JP2001526463A

JP2001526463A - 基板から有機反射防止皮膜をエッチングするためのシステムと方法

Info

Publication number: JP2001526463A
Application number: JP2000524817A
Authority: JP
Inventors: チュンヤン，; イー，ヤン; ダイアナマー，
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 1997-12-08
Filing date: 1998-12-04
Publication date: 2001-12-18
Also published as: US6296780B1; KR20010032913A; WO1999030360A1; EP1038311A1; TW434717B

Abstract

(57)【要約】本発明は、処理チャンバ内に配置された基板上へ堆積されたチタン窒化物反射防止皮膜（ＴｉｎＡＲＣ）層と、有機反射防止皮膜（ＯＡＲＣ）層とをエッチングするための方法と装置で実現され、被処理基板が定位置に置かれている処理チャンバからその基板を取り外すことなく、そしてチャンバ洗浄操作のような介在処理ステップを必要とすることもない。基板は、ベース、ベース上の下地酸化物層、その下地層の上側層、中間導体層、ＴｉｎＡＲＣ層、及びＴｉｎＡＲＣの上表面に紡がれたＯＡＲＣ最上層を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の背景】【発明の分野】

本発明は、一般には、半導体基板のための装置、及び半導体基板の処理に関す
る。詳細には、本発明は、基板処理中における反射防止皮膜のエッチングに関す
る。

【０００２】

【関連技術】

半導体デバイスの限界寸法 (CD's) と限界ジオメトリは、それが数十年前に初
めて紹介されて以来、大きさを劇的に減らしてきた。現在、ほとんどの半導体デ
バイスは、約０．５ミクロンのフィーチャサイズで製造されているが、０．３５
ミクロン以下のようなより小さなフィーチャサイズで、半導体デバイス、例えば
半導体集積回路チップを製造することが望ましい。

【０００３】そのような半導体デバイスの重要な微小ジオメトリの一つが、気体の化学反応
による、デバイスのベース基板上への、パターンニングされた薄膜の形成である
。薄膜をパターンニングするとき、線幅及び他の限界寸法の変動は最小化される
ことが望ましい。これら寸法の誤差は、デバイス特性の変動や、回路が開放／短
絡されたデバイスを結果として生じ、それによりデバイスの歩留まりに悪影響を
及ぼす。従って、フィーチャサイズが減少するとともに、構造は、より精確に製
作されなければならない。その結果、今ではメーカーによっては、パターン操作
の寸法精度の変動が、設計者が指定する寸法の５％以内に維持するよう要求して
いる。

【０００４】基板処理システムには、パターン層に対してフォトグラフィ技法を使用するも
のがある。この技法は、ウェーハ上に堆積されるフォトレジスト或いは他の感光
材料を使用する。透明領域と不透明領域とを有するフォトマスクがフォトレジス
ト上に位置決めされる。マスクが露光されると、透明領域はその透明領域内のフ
ォトレジストの露光を許容するが、マスクが不透明な領域内では許容しない。光
は、フォトレジストでできた被露光部分内で化学反応を生じさせる。（光可溶化
又は重合化）次に、適切な化学プロセス、化学的気相プロセス、又はイオン衝撃
プロセスを使用して、フォトレジストの反応部分と非反応部分のとちらかを選択
的にアタックする。マスクとして働く残留フォトレジストパターンにより、今度
は下地層が更に処理を受ける。例えば、層をドープしたりエッチングされてもよ
く、さもなければその他の処理を行うこともできる。

【０００５】フォトグラフィ技法の幾つかは、フォトレジスト層をマスクして露光するのに
使用されるステッパとして知られる設備の使用を含むことが多い。ステッパは単
色光（単一波長）を使用することが多く、微細ジオメトリデバイスの製造におい
て要求される詳細パターンをステッパが生成することを可能にする。しかしなが
ら、基板が処理されるとともに、基板の上面のトポロジは次第に平坦ではなくな
っていく。この一様ではないトポロジは、単色光の反射と屈折を引き起こし、結
果として、マスクの不透明部分の下にあるフォトレジストのいくらかが露光をさ
れる。その結果、この一様ではない表面トポロジは、フォトレジスト層へ転写さ
れるマスクパターンを変えてしまうことになり、それにより、逐次製作される構
造の所望寸法を変えてしまう。

【０００６】これら反射の結果として生ずる一つの現象がスタンディングウエーブ（standi
ng wave）である。フォトレジスト層が反射性下地層上へ堆積されて、単色光照射（例えば、遠紫外（ＵＶ）線にさらされるとき、フォトレジスト層中にスタン
ディングウエーブが生成される可能性がある。その様な状況では、反射光が入射
光と干渉して、フォトレジスト層中の垂直方向における光強度の周期的な変動を
生じさせる。スタンディングウエーブ効果は、酸化物、窒化物、及びポリシリコ
ンのような材料の表面が遠ＵＶ波長においてより反射性があるので、最新のステ
ッパで使用される遠ＵＶ波長の方が、より長い波長の場合よりも、普通は顕著で
ある。露光中にフォトレジスト層内にスタンディングウエーブがあると、フォト
レジスト層の部分がパターンニング中に除去されるときに形成される垂直壁の粗
さの原因となり、それが線幅、スペース、そして他の限界寸法の変動に転化する
。

【０００７】要求寸法精度を達成しつつ、このスタンディングウエーブ及びこれらウエーブ
に伴う問題を減らし、及び／又は解消することを助けるのに現行で使用されてい
る幾つかの技法がある。反射防止皮膜（ＡＲＣ）の使用は、そのような一つの技
法である。ＡＲＣの光学的特性は、層間インタフェースで発生する反射が最少化
されるというような特性である。ＡＲＣの吸収指数は、（各方向へ）伝送される
単色光の量が最少化されるような指標であり、従って、伝送される入射光と、そ
の反射光の両方が減衰される。ＡＲＣの反射及び吸収指数は、依然として無効化
される可能性があるどのような反射も引き起こさない値に固定される。

【０００８】ＡＲＣの１種類は窒化チタンの反射防止皮膜（ＴｉｎＡＲＣ）である。ＴｉｎＡＲＣの反射防止皮膜は、典型的には導体フィ−チャを有する半導体基板とともに使用される。導体フィーチャを使用して、半導体基板上へ形成されたデバ
イスを電気的に接続する。典型的には、導体フィーチャは、ボトムバリア層、ア
ルミニウム合金のような導電性金属含有層、及び窒化チタン反射防止トップ皮膜
を有する。窒化チタンはかつて、満足する反射防止皮膜であるとされていたが、
最近では、相対的にあまり良好な反射防止皮膜ではないことが判明している。そ
の結果、有機反射防止皮膜（ＯＡＲＣ）やボトム反射防止皮膜（ＢＡＲＣ）のよ
うな他の反射防止層が、ＴｉＮＡＲＣのの上部に紡がれる。

