JPH05190499A - エッチング装置および半導体基板の製造方法 - Google Patents
エッチング装置および半導体基板の製造方法Info
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- JPH05190499A JPH05190499A JP4003672A JP367292A JPH05190499A JP H05190499 A JPH05190499 A JP H05190499A JP 4003672 A JP4003672 A JP 4003672A JP 367292 A JP367292 A JP 367292A JP H05190499 A JPH05190499 A JP H05190499A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】所望厚さで、かつ、厚さばらつきが極めて少な
い半導体層をもった多層構造半導体基板を製造する。 【構成】膜厚測定器により帰還制御され、かつ、プラズ
マ引出し窓でエッチング領域を制御されたガスエッチン
グ装置、およびこの装置により厚さばらつきをもつ半導
体層を均一層厚化する。 【効果】半導体層厚の制御性の悪さをその層厚分布に従
って帰還制御しながら修正できるので層厚分布を格段に
改善できる。
い半導体層をもった多層構造半導体基板を製造する。 【構成】膜厚測定器により帰還制御され、かつ、プラズ
マ引出し窓でエッチング領域を制御されたガスエッチン
グ装置、およびこの装置により厚さばらつきをもつ半導
体層を均一層厚化する。 【効果】半導体層厚の制御性の悪さをその層厚分布に従
って帰還制御しながら修正できるので層厚分布を格段に
改善できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複数の半導体層または絶
縁膜の重ね合わせ構造よりなる半導体基板の製造方法お
よびその製造装置に係り、特に、その主表面を構成する
半導体層の層厚均一化に優れた半導体基板の製造方法お
よびその製造装置に関する。
縁膜の重ね合わせ構造よりなる半導体基板の製造方法お
よびその製造装置に係り、特に、その主表面を構成する
半導体層の層厚均一化に優れた半導体基板の製造方法お
よびその製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に絶縁膜及び半導体層が構
成された多層構造半導体基板は、いわゆる、ＳＯＩ（シ
リコン・オン・インシュレータ；Silicon on insulato
r）として公知であり、その製造方法に関しても種々の
手法が提案されている。ＳＯＩ構造において、二枚のウ
エハを接着剤なしで直接貼合せてから片面を機械研磨で
薄化する、いわゆる、直接貼合せ法はＳＯＩ層の結晶性
に優れていることから最も実用的とされている。直接貼
合せによるＳＯＩ構造の最大の欠点はＳＯＩ層厚の制御
性が悪いことであり、現状で±０.５μｍ 程度の制御性
である。
成された多層構造半導体基板は、いわゆる、ＳＯＩ（シ
リコン・オン・インシュレータ；Silicon on insulato
r）として公知であり、その製造方法に関しても種々の
手法が提案されている。ＳＯＩ構造において、二枚のウ
エハを接着剤なしで直接貼合せてから片面を機械研磨で
薄化する、いわゆる、直接貼合せ法はＳＯＩ層の結晶性
に優れていることから最も実用的とされている。直接貼
合せによるＳＯＩ構造の最大の欠点はＳＯＩ層厚の制御
性が悪いことであり、現状で±０.５μｍ 程度の制御性
である。
【０００３】このＳＯＩ層厚の制御性はＳＯＩ層の薄化
工程、特に、機械研削の精度に大きく左右される。ＳＯ
Ｉ層厚の制御は半導体基板厚さの測定に基づいている。
工程、特に、機械研削の精度に大きく左右される。ＳＯ
Ｉ層厚の制御は半導体基板厚さの測定に基づいている。
【０００４】±０.５μｍ なる精度は研削前における半
導体基板全体厚さの約１／１０００と極めて高精度の値
