JP2003297730A - 回転塗布方法、及び回転塗布条件決定方法、並びにマスクブランク - Google Patents
回転塗布方法、及び回転塗布条件決定方法、並びにマスクブランクInfo
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- Materials For Photolithography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い塗布膜厚均一性を得ることができる回転
塗布方法等を提供する。 【解決手段】 所定の主回転数・時間で基板を回転さ
せ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工程と、そ
の後所定の乾燥回転数・時間で基板を回転させ、レジス
トを主に乾燥させる乾燥工程と、を有する回転塗布方法
において、例えば、図１（ａ）に示す面内膜厚均一性の
等高線図を作成し、この等高線図における面内膜厚均一
性が最も高い最適領域内又は面内膜厚均一性が高い領域
内の条件を選択して、レジスト塗布を行う。
塗布方法等を提供する。 【解決手段】 所定の主回転数・時間で基板を回転さ
せ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工程と、そ
の後所定の乾燥回転数・時間で基板を回転させ、レジス
トを主に乾燥させる乾燥工程と、を有する回転塗布方法
において、例えば、図１（ａ）に示す面内膜厚均一性の
等高線図を作成し、この等高線図における面内膜厚均一
性が最も高い最適領域内又は面内膜厚均一性が高い領域
内の条件を選択して、レジスト塗布を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、方形状等の基板表
面にレジスト、レジスト下地反射防止膜（ＢＡＲＣ：Bo
ttom Anti-Reflective Coating）、レジスト上層反射防
止膜（ＴＡＲＬ：Top Anti-Reflective Layer）、レジ
スト上層保護膜、導電性膜等（本明細書中、代表（総
称）してレジストと称す）を特定の方法で回転塗布する
回転塗布方法に関し、特に、レジストの塗布膜厚をより
均一にするためのレジスト回転塗布条件決定方法、及び
レジスト回転塗布方法、並びにこれらの方法によってレ
ジスト膜、レジスト下地反射防止膜、レジスト上層反射
防止膜、レジスト上層保護膜、導電性膜等々あるいはこ
れらの組合せが形成されたフォトマスクブランク等に関
する。
面にレジスト、レジスト下地反射防止膜（ＢＡＲＣ：Bo
ttom Anti-Reflective Coating）、レジスト上層反射防
止膜（ＴＡＲＬ：Top Anti-Reflective Layer）、レジ
スト上層保護膜、導電性膜等（本明細書中、代表（総
称）してレジストと称す）を特定の方法で回転塗布する
回転塗布方法に関し、特に、レジストの塗布膜厚をより
均一にするためのレジスト回転塗布条件決定方法、及び
レジスト回転塗布方法、並びにこれらの方法によってレ
ジスト膜、レジスト下地反射防止膜、レジスト上層反射
防止膜、レジスト上層保護膜、導電性膜等々あるいはこ
れらの組合せが形成されたフォトマスクブランク等に関
する。
【０００２】
【従来の技術】レジストの回転塗布方法としては、従来
一般に、図１５にその基本構成を示す回転塗布装置が使
われているが、特に方形状基板における塗布膜厚の均一
化を目的に、「所望の膜厚に対応した設定回転数と、所
定の回転時間と、前記設定回転数と前記所定の回転時間
との積を選定して基板を回転させる均一化工程と、これ
に引き続いて、前記均一化工程の設定回転数よりも低い
回転数で前記基板を回転させてレジストを乾燥させる乾
燥工程からなることを特徴とするレジスト塗布方法」が
提案されている（特公平４−２９２１５号公報）。この
提案では、レジストの膜厚及び濃度（粘度）を考慮し
て、均一化工程での基板の回転数設定値Ｒを１００〜６
０００（ｒｐｍ）の範囲内の所定値に選定し（望ましく
は２５０〜２０００（ｒｐｍ）としている）、回転時間
Ｔを前記設定回転数Ｒ（所定値）に到達してから２０
（秒）以下にし、かつ、前記設定回転数Ｒと回転時間Ｔ
との積（Ｒ×Ｔ）を２４０００（ｒｐｍ・秒）以下とし
ている。また、均一化工程に引き続く乾燥化工程の回転
数は実験的には１３０（ｒｐｍ）以下としている。さら
に、レジストの粘度を調整する溶媒の蒸気圧（２０℃に
おいて）を２０（ｍｍＨｇ）以下としている。そして、
これらの条件を満たすことによって、方形基板の内接円
の外側のレジストの盛り上がり（フリンジ）を低減で
き、このフリンジの低減によって膜厚が均一である領域
を広げることができる。
一般に、図１５にその基本構成を示す回転塗布装置が使
われているが、特に方形状基板における塗布膜厚の均一
化を目的に、「所望の膜厚に対応した設定回転数と、所
定の回転時間と、前記設定回転数と前記所定の回転時間
との積を選定して基板を回転させる均一化工程と、これ
に引き続いて、前記均一化工程の設定回転数よりも低い
回転数で前記基板を回転させてレジストを乾燥させる乾
燥工程からなることを特徴とするレジスト塗布方法」が
提案されている（特公平４−２９２１５号公報）。この
提案では、レジストの膜厚及び濃度（粘度）を考慮し
て、均一化工程での基板の回転数設定値Ｒを１００〜６
０００（ｒｐｍ）の範囲内の所定値に選定し（望ましく
は２５０〜２０００（ｒｐｍ）としている）、回転時間
Ｔを前記設定回転数Ｒ（所定値）に到達してから２０
（秒）以下にし、かつ、前記設定回転数Ｒと回転時間Ｔ
との積（Ｒ×Ｔ）を２４０００（ｒｐｍ・秒）以下とし
ている。また、均一化工程に引き続く乾燥化工程の回転
数は実験的には１３０（ｒｐｍ）以下としている。さら
に、レジストの粘度を調整する溶媒の蒸気圧（２０℃に
おいて）を２０（ｍｍＨｇ）以下としている。そして、
これらの条件を満たすことによって、方形基板の内接円
の外側のレジストの盛り上がり（フリンジ）を低減で
き、このフリンジの低減によって膜厚が均一である領域
を広げることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記提
案は、均一化工程の回転数と回転時間の組み合わせ（回
転条件）の範囲を図１６の曲線ａの内側（左下斜線を付
した範囲）、望ましくは右下斜点線を付した範囲に限定
しているに過ぎす、上記利用分野で実用的に要求される
条件下において、即ち、所定のレジスト種と所望の膜厚
及び所望の有効領域において、「最も高い面内膜厚均一
性」が得られる回転条件の選定手法を提案するものでは
ない。また、乾燥工程における回転数の選定についても
上限を定めているのみであり、これもまた、最も高い面
内膜厚均一性が得られる回転条件の選定手法や乾燥回転
数の最適化手法を提案するものではない。さらに、レジ
スト液の濃度（粘度）の調整法についても、溶媒の蒸気
圧に上限を設けているに過ぎず、濃度の最適化の手法を
提案するものではない。以上のことから従来は、上記提
案の数値範囲内において試行錯誤でレジス卜塗布条件を
決定しており、所望の面内膜厚均一性を得るために多大
な時間を要していた。また従来は、各塗布条件同士での
面内膜厚均一性の相対的な評価を行うことはできたが、
決定した条件（回転数や回転時間）が、面内膜厚均一性
の限界値であるか否か（即ち最も高い面内膜厚均一性を
得るための最適塗布条件であるか否か）を判断すること
ができなかった。即ち、従来の方法では、面内膜厚均一
性の絶対的な評価を行うことができなかった。また、レ
ジスト溶液（塗布する液）の製造ばらつき（品質のばら
つき）、あるいは粘度調整のための希釈ばらつき、から
レジスト濃度が規格値あるいは目標値に対し大きく変動
することがある。このレジスト濃度が大きく変動した状
態で、レジストを塗布すると、所望の面内膜厚均一性が
得られないという問題点もあった。また、面内膜厚均一
性が塗布条件（回転数や回転時間）や塗布環境（周囲の
温度や湿度）に非常に敏感なあるレジスト種において、
塗布装置要因や環境要因によるこれら条件の設定値に対
する変動があると、所望の面内膜厚均一性が得られない
という問題点もあった。また、あるレジスト種におい
て、例えば３０００〜５０００オングストローム又は３
０００〜４０００オングストロームの広い範囲で、所望
の面内膜厚均一性を得たいという場合に、従来の方法で
は、それぞれ各レジスト膜厚に対する塗布条件を求めて
いたため、多大な時間を要していた。また、多くの濃度
（粘度）の異なるレジストの溶液と各溶液のための設備
（溶液の濾過機構を含むレジストの溶液滴下装置）を必
要としていた。
案は、均一化工程の回転数と回転時間の組み合わせ（回
転条件）の範囲を図１６の曲線ａの内側（左下斜線を付
した範囲）、望ましくは右下斜点線を付した範囲に限定
しているに過ぎす、上記利用分野で実用的に要求される
条件下において、即ち、所定のレジスト種と所望の膜厚
及び所望の有効領域において、「最も高い面内膜厚均一
性」が得られる回転条件の選定手法を提案するものでは
ない。また、乾燥工程における回転数の選定についても
上限を定めているのみであり、これもまた、最も高い面
内膜厚均一性が得られる回転条件の選定手法や乾燥回転
数の最適化手法を提案するものではない。さらに、レジ
スト液の濃度（粘度）の調整法についても、溶媒の蒸気
圧に上限を設けているに過ぎず、濃度の最適化の手法を
提案するものではない。以上のことから従来は、上記提
案の数値範囲内において試行錯誤でレジス卜塗布条件を
決定しており、所望の面内膜厚均一性を得るために多大
な時間を要していた。また従来は、各塗布条件同士での
面内膜厚均一性の相対的な評価を行うことはできたが、
決定した条件（回転数や回転時間）が、面内膜厚均一性
の限界値であるか否か（即ち最も高い面内膜厚均一性を
得るための最適塗布条件であるか否か）を判断すること
ができなかった。即ち、従来の方法では、面内膜厚均一
性の絶対的な評価を行うことができなかった。また、レ
ジスト溶液（塗布する液）の製造ばらつき（品質のばら
つき）、あるいは粘度調整のための希釈ばらつき、から
レジスト濃度が規格値あるいは目標値に対し大きく変動
することがある。このレジスト濃度が大きく変動した状
態で、レジストを塗布すると、所望の面内膜厚均一性が
得られないという問題点もあった。また、面内膜厚均一
性が塗布条件（回転数や回転時間）や塗布環境（周囲の
温度や湿度）に非常に敏感なあるレジスト種において、
塗布装置要因や環境要因によるこれら条件の設定値に対
する変動があると、所望の面内膜厚均一性が得られない
という問題点もあった。また、あるレジスト種におい
て、例えば３０００〜５０００オングストローム又は３
０００〜４０００オングストロームの広い範囲で、所望
の面内膜厚均一性を得たいという場合に、従来の方法で
は、それぞれ各レジスト膜厚に対する塗布条件を求めて
いたため、多大な時間を要していた。また、多くの濃度
（粘度）の異なるレジストの溶液と各溶液のための設備
（溶液の濾過機構を含むレジストの溶液滴下装置）を必
要としていた。
【０００４】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、上述した特定の方法でレジ
ストや他の塗布溶液を回転塗布する回転塗布方法に関
し、主回転条件の最適化手法、乾燥回転条件の最適化手
法、及び、レジストや他の塗布溶液の濃度（粘度）条件
の最適化手法の提供、並びに、これらの最適条件を試行
錯誤によらず確実（一義的）に求める手法の確立を、第
１の目的とする。また、レジスト種や他の塗布溶液が変
化した場合、所望の有効領域が変化した場合、所望の膜
厚が変化した場合、回転塗布装置（例えば、カップ形
状、チャック形状等々）が変化した場合、においても、
最適回転塗布条件を試行錯誤によらず迅速かつ一義的に
求めることができる手法の提供を、目的とする。また、
所定のレジスト種や他の塗布溶液において、所望の有効
領域において所望の面内膜厚均一性（特に最も高い面内
膜厚均一性）を試行錯誤によらず確実（一義的）に得る
ことができる回転塗布条件決定方法、及び回転塗布方
法、並びにこの方法によってレジスト膜、その他の膜等
々あるいはそれらの組合せが形成されたマスクブランク
又は基板の提供を第２の目的とする。また、所定のレジ
スト種や他の塗布溶液において、所望の有効領域におけ
る所望の（平均）膜厚と所望の面内膜厚均一性を試行錯
誤によらず確実（一義的）に得ることができる回転塗布
条件決定方法、及び回転塗布方法、並びにこの方法によ
ってレジスト膜、その他の膜等々あるいはそれらの組合
せが形成されたマスクブランク又は基板の提供を第３の
目的とする。また、レジストや他の塗布溶液の特性に応
じて、最適な回転塗布条件を試行錯誤によらず確実に得
ることができる回転塗布条件決定方法、及び回転塗布方
法、並びにこの方法によってレジスト膜、その他の膜等
々あるいはそれらの組合せがが形成されたマスクブラン
ク又は基板の提供を第４の目的とする。また、１つのレ
ジスト濃度又は他の塗布溶液の１つの濃度で、複数のレ
ジスト膜厚又は複数の塗布膜厚が、所定の面内膜厚均一
性の範囲内で塗布できる回転塗布方法の提供を第５の目
的とする。
ためになされたものであり、上述した特定の方法でレジ
ストや他の塗布溶液を回転塗布する回転塗布方法に関
し、主回転条件の最適化手法、乾燥回転条件の最適化手
法、及び、レジストや他の塗布溶液の濃度（粘度）条件
の最適化手法の提供、並びに、これらの最適条件を試行
錯誤によらず確実（一義的）に求める手法の確立を、第
１の目的とする。また、レジスト種や他の塗布溶液が変
化した場合、所望の有効領域が変化した場合、所望の膜
厚が変化した場合、回転塗布装置（例えば、カップ形
状、チャック形状等々）が変化した場合、においても、
最適回転塗布条件を試行錯誤によらず迅速かつ一義的に
求めることができる手法の提供を、目的とする。また、
所定のレジスト種や他の塗布溶液において、所望の有効
領域において所望の面内膜厚均一性（特に最も高い面内
膜厚均一性）を試行錯誤によらず確実（一義的）に得る
ことができる回転塗布条件決定方法、及び回転塗布方
法、並びにこの方法によってレジスト膜、その他の膜等
々あるいはそれらの組合せが形成されたマスクブランク
又は基板の提供を第２の目的とする。また、所定のレジ
スト種や他の塗布溶液において、所望の有効領域におけ
る所望の（平均）膜厚と所望の面内膜厚均一性を試行錯
誤によらず確実（一義的）に得ることができる回転塗布
条件決定方法、及び回転塗布方法、並びにこの方法によ
ってレジスト膜、その他の膜等々あるいはそれらの組合
せが形成されたマスクブランク又は基板の提供を第３の
目的とする。また、レジストや他の塗布溶液の特性に応
じて、最適な回転塗布条件を試行錯誤によらず確実に得
ることができる回転塗布条件決定方法、及び回転塗布方
法、並びにこの方法によってレジスト膜、その他の膜等
々あるいはそれらの組合せがが形成されたマスクブラン
ク又は基板の提供を第４の目的とする。また、１つのレ
ジスト濃度又は他の塗布溶液の１つの濃度で、複数のレ
ジスト膜厚又は複数の塗布膜厚が、所定の面内膜厚均一
性の範囲内で塗布できる回転塗布方法の提供を第５の目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は以下の構成を有する。 （構成１）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、上記回転塗
布方法において、レジスト液の濃度（粘度）を任意の濃
度に固定し、かつ、前記乾燥工程における乾燥回転数を
任意の回転数に固定し、この条件下で、前記均一化工程
における前記主回転数及び前記主回転時間をそれぞれパ
ラメータとしてそれぞれ段階的に変化させて得られる複
数の条件でレジストを塗布した複数の試料を作製し、各
試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で複
数点測定して得られる面内膜厚分布から求めた面内膜厚
均一性を求めることによって、各試料の主回転数及び主
回転時間の組合せ条件と、各試料の面内膜厚均一性との
関係を求め、これを基準データＡとし、所望の面内膜厚
均一性を得るための主回転数及び主回転時間の組合せ条
件Ｉを、前記基準データＡから決定し、この主回転数及
び主回転時間の組合せ条件Ｉに従ってレジスト塗布を行
うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成２） 前記基準データＡが、縦軸、横軸を前記主
回転数、前記主回転時間とし、同じ面内膜厚均一性とな
る点を等高線で結んだ等高線図、又は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ
軸に前記主回転数、前記主回転時間、前記面内膜厚均一
性の点をプロットして描いた鳥瞰図、であることを特徴
とする構成１に記載の回転塗布方法。 （構成３）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、構成１又は
２における基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、レ
ジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化させて複数求
め、この複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図
群の中から最も高い面内膜厚均一性が得られるレジスト
液の濃度（粘度）条件ＩＩを決定し、このレジスト液の
濃度（粘度）条件ＩＩに従ってレジスト塗布を行うこと
を特徴とする回転塗布方法。 （構成４）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、構成１又は
２における基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、レ
ジスト液の濃度（粘度）は任意の濃度に固定し、前記乾
燥工程における乾燥回転数を段階的に変化させて複数求
め、この複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図
群の中から最も高い面内膜厚均一性が得られる乾燥回転
数条件ＩＩＩを決定し、この乾燥回転数条件ＩＩＩに従
ってレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方
法。 （構成５）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化
工程における前記主回転数及び前記主回転時間を、構成
１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定し
た条件下で、前記乾燥工程における乾燥回転数を段階的
