JPH05291105A - アライメントマーク形成方法 - Google Patents
アライメントマーク形成方法Info
- Publication number
- JPH05291105A JPH05291105A JP4090724A JP9072492A JPH05291105A JP H05291105 A JPH05291105 A JP H05291105A JP 4090724 A JP4090724 A JP 4090724A JP 9072492 A JP9072492 A JP 9072492A JP H05291105 A JPH05291105 A JP H05291105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- mark
- film
- resist
- alignment mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体装置の製造における主とし
てホトリソグラフィ工程に必要なアライメントマークの
形成方法に関するもので、そのマークの上にレジストが
塗布された場合、該レジストの膜厚が厚くなるとともに
マーク部での膜厚差が生じ、反射光による位置合わせの
判定が困難となることを低減することを目的とするもの
である。 【構成】 本発明は前記目的達成のため、アライメント
マーク３３を丘状の下地（実施例ではフィールド酸化
膜）３１の上に形成した膜（実施例ではポリシリコン
膜）３２に形成するようにしたものである。このように
すると、その上のレジスト３４はスピンコートの遠心力
の作用で従来よりレジスト膜厚４１は薄くなり、かつマ
ーク３３部での膜厚差（４２−４３）は低減される。
てホトリソグラフィ工程に必要なアライメントマークの
形成方法に関するもので、そのマークの上にレジストが
塗布された場合、該レジストの膜厚が厚くなるとともに
マーク部での膜厚差が生じ、反射光による位置合わせの
判定が困難となることを低減することを目的とするもの
である。 【構成】 本発明は前記目的達成のため、アライメント
マーク３３を丘状の下地（実施例ではフィールド酸化
膜）３１の上に形成した膜（実施例ではポリシリコン
膜）３２に形成するようにしたものである。このように
すると、その上のレジスト３４はスピンコートの遠心力
の作用で従来よりレジスト膜厚４１は薄くなり、かつマ
ーク３３部での膜厚差（４２−４３）は低減される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造に
おける主として露光工程（ホトリソグラフィ工程）で必
要な、ウェハとマスクとの位置合わせ（アライメント）
のためのアライメントマークの形成方法に関するもので
ある。
おける主として露光工程（ホトリソグラフィ工程）で必
要な、ウェハとマスクとの位置合わせ（アライメント）
のためのアライメントマークの形成方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造における縮小投
影露光装置でのマスクとウェハーのアライメント（位置
合せ）は、各露光ショット毎にその前の工程においてウ
ェハーチップ内にアライメントマークを形成しておき、
そのマークに対してアライメント光を当て、その反射光
により得られるアライメント波形のコントラストにより
マークエッジ間を検出し、センター座標を決定する。
影露光装置でのマスクとウェハーのアライメント（位置
合せ）は、各露光ショット毎にその前の工程においてウ
ェハーチップ内にアライメントマークを形成しておき、
そのマークに対してアライメント光を当て、その反射光
により得られるアライメント波形のコントラストにより
マークエッジ間を検出し、センター座標を決定する。
【０００３】又、その座標により、あらかじめ縮小投影
露光装置において入力されたステップ位置に対し、ショ
ットのずれ、回転および伸縮などの誤差量を補正し、露
光を行なう。
露光装置において入力されたステップ位置に対し、ショ
ットのずれ、回転および伸縮などの誤差量を補正し、露
光を行なう。
【０００４】アライメントマークは、周知のように図２
に示す半導体基板上に形成された一般に平坦な色々の膜
（層）１０、例えばポリシリコン層、酸化膜、アルミ膜
などに、断面としては溝状（平面的な形状は十文字形や