【０００９】次に、追加のＯＡＲＣ層を備えた基板は、基板上の各部分を選択的にエッチン
グするために、反応性イオンエッチング処理により処理される。エッチングは、
選択されたエッチングガスをエッチングチャンバへ導入すること、そしてプロセ
スガスからプラズマを生成する。プラズマは、基板を選択的にエッチングし、エ
ッチングチャンバからは除去される揮発性エッチング副生化合物を生成する。Ｏ
ＡＲＣとＴｉＮＡＲＣをエッチングするために使用されるプロセスガスは、普通は、混合ガス、例えばＣｌ₂と、Ｎ₂，Ａｒ又はＢＣｌ₃である。

【００１０】エッチングプロセス中、幾つかの因子、例えばＣＤコントロール、エッチング
レートの不均一、フォトレジスト損失、及びエッチング選択性、を考慮しなけれ
ばならない。良好なＣＤコントロールとエッチングレート均一性は、より小さな
フィーチャサイズを持つ半導体デバイスの製造を可能にする。更に、フォトレジ
スト損失とエッチング選択性に関し、与えられたエッチャントに関係する或る材
料の、他の材料に対する反応性は、材料のエッチング選択性として知られている
。エッチング選択性は、除去されるべき材料のエッチングレートの、他の材料の
エッチングレートに対する比で表されるのが普通である。理想的には、エッチャ
ントが、エッチングされる層の意図された領域だけをエッチングして、処理され
ている基板上に既に存在するかもしれない他の構造を腐食しないのがよいので、
高いエッチング選択性が望ましいことが多い。言換えると、高いエッチング選択
性を持つ材料は、他の材料の意図されたエッチング中、意図されていないエッチ
ングに実質的に抗する。異なるパターンが第１と第２層にエッチングされねばな
らない場合、積層する第２層に比べて高いエッチング選択性を持つ第１層が望ま
しい。そのような状況では、第１層のエッチング選択性が低いと、第２層を完全
にエッチング除去する領域では下地層が有意に腐食されないので、高いエッチン
グ選択性が望ましいのである。このエッチング操作は、第２層の意図された領域
だけでなく、それら領域の下地の第１層の部分も除去する。そのような状況では
少量の第１層が常時は除去されるが、きわめて低いエッチング選択性が第１層の
実質的なエッチングを可能にする。

【００１１】しかし、ＯＡＲＣとＴｉＮＡＲＣをエッチングするために使用されるプロセスガスの現行の組み合わせでは、ＣＤコントロールが比較的劣り、エッチングレ
ートは不均一になる。また、典型的なエッチング選択性は比較的低く、フォトレ
ジスト損失は比較的高い。フォトレジスト層の過剰なエッチングは、基板上、及
びエッチング装置の壁上へ重合レジストエッチャント副生物の過剰堆積を引き起
こす。過剰な量のそのような堆積物は除去が困難である。従って、ＯＡＲＣとＴ
ｉＮＡＲＣをエッチングするために使用される典型的なエッチングプロセスは、増加したフォトレジスト損失と劣ったＣＤコントロールとに起因する不適切な
結果を生ずる。その結果、現在では、半導体基板上のＴｉＮＡＲＣへのＯＡＲＣの添加が、エッチングプロセスをより困難に、且つ複雑にする。

【００１２】従って、必要とされるのは、良好なＤＣコントロールを有し、エッチングレー
ト非均一性を制限するＯＡＲＣ及びＴｉＮＡＲＣ層を効果的にエッチングするためのエッチングシステムである。同じく必要とされるのは、被パターニング層
の下地層の望ましくないエッチングを避けるシステムである。同じく必要とされ
るのは、最も少ない数の処理ステップを用いてそのような層を生成するためのシ
ステムである。追加で必要とされるのは精確なエッチングプロセスである。追加
で必要とされるのは、高いエッチング選択性を提供するエッチングシステムであ
る。更に必要とされるのは、従来のエッチング装置での回路チップの大量生産に
順応するエッチングシステムである。

【００１３】上記システムと方法の利点がどのようなものであろうが、それらが本発明の便
益を達成することはない。

【００１４】

【発明の概要】

上記先行技術における制限を克服するために、そして本明細書を読んで理解し
て上で明らかになる他の制限を克服するために、本発明は、基板処理中に、Ｔｉ
ｎＡＲＣ層の上表面に紡いだＴｉｎＡＲＣ層とＯＡＲＣ層とをエッチングする
ための方法と装置で実現される。本発明は、処理チャンバ内に配置された基板上
へ堆積されたＴｉｎＡＲＣとＯＡＲＣとをエッチングするためのプロセスで実現される。このプロセスは、中に被処理基板が定位置に置かれている処理チャン
バからその基板を取り外すことなく、そしてチャンバ洗浄操作のような介在処理
ステップを必要とすることなく実行されることができる。従って、このプロセス
は本明細書中で in situ プロセスと称される。基板は、ベース、ベース上の下地酸化物層、その下地層の上側層、中間導体層、ＴｉｎＡＲＣ層、及びＴｉｎ
ＡＲＣの表面に紡がれたＯＡＲＣ最上層を有する。ベースは好ましくは半導体ウ
ェーハであり、下地層は好ましくは酸化ケイ素絶縁層であり、上側層は好ましく
はベース拡散バリヤであり、中間層は好ましくは、ＡｌＣｕのような導電層であ
る。

【００１５】好ましい実施の形態において、基板はマルチステージで処理される。最初に、
基板上のＯＡＲＣ層とＴｉｎＡＲＣ層とが第１の単ステージステップでエッチングされる。これは、塩素含有ガスと炭素−フッ化物ガスとを含むエッチャント
ガス、つまり炭素−塩素−フッ素含有ガス又は炭素−フッ化物−水素ガスを処理
ゾーンへ導入して、エッチャントガスからプラズマを生成することにより行われ
る。塩素含有ガスによって意味されることは、例えばＣｌ₂やＨＣｌのような気体核種が存在するということである。炭素−フッ化物ガスによって意味されるこ
とは、例えば、ＣＦ₄,Ｃ₂Ｆ₄，Ｃ₂Ｆ₆，及びそれらの化合物であり得るＣ_xＦ_yの
ような炭素とフッ素を含有する気体核種が存在するということである。炭素−塩
素−フッ素含有ガスによって意味されることは、例えば、ＣＦ₃Ｃｌのような、炭素、塩素、フッ素を含有する気体核種が存在するということである。炭素−フ
ッ化物−水素ガスによって意味されることは、例えば、ＣＨＦ₃であり得る、Ｃ_x Ｈ_yＦ_zのような、炭素、フッ素、水素を含有する気体核種が存在するということ
である。