に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗布した
複数の試料を作製し、各試料のレジスト膜厚を、基板内
の所望の有効領域内で複数点測定して得られる面内膜厚
分布から求めた面内膜厚均一性を求めることによって、
各試料の乾燥回転数と、各試料の面内膜厚均一性との関
係を求め、これを基準データＢとし、最も高い面内膜厚
均一性を得るための乾燥回転数の条件ＩＶを、前記基準
データＢから決定し、この乾燥回転数の条件ＩＶに従っ
てレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成６）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化
工程における前記主回転数及び前記主回転時間を、構成
１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定し
た条件下で、レジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化
させて得られる複数の条件でレジストを塗布した複数の
試料を作製し、各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望
の有効領域内で複数点測定して得られるレジスト膜厚の
平均値を求めることによって、各試料のレジスト液の濃
度（粘度）と、各試料のレジスト膜厚の平均値との関係
を求め、これを基準データＣとし、所望のレジスト平均
膜厚を得るためのレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ
を、前記基準データＣから決定し、このレジスト液の濃
度（粘度）の条件Ｖに従ってレジスト塗布を行うことを
特徴とする回転塗布方法。 （構成７）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化
工程における前記主回転数及び前記主回転時間を、構成
１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定
し、かつ、前記乾燥工程における乾燥回転数を構成５で
決定した乾燥回転数の条件ＩＶに固定した条件下で、レ
ジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化させて得られる
複数の条件でレジストを塗布した複数の試料を作製し、
各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で
複数点測定して得られるレジスト膜厚の平均値を求める
ことによって、各試料のレジスト液の濃度（粘度）と、
各試料のレジスト膜厚の平均値との関係を求め、これを
基準データＣ’とし、所望のレジスト平均膜厚を得るた
めのレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ’を、前記基準
データＣ’から決定し、このレジスト液の濃度（粘度）
の条件Ｖ’に従ってレジスト塗布を行うことを特徴とす
る回転塗布方法。 （構成８）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、まず、構成
１又は２記載の主回転条件の決定方法によって主回転数
及び主回転時間の条件Ｉに選択固定し、次いで、構成５
記載の乾燥回転条件の決定方法によって乾燥回転数の条
件ＩＶに選択固定し、次いで、構成７記載のレジスト濃
度（粘度）の決定方法によってレジスト液の濃度（粘
度）の条件Ｖ’に選択固定し、これらの条件Ｉ、条件Ｉ
Ｖ及び条件Ｖ’に従ってレジスト塗布を行うことを特徴
とする回転塗布方法。 （構成９） 構成４記載の回転塗布方法において、前記
乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ群又
は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際し、実際の
塗布プロセスにおける主回転数及び／又は主回転時間の
設定値に対する変動、又は所望のレジスト平均膜厚を得
るためのレジスト濃度（粘度）の変動に対し、面内膜厚
均一性の変動が小さく安定となる乾燥回転数の条件を選
択して、レジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布
方法。 （構成１０） 構成４記載の回転塗布方法において、前
記乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ群
又は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際し、 同
じレジスト濃度（粘度）のレジストを用いて複数の膜厚
を塗布した場合、一定の面内膜厚均一性の範囲で複数の
膜厚を塗布可能な乾燥回転数の条件ＩＩＩを選択して複
数の膜厚のレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗
布方法。 （構成１１） 前記基板は方形状基板であることを特徴
とする構成１〜１０の何れかに記載の回転塗布方法。 （構成１２） 前記構成１〜７に記載の回転塗布方法に
おいて求めた少なくとも一の基準データに基づいて回転
塗布条件を決定することを特徴とする回転塗布条件決定
方法。 （構成１３） 遮光機能を有する遮光機能層及び／又は
位相シフト層を少なくとも有する基板上に、前記構成１
〜１１に記載の回転塗布方法によってレジスト膜を形成
したことを特徴とするマスクブランク。
本発明は以下の構成を有する。 （構成１）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、上記回転塗
布方法において、レジスト液の濃度（粘度）を任意の濃
度に固定し、かつ、前記乾燥工程における乾燥回転数を
任意の回転数に固定し、この条件下で、前記均一化工程
における前記主回転数及び前記主回転時間をそれぞれパ
ラメータとしてそれぞれ段階的に変化させて得られる複
数の条件でレジストを塗布した複数の試料を作製し、各
試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で複
数点測定して得られる面内膜厚分布から求めた面内膜厚
均一性を求めることによって、各試料の主回転数及び主
回転時間の組合せ条件と、各試料の面内膜厚均一性との
関係を求め、これを基準データＡとし、所望の面内膜厚
均一性を得るための主回転数及び主回転時間の組合せ条
件Ｉを、前記基準データＡから決定し、この主回転数及
び主回転時間の組合せ条件Ｉに従ってレジスト塗布を行
うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成２） 前記基準データＡが、縦軸、横軸を前記主
回転数、前記主回転時間とし、同じ面内膜厚均一性とな
る点を等高線で結んだ等高線図、又は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ
軸に前記主回転数、前記主回転時間、前記面内膜厚均一
性の点をプロットして描いた鳥瞰図、であることを特徴
とする構成１に記載の回転塗布方法。 （構成３）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、構成１又は
２における基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、レ
ジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化させて複数求
め、この複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図
群の中から最も高い面内膜厚均一性が得られるレジスト
液の濃度（粘度）条件ＩＩを決定し、このレジスト液の
濃度（粘度）条件ＩＩに従ってレジスト塗布を行うこと
を特徴とする回転塗布方法。 （構成４）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、構成１又は
２における基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、レ
ジスト液の濃度（粘度）は任意の濃度に固定し、前記乾
燥工程における乾燥回転数を段階的に変化させて複数求
め、この複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図
群の中から最も高い面内膜厚均一性が得られる乾燥回転
数条件ＩＩＩを決定し、この乾燥回転数条件ＩＩＩに従
ってレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方
法。 （構成５）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化
工程における前記主回転数及び前記主回転時間を、構成
１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定し
た条件下で、前記乾燥工程における乾燥回転数を段階的
に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗布した
複数の試料を作製し、各試料のレジスト膜厚を、基板内
の所望の有効領域内で複数点測定して得られる面内膜厚
分布から求めた面内膜厚均一性を求めることによって、
各試料の乾燥回転数と、各試料の面内膜厚均一性との関
係を求め、これを基準データＢとし、最も高い面内膜厚
均一性を得るための乾燥回転数の条件ＩＶを、前記基準
データＢから決定し、この乾燥回転数の条件ＩＶに従っ
てレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成６）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化
工程における前記主回転数及び前記主回転時間を、構成
１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定し
た条件下で、レジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化
させて得られる複数の条件でレジストを塗布した複数の
試料を作製し、各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望
の有効領域内で複数点測定して得られるレジスト膜厚の
平均値を求めることによって、各試料のレジスト液の濃
度（粘度）と、各試料のレジスト膜厚の平均値との関係
を求め、これを基準データＣとし、所望のレジスト平均
膜厚を得るためのレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ
を、前記基準データＣから決定し、このレジスト液の濃
度（粘度）の条件Ｖに従ってレジスト塗布を行うことを
特徴とする回転塗布方法。 （構成７）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化
工程における前記主回転数及び前記主回転時間を、構成
１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定
し、かつ、前記乾燥工程における乾燥回転数を構成５で
決定した乾燥回転数の条件ＩＶに固定した条件下で、レ
ジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化させて得られる
複数の条件でレジストを塗布した複数の試料を作製し、
各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で
複数点測定して得られるレジスト膜厚の平均値を求める
ことによって、各試料のレジスト液の濃度（粘度）と、
各試料のレジスト膜厚の平均値との関係を求め、これを
基準データＣ’とし、所望のレジスト平均膜厚を得るた
めのレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ’を、前記基準
データＣ’から決定し、このレジスト液の濃度（粘度）
の条件Ｖ’に従ってレジスト塗布を行うことを特徴とす
る回転塗布方法。 （構成８）基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転
数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚
を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の
後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回
転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾
燥工程と、を有する回転塗布方法であって、まず、構成
１又は２記載の主回転条件の決定方法によって主回転数
及び主回転時間の条件Ｉに選択固定し、次いで、構成５
記載の乾燥回転条件の決定方法によって乾燥回転数の条
件ＩＶに選択固定し、次いで、構成７記載のレジスト濃
度（粘度）の決定方法によってレジスト液の濃度（粘
度）の条件Ｖ’に選択固定し、これらの条件Ｉ、条件Ｉ
Ｖ及び条件Ｖ’に従ってレジスト塗布を行うことを特徴
とする回転塗布方法。 （構成９） 構成４記載の回転塗布方法において、前記
乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ群又
は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際し、実際の
塗布プロセスにおける主回転数及び／又は主回転時間の
設定値に対する変動、又は所望のレジスト平均膜厚を得
るためのレジスト濃度（粘度）の変動に対し、面内膜厚
均一性の変動が小さく安定となる乾燥回転数の条件を選
択して、レジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布
方法。 （構成１０） 構成４記載の回転塗布方法において、前
記乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ群
又は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際し、 同
じレジスト濃度（粘度）のレジストを用いて複数の膜厚
を塗布した場合、一定の面内膜厚均一性の範囲で複数の
膜厚を塗布可能な乾燥回転数の条件ＩＩＩを選択して複
数の膜厚のレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗
布方法。 （構成１１） 前記基板は方形状基板であることを特徴
とする構成１〜１０の何れかに記載の回転塗布方法。 （構成１２） 前記構成１〜７に記載の回転塗布方法に
おいて求めた少なくとも一の基準データに基づいて回転
塗布条件を決定することを特徴とする回転塗布条件決定
方法。 （構成１３） 遮光機能を有する遮光機能層及び／又は
位相シフト層を少なくとも有する基板上に、前記構成１
〜１１に記載の回転塗布方法によってレジスト膜を形成
したことを特徴とするマスクブランク。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につい
て、レジストの塗布を例に詳細に説明する。本発明は、
特定のレジス卜回転塗布方法、即ち、基板上にレジスト
液を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間で基板
を回転させ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工
程と、前記均一化工程の後、所定の乾燥回転数と所定の
乾燥回転時間で基板を回転させ、前記均一化されたレジ
ストを主に乾燥させる乾燥工程と、を有するレジス卜回
転塗布方法に関するものである。尚、ここで言う乾燥回
転時間の下限値は、一般にレジストが完全に乾燥するま
でに要する時間を言う。
て、レジストの塗布を例に詳細に説明する。本発明は、
特定のレジス卜回転塗布方法、即ち、基板上にレジスト
液を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間で基板
を回転させ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工
程と、前記均一化工程の後、所定の乾燥回転数と所定の
乾燥回転時間で基板を回転させ、前記均一化されたレジ
ストを主に乾燥させる乾燥工程と、を有するレジス卜回
転塗布方法に関するものである。尚、ここで言う乾燥回
転時間の下限値は、一般にレジストが完全に乾燥するま
でに要する時間を言う。
【０００７】構成１記載の発明における基準データＡを
求めるには、まず、上記特定のレジス卜回転塗布方法に
おいて、レジスト液の濃度（粘度）を任意の濃度（例え
ば市販のレジスト濃度）に固定し、かつ、前記乾燥工程
における乾燥回転数を任意の回転数（例えば５０〜３０
０ｒｐｍ）に固定し、この条件下で、前記均一化工程に
おける前記主回転数及び前記主回転時間をそれぞれパラ
メータとしてそれぞれ段階的に変化させて得られる複数
の条件でレジストを塗布した複数の試料を作製する。そ
して、各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領
域内で複数点測定して得られる面内膜厚分布から求めた
面内膜厚均一性（即ち、面内膜厚分布における膜厚の最
大値と最小値の差異、又は標準偏差）を求めることによ
って、各試料の主回転数及び主回転時間の組合せ条件
と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求め、これを基
準データＡとする。上記基準データＡは、主回転数及び
主回転時間の組合せ条件（点）、各組合せ条件（点）に
対応する面内膜厚均一性のデータ（さらには各組合せ条
件（点）に対応する膜厚の平均値データ）をそのまま記
録した生データ、あるいはこの生データを加工し視覚的
に面内膜厚均一性がわかるようにしたもの、又は、前記
生データを記憶手段に記憶させたもの、あるいは記憶手
段に記憶させた前記生データを加工し視覚的に面内膜厚
均一性がわかるようにしたもの等が挙げられる。
求めるには、まず、上記特定のレジス卜回転塗布方法に
おいて、レジスト液の濃度（粘度）を任意の濃度（例え
ば市販のレジスト濃度）に固定し、かつ、前記乾燥工程
における乾燥回転数を任意の回転数（例えば５０〜３０
０ｒｐｍ）に固定し、この条件下で、前記均一化工程に
おける前記主回転数及び前記主回転時間をそれぞれパラ
メータとしてそれぞれ段階的に変化させて得られる複数