にも係らず半導体装置としての要求は±０.１μｍ 以下
と更に高精度のＳＯＩ膜厚分布が要求されている。この
要求を満たすため、ＳＯＩ層厚制御の基準を半導体基板
全体厚さではなく貼合せ面又はそれに近似した面からの
厚さとする必要がある。
導体基板全体厚さの約１／１０００と極めて高精度の値
にも係らず半導体装置としての要求は±０.１μｍ 以下
と更に高精度のＳＯＩ膜厚分布が要求されている。この
要求を満たすため、ＳＯＩ層厚制御の基準を半導体基板
全体厚さではなく貼合せ面又はそれに近似した面からの
厚さとする必要がある。
【０００５】この観点の下に機械研削と機械的・化学的
研磨で薄化したＳＯＩ層の層厚分布を予め測定し、測定
結果に基づき厚い部分のみを局所的に再度研磨する手法
も知られている。しかし、この手法では局所研磨領域以
外の領域も化学研磨液のためエッチングが進み、特に表
面粗さが悪くなる欠点が生じる。また他の欠点として局
所研磨中は半導体基板上には化学研磨液が存在するため
研磨装置内でＳＯＩ層厚を測定し、その測定結果に基づ
いて研磨を帰還制御することができない。即ち、半導体
基板を一度研磨装置より取り出してＳＯＩ層厚を別途層
厚測定装置に導入し、測定してから再び研磨装置に装着
し直さねばならず、装着による研磨特性の変動の影響を
避けることができない。
研磨で薄化したＳＯＩ層の層厚分布を予め測定し、測定
結果に基づき厚い部分のみを局所的に再度研磨する手法
も知られている。しかし、この手法では局所研磨領域以
外の領域も化学研磨液のためエッチングが進み、特に表
面粗さが悪くなる欠点が生じる。また他の欠点として局
所研磨中は半導体基板上には化学研磨液が存在するため
研磨装置内でＳＯＩ層厚を測定し、その測定結果に基づ
いて研磨を帰還制御することができない。即ち、半導体
基板を一度研磨装置より取り出してＳＯＩ層厚を別途層
厚測定装置に導入し、測定してから再び研磨装置に装着
し直さねばならず、装着による研磨特性の変動の影響を
避けることができない。
【０００６】一方、従来のガスプラズマによるエッチン
グ装置ではエッチングの均一性を高める手段として被エ
ッチング基板面積に比べてプラズマ引出し窓の面積を十
分大きくすることにより被エッチング基板に入射される
プラズマ密度を均一化することに努めてきた。従って、
元から層厚分布が存在する基板に対して従来のガスエッ
チング装置ではその層厚分布を解消させることは不可能
であった。
グ装置ではエッチングの均一性を高める手段として被エ
ッチング基板面積に比べてプラズマ引出し窓の面積を十
分大きくすることにより被エッチング基板に入射される
プラズマ密度を均一化することに努めてきた。従って、
元から層厚分布が存在する基板に対して従来のガスエッ
チング装置ではその層厚分布を解消させることは不可能
であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は従来手
法に基づく半導体基板、特に二枚の半導体基板を貼合せ
た多層基板における半導体層の層厚制御に関し、半導体
層薄化装置内で半導体層厚分布を測定しつつその結果を
局所薄化に帰還制御させ、半導体層厚分布を均一化する
ことにある。
法に基づく半導体基板、特に二枚の半導体基板を貼合せ
た多層基板における半導体層の層厚制御に関し、半導体
層薄化装置内で半導体層厚分布を測定しつつその結果を
局所薄化に帰還制御させ、半導体層厚分布を均一化する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では半導体層の薄化手段として従来のガスエッ
チング装置の概念とまったく反対の概念を導入し、被エ
ッチング基板面積に比べて十分に小さな所望直径のプロ
ーブによるガスエッチングを導入する。さらに、このエ
ッチング装置に組み込まれた光学的手段による半導体層
厚測定装置でエッチング量を帰還制御する。ガスエッチ
ング法としては低真空雰囲気で形成させたプラズマを利
用するもの、方向性をもつイオン照射によるもの、が利
用可能であるが、加工すべき半導体層への損傷を低減す
