JPH05160078A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH05160078A JPH05160078A JP3045325A JP4532591A JPH05160078A JP H05160078 A JPH05160078 A JP H05160078A JP 3045325 A JP3045325 A JP 3045325A JP 4532591 A JP4532591 A JP 4532591A JP H05160078 A JPH05160078 A JP H05160078A
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- Japan
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- gas
- etching
- chamber
- chf
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応性イオンエッチングにおける選択比（被
加工膜のエッチング速度／レジスト材のエッチング速
度）の向上を図るとともに、レジスト材の損傷を低減し
てレジスト残渣の発生を防止する。 【構成】 チャンバ１内の陰極側電極２ｂに被加工基板
３を保持し、真空状態にした後、ＣＨＦ3 ガスとＡｒガ
スを導入する。このとき、ＣＨＦ3 ガスとＡｒガスの流
量比は、１：５以上、好ましくは１：１０程度とし、ガ
ス導入後のチャンバ１内の圧力を０．３Ｐａ以下に保
つ。しかる後、高周波電力を印加してガスを放電させ
て、プラズマを発生させ、被加工膜のエッチングを行な
う。
加工膜のエッチング速度／レジスト材のエッチング速
度）の向上を図るとともに、レジスト材の損傷を低減し
てレジスト残渣の発生を防止する。 【構成】 チャンバ１内の陰極側電極２ｂに被加工基板
３を保持し、真空状態にした後、ＣＨＦ3 ガスとＡｒガ
スを導入する。このとき、ＣＨＦ3 ガスとＡｒガスの流
量比は、１：５以上、好ましくは１：１０程度とし、ガ
ス導入後のチャンバ１内の圧力を０．３Ｐａ以下に保
つ。しかる後、高周波電力を印加してガスを放電させ
て、プラズマを発生させ、被加工膜のエッチングを行な
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光集積回路等の
半導体装置を製造する際に行なわれるドライエッチング
方法に関するものである。
半導体装置を製造する際に行なわれるドライエッチング
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造における微細加工
の位置手段としてプラズマを用いる反応性イオンエッチ
ング技術が多用されている。この方法は、一対の電極
（例えば平行平板）を備える真空容器内に、被加工膜の
堆積された基板を配置して真空に引いた後、ハロゲン元
素等を含む反応性のガスを真空容器内に導入し、この反
応性ガスを高周波電力を印加して放電させ、発生したプ
ラズマを用いて被加工膜をエッチングする方法である。
の位置手段としてプラズマを用いる反応性イオンエッチ
ング技術が多用されている。この方法は、一対の電極
（例えば平行平板）を備える真空容器内に、被加工膜の
堆積された基板を配置して真空に引いた後、ハロゲン元
素等を含む反応性のガスを真空容器内に導入し、この反
応性ガスを高周波電力を印加して放電させ、発生したプ
ラズマを用いて被加工膜をエッチングする方法である。
【０００３】このエッチング方法によれば、プラズマ中
の各種粒子の内、イオンが電極表面のイオンシースに発
生する直流電場によって加速され、大きなエネルギーを
もって被加工膜を衝撃し、イオン促進化学反応を起こ
す。そのため、エッチングは、イオンの入射方向に進
み、アンダーカットのない異方性のエッチングが可能と
なる。
の各種粒子の内、イオンが電極表面のイオンシースに発
生する直流電場によって加速され、大きなエネルギーを