の条件でレジストを塗布した複数の試料を作製する。そ
して、各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領
域内で複数点測定して得られる面内膜厚分布から求めた
面内膜厚均一性（即ち、面内膜厚分布における膜厚の最
大値と最小値の差異、又は標準偏差）を求めることによ
って、各試料の主回転数及び主回転時間の組合せ条件
と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求め、これを基
準データＡとする。上記基準データＡは、主回転数及び
主回転時間の組合せ条件（点）、各組合せ条件（点）に
対応する面内膜厚均一性のデータ（さらには各組合せ条
件（点）に対応する膜厚の平均値データ）をそのまま記
録した生データ、あるいはこの生データを加工し視覚的
に面内膜厚均一性がわかるようにしたもの、又は、前記
生データを記憶手段に記憶させたもの、あるいは記憶手
段に記憶させた前記生データを加工し視覚的に面内膜厚
均一性がわかるようにしたもの等が挙げられる。
【０００８】以下、基準データＡの一態様である等高線
図（構成２）について説明する。尚、以下に示す例で
は、電子線描画用ポジ型レジストＺＥＰ７０００（日本
ゼオン社製）を使用した場合を挙げて本発明を説明する
が、他のレジスト種についても本発明を適用できること
は言うまでもない。また、データ加工例の具体例として
等高線図を挙げて本発明を説明するが、面内膜厚均一性
や平均膜厚を３次元的に模式化する鳥瞰図を使用した場
合についても本発明を適用できることは言うまでもな
い。例えば、図１（ａ）に示すように、レジスト濃度
５．２％、乾燥回転数３００ｒｐｍに固定し、この条件
下で、６インチ（１インチ＝２５．４ｍｍ）角（１５
２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ）の基板上に、回転数を９
００〜１８００ｒｐｍの範囲で１５０ｒｐｍ間隔で段階
的に変化させ（７条件）、回転時間を４〜１６秒の範囲
で２秒間隔で段階的に変化させ（７条件）、これらの条
件の組合せ７×７＝４９条件について、レジストを塗布
しその後ホットプレート等の熱処理装置によって２２０
℃で１０分間塗布後のベーク処理をして４９枚の基板を
作製し、各基板について基板上の有効領域（１３２ｍｍ
×１３２ｍｍ）内の全体に均等に配した１１×１１＝１
２１点（図９参照）でレジストの膜厚を分光反射型膜厚
計（ナノメトリクス・ジャパン社製：ＡＦＴ６１００
Ｍ）で測定し、面内膜厚分布（各測定点における膜厚デ
ータ）を求める。この面内膜厚分布データから、（膜厚
の最大値）−（膜厚の最小値）＝（面内膜厚均一性）と
して面内膜厚均一性を求める。また、１２１点で測定し
た膜厚の平均値を算出してレジスト平均膜厚を後で使用
するため求めておく。これらの主回転数、主回転時間、
面内膜厚均一性、及びレジスト平均膜厚のデータをデー
タ記憶手段に記憶する。次に、主回転数、主回転時間、
面内膜厚均一性の関係が視覚的にわかるように、以下の
ようにデータ加工する。主回転数を横軸とし主回転時間
を縦軸とするグラフの対応する位置に、前記面内膜厚均
一性をプロットする。プロットした面内膜厚均一性のデ
ータをもとに、横軸方向、縦軸方向、両対角線方向に仮
想の面内膜厚均一性データを割り振る。この割り振られ
た仮想の面内膜厚均一性データに対し、２０〜２００オ
ングストロームの範囲で、１０オングストローム間隔で
段階的に設定した面内膜厚均一性（３０オングストロー
ム、４０オングストローム、５０オングストローム、
…、２００オングストロームの１８段階）となる点を求
め（割り振り）、同じ面内膜厚均一性となる点を等高線
で結んで等高線図を作成する。尚、上記等高線図は、デ
ータ記憶手段に記憶したデータを、データ加工（ソフト
ウエア処理）することによって作成することができる。
また、上述の主回転数、主回転時間、面内膜厚均一性の
範囲は、適宜調整することができ、面内膜厚均一性のレ
ベルが精度良く判定できる程度に上記間隔を細かくする
ことが好ましい。また、上述の主回転数、主回転時間を
それぞれ段階的に変化させる範囲は、面内膜厚均一性の
変化の傾向が把握でき、良好な面内膜厚均一性の範囲が
把握できる程度に、広く取ることが好ましい。
図（構成２）について説明する。尚、以下に示す例で
は、電子線描画用ポジ型レジストＺＥＰ７０００（日本
ゼオン社製）を使用した場合を挙げて本発明を説明する
が、他のレジスト種についても本発明を適用できること
は言うまでもない。また、データ加工例の具体例として
等高線図を挙げて本発明を説明するが、面内膜厚均一性
や平均膜厚を３次元的に模式化する鳥瞰図を使用した場
合についても本発明を適用できることは言うまでもな
い。例えば、図１（ａ）に示すように、レジスト濃度
５．２％、乾燥回転数３００ｒｐｍに固定し、この条件
下で、６インチ（１インチ＝２５．４ｍｍ）角（１５
２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ）の基板上に、回転数を９
００〜１８００ｒｐｍの範囲で１５０ｒｐｍ間隔で段階
的に変化させ（７条件）、回転時間を４〜１６秒の範囲
で２秒間隔で段階的に変化させ（７条件）、これらの条
件の組合せ７×７＝４９条件について、レジストを塗布
しその後ホットプレート等の熱処理装置によって２２０
℃で１０分間塗布後のベーク処理をして４９枚の基板を
作製し、各基板について基板上の有効領域（１３２ｍｍ
×１３２ｍｍ）内の全体に均等に配した１１×１１＝１
２１点（図９参照）でレジストの膜厚を分光反射型膜厚
計（ナノメトリクス・ジャパン社製：ＡＦＴ６１００
Ｍ）で測定し、面内膜厚分布（各測定点における膜厚デ
ータ）を求める。この面内膜厚分布データから、（膜厚
の最大値）−（膜厚の最小値）＝（面内膜厚均一性）と
して面内膜厚均一性を求める。また、１２１点で測定し
た膜厚の平均値を算出してレジスト平均膜厚を後で使用
するため求めておく。これらの主回転数、主回転時間、
面内膜厚均一性、及びレジスト平均膜厚のデータをデー
タ記憶手段に記憶する。次に、主回転数、主回転時間、
面内膜厚均一性の関係が視覚的にわかるように、以下の
ようにデータ加工する。主回転数を横軸とし主回転時間
を縦軸とするグラフの対応する位置に、前記面内膜厚均
一性をプロットする。プロットした面内膜厚均一性のデ
ータをもとに、横軸方向、縦軸方向、両対角線方向に仮
想の面内膜厚均一性データを割り振る。この割り振られ
た仮想の面内膜厚均一性データに対し、２０〜２００オ
ングストロームの範囲で、１０オングストローム間隔で
段階的に設定した面内膜厚均一性（３０オングストロー
ム、４０オングストローム、５０オングストローム、
…、２００オングストロームの１８段階）となる点を求
め（割り振り）、同じ面内膜厚均一性となる点を等高線
で結んで等高線図を作成する。尚、上記等高線図は、デ
ータ記憶手段に記憶したデータを、データ加工（ソフト
ウエア処理）することによって作成することができる。
また、上述の主回転数、主回転時間、面内膜厚均一性の
範囲は、適宜調整することができ、面内膜厚均一性のレ
ベルが精度良く判定できる程度に上記間隔を細かくする
ことが好ましい。また、上述の主回転数、主回転時間を
それぞれ段階的に変化させる範囲は、面内膜厚均一性の
変化の傾向が把握でき、良好な面内膜厚均一性の範囲が
把握できる程度に、広く取ることが好ましい。
【０００９】そして、実際、基板上にレジストを塗布す
るに当たっては、上記基準データＡ又は上記等高線図あ
るいは鳥瞰図から、所望の面内膜厚均一性を得るための
主回転数及び主回転時間の組合せ条件Ｉを求め、この求
めた組合せ条件Ｉに従ってレジスト塗布を行う。例え
ば、上記図１（ａ）における面内膜厚均一性が３０〜４
０オングストロームと最も高い最適領域内や、面内膜厚
均一性が４０〜５０オングストロームと高い領域内の条
件でレジスト塗布を行うことが可能である。但し、この
場合、所望の面内膜厚均一性が得られる条件でレジスト
塗布を行うことが可能であるが、所望の膜厚が得られる
とは限らない。尚、上述の例では、面内膜厚均一性の等
高線図を作成して基準データＡを視覚化したが、段階的
に面内膜厚均一性の範囲を設定せずに、各方向に対し面
内膜厚均一性値が連続的に変化するように基準データＡ
を視覚化（例えばグレースケールによる濃淡化処理、色
の変化（スードカラー(pseudo-color)を使った連続化処
理等）しても構わない。また、上記の仮想の面内膜厚均
一性データは、横軸方向、縦軸方向の２方向、あるいは
片側の対角線方向に割り振ることもできるが、精度は落
ちる。さらに、基準データＡから直接又はソフトウエア
処理を介して、所望の面内膜厚均一性を得るための主回
転数及び主回転時間の組合せ条件Ｉを求めることも可能
である。
るに当たっては、上記基準データＡ又は上記等高線図あ
るいは鳥瞰図から、所望の面内膜厚均一性を得るための
主回転数及び主回転時間の組合せ条件Ｉを求め、この求
めた組合せ条件Ｉに従ってレジスト塗布を行う。例え
ば、上記図１（ａ）における面内膜厚均一性が３０〜４
０オングストロームと最も高い最適領域内や、面内膜厚
均一性が４０〜５０オングストロームと高い領域内の条
件でレジスト塗布を行うことが可能である。但し、この
場合、所望の面内膜厚均一性が得られる条件でレジスト
塗布を行うことが可能であるが、所望の膜厚が得られる
とは限らない。尚、上述の例では、面内膜厚均一性の等
高線図を作成して基準データＡを視覚化したが、段階的
に面内膜厚均一性の範囲を設定せずに、各方向に対し面
内膜厚均一性値が連続的に変化するように基準データＡ
を視覚化（例えばグレースケールによる濃淡化処理、色
の変化（スードカラー(pseudo-color)を使った連続化処
理等）しても構わない。また、上記の仮想の面内膜厚均
一性データは、横軸方向、縦軸方向の２方向、あるいは
片側の対角線方向に割り振ることもできるが、精度は落
ちる。さらに、基準データＡから直接又はソフトウエア
処理を介して、所望の面内膜厚均一性を得るための主回
転数及び主回転時間の組合せ条件Ｉを求めることも可能
である。
【００１０】図１（ｂ）は、主回転数を横軸とし主回転
時間を縦軸とするグラフにおける対応する位置に、上記
で求めたレジスト平均膜厚をプロットし、図１（ａ）と
同様の手法で塗布膜厚の等高線を求めた図である。詳し
くは、以下のようにしてレジスト塗布膜厚の等高線図を
求める。上記基準データＡから主回転数を横軸とし主回
転時間を縦軸とするグラフの対応する位置に、上記で求
めたレジスト平均膜厚をプロットし、プロットしたレジ
スト平均膜厚のデータをもとに、横軸、縦軸、平均膜厚
が減少或いは増加傾向を示す対角線方向に仮想のレジス
ト平均膜厚データを割り振る。この割り振られた仮想の
レジスト平均膜厚データに対し、２０００〜７５００オ
ングストロームの範囲で、５００オングストローム間隔
で段階的に設定したレジスト平均膜厚（２０００オング
ストローム、２５００オングストローム、…、７５００
オングストロームの１１段階）となる点を求め（割り振
り）、同じレジスト膜厚となる点を等高線で結んでレジ
スト平均膜厚の等高線図を作成する（図１（ｂ））。図
１（ａ）の面内膜厚均一性３０〜４０オングストローム
の最適領域内の条件では、約３５００〜４７００オング
ストロームの範囲の膜厚を塗布できる（図１（ｂ））。
同様に図１（ａ）の面内膜厚均一性４１〜５０オングス
トロームの領域内の条件では約３３００〜４８００オンク゛
ストロームの範囲の膜厚を塗布できる（図１（ｂ））。した
がって、上述したように、所望する膜厚がこれらの膜厚
範囲内にあれば、これらの条件でレジストを塗布でき
る。尚、上記レジスト平均膜厚の等高線図においては、
主回転数、主回転時間、レジスト平均膜厚の範囲は、上
述と同様に適宜調整することができる。また、上記レジ
スト平均膜厚の等高線図を用いると、例えば主回転数及
び主回転時間の変動に対する塗布膜厚安定性等がわかる
など、情報量が多いので好ましい。
時間を縦軸とするグラフにおける対応する位置に、上記
で求めたレジスト平均膜厚をプロットし、図１（ａ）と
同様の手法で塗布膜厚の等高線を求めた図である。詳し
くは、以下のようにしてレジスト塗布膜厚の等高線図を
求める。上記基準データＡから主回転数を横軸とし主回
転時間を縦軸とするグラフの対応する位置に、上記で求
めたレジスト平均膜厚をプロットし、プロットしたレジ
スト平均膜厚のデータをもとに、横軸、縦軸、平均膜厚
が減少或いは増加傾向を示す対角線方向に仮想のレジス
ト平均膜厚データを割り振る。この割り振られた仮想の
レジスト平均膜厚データに対し、２０００〜７５００オ
ングストロームの範囲で、５００オングストローム間隔
で段階的に設定したレジスト平均膜厚（２０００オング
ストローム、２５００オングストローム、…、７５００
オングストロームの１１段階）となる点を求め（割り振
り）、同じレジスト膜厚となる点を等高線で結んでレジ
スト平均膜厚の等高線図を作成する（図１（ｂ））。図
１（ａ）の面内膜厚均一性３０〜４０オングストローム
の最適領域内の条件では、約３５００〜４７００オング
ストロームの範囲の膜厚を塗布できる（図１（ｂ））。
同様に図１（ａ）の面内膜厚均一性４１〜５０オングス
トロームの領域内の条件では約３３００〜４８００オンク゛
ストロームの範囲の膜厚を塗布できる（図１（ｂ））。した
がって、上述したように、所望する膜厚がこれらの膜厚
範囲内にあれば、これらの条件でレジストを塗布でき
る。尚、上記レジスト平均膜厚の等高線図においては、
主回転数、主回転時間、レジスト平均膜厚の範囲は、上
述と同様に適宜調整することができる。また、上記レジ
スト平均膜厚の等高線図を用いると、例えば主回転数及
び主回転時間の変動に対する塗布膜厚安定性等がわかる
など、情報量が多いので好ましい。
【００１１】構成３記載の発明は、上記構成１又は２記
載の基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、レジスト
液の濃度（粘度）を段階的に変化（少なくとも２段階）
させて複数求め、この複数の基準データ群又は等高線図
群又は鳥瞰図群の中から最適なレジスト液の濃度（粘
度）条件ＩＩを決定し、このレジスト液の濃度（粘度）
条件ＩＩに従ってレジスト塗布を行う方法に関する。即
ち上記構成１又は２記載の基準データＡ又は等高線図又
は鳥瞰図を利用したレジスト濃度の最適化方法に関す
る。構成３では、第１に、例えば、これら複数の等高線
図群のうちで、面内膜厚均一性が最も高くなる領域が得
られるレジスト濃度及びそれに対応する等高線図を選択
し、選択した等高線図における面内膜厚均一性が最も高
い最適領域内の条件でレジスト塗布を行うことができ
る。具体的には、例えば、図２（ａ）に示すように、レ
ジスト濃度を４．７％に変え、乾燥回転数を３００ｒｐ
ｍに固定し、６インチ角の基板について、上記と同様に
して等高線図を求める。図２（ａ）から、レジスト濃度
が４．７％の場合は２０〜３０オングストローム以下の
面内膜厚均一性が得られ、図１（ａ）に示すレジスト濃
度５．２％の場合の３０〜４０オングストローム以下の
面内膜厚均一性に比べ、面内膜厚均一性を向上できるこ
とがわかる。ただし、例えば、レジスト濃度が４．７％
の場合は、２０〜３０オングストローム以下の面内膜厚
均一性範囲内でレジストを塗布できる膜厚が約２８００
〜３８００オングストロームの範囲限られてしまう。こ
のように、実際には所望のレジスト平均膜厚が得られる
主回転数及び主回転時間の組合せ条件と、所望の面内膜
厚均一性が得られる主回転数及び主回転時間の組合せ条
件と、が一致しない場合がある。
載の基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、レジスト
液の濃度（粘度）を段階的に変化（少なくとも２段階）
させて複数求め、この複数の基準データ群又は等高線図
群又は鳥瞰図群の中から最適なレジスト液の濃度（粘
度）条件ＩＩを決定し、このレジスト液の濃度（粘度）
条件ＩＩに従ってレジスト塗布を行う方法に関する。即
ち上記構成１又は２記載の基準データＡ又は等高線図又
は鳥瞰図を利用したレジスト濃度の最適化方法に関す
る。構成３では、第１に、例えば、これら複数の等高線
図群のうちで、面内膜厚均一性が最も高くなる領域が得
られるレジスト濃度及びそれに対応する等高線図を選択
し、選択した等高線図における面内膜厚均一性が最も高
い最適領域内の条件でレジスト塗布を行うことができ
る。具体的には、例えば、図２（ａ）に示すように、レ
ジスト濃度を４．７％に変え、乾燥回転数を３００ｒｐ
ｍに固定し、６インチ角の基板について、上記と同様に
して等高線図を求める。図２（ａ）から、レジスト濃度
が４．７％の場合は２０〜３０オングストローム以下の
面内膜厚均一性が得られ、図１（ａ）に示すレジスト濃
度５．２％の場合の３０〜４０オングストローム以下の
面内膜厚均一性に比べ、面内膜厚均一性を向上できるこ
とがわかる。ただし、例えば、レジスト濃度が４．７％
の場合は、２０〜３０オングストローム以下の面内膜厚
均一性範囲内でレジストを塗布できる膜厚が約２８００
〜３８００オングストロームの範囲限られてしまう。こ
のように、実際には所望のレジスト平均膜厚が得られる
主回転数及び主回転時間の組合せ条件と、所望の面内膜
厚均一性が得られる主回転数及び主回転時間の組合せ条
件と、が一致しない場合がある。
【００１２】その場合の一態様として、次に示す方法を
採用できる。構成３では、第２に、例えば、これら複数
の等高線図群のうちで、面内膜厚均一性が最も高い最適
領域内又は面内膜厚均一性が高い領域内の条件で、所望
のレジスト膜厚が得られる等高線図を選択することによ
って、レジストの面内膜厚均一性が高くかつ所望の膜厚
が得られる条件でレジスト塗布を行うことができる。具
体的には、例えば、所望のレジスト膜厚が４０００〜４
５００オングストロームである場合、面内膜厚均一性３
１〜４０オングストロームの領域内の条件で４０００〜
４５００オングストロームのレジスト膜厚が得られる図
１（ａ）の等高線図を選択する。図２（ａ）の等高線図
を選択した場合、面内膜厚均一性３１〜４０オングスト
ロームの領域内の条件では２２００〜３７５０オングス
トロームのレジスト膜厚を得ることができる。尚、上記
の例では、いずれもレジスト濃度を２段階しか変化させ
ていないが、より広い範囲でより段階的に変化させて、
より最適なレジスト濃度条件を見いだすことができるこ
とは言うまでもない。
採用できる。構成３では、第２に、例えば、これら複数
の等高線図群のうちで、面内膜厚均一性が最も高い最適
領域内又は面内膜厚均一性が高い領域内の条件で、所望
のレジスト膜厚が得られる等高線図を選択することによ
って、レジストの面内膜厚均一性が高くかつ所望の膜厚
が得られる条件でレジスト塗布を行うことができる。具
