つの部分
の厚さが等しくなるまで維持されるので、非常に均一な
膜厚が得られる。
示す。半導体基板４０は、ハンドル・ウエハ(handle wa
fer)１０、ハンドル・ウエハ１０を覆う誘電体層２０、
および誘電体層２０を覆う素子ウエハ３０とで構成され
ている。典型的な絶縁物上シリコン(SOI)基板４０で
は、素子ウエハ３０は、初期厚さが約２００ないし５０
０μｍの単結晶シリコンである。誘電体層２０は二酸化
シリコンであり、ハンドル・ウエハ１０はシリコン・ウ
エハである。当業者はわかっているであろうが、かかる
接合型素子ウエハ３０のＴＴＶは約１０μｍであるが、
５０μｍまでの値も異常ではない。この厚さのばらつき
は、素子ウエハ３０の主面３２と下面３４とが平行に表
現されていないこと、ならびに第１厚さ３６および第２
厚さ３８によって、図５に表わされている。したがっ
て、素子ウエハ３０は、約１０μｍのＴＴＶを有し、第
１厚さは例えば４０μｍ、第２厚さは例えば５０μｍで
ある。厚さ３６が複数の部分の中の第１部分３６を表わ
し、厚さ３８が第２部分３８を表わすとすると、ＬＡＰ
ＣＥプロセスの間、第２部分に選択加熱を施すことによ
り、第１部分よりもエッチング速度を高くすることは、
当業者には理解されよう。この選択加熱は、２つの部分
の厚さが等しくなるまで維持されるので、非常に均一な
膜厚が得られる。
【００２６】図６は、レーザ補助プラズマ化学エッチン
グ・プロセス(ＬＡＰＣＥ)を表わすブロック図である。
素子ウエハ３０（図５参照）の主面上の複数の部分の各
々において初期厚さ１００を測定し、厚さおよび位置デ
ータから成る厚さ輪郭マップ１２０を測定値から作成す
る。初期厚さ１００は素子３０（図５参照）の最大の厚
さにて測定してもよいが、典型的に、機械的研削または
化学機械的研磨のような補助薄層化工程を実行して、素
子ウエハ３０（図５参照）を、所定の最終厚さ２００に
近い初期厚さ１００にする。素子ウエハ３０（図５参
照）の初期厚さ１００は、前述のように、単体の測定お
よび厚さ輪郭発生システム、またはこの機能を有しＬＡ
ＰＣＥシステムに一体化されたモデュールのいずれかに
よって、素子ウエハ３０（図５参照）の主面上の複数の
部分の各々において測定可能である。初期厚さ１００を
測定する毎に、位置基準１１０も発生する。したがっ
て、初期厚さ１００と位置基準１１０とが、素子ウエハ
３０の主面上の複数の部分の各々について発生され、厚
さ輪郭マップ１２０がそれらから生成される。
グ・プロセス(ＬＡＰＣＥ)を表わすブロック図である。
素子ウエハ３０（図５参照）の主面上の複数の部分の各
々において初期厚さ１００を測定し、厚さおよび位置デ
ータから成る厚さ輪郭マップ１２０を測定値から作成す
る。初期厚さ１００は素子３０（図５参照）の最大の厚
さにて測定してもよいが、典型的に、機械的研削または
化学機械的研磨のような補助薄層化工程を実行して、素
子ウエハ３０（図５参照）を、所定の最終厚さ２００に
近い初期厚さ１００にする。素子ウエハ３０（図５参
照）の初期厚さ１００は、前述のように、単体の測定お
よび厚さ輪郭発生システム、またはこの機能を有しＬＡ
ＰＣＥシステムに一体化されたモデュールのいずれかに
よって、素子ウエハ３０（図５参照）の主面上の複数の
部分の各々において測定可能である。初期厚さ１００を
測定する毎に、位置基準１１０も発生する。したがっ
て、初期厚さ１００と位置基準１１０とが、素子ウエハ
３０の主面上の複数の部分の各々について発生され、厚
さ輪郭マップ１２０がそれらから生成される。
【００２７】一旦厚さ輪郭マップ１２０が作成されれ
ば、加熱特性生成コンピュータ８５に転送され、これか
ら加熱特性マップ１３０が生成され、レーザ位置制御部
７２を制御するために用いられる。図３および図４に表
わされた本発明の実施例は、動的に制御されるエッチン