もって被加工膜を衝撃し、イオン促進化学反応を起こ
す。そのため、エッチングは、イオンの入射方向に進
み、アンダーカットのない異方性のエッチングが可能と
なる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の反応性イオンエッチングにおいては、イオン衝撃
によってあらゆる材料が励起又は活性化されるため、ラ
ジカルだけを利用するプラズマエッチングに比較する
と、物質固有の反応性の差がでにくく、一般に材料の違
いによるエッチング速度の差、即ち、選択比が小さいと
いう問題点がある。
従来の反応性イオンエッチングにおいては、イオン衝撃
によってあらゆる材料が励起又は活性化されるため、ラ
ジカルだけを利用するプラズマエッチングに比較する
と、物質固有の反応性の差がでにくく、一般に材料の違
いによるエッチング速度の差、即ち、選択比が小さいと
いう問題点がある。
【０００５】また、この種のエッチングでは、前述のイ
オン衝撃によりマスク材料が損傷を受け、後工程のマス
ク材料の剥離の際に残渣発生が避けられないという欠点
も存在している。
オン衝撃によりマスク材料が損傷を受け、後工程のマス
ク材料の剥離の際に残渣発生が避けられないという欠点
も存在している。
【０００６】例えば、従来の反応性イオンエッチングで
は、マスク材料であるフォトレジスト層（感光性樹脂）
に対する被加工膜（ガラス材等）の選択比も小さく、光
集積回路の構成要素である光導波路形成時に多くの障害
をきたし、設計通りアンダーカットのない、光導波性の
良好なパターンを得ることが困難となっていた。
は、マスク材料であるフォトレジスト層（感光性樹脂）
に対する被加工膜（ガラス材等）の選択比も小さく、光
集積回路の構成要素である光導波路形成時に多くの障害
をきたし、設計通りアンダーカットのない、光導波性の
良好なパターンを得ることが困難となっていた。
【０００７】この発明は、かかる点に鑑みてなされたも
のであり、アンダーカットのない矩形断面形状のパター
ンを効率良く形成でき、かつマスク材の残渣の発生も避
けることのできるドライエッチング方法を提供すること
を目的とするものである。
のであり、アンダーカットのない矩形断面形状のパター
ンを効率良く形成でき、かつマスク材の残渣の発生も避
けることのできるドライエッチング方法を提供すること
を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明においては、真空
容器内に配置された一対の電極の一方の電極上に被加工
試料を保持して前記真空容器内を真空状態にした後、前
記真空容器内に反応性ガスを流入させ、しかる後、前記
電極間に高周波電力を印加して前記反応性ガスをプラズ
マ放電させることにより、前記被加工試料のエッチング
を行なうにあたって、前記反応性ガスとしてＣＨx Ｆ
4-x 系ガス（但し、Ｘは３以下の自然数）を用い、該Ｃ
Ｈx Ｆ4-x 系ガスとともに不活性ガスを前記真空容器内
に流入させ、この際の前記ＣＨx Ｆ4-x 系ガスに対する
不活性ガスの流量比を１：５以上とし、更に、前記反応
性ガス及び前記不活性ガスを流入させた後の真空容器内
のガス圧を０．３Ｐａ以下に保持することをによって、
上記の課題を達成している。
容器内に配置された一対の電極の一方の電極上に被加工
試料を保持して前記真空容器内を真空状態にした後、前
記真空容器内に反応性ガスを流入させ、しかる後、前記
電極間に高周波電力を印加して前記反応性ガスをプラズ
マ放電させることにより、前記被加工試料のエッチング
を行なうにあたって、前記反応性ガスとしてＣＨx Ｆ
4-x 系ガス（但し、Ｘは３以下の自然数）を用い、該Ｃ
Ｈx Ｆ4-x 系ガスとともに不活性ガスを前記真空容器内
に流入させ、この際の前記ＣＨx Ｆ4-x 系ガスに対する
不活性ガスの流量比を１：５以上とし、更に、前記反応
性ガス及び前記不活性ガスを流入させた後の真空容器内
のガス圧を０．３Ｐａ以下に保持することをによって、
上記の課題を達成している。