体的には、例えば、所望のレジスト膜厚が４０００〜４
５００オングストロームである場合、面内膜厚均一性３
１〜４０オングストロームの領域内の条件で４０００〜
４５００オングストロームのレジスト膜厚が得られる図
１（ａ）の等高線図を選択する。図２（ａ）の等高線図
を選択した場合、面内膜厚均一性３１〜４０オングスト
ロームの領域内の条件では２２００〜３７５０オングス
トロームのレジスト膜厚を得ることができる。尚、上記
の例では、いずれもレジスト濃度を２段階しか変化させ
ていないが、より広い範囲でより段階的に変化させて、
より最適なレジスト濃度条件を見いだすことができるこ
とは言うまでもない。
【００１３】尚、構成３では、構成３記載の複数の等高
線図群を比較することによって、レジスト濃度変化では
相対的な面内膜厚均一性の分布がほぼ変化しない傾向に
あること、即ち、レジスト濃度が変化しても上記等高線
図群における最も高い面内膜厚均一性が得られる主回転
数及び主回転時間の最適条件（１点又は範囲）が、変化
しないかほとんど変化しないことが判明した。例えば、
図１（ｂ）と図２（ｂ）との比較から、レジストの濃度
が変化した場合、レジスト平均膜厚の絶対値は変化する
が、図１（ａ）と図２（ａ）との比較から、相対的な面
内膜厚均一性の分布の傾向はほぼ変化しない（最も面内
膜厚均一性が高くなる主回転数及び主回転時間の条件範
囲（回転数：約１５００〜１６５０ｒｐｍ、回転時間：
約８〜１０秒）が変化しないことが確認できる。従っ
て、最も高い面内膜厚均一性を確保しながら、所望のレ
ジスト膜厚を得るための最適レジスト濃度条件を簡便且
つ確実に決定する方法としては、まず、任意のレジスト
濃度で面内膜厚均一性の分布図を作成して、最も高い面
内膜厚均一性が得られる主回転数と主回転時間の組合せ
条件Ｉを求め、その条件Ｉで所望するレジスト膜厚が得
られるレジスト濃度を、例えば条件Ｉ下で作成した膜厚
−レジスト濃度のグラフ（図７）から決定すれば良い
（構成６）。構成６に関しては後述する。
線図群を比較することによって、レジスト濃度変化では
相対的な面内膜厚均一性の分布がほぼ変化しない傾向に
あること、即ち、レジスト濃度が変化しても上記等高線
図群における最も高い面内膜厚均一性が得られる主回転
数及び主回転時間の最適条件（１点又は範囲）が、変化
しないかほとんど変化しないことが判明した。例えば、
図１（ｂ）と図２（ｂ）との比較から、レジストの濃度
が変化した場合、レジスト平均膜厚の絶対値は変化する
が、図１（ａ）と図２（ａ）との比較から、相対的な面
内膜厚均一性の分布の傾向はほぼ変化しない（最も面内
膜厚均一性が高くなる主回転数及び主回転時間の条件範
囲（回転数：約１５００〜１６５０ｒｐｍ、回転時間：
約８〜１０秒）が変化しないことが確認できる。従っ
て、最も高い面内膜厚均一性を確保しながら、所望のレ
ジスト膜厚を得るための最適レジスト濃度条件を簡便且
つ確実に決定する方法としては、まず、任意のレジスト
濃度で面内膜厚均一性の分布図を作成して、最も高い面
内膜厚均一性が得られる主回転数と主回転時間の組合せ
条件Ｉを求め、その条件Ｉで所望するレジスト膜厚が得
られるレジスト濃度を、例えば条件Ｉ下で作成した膜厚
−レジスト濃度のグラフ（図７）から決定すれば良い
（構成６）。構成６に関しては後述する。
【００１４】構成４記載の発明は、上記構成１又は２記
載の基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、乾燥回転
を段階的に変化（少なくとも２段階）させて複数求め、
この複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図群の
中から最も高い面内膜厚均一性が得られる乾燥回転条件
ＩＩＩを決定し、この乾燥回転条件ＩＩＩに従ってレジ
スト塗布を行う方法に関する。即ち上記構成１又は２記
載の基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を利用した乾
燥回転の最適化方法に関する。以下に具体例を挙げて説
明する。例えば、図２（ａ）〜図６（ａ）に示すよう
に、レジスト濃度４．７％のレジストを、６インチ角の
基板上に、乾燥回転数５０〜３００ｒｐｍの範囲で５０
ｒｐｍ（図３（ａ））、１５０ｒｐｍ（図４（ａ））、
２００ｒｐｍ（図５（ａ））、２５０ｒｐｍ（図６
（ａ））、３００ｒｐｍ（図２（ａ））と段階的に変化
させ上記と同様の方法により等高線図を作成した。
載の基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、乾燥回転
を段階的に変化（少なくとも２段階）させて複数求め、
この複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図群の
中から最も高い面内膜厚均一性が得られる乾燥回転条件
ＩＩＩを決定し、この乾燥回転条件ＩＩＩに従ってレジ
スト塗布を行う方法に関する。即ち上記構成１又は２記
載の基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を利用した乾
燥回転の最適化方法に関する。以下に具体例を挙げて説
明する。例えば、図２（ａ）〜図６（ａ）に示すよう
に、レジスト濃度４．７％のレジストを、６インチ角の
基板上に、乾燥回転数５０〜３００ｒｐｍの範囲で５０
ｒｐｍ（図３（ａ））、１５０ｒｐｍ（図４（ａ））、
２００ｒｐｍ（図５（ａ））、２５０ｒｐｍ（図６
（ａ））、３００ｒｐｍ（図２（ａ））と段階的に変化
させ上記と同様の方法により等高線図を作成した。
【００１５】上記図２（ａ）、図４（ａ）〜図６（ａ）
から、乾燥回転数１５０〜３００ｒｐｍの場合、２０〜
３０オングストローム以下の面内膜厚均一性が得られ、
図３（ａ）に示す乾燥回転数５０ｒｐｍの場合の３０〜
４０オングストロームの面内膜厚均一性に比べ、面内膜
厚均一性を向上できることがわかる。従って、構成４で
は第１に、面内膜厚均一性が最も高くなるようにするた
めに、乾燥回転数を１５０〜３００ｒｐｍに設定してレ
ジストを塗布することによって、レジストの面内膜厚均
一性を最も高くすることができる。
から、乾燥回転数１５０〜３００ｒｐｍの場合、２０〜
３０オングストローム以下の面内膜厚均一性が得られ、
図３（ａ）に示す乾燥回転数５０ｒｐｍの場合の３０〜
４０オングストロームの面内膜厚均一性に比べ、面内膜
厚均一性を向上できることがわかる。従って、構成４で
は第１に、面内膜厚均一性が最も高くなるようにするた
めに、乾燥回転数を１５０〜３００ｒｐｍに設定してレ
ジストを塗布することによって、レジストの面内膜厚均
一性を最も高くすることができる。
【００１６】また、上記図２（ａ）、図５（ａ）〜図６
（ａ）から、乾燥回転数２００〜３００ｒｐｍの場合、
面内膜厚均一性が２０〜３０オングストロームと最も高
くなる最適領域が広くなることがわかる。このように最
適領域範囲が広くなると、実際の塗布プロセスにおい
て、例えば主回転数、主回転時間が設定値に対して変動
した場合、最適領域内の条件でレジストが塗布される可
能性が高く変動に対し安定である。つまり、主回転数、
主回転時間の変動が、最適領域内に収まる変動であれば
最も高い面内膜厚均一性が得られる範囲内でレジスト塗
布が可能である。また、最適領域内の中心部分の条件を
選択すると、主回転数、主回転時間が変動しても、最適
領域内の条件でレジストを塗布できるので好ましい。こ
れらのことは、所望のレジスト平均膜厚を得るためのレ
ジスト濃度（粘度）が変動した場合についても同様であ
る。従って、構成４では第２に、構成４記載のレジス卜
回転塗布方法において、前記乾燥回転数の条件ＩＩＩ
を、前記複数の基準データ群から決定するに際し、実際
の塗布プロセスにおける主回転数及び／又は主回転時間
の設定値に対する変動、又は所望のレジスト平均膜厚を
得るためのレジスト濃度（粘度）の変動に対し、面内膜
厚均一性の変動が小さく安定となる乾燥回転数の条件を
選択して、レジスト塗布を行う（構成９）。この方法
は、面内膜厚均一性が塗布条件（主回転数や主回転時間
等）に非常に敏感なレジストの場合に非常に有効であ
る。
（ａ）から、乾燥回転数２００〜３００ｒｐｍの場合、
面内膜厚均一性が２０〜３０オングストロームと最も高
くなる最適領域が広くなることがわかる。このように最
適領域範囲が広くなると、実際の塗布プロセスにおい
て、例えば主回転数、主回転時間が設定値に対して変動
した場合、最適領域内の条件でレジストが塗布される可
能性が高く変動に対し安定である。つまり、主回転数、
主回転時間の変動が、最適領域内に収まる変動であれば
最も高い面内膜厚均一性が得られる範囲内でレジスト塗
布が可能である。また、最適領域内の中心部分の条件を
選択すると、主回転数、主回転時間が変動しても、最適
領域内の条件でレジストを塗布できるので好ましい。こ
れらのことは、所望のレジスト平均膜厚を得るためのレ
ジスト濃度（粘度）が変動した場合についても同様であ
る。従って、構成４では第２に、構成４記載のレジス卜
回転塗布方法において、前記乾燥回転数の条件ＩＩＩ
を、前記複数の基準データ群から決定するに際し、実際
の塗布プロセスにおける主回転数及び／又は主回転時間
の設定値に対する変動、又は所望のレジスト平均膜厚を
得るためのレジスト濃度（粘度）の変動に対し、面内膜
厚均一性の変動が小さく安定となる乾燥回転数の条件を
選択して、レジスト塗布を行う（構成９）。この方法
は、面内膜厚均一性が塗布条件（主回転数や主回転時間
等）に非常に敏感なレジストの場合に非常に有効であ
る。
【００１７】また、上記図２（ａ）、図５（ａ）〜図６
（ａ）から、乾燥回転数２００〜３００ｒｐｍの場合、
面内膜厚均一性が２０〜３０オングストロームと最も高
くなる最適領域が広くなる、又は面内膜厚均一性が３０
〜４０オングストロームと高くなる領域が広くなること
がわかる。つまり、乾燥回転の最適化により，同じ濃度
のレジストでかつ同じ面内膜厚均一性が得られる範囲内
で塗布できる膜厚範囲が拡大できることがわかる。従っ
て、同じレジスト濃度（粘度）のレジスト溶液を用い
て、同じ面内膜厚均一性の範囲内で、複数の膜厚を塗布
できる。例えば、図６（ａ）の乾燥回転数２５０ｒｐｍ
の場合、面内膜厚均一性が２０〜３０オングストローム
と最も高くなる最適領域が広く、図６（ｂ）を参酌して
２０〜３０オングストロームの同じ面内膜厚均一性の範
囲内で、約２５００〜４５００オングストロームの範囲
内の複数の膜厚を塗布できる。従って、構成４では第３
に、構成４記載の回転塗布方法において、前記乾燥回転
数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ群から決定す
るに際し、同じレジスト濃度（粘度）のレジスト溶液を
用いて複数の膜厚を塗布した場合、一定の面内膜厚均一
性の範囲で複数の膜厚を塗布可能な乾燥回転数の条件Ｉ
ＩＩを選択して複数の膜厚のレジスト塗布を行う（構成
１０）。
（ａ）から、乾燥回転数２００〜３００ｒｐｍの場合、
面内膜厚均一性が２０〜３０オングストロームと最も高
くなる最適領域が広くなる、又は面内膜厚均一性が３０
〜４０オングストロームと高くなる領域が広くなること
がわかる。つまり、乾燥回転の最適化により，同じ濃度
のレジストでかつ同じ面内膜厚均一性が得られる範囲内
で塗布できる膜厚範囲が拡大できることがわかる。従っ
て、同じレジスト濃度（粘度）のレジスト溶液を用い
て、同じ面内膜厚均一性の範囲内で、複数の膜厚を塗布
できる。例えば、図６（ａ）の乾燥回転数２５０ｒｐｍ
の場合、面内膜厚均一性が２０〜３０オングストローム
と最も高くなる最適領域が広く、図６（ｂ）を参酌して
２０〜３０オングストロームの同じ面内膜厚均一性の範
囲内で、約２５００〜４５００オングストロームの範囲
内の複数の膜厚を塗布できる。従って、構成４では第３
に、構成４記載の回転塗布方法において、前記乾燥回転
数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ群から決定す
るに際し、同じレジスト濃度（粘度）のレジスト溶液を
用いて複数の膜厚を塗布した場合、一定の面内膜厚均一
性の範囲で複数の膜厚を塗布可能な乾燥回転数の条件Ｉ
ＩＩを選択して複数の膜厚のレジスト塗布を行う（構成
１０）。
【００１８】尚、構成４では、構成４記載の複数の等高
線図群を比較することによって、乾燥回転数が変化して
も各等高線図における最も高い面内膜厚均一性が得られ
る主回転数及び主回転時間の最適条件（範囲）が、変化
しないかほとんど変化しないことが判明した。例えば、
上記図２（ａ）〜図６（ａ）から、最も面内膜厚均一性
が高くなる主回転数及び主回転時間の条件（回転数：約
１５００〜１６５０ｒｐｍ、回転時間：約８〜１０秒）
（１点又は範囲）がほぼ変化しないことが確認できる。
従って、乾燥回転数を簡便に最適化する方法としては、
まず、任意のレジスト濃度で構成１の等高線図を作成し
て、最も高い面内膜厚均一性が得られる主回転数と主回
転時間の組合せ条件Ｉ（１点又は範囲）を求め、その条
件Ｉで最も高い面内膜厚均一性が得られる乾燥回転数
を、例えば条件Ｉ下で作成した面内膜厚均一性−乾燥回
転のグラフ（図８）から決定すれば良い（構成５）。つ
まり、構成５は乾燥回転数の簡便な最適化手法であり、
図１（ｂ）などのようなレジスト膜厚の等高線図を求め
る必要がなく簡便である。また、図１（ａ）などのよう
な面内膜厚均一性の分布を示す等高線図を乾燥回転数毎
に求める必要がなく簡便である。即ち、構成５では ま
ず、構成１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉ
に固定した条件下で、乾燥工程における乾燥回転数を段
階的に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗布
した複数の試料を作製する。次に、各試料のレジスト膜
厚を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定して得ら
れる面内膜厚分布から求めた面内膜厚均一性（即ち、面
内膜厚分布における膜厚の最大値と最小値の差異、又は
標準偏差）を求めることによって、各試料の乾燥回転数
と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求め、これを基
準データＢとする。次に、最も高い面内膜厚均一性を得
るための乾燥回転数の条件ＩＶを、前記基準データＢか
ら決定し、この乾燥回転数の条件ＩＶ、及び通常の場合
上記で固定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉ、に従
ってレジスト塗布を行う（構成５）。
線図群を比較することによって、乾燥回転数が変化して
も各等高線図における最も高い面内膜厚均一性が得られ
る主回転数及び主回転時間の最適条件（範囲）が、変化
しないかほとんど変化しないことが判明した。例えば、
上記図２（ａ）〜図６（ａ）から、最も面内膜厚均一性
が高くなる主回転数及び主回転時間の条件（回転数：約
１５００〜１６５０ｒｐｍ、回転時間：約８〜１０秒）
（１点又は範囲）がほぼ変化しないことが確認できる。
従って、乾燥回転数を簡便に最適化する方法としては、
まず、任意のレジスト濃度で構成１の等高線図を作成し
て、最も高い面内膜厚均一性が得られる主回転数と主回
転時間の組合せ条件Ｉ（１点又は範囲）を求め、その条
件Ｉで最も高い面内膜厚均一性が得られる乾燥回転数
を、例えば条件Ｉ下で作成した面内膜厚均一性−乾燥回
転のグラフ（図８）から決定すれば良い（構成５）。つ
まり、構成５は乾燥回転数の簡便な最適化手法であり、
図１（ｂ）などのようなレジスト膜厚の等高線図を求め
る必要がなく簡便である。また、図１（ａ）などのよう
な面内膜厚均一性の分布を示す等高線図を乾燥回転数毎
に求める必要がなく簡便である。即ち、構成５では ま
ず、構成１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉ
に固定した条件下で、乾燥工程における乾燥回転数を段
階的に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗布
した複数の試料を作製する。次に、各試料のレジスト膜
厚を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定して得ら
れる面内膜厚分布から求めた面内膜厚均一性（即ち、面
内膜厚分布における膜厚の最大値と最小値の差異、又は
標準偏差）を求めることによって、各試料の乾燥回転数
と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求め、これを基
準データＢとする。次に、最も高い面内膜厚均一性を得
るための乾燥回転数の条件ＩＶを、前記基準データＢか
ら決定し、この乾燥回転数の条件ＩＶ、及び通常の場合
上記で固定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉ、に従
ってレジスト塗布を行う（構成５）。
【００１９】構成６は、上述したように、レジスト濃度
変化では相対的な面内膜厚分布がほぼ変化しない傾向に
あること、即ち、レジスト濃度が変化しても等高線図群
における最も高い面内膜厚均一性が得られる主回転数及
び主回転時間の最適条件（１点又は範囲）が、変化しな
いかほとんど変化しないことを利用して、所望するレジ
スト膜厚の最適塗布条件（主回転数及び主回転時間、及
び、レジスト濃度）を簡便且つ試行錯誤によらず確実に
決定する方法に関する。つまり、レジスト濃度（粘度）
を変えても最も面内膜厚均一性が高くなる主回転条件が
変化しないことが判ったので、まずこの最も面内膜厚均
一性が高くなる主回転条件に固定し、次いで所定の膜厚
が得られるレジスト濃度（粘度）に変えることによっ
て、最も面内膜厚均一性が高くかつ所望の膜厚が得られ
るレジスト濃度（粘度）が一義的に求められる、即ちレ
ジスト濃度の最適化を図ることができる。尚、従来は、
このようなレジスト濃度の最適化手法が確立されていな
いことから、与えられたレジスト濃度で主回転条件等の
最適条件を試行錯誤で求めており、レジスト濃度を変化
させた場合はそのレジスト濃度で主回転条件等の最適条
件を試行錯誤で求めてた（レジスト濃度を変化させると
最適主回転条件が変化すると考えられていたため）。構
成６では、まず、ある特定のレジスト濃度で、上記構成
１又は２記載の基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を
作成して、最も高い面内膜厚均一性が得られる主回転数
と主回転時間の組合せ条件Ｉを求め、その条件Ｉで所望
するレジスト膜厚が得られるレジスト濃度を、例えば条
件Ｉ下で作成した膜厚−レジスト濃度のグラフ（図７）
から決定すれば良い（構成６）。即ち、構成６では ま