【００１６】プラズマは、基板上のＯＡＲＣ層とＴｉｎＡＲＣ層の両方をエッチングする。次に、例えば、Ｃｌ₂ガス、ＢＣｌ₃ガス、及びＣＨＦ₃ガスとの組み合わせを含むプロセスガスで導体層をエッチングするために主エッチングステップが行わ
れる。次に、例えば、Ｃｌ₂ガス及びＢＣｌ₃ガスとの組み合わせを含むプロセス
ガスでベース拡散バリヤと酸化物層とをエッチングするためにオーバーエッチン
グステップが行われる。最後に、基板１００を開放するために５回目のデチャッ
キングステップを行うことができる。加えて、第１ステップ後、得られて結果を
改善するために、即ちノッチをなくすために２次のステップが行われる。例えば
、Ｃｌ₂ガス及びＢＣｌ₃ガスの組み合わせを含むプロセスガスは、この２次のス
テップで利用されることができる。

【００１７】プロセス全体を通して、基板は処理チャンバ内にある。つまり全てのステップ
が、in situ プロセスとして行われることができる。このように、本発明は、チ
ャンバ洗浄及びその類のために、異なる層のエッチング間で処理チャンバから基
板を取り外す必要をなくすことができる。これは、恩恵の中でもとりわけスルー
プットを向上させ、休止時間を減らし、汚染を減らす。

【００１８】本発明の上記の、そして更なる特徴と利点は、それらのより完全な理解と同じ
く、添付図面及び付帯する請求の範囲とともに、本発明の以下の詳細な説明を検
討することにより明らかにされることができるだろう。

【００１９】

【好ましい実施の形態の詳細な説明】

好ましい実施の形態の下記説明においては、本明細書の一部を形成し、本発明
が実施可能な特定の実施の形態を図解して示す添付図面を参照する。承知される
べきは、その他の実施の形態も利用されることができ、構造上の変更も、本発明
の範囲から逸脱することなく行えるということである。

【００２０】Ｉ．構成要素：図１は、窒化チタン反射防止皮膜（ＴｉＮＡＲＣ）及び有機反射防止皮膜（ＯＡＲＣ）を有する基板の垂直断面図である。本発明は、プラズマリアクターチ
ャンバでケイ素のような基板をエッチングするシステムと方法で具現化される。
エッチングは、in situ で行うことができる（基板を、それが置かれたプロセス
チャンバから基板を除去することなく）。

【００２１】本発明による方法は、ベース１１０を備える基板１００に施されるが、ベース
１１０は、その上にパターンニングされた導電性フィーチャ１１２の水平層を有
する。ベース１１０は、半導体、ガラス、セラミック、金属、或いは、ポリマー
といった材料で作製できる。ベース１１０は、ケイ素のような半導体ウェーハが
好ましい。ベース１１０上のフィーチャ１１２は、例えば、ベース１１０上の下
地層１１４、下地層１１４上の上に重なる層１１６、中間層１１７、窒化チタン
反射防止皮膜（ＴｉＮ ARC）層１１８、及びＴｉＮＡＲＣ１１８の頂部上にスピンコーティングされ、炭素含有材料のような有機反射防止皮膜（ＯＡＲＣ）で
あるトップ層１２０といった複数の層を備える。炭素含有材料はポリマー材料と
することができる。

【００２２】下地層１１４は、誘電性酸化物が好ましく、上に重なる層１１６は、ベースの
拡散バリヤであることが好ましく、中間層１１７は、電気的に中間の導体層であ
ることが好ましい。誘電性酸化物層１１４は、酸化ケイ素層などが可能である。
ベース拡散バリヤ層１１６は、チタン、タングステン、チタン−タングステン、
窒化チタン、或いは、これらの組み合わせを含むことができる。電気的に中間の
導体層１１６は、アルミニウム、ケイ素、銅の合金であってよい。ＴＩＮＡＲＣ層１１８の厚さは約２００オングストロームから約１６００オングストローム
が好ましく、更に典型的には、約２５０オングストロームの厚みがよい。層１１
６、１１７、１１８，１２０は、物理的堆積（ＰＶＤ）によって堆積するのが好
ましい。誘電性酸化物層１１４は、化学的気相成長（ＣＶＤ）により堆積するこ
とが可能である。

【００２３】図２は、窒化チタン反射防止皮膜及び有機反射防止皮膜の、本発明（以下に詳
述する）に従うエッチング後の、図１の基板の垂直断面図である。フォトレジス
トのような、エッチングに耐えるレジスト層１２２は、エッチングプロセス中に
基板の部分を保護するために所定のフォトレジストパターンとして適用される。
フォトレジストパターンは、トレンチと穴１２４及び立ち上がりフィーチャ１２
２で決まる。立ち上がりフィーチャ１２２は、典型的には、約０．５μｍ未満の
幅ｗと、約１．０μｍ未満の高さＨを有する。フィーチャ１２２は、ＯＡＲＣ層
１２０の上側表面に対して、典型的には、約８５°から約９０°のプロファイル
角αを形成する。エッチングされるのは上に重なる層１１６が普通である。下記
のエッチングプロセスで、バイアがトレンチと穴１２４の底部にエッチングされ
、エッチングされた穴内に導体層間接続を形成する。

【００２４】II．プロセスチャンバ：幾つかのリアクタチャンバが本発明のシステムと方法で使われる。図３は、本
発明のプロセスを実行するのに適した装置の垂直断面図である。反応装置３００
は、エッチング領域３１４を有するエッチングチャンバ３１２を備えている。典
型的なエッチング（本発明の特別のエッチング処理を以下に述べる）に対して、
プロセスガスは、ガス入力３１８を通じてエッチングチャンバ３１２へ導入され
る。その後、プロセスガスは、エッチング領域３１４にプロセスガスを分配する
「シャワーヘッド」拡散プレート３２０を通る。周囲の焦点リング３２２は、発
生したプラズマをエッチング領域３１４に実質的に維持する。運転においては、
基板１００が、カソード３２４上に載置され、プロセスガス（エッチングされる
層にもよるが）は、ガス入力１８を通じエッチングチャンバ３１２に導入される
。プラズマは、プロセスガスから生成され、基板１００の層を選択的にエッチン
グすることになる。