る観点にたてばプラズマによる局所エッチング法が望ま
しい。なお、プラズマジェットにより大気中に噴出させ
たプラズマプローブを用いることにより大気圧雰囲気で
の局所エッチングと光学的手段による半導体層厚測定装
置を組み合わせたエッチング帰還制御方法も本発明の目
的を達成するのには有効である。
に本発明では半導体層の薄化手段として従来のガスエッ
チング装置の概念とまったく反対の概念を導入し、被エ
ッチング基板面積に比べて十分に小さな所望直径のプロ
ーブによるガスエッチングを導入する。さらに、このエ
ッチング装置に組み込まれた光学的手段による半導体層
厚測定装置でエッチング量を帰還制御する。ガスエッチ
ング法としては低真空雰囲気で形成させたプラズマを利
用するもの、方向性をもつイオン照射によるもの、が利
用可能であるが、加工すべき半導体層への損傷を低減す
る観点にたてばプラズマによる局所エッチング法が望ま
しい。なお、プラズマジェットにより大気中に噴出させ
たプラズマプローブを用いることにより大気圧雰囲気で
の局所エッチングと光学的手段による半導体層厚測定装
置を組み合わせたエッチング帰還制御方法も本発明の目
的を達成するのには有効である。
【０００９】
【作用】機械的研磨法による局所的研磨では研磨面積の
設定は研磨治具で決定され、所望により研磨面積を変更
する場合は設定面積よりさらに微小面積の研磨治具によ
り複数回研磨を施すことにより所望領域の薄化を実施す
ることができる。しかし研磨治具面積の微細化は研磨時
間の増加をもたらし、生産効率を損なう欠点がある。ま
た機械的研磨法では通常、研磨液を用いるため研磨中は
半導体基板表面は研磨液で覆われており研磨すべき半導
体層の層厚を研磨装置内で正確に測定することは極めて
困難であり、研磨液を除去して別途層厚を測定する必要
があった。研磨による半導体基板の損傷を抑えるため、
化学的・機械的研磨法を用いることもよく行われてい
る。この場合、研磨が施されている局所領域以外の領域
も研磨液で覆われているため化学的研磨液による研磨領
域以外での制御外のエッチングの進行により半導体層厚
のばらつきの増加や表面粗さの増大等の欠点が生じる。
設定は研磨治具で決定され、所望により研磨面積を変更
する場合は設定面積よりさらに微小面積の研磨治具によ
り複数回研磨を施すことにより所望領域の薄化を実施す
ることができる。しかし研磨治具面積の微細化は研磨時
間の増加をもたらし、生産効率を損なう欠点がある。ま
た機械的研磨法では通常、研磨液を用いるため研磨中は
半導体基板表面は研磨液で覆われており研磨すべき半導
体層の層厚を研磨装置内で正確に測定することは極めて
困難であり、研磨液を除去して別途層厚を測定する必要
があった。研磨による半導体基板の損傷を抑えるため、
化学的・機械的研磨法を用いることもよく行われてい
る。この場合、研磨が施されている局所領域以外の領域
も研磨液で覆われているため化学的研磨液による研磨領
域以外での制御外のエッチングの進行により半導体層厚
のばらつきの増加や表面粗さの増大等の欠点が生じる。
【００１０】一方、本発明では局所研磨法としてガスエ
ッチを用いる。従ってエッチング面積の制御はプラズマ
またはイオン密度の制御などで対処できるため試料位
置，ガス圧、または収束用磁石などを電気的に制御すれ
ばよい。即ち、電気的に制御可能であり、機械的研磨法
による局所研磨に比べて研磨面積の変更が瞬時にでき、
制御性で格段に優位である。また、ガスエッチの場合、
研磨領域以外に対してなんの影響も与えない。本発明
で、エッチング雰囲気は真空、または大気であり半導体
層の層厚測定をエッチング装置内で行うことに何の問題
もない。エッチング中に層厚を同時に測定することも可
能であり、従って、層厚測定結果によるエッチング量お
よびエッチング領域の帰還制御も可能である。
ッチを用いる。従ってエッチング面積の制御はプラズマ
またはイオン密度の制御などで対処できるため試料位
置，ガス圧、または収束用磁石などを電気的に制御すれ