ず、構成１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉ
に固定した条件下で、レジスト液の濃度（粘度）を段階
的に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗布し
た複数の試料を作製する。次に、各試料のレジスト膜厚
を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定して得られ
るレジスト膜厚の平均値を求めることによって、各試料
のレジスト液の濃度（粘度）と、各試料のレジスト膜厚
の平均値との関係を求め、これを基準データＣとする。
次に、所望のレジスト平均膜厚を得るためのレジスト液
の濃度（粘度）の条件Ｖを、前記基準データＣから決定
し、このレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ、及び通常
の場合上記で固定した主回転数及び主回転時間の条件
Ｉ、に従ってレジスト塗布を行う（構成６）。
変化では相対的な面内膜厚分布がほぼ変化しない傾向に
あること、即ち、レジスト濃度が変化しても等高線図群
における最も高い面内膜厚均一性が得られる主回転数及
び主回転時間の最適条件（１点又は範囲）が、変化しな
いかほとんど変化しないことを利用して、所望するレジ
スト膜厚の最適塗布条件（主回転数及び主回転時間、及
び、レジスト濃度）を簡便且つ試行錯誤によらず確実に
決定する方法に関する。つまり、レジスト濃度（粘度）
を変えても最も面内膜厚均一性が高くなる主回転条件が
変化しないことが判ったので、まずこの最も面内膜厚均
一性が高くなる主回転条件に固定し、次いで所定の膜厚
が得られるレジスト濃度（粘度）に変えることによっ
て、最も面内膜厚均一性が高くかつ所望の膜厚が得られ
るレジスト濃度（粘度）が一義的に求められる、即ちレ
ジスト濃度の最適化を図ることができる。尚、従来は、
このようなレジスト濃度の最適化手法が確立されていな
いことから、与えられたレジスト濃度で主回転条件等の
最適条件を試行錯誤で求めており、レジスト濃度を変化
させた場合はそのレジスト濃度で主回転条件等の最適条
件を試行錯誤で求めてた（レジスト濃度を変化させると
最適主回転条件が変化すると考えられていたため）。構
成６では、まず、ある特定のレジスト濃度で、上記構成
１又は２記載の基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を
作成して、最も高い面内膜厚均一性が得られる主回転数
と主回転時間の組合せ条件Ｉを求め、その条件Ｉで所望
するレジスト膜厚が得られるレジスト濃度を、例えば条
件Ｉ下で作成した膜厚−レジスト濃度のグラフ（図７）
から決定すれば良い（構成６）。即ち、構成６では ま
ず、構成１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉ
に固定した条件下で、レジスト液の濃度（粘度）を段階
的に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗布し
た複数の試料を作製する。次に、各試料のレジスト膜厚
を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定して得られ
るレジスト膜厚の平均値を求めることによって、各試料
のレジスト液の濃度（粘度）と、各試料のレジスト膜厚
の平均値との関係を求め、これを基準データＣとする。
次に、所望のレジスト平均膜厚を得るためのレジスト液
の濃度（粘度）の条件Ｖを、前記基準データＣから決定
し、このレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ、及び通常
の場合上記で固定した主回転数及び主回転時間の条件
Ｉ、に従ってレジスト塗布を行う（構成６）。
【００２０】構成７は、上述した構成５に記載の簡便な
乾燥回転の最適化手法によって、乾燥回転を最適化した
条件下で、上記構成６の手法を実施するものである。
乾燥回転の最適化手法によって、乾燥回転を最適化した
条件下で、上記構成６の手法を実施するものである。
【００２１】構成８は、主回転条件、乾燥回転条件、レ
ジスト濃度条件の決定手順に関する。まず、任意のレジ
スト濃度で上記構成１又は２記載の基準データＡ又は等
高線図又は鳥瞰図を作成して、最も高い面内膜厚均一性
が得られる主回転数と主回転時間の組合せ条件Ｉを決定
する（構成１又は２）。次に、その条件Ｉで最も高い面
内膜厚均一性が得られる乾燥回転数の条件ＩＶを、例え
ば条件Ｉ下で作成した面内膜厚均一性−乾燥回転のグラ
フ（図８）から決定する（構成５）。最後に、最適な主
回転条件Ｉ及び最適な乾燥回転条件ＩＶに固定した条件
下で、所望するレジスト膜厚が得られるレジスト濃度条
件Ｖ’を、例えば条件Ｉ下で作成した膜厚−レジスト濃
度のグラフ（図７）から決定する（構成７）。このよう
に、濃度は所望のレジスト膜厚が得られるように最後に
決定する。構成８によれば、最も面内膜厚均一性が高く
かつ所望の膜厚が得られる主回転条件、乾燥回転条件、
レジスト濃度条件を一義的に決定できる。即ち、構成８
では まず、構成１又は２記載の主回転条件の決定方法
によって主回転数及び主回転時間の条件Ｉに選択固定す
る。次に、構成５記載の乾燥回転条件の決定方法によっ
て乾燥回転数の条件ＩＶに選択固定する。次に、構成７
記載のレジスト濃度（粘度）の決定方法によってレジス
ト液の濃度（粘度）の条件Ｖ’に選択固定する。そし
て、これらの条件Ｉ、条件ＩＶ及び条件Ｖ’に従ってレ
ジスト塗布を行う（構成８）。
ジスト濃度条件の決定手順に関する。まず、任意のレジ
スト濃度で上記構成１又は２記載の基準データＡ又は等
高線図又は鳥瞰図を作成して、最も高い面内膜厚均一性
が得られる主回転数と主回転時間の組合せ条件Ｉを決定
する（構成１又は２）。次に、その条件Ｉで最も高い面
内膜厚均一性が得られる乾燥回転数の条件ＩＶを、例え
ば条件Ｉ下で作成した面内膜厚均一性−乾燥回転のグラ
フ（図８）から決定する（構成５）。最後に、最適な主
回転条件Ｉ及び最適な乾燥回転条件ＩＶに固定した条件
下で、所望するレジスト膜厚が得られるレジスト濃度条
件Ｖ’を、例えば条件Ｉ下で作成した膜厚−レジスト濃
度のグラフ（図７）から決定する（構成７）。このよう
に、濃度は所望のレジスト膜厚が得られるように最後に
決定する。構成８によれば、最も面内膜厚均一性が高く
かつ所望の膜厚が得られる主回転条件、乾燥回転条件、
レジスト濃度条件を一義的に決定できる。即ち、構成８
では まず、構成１又は２記載の主回転条件の決定方法
によって主回転数及び主回転時間の条件Ｉに選択固定す
る。次に、構成５記載の乾燥回転条件の決定方法によっ
て乾燥回転数の条件ＩＶに選択固定する。次に、構成７
記載のレジスト濃度（粘度）の決定方法によってレジス
ト液の濃度（粘度）の条件Ｖ’に選択固定する。そし
て、これらの条件Ｉ、条件ＩＶ及び条件Ｖ’に従ってレ
ジスト塗布を行う（構成８）。
【００２２】構成１１記載の発明では、基板が方形状基
板である場合に、本発明の効果及び必要性が特に高いの
で規定したものである。方形状基板には、正方形、長方
形などの四角形状基板が含まれる。本発明においては、
遮光機能を有する遮光機能層及び／又は位相シフト層等
の薄膜が形成されている基板上にレジストを塗布する場
合の他、レジスト下地反射防止膜、レジスト上層反射防
止膜、レジスト上層保護膜、導電性膜、その他の塗布
膜、あるいはこれらの膜を任意に組み合わせた膜等を塗
布する場合を含む。また、薄膜が形成されていない基板
上にレジスト、レジスト下地反射防止膜、レジスト上層
反射防止膜、レジスト上層保護膜、導電性膜、その他の
塗布膜、あるいはこれらの膜を任意に組み合わせた膜等
を塗布する場合を含む。
板である場合に、本発明の効果及び必要性が特に高いの
で規定したものである。方形状基板には、正方形、長方
形などの四角形状基板が含まれる。本発明においては、
遮光機能を有する遮光機能層及び／又は位相シフト層等
の薄膜が形成されている基板上にレジストを塗布する場
合の他、レジスト下地反射防止膜、レジスト上層反射防
止膜、レジスト上層保護膜、導電性膜、その他の塗布
膜、あるいはこれらの膜を任意に組み合わせた膜等を塗
布する場合を含む。また、薄膜が形成されていない基板
上にレジスト、レジスト下地反射防止膜、レジスト上層
反射防止膜、レジスト上層保護膜、導電性膜、その他の
塗布膜、あるいはこれらの膜を任意に組み合わせた膜等
を塗布する場合を含む。
【００２３】構成１２記載の発明は、上記構成１〜７に
記載のレジスト回転塗布方法において求めた少なくとも
一の基準データに基づいてレジスト塗布条件を決定する
ことを特徴とするレジスト塗布条件決定方法に関するも
のである。ここで、レジスト塗布条件としては、主回転
数、主回転時間、乾燥回転数、乾操回転時間、レジスト
濃度、レジストの種類及び溶媒等が挙げられる。
記載のレジスト回転塗布方法において求めた少なくとも
一の基準データに基づいてレジスト塗布条件を決定する
ことを特徴とするレジスト塗布条件決定方法に関するも
のである。ここで、レジスト塗布条件としては、主回転
数、主回転時間、乾燥回転数、乾操回転時間、レジスト
濃度、レジストの種類及び溶媒等が挙げられる。
【００２４】構成１３記載の発明は、少なくとも遮光機
能を有する遮光機能層及び／又は位相シフト層を有する
基板上に、上記構成１乃至１０に記載のレジスト塗布方
法によってレジスト膜、レジスト下地反射防止膜、レジ
スト上層反射防止膜、レジスト上層保護膜、導電性膜、
その他の塗布膜、あるいはこれらの膜を任意に組み合わ
せた膜等を形成したことを特徴とするマスクブランクに
関するものである。
能を有する遮光機能層及び／又は位相シフト層を有する
基板上に、上記構成１乃至１０に記載のレジスト塗布方
法によってレジスト膜、レジスト下地反射防止膜、レジ
スト上層反射防止膜、レジスト上層保護膜、導電性膜、
その他の塗布膜、あるいはこれらの膜を任意に組み合わ
せた膜等を形成したことを特徴とするマスクブランクに
関するものである。
【００２５】
【実施例】以下、電子線描画用ポジ型レジストであるＦ
ＥＰ１７１（フジフィルムアーチ社製）の８．５％溶液
（溶剤はＰＧＭＥＡ（プロピレン・グリコール・モノメ
チル・エーテル・アセテート）とＰＧＭＥ（プロピレン
・グリコール・モノメチル・エーテル）の８対２の混合
液）を用い、上記（構成８）に従って、レジスト塗布を
行った。具体的には、上記ＦＥＰ１７１の８．５％溶液
を用い、乾燥回転数を３００ｒｐｍに固定し、この条件
下で、サイズ６インチ角（１５２．４ｍｍ角）、厚さ
０．２５インチ（６．３５ｍｍ）の基板上に、主回転数
を７５０〜１７５０の範囲で２５０ｒｐｍ間隔で段階的
に変化させ（５条件）、主回転時間を１〜５秒の範囲で
１秒間隔で段階的に変化させ（５条件）、これらの条件
の組み合わせ５×５＝２５条件についてＦＥＰ１７１を
塗布した２５枚の試料基板を作製し、各試料について基
板中央の有効領域１３２×１３２ｍｍ内の全体に均等に
配置した１１×１１＝１２１点で分光反射型膜厚計（ナ
ノメトリクスジャパン社製：ＡＦＴ６１００Ｍ）を用い
て膜厚測定し、面内膜厚分布（各測定点における膜厚デ
ータ）を求めた。各試料において、この面内膜厚分布デ
ータから、（膜厚の最大値）−（膜厚の最小値）＝（面
内膜厚均一性）として、面内膜厚均一性を求めた（基準
データＡ）。また、上記１２１点で測定した膜厚の平均
値を算出して、各試料の平均膜厚を求めた。次に、これ
らの主回転数と主回転時間との組み合わせと面内膜厚均
一性、及び平均膜厚、これらデータをデータ記憶手段に
記憶した。次に、主回転数と主回転時間の組み合わせと
面内膜厚均一性の関係、主回転数と主回転時間の組み合
わせと平均膜厚との関係、これらが視覚的にわかるよう
に、前述の手法に従い、データ加工した。次に、加工さ
れた主回転数と主回転時間の組み合わせと面内膜厚均一
性の関係のデータに対し、４０〜１００オングストロー
ムの範囲で、１０オングストローム間隔で段階的に設定
した面内膜厚均一性（５０オングストローム、６０オン
グトローム、７０オングストローム、…１００オングス
トローム、１００オングストローム以上の７段階）とな
る点を求め（割り振り）、同じ面内膜厚均一性となる点
を等高線で結んで等高線図を作成した。図１１は主回転
数を縦軸に、主回転時間を横軸としたグラフにおける、
対応する位置に、上記で求めた面内膜厚均一性をプロッ
トし、その等高線図を求めたものである。尚、上記等高
線図は、データ記憶手段に記憶したデータをソフトウェ
ア処理（データ加工）することにより作成した。そし
て、上記基準データＡ及び等高線図から、最も高い面内
膜厚均一性が得られた主回転数と主回転時間の組み合わ
せ（即ち条件Ｉ）を求めた。即ち、上記基準データＡ及
び等高線図から、最も高い面内膜厚均一性４０オングス
トロームが得られた「主回転数：１５００ｒｐｍ、主回
転時間：２秒」を主回転条件Ｉとした。ここで、図１２
は 加工された主回転数と主回転時間の組み合わせと平
均膜厚との関係のデータに対し、２５０オングストロー
ム間隔で段階的に設定した平均膜厚となる点を求め（割
り振り）、同じ平均膜厚となる点を等高線で結んで、主
回転数を縦軸に、主回転時間を横軸とした等高線図であ
る。最も高い面内膜厚均一性４０オングストロームが得
られた条件、即ち、主回転数を１５００ｒｐｍ、主回転
時間を２秒とした場合に得られた塗布膜厚の平均値は６
４８８オングストロームであり、所望の膜厚５０００オ
ングストローム、あるいは別の所望の膜厚３０００オン
グストロームは得られなかった。
ＥＰ１７１（フジフィルムアーチ社製）の８．５％溶液
（溶剤はＰＧＭＥＡ（プロピレン・グリコール・モノメ
チル・エーテル・アセテート）とＰＧＭＥ（プロピレン
・グリコール・モノメチル・エーテル）の８対２の混合
液）を用い、上記（構成８）に従って、レジスト塗布を
行った。具体的には、上記ＦＥＰ１７１の８．５％溶液
を用い、乾燥回転数を３００ｒｐｍに固定し、この条件
下で、サイズ６インチ角（１５２．４ｍｍ角）、厚さ
０．２５インチ（６．３５ｍｍ）の基板上に、主回転数
を７５０〜１７５０の範囲で２５０ｒｐｍ間隔で段階的
に変化させ（５条件）、主回転時間を１〜５秒の範囲で
１秒間隔で段階的に変化させ（５条件）、これらの条件
の組み合わせ５×５＝２５条件についてＦＥＰ１７１を
塗布した２５枚の試料基板を作製し、各試料について基
板中央の有効領域１３２×１３２ｍｍ内の全体に均等に
配置した１１×１１＝１２１点で分光反射型膜厚計（ナ
ノメトリクスジャパン社製：ＡＦＴ６１００Ｍ）を用い
て膜厚測定し、面内膜厚分布（各測定点における膜厚デ
ータ）を求めた。各試料において、この面内膜厚分布デ
ータから、（膜厚の最大値）−（膜厚の最小値）＝（面
内膜厚均一性）として、面内膜厚均一性を求めた（基準
データＡ）。また、上記１２１点で測定した膜厚の平均
値を算出して、各試料の平均膜厚を求めた。次に、これ
らの主回転数と主回転時間との組み合わせと面内膜厚均
一性、及び平均膜厚、これらデータをデータ記憶手段に
記憶した。次に、主回転数と主回転時間の組み合わせと
面内膜厚均一性の関係、主回転数と主回転時間の組み合
わせと平均膜厚との関係、これらが視覚的にわかるよう
に、前述の手法に従い、データ加工した。次に、加工さ
れた主回転数と主回転時間の組み合わせと面内膜厚均一
性の関係のデータに対し、４０〜１００オングストロー
ムの範囲で、１０オングストローム間隔で段階的に設定
した面内膜厚均一性（５０オングストローム、６０オン
グトローム、７０オングストローム、…１００オングス
トローム、１００オングストローム以上の７段階）とな
る点を求め（割り振り）、同じ面内膜厚均一性となる点
を等高線で結んで等高線図を作成した。図１１は主回転
数を縦軸に、主回転時間を横軸としたグラフにおける、
対応する位置に、上記で求めた面内膜厚均一性をプロッ
トし、その等高線図を求めたものである。尚、上記等高
線図は、データ記憶手段に記憶したデータをソフトウェ
ア処理（データ加工）することにより作成した。そし
て、上記基準データＡ及び等高線図から、最も高い面内
膜厚均一性が得られた主回転数と主回転時間の組み合わ
せ（即ち条件Ｉ）を求めた。即ち、上記基準データＡ及
び等高線図から、最も高い面内膜厚均一性４０オングス
トロームが得られた「主回転数：１５００ｒｐｍ、主回
転時間：２秒」を主回転条件Ｉとした。ここで、図１２
は 加工された主回転数と主回転時間の組み合わせと平
均膜厚との関係のデータに対し、２５０オングストロー
ム間隔で段階的に設定した平均膜厚となる点を求め（割
り振り）、同じ平均膜厚となる点を等高線で結んで、主
回転数を縦軸に、主回転時間を横軸とした等高線図であ
る。最も高い面内膜厚均一性４０オングストロームが得
られた条件、即ち、主回転数を１５００ｒｐｍ、主回転
時間を２秒とした場合に得られた塗布膜厚の平均値は６
４８８オングストロームであり、所望の膜厚５０００オ
ングストローム、あるいは別の所望の膜厚３０００オン
グストロームは得られなかった。
【００２６】続いて、乾繰回転数の最適化を行った。既
述の通り、乾繰回転数が変化しても、面内膜厚均一性の
分布を表す等高線図においては、最も高い面内膜厚均一
性が得られる主回転数と主回転時間の組み合わせ条件は
ほぼ変化しないことから、下記の通り、乾燥回転数の最
適化を行った。レジスト濃度８．５％のＦＥＰ１７１
を、６インチ角、０．２５インチ厚の基板上に、主回転
数は１５００ｒｐｍ、主回転時間は２秒に固定して、乾
燥回転数を１００〜３００ｒｐｍの範囲で５０ｒｐｍ間
隔で段階的に変化させて試料基板を作製した。次いで、
各試料基板の面内膜厚均一性を既述の通りに測定し、面
内膜厚均一性と乾燥回転数の関係（グラフ）を求めた
（図１３）。図１３から、面内膜厚均一性を最も高くで
きる乾燥回転数（乾燥回転条件ＩＶ）は２５０ｒｐｍで
あることがわかる。
述の通り、乾繰回転数が変化しても、面内膜厚均一性の
分布を表す等高線図においては、最も高い面内膜厚均一
性が得られる主回転数と主回転時間の組み合わせ条件は
ほぼ変化しないことから、下記の通り、乾燥回転数の最
適化を行った。レジスト濃度８．５％のＦＥＰ１７１
を、６インチ角、０．２５インチ厚の基板上に、主回転
数は１５００ｒｐｍ、主回転時間は２秒に固定して、乾
燥回転数を１００〜３００ｒｐｍの範囲で５０ｒｐｍ間
隔で段階的に変化させて試料基板を作製した。次いで、
各試料基板の面内膜厚均一性を既述の通りに測定し、面
内膜厚均一性と乾燥回転数の関係（グラフ）を求めた
（図１３）。図１３から、面内膜厚均一性を最も高くで
きる乾燥回転数（乾燥回転条件ＩＶ）は２５０ｒｐｍで
あることがわかる。
【００２７】続いて、レジスト濃度の最適化を行った。
既述の通り、レジスト濃度が変化しても面内膜厚均一性
の分布を表す等高線図においては、最も高い面内膜厚均
一性が得られる主回転数と主回転時間の組み合わせ条件
