JPH03159235A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH03159235A JPH03159235A JP1298914A JP29891489A JPH03159235A JP H03159235 A JPH03159235 A JP H03159235A JP 1298914 A JP1298914 A JP 1298914A JP 29891489 A JP29891489 A JP 29891489A JP H03159235 A JPH03159235 A JP H03159235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- damage
- speed
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 162
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 63
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- QIVUCLWGARAQIO-OLIXTKCUSA-N (3s)-n-[(3s,5s,6r)-6-methyl-2-oxo-1-(2,2,2-trifluoroethyl)-5-(2,3,6-trifluorophenyl)piperidin-3-yl]-2-oxospiro[1h-pyrrolo[2,3-b]pyridine-3,6'-5,7-dihydrocyclopenta[b]pyridine]-3'-carboxamide Chemical compound C1([C@H]2[C@H](N(C(=O)[C@@H](NC(=O)C=3C=C4C[C@]5(CC4=NC=3)C3=CC=CN=C3NC5=O)C2)CC(F)(F)F)C)=C(F)C=CC(F)=C1F QIVUCLWGARAQIO-OLIXTKCUSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical compound C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000254032 Acrididae Species 0.000 description 1
- JNCMHMUGTWEVOZ-UHFFFAOYSA-N F[CH]F Chemical compound F[CH]F JNCMHMUGTWEVOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010081348 HRT1 protein Hairy Proteins 0.000 description 1
- 102100021881 Hairy/enhancer-of-split related with YRPW motif protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 241000555745 Sciuridae Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SiJ4) Chemical compound 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序で本発明を説明する。
産業上の利用分野
発明の概要
従来の技術及びその問題点
溌嘲葎４Ｉ蛙
問題点を解決するための手段及び作用
実施例
実施例−１
実施例−２
実施例−３
実施例−４
実施例−５
発明の効果
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エツチング方法及びエツチング装置に関する
０本発明は、例えば、半導体装置などの電子部品の製造
におけるエツチングなどに利用することができる。
０本発明は、例えば、半導体装置などの電子部品の製造
におけるエツチングなどに利用することができる。
本出願の請求項１の発明は、シリコン化合物膜をカソー
ドカップリング平行平板型マグネトロンＲＩＥ装置でエ
ツチングする場合に、水素を含有しないフッ化炭素系ガ
スを主成分とするガスによりシリコン化合物の深さ方向
の一部をパターンエツチングし、その後水素を含有する
フッ化炭素系ガスを主成分とするガスによりシリコン化
合物の深さ方向の残部をパターンエツチングすることに
よって、途中までは高速でエツチングを行い、下地に近
い部分ではダメージの少ないエツチングを行うようにし
て、高速かつ低ダメージのエツチングを達成するもので
ある。
ドカップリング平行平板型マグネトロンＲＩＥ装置でエ
ツチングする場合に、水素を含有しないフッ化炭素系ガ
スを主成分とするガスによりシリコン化合物の深さ方向
の一部をパターンエツチングし、その後水素を含有する
フッ化炭素系ガスを主成分とするガスによりシリコン化
合物の深さ方向の残部をパターンエツチングすることに
よって、途中までは高速でエツチングを行い、下地に近
い部分ではダメージの少ないエツチングを行うようにし
て、高速かつ低ダメージのエツチングを達成するもので
ある。
本出願の請求項２の発明は、アノード電極裏側に、電界
と直交する磁界成分をもち電界と直交する方向に移動可
能な磁石を配設したエツチング装置に、更にカソード電
極周囲に、電界と直交する磁界成分をもつ磁石を均等に
配設したことによって、主放電領域に印加する磁場と周
辺部からの補助的な磁場との双方により高速なエツチン
グにおける均一性を向上させたものである。
と直交する磁界成分をもち電界と直交する方向に移動可
能な磁石を配設したエツチング装置に、更にカソード電
極周囲に、電界と直交する磁界成分をもつ磁石を均等に
配設したことによって、主放電領域に印加する磁場と周
辺部からの補助的な磁場との双方により高速なエツチン
グにおける均一性を向上させたものである。
本出願の請求項３の発明は、主放電領域内にフッ素を含
む樹脂を有する第３電極を配設したことによって、該樹
脂によりスパッタリングによるエッチャントの供給を増
大させて高速エツチングを可能とするとともに、カソー
ド印加電力と独立に制御可能な第３電極としたことによ
り低ダメージでのエツチングを可能としたものである。
む樹脂を有する第３電極を配設したことによって、該樹
脂によりスパッタリングによるエッチャントの供給を増
大させて高速エツチングを可能とするとともに、カソー
ド印加電力と独立に制御可能な第３電極としたことによ
り低ダメージでのエツチングを可能としたものである。
エツチング技術は種々の分野で用いられているが、生産
性を向上するため、エツチング速度を一層高速化するこ
とが望まれている。
性を向上するため、エツチング速度を一層高速化するこ
とが望まれている。
例えば電子材料、特に半導体装置製造の分野では、半導
体ウェハの大口径化及びパターンの微細化に伴って、エ
ツチング速度の増大が切望されている。大口径ウェハに
おける微細パターンを面内均一性よくエツチングを行う
には、−度に多数枚のウェハを処理する従来のバッチ方
式ではもはや対応しにくく、枚葉式のエツチング処理を
実用化することが望まれるのであるが、枚葉式はバッチ
式に比して１回の処理での材料が限られるので、エツチ
ング速度を大きくして処理効率を上げる必要がある。
体ウェハの大口径化及びパターンの微細化に伴って、エ
ツチング速度の増大が切望されている。大口径ウェハに
おける微細パターンを面内均一性よくエツチングを行う
には、−度に多数枚のウェハを処理する従来のバッチ方
式ではもはや対応しにくく、枚葉式のエツチング処理を
実用化することが望まれるのであるが、枚葉式はバッチ
式に比して１回の処理での材料が限られるので、エツチ
ング速度を大きくして処理効率を上げる必要がある。
枚葉式エツチング技術は一部で実用化されているものの
、被処理材料によっては未だ実際的ではない。例えばＳ
ｉＯ□エツチングに関しては従来のバッチ式と同等なス
ルーブツトが得られるほどにはエツチング速度が上がら
ず、枚葉式の実用化には至っていない。
、被処理材料によっては未だ実際的ではない。例えばＳ
ｉＯ□エツチングに関しては従来のバッチ式と同等なス
ルーブツトが得られるほどにはエツチング速度が上がら
ず、枚葉式の実用化には至っていない。
更に、高速エツチングを実現するためには、エツチング
の高速化に伴って生ずる問題を解決しなければならない
。
の高速化に伴って生ずる問題を解決しなければならない
。
その一つはダメージ防止の問題であり、他の一つは処理
の均一性の問題である。
の均一性の問題である。
ダメージ防止について言えば、エツチング速度を高める
にはエツチング時に用いるエネルギを大きくしたり反応
性の大きいガスを用いるなどの手段があるが、これらは
いずれも下地に対してダメージを与えるおそれがある。
にはエツチング時に用いるエネルギを大きくしたり反応
性の大きいガスを用いるなどの手段があるが、これらは
いずれも下地に対してダメージを与えるおそれがある。
元来高速化とダメージ低減とは相反する要請ではあるが
、高速エツチングの実用化にはその双方を満足させなけ
ればならない。
、高速エツチングの実用化にはその双方を満足させなけ