【０００９】本発明で使用する反応性ガスとしては、具
体的にはＣＨＦ3ガスが最も好ましく、不活性ガスとし
てはＡｒガスを使用することが望ましい。
体的にはＣＨＦ3ガスが最も好ましく、不活性ガスとし
てはＡｒガスを使用することが望ましい。
【００１０】
【作用】本発明の方法においては、上述のように、真空
容器内のガス圧を０．３Ｐａ以下の低圧に保持してお
り、これにより、エッチング速度及び選択比の向上を図
っている。このガス圧は、従来、数Ｐａ〜１０Ｐａ程度
に設定されていたものであり、０．３Ｐａ以下という低
圧下では、安定してプラズマを発生させることができな
いと考えられていた。
容器内のガス圧を０．３Ｐａ以下の低圧に保持してお
り、これにより、エッチング速度及び選択比の向上を図
っている。このガス圧は、従来、数Ｐａ〜１０Ｐａ程度
に設定されていたものであり、０．３Ｐａ以下という低
圧下では、安定してプラズマを発生させることができな
いと考えられていた。
【００１１】このような状況下にあって、本願発明者ら
は、特定の反応性ガスと不活性ガス、特に好ましくは、
ＣＨＦ3 ガスとＡｒガス（以下、反応性ガスをＣＨＦ
3 ，不活性ガスをＡｒガスとして説明する）を使用し、
更に、両者の流量比をＣＨＦ3ガス１に対してとＡｒガ
ス５以上とすることで安定してプラズマを発生させるこ
とができ、この条件で選択比の向上を図ることができる
ことを見出し、本発明をなすに至った。
は、特定の反応性ガスと不活性ガス、特に好ましくは、
ＣＨＦ3 ガスとＡｒガス（以下、反応性ガスをＣＨＦ
3 ，不活性ガスをＡｒガスとして説明する）を使用し、
更に、両者の流量比をＣＨＦ3ガス１に対してとＡｒガ
ス５以上とすることで安定してプラズマを発生させるこ
とができ、この条件で選択比の向上を図ることができる
ことを見出し、本発明をなすに至った。
【００１２】図２（実施例で詳述）に示されるように、
ガス圧が低い程エッチング速度及び選択比が向上し、特
に選択比はガス圧を下げることによって上昇する。ガス
圧の下限については、特に臨界的に制限されるものでは
ないが、使用する装置によって定まる下限があることは
言うまでもない。
ガス圧が低い程エッチング速度及び選択比が向上し、特
に選択比はガス圧を下げることによって上昇する。ガス
圧の下限については、特に臨界的に制限されるものでは
ないが、使用する装置によって定まる下限があることは
言うまでもない。
【００１３】また、ＣＨＦ3 ガスとＡｒガスの流量比に
ついては、図３（実施例で詳述）に示されるように、
１：５〜１：１０の範囲で選択比が急激に向上し、１：
１０では３．５程度の高い選択比が達成される。選択比
については、従来は、１以下の場合も多々あり、アンダ
ーカットが生じてパターン断面が台形となっていたが、
選択比２程度でパターン断面形状が台形から矩形に近づ
き、選択比３．５ではほぼ完全な矩形断面形状のパター
ンが得られる。エッチング速度については、Ａｒガスの
割合が高くなるに伴って増大し、１：１０程度で飽和す
る。従って、ＣＨＦ3 ガスとＡｒガスの流量比は、１：
５以上、好ましくは、１：１０程度に設定すると良い。
ついては、図３（実施例で詳述）に示されるように、
１：５〜１：１０の範囲で選択比が急激に向上し、１：
１０では３．５程度の高い選択比が達成される。選択比
については、従来は、１以下の場合も多々あり、アンダ
ーカットが生じてパターン断面が台形となっていたが、
選択比２程度でパターン断面形状が台形から矩形に近づ
き、選択比３．５ではほぼ完全な矩形断面形状のパター
ンが得られる。エッチング速度については、Ａｒガスの
割合が高くなるに伴って増大し、１：１０程度で飽和す
る。従って、ＣＨＦ3 ガスとＡｒガスの流量比は、１：
５以上、好ましくは、１：１０程度に設定すると良い。
【００１４】また、ガスを放電させる際に印加する高周
波電力については、特に限定されるものでもないが、マ
スク材の損傷を防ぐ上では、４００Ｗ以下とすることが
望ましい。
波電力については、特に限定されるものでもないが、マ