【００２５】バリヤ又は圧送プレート３２６は、これを貫通する複数の掃気孔３２８を有す
る。圧送プレート３２６は、エッチングチャンバ３１２を２つの領域、即ち、エ
ッチング領域３１４と非エッチング領域３３０に分離する。掃気孔３２８は、掃
気ポート３３２を通じて真空ポンプ（図示せず）に流体連通しているが、これは
、費やしたプロセスガスと揮発性のエッチング副成物をエッチングチャンバ３１
２から掃気するためである。反応装置１０は磁気的に励起される。磁気コイル３
３４を、エッチングチャンバ３１２の周りに備えることができ、それでエッチン
グ領域３１４でプロセスガスから生成したプラズマを磁気的に励起する。プロセ
スガスのプラズマは、エッチング領域３１４で生成される。プラズマの流れを矢
印３３６で示す。

【００２６】同様に、図４は、本発明の処理を実行するのに適当な装置の垂直断面図である
。本発明のエッチング処理を実行するにの適したエッチング装置４００は、図４
に概略的に示され、更に詳細には、いずれも引用されて本明細書中に組み入れら
れた、Rice他により１９９３年１０月１５日出願の米国特許出願第０８／１３８
，０６０号、及び、Collins他へ１９９２年１２月３０日に付与されたヨーロッパ特許公開特許第０，５２０，５１９Ａ１号に記載されている。

【００２７】一般的に、エッチング装置４００は、処理領域４０４を有するプロセスチャン
バ４０２を備える。プロセスガスは、ウェーハの周囲のガスマニフォルド４０６
を使って処理領域４０４に分配される。典型的には、プロセスガスは、一つ以上
の加圧ガスソースを使い、コンピュータ制御の流量制御装置（図示せず）を介し
てマニフォルド４０６へ供給される。

【００２８】円筒形アンテナコイル４０８は、プロセスチャンバ４００の側壁４１０の周り
に巻かれている。コイル４０８は、RF電流ソース４１２に接続される。ＲＦ電流
が、コイル４０８を通じて加えられると、コイル４０８は、処理領域４０４のプ
ロセスガスからプラズマを生成するために、プロセスチャンバ４０へ誘導結合エ
ネルギを与える。プロセスチャンバ４００の側壁４１０は、石英或いはセラミッ
クのような誘電体材料でできていて、側壁４１０とコイル４０８間の導電性結合
を防止している。側壁４１０近傍の従来の加熱素子（図示せず）は、側壁４１０
へ、凝縮したエッチャント副成物の堆積を防ぐのに十分に高い温度になるまで側
壁４１０を加熱するために備える。

【００２９】結晶シリコン材料４１４のスラブが、処理領域４０４の頂部に備えられる。ケ
イ素のスラブ４１４を、従来の加熱素子（図示せず）を使って加熱する時には、
スラブの表面で反応性のケイ素原子が、処理領域４０４内でガス状の核種と反応
する。例えば、炭素−フッ化物ガスが、プロセスチャンバ４００に導入され、そ
れからプラズマが発生すると、ケイ素原子は掃気されるか、或いはプラズマのフ
ッ素核種と結合してＳｉＦ₄のようなガスを形成する。掃気処理は、処理領域４０４のフッ素の量を減らし、それによりプラズマ中の炭素の、フッ素に対する比
を高める。基板１００の新たにエッチングされた部分に堆積してこれを不活性化
する炭素リッチポリマーを形成するには、より高い炭素比が望ましい。掃気処理
の詳細な説明は、Rice他による前記米国特許出願に開示されている。

【００３０】基板１００は、プロセスチャンバ４００内でカソード４２０上に定置され、電
気的に接地された陽極４２２は、プロセスチャンバ４００の頂部を形成する。基
板１００の温度を制御するためにヘリウムのような冷却ガスが保持されている溝
４２６を有する機械的チャック４２４を使って、エッチング処理中に基板１００
を適当な位置に保持することが可能である。代替として、Collins他により１９９３年１０月１４日に出願された米国特許出願第０８／１３７，２７９号に記載
されたチャックのような静電チャックも使用できる。カソード４２０を、陽極４
２２に対してRF電源６８を使って電気的にバイアスすると、プロセスチャンバ４
００内のプラズマは基板に打ち当たり、その結果、プラズマ活性の反応が基板１
００をエッチングする。オプションとして、磁界（図示せず）が、プラズマの密
度又は均一性を高めるために使用できる。

【００３１】消費されたプロセスガスとエッチャント副成物は、排気装置４３０を通じてプ
ロセスチャンバ４００から排気されるが、排気装置４３０は、プロセスチャンバ
４３２に約１０〜３ｍＴｏｒｒの圧力を達成可能な排気システム４３２に接続さ
れる。スロットル弁４３４は、プロセスチャンバ４００内の圧力を制御するため
に排気装置４３０内に備えられる。

【００３２】図５は、本発明の処理を実行するのに適する他の装置、特に好ましい装置の垂
直断面図である。誘導結合したＲＦプラズマ反応装置は、接地した導電性円筒側
壁５０１と誘電体シーリング５０２を有するリアクタチャンバ５００と、プロセ
スチャンバの中央に半導体ウェーハ５０６を支持するウェーハペデスタル５０４
を含むリアクタと、プロセスチャンバの上部を囲み、ウェーハ或いはウェーハペ
デスタル５０４の頂部面近傍で始まっていて、そこからプロセスチャンバの頂部
５１０に向け上に広がった円筒形誘導コイル５０８と、内部のプロセスチャンバ
へプロセスガスを提供するためのプロセスガスソース５１２とガス入口５１４及
び、プロセスチャンバ圧力を制御するポンプ５１６とを含んでいる。

【００３３】コイルインダクタ５０８は、従来のアクティブＲＦ整合回路５２０を通じてプ
ラズマソース電源又はＲＦ電力発生器５１８によりエネルギを与えられ、コイル
インダクタ５０８の頂部巻線は「ホット」であり、底部巻線は接地されている。
ウェーハペデスタル５０４は、バイアスＲＦ電源又は発生装置５２４と外側接地
導体５２６（内側導体部５２２から絶縁されている）に接続された内側導体部５
２２を含む。導電性の接地ＲＦシールド５３０が、コイルインダクタ５０８を囲
んでいる。