ればならない。
また処理の均一性についても、例えばエネルギが大きく
なるとどうしても均一性が犠牲になることがある０例え
ば枚葉式処理の採用については、均一性を保つためにか
かる手段を用いるのに高速にして均一性を損なうおそれ
が出れば、これを採用する意義が減じてしまう、特公昭
６０−１１１０９号公報には高速でダメージの小さいマ
グネトロンドライエツチング方法が示されているが、均
一性の点で問題が残るものである。一方、特公昭５７−
４４７４９号公報にはダメージの小さい均一処理可能な
エツチング技術が示されているが、高速化という点で更
に改良が望まれる。
なるとどうしても均一性が犠牲になることがある０例え
ば枚葉式処理の採用については、均一性を保つためにか
かる手段を用いるのに高速にして均一性を損なうおそれ
が出れば、これを採用する意義が減じてしまう、特公昭
６０−１１１０９号公報には高速でダメージの小さいマ
グネトロンドライエツチング方法が示されているが、均
一性の点で問題が残るものである。一方、特公昭５７−
４４７４９号公報にはダメージの小さい均一処理可能な
エツチング技術が示されているが、高速化という点で更
に改良が望まれる。
従って、高速エツチングが可能で、しかもそれに伴う問
題、例えばダメージの問題とか、処理不均一性の問題と
かを解決したエツチング技術が望まれているのである。
題、例えばダメージの問題とか、処理不均一性の問題と
かを解決したエツチング技術が望まれているのである。
本出願の各発明は、上記問題点を解決せんとするもので
ある。即ち本出願の請求項１の発明は、高速でかつダメ
ージの小さいエツチング方法を提供することを目的とす
る。本出願の請求項２の発明は、高速でかつ処理均一性
の高いエツチングを達成できるエツチング装置を提供す
ることを目的とする。本出願の請求項３の発明は、高速
でかつダメージの小さいエツチングを達成できるエツチ
ング装置を提供することを目的とする。
ある。即ち本出願の請求項１の発明は、高速でかつダメ
ージの小さいエツチング方法を提供することを目的とす
る。本出願の請求項２の発明は、高速でかつ処理均一性
の高いエツチングを達成できるエツチング装置を提供す
ることを目的とする。本出願の請求項３の発明は、高速
でかつダメージの小さいエツチングを達成できるエツチ
ング装置を提供することを目的とする。
〔問題を解決するための手段及び作用３本出願の請求項
１の発明は、シリコン化合物膜上にパターン化したマス
ク層を形成する工程と、水素を含有しないフッ化炭素系
ガスを主成分とするガスにより、シリコン化合物膜の深
さ方向の一部をパターンエツチングする工程と、水素を
含有するフッ化炭素系ガスを主成分とするガスにより、
シリコン化合物の深さ方向の残部をパターンエツチング
する工程とを有することを特徴とするカソードカップリ
ング平行平板型マグネトロンＲＩＥ装置によるエツチン
グ方法である。
１の発明は、シリコン化合物膜上にパターン化したマス
ク層を形成する工程と、水素を含有しないフッ化炭素系
ガスを主成分とするガスにより、シリコン化合物膜の深
さ方向の一部をパターンエツチングする工程と、水素を
含有するフッ化炭素系ガスを主成分とするガスにより、
シリコン化合物の深さ方向の残部をパターンエツチング
する工程とを有することを特徴とするカソードカップリ
ング平行平板型マグネトロンＲＩＥ装置によるエツチン
グ方法である。
この発明によれば、水素を含有しないフッ化炭素系ガス
を主成分とするガスによるエツチングによって、シリコ
ン化合物膜の高速エツチングを行うことができる。また
残りの部分について、水素を含有するフッ化水素系ガス
を主成分とするガスによるエツチングによって、下地に
対するダメージのないエツチングを行うことができる。
を主成分とするガスによるエツチングによって、シリコ
ン化合物膜の高速エツチングを行うことができる。また
残りの部分について、水素を含有するフッ化水素系ガス
を主成分とするガスによるエツチングによって、下地に
対するダメージのないエツチングを行うことができる。
よってこの発明を用いると、途中まで高速のエツチング
を行い、下地付近になった段階で低ダメージのエツチン
グに切り換えて実施することができる。従ってこの発明
により高速かつ低ダメージのエツチングが達成できる。
を行い、下地付近になった段階で低ダメージのエツチン
グに切り換えて実施することができる。従ってこの発明
により高速かつ低ダメージのエツチングが達成できる。
本発明においては、上記各主成分をなすガスの他に他の
ガス成分、例えば希ガスなどを含有するガス系を用いて
もよい、即ちここで言う主成分とは、エツチングガスと
して所望のエツチングを達成できる程度にガス系に含有
されていることをいう。
ガス成分、例えば希ガスなどを含有するガス系を用いて
もよい、即ちここで言う主成分とは、エツチングガスと
して所望のエツチングを達成できる程度にガス系に含有
されていることをいう。
この発明において、水素を含有しないフッ化炭素系ガス
とは、フロン系ガスあるいはフレオン系ガスなどと称さ
れる含フツ素ガスの内、分子中に水素を含有しないもの
をいう。例えば、Ｃ，ＦＩ、Ｃ２Ｆ６等のガス（一般弐
ＣａＦ！ｎ＋！で表すことのできるフッ化炭素ガス、ｎ
は１以上の整数）を好ましく用いることができる。
とは、フロン系ガスあるいはフレオン系ガスなどと称さ
れる含フツ素ガスの内、分子中に水素を含有しないもの
をいう。例えば、Ｃ，ＦＩ、Ｃ２Ｆ６等のガス（一般弐
ＣａＦ！ｎ＋！で表すことのできるフッ化炭素ガス、ｎ
は１以上の整数）を好ましく用いることができる。
また水素を含有するフン化炭素系ガスとは、同じく上記
の如き含フツ素ガスの内、分子中に水素を含有するもの
をいう０例えば、ＣＨＦ２、ＣＩ！Ｆｔ等のガス（一般
式ＣａＨｚａ＋ｔ−ｓ Ｆａで表すことのできるガス、
ｎ、ｍは１以上の整数）を好ましく用いることができる
。
の如き含フツ素ガスの内、分子中に水素を含有するもの
をいう０例えば、ＣＨＦ２、ＣＩ！Ｆｔ等のガス（一般
式ＣａＨｚａ＋ｔ−ｓ Ｆａで表すことのできるガス、
ｎ、ｍは１以上の整数）を好ましく用いることができる
。
またこの発明においてシリコン化合物膜とは、シリコン
の酸化物や窒化物で代表される各種シリコン化合物から
成る膜であり、被エツチング処理されるものであれば特
に限定はない。特にＳｉｎｇやＳｉＮ （ＳｉＪ４等の
シリコンナイトライド）は、下地がシリコン基板の場合
エツチングによりダメージが生ずるおそれが大きいので
、この発明を有効に適用できる。
の酸化物や窒化物で代表される各種シリコン化合物から
成る膜であり、被エツチング処理されるものであれば特
に限定はない。特にＳｉｎｇやＳｉＮ （ＳｉＪ４等の
シリコンナイトライド）は、下地がシリコン基板の場合
エツチングによりダメージが生ずるおそれが大きいので
、この発明を有効に適用できる。
次に本出願の請求項２の発明は、アノード電極裏側に、
電界と直交する磁界成分をもち電界と直交する方向に移
動可能な磁石を配設し、かつカソード電極周囲に、電界
と直交する磁界成分をもつ磁石を均等に配設したことを
特徴とするエツチング装置である。
電界と直交する磁界成分をもち電界と直交する方向に移
動可能な磁石を配設し、かつカソード電極周囲に、電界
と直交する磁界成分をもつ磁石を均等に配設したことを
特徴とするエツチング装置である。
この発明によれば、電界と直交する磁界成分をもつ磁石
を、アノード電極裏側において、電界と直交、する方向
に移動させることにより主放電領域における主たる磁界
を形成するとともに、カソード電極周囲に均等に配設し
た磁石により均等な磁界を与えることができ、これによ
り均一なエッチングを達成できる。
を、アノード電極裏側において、電界と直交、する方向
に移動させることにより主放電領域における主たる磁界
を形成するとともに、カソード電極周囲に均等に配設し
た磁石により均等な磁界を与えることができ、これによ
り均一なエッチングを達成できる。
この発明において、アノード電極の「裏側」とは、主た
る反応が行われる主放電領域と逆の側を意味する。また
「均等に配設」とは、必ずしも機械的に距離が均等とい
うことのみならず、与えられる磁界が均等であって、均
一なエツチングをもたらし得る場合を含むものである。
る反応が行われる主放電領域と逆の側を意味する。また
「均等に配設」とは、必ずしも機械的に距離が均等とい
うことのみならず、与えられる磁界が均等であって、均
一なエツチングをもたらし得る場合を含むものである。
また本発明において「直交」とは、必ずしも厳密に直角
方向である必要はなく、磁界等による効果が奏される程
度の角度で交わっていればよい。
方向である必要はなく、磁界等による効果が奏される程
度の角度で交わっていればよい。
次に本出願の請求項３の発明は、主放電領域内に、フッ
素を含む樹脂を有する第３電極を配設したことを特徴と
するエツチング装置である。
素を含む樹脂を有する第３電極を配設したことを特徴と
するエツチング装置である。
この発明によれば、第３電極が有するフッ素を含む樹脂
から、エツチングに寄与するフッ素系エッチャントが発
生し、エツチング速度が向上する。
から、エツチングに寄与するフッ素系エッチャントが発
生し、エツチング速度が向上する。
一般にスパッタによりフッ素系のイオンが供給され、こ