ばよい。即ち、電気的に制御可能であり、機械的研磨法
による局所研磨に比べて研磨面積の変更が瞬時にでき、
制御性で格段に優位である。また、ガスエッチの場合、
研磨領域以外に対してなんの影響も与えない。本発明
で、エッチング雰囲気は真空、または大気であり半導体
層の層厚測定をエッチング装置内で行うことに何の問題
もない。エッチング中に層厚を同時に測定することも可
能であり、従って、層厚測定結果によるエッチング量お
よびエッチング領域の帰還制御も可能である。
【００１１】
〈実施例１〉図１は本発明によるエッチング装置を模式
的に示す断面図である。図において、２.４５ＧＨｚ の
マイクロ波で励起された電子サイクロトロン共鳴（以下
ECR：Electron Cyclotorn Resonanceと略記する）によ
るプラズマを直径５mmの石英製プラズマ引出し窓２より
試料室１に導入した。試料室１は排気系および反応ガス
導入系に接続されている。局所エッチングすべき半導体
層４と絶縁膜５および支持基板３よりなる半導体基板３
０は所望エッチング領域をプラズマ引出し窓２直下に制
御する試料台６上に設置されている。試料台６は水平面
（Ｘ，Ｙ）および高さＺ方向の所望位置に移動するよう
に試料室１外部の基板位置制御装置に接続されている。
エッチング領域の制御は試料台６の高さ、すなわち、半
導体基板３０とプラズマ引出し窓２間の距離を制御して
行った。所望時間の局所エッチングを施したのち、半導
体基板３０は膜厚測定器の直下Ａの位置に移動され、エ
ッチング量を測定した。測定結果に基づき半導体層４の
設計膜厚より厚い領域部分のみに再び局所エッチングを
施し、半導体基板３０全面において所望膜厚の半導体層
４を得た。なお、局所エッチングは真空度０.００２Tor
r 、エッチングガスとして六フッ化硫黄（ＳＦ６）、最
大エッチング速度０.５μｍ ／分の条件で行った。
的に示す断面図である。図において、２.４５ＧＨｚ の
マイクロ波で励起された電子サイクロトロン共鳴（以下
ECR：Electron Cyclotorn Resonanceと略記する）によ
るプラズマを直径５mmの石英製プラズマ引出し窓２より
試料室１に導入した。試料室１は排気系および反応ガス
導入系に接続されている。局所エッチングすべき半導体
層４と絶縁膜５および支持基板３よりなる半導体基板３
０は所望エッチング領域をプラズマ引出し窓２直下に制
御する試料台６上に設置されている。試料台６は水平面
（Ｘ，Ｙ）および高さＺ方向の所望位置に移動するよう
に試料室１外部の基板位置制御装置に接続されている。
エッチング領域の制御は試料台６の高さ、すなわち、半
導体基板３０とプラズマ引出し窓２間の距離を制御して
行った。所望時間の局所エッチングを施したのち、半導
体基板３０は膜厚測定器の直下Ａの位置に移動され、エ
ッチング量を測定した。測定結果に基づき半導体層４の
設計膜厚より厚い領域部分のみに再び局所エッチングを
施し、半導体基板３０全面において所望膜厚の半導体層
４を得た。なお、局所エッチングは真空度０.００２Tor
r 、エッチングガスとして六フッ化硫黄（ＳＦ６）、最
大エッチング速度０.５μｍ ／分の条件で行った。
【００１２】本発明では支持基板３および絶縁膜５上の
半導体層４の層厚が２±０.５μｍなる市販の貼合せ半
導体基板を用いて、局所エッチングを施したが、半導体
層４の層厚として１±０.０５μｍ と層厚分布を十倍に
まで改善することができた。さらに、本実施例の半導体
製造装置により製造した半導体基板につき半導体層４の
結晶性をジルトルエッチと称される欠陥検出法により検
査したが、通常の単結晶基板と何ら違いがなく結晶性に
関し、問題点は見出し得なかった。
半導体層４の層厚が２±０.５μｍなる市販の貼合せ半
導体基板を用いて、局所エッチングを施したが、半導体
層４の層厚として１±０.０５μｍ と層厚分布を十倍に
まで改善することができた。さらに、本実施例の半導体
製造装置により製造した半導体基板につき半導体層４の
結晶性をジルトルエッチと称される欠陥検出法により検