【００３４】 III．詳細なプロセス図５とともに、図１と図２を参照すると、処理を有効にするために、プロセス
チャンバ５００は、約１ｍＴｏｒｒ未満まで真空引きされ、基板１００は、プロ
セスチャンバ５００に移送される。エッチャントプロセスガス５１２は、プロセ
スチャンバに導入され、プロセスチャンバ５００は、約６から約２０ｍＴｏｒｒ
の間の圧力に維持される。エッチャントガス５１２は、ガス入口５１４を通って
プロセスチャンバ５００に導入される。エッチャントガス５１２は、塩素含有ガ
スと炭素−フッ化物ガス、炭素−フッ化物−水素ガス、炭素−塩素−フッ素含有
ガス或いはその組み合わせを含んでいる。その後プラズマは、エッチャントガス
から生成する。

【００３５】塩素含有ガスによって、例えばＣｌ₂のような気体核種ができることになる。炭素−フッ化物ガスによって、例えば、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₄、Ｃ₂Ｆ₄とその組み合わせが有り得るＣ_xＦ_yのような炭素とフッ素を含む気体核種ができることになる。
炭素−塩素−フッ素含有ガスによって、例えばＣＦ₃Ｃｌのような炭素、塩素、フッ素を含む気体核種ができることになる。炭素−フッ化物−水素ガスによって
，例えば、ＣＨＦ₃が有り得るが、Ｃ_xＨ_yＦ_zのような炭素、フッ素、水素を含む
気体核種ができることになる。炭素−フッ化物−水素ガスは、Ｃ、Ｆ、及びＨ以
外の元素を含まないのが好ましい。

【００３６】本発明の処理は、マルチステージで効果を発揮する。処理の第１ステップでは
、ＴＩＮＡＲＣ層１１８とＯＡＲＣ層１２０の両方が、エッチングされる。レジストのエッチングレートに対するＴｉＮＡＲＣ１１８とＯＡＲＣ１２０の層の組み合わせのエッチングレートの比として定義するエッチングの選択性比が少
なくとも約２、更に好ましくは少なくとも約３になるように組成を選ぶことが好
ましい。その後、主たるエッチング段階は、導体層１１７をエッチングするため
に実行される。次に、オーバーエッチングステップが、ベース拡散バリヤ１１６
と酸化物層１１４をエッチングするために実行される。最後に、５番目の、チャ
ックを外すステップが実行され、基板１００を開放する。更に、第１ステップ後
、第２ステップが実行され、結果を改善する、即ちノッチを除去する。これらの
ステップは in situ プロセスとして行われることができる。このプロセスを以下詳細に説明する。

【００３７】マルチステージプロセス：ＡＲＣエッチング：このプロセス第１ステージを有効化するための好適な組み合わせガスは、体積
流量比が約１：７から略１：５、好ましくは１：６のＣＨＦ₃とＣｌ₂とを含むこ
とができる。ガスのこの組み合わせは、少なくとも略２のエッチング選択比を提
供する。２０リットルのプロセスチャンバについては、Ｃｌ₂流量は、好ましくは略９０から１００ｓｃｃｍであり、ＣＨＦ₃流量は、好ましくは略１５ｓｃｃｍである。

【００３８】エッチングプロセス中、チャンバ５００は、略６から２０ｍＴｏｒｒ、より好
ましくは略１０ｍＴｏｒｒの範囲の圧力に維持される。プラズマは、約２ＭＨｚ
の周波数を持つＲＦ電流を誘導コイル５０８へ印加する。典型的には、コイルに
印加されるＲＦ電流は、パワーレベルが略１２００ワットである。ＲＦバイアス
電流は、約１３．５６ＭＨｚの周波数で、且つ、誘導コイル５０８によリ生成さ
れるプラズマが基板１００に衝突して、それをエッチングするようにさせるのに
十分なパワーレベルで、カソードへも印加される。適切なカソードＲＦバイアス
電流パワーレベルは略３０ワットである。メインエッチング：第３ステージを有効化するための好適な組み合わせガスは、体積流量比が好ま
しくは１：２．５：１６であるＣｌ₂，ＢＣｌ₃及びＣＨＦ₃を含むことができる。２０リットルのプロセスチャンバについては、Ｃｌ₂の流量は、好ましくは略８０ｓｃｃｍであり、ＢＣｌ₃の流量は、好ましくは略２０ｓｃｃｍであり、ＣＨＦ₃の流量は、好ましくは略５ｓｃｃｍである。

【００３９】このステップ中、チャンバ５００は、略１０ｍＴｏｒｒの圧力に維持される。
約２ＭＨｚの周波数を持つＲＦ電流を誘導コイル５０８へ印加することにより、
エッチャントガスからプラズマが生成される。典型的には、コイルへ印加される
ＲＦ電流のパワーレベルは略１０００ワットである。ＲＦバイアス電流は、約１
３．５６ＭＨｚの周波数で、且つ、誘導コイル５０８によリ生成されるプラズマ
が基板１００に衝突して、それをエッチングするようにさせるのに十分なパワー
レベルで、カソードへも印加される。適切なカソードＲＦバイアス電流パワーレ
ベルは略８０ワットである。

【００４０】オーバーエッチング：第４ステージを有効化するための好適な組み合わせガスは、体積流量比が好ま
しくは１：２であるＣｌ₂とＢＣｌ₃を含むことができる。２０リットルのプロセ
スチャンバについては、Ｃｌ₂の流量は、好ましくは略６０ｓｃｃｍであり、ＢＣｌ₃の流量は、好ましくは略３０ｓｃｃｍである。

【００４１】このステップ中、チャンバ５００は、略１０ｍＴｏｒｒの圧力に維持される。
約２ＭＨｚの周波数を持つＲＦ電流を誘導コイル５０８へ印加することにより、
エッチャントガスからプラズマが生成される。典型的には、コイルへ印加される
ＲＦ電流のパワーレベルは略１０００ワットである。ＲＦバイアス電流は、約１
３．５６ＭＨｚの周波数で、且つ、誘導コイル５０８によリ生成されるプラズマ
が基板１００に衝突して、それをエッチングするようにさせるのに十分なパワー
レベルで、カソードへも印加される。適切なカソードＲＦバイアス電流パワーレ
ベルは略８０ワットである。