スク材の損傷を防ぐ上では、４００Ｗ以下とすることが
望ましい。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の方法を光集積回路の導波路の
形成に適用した実施例について説明する。本実施例で
は、導波路として最も多用されている材料の一つである
バリウム硼珪酸ガラスのエッチングについて取り上げ
る。
形成に適用した実施例について説明する。本実施例で
は、導波路として最も多用されている材料の一つである
バリウム硼珪酸ガラスのエッチングについて取り上げ
る。
【００１６】まず、電気炉を用いて、洗浄したＳｉ基板
上に光導波路のバッファ層としての熱酸化皮膜（ＳｉＯ
2 膜）を形成する。その後、高周波スパッタ法によっ
て、該Ｓｉ／ＳｉＯ2 基板上に光導波路を形成するため
のバリウム硼珪酸ガラス層を堆積する。
上に光導波路のバッファ層としての熱酸化皮膜（ＳｉＯ
2 膜）を形成する。その後、高周波スパッタ法によっ
て、該Ｓｉ／ＳｉＯ2 基板上に光導波路を形成するため
のバリウム硼珪酸ガラス層を堆積する。
【００１７】次いで、一般のフォトリソグラフィ工程を
行なって、バリウム硼珪酸ガラス層の光導波路となる部
分をレジストで保護する。この際、使用するレジストは
高耐熱性のものが好ましい。更に、レジストをオーバー
キュアさせる等の手段によって、レジストの耐プラズマ
性を向上させておくことが望ましい。
行なって、バリウム硼珪酸ガラス層の光導波路となる部
分をレジストで保護する。この際、使用するレジストは
高耐熱性のものが好ましい。更に、レジストをオーバー
キュアさせる等の手段によって、レジストの耐プラズマ
性を向上させておくことが望ましい。
【００１８】しかる後、図１のような装置を用いて、バ
リウム硼珪酸ガラス層（被加工膜）の反応性イオンエッ
チングを行なう。図１において、チャンバ（真空容器）
１内には、一対の平行平板電極２ａ（陽極），２ｂ（陰
極）が配置されており、加工に際して、被加工基板３を
陰極側の電極２ｂ上に保持する。
リウム硼珪酸ガラス層（被加工膜）の反応性イオンエッ
チングを行なう。図１において、チャンバ（真空容器）
１内には、一対の平行平板電極２ａ（陽極），２ｂ（陰
極）が配置されており、加工に際して、被加工基板３を
陰極側の電極２ｂ上に保持する。
【００１９】そして、真空ポンプ５によってチャンバ１
内を真空状態にした後、ＣＨＦ3 ガス（反応性ガス）を
１ＳＣＣＭ、Ａｒガス（不活性ガス）を１０ＳＣＣＭの
流量（即ち、ＣＨＦ3 ：Ａｒ＝１：１０）で、チャンバ
１内に流入させる。この際、排気量を調節してチャンバ
１内の圧力を０．３Ｐａに保つ。
内を真空状態にした後、ＣＨＦ3 ガス（反応性ガス）を
１ＳＣＣＭ、Ａｒガス（不活性ガス）を１０ＳＣＣＭの
流量（即ち、ＣＨＦ3 ：Ａｒ＝１：１０）で、チャンバ
１内に流入させる。この際、排気量を調節してチャンバ
１内の圧力を０．３Ｐａに保つ。
【００２０】しかる後、高周波電源４によって電極２
ａ，２ｂ間に３００Ｗの高周波電力を印加し、チャンバ
１内のガス（ＣＨＦ3 ＋Ａｒ）を放電させ、プラズマを
発生させる。このとき、被加工基板３を保持している陰
極側の電極２ｂは、冷却ポンプ６からの冷却水によって
冷却しておく。
ａ，２ｂ間に３００Ｗの高周波電力を印加し、チャンバ
１内のガス（ＣＨＦ3 ＋Ａｒ）を放電させ、プラズマを
発生させる。このとき、被加工基板３を保持している陰
極側の電極２ｂは、冷却ポンプ６からの冷却水によって
冷却しておく。
【００２１】高周波電力の印加によって、次のような反
応が進行し、バリウム硼珪酸ガラス層のエッチングが行
なわれる。バリウム硼珪酸ガラス中のＢａＯ，Ａｌ2 Ｏ
3 については、Ａｒガスによるスパッタエッチングが行
なわれると考えられる。
応が進行し、バリウム硼珪酸ガラス層のエッチングが行
なわれる。バリウム硼珪酸ガラス中のＢａＯ，Ａｌ2 Ｏ
3 については、Ａｒガスによるスパッタエッチングが行
なわれると考えられる。
【００２２】
【化１】