れがエッチャントとして機能するのである。
れがエッチャントとして機能するのである。
またこの発明によれば、かかるエッチャント導入用の電
極は第３電極として形成したので、この第３電極の印加
電力は、カソード印加電力とは別々に制御できる。よっ
てエッチャントの生成と半導体ウェハ等の被エツチング
材への入射イオンエネルギーとを各独立に制御すること
が可能となり、低ダメージなエツチングを達成できる。
極は第３電極として形成したので、この第３電極の印加
電力は、カソード印加電力とは別々に制御できる。よっ
てエッチャントの生成と半導体ウェハ等の被エツチング
材への入射イオンエネルギーとを各独立に制御すること
が可能となり、低ダメージなエツチングを達成できる。
この発明において、フッ素を含む樹脂は第３電極にエッ
チャントを供給できるように備わっていればよく、必ず
しも該電極がフッ素を含む樹脂に被覆されている必要は
ないが、好ましいのは被覆されていることである。
チャントを供給できるように備わっていればよく、必ず
しも該電極がフッ素を含む樹脂に被覆されている必要は
ないが、好ましいのは被覆されていることである。
この発明においてフッ素を含む樹脂としては、いわゆる
テフロンを好ましく用いることができるが、その他フッ
素を含有していて、フッ素系のエッチャントを供給でき
るものであれば任意に使用〔実施例〕 以下実施例について説明する。但し当然のことではある
が、本出願の各発明は以下述べる具体的な実施例により
限定されるものではなく、種々の態様をとることができ
るものである。
テフロンを好ましく用いることができるが、その他フッ
素を含有していて、フッ素系のエッチャントを供給でき
るものであれば任意に使用〔実施例〕 以下実施例について説明する。但し当然のことではある
が、本出願の各発明は以下述べる具体的な実施例により
限定されるものではなく、種々の態様をとることができ
るものである。
実施例−１
本実施例は、本出願の請求項１の発明を具体化したもの
であり、特に高集積化した半導体装置の製造に適用した
ものである。
であり、特に高集積化した半導体装置の製造に適用した
ものである。
本実施例では５ｉＯｚ系膜のエツチングに上記発明を適
用した。５ｉＯｔのエツチングは、イオンがエツチング
に主に寄与するいわゆるイオン・アシスト反応を主とし
てエツチングが進行すると考えられるものであるが、例
えばＣＦ ｓイオンの如＜５ｉｆｔをエツチングするイ
オンを発生するような解離の多いガスによる高密度プラ
ズマにシリコンウェハ等の被エツチング材がさらされる
と、入射イオンによる基板ダメージが太き（なる、これ
は入射イオンエネルギーを大きくできるマグネトロンＲ
１Ｅ装置における高速エツチングについて特に問題であ
る。かかるダメージを抑えようとするとエツチング速度
を犠牲にしなければならなかったのであるが、本実施例
では本出願の請求項１の発明を適用することにより、高
速でなおかつ基板ダメージを抑えたＳｉｎ、系膜のエツ
チングを実現した。
用した。５ｉＯｔのエツチングは、イオンがエツチング
に主に寄与するいわゆるイオン・アシスト反応を主とし
てエツチングが進行すると考えられるものであるが、例
えばＣＦ ｓイオンの如＜５ｉｆｔをエツチングするイ
オンを発生するような解離の多いガスによる高密度プラ
ズマにシリコンウェハ等の被エツチング材がさらされる
と、入射イオンによる基板ダメージが太き（なる、これ
は入射イオンエネルギーを大きくできるマグネトロンＲ
１Ｅ装置における高速エツチングについて特に問題であ
る。かかるダメージを抑えようとするとエツチング速度
を犠牲にしなければならなかったのであるが、本実施例
では本出願の請求項１の発明を適用することにより、高
速でなおかつ基板ダメージを抑えたＳｉｎ、系膜のエツ
チングを実現した。
本実施例においては、下地上に形成された５ｉＯｚ系膜
をエツチングする場合に、Ｃ，Ｆ、、Ｃｚ Ｆ ＆等の
Ｈを含有しないフロンガスを主とするガス系で下地直前
まで高速異方性エツチングを行い、次に分子内に少なく
とも１個のＨを含有するフロンガス（例えばＣＨＦ、）
を主とするガス系に切り換えることで、下地への入射イ
オンダメージを抑えるようにした。
をエツチングする場合に、Ｃ，Ｆ、、Ｃｚ Ｆ ＆等の
Ｈを含有しないフロンガスを主とするガス系で下地直前
まで高速異方性エツチングを行い、次に分子内に少なく
とも１個のＨを含有するフロンガス（例えばＣＨＦ、）
を主とするガス系に切り換えることで、下地への入射イ
オンダメージを抑えるようにした。
以下本実施例に係るカソードカップリング型平行平板型
マグネトロンＲＩＥ装置によるエツチング方法について
、具体的に説明する。
マグネトロンＲＩＥ装置によるエツチング方法について
、具体的に説明する。
本実施例においては、第１図（ａ）に示すようにシリコ
ン化合物膜１（シリコン酸化物や窒化物などから成る膜
。本実施例ではＳｉＯ□膜）上にマスり形成用のレジス
ト層２を形成し、次いで該レジスト層２をパターニング
して、第１図（ｂ）に示すようなパターン化したマスク
層２１を形成する。
ン化合物膜１（シリコン酸化物や窒化物などから成る膜
。本実施例ではＳｉＯ□膜）上にマスり形成用のレジス
ト層２を形成し、次いで該レジスト層２をパターニング
して、第１図（ｂ）に示すようなパターン化したマスク
層２１を形成する。
本実施例において上記シリコン化合物膜１は、シリコン
基板１０上に形成した。
基板１０上に形成した。
次いで、得られた第１図（ｂ）のパターン化したマスク
層２１をマスクにしてシリコン化合物膜１のパターンエ
ツチングを行うのであるが、本実施例におけるカッ−・
ドカップリング平行平板型マグネトロンＲＩＥ装置にお
ける該パターンエツチングは、次の具体的条件の２段階
のステップで行った。
層２１をマスクにしてシリコン化合物膜１のパターンエ
ツチングを行うのであるが、本実施例におけるカッ−・
ドカップリング平行平板型マグネトロンＲＩＥ装置にお
ける該パターンエツチングは、次の具体的条件の２段階
のステップで行った。
１、高速条件のパターンエツチング工程。
エツチング条件は下記のとおり。
使用ガス及び流量： ＣｚＦ ５＝４６ ＳＣＣＭ雰囲
気圧：２Ｐａ ＲＦパワー ：２．７６Ｗ／ｃｄ 印加磁場： １００ Ｇａｕｓｓ 本実施例ではジャストエッチ条件、即ち下地である基板
１０が丁度露出するまでのエツチング条件より１０％程
度前の時期まで、上記条件での高速エツチングを行った
。下地が露出しない限り、できるだけジャストエッチ条
件に近い所までこの高速条件のエツチングを行うことが
好ましく、１０％以内、より好ましくは５％以内の時間
までこのエツチングを続ける。但し、シリコン化合物膜
１の膜厚の面内ばらつきが通常は３％程度あると考えら
れるので、このばらつきを考慮し、下地が露出しないよ
うに上記高速エツチングを行う。
気圧：２Ｐａ ＲＦパワー ：２．７６Ｗ／ｃｄ 印加磁場： １００ Ｇａｕｓｓ 本実施例ではジャストエッチ条件、即ち下地である基板
１０が丁度露出するまでのエツチング条件より１０％程
度前の時期まで、上記条件での高速エツチングを行った
。下地が露出しない限り、できるだけジャストエッチ条
件に近い所までこの高速条件のエツチングを行うことが
好ましく、１０％以内、より好ましくは５％以内の時間
までこのエツチングを続ける。但し、シリコン化合物膜
１の膜厚の面内ばらつきが通常は３％程度あると考えら
れるので、このばらつきを考慮し、下地が露出しないよ
うに上記高速エツチングを行う。
この工程における高速エツチングは、次工程の低ダメー
ジ条件の場合に対し、約３倍強のエツチング速度を有す
る。
ジ条件の場合に対し、約３倍強のエツチング速度を有す
る。
この工程終了時の構造を第１図（Ｃ）に略示する。
■、低ダメージ条件のパターンエツチング工程エツチン
グ条件は下記のとおり。
グ条件は下記のとおり。
使用ガス及び流量 ： ＣＨＦ ３＝５０ ＳＣＣＭ雰
囲気圧 ：２Ｐａ ＲＦパワー ： １．３３Ｗ／ｄ 印加磁場 ： １００ Ｇａｕｓｓ 高速エツチング条件からこの低ダメージ条件のエツチン
グ工程に入る時点は、上記のとおり下地が露出しない限
りできるだけ下地に近づく時点が好ましいのであるが、
具体的には予め適正なエツチング残部になる時間を調べ
て設定しておき、この設定に従うようにすることができ
る。あるいは目視その他の観察によりモニタして、条件
の切り換え時点を決定するようにしてもよい。
囲気圧 ：２Ｐａ ＲＦパワー ： １．３３Ｗ／ｄ 印加磁場 ： １００ Ｇａｕｓｓ 高速エツチング条件からこの低ダメージ条件のエツチン
グ工程に入る時点は、上記のとおり下地が露出しない限
りできるだけ下地に近づく時点が好ましいのであるが、
具体的には予め適正なエツチング残部になる時間を調べ
て設定しておき、この設定に従うようにすることができ
る。あるいは目視その他の観察によりモニタして、条件
の切り換え時点を決定するようにしてもよい。
この条件でエツチングすることにより、第１図（ｄ）の
如くエツチングを完成した構造を得る。
如くエツチングを完成した構造を得る。
本実施例においては、上記１．ＩＩの各条件による２段
階のパターンエツチングを行うことで、９００ｎｍ／ｓ
ｉｎ以上の高いエツチング速度が得られた。
階のパターンエツチングを行うことで、９００ｎｍ／ｓ