はほぼ変化しない。また、乾燥回転が変化しても、面内
膜厚均一性の分布を表す等高線図においては最も高い面
内膜厚均一性が得られる主回転数と主回転時間の組み合
わせ条件はほぼ変化しない。これらの事実に従い、下記
の通り、レジスト濃度の最適化を行った。まず、レジス
ト濃度８．５％のＦＥＰ１７１を、溶剤であるＰＧＭＥ
Ａ（プロピレン・グリコール・モノメチル・エーテル・
アセテート）とＰＧＭＥ（プロピレン・グリコール・モ
ノメチル・エーテル）の８対２の混合液で、原液（８．
５％）に対する溶剤添加量（希釈比率）を１０対０、１
０対１、１０対２、１０対３、１０対４、１０対５、及
び１０対１０（１対１）として希釈調整した。上記の７
種の各調整液を用い、６インチ角、０．２５インチ厚の
基板上に、主回転数は１５００ｒｐｍ、主回転時間は２
秒に固定し、乾燥回転数は２５０ｒｐｍに固定して、試
料基板を作製した。次いで、各試料基板の平均膜厚を既
述の方法で測定し、平均膜厚とレジスト濃度との関係
（グラフ）を求めた（図１４）。図１４から、希釈比１
００対２０（即ち、レジスト濃度条件Ｖ’を約７．０８
％）とすることで、別の所望の膜厚５０００オングスト
ロ−ムが得られる。また、希釈比１００対６５（即ち、
レジスト濃度条件Ｖ’を約５．１５％）とすることで、
所望の膜厚３０００オングストロ−ムが得られることが
わかる。
既述の通り、レジスト濃度が変化しても面内膜厚均一性
の分布を表す等高線図においては、最も高い面内膜厚均
一性が得られる主回転数と主回転時間の組み合わせ条件
はほぼ変化しない。また、乾燥回転が変化しても、面内
膜厚均一性の分布を表す等高線図においては最も高い面
内膜厚均一性が得られる主回転数と主回転時間の組み合
わせ条件はほぼ変化しない。これらの事実に従い、下記
の通り、レジスト濃度の最適化を行った。まず、レジス
ト濃度８．５％のＦＥＰ１７１を、溶剤であるＰＧＭＥ
Ａ（プロピレン・グリコール・モノメチル・エーテル・
アセテート）とＰＧＭＥ（プロピレン・グリコール・モ
ノメチル・エーテル）の８対２の混合液で、原液（８．
５％）に対する溶剤添加量（希釈比率）を１０対０、１
０対１、１０対２、１０対３、１０対４、１０対５、及
び１０対１０（１対１）として希釈調整した。上記の７
種の各調整液を用い、６インチ角、０．２５インチ厚の
基板上に、主回転数は１５００ｒｐｍ、主回転時間は２
秒に固定し、乾燥回転数は２５０ｒｐｍに固定して、試
料基板を作製した。次いで、各試料基板の平均膜厚を既
述の方法で測定し、平均膜厚とレジスト濃度との関係
（グラフ）を求めた（図１４）。図１４から、希釈比１
００対２０（即ち、レジスト濃度条件Ｖ’を約７．０８
％）とすることで、別の所望の膜厚５０００オングスト
ロ−ムが得られる。また、希釈比１００対６５（即ち、
レジスト濃度条件Ｖ’を約５．１５％）とすることで、
所望の膜厚３０００オングストロ−ムが得られることが
わかる。
【００２８】最後に、レジスト濃度を約７．０８％に調
整したＦＥＰ１７１溶液を用い、６インチ角，０．２５
インチ厚の基板上に、主回転数を１５００ｒｐｍ、主回
転時間を２秒、乾燥回転数を２５０ｒｐｍとして塗布
し、塗布後のベーク処理をして試料基板を作製した。次
に、上記試料基板について、基板上の有効領域「１３２
×１３２ｍｍ」内の全体に均等に配置した１１×１１＝
１２１点で塗布膜厚を分光反射型膜厚計（ナノメトリク
スジャパン社製：ＡＦＴ６１００Ｍ）で測定し、平均膜
厚（各測定点における膜厚データから算出された平均
値）と面内膜厚均一性（各測定点における膜厚データか
ら算出されたレンジ値）を求めた結果、平均膜厚５００
３オングストロームにおいて、面内膜厚均一性３８オン
グストロームが得られた。また、レジスト濃度を約５．
１５％に調整したＦＥＰ１７１溶液を用い、６インチ
角、０．２５インチ厚の基板上に、主回転数を１５００
ｒｐｍ、主回転時間を２秒、乾燥回転数を２５０ｒｐｍ
として塗布し、塗布後のベーク処理をして試料基板を作
製した。次に、上記試料基板について、基板上の有効領
域「１３２×１３２ｍｍ」内の全体に均等に配置した１
１×１１＝１２１点で塗布膜厚を分光反射型膜厚計（ナ
ノメトリクスジャパン社製：ＡＦＴ６１００Ｍ）で測定
し、平均膜厚（各測定点における膜厚データから算出さ
れた平均値）と面内膜厚均一性（各測定点における膜厚
データから算出されたレンジ値）を求めた結果、平均膜
厚３００５オングストロームにおいて、面内膜厚均一性
２８オングストロームが得られた。上記２つの結果から
レジスト濃度が薄い方（レジスト平均膜厚が薄い方）
が、面内膜厚均一性が良くなっていることもわかる。上
記の結果は、まず、構成１又は２記載の主回転条件の決
定方法によって主回転数及び主回転時間の条件Ｉを選択
固定し、次に、構成５記載の乾操条件の決定方法によっ
て乾燥回転数の条件ＩＶを選択固定し、最後に、構成７
記載のレジスト濃度の決定方法によってレジスト溶液の
濃度の条件Ｖ’を選択固定し、そして、これらの条件
Ｉ、条件ＩＶ及び条件Ｖ’に従ってレジスト塗布を行う
ことで、各条件は一義的に決定され、最も高い面内膜厚
均一性が達成できることを明示する。
整したＦＥＰ１７１溶液を用い、６インチ角，０．２５
インチ厚の基板上に、主回転数を１５００ｒｐｍ、主回
転時間を２秒、乾燥回転数を２５０ｒｐｍとして塗布
し、塗布後のベーク処理をして試料基板を作製した。次
に、上記試料基板について、基板上の有効領域「１３２
×１３２ｍｍ」内の全体に均等に配置した１１×１１＝
１２１点で塗布膜厚を分光反射型膜厚計（ナノメトリク
スジャパン社製：ＡＦＴ６１００Ｍ）で測定し、平均膜
厚（各測定点における膜厚データから算出された平均
値）と面内膜厚均一性（各測定点における膜厚データか
ら算出されたレンジ値）を求めた結果、平均膜厚５００
３オングストロームにおいて、面内膜厚均一性３８オン
グストロームが得られた。また、レジスト濃度を約５．
１５％に調整したＦＥＰ１７１溶液を用い、６インチ
角、０．２５インチ厚の基板上に、主回転数を１５００
ｒｐｍ、主回転時間を２秒、乾燥回転数を２５０ｒｐｍ
として塗布し、塗布後のベーク処理をして試料基板を作
製した。次に、上記試料基板について、基板上の有効領
域「１３２×１３２ｍｍ」内の全体に均等に配置した１
１×１１＝１２１点で塗布膜厚を分光反射型膜厚計（ナ
ノメトリクスジャパン社製：ＡＦＴ６１００Ｍ）で測定
し、平均膜厚（各測定点における膜厚データから算出さ
れた平均値）と面内膜厚均一性（各測定点における膜厚
データから算出されたレンジ値）を求めた結果、平均膜
厚３００５オングストロームにおいて、面内膜厚均一性
２８オングストロームが得られた。上記２つの結果から
レジスト濃度が薄い方（レジスト平均膜厚が薄い方）
が、面内膜厚均一性が良くなっていることもわかる。上
記の結果は、まず、構成１又は２記載の主回転条件の決
定方法によって主回転数及び主回転時間の条件Ｉを選択
固定し、次に、構成５記載の乾操条件の決定方法によっ
て乾燥回転数の条件ＩＶを選択固定し、最後に、構成７
記載のレジスト濃度の決定方法によってレジスト溶液の
濃度の条件Ｖ’を選択固定し、そして、これらの条件
Ｉ、条件ＩＶ及び条件Ｖ’に従ってレジスト塗布を行う
ことで、各条件は一義的に決定され、最も高い面内膜厚
均一性が達成できることを明示する。
【００２９】尚、本発明は、上述した内容に限定されな
い。本発明では、レジスト濃度や乾燥回転数等を最適化
した結果をフィードバックして、上記基準データＡ又は
等高線図又は鳥瞰図を作成できることは言うまでもな
い。本発明では、レジストの種類を変えて上記基準デー
タＡ又は等高線図又は鳥瞰図を作成できることは言うま
でもない。回転塗布法により得られるレジスト膜厚の均
一性は、レジスト種及び溶媒、塗布装置のカップの形
状、あるいは、排気量等、の影響を受ける。したがっ
て、これらの条件の改良によってレジスト膜厚の均一性
が向上した場合には、これらの条件と本発明を組み合わ
せることによって、上記で例示した面内膜厚均一性より
高い面内膜厚均一性で塗布可能となる。基板のサイズや
形状も６インチ角基板に限定されない。
い。本発明では、レジスト濃度や乾燥回転数等を最適化
した結果をフィードバックして、上記基準データＡ又は
等高線図又は鳥瞰図を作成できることは言うまでもな
い。本発明では、レジストの種類を変えて上記基準デー
タＡ又は等高線図又は鳥瞰図を作成できることは言うま
でもない。回転塗布法により得られるレジスト膜厚の均
一性は、レジスト種及び溶媒、塗布装置のカップの形
状、あるいは、排気量等、の影響を受ける。したがっ
て、これらの条件の改良によってレジスト膜厚の均一性
が向上した場合には、これらの条件と本発明を組み合わ
せることによって、上記で例示した面内膜厚均一性より
高い面内膜厚均一性で塗布可能となる。基板のサイズや
形状も６インチ角基板に限定されない。
【００３０】本発明では、レジスト膜厚を測定する領域
は、基板内であれば特に限定されないが、好ましくは、
基板上にパターン（マスクパターン、回路パターンな
ど）等が形成される有効領域内を測定することが望まし
い。また、等高線図又は鳥瞰図を精度良く作成するため
には有効領域内においてなるべく多くの複数点を等間隔
でまんべんなく測定することが望ましい。
は、基板内であれば特に限定されないが、好ましくは、
基板上にパターン（マスクパターン、回路パターンな
ど）等が形成される有効領域内を測定することが望まし
い。また、等高線図又は鳥瞰図を精度良く作成するため
には有効領域内においてなるべく多くの複数点を等間隔
でまんべんなく測定することが望ましい。
【００３１】本発明では、レジスト膜厚の測定は、例え
ば、分光反射型膜厚計、触針式膜厚測定器などを用いて
行うことができる。上記レジストの各試料の面内膜厚分
布を測定の際も、これらの分光反射型膜厚計を用いて測
定した。
ば、分光反射型膜厚計、触針式膜厚測定器などを用いて
行うことができる。上記レジストの各試料の面内膜厚分
布を測定の際も、これらの分光反射型膜厚計を用いて測
定した。
【００３２】本発明では、基板上の有効領域は、要求さ
れる仕様に応じて適宜選定することができる。例えば、
基板が方形状基板であるフォトマスクブランクや位相シ
フトマスクブランクの場合、マスクパターンが形成され
る領域を選定する。マスクパターンが形成される領域に
おいてレジスト膜の面内膜厚均一性が所定の値以上ある
場合、所望のパターニング特性（パターン寸法精度）が
得られないからである。例えば、基板の大きさが６イン
チ×６インチの場合、有効領域をマスクパターンが形成
される基板中央部の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの方形とす
る。また、マスクパターンが形成される領域の外側に形
成されるアライメントマークやマスクの品質保証を示す
ＱＡパターンなどの補助パターンが形成される領域まで
所望の面内膜厚均一性となることが必要な場合は、それ
らの領域に応じて各試料の面内膜厚分布測定の有効領域
とする。上記所望の有効領域は、マスクパターンが形成
される領域が方形状の場合、図１０（１）に示すように
四角形状（マスクパターンが形成される領域と相似形状
や、方形状基板と相似形状など）が、マスクパターンが
形成される領域が矩形状の場合は、図１０（２）に示す
ように四隅部分を除くように設定された十字形状を所望
の有効領域とする。尚、通常、レジストの面内膜厚分布
（面内膜厚均一性）を測定する所望の有効領域が変化す
ると、面内膜厚分布も変化するので、要求される仕様ご
とに面内膜厚分布（面内膜厚均一性）を測定することが
必要となる。
れる仕様に応じて適宜選定することができる。例えば、
基板が方形状基板であるフォトマスクブランクや位相シ
フトマスクブランクの場合、マスクパターンが形成され
る領域を選定する。マスクパターンが形成される領域に
おいてレジスト膜の面内膜厚均一性が所定の値以上ある
場合、所望のパターニング特性（パターン寸法精度）が
得られないからである。例えば、基板の大きさが６イン
チ×６インチの場合、有効領域をマスクパターンが形成
される基板中央部の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの方形とす
る。また、マスクパターンが形成される領域の外側に形
成されるアライメントマークやマスクの品質保証を示す
ＱＡパターンなどの補助パターンが形成される領域まで
所望の面内膜厚均一性となることが必要な場合は、それ
らの領域に応じて各試料の面内膜厚分布測定の有効領域
とする。上記所望の有効領域は、マスクパターンが形成
される領域が方形状の場合、図１０（１）に示すように
四角形状（マスクパターンが形成される領域と相似形状
や、方形状基板と相似形状など）が、マスクパターンが
形成される領域が矩形状の場合は、図１０（２）に示す
ように四隅部分を除くように設定された十字形状を所望
の有効領域とする。尚、通常、レジストの面内膜厚分布
（面内膜厚均一性）を測定する所望の有効領域が変化す
ると、面内膜厚分布も変化するので、要求される仕様ご
とに面内膜厚分布（面内膜厚均一性）を測定することが
必要となる。
【００３３】本発明では、所定の面内膜厚均一性は、要
求される仕様に応じて適宜選定することができる。ま
た、面内膜厚均一性の下限値は、レジスト種、所望の膜
厚、レジスト塗布装置や、面内膜厚分布（面内膜厚均一
性）の測定限界等によって制限されるので、これらに応
じて適宜選定することができる。
求される仕様に応じて適宜選定することができる。ま
た、面内膜厚均一性の下限値は、レジスト種、所望の膜
厚、レジスト塗布装置や、面内膜厚分布（面内膜厚均一
性）の測定限界等によって制限されるので、これらに応
じて適宜選定することができる。
【００３４】尚、本発明で言うマスクブランクには、フ
ォトマスクブランク、位相シフトマスクブランクが含ま
れる。本発明で言うマスクブランクには、レジスト膜付
きブランクの他、レジスト膜、レジスト下地反射防止膜
（ＢＡＲＣ：Bottom Anti-Reflective Coating）、レジ
スト上層反射防止膜（ＴＡＲＬ：Top Anti-Reflective
Layer）、レジスト上層保護膜、導電性膜、その他の塗
布膜、これらの膜を任意に組み合わせた膜等が成膜され
たマスクブランクや、これらの膜を形成する前のブラン
クが含まれる。本発明で言うマスクには、フォトマス
ク、位相シフトマスクが含まれる。本発明で言うマスク
には、レチクルが含まれる。
ォトマスクブランク、位相シフトマスクブランクが含ま
れる。本発明で言うマスクブランクには、レジスト膜付
きブランクの他、レジスト膜、レジスト下地反射防止膜
（ＢＡＲＣ：Bottom Anti-Reflective Coating）、レジ
スト上層反射防止膜（ＴＡＲＬ：Top Anti-Reflective
Layer）、レジスト上層保護膜、導電性膜、その他の塗
布膜、これらの膜を任意に組み合わせた膜等が成膜され
たマスクブランクや、これらの膜を形成する前のブラン
クが含まれる。本発明で言うマスクには、フォトマス
ク、位相シフトマスクが含まれる。本発明で言うマスク
には、レチクルが含まれる。
【００３５】本発明には以下の構成が含まれる。
（構成１’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、上記回転塗布方法
において、塗布溶液の濃度（粘度）を任意の濃度に固定
し、かつ、前記乾燥工程における乾燥回転数を任意の回
転数に固定し、この条件下で、前記均一化工程における
前記主回転数及び前記主回転時間をそれぞれパラメータ
としてそれぞれ段階的に変化させて得られる複数の条件
で塗布溶液を塗布した複数の試料を作製し、各試料の塗
布膜厚を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定して
得られる面内膜厚分布から求めた面内膜厚均一性を求め
ることによって、各試料の主回転数及び主回転時間の組
合せ条件と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求め、
これを基準データＡとし、所望の面内膜厚均一性を得る
ための主回転数及び主回転時間の組合せ条件Ｉを、前記
基準データＡから決定し、この主回転数及び主回転時間
の組合せ条件Ｉに従って塗布溶液の塗布を行うことを特
徴とする回転塗布方法。 （構成２’） 前記基準データＡが、縦軸、横軸を前記
主回転数、前記主回転時間とし、同じ面内膜厚均一性と
なる点を等高線で結んだ等高線図、又は、Ｘ軸、Ｙ軸、
Ｚ軸に前記主回転数、前記主回転時間、前記面内膜厚均
一性の点をプロットして描いた鳥瞰図、であることを特
徴とする構成１’に記載の回転塗布方法。 （構成３’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、構成１’又は２’
における基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、塗布
溶液の濃度（粘度）を段階的に変化させて複数求め、こ
の複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図群の中
から最も高い面内膜厚均一性が得られる塗布溶液の濃度
（粘度）条件ＩＩを決定し、この塗布溶液の濃度（粘
度）条件ＩＩに従って塗布溶液の塗布を行うことを特徴
とする回転塗布方法。 （構成４’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、構成１’又は２’
における基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、塗布
溶液の濃度（粘度）は任意の濃度に固定し、前記乾燥工
程における乾燥回転数を段階的に変化させて複数求め、
この複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図群の
中から最も高い面内膜厚均一性が得られる乾燥回転数条
件ＩＩＩを決定し、この乾燥回転数条件ＩＩＩに従って
塗布溶液の塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成５’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化工程に
おける前記主回転数及び前記主回転時間を、構成１’で
決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定した条
件下で、前記乾燥工程における乾燥回転数を段階的に変
化させて得られる複数の条件で塗布溶液を塗布した複数
の試料を作製し、各試料の塗布膜厚を、基板内の所望の
有効領域内で複数点測定して得られる面内膜厚分布から
求めた面内膜厚均一性を求めることによって、各試料の
乾燥回転数と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求