【００２３】上記のようにして、被加工膜の厚さ（本実
施例では約０．３μｍ）に応じた時間だけエッチングを
行ない、不要部分のバリウム硼珪酸ガラスを除去した
後、酸素プラズマによって、レジストの剥離を行ない、
所望の光導波路を得る。
施例では約０．３μｍ）に応じた時間だけエッチングを
行ない、不要部分のバリウム硼珪酸ガラスを除去した
後、酸素プラズマによって、レジストの剥離を行ない、
所望の光導波路を得る。
【００２４】加工後の基板について、導波路断面形状を
電子顕微鏡で調べたところ、アンダーカットのないほぼ
完全な矩形形状となっていた。また、レジスト剥離の
際、残渣の発生も認められなかった。
電子顕微鏡で調べたところ、アンダーカットのないほぼ
完全な矩形形状となっていた。また、レジスト剥離の
際、残渣の発生も認められなかった。
【００２５】次に、ガス圧とエッチング速度及び選択比
の関係を調べた実験について説明する。上述の実施例と
同様の装置と被加工基板を用い、高周波電力を３００
Ｗ，ＣＨＦ3 ガスの流量を２ＳＣＣＭ，Ａｒガスの流量
を１０ＳＣＣＭに固定して、ガス導入後のチャンバ内の
圧力を変化させて、エッチング速度（ガラス層のエッチ
ング速度）と選択比（ガラス層のエッチング速度／レジ
スト層のエッチング速度）を測定した。この結果を図２
に示す。
の関係を調べた実験について説明する。上述の実施例と
同様の装置と被加工基板を用い、高周波電力を３００
Ｗ，ＣＨＦ3 ガスの流量を２ＳＣＣＭ，Ａｒガスの流量
を１０ＳＣＣＭに固定して、ガス導入後のチャンバ内の
圧力を変化させて、エッチング速度（ガラス層のエッチ
ング速度）と選択比（ガラス層のエッチング速度／レジ
スト層のエッチング速度）を測定した。この結果を図２
に示す。
【００２６】図に示されるように、ガス圧とエッチング
速度は逆比例の関係にあり、ガス圧が低くなる程エッチ
ング速度は増大し、〜０．３Ｐａで約４０Å／分のエッ
チング速度が得られている。また、選択比は、１．０Ｐ
Ａ程度ではガス圧による大差は生じないが、０．３Ｐａ
付近ではガス圧の低下に伴って急激に選択比が向上する
ことがわかる。
速度は逆比例の関係にあり、ガス圧が低くなる程エッチ
ング速度は増大し、〜０．３Ｐａで約４０Å／分のエッ
チング速度が得られている。また、選択比は、１．０Ｐ
Ａ程度ではガス圧による大差は生じないが、０．３Ｐａ
付近ではガス圧の低下に伴って急激に選択比が向上する
ことがわかる。
【００２７】次に、ガス流量比（Ａｒガス／ＣＨＦ3 ガ
ス）とエッチング速度及び選択比の関係を調べた実験に
ついて説明する。この実験でも上述の実施例と同様の装
置と被加工基板を用い、高周波電力を３００Ｗ，ＣＨＦ
3 ガスの流量を１ＳＣＣＭ，ガス導入後のチャンバ内の
圧力を０．３Ｐａに固定し、Ａｒガスの流量を変化させ
て、エッチング速度（ガラス層のエッチング速度）と選
択比（ガラス層のエッチング速度／レジスト層のエッチ
ング速度）を測定した。この結果を図３に示す。
ス）とエッチング速度及び選択比の関係を調べた実験に
ついて説明する。この実験でも上述の実施例と同様の装
置と被加工基板を用い、高周波電力を３００Ｗ，ＣＨＦ
3 ガスの流量を１ＳＣＣＭ，ガス導入後のチャンバ内の
圧力を０．３Ｐａに固定し、Ａｒガスの流量を変化させ
て、エッチング速度（ガラス層のエッチング速度）と選
択比（ガラス層のエッチング速度／レジスト層のエッチ
ング速度）を測定した。この結果を図３に示す。
【００２８】図に示されるように、Ａｒガスの流量が５
ＳＣＣＭを超えるあたりから選択比は急激に向上し、１
０ＳＣＣＭ（ＣＨＦ3 ：Ａｒ＝１：１０）では３．５程
度の高い選択比が得られる。また、エッチング速度はＡ
ｒガス流量の増加に伴なって増加し、１０ＳＣＣＭ（Ｃ
ＨＦ3 ：Ａｒ＝１：１０）付近で飽和する。このとき最
高４２Å／分程度のエッチング速度が得られる。
ＳＣＣＭを超えるあたりから選択比は急激に向上し、１
０ＳＣＣＭ（ＣＨＦ3 ：Ａｒ＝１：１０）では３．５程
度の高い選択比が得られる。また、エッチング速度はＡ