ｉｎ以上の高いエツチング速度が得られた。
かつ、基板ダメージを抑えたＳｉ０ｇ膜のエツチングが
可能となった。従来のエツチング方法であると、バッチ
式にしても枚葉式にしても４０〜５０ｎｍ／ｓｉｎ程度
のエツチング速度であったので、本実施例によれば、枚
葉式とした場合にも従来のバッチ式に比肩する程度の生
産効率を達成できる。
可能となった。従来のエツチング方法であると、バッチ
式にしても枚葉式にしても４０〜５０ｎｍ／ｓｉｎ程度
のエツチング速度であったので、本実施例によれば、枚
葉式とした場合にも従来のバッチ式に比肩する程度の生
産効率を達成できる。
低ダメージ化が可能であるという本発明の効果は、次の
実験からも明らかである。
実験からも明らかである。
即ち、上記実施例で用いたＣＨＦ３とＣｓ Ｆ ｓとの
２種のガスについて、共にＲＦパワーを１．３３Ｗ／ｃ
ｄ印加する条件でエツチングを行った場合の基板ダメー
ジを、Ｔｈｅｒｍａｌ Ｈａｖｅ法による基板のダメー
ジ評価により調べた。この結果、ＣＨＦ３ガスではＣ，
Ｆ、ガスによる場合に比べ、４６５ユニツトから１１０
ユニツトとダメージ評価が減少したものであった（ノー
ダメージでは約２５ユニツトである）。このように、７
６％ものダメージ低減ができることが確かめられた。
２種のガスについて、共にＲＦパワーを１．３３Ｗ／ｃ
ｄ印加する条件でエツチングを行った場合の基板ダメー
ジを、Ｔｈｅｒｍａｌ Ｈａｖｅ法による基板のダメー
ジ評価により調べた。この結果、ＣＨＦ３ガスではＣ，
Ｆ、ガスによる場合に比べ、４６５ユニツトから１１０
ユニツトとダメージ評価が減少したものであった（ノー
ダメージでは約２５ユニツトである）。このように、７
６％ものダメージ低減ができることが確かめられた。
このことからも、基板露出時のパターンエツチングをＨ
を含有するフッ化炭素系ガスで行う本発明が、全体とし
て低ダメージ化の著しい効果を有することが理解されよ
う。
を含有するフッ化炭素系ガスで行う本発明が、全体とし
て低ダメージ化の著しい効果を有することが理解されよ
う。
この工程における含水素フッ化炭素系ガスによるエツチ
ングでは、活性化したフッ素を水素が捕捉するので、５
ｔｙｘ／Ｓｔ間の選択比をとることができる。
ングでは、活性化したフッ素を水素が捕捉するので、５
ｔｙｘ／Ｓｔ間の選択比をとることができる。
なお上記Ｔｈｅｒｌａｌ Ｗａｖｅ法による基板のダメ
ージ評価は、次のようにして行った。即ちＩＭＨｚに変
調されたＡｒイオンレーザビームにより被測定物に周期
的エネルギを与えるとともに、ＨｅＮｅレーザービーム
を被測定物上に焦点を結ばせるように照射しくビーム強
度は３ＭＷ程度）、被測定物から反射した光のみを偏光
分離してその信号を検知する。この操作をエツチングの
前後について行って、エツチングにより与えられる反射
率の変化や周期変化の状態の変化をＴｈｅｒ＋ｗａｌ
Ｗａｖｅの吸収ユニットで示したものである。この評価
方法の詳細については、プレスジャーナル社「月刊Ｓｅ
ｗ ｉ −ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ Ｊ１９Ｂ
、７年１月号の１２１頁〜１２７頁に詳細な記載がある
ので、これを参照されたい。
ージ評価は、次のようにして行った。即ちＩＭＨｚに変
調されたＡｒイオンレーザビームにより被測定物に周期
的エネルギを与えるとともに、ＨｅＮｅレーザービーム
を被測定物上に焦点を結ばせるように照射しくビーム強
度は３ＭＷ程度）、被測定物から反射した光のみを偏光
分離してその信号を検知する。この操作をエツチングの
前後について行って、エツチングにより与えられる反射
率の変化や周期変化の状態の変化をＴｈｅｒ＋ｗａｌ
Ｗａｖｅの吸収ユニットで示したものである。この評価
方法の詳細については、プレスジャーナル社「月刊Ｓｅ
ｗ ｉ −ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ Ｊ１９Ｂ
、７年１月号の１２１頁〜１２７頁に詳細な記載がある
ので、これを参照されたい。
上述の如く本実施例においては、Ｓｉｎ、膜やＳｉＮ膜
などのシリコン化合物膜をドライエツチングする際、下
地直前までをＣ３Ｆｓ、ＣｚＦａ等のＨを含有しないフ
ロンガスを主とするガス系で高速異方性エツチングし、
その後、分子内に少なくとも１個のＨを含有するフロン
ガス（例えばＣＨＦ３ ）を主とするガス系で低ダメー
ジエツチングを行う２ステツプエツチングでパターンエ
ツチングするので、高速化かつ低ダメージ化した５ｉ０
１膜系のエツチングを達成できる。この結果、エツチン
グの枚葉化も実現できる。更に低ダメージ化によるデバ
イス特性の向上を図ることができる。かつ、低ダメージ
化したのでエツチング後の表面処理量の低減化も実現で
きる。
などのシリコン化合物膜をドライエツチングする際、下
地直前までをＣ３Ｆｓ、ＣｚＦａ等のＨを含有しないフ
ロンガスを主とするガス系で高速異方性エツチングし、
その後、分子内に少なくとも１個のＨを含有するフロン
ガス（例えばＣＨＦ３ ）を主とするガス系で低ダメー
ジエツチングを行う２ステツプエツチングでパターンエ
ツチングするので、高速化かつ低ダメージ化した５ｉ０
１膜系のエツチングを達成できる。この結果、エツチン
グの枚葉化も実現できる。更に低ダメージ化によるデバ
イス特性の向上を図ることができる。かつ、低ダメージ
化したのでエツチング後の表面処理量の低減化も実現で
きる。
実施例−２
本実施例は、本出願の請求項２の発明を具体化したもの
である。
である。
前記したようなエツチングの高速化の要請を満たすべく
、高密度プラズマを形成する手段として、ＥＣＲ放電を
利用したマイクロ波プラズマエツチャーや、マグネトロ
ン放電を利用したＲＩＥ装置が開発されているわけであ
るが、そのうちマグネトロン放電型のＲＩＥを考えた場
合、印加磁場強度の最適化とともに被処理材（例えばウ
ェハ）面内における均一性が問題となる。その対策とし
て、交番磁界を利用したものや永久磁石を機械走査させ
たものが開発されているものの、それぞれに一長一短が
あり、高エツチング速度、好均−性、低ダメージ性とい
った特性をすべて満足しうるまでには到る技術は開発さ
れていない。これに対し本実施例では、本出願の請求項
２の発明を用いることにより、これらを満たしたエツチ
ング装置を具体化する。
、高密度プラズマを形成する手段として、ＥＣＲ放電を
利用したマイクロ波プラズマエツチャーや、マグネトロ
ン放電を利用したＲＩＥ装置が開発されているわけであ
るが、そのうちマグネトロン放電型のＲＩＥを考えた場
合、印加磁場強度の最適化とともに被処理材（例えばウ
ェハ）面内における均一性が問題となる。その対策とし
て、交番磁界を利用したものや永久磁石を機械走査させ
たものが開発されているものの、それぞれに一長一短が
あり、高エツチング速度、好均−性、低ダメージ性とい
った特性をすべて満足しうるまでには到る技術は開発さ
れていない。これに対し本実施例では、本出願の請求項
２の発明を用いることにより、これらを満たしたエツチ
ング装置を具体化する。
本実施例は第２図（ａ）に示すように、カソード・カッ
プリング型マグネトロン放電型ＲＩＨにおいて、アノー
ド電極３裏面に磁石５１〜５３を配置して、これらを走
査させる構成とするとともに、これとは別に第２図（ｂ
）に示すようにカソード電極４の周辺に均等に磁石６１
〜６８を配置して、これを更なる磁場印加手段とする。
プリング型マグネトロン放電型ＲＩＨにおいて、アノー
ド電極３裏面に磁石５１〜５３を配置して、これらを走
査させる構成とするとともに、これとは別に第２図（ｂ
）に示すようにカソード電極４の周辺に均等に磁石６１
〜６８を配置して、これを更なる磁場印加手段とする。
アノード電極３の裏側の磁石５１〜５３は、電界と直交
する磁界成分をもち、電界と直交する方向（例えば図示
では左右の矢印方向）に移動可能に配置されるものであ
る。またカソード電極４の周辺に配置する磁石６１〜６
８は、直昇と直交する磁界成分をもつ。第２図（ａ）（
ｂ）中、破線により描いたのは磁力線である。
する磁界成分をもち、電界と直交する方向（例えば図示
では左右の矢印方向）に移動可能に配置されるものであ
る。またカソード電極４の周辺に配置する磁石６１〜６
８は、直昇と直交する磁界成分をもつ。第２図（ａ）（
ｂ）中、破線により描いたのは磁力線である。
本実施例においては、磁石６１〜６８から成る均等な磁
場印加手段により、磁石５１〜５３の機械走査を行って
も補えない被エツチング材８の周辺部におけるエツチン
グ速度の低下を防止することができる。第２図（ａ）に
おいて、アノード電極３裏例の磁石５１〜５３は、所望
に応じて適宜走査でき、各磁石５１〜５３相互は密着さ
せても離間させるようにしてもよい。
場印加手段により、磁石５１〜５３の機械走査を行って
も補えない被エツチング材８の周辺部におけるエツチン
グ速度の低下を防止することができる。第２図（ａ）に
おいて、アノード電極３裏例の磁石５１〜５３は、所望
に応じて適宜走査でき、各磁石５１〜５３相互は密着さ
せても離間させるようにしてもよい。
またＳｉ０ｇエツチングなどにおいて、カソード材のス
パッタを利用して高速化を図ることも行われており、例
えば第２図（ａ）に符号４３で示すようにカソードカバ