グ・プロセスであることを、当業者は認めよう。各実施
例は、加熱特性マップ１３０の動的更新を必要とする。
したがって、再び図６を参照して、矢印１５０は、先に
述べたような動的に制御されるプロセスから成る加熱特
性マップ１３０の反復フィードバックおよび再計算を表
わす。
ば、加熱特性生成コンピュータ８５に転送され、これか
ら加熱特性マップ１３０が生成され、レーザ位置制御部
７２を制御するために用いられる。図３および図４に表
わされた本発明の実施例は、動的に制御されるエッチン
グ・プロセスであることを、当業者は認めよう。各実施
例は、加熱特性マップ１３０の動的更新を必要とする。
したがって、再び図６を参照して、矢印１５０は、先に
述べたような動的に制御されるプロセスから成る加熱特
性マップ１３０の反復フィードバックおよび再計算を表
わす。
【００２８】ここに至って、これまでに提示した説明お
よび図から、新規なレーザ補助プラズマ化学エッチング
装置および方法が記載されたことは認められよう。本発
明は、非常に均一で薄い高品質の半導体層を提供するこ
とができ、動的フィードバック・ループを有する、半導
体基板４０（図１参照）薄層化装置および方法の双方を
提供する。従来技術の機械的または化学機械的処理と比
較すると、最終的な厚さの制御、ＴＴＶ、および表面品
質全てにおいて改善を得ることができる。従来技術のエ
ッチング技術に関して、エッチングの間プロセス・チャ
ンバ内から機械的運動を除去すること、加熱特性マップ
を動的に更新すること、および損傷の少ない下流エッチ
ングを用いることは全て、より高い品質およびプロセス
制御に寄与するものである。加えて、従来技術のエッチ
ング技術の走査封じ込み(scanning confined)プラズマ
とは異なり、いつでもウエハ全体をエッチングすること
ができるので、スループットを向上させ、その結果コス
トの低減を図ることができる。最後に、従来技術のエッ
チング技術と比較して、表面の非常に小さい部分を規定
することができるので、スループットまたは層の表面品
質を犠牲にすることなく、膜の均一性を飛躍的に改善す
ることができる。
よび図から、新規なレーザ補助プラズマ化学エッチング
装置および方法が記載されたことは認められよう。本発
明は、非常に均一で薄い高品質の半導体層を提供するこ
とができ、動的フィードバック・ループを有する、半導
体基板４０（図１参照）薄層化装置および方法の双方を
提供する。従来技術の機械的または化学機械的処理と比
較すると、最終的な厚さの制御、ＴＴＶ、および表面品
質全てにおいて改善を得ることができる。従来技術のエ
ッチング技術に関して、エッチングの間プロセス・チャ
ンバ内から機械的運動を除去すること、加熱特性マップ
を動的に更新すること、および損傷の少ない下流エッチ
ングを用いることは全て、より高い品質およびプロセス
制御に寄与するものである。加えて、従来技術のエッチ
ング技術の走査封じ込み(scanning confined)プラズマ
とは異なり、いつでもウエハ全体をエッチングすること
ができるので、スループットを向上させ、その結果コス
トの低減を図ることができる。最後に、従来技術のエッ
チング技術と比較して、表面の非常に小さい部分を規定
することができるので、スループットまたは層の表面品
質を犠牲にすることなく、膜の均一性を飛躍的に改善す
ることができる。
【図１】レーザ補助プラズマ化学エッチング(ＬＡＰＣ
Ｅ)システムの一部を示す構成図。
Ｅ)システムの一部を示す構成図。
【図２】ＬＡＰＣＥのレーザ走査部の一実施例を示す構
成図。
成図。
【図３】ＬＡＰＣＥチャンバのレーザ走査部の他の実施
例を示す構成図。
例を示す構成図。
【図４】ＬＡＰＣＥチャンバのレーザ走査部の他の実施
例を示す概略図。
例を示す概略図。
【図５】半導体基板を高倍率に拡大して示す断面図。
【図６】ＬＡＰＣＥプロセスの主要工程を示すブロック