ｒガス流量の増加に伴なって増加し、１０ＳＣＣＭ（Ｃ
ＨＦ3 ：Ａｒ＝１：１０）付近で飽和する。このとき最
高４２Å／分程度のエッチング速度が得られる。
【００２９】上述の図２，図３の結果から、ＣＨＦ3 ガ
スとＡｒガスの流量比を１：５以上、好ましくは１：１
０程度とし、チャンバ内の圧力を０．３Ｐａ以下に保つ
ことによって、高い選択比とエッチング速度が得られる
ことが明らかである。なお、本実施例のような、低圧力
において安定したエッチングを得るためには、真空ポン
プ５はターボ分子ポンプ等を用いることが望ましい。
スとＡｒガスの流量比を１：５以上、好ましくは１：１
０程度とし、チャンバ内の圧力を０．３Ｐａ以下に保つ
ことによって、高い選択比とエッチング速度が得られる
ことが明らかである。なお、本実施例のような、低圧力
において安定したエッチングを得るためには、真空ポン
プ５はターボ分子ポンプ等を用いることが望ましい。
【００３０】なお、上記の実施例においては、本発明の
エッチング方法を光集積回路の構成要素である光導波路
の形成に適用した場合について述べたが、本発明は一般
の半導体製造工程、例えばＳｉ，Ｓｉ3 Ｎ4 等のエッチ
ング工程にも適用できることは言うまでもない。
エッチング方法を光集積回路の構成要素である光導波路
の形成に適用した場合について述べたが、本発明は一般
の半導体製造工程、例えばＳｉ，Ｓｉ3 Ｎ4 等のエッチ
ング工程にも適用できることは言うまでもない。
【００３１】また、図１は、本発明で用いる装置の一例
を模式的に示したものであり、本発明で使用される装置
はこれに限定されるものではない。電極についても、必
ずしも平行平板電極を用いる必要はない。
を模式的に示したものであり、本発明で使用される装置
はこれに限定されるものではない。電極についても、必
ずしも平行平板電極を用いる必要はない。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、反応
性イオンエッチングを行なうに際して、ＣＨX Ｆ4-X 系
ガス（特にＣＨＦ3 ガス）と不活性ガス（特にＡｒガ
ス）の流量比を１：５以上、ガス導入後の真空容器内の
圧力を０．３Ｐａ以下とすることによって、選択比とエ
ッチング速度を従来に比べて格段に向上させることを可
能としている。また、エッチング時のレジスト材の損傷
も大幅に低減できるため、レジスト剥離工程での残渣の
発生も防止することができる。
性イオンエッチングを行なうに際して、ＣＨX Ｆ4-X 系
ガス（特にＣＨＦ3 ガス）と不活性ガス（特にＡｒガ
ス）の流量比を１：５以上、ガス導入後の真空容器内の
圧力を０．３Ｐａ以下とすることによって、選択比とエ
ッチング速度を従来に比べて格段に向上させることを可
能としている。また、エッチング時のレジスト材の損傷
も大幅に低減できるため、レジスト剥離工程での残渣の
発生も防止することができる。
【００３３】従って、本発明の方法を光集積回路の製造
に適用すれば、アンダーカットのない光導波路を精度良
く形成することができ、光導波特性の優れた素子の作製
が容易に達成される。
に適用すれば、アンダーカットのない光導波路を精度良
く形成することができ、光導波特性の優れた素子の作製
が容易に達成される。
【図１】本発明実施例で使用したエッチング装置の概略
図である。
図である。
【図２】ガス圧とエッチング速度及び選択比の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】ガス流量比（Ａｒガス／ＣＨＦ3 ガス）とエッ
チング速度及び選択比の関係を示すグラフである。
チング速度及び選択比の関係を示すグラフである。
１ チャンバ ２ａ，２ｂ 電極 ３ 被加工基板 ４ 高周波電源 ５ 真空ポンプ ６ 冷却水ポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 真空容器内に配置された一対の電極の一
方の電極上に被加工試料を保持して前記真空容器内を真