ーを設けかつこれをいわゆるテフロン等の含フツ素樹脂
で形成するように構成できるが、このようにした場合は
本実施例の構成によれば、スパッタに寄与する被エツチ
ング材８（ここでは半導体ウェハ）周辺部のイオン種が
効率的に生成されるため、エツチングレートの高速化を
向上できる。但し第２図（ａ）の例はかかるカソード材
のスパッタリングによるレート向上の一つえ、被エツチ
ング材８の周辺部に補助的な磁場印加手段が設けられる
ことになり、エツチング速度の向上と、被エツチング材
８の面内均一性を向上させることができる。このように
本実施例により、高速マグネトロンＲＩＥエツチング装
置における均一性の改善を達成できる。
パッタを利用して高速化を図ることも行われており、例
えば第２図（ａ）に符号４３で示すようにカソードカバ
ーを設けかつこれをいわゆるテフロン等の含フツ素樹脂
で形成するように構成できるが、このようにした場合は
本実施例の構成によれば、スパッタに寄与する被エツチ
ング材８（ここでは半導体ウェハ）周辺部のイオン種が
効率的に生成されるため、エツチングレートの高速化を
向上できる。但し第２図（ａ）の例はかかるカソード材
のスパッタリングによるレート向上の一つえ、被エツチ
ング材８の周辺部に補助的な磁場印加手段が設けられる
ことになり、エツチング速度の向上と、被エツチング材
８の面内均一性を向上させることができる。このように
本実施例により、高速マグネトロンＲＩＥエツチング装
置における均一性の改善を達成できる。
また本実施例においては、具体的エツチング条件は実施
例−１におけるＩの高速のエツチング条件を用いたが、
本実施例ではかかるフロンないしフレオンと称される含
フツ素ガスを必ずしも使用しないでも、シリコン系材料
の高速エツチングを実現できる。
例−１におけるＩの高速のエツチング条件を用いたが、
本実施例ではかかるフロンないしフレオンと称される含
フツ素ガスを必ずしも使用しないでも、シリコン系材料
の高速エツチングを実現できる。
実施例−３
本実施例は、本出願の請求項３の発明を具体化したもの
である。
である。
従来例えば、ＲＩＥにおけるＳｉＯ□エツチングレート
の向上手段として、被エツチング材の周りの電極を含フ
ツ素樹脂でカバーし、入射イオンによるスパッタリング
でエッチャントであるＣＦｘ“等の生成を促進させるこ
とが知られているが、例えば枚葉式にみあうレートをか
せぐためには、それだけでは不充分であった。よって本
実施例は本出願の請求項３の発明を用いることによって
、充分に高速なエツチングを実現できるようにしたもの
である。
の向上手段として、被エツチング材の周りの電極を含フ
ツ素樹脂でカバーし、入射イオンによるスパッタリング
でエッチャントであるＣＦｘ“等の生成を促進させるこ
とが知られているが、例えば枚葉式にみあうレートをか
せぐためには、それだけでは不充分であった。よって本
実施例は本出願の請求項３の発明を用いることによって
、充分に高速なエツチングを実現できるようにしたもの
である。
本実施例の構成を、第３図に示す。
本実施例は第３図に示すように、カソードカップリング
型ＲＩＥ装置において、アノード電極３とカソード電極
４とを有する主放電領域内に、フッ素を含む樹脂を有す
る第３電極９としてテフロン等のフッ素樹脂で表面を被
覆した電極を新たに導入する０図に９１で、フッ素含有
樹脂を示す。この第３電極９に、高周波電力を印加する
。第３図に符号９１でこのための高周波電源を示す、カ
ソード電極４の電源となる高周波電源は、符号４１で示
す。
型ＲＩＥ装置において、アノード電極３とカソード電極
４とを有する主放電領域内に、フッ素を含む樹脂を有す
る第３電極９としてテフロン等のフッ素樹脂で表面を被
覆した電極を新たに導入する０図に９１で、フッ素含有
樹脂を示す。この第３電極９に、高周波電力を印加する
。第３図に符号９１でこのための高周波電源を示す、カ
ソード電極４の電源となる高周波電源は、符号４１で示
す。
上記第３電極９に高周波電力を印加することにより、ス
パッタリングによるエッチャントの供給を増やす。
パッタリングによるエッチャントの供給を増やす。
本実施例における第３電極９の形状は、第３図における
■方向矢視図である第４図に示すように環状の構造とし
、その外径Ｒはカソード電極４の径よりも大きなものと
し、また内部には被エツチング材８であるウェハの径に
ほぼ等しい径ｒの孔を設けることで、主放電を阻害しな
い形とした。
■方向矢視図である第４図に示すように環状の構造とし
、その外径Ｒはカソード電極４の径よりも大きなものと
し、また内部には被エツチング材８であるウェハの径に
ほぼ等しい径ｒの孔を設けることで、主放電を阻害しな
い形とした。
また本実施例では、カソードカバー４３としてもフッ素
含有の例えばテフロン樹脂から成るものを設けた。
含有の例えばテフロン樹脂から成るものを設けた。
これにより、カソードカバー４３のスパッタリングに加
え、導入した第３電極９表面からのスパッタによって、
エッチャントであるＣＦｘ”の供給が増大する。このた
めＳｉｎ、エツチングの高速化が達成される。また、希
ガス（Ａｒなと）を更にガス系に含有させて、その放電
により上記のスパッタリングを効果的に行うようにでき
る。この結果、フロン等のフッ素系ガスを使用しなくて
も、Ｓｉｎｇの効果的なエツチングが可能となる。
え、導入した第３電極９表面からのスパッタによって、
エッチャントであるＣＦｘ”の供給が増大する。このた
めＳｉｎ、エツチングの高速化が達成される。また、希
ガス（Ａｒなと）を更にガス系に含有させて、その放電
により上記のスパッタリングを効果的に行うようにでき
る。この結果、フロン等のフッ素系ガスを使用しなくて
も、Ｓｉｎｇの効果的なエツチングが可能となる。
更にこの構成によれば、第３電極９への印加電力とカソ
ード印加電力は別々に制御できるので、エッチャントの
生成と被エツチング材８への入射イオンエネルギーを独
立に制御することが可能となる。よって、被エツチング
材８を低ダメージでエツチングすることが可能となる。
ード印加電力は別々に制御できるので、エッチャントの
生成と被エツチング材８への入射イオンエネルギーを独
立に制御することが可能となる。よって、被エツチング
材８を低ダメージでエツチングすることが可能となる。
即ち本実施例では、第３電極９に高周波を与える電源９
２は、例えば２ ＭＩＸ〜８００ ｋＨ，程度の周波数
のものとし、かかる比較的低い周波数の高周波を第３電
極９に与えることにより、イオンの追従性を容易にした
。この結果、エッチャントとして効率的な作用が行われ
る。一方、カソード電極４に高周波を与える電極４１は
、例えば１３．５ＭＨ２の如く高周波とした。このよう
に各々を最適に独立に制御するようにしたのである。
２は、例えば２ ＭＩＸ〜８００ ｋＨ，程度の周波数
のものとし、かかる比較的低い周波数の高周波を第３電
極９に与えることにより、イオンの追従性を容易にした
。この結果、エッチャントとして効率的な作用が行われ
る。一方、カソード電極４に高周波を与える電極４１は
、例えば１３．５ＭＨ２の如く高周波とした。このよう
に各々を最適に独立に制御するようにしたのである。
本実施例は、被エツチング材８のＳｉＯ□のエツチング
にこのエツチング装置を用いたものであり、エツチング
条件は次のとおりである。
にこのエツチング装置を用いたものであり、エツチング
条件は次のとおりである。
使用ガス：Ｃ，Ｆ、（またはＣ３Ｆ１等）流 量：
４６３ＣＣＭ 雰囲気圧：０．５〜２Ｐ 印加型カニ ２．７６Ｗ エツチングガスとしてＣｎＦｔｎ＊１で表されるフッ化
炭素系ガスを用いたのは、高速化を達成するためである
。
４６３ＣＣＭ 雰囲気圧：０．５〜２Ｐ 印加型カニ ２．７６Ｗ エツチングガスとしてＣｎＦｔｎ＊１で表されるフッ化
炭素系ガスを用いたのは、高速化を達成するためである
。
実際上記の条件によって効率の良いＳｉＯ２のエツチン
グが実現できた。かつ、基板ダメージも制御的に達成で
きる。よって請求項３の発明を用いると、フロンガス等
の含フツ素ガスを使用せずにＳｉｎ、等のエツチングが
可能となる。
グが実現できた。かつ、基板ダメージも制御的に達成で
きる。よって請求項３の発明を用いると、フロンガス等
の含フツ素ガスを使用せずにＳｉｎ、等のエツチングが
可能となる。
更に請求項３の発明は、上記実施例の如くエッチャント
の生成と被エツチング材８への入射イオンエネルギーを
独立して制御することが可能となり、エツチングレート
の高速化と低ダメージ性の両立が図れる。
の生成と被エツチング材８への入射イオンエネルギーを
独立して制御することが可能となり、エツチングレート
の高速化と低ダメージ性の両立が図れる。
脂９１で表面が被覆された第３電極９を導入し、高周波
電力を印加させることで、スパッタリングによるエッチ
ャントの供給を増大させ、もって５ｉＯ１のエツチング
を高速化することを可能としたものである。このように
エツチングを高速にできる結果、枚葉式エツチングにし
た場合でも、充分に実用に足るスループットの向上が図
れる。
電力を印加させることで、スパッタリングによるエッチ
ャントの供給を増大させ、もって５ｉＯ１のエツチング
を高速化することを可能としたものである。このように
エツチングを高速にできる結果、枚葉式エツチングにし
た場合でも、充分に実用に足るスループットの向上が図