め、これを基準データＢとし、最も高い面内膜厚均一性
を得るための乾燥回転数の条件ＩＶを、前記基準データ
Ｂから決定し、この乾燥回転数の条件ＩＶに従って塗布
溶液の塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成６’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化工程に
おける前記主回転数及び前記主回転時間を、構成１’で
決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定した条
件下で、塗布溶液の濃度（粘度）を段階的に変化させて
得られる複数の条件で塗布溶液を塗布した複数の試料を
作製し、各試料の塗布膜厚を、基板内の所望の有効領域
内で複数点測定して得られる塗布膜厚の平均値を求める
ことによって、各試料の塗布溶液の濃度（粘度）と、各
試料の塗布膜厚の平均値との関係を求め、これを基準デ
ータＣとし、所望の平均塗布膜厚を得るための塗布溶液
の濃度（粘度）の条件Ｖを、前記基準データＣから決定
し、この塗布溶液の濃度（粘度）の条件Ｖに従って塗布
溶液の塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成７’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化工程に
おける前記主回転数及び前記主回転時間を、構成１’で
決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定し、か
つ、前記乾燥工程における乾燥回転数を構成５’で決定
した乾燥回転数の条件ＩＶに固定した条件下で、塗布溶
液の濃度（粘度）を段階的に変化させて得られる複数の
条件で塗布溶液を塗布した複数の試料を作製し、各試料
の塗布膜厚を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定
して得られる塗布膜厚の平均値を求めることによって、
各試料の塗布溶液の濃度（粘度）と、各試料の塗布膜厚
の平均値との関係を求め、これを基準データＣ’とし、
所望の平均塗布膜厚を得るための塗布溶液の濃度（粘
度）の条件Ｖ’を、前記基準データＣ’から決定し、こ
の塗布溶液の濃度（粘度）の条件Ｖ’に従って塗布溶液
の塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成８’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、まず、構成１’又
は２’記載の主回転条件の決定方法によって主回転数及
び主回転時間の条件Ｉに選択固定し、次いで、構成’５
記載の乾燥回転条件の決定方法によって乾燥回転数の条
件ＩＶに選択固定し、次いで、構成７’記載の塗布溶液
の濃度（粘度）の決定方法によって塗布溶液の濃度（粘
度）の条件Ｖ’に選択固定し、これらの条件Ｉ、条件Ｉ
Ｖ及び条件Ｖ’に従って塗布溶液の塗布を行うことを特
徴とする回転塗布方法。 （構成９’） 構成４’記載の回転塗布方法において、
前記乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ
群又は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際し、実
際の塗布プロセスにおける主回転数及び／又は主回転時
間の設定値に対する変動、又は所望の平均塗布膜厚を得
るための塗布溶液の濃度（粘度）の変動に対し、面内膜
厚均一性の変動が小さく安定となる乾燥回転数の条件を
選択して、塗布溶液の塗布を行うことを特徴とする回転
塗布方法。 （構成１０’） 構成４’記載の回転塗布方法におい
て、前記乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準デ
ータ群又は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際
し、同じ濃度（粘度）の塗布溶液を用いて複数の膜厚を
塗布した場合、一定の面内膜厚均一性の範囲で複数の膜
厚を塗布可能な乾燥回転数の条件ＩＩＩを選択して複数
の膜厚の塗布膜の塗布を行うことを特徴とする回転塗布
方法。 （構成１１’） 前記基板は方形状基板であることを特
徴とする構成１’〜１０’の何れかに記載の回転塗布方
法。 （構成１２’） 前記構成１’〜７’に記載の回転塗布
方法において求めた少なくとも一の基準データに基づい
て回転塗布条件を決定することを特徴とする回転塗布条
件決定方法。 （構成１３’） 遮光機能を有する遮光機能層及び／又
は位相シフト層を少なくとも有する基板上に、前記構成
１’〜１１’に記載の回転塗布方法によって塗布膜を形
成したことを特徴とするマスクブランク。 （構成１４’） 前記構成１’〜１１’に記載の回転塗
布方法によって基板上に塗布膜を形成したことを特徴と
する基板。 上記構成１’〜１３’において、塗布膜には、レジス
ト、レジスト下地反射防止膜（ＢＡＲＣ：Bottom Anti-
Reflective Coating）、レジスト上層反射防止膜（ＴＡ
ＲＬ：Top Anti-Reflective Layer）、レジスト上層保
護膜、導電性膜、その他の塗布膜、これらの膜を任意に
組み合わせた膜等が含まれる。塗布溶液はこれらの塗布
膜を形成するための溶液である。
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、上記回転塗布方法
において、塗布溶液の濃度（粘度）を任意の濃度に固定
し、かつ、前記乾燥工程における乾燥回転数を任意の回
転数に固定し、この条件下で、前記均一化工程における
前記主回転数及び前記主回転時間をそれぞれパラメータ
としてそれぞれ段階的に変化させて得られる複数の条件
で塗布溶液を塗布した複数の試料を作製し、各試料の塗
布膜厚を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定して
得られる面内膜厚分布から求めた面内膜厚均一性を求め
ることによって、各試料の主回転数及び主回転時間の組
合せ条件と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求め、
これを基準データＡとし、所望の面内膜厚均一性を得る
ための主回転数及び主回転時間の組合せ条件Ｉを、前記
基準データＡから決定し、この主回転数及び主回転時間
の組合せ条件Ｉに従って塗布溶液の塗布を行うことを特
徴とする回転塗布方法。 （構成２’） 前記基準データＡが、縦軸、横軸を前記
主回転数、前記主回転時間とし、同じ面内膜厚均一性と
なる点を等高線で結んだ等高線図、又は、Ｘ軸、Ｙ軸、
Ｚ軸に前記主回転数、前記主回転時間、前記面内膜厚均
一性の点をプロットして描いた鳥瞰図、であることを特
徴とする構成１’に記載の回転塗布方法。 （構成３’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、構成１’又は２’
における基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、塗布
溶液の濃度（粘度）を段階的に変化させて複数求め、こ
の複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図群の中
から最も高い面内膜厚均一性が得られる塗布溶液の濃度
（粘度）条件ＩＩを決定し、この塗布溶液の濃度（粘
度）条件ＩＩに従って塗布溶液の塗布を行うことを特徴
とする回転塗布方法。 （構成４’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、構成１’又は２’
における基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、塗布
溶液の濃度（粘度）は任意の濃度に固定し、前記乾燥工
程における乾燥回転数を段階的に変化させて複数求め、
この複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図群の
中から最も高い面内膜厚均一性が得られる乾燥回転数条
件ＩＩＩを決定し、この乾燥回転数条件ＩＩＩに従って
塗布溶液の塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成５’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化工程に
おける前記主回転数及び前記主回転時間を、構成１’で
決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定した条
件下で、前記乾燥工程における乾燥回転数を段階的に変
化させて得られる複数の条件で塗布溶液を塗布した複数
の試料を作製し、各試料の塗布膜厚を、基板内の所望の
有効領域内で複数点測定して得られる面内膜厚分布から
求めた面内膜厚均一性を求めることによって、各試料の
乾燥回転数と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求
め、これを基準データＢとし、最も高い面内膜厚均一性
を得るための乾燥回転数の条件ＩＶを、前記基準データ
Ｂから決定し、この乾燥回転数の条件ＩＶに従って塗布
溶液の塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成６’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化工程に
おける前記主回転数及び前記主回転時間を、構成１’で
決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定した条
件下で、塗布溶液の濃度（粘度）を段階的に変化させて
得られる複数の条件で塗布溶液を塗布した複数の試料を
作製し、各試料の塗布膜厚を、基板内の所望の有効領域
内で複数点測定して得られる塗布膜厚の平均値を求める
ことによって、各試料の塗布溶液の濃度（粘度）と、各
試料の塗布膜厚の平均値との関係を求め、これを基準デ
ータＣとし、所望の平均塗布膜厚を得るための塗布溶液
の濃度（粘度）の条件Ｖを、前記基準データＣから決定
し、この塗布溶液の濃度（粘度）の条件Ｖに従って塗布
溶液の塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成７’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、前記均一化工程に
おける前記主回転数及び前記主回転時間を、構成１’で
決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定し、か
つ、前記乾燥工程における乾燥回転数を構成５’で決定
した乾燥回転数の条件ＩＶに固定した条件下で、塗布溶
液の濃度（粘度）を段階的に変化させて得られる複数の
条件で塗布溶液を塗布した複数の試料を作製し、各試料
の塗布膜厚を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定
して得られる塗布膜厚の平均値を求めることによって、
各試料の塗布溶液の濃度（粘度）と、各試料の塗布膜厚
の平均値との関係を求め、これを基準データＣ’とし、
所望の平均塗布膜厚を得るための塗布溶液の濃度（粘
度）の条件Ｖ’を、前記基準データＣ’から決定し、こ
の塗布溶液の濃度（粘度）の条件Ｖ’に従って塗布溶液
の塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 （構成８’） 基板上に塗布溶液を滴下し、所定の主回
転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、塗布膜厚を
主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転さ
せ、前記均一化された塗布膜を主に乾燥させる乾燥工程
と、を有する回転塗布方法であって、まず、構成１’又
は２’記載の主回転条件の決定方法によって主回転数及
び主回転時間の条件Ｉに選択固定し、次いで、構成’５
記載の乾燥回転条件の決定方法によって乾燥回転数の条
件ＩＶに選択固定し、次いで、構成７’記載の塗布溶液
の濃度（粘度）の決定方法によって塗布溶液の濃度（粘
度）の条件Ｖ’に選択固定し、これらの条件Ｉ、条件Ｉ
Ｖ及び条件Ｖ’に従って塗布溶液の塗布を行うことを特
徴とする回転塗布方法。 （構成９’） 構成４’記載の回転塗布方法において、
前記乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ
群又は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際し、実
際の塗布プロセスにおける主回転数及び／又は主回転時
間の設定値に対する変動、又は所望の平均塗布膜厚を得
るための塗布溶液の濃度（粘度）の変動に対し、面内膜
厚均一性の変動が小さく安定となる乾燥回転数の条件を
選択して、塗布溶液の塗布を行うことを特徴とする回転
塗布方法。 （構成１０’） 構成４’記載の回転塗布方法におい
て、前記乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準デ
ータ群又は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際
し、同じ濃度（粘度）の塗布溶液を用いて複数の膜厚を
塗布した場合、一定の面内膜厚均一性の範囲で複数の膜
厚を塗布可能な乾燥回転数の条件ＩＩＩを選択して複数
の膜厚の塗布膜の塗布を行うことを特徴とする回転塗布
方法。 （構成１１’） 前記基板は方形状基板であることを特
徴とする構成１’〜１０’の何れかに記載の回転塗布方
法。 （構成１２’） 前記構成１’〜７’に記載の回転塗布
方法において求めた少なくとも一の基準データに基づい
て回転塗布条件を決定することを特徴とする回転塗布条
件決定方法。 （構成１３’） 遮光機能を有する遮光機能層及び／又
は位相シフト層を少なくとも有する基板上に、前記構成
１’〜１１’に記載の回転塗布方法によって塗布膜を形
成したことを特徴とするマスクブランク。 （構成１４’） 前記構成１’〜１１’に記載の回転塗
布方法によって基板上に塗布膜を形成したことを特徴と
する基板。 上記構成１’〜１３’において、塗布膜には、レジス
ト、レジスト下地反射防止膜（ＢＡＲＣ：Bottom Anti-
Reflective Coating）、レジスト上層反射防止膜（ＴＡ
ＲＬ：Top Anti-Reflective Layer）、レジスト上層保
護膜、導電性膜、その他の塗布膜、これらの膜を任意に
組み合わせた膜等が含まれる。塗布溶液はこれらの塗布
膜を形成するための溶液である。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、上述した特定の方法で
レジスト等の塗布溶液を回転塗布する回転塗布方法に関
し、主回転条件の最適化手法、乾燥回転条件の最適化手
法、及び、レジスト等の塗布溶液の濃度（粘度）条件の
最適化手法を提供でき、並びに、これらの最適条件を試
行錯誤によらず確実（一義的）に求める手法を提供でき
る。また、レジスト種や他の塗布溶液が変化した場合
（溶媒の変化を含む）、所望の有効領域が変化した場
合、所望の膜厚が変化した場合、回転塗布装置（例え
ば、カップ形状、チャック形状等々）が変化した場合、
など回転塗布におけるあらゆる条件が変化した場合にお
いても、最適レジスト回転塗布条件を試行錯誤によらず
迅速かつ一義的に求めることができる。また、所定のレ
ジスト種や他の塗布溶液において、所望の有効領域にお
いて所望の面内膜厚均一性（特に最も高い面内膜厚均一
性）を試行錯誤によらず確実（一義的）に得ることがで
きる回転塗布条件決定方法、及び回転塗布方法、並びに
この方法によってレジスト膜等又は他の塗布膜が形成さ
れたマスクブランク又は基板を提供できる。また、所定
のレジスト種や他の塗布溶液において、所望の有効領域
における所望の（平均）膜厚と所望の面内膜厚均一性を
試行錯誤によらず確実（一義的）に得ることができる回
転塗布条件決定方法、及び回転塗布方法、並びにこの方
法によってレジスト膜等又は他の塗布膜が形成されたマ
スクブランク又は基板を提供できる。また、レジスト溶
液や他の塗布溶液の特性に応じて、最適な回転塗布条件
を試行錯誤によらず確実に得ることができる回転塗布条
件決定方法、及び回転塗布方法、並びにこの方法によっ
てレジスト膜等又は他の塗布膜が形成されたマスクブラ
ンク又は基板を提供できる。また、１つのレジスト濃度
又は他の塗布溶液の１つの濃度で、複数の所望のレジス
ト膜厚又は複数の所望の塗布膜厚が、所定の面内膜厚均
一性の範囲内で塗布できる回転塗布方法を提供できる。
レジスト等の塗布溶液を回転塗布する回転塗布方法に関
し、主回転条件の最適化手法、乾燥回転条件の最適化手
法、及び、レジスト等の塗布溶液の濃度（粘度）条件の
最適化手法を提供でき、並びに、これらの最適条件を試
行錯誤によらず確実（一義的）に求める手法を提供でき
る。また、レジスト種や他の塗布溶液が変化した場合
（溶媒の変化を含む）、所望の有効領域が変化した場
合、所望の膜厚が変化した場合、回転塗布装置（例え
ば、カップ形状、チャック形状等々）が変化した場合、
など回転塗布におけるあらゆる条件が変化した場合にお
いても、最適レジスト回転塗布条件を試行錯誤によらず
迅速かつ一義的に求めることができる。また、所定のレ
ジスト種や他の塗布溶液において、所望の有効領域にお
いて所望の面内膜厚均一性（特に最も高い面内膜厚均一
性）を試行錯誤によらず確実（一義的）に得ることがで
きる回転塗布条件決定方法、及び回転塗布方法、並びに
この方法によってレジスト膜等又は他の塗布膜が形成さ
れたマスクブランク又は基板を提供できる。また、所定
のレジスト種や他の塗布溶液において、所望の有効領域
における所望の（平均）膜厚と所望の面内膜厚均一性を
試行錯誤によらず確実（一義的）に得ることができる回
転塗布条件決定方法、及び回転塗布方法、並びにこの方
法によってレジスト膜等又は他の塗布膜が形成されたマ
スクブランク又は基板を提供できる。また、レジスト溶
液や他の塗布溶液の特性に応じて、最適な回転塗布条件
を試行錯誤によらず確実に得ることができる回転塗布条
件決定方法、及び回転塗布方法、並びにこの方法によっ
てレジスト膜等又は他の塗布膜が形成されたマスクブラ
ンク又は基板を提供できる。また、１つのレジスト濃度
又は他の塗布溶液の１つの濃度で、複数の所望のレジス
ト膜厚又は複数の所望の塗布膜厚が、所定の面内膜厚均
一性の範囲内で塗布できる回転塗布方法を提供できる。
【図１】本発明の回転塗布方法で用いる基準データの一