空状態にした後、前記真空容器内に反応性ガスを流入さ
せ、しかる後、前記電極間に高周波電力を印加して前記
反応性ガスをプラズマ放電させることにより、前記被加
工試料のエッチングを行なうドライエッチング方法にお
いて、前記反応性ガスとしてＣＨx Ｆ4-x 系ガス（但
し、Ｘは３以下の自然数）を用い、該ＣＨx Ｆ4-x 系ガ
スとともに不活性ガスを前記真空容器内に流入させ、こ
の際の前記ＣＨx Ｆ4-x 系ガスに対する不活性ガスの流
量比を１：５以上とし、更に、前記反応性ガス及び前記
不活性ガスを流入させた後の真空容器内のガス圧を０．
３Ｐａ以下に保持することを特徴とするドライエッチン
グ方法。 - 【請求項２】 前記ＣＨx Ｆ4-x 系ガスがＣＨＦ3 ガス
であり、前記不活性ガスがＡｒガスであることを特徴と
する請求項１記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3045325A JPH05160078A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3045325A JPH05160078A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160078A true JPH05160078A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=12716162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3045325A Pending JPH05160078A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160078A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001268A (en) * | 1997-06-05 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching of alumina/TiC substrates |
| USRE39895E1 (en) | 1994-06-13 | 2007-10-23 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit arrangement fabrication method |
| CN100380691C (zh) * | 2002-12-30 | 2008-04-09 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 物体表面打毛的方法和光电元件 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP3045325A patent/JPH05160078A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE39895E1 (en) | 1994-06-13 | 2007-10-23 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit arrangement fabrication method |
| US6001268A (en) * | 1997-06-05 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching of alumina/TiC substrates |
| CN100380691C (zh) * | 2002-12-30 | 2008-04-09 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 物体表面打毛的方法和光电元件 |
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