図。
図。
５ＬＡＰＣＥシステム １０ ハンドル・ウエハ ２０ 誘電体層 ３０ 素子ウエハ ４０ 絶縁物上シリコン（ＳＯＩ）基板 ５０ エッチング・チャンバ ５２ チャック ５３ 入力ポート ５４ 透明窓 ５５ 出力ポート ５８ レーザ走査部 ６０ 真空発生装置 ７０ 加熱装置 ７２ 位置制御部 ７４ 温度測定装置 ７６ 厚さ測定装置 ７８ エッチング速度計算コンピュータ ８０ システム制御コンピュータ ８５ 基板加熱特性生成コンピュータ １２０ 厚さ輪郭マップ １３０ 加熱特性マップ
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板（４０）から物質を除去して前
記半導体基板（４０）を薄層化および平滑化する方法で
あって：前記半導体基板（４０）の厚さの均一性を測定
する段階；エッチング・チャンバ（５０）内に前記半導
体基板（４０）を配置する段階；前記半導体基板（４
０）の局所部分に選択加熱を施し、前記半導体基板（４
０）においてより厚い局所部分を薄い局所部分よりも高
い温度にする段階；および前記半導体基板（４０）を所
定の厚さにエッチングする段階；から成ることを特徴と
する方法。 - 【請求項２】薄く均一な素子ウエハを生成する方法であ
って：主面（３２）を有する素子ウエハ（３０）に結合
されたハンドル・ウエハ（１０）を含むウエハ基板（４
０）を、エッチング・チャンバ内に用意する段階；前記
主面（３２）の複数の部分において、前記素子ウエハ
（３０）の初期厚さを測定する段階；前記主面（３２）
におけるより厚い部分を、前記主面（３２）におけるよ
り薄い部分よりも高い温度に加熱する段階；前記主面
（３２）におけるより厚い部分のエッチング速度を、前
記主面（３２）のより薄い部分のエッチング速度よりも
高くして、前記素子ウエハ（３０）の前記主面（３２）
をエッチングする段階；複数の部分において、前記素子
ウエハ（３０）の厚さを測定する段階；前記複数の部分
について、エッチング速度を計算する段階；加熱特性マ
ップ（１３０）を計算する段階であって、前記加熱特性
マップ（１３０）を、前記複数の部分に対する厚さおよ
びエッチング速度データにより決定する段階；前記複数
の部分を、前記加熱特性マップ（１３０）により決定さ
れた温度に加熱する段階；および前記素子ウエハ（３
０）が所定の厚さになるまで、前記エッチング、測定、
計算、および加熱する段階を繰り返す段階；から成るこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項３】極度に薄く均一な素子ウエハを生成する装
置であって：少なくとも１つの透明窓（５４）を更に含
む下流プラズマ・エッチ反応炉（５０）；温度制御チャ
ック（５２）であって、前記少なくとも１つの透明窓
（５４）の視線に直接入るように半導体基板（４０）を
支持する前記温度制御チャック（５２）；機械的位置制
御部（７２）を含む選択加熱装置（７０）であって、前
記位置制御部（７２）は前記加熱装置（７０）が前記少
なくとも１つの透明窓（５４）を介して前記複数の部分
を走査する、前記選択加熱装置（７０）；前記少なくと
も１つの透明窓（５４）を介してウエハ基板（４０）の
複数の部分の厚さを測定する、厚さ測定装置（７６）；
および前記位置制御装置（７２）により読みとられる加
熱特性マップ（１３０）を計算処理する前記加熱特性生
成コンピュータ（８５）；から成ることを特徴とする装
置。
Applications Claiming Priority (2)
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| US432556 | 1995-05-01 | ||
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