【００４２】デチャッキングステージ：デチャッキングステージを有効化するための好適なガスはＮ₂を含むことができる。２０リットルのプロセスチャンバについては、Ｎ₂の流量は、好ましくは略５０ｓｃｃｍである。このステップ中、チャンバ５００は、スロットルバルブ
を全開（ＴＦＯ）に保つのが普通である。典型的には、コイルへ印加されるＲＦ
電流のパワーレベルは略４００ワットである。ＲＦバイアス電流は、略１００ワ
ットのパワーレベルでカソードへも印加される。

【００４３】第１ステージ後の代替の第２ステージ：代替として、ノッチ形成をなくすことにより、得られた結果を改善するために
、２次のエッチングステップを行うことができる。第２ステージを有効化するた
めの好適な組み合わせガスは、体積流量比が好ましくは１：１であるＣｌ₂とＢＣｌ₃を含むことができる。２０リットルのプロセスチャンバについては、Ｃｌ₂ の流量は、好ましくは略５０ｓｃｃｍであり、ＢＣｌ₃の流量は、好ましくは略５０ｓｃｃｍである。

【００４４】このステップ中、チャンバ５００は、略１０ｍＴｏｒｒ、より好ましくは８ｍ
Ｔｏｒｒの圧力に維持される。約２ＭＨｚの周波数を持つＲＦ電流を誘導コイル
５０８へ印加することにより、エッチャントガスからプラズマが生成される。典
型的には、コイルへ印加されるＲＦ電流のパワーレベルは略８００ワットである
。ＲＦバイアス電流は、約１３．５６ＭＨｚの周波数で、且つ、誘導コイル５０
８によリ生成されるプラズマが基板１００に衝突して、それをエッチングするよ
うにさせるのに十分なパワーレベルで、カソードへも印加される。適切なカソー
ドＲＦバイアス電流パワーレベルは略１００ワットである。

【００４５】プロセス条件：本発明のエッチングプロセスにおいて、陽極酸化アルミニウムの側壁５０１上
への凝縮可能なエッチャント副生物核種の堆積を阻止するために、側壁５０１は
、温度約８０℃まで加熱される。絶縁シーリング５０２は、プロセスゾーン中の
微粒子減らすために、普通には約８０℃の温度に維持されてポリマー堆積を阻止
する。カソード温度は略３５℃である。また、このプロセスの両バージョンとも
、エッチャントガスから形成されるプラズマは、基板１００を、約５０から６０
℃の温度まで加熱する。基板１００の温度は、基板１００の裏面上にヘリウムを
通過させることにより実質的に一定のレベルに維持される。

【００４６】実施例以下の実施例は、本発明によるプロセスの有効性を証明する。これらの実施例
では、デカップルプラズマソース金属エッチング装置、例えばカリフォルニア州
サンタクララの Applied Materials から市販で入手できる DPS Metal Etch Cen
tura System が使用された。

【００４７】実施例は、直径６インチのシリコンウェーハ上で行われた。このウェーハは、
その上に酸化ケイ素層１１４、ベース拡散バリヤ層１１６、アルミニウム合金（
略０．５％の銅を含有）を含む導体層１１７、厚さが略２００〜５００オングス
トロームの範囲のＴｉＮＡＲＣ層１１８、厚さが略６００〜２０００オングストロームのＯＡＲＣ層１２０を有していた。

【００４８】以下の記号は全ての実施例に適用される。ＢＴ１：(Breakthrough 1)：ＯＡＲ
ＣとＴｉＮＡＲＣの開口部エッチングのための集積プロセス。エッチング時間は、７０３ｎｍエミッション線（Ｔｉ線）毎に決められる。ＣＤは、Ｐｂ、Ｐｄ
、圧力、Ｈｅ冷却、合計流量毎に変えられることができる、ＢＴ２(Breakthroug
h 2)：より良好なノッチコントロールのための架橋プロセス、ＭＥ：０．２５μ
の標準的な主エッチングプロセス（ＣＨＦ₃）、ＯＥ：標準的なオーバーエッチングプロセス

【００４９】実施例１表Ｉは、実施例１で使用されたプロセス条件を列記したものである。この実施
例はマルチステージプロセスを説明するものであり、そこではＣｌ₂とＣＨＦ₃と
を含むエッチャントガスが使用された。エッチングレートは、従来の技法を用い
て、走査型電子顕微鏡でエッチングされたウェーハ断面を調べることにより測定
された。エッチングレートは、ＴｉＮＡＲＣとＯＡＲＣの両層の組み合わされたエッチングレートを反映する。

【００５０】

【表１】実施例２〜４表II〜IVはそれぞれ、実施例２〜４で使用されたプロセス条件を列記したもの
である。これら実施例はマルチステージプロセスを説明するものであり、そこで
はＣｌ₂、ＢＣｌ₃及びＣＨＦ₃とを含むエッチャントガスが、ノッチ形成をなくすために２次エッチングとともに使用された。エッチングレートは、従来の技法
を用いて、走査型電子顕微鏡でエッチングされたウェーハ断面を調べることによ
り測定された。エッチングレートは、ＴｉＮＡＲＣとＯＡＲＣの両層の組み合わされたエッチングレートを反映する。

【００５１】

【表２】

【００５２】

【表３】

【００５３】

【表４】上記作業実施例の結果は、本発明によるプロセスが高度な異方性エッチングを
提供し、実質的に何らのアンダーカット形成、又はノッチ形成もなく、高いエッ
チング選択性と非常に低い限界寸法ロスを提供する。下記の表は、上記作業実施
例の典型的な結果を提示する。

【００５４】

【表５】本発明の好ましい実施の形態の前記説明は、図解と説明を目的に提示されたも
のである。それは網羅的であることを意図してはいない。つまり、開示された正
確な形式に制限することを意図してはいない。上記教示に照らして、多くの修正
や変更が可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明ではなく、本明細書に付
帯する特許請求の範囲により限定されることが意図されている。