査したが、通常の単結晶基板と何ら違いがなく結晶性に
関し、問題点は見出し得なかった。
【００１３】〈実施例２〉本実施例では実施例１におけ
るＥＣＲプラズマエッチングの代りに高周波プラズマを
用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion
Etchingと略記する）により局所エッチングを施した。
試料室１の真空度は０.０２Torr 、エッチングガスには
臭化水素（ＨＢｒ）を用いた。最大エッチング速度はお
よそ０.１μｍ／分であった。本実施例ではイオンの垂
直入射によって反応が生じるのでプラズマ引出し窓の微
細化による高精度の局所エッチングが実現できた。半導
体層４の層厚としては１±０.０５μｍ と前記実施例１
と同程度の制御性であった。
るＥＣＲプラズマエッチングの代りに高周波プラズマを
用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion
Etchingと略記する）により局所エッチングを施した。
試料室１の真空度は０.０２Torr 、エッチングガスには
臭化水素（ＨＢｒ）を用いた。最大エッチング速度はお
よそ０.１μｍ／分であった。本実施例ではイオンの垂
直入射によって反応が生じるのでプラズマ引出し窓の微
細化による高精度の局所エッチングが実現できた。半導
体層４の層厚としては１±０.０５μｍ と前記実施例１
と同程度の制御性であった。
【００１４】本実施例に基づく半導体製造装置により製
造した半導体基板３０で、さらに機械的・化学的研磨法
により最終研磨を施した。最終研磨によっては半導体層
４の層厚はほとんど減少せず、表面粗さが改善された。
即ち、最終研磨を施す前の表面粗さは二乗平均で０.８
ｎｍであったものが０.３ｎｍにまで改善された。最終
研磨において、機械的研磨成分を強めることにより二乗
平均粗さは０.５ｎｍ 以下にまで改善できる。本方法に
基づいた半導体基板３０の半導体層４に８０ｎｍ厚の熱
酸化シリコン酸化膜を形成し、その絶縁耐圧を測定した
が、二乗平均粗さが０.５ｎｍ 以下の超平坦半導体層に
形成した絶縁耐圧はその分布も小さく、１０7Ｖ／cm以
上と絶対値も大きな値を示した。一方、二乗平均粗さが
０.６ｎｍ以上と表面粗さが劣る半導体層４に関しては
絶縁耐圧に大きなばらつきが生じる結果となった。
造した半導体基板３０で、さらに機械的・化学的研磨法
により最終研磨を施した。最終研磨によっては半導体層
４の層厚はほとんど減少せず、表面粗さが改善された。
即ち、最終研磨を施す前の表面粗さは二乗平均で０.８
ｎｍであったものが０.３ｎｍにまで改善された。最終
研磨において、機械的研磨成分を強めることにより二乗
平均粗さは０.５ｎｍ 以下にまで改善できる。本方法に
基づいた半導体基板３０の半導体層４に８０ｎｍ厚の熱
酸化シリコン酸化膜を形成し、その絶縁耐圧を測定した
が、二乗平均粗さが０.５ｎｍ 以下の超平坦半導体層に
形成した絶縁耐圧はその分布も小さく、１０7Ｖ／cm以
上と絶対値も大きな値を示した。一方、二乗平均粗さが
０.６ｎｍ以上と表面粗さが劣る半導体層４に関しては
絶縁耐圧に大きなばらつきが生じる結果となった。
【００１５】〈実施例３〉図２は本発明による他のエッ
チング装置を模式的に示す断面図である。図において、
局所エッチング法として高周波プラズマによるスパッタ
エッチングを用いた。また局所エッチング中にレーザ光
を用いた偏光膜厚測定器(エリプソメータ)によりエッチ
ング領域の半導体層厚４を連続的に測定した。なお、エ
リプソメータ測定においてはプラズマ光の影響を避ける
ため試料室へのレーザ光の入射がパルス的になるように
設定し、それに同期させて測定するいわゆるロックイン
方式を用いた。機械研磨により半導体層４の層厚が２±
０.５μｍ であった市販の貼合せ半導体基板３０に対し
て本実施例のエッチング装置により層厚が厚い領域に局
所エッチングを施し、全面での層厚均一性を高めるべく
帰還制御した。その結果、半導体層４の層厚として０.