れる。
また上記実施例は高速化を狙ったのでエツチングガスと
して含フツ素ガスを用いたが、アルゴン等の不活性基体
を用いるだけでも、含フツ素樹脂９１からフッ素が供給
されるのでエツチングを効果実施例−４ 本実施例も、本出願の請求項３の発明を具体化したもの
である０本実施例てはこの発明を、マグネトロンＲＩＥ
装置、特にカソードカップリング型マグネトロンＲＩＥ
装置に適用した。
して含フツ素ガスを用いたが、アルゴン等の不活性基体
を用いるだけでも、含フツ素樹脂９１からフッ素が供給
されるのでエツチングを効果実施例−４ 本実施例も、本出願の請求項３の発明を具体化したもの
である０本実施例てはこの発明を、マグネトロンＲＩＥ
装置、特にカソードカップリング型マグネトロンＲＩＥ
装置に適用した。
本実施例のエツチング装置は、第５図に示したようにア
ノード電極３の裏面に磁石５１〜５３を配して、電界に
直交する磁場を形成し、マグネトロンエツチングを行う
構成としたものである。
ノード電極３の裏面に磁石５１〜５３を配して、電界に
直交する磁場を形成し、マグネトロンエツチングを行う
構成としたものである。
その他、第４図と同じ符号を付した部分は、同様の構成
部分を示す。
部分を示す。
本実施例において実施例−３と同様の条件でエツチング
を行ったところ、実施例−３と同じくＳｉｎｇの高速エ
ツチングが達成され、かつマグネトロンＲＩＥの特徴で
ある面内均一性の効果を充分に発揮させることができた
。
を行ったところ、実施例−３と同じくＳｉｎｇの高速エ
ツチングが達成され、かつマグネトロンＲＩＥの特徴で
ある面内均一性の効果を充分に発揮させることができた
。
実施例−５
本実施例は、前記説明した第２図に示したようにカソー
ド電極５の周囲に均等に磁界発生手段である磁石６を配
するとともに、フッ素を含む樹脂９１を有する第３電極
９を設けたものである。即ち、第２図の構成と第３図の
構成とを結合させた形であり、本出願の請求項２の発明
と請求項３の発明とをともに実施したものである。
ド電極５の周囲に均等に磁界発生手段である磁石６を配
するとともに、フッ素を含む樹脂９１を有する第３電極
９を設けたものである。即ち、第２図の構成と第３図の
構成とを結合させた形であり、本出願の請求項２の発明
と請求項３の発明とをともに実施したものである。
この構成を第６図に示す。
即ち本実施例においては、周辺部に第２図と同様な補助
磁場を設けるとともに、これに加えて、表面がテフロン
等のフッ素を含む樹脂９１で被覆された第３電極９を放
電領域に導入させる。これにより、上記説明したとおリ
スバッタによるエッチャントの生成が一層増大し、Ｓｉ
ｎｇのエツチングレートも上がる。電力も小さくてよく
、例えば１００ガウスのマグネットを用いると、１．３
３Ｗで所望のエツチングが達成された０本実施例によれ
ばフロンガス等の含フツ素ガスを使用しなくても、希ガ
ス（Ａｒなど）の放電によって、ＳｉＯ２膜系のエツチ
ングが可能である。
磁場を設けるとともに、これに加えて、表面がテフロン
等のフッ素を含む樹脂９１で被覆された第３電極９を放
電領域に導入させる。これにより、上記説明したとおリ
スバッタによるエッチャントの生成が一層増大し、Ｓｉ
ｎｇのエツチングレートも上がる。電力も小さくてよく
、例えば１００ガウスのマグネットを用いると、１．３
３Ｗで所望のエツチングが達成された０本実施例によれ
ばフロンガス等の含フツ素ガスを使用しなくても、希ガ
ス（Ａｒなど）の放電によって、ＳｉＯ２膜系のエツチ
ングが可能である。
上述の如く本出願の各発明によれば、エツチング速度を
大きくできて、よって枚葉式エツチングに適用しても実
用性があり、かつエツチングの高速化に伴う各種の問題
点の解決も図ることができるものである。
大きくできて、よって枚葉式エツチングに適用しても実
用性があり、かつエツチングの高速化に伴う各種の問題
点の解決も図ることができるものである。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、実施例−１に係るエツチング
方法の工程を被エツチング材の断面図で示すものである
。第２図（ａ）（ｂ）は、実施例−２に係るエツチング
装置の構成を示す。第３図は実施例−３に係るエツチン
グ装置の構成を示し、第４図は第３図における主要部の
■線方向矢視図である。第５図及び第６図は、各々実施
例−４及び実施例−５の実施例に係るエツチング装置の
構成を示すものである。 ｌ・・・シリコン化合物膜、２１・・・パターン化した
マスク層、３・・・アノード電極、４・・・カソード電
極、６．６１〜６８・・・磁石、８・・・被エツチング
材。
方法の工程を被エツチング材の断面図で示すものである
。第２図（ａ）（ｂ）は、実施例−２に係るエツチング
装置の構成を示す。第３図は実施例−３に係るエツチン
グ装置の構成を示し、第４図は第３図における主要部の
■線方向矢視図である。第５図及び第６図は、各々実施
例−４及び実施例−５の実施例に係るエツチング装置の
構成を示すものである。 ｌ・・・シリコン化合物膜、２１・・・パターン化した
マスク層、３・・・アノード電極、４・・・カソード電
極、６．６１〜６８・・・磁石、８・・・被エツチング
材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シリコン化合物膜上にパターン化したマスク層を形
成する工程と、 水素を含有しないフッ化炭素系ガスを主成分とするガス
により、シリコン化合物膜の深さ方向の一部をパターン
エッチングする工程と、 水素を含有するフッ化炭素系ガスを主成分とするガスに
より、シリコン化合物膜の深さ方向の残部をパターンエ
ッチングする工程と を有することを特徴とするカソードカップリング平行平
板型マグネトロンＲＩＥ装置によるエッチング方法。 ２、アノード電極裏側に、電界と直交する磁界成分をも
ち電界と直交する方向に移動可能な磁石を配設し、 かつカソード電極周囲に、電界と直交する磁界成分をも
つ磁石を均等に配設したことを特徴とするエッチング装
置。 ３、主放電領域内に、フッ素を含む樹脂を有する第３電
極を配設したことを特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298914A JP3033104B2 (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | エッチング方法 |
| KR1019900018277A KR0176703B1 (ko) | 1989-11-17 | 1990-11-13 | 에칭방법 및 에칭장치 |
| EP19900312463 EP0429251A3 (en) | 1989-11-17 | 1990-11-15 | Reactive ion etching |
| US07/614,137 US5160398A (en) | 1989-11-17 | 1990-11-16 | Etching method and apparatus |
| US07/927,954 US5314575A (en) | 1989-11-17 | 1992-08-11 | Etching method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298914A JP3033104B2 (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03159235A true JPH03159235A (ja) | 1991-07-09 |
| JP3033104B2 JP3033104B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=17865810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1298914A Expired - Lifetime JP3033104B2 (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | エッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5160398A (ja) |
| EP (1) | EP0429251A3 (ja) |
| JP (1) | JP3033104B2 (ja) |
| KR (1) | KR0176703B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100593769B1 (ko) * | 1998-04-23 | 2006-06-28 | 소니 가부시끼 가이샤 | 에칭 방법 |
| JP2008243918A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング方法 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376211A (en) * | 1990-09-29 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus and processing method |