【図面の簡単な説明】

ここで、同様の符号は全体を通して対応する部品を表す図面を参照する。

【図１】図１は、チタン窒化物反射防止皮膜と有機反射防止皮膜とを有する基板の垂直
断面図である。

【図２】図２は、チタン窒化物反射防止皮膜と有機反射防止皮膜のエッチング後の、図
１の基板の垂直断面図である。

【図３】図３は、本発明のプロセスを実施するのに適した装置の垂直断面図である。

【図４】図４は、本発明のプロセスを実施するのに適した別の装置の垂直断面図である
。

【図５】図５は、本発明のプロセスを実施するのに適した別の装置の垂直断面図である
。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者イー，ヤンアメリカ合衆国，カリフォルニア州，キャンベル，ヴィアセイリス 3862 (72)発明者マー，ダイアナアメリカ合衆国，カリフォルニア州，サラトガ，キルトコート 19600 Ｆターム(参考） 5F004 AA05 AA16 BA20 BB11 BB13 BB21 BB22 BB25 BB26 BB28 BB32 CA01 CA02 CA03 CB02 DA00 DA01 DA02 DA04 DA07 DA11 DA16 DA22 DA25 DA30 DB00 DB12 DB23 EA22 EA28 5F033 HH04 HH09 HH11 HH18 HH19 HH23 HH33 QQ03 QQ04 QQ08 QQ10 QQ15 QQ21 WW05 WW07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板のベースからマルチ層皮膜をエッチングするためのプロセ
スであって、前記プロセスは：（ａ）基板上へ配置された、有機反射防止皮膜層とチタン窒化物反射防止皮膜層
との組み合わせ、そして多層チタンとチタン反射防止皮膜との組み合わせ、の少
なくとも一方の組み合わせを有する前記基板をプロセスゾーン内へ載置するステ
ップ、（ｂ）塩素ガスと塩素含有ガスのうちの少なくとも一方と組み合わされる、炭素
−フッ化物−水素ガス、炭素−フッ化物ガス、及び炭素−塩素−フッ素含有ガス
のうちの少なくとも一つを含むエッチャントガスを、前記プロセスゾーンへ導入
するステップ、及び、（ｃ）前記有機反射防止皮膜層と前記チタン窒化物反射防止皮膜層との組み合わ
せ、そして前記多層チタンと前記チタン反射防止皮膜との組み合わせ、の少なく
とも一方の前記組み合わせをエッチングするために、エッチャントガスからプラ
ズマを形成するステップ、を有するプロセス。
【請求項２】前記炭素−フッ化物−水素ガスが、Ｃ_xＨ_yＦ_zから成るグループから選択されたガスを含み、前記炭素−フッ化物ガスが、Ｃ_xＦ_yから成るグル
ープから選択されたガスを含む、請求項１のプロセス。
【請求項３】塩素ガスと塩素含有ガスが、ＣｌとＣｌ₂とから成るグループの中から選択されたガスを含み、炭素−フッ化物がＣＦ₄であり、炭素−塩素− 弗素含有ガスがＣＦ₃Ｃｌである、請求項１のプロセス。
【請求項４】ステップ（ｃ）の後に：ホウ素−塩素ガスと塩素ガスとを含む第２エッチャントガスを、前記プロセス
ゾーンへ導入するステップ、及び、前記基板上へ配置された、前記有機反射防止皮膜層と前記チタン窒化物反射防
止皮膜層との組み合わせ、そして前記多層チタンと前記チタン反射防止皮膜との
組み合わせ、の少なくとも一方の前記組み合わせを追加してエッチングするため
に、前記第２エッチャントガスからプラズマを形成するステップ、を有する、請求項１のプロセス。
【請求項５】前記ホウ素−塩素ガスがＢＣｌ₃である、請求項４のプロセス。
【請求項６】前記基板が更に、前記基板の前記ベース上へ直に重なる絶縁酸
化物層、前記絶縁酸化物層上へ重なるベース拡散バリヤ層、及び前記チタン窒化
物反射保護皮膜層の下に重なる導体層を備える、請求項１のプロセス。
【請求項７】前記導体層が：炭素−フッ化物−水素ガスとホウ素−塩素ガスと塩素ガスとを含む第３エッチャ
ントガスを、前記プロセスゾーンへ導入するステップ、及び、前記基板上の前記導体層をエッチングするために、前記第３エッチャントガス
からプラズマを形成するステップ、によりエッチングされる、請求項６のプロセス。
【請求項８】前記拡散バリヤ層と前記絶縁酸化物層とが：ホウ素−塩素ガスと塩素ガスとを含む第４エッチャントガスを、前記プロセスゾ
ーンへ導入するステップ、及び、前記基板上の前記拡散バリヤ層と前記絶縁酸化物層とをエッチングするために
、前記第４エッチャントガスからプラズマを形成するステップ、によりエッチングされる、請求項７のプロセス。
【請求項９】前記基板が、前記有機反射防止皮膜層の各部の上に重なるレジ
スト層を有し、塩素ガスに対する炭素−フッ化物−水素ガスの体積流量比は、前
記レジストのエッチングレートに対する、組み合わされたチタン窒化物反射防止
皮膜層と有機反射防止皮膜層とのエッチングレートの比が約２になるように選択
される、請求項１のプロセス。
【請求項１０】誘導コイルが前記プロセスゾーンを取り囲み、前記エッチャ
ントガスからプラズマを形成する前記ステップが、約１１００から約１３００ワ
ットまでのパワーレベルを有するＲＦ電流を前記誘導コイルに与えるステップを
有する、請求項１のプロセス。
【請求項１１】前記基板が、前記プロセスゾーン内のカソード上に載置され
、約２０から約４０ワットまでのパワーレベルを有するＲＦ電流が前記カソード
へ与えられる、請求項１１のプロセス。
【請求項１２】前記プロセスゾーンが、約８ｍＴｏｒｒから約１２ｍＴｏｒ
ｒの圧力に維持される、請求項１のプロセス。
【請求項１３】前記プロセスゾーンが、約６ｍＴｏｒｒから約１０ｍＴｏｒ
ｒの圧力に維持される、請求項４のプロセス。
【請求項１４】前記プロセスゾーンが、約１０ｍＴｏｒｒから約１４ｍＴｏ
ｒｒの圧力に維持される、請求項７のプロセス。
【請求項１５】前記プロセスゾーンが、約８ｍＴｏｒｒから約１２ｍＴｏｒ
ｒの圧力に維持される、請求項８のプロセス。