５±０.０５μｍと層厚分布を十倍にまで改善すること
ができた。
チング装置を模式的に示す断面図である。図において、
局所エッチング法として高周波プラズマによるスパッタ
エッチングを用いた。また局所エッチング中にレーザ光
を用いた偏光膜厚測定器(エリプソメータ)によりエッチ
ング領域の半導体層厚４を連続的に測定した。なお、エ
リプソメータ測定においてはプラズマ光の影響を避ける
ため試料室へのレーザ光の入射がパルス的になるように
設定し、それに同期させて測定するいわゆるロックイン
方式を用いた。機械研磨により半導体層４の層厚が２±
０.５μｍ であった市販の貼合せ半導体基板３０に対し
て本実施例のエッチング装置により層厚が厚い領域に局
所エッチングを施し、全面での層厚均一性を高めるべく
帰還制御した。その結果、半導体層４の層厚として０.
５±０.０５μｍと層厚分布を十倍にまで改善すること
ができた。
【００１６】半導体基板３０の結晶性をジルトルエッチ
液により評価したところ、１０4 個／cm2のエッチピッ
トがみられ、結晶性に問題があることがわかった。局所
エッチングを施した半導体基板に関し、６００℃の窒素
雰囲気で３０分熱処理を施し、その後、ジルトルエッチ
液により評価したところエッチピット数は数個となり、
通常の単結晶シリコン基板と同程度の結晶性にまで改善
されることがわかった。
液により評価したところ、１０4 個／cm2のエッチピッ
トがみられ、結晶性に問題があることがわかった。局所
エッチングを施した半導体基板に関し、６００℃の窒素
雰囲気で３０分熱処理を施し、その後、ジルトルエッチ
液により評価したところエッチピット数は数個となり、
通常の単結晶シリコン基板と同程度の結晶性にまで改善
されることがわかった。
【００１７】６００℃の熱処理を施した半導体基板に関
し、更に熱酸化法により約０.５μｍのシリコン酸化膜
を形成し、その酸化膜をフッ酸水溶液で除去することに
より層厚が０.２±０.０５μｍと極薄の半導体層４を絶
縁膜５上にもつ半導体基板を製造できた。なお、熱酸化
法の代りに機械研磨法を用いて極薄半導体層を製造して
もなんら問題はない。
し、更に熱酸化法により約０.５μｍのシリコン酸化膜
を形成し、その酸化膜をフッ酸水溶液で除去することに
より層厚が０.２±０.０５μｍと極薄の半導体層４を絶
縁膜５上にもつ半導体基板を製造できた。なお、熱酸化
法の代りに機械研磨法を用いて極薄半導体層を製造して
もなんら問題はない。
【００１８】本実施例では説明の都合上局所エッチング
法としてＲＩＥ法について記載したが局所エッチング法
はプラズマをビーム状に大気中に発射するいわゆるプラ
ズマジェットと称される方法によってもなんらさしつか
えない。
法としてＲＩＥ法について記載したが局所エッチング法
はプラズマをビーム状に大気中に発射するいわゆるプラ
ズマジェットと称される方法によってもなんらさしつか
えない。
【００１９】さらに実施例１から実施例３において、説
明の都合上局所エッチングにより半導体層厚を制御する
半導体基板としていわゆる、ＳＯＩ基板について記載し
たが、半導体基板は絶縁膜５が介在されず、異種半導体
基板の貼合せよりなる多層構造半導体基板であってもな
んらさしつかえない。また、本発明は半導体基板の局所
エッチングについて記載したが、半導体基板以外の任意
材料基板、例えば、ガラス基板，セラミック基板などに
対しても適用できる。
明の都合上局所エッチングにより半導体層厚を制御する
半導体基板としていわゆる、ＳＯＩ基板について記載し
たが、半導体基板は絶縁膜５が介在されず、異種半導体
基板の貼合せよりなる多層構造半導体基板であってもな
んらさしつかえない。また、本発明は半導体基板の局所
エッチングについて記載したが、半導体基板以外の任意
材料基板、例えば、ガラス基板，セラミック基板などに
対しても適用できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、従来のウエハ貼合せＳ
ＯＩ基板の最大の欠点であった半導体層厚の制御性の悪
さをその層厚分布に従い帰還制御しながら修正できるの
で層厚分布を格段に改善される。特に、半導体層厚分布
の前歴によらずいかなる多層構造半導体基板に関しても
その層厚分布を低減することができる。
ＯＩ基板の最大の欠点であった半導体層厚の制御性の悪
さをその層厚分布に従い帰還制御しながら修正できるの
で層厚分布を格段に改善される。特に、半導体層厚分布
の前歴によらずいかなる多層構造半導体基板に関しても
その層厚分布を低減することができる。
【図１】本発明の一実施例のエッチング装置を示す断面
図。
図。
【図２】本発明の他の実施例のエッチング装置を示す断
面図。
面図。
１…試料室、２…プラズマ引出し窓、３…支持基板、４
…局所エッチングすべき半導体層、５…絶縁膜、６…試
料台。
…局所エッチングすべき半導体層、５…絶縁膜、６…試
料台。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/12 Ｚ 8728−4Ｍ
Claims (5)
- 【請求項１】ガスプラズマで基板表面をエッチングする
エッチング装置において、プラズマ発生領域からのプラ
ズマ引出し窓の開口面積が前記基板の面積よりも小さ
く、前記基板の表面を局所的にエッチングすることを特
徴とするエッチング装置。 - 【請求項２】半導体基板と半導体層と絶縁膜、または前
記半導体層との重ね合わせ構造よりなる半導体基板のエ
ッチング装置において、最上面層の層厚分布を予め測定