態様である等高線図を説明するための図であり、（ａ）
は主回転数及び主回転時間を変化させたときの面内膜厚
均一性の分布を示す等高線図、（ｂ）は主回転数及び主
回転時間を変化させたときの膜厚を示す等高線図であ
る。
態様である等高線図を説明するための図であり、（ａ）
は主回転数及び主回転時間を変化させたときの面内膜厚
均一性の分布を示す等高線図、（ｂ）は主回転数及び主
回転時間を変化させたときの膜厚を示す等高線図であ
る。
【図２】レジスト濃度を変化させたときの等高線図を示
す図であり、（ａ）は主回転数及び主回転時間を変化さ
せたときの面内膜厚均一性の分布を示す等高線図、
（ｂ）は主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜
厚を示す等高線図である。
す図であり、（ａ）は主回転数及び主回転時間を変化さ
せたときの面内膜厚均一性の分布を示す等高線図、
（ｂ）は主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜
厚を示す等高線図である。
【図３】乾燥回転数を変化させたときの等高線図を示す
図であり、（ａ）は主回転数及び主回転時間を変化させ
たときの面内膜厚均一性の分布を示す等高線図、（ｂ）
は主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜厚を示
す等高線図である。
図であり、（ａ）は主回転数及び主回転時間を変化させ
たときの面内膜厚均一性の分布を示す等高線図、（ｂ）
は主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜厚を示
す等高線図である。
【図４】乾燥回転数を変化させたときの等高線図を示す
図であり、（ａ）は主回転数及び主回転時間を変化させ
たときの面内膜厚均一性の分布を示す等高線図、（ｂ）
は主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜厚を示
す等高線図である。
図であり、（ａ）は主回転数及び主回転時間を変化させ
たときの面内膜厚均一性の分布を示す等高線図、（ｂ）
は主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜厚を示
す等高線図である。
【図５】乾燥回転数を変化させたときの等高線図を示す
図であり、（ａ）は主回転数及び主回転時間を変化させ
たときの面内膜厚均一性の分布を示す等高線図、（ｂ）
は主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜厚を示
す等高線図である。
図であり、（ａ）は主回転数及び主回転時間を変化させ
たときの面内膜厚均一性の分布を示す等高線図、（ｂ）
は主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜厚を示
す等高線図である。
【図６】乾燥回転数を変化させたときの等高線図を示す
図であり、（ａ）は主回転数及び主回転時間を変化させ
たときの面内膜厚均一性の分布を示す等高線図、（ｂ）
は主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜厚を示
す等高線図である。
図であり、（ａ）は主回転数及び主回転時間を変化させ
たときの面内膜厚均一性の分布を示す等高線図、（ｂ）
は主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜厚を示
す等高線図である。
【図７】レジスト膜厚とレジスト濃度の関係を示す図で
ある。
ある。
【図８】面内膜厚均一性と乾燥回転数の関係を示す図で
ある。
ある。
【図９】有効領域等を説明するための模式図である。
【図１０】方形状基板の場合の有効領域を説明するため
の模式図である。
の模式図である。
【図１１】実施例における回転塗布方法で用いる基準デ
ータの一態様である等高線図を説明するための図であ
り、主回転数及び主回転時間を変化させたときの面内膜
厚均一性の分布を示す等高線図である。
ータの一態様である等高線図を説明するための図であ
り、主回転数及び主回転時間を変化させたときの面内膜
厚均一性の分布を示す等高線図である。
【図１２】実施例における回転塗布方法で用いる基準デ
ータの一態様である等高線図を説明するための図であ
り、主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜厚を
示す等高線図である。
ータの一態様である等高線図を説明するための図であ
り、主回転数及び主回転時間を変化させたときの膜厚を
示す等高線図である。
【図１３】実施例における面内膜厚均一性と乾燥回転数
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図１４】実施例におけるレジスト膜厚とレジスト濃度
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図１５】回転塗布装置の基本構成を示す模式図であ
る。
る。
【図１６】従来法における主回転数と主回転時間との組
合せ範囲を示す図である。
合せ範囲を示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AB17 DA01 DA34 DA40
EA05
5F046 JA01 JA13 JA21 JA27
Claims (13)
- 【請求項１】 基板上にレジスト液を滴下し、所定の主
回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト
膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程
の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を
回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる
乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、 上記回転塗布方法において、レジスト液の濃度（粘度）
を任意の濃度に固定し、かつ、前記乾燥工程における乾
燥回転数を任意の回転数に固定し、この条件下で、前記
均一化工程における前記主回転数及び前記主回転時間を
それぞれパラメータとしてそれぞれ段階的に変化させて
得られる複数の条件でレジストを塗布した複数の試料を
作製し、 各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で
複数点測定して得られる面内膜厚分布から求めた面内膜
厚均一性を求めることによって、各試料の主回転数及び
主回転時間の組合せ条件と、各試料の面内膜厚均一性と
の関係を求め、これを基準データＡとし、 所望の面内膜厚均一性を得るための主回転数及び主回転
時間の組合せ条件Ｉを、前記基準データＡから決定し、 この主回転数及び主回転時間の組合せ条件Ｉに従ってレ
ジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 - 【請求項２】 前記基準データＡが、縦軸、横軸を前記
主回転数、前記主回転時間とし、同じ面内膜厚均一性と
なる点を等高線で結んだ等高線図、又は、Ｘ軸、Ｙ軸、
Ｚ軸に前記主回転数、前記主回転時間、前記面内膜厚均
一性の点をプロットして描いた鳥瞰図、であることを特
徴とする請求項１に記載の回転塗布方法。 - 【請求項３】 基板上にレジスト液を滴下し、所定の主
回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト
膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程
の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を
回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる
乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、 請求項１又は２における基準データＡ又は等高線図又は
鳥瞰図を、レジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化さ
せて複数求め、この複数の基準データ群又は等高線図群
又は鳥瞰図群の中から最も高い面内膜厚均一性が得られ
るレジスト液の濃度（粘度）条件ＩＩを決定し、 このレジスト液の濃度（粘度）条件ＩＩに従ってレジス
ト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 - 【請求項４】 基板上にレジスト液を滴下し、所定の主
回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト
膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程
の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を
回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる
乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、 請求項１又は２における基準データＡ又は等高線図又は
鳥瞰図を、レジスト液の濃度（粘度）は任意の濃度に固
定し、前記乾燥工程における乾燥回転数を段階的に変化
させて複数求め、この複数の基準データ群又は等高線図
群又は鳥瞰図群の中から最も高い面内膜厚均一性が得ら
れる乾燥回転数条件ＩＩＩを決定し、 この乾燥回転数条件ＩＩＩに従ってレジスト塗布を行う
ことを特徴とする回転塗布方法。 - 【請求項５】 基板上にレジスト液を滴下し、所定の主
回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト
膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程
の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を
回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる
乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、 前記均一化工程における前記主回転数及び前記主回転時
間を、請求項１で決定した主回転数及び主回転時間の条
件Ｉに固定した条件下で、前記乾燥工程における乾燥回
転数を段階的に変化させて得られる複数の条件でレジス
トを塗布した複数の試料を作製し、 各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で
複数点測定して得られる面内膜厚分布から求めた面内膜
厚均一性を求めることによって、各試料の乾燥回転数
と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求め、これを基
準データＢとし、 最も高い面内膜厚均一性を得るための乾燥回転数の条件
ＩＶを、前記基準データＢから決定し、 この乾燥回転数の条件ＩＶに従ってレジスト塗布を行う
ことを特徴とする回転塗布方法。 - 【請求項６】 基板上にレジスト液を滴下し、所定の主
回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト
膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程
の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を
回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる
乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、 前記均一化工程における前記主回転数及び前記主回転時
間を、請求項１で決定した主回転数及び主回転時間の条
件Ｉに固定した条件下で、レジスト液の濃度（粘度）を
段階的に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗
布した複数の試料を作製し、 各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で
複数点測定して得られるレジスト膜厚の平均値を求める
ことによって、各試料のレジスト液の濃度（粘度）と、
各試料のレジスト膜厚の平均値との関係を求め、これを
基準データＣとし、 所望のレジスト平均膜厚を得るためのレジスト液の濃度
（粘度）の条件Ｖを、前記基準データＣから決定し、 このレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖに従ってレジス
ト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 - 【請求項７】 基板上にレジスト液を滴下し、所定の主
回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト
膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程
の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を
回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる
乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、 前記均一化工程における前記主回転数及び前記主回転時
間を、請求項１で決定した主回転数及び主回転時間の条
件Ｉに固定し、かつ、前記乾燥工程における乾燥回転数
を請求項５で決定した乾燥回転数の条件ＩＶに固定した
条件下で、レジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化さ
せて得られる複数の条件でレジストを塗布した複数の試
料を作製し、 各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で
複数点測定して得られるレジスト膜厚の平均値を求める
ことによって、各試料のレジスト液の濃度（粘度）と、
各試料のレジスト膜厚の平均値との関係を求め、これを
基準データＣ’とし、 所望のレジスト平均膜厚を得るためのレジスト液の濃度
（粘度）の条件Ｖ’を、前記基準データＣ’から決定
し、 このレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ’に従ってレジ
スト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 - 【請求項８】 基板上にレジスト液を滴下し、所定の主
回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト
膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程
の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を
回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる
乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、 まず、請求項１又は２記載の主回転条件の決定方法によ
って主回転数及び主回転時間の条件Ｉに選択固定し、 次いで、請求項５記載の乾燥回転条件の決定方法によっ
て乾燥回転数の条件ＩＶに選択固定し、 次いで、請求項７記載のレジスト濃度（粘度）の決定方
法によってレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ’に選択
固定し、 これらの条件Ｉ、条件ＩＶ及び条件Ｖ’に従ってレジス
ト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。 - 【請求項９】 請求項４記載の回転塗布方法において、
前記乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ
群又は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際し、 実際の塗布プロセスにおける主回転数及び／又は主回転
時間の設定値に対する変動、又は所望のレジスト平均膜
厚を得るためのレジスト濃度（粘度）の変動に対し、面
内膜厚均一性の変動が小さく安定となる乾燥回転数の条
件を選択して、レジスト塗布を行うことを特徴とする回
転塗布方法。 - 【請求項１０】 請求項４記載の回転塗布方法におい
て、前記乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準デ
ータ群又は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際
し、 同じレジスト濃度（粘度）のレジストを用いて複数の膜
厚を塗布した場合、一定の面内膜厚均一性の範囲で複数
の膜厚を塗布可能な乾燥回転数の条件ＩＩＩを選択して
複数の膜厚のレジスト塗布を行うことを特徴とする回転
塗布方法。 - 【請求項１１】 前記基板は方形状基板であることを特
徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の回転塗布方
法。 - 【請求項１２】 前記請求項１〜７に記載の回転塗布方
法において求めた少なくとも一の基準データに基づいて
回転塗布条件を決定することを特徴とする回転塗布条件
決定方法。 - 【請求項１３】 遮光機能を有する遮光機能層及び／又
は位相シフト層を少なくとも有する基板上に、前記請求
項１〜１１に記載の回転塗布方法によってレジスト膜を
形成したことを特徴とするマスクブランク。
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| JP2002101840A JP4118585B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | マスクブランクの製造方法 |
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| TW (1) | TWI276154B (ja) |
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