| DE4118973C2 (de) * | 1991-06-08 | 1999-02-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur plasmaunterstützten Bearbeitung von Substraten und Verwendung dieser Vorrichtung |
| JP3146561B2 (ja) * | 1991-06-24 | 2001-03-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06232099A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法，半導体装置の製造装置，半導体レーザの製造方法，量子細線構造の製造方法，及び結晶成長方法 |
| US5433786A (en) * | 1993-08-27 | 1995-07-18 | The Dow Chemical Company | Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition comprising shower head electrode with magnet disposed therein |
| US5557172A (en) * | 1993-12-21 | 1996-09-17 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Plasma beam generating method and apparatus which can generate a high-power plasma beam |
| DE69508273T2 (de) | 1994-11-18 | 1999-11-04 | Advanced Micro Devices Inc | Verfahren zum ätzen von siliziumnitrid mit verstärkung der kritischen abmessung |
| US5728261A (en) * | 1995-05-26 | 1998-03-17 | University Of Houston | Magnetically enhanced radio frequency reactive ion etching method and apparatus |
| US5626716A (en) * | 1995-09-29 | 1997-05-06 | Lam Research Corporation | Plasma etching of semiconductors |
| TW303480B (en) * | 1996-01-24 | 1997-04-21 | Applied Materials Inc | Magnetically confined plasma reactor for processing a semiconductor wafer |
| US5900284A (en) * | 1996-07-30 | 1999-05-04 | The Dow Chemical Company | Plasma generating device and method |
| US5993598A (en) * | 1996-07-30 | 1999-11-30 | The Dow Chemical Company | Magnetron |
| US5759920A (en) * | 1996-11-15 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Process for making doped polysilicon layers on sidewalls |
| US6303045B1 (en) * | 1997-03-20 | 2001-10-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for etching a nitride layer in a variable-gap plasma processing chamber |
| US6393685B1 (en) | 1997-06-10 | 2002-05-28 | The Regents Of The University Of California | Microjoinery methods and devices |
| US6055929A (en) * | 1997-09-24 | 2000-05-02 | The Dow Chemical Company | Magnetron |
| US6645353B2 (en) * | 1997-12-31 | 2003-11-11 | Intel Corporation | Approach to optimizing an ILD argon sputter process |
| US6066566A (en) * | 1998-01-28 | 2000-05-23 | International Business Machines Corporation | High selectivity collar oxide etch processes |
| US6133153A (en) * | 1998-03-30 | 2000-10-17 | Lam Research Corporation | Self-aligned contacts for semiconductor device |
| JP4066214B2 (ja) * | 1998-07-24 | 2008-03-26 | 財団法人国際科学振興財団 | プラズマプロセス装置 |
| US6417013B1 (en) | 1999-01-29 | 2002-07-09 | Plasma-Therm, Inc. | Morphed processing of semiconductor devices |
| JP2000336112A (ja) | 1999-06-01 | 2000-12-05 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 有機ケイ素化合物、オレフィン重合体製造用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 |
| US6270634B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching at a high etch rate |
| US20010047838A1 (en) * | 2000-03-28 | 2001-12-06 | Segal Vladimir M. | Methods of forming aluminum-comprising physical vapor deposition targets; sputtered films; and target constructions |
| US6863835B1 (en) | 2000-04-25 | 2005-03-08 | James D. Carducci | Magnetic barrier for plasma in chamber exhaust |
| US6803318B1 (en) * | 2000-09-14 | 2004-10-12 | Cypress Semiconductor Corp. | Method of forming self aligned contacts |
| US6559062B1 (en) | 2000-11-15 | 2003-05-06 | Agere Systems, Inc. | Method for avoiding notching in a semiconductor interconnect during a metal etching step |
| KR100403616B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 장치에 의한 플라즈마 처리 공정의 시뮬레이션방법 |
| US7297577B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-11-20 | Sony Corporation | SOI SRAM device structure with increased W and full depletion |
| US10460968B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-10-29 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US806381A (en) * | 1905-08-15 | 1905-12-05 | John Franklin Weller | Furnace-door frame and means of cooling. |
| FR2082505A5 (ja) * | 1970-03-18 | 1971-12-10 | Radiotechnique Compelec | |