する工程，所望層厚より厚い領域を局所的にガスエッチ
ングする工程，エッチング中またはエッチング後に前記
最上面層の層厚分布を再び測定する工程，再び測定した
結果を帰還制御して局所ガスエッチングをする工程を同
一装置内で行うことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記ガスエッ
チングは電子サイクロトロン共鳴プラズマ雰囲気中で行
うエッチング装置。 - 【請求項４】半導体基板と半導体層と絶縁膜、または前
記半導体層との重ね合わせ構造よりなる半導体基板の製
造方法において、請求項１または２の前記半導体基板の
製造装置で製造する工程の前および後の工程で前記半導
体基板の全面を少なくとも機械的手段を含む研磨工程を
施す半導体基板の製造方法。 - 【請求項５】請求項４において、前記半導体基板の主表
面の平均二乗粗さが０.５ｎｍ 以下となるように製造す
る半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4003672A JPH05190499A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | エッチング装置および半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4003672A JPH05190499A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | エッチング装置および半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190499A true JPH05190499A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11563918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4003672A Pending JPH05190499A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | エッチング装置および半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190499A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004503064A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-01-29 | エピオン コーポレイション | ガスクラスターイオンビーム処理による薄膜を改良するためのシステムおよび方法 |
| JP2004235478A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 貼り合わせｓｏｉ基板およびその製造方法 |
| JP2010141193A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
| WO2019065847A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電基板の製造装置及び圧電基板の製造方法 |
| JP2021086991A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | スピードファム株式会社 | エッチング装置、およびエッチング方法 |
-
1992
- 1992-01-13 JP JP4003672A patent/JPH05190499A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004503064A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-01-29 | エピオン コーポレイション | ガスクラスターイオンビーム処理による薄膜を改良するためのシステムおよび方法 |
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| WO2019065847A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電基板の製造装置及び圧電基板の製造方法 |
| JP6547925B1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-07-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電基板の製造装置及び圧電基板の製造方法 |
| US11437566B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric substrate manufacturing device and piezoelectric substrate manufacturing method |
| JP2021086991A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | スピードファム株式会社 | エッチング装置、およびエッチング方法 |
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