四角など色々ある）３３で形成される。そして一般に製
造工程上その上にレジスト膜１４が形成される。
に示す半導体基板上に形成された一般に平坦な色々の膜
（層）１０、例えばポリシリコン層、酸化膜、アルミ膜
などに、断面としては溝状（平面的な形状は十文字形や
四角など色々ある）３３で形成される。そして一般に製
造工程上その上にレジスト膜１４が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術においては、ある工程において、ウェハー上の平坦
な膜にマークを形成し、次工程の露光を行なう為にレジ
ストコーティングをした際に図２に示すように、ウェハ
ー上のマーク部３３を厚く被ってしまう為に（膜厚１
１）、アライメント光でマーク３３を検出する時にレジ
スト膜１４の光の吸収により、反射光の強度が落ち、図
３（ａ）の２１に示す様にアライメント波形の検出レベ
ルが低い。又、段差上に被膜する為に図２に示すよう
に、ウェハーの回転中心（レジスト塗布は周知のよう
に、ウェハーを回転して行うスピンコートが一般的であ
る）から内側のマークエッジ上の膜厚１２と外側のマー
クエッジ上の膜厚１３では厚さが異なる為に、検出され
る反射光の強度はエッジ間で異なり、図３（ａ）の２
２，２３に示すようにアライメント波形は非対称とな
り、マーク中心位置を決定するのが困難となる。図３
（ａ）のＸ軸のａ、ｂ点は、図２のアライメントマーク
３３の溝ａ、ｂ点に相当する。
技術においては、ある工程において、ウェハー上の平坦
な膜にマークを形成し、次工程の露光を行なう為にレジ
ストコーティングをした際に図２に示すように、ウェハ
ー上のマーク部３３を厚く被ってしまう為に（膜厚１
１）、アライメント光でマーク３３を検出する時にレジ
スト膜１４の光の吸収により、反射光の強度が落ち、図
３（ａ）の２１に示す様にアライメント波形の検出レベ
ルが低い。又、段差上に被膜する為に図２に示すよう
に、ウェハーの回転中心（レジスト塗布は周知のよう
に、ウェハーを回転して行うスピンコートが一般的であ
る）から内側のマークエッジ上の膜厚１２と外側のマー
クエッジ上の膜厚１３では厚さが異なる為に、検出され
る反射光の強度はエッジ間で異なり、図３（ａ）の２
２，２３に示すようにアライメント波形は非対称とな
り、マーク中心位置を決定するのが困難となる。図３
（ａ）のＸ軸のａ、ｂ点は、図２のアライメントマーク
３３の溝ａ、ｂ点に相当する。
【０００６】本発明はレジストコーティングされたウェ
ハー上のアライメントマークに対し、アライメント光の
マークエッジ間の反射光により得られるアライメント波
形の光の強度の低下および強度差を低減させる為に、レ
ジスト膜による吸収を抑え、かつエッジ間の膜厚差によ
る吸収差を低減させることを目的とする。
ハー上のアライメントマークに対し、アライメント光の
マークエッジ間の反射光により得られるアライメント波
形の光の強度の低下および強度差を低減させる為に、レ
ジスト膜による吸収を抑え、かつエッジ間の膜厚差によ
る吸収差を低減させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的のた
め、ウェハー上のアライメントマークを段差のあるいわ
ば丘状の下地の上部に形成することにより、従来と同じ
膜厚でレジストをコーティングした場合にもマーク部に
は薄く塗布されるようにすることにより、レジスト膜に
よるアライメント光の吸収を低減させるようにしたもの
である。
め、ウェハー上のアライメントマークを段差のあるいわ
ば丘状の下地の上部に形成することにより、従来と同じ
膜厚でレジストをコーティングした場合にもマーク部に
は薄く塗布されるようにすることにより、レジスト膜に
よるアライメント光の吸収を低減させるようにしたもの
である。
【０００８】
【作用】前述した様に本発明は、ウェハー上のアライメ
ントマークを丘状の下地の上部に形成するようにしたの
で、レジストの被膜を薄く、かつマークエッジ部での膜
厚差を少なくできる。従って、レジスト膜によるアライ
メント光の吸収およびマークエッジ部のアライメント光
の吸収差を抑えることができるため、より高い光強度の
アライメント波形を得ることができる。
ントマークを丘状の下地の上部に形成するようにしたの
で、レジストの被膜を薄く、かつマークエッジ部での膜
厚差を