| JPS5368171A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for plasma treatment |
| JPS5744749A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-13 | Honda Motor Co Ltd | Controlling device of secondary air in suction air sistem of internal combustion engine |
| JPS57149734A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Plasma applying working device |
| JPS6011109A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-21 | Nippon Steel Corp | 電磁超音波測定装置 |
| JPS6189635A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | 微細加工方法 |
| JPS61190944A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Chiyou Lsi Eng Kk | ドライエツチング装置 |
| US4631248A (en) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Lsi Logic Corporation | Method for forming an electrical contact in an integrated circuit |
| US4657619A (en) * | 1985-11-29 | 1987-04-14 | Donnell Kevin P O | Diverter magnet arrangement for plasma processing system |
| DE3615519A1 (de) * | 1986-05-07 | 1987-11-12 | Siemens Ag | Verfahren zum erzeugen von kontaktloechern mit abgeschraegten flanken in zwischenoxidschichten |
| US4842707A (en) * | 1986-06-23 | 1989-06-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Dry process apparatus |
| JPS6381928A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63192229A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマプロセス装置 |
| EP0282820A1 (de) * | 1987-03-13 | 1988-09-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Erzeugen von Kontaktlöchern mit abgeschrägten Flanken in Zwischenoxidschichten |
-
1989
- 1989-11-17 JP JP1298914A patent/JP3033104B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-11-13 KR KR1019900018277A patent/KR0176703B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-11-15 EP EP19900312463 patent/EP0429251A3/en not_active Withdrawn
- 1990-11-16 US US07/614,137 patent/US5160398A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-08-11 US US07/927,954 patent/US5314575A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100593769B1 (ko) * | 1998-04-23 | 2006-06-28 | 소니 가부시끼 가이샤 | 에칭 방법 |
| JP2008243918A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5314575A (en) | 1994-05-24 |
| EP0429251A3 (en) | 1992-04-15 |
| JP3033104B2 (ja) | 2000-04-17 |
| KR910010637A (ko) | 1991-06-29 |
| KR0176703B1 (ko) | 1999-04-15 |
| US5160398A (en) | 1992-11-03 |
| EP0429251A2 (en) | 1991-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03159235A (ja) | エッチング方法 | |
| TW417174B (en) | Plasma processing method | |
| JPH0336300B2 (ja) | ||
| JP5271267B2 (ja) | エッチング処理を実行する前のマスク層処理方法 | |
| JP3339920B2 (ja) | ＳｉＯｘ材料をプラズマエッチングするための方法および集積回路内の層間の金属接続部を生成するための方法 | |
| JP2001506421A (ja) | プラズマ誘発帯電損傷を低減するための方法 | |
| JPH06177092A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20100004891A (ko) | 플라즈마 에칭 방법, 제어 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 | |
| JPH06122983A (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ装置 | |
| JP5642427B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| Pu | Plasma Etch Equipment | |
| JP2851765B2 (ja) | プラズマ発生方法およびその装置 | |
| JP3172340B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3018462B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH0485928A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS60120525A (ja) | 反応性イオンエツチング方法 | |
| JP7202489B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| WO2023199371A1 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP3038984B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2639402B2 (ja) | 酸化物層のテーパーエッチング方法 | |
| JPH05144773A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| WO2020100339A1 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH05160078A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3357951B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH03156915A (ja) | 多層レジスト法によるパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080218 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090218 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100218 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100218 Year of fee payment: 10 |