【請求項１６】誘導コイルが前記プロセスゾーンを取り囲み、前記第２エッ
チャントガスからプラズマを形成する前記ステップが、約７００から約９００ワ
ットまでのパワーレベルを有するＲＦ電流を前記誘導コイルに与えるステップを
有する、請求項４のプロセス。
【請求項１７】前記基板が、前記プロセスゾーン内のカソード上に載置され
、約７０から約１２５ワットまでのパワーレベルを有するＲＦ電流が前記カソー
ドへ与えられる、請求項１６のプロセス。
【請求項１８】前記エッチャントガスから形成されたプラズマが、異なる気
体核種を含み、前記プロセスゾーンは、前記プラズマ中の前記気体核種の一部を
掃気する材料を含む内壁を有するプロセスチャンバ内に在る、請求項１のプロセス。
【請求項１９】基板のベースからマルチ層皮膜をエッチングするためのプロ
セスであって、前記プロセスは：（ａ）基板をプロセスゾーン内へ載置するステップ、（ｂ）塩素ガスと塩素含有ガスのうちの少なくとも一方と組み合わされる、炭素
−フッ化物−水素ガス、炭素−フッ化物ガス、及び炭素−塩素−フッ素含有ガス
のうちの少なくとも一つを含む第１エッチャントガスを、前記プロセスゾーンへ
導入するステップ、（ｃ）前記基板上へ配置された、有機反射防止皮膜層とチタン窒化物反射防止皮
膜層との組み合わせ、そして多層チタンとチタン反射防止皮膜との組み合わせ、
の少なくとも一方の組み合わせをエッチングするために、前記エッチャントガス
からプラズマを形成するステップ、（ｄ）ホウ素−塩素ガスと塩素ガスとを含む第２エッチャントガスを、前記プロ
セスゾーンへ導入するステップ、及び、（ｅ）前記第２エッチャントガスからプラズマを形成し、それにより、前記基板
上の前記チタン窒化物反射防止皮膜層と前記有機反射防止皮膜層のノッチ形成を
なくすステップ、を有するプロセス。
【請求項２０】前記炭素−フッ化物−水素ガスが、Ｃ_xＨ_yＦ_zから成るグループから選択されたガスを含み、前記炭素−フッ化物ガスが、Ｃ_xＦ_yから成るグ
ループから選択されたガスを含み、前記炭素−塩素−弗素含有ガスがＣＦ₃Ｃｌであり、ホウ素−塩素ガスがＢＣｌ₃であり、そして塩素ガスと塩素含有ガスが、ＣｌとＣｌ₂とから成るグループの中から選択されたガスを含む、請求項１９のプロセス。
【請求項２１】誘導コイルが前記プロセスゾーンを取り囲み、前記第１エッチャントガスからプラズマを形成する前記ステップが、約７００
から約１６００ワットまでのパワーレベルを有するＲＦ電流を前記誘導コイルに
与えるステップを有し、前記基板が、前記プロセスゾーン内のカソード上に載置
され、約１０から約１００ワットまでのパワーレベルを有するＲＦ電流が前記カ
ソードへ与えられ、そして、前記第２エッチャントガスからプラズマを形成する前記ステップが、約７００
から約９００ワットまでのパワーレベルを有するＲＦ電流を前記誘導コイルに与
えるステップを有し、前記基板が、前記プロセスゾーン内のカソード上に載置さ
れ、約９０から約１１０ワットまでのパワーレベルを有するＲＦ電流が前記カソ
ードへ与えられる、請求項１９のプロセス。
【請求項２２】ステップ（ｂ〜ｃ）中は、前記プロセスゾーンが、約８ｍＴ
ｏｒｒから約１２ｍＴｏｒｒの圧力に維持され、ステップ（ｄ〜ｅ）中は、前記
プロセスゾーンが、約６ｍＴｏｒｒから約１０ｍＴｏｒｒの圧力に維持される、請求項１９のプロセス。
【請求項２３】基板をエッチングするためのプロセスであって：（ａ）チタン窒化物反射防止皮膜層の上に重なる有機反射防止皮膜層、前記基板
のベース上へ直に重なる絶縁酸化物層、前記絶縁酸化物層上へ重なるベース拡散
バリヤ層、及び前記チタン窒化物反射保護皮膜層の下に重なる導体層、を前記基
板へ提供するステップ、（ｂ）前記基板をプロセスゾーン内へ載置するステップ、（ｃ）炭素−フッ化物−水素ガスと塩素ガスとを含む第１エッチャントガスを、
前記プロセスゾーンへ導入するステップ、（ｄ）前記基板上のチタン窒化物反射防止皮膜層と有機反射防止皮膜層とをエッ
チングするために、前記第１エッチャントガスからプラズマを形成するステップ
、（ｅ）炭素−フッ化物−水素ガスと、ホウ素−塩素ガスと、塩素ガスとを含む第
２エッチャントガスを、前記プロセスゾーンへ導入するステップ、（ｆ）前記基板上の前記導体層をエッチングするために、前記第２エッチャント
ガスからプラズマを形成するステップ、（ｇ）ホウ素−塩素ガスと塩素ガスとを含む第３エッチャントガスを、前記プロ
セスゾーンへ導入するステップ、及び、（ｈ）前記基板上の前記ベース拡散バリヤと前記絶縁酸化物層とをエッチングす
るために、前記第３エッチャントガスからプラズマを形成するステップ、を有するプロセス。
【請求項２４】ステップ（ｄ）の後、ステップ（ｅ）の前に：ホウ素−塩素ガスと塩素ガスとを含む補助エッチャントガスを、前記プロセスゾ
ーンへ導入するステップ、及び、前記補助エッチャントガスからプラズマを形成し、それにより、前記基板上の前
記チタン窒化物反射防止皮膜層と前記有機反射防止皮膜層のノッチ形成をなくす
ステップ、を有する、請求項２３のプロセス。
【請求項２５】前記炭素−フッ化物−水素ガスが、Ｃ_xＨ_yＦ_zから成るグループから選択されたガスを含み、前記炭素−フッ化物ガスが、Ｃ_xＦ_yから成るグ
ループから選択されたガスを含み、前記ホウ素−塩素ガスがＢＣｌ₃であり、そして前記塩素ガスが、ＣｌとＣｌ₂とから成るグループの中から選択されたガスを含む、請求項２３のプロセス。
【請求項２６】前記炭素−フッ化物−水素ガスが、ＣＨＦとＣＨＦ₃とから成るグループから選択されたガスを含み、前記炭素−フッ化物ガスが、ＣＦとＣ
Ｆ₄とから成るグループから選択されたガスを含む、請求項２３のプロセス。
【請求項２７】前記ステップが in situ で、且つ介在する処理ステップもなく行われる、請求項１に記載の発明。
【請求項２８】前記ステップが in situ で、且つ介在する処理ステップもなく行われる、請求項１９に記載の発明。
【請求項２９】前記ステップが in situ で、且つ介在する処理ステップもなく行われる、請求項２３に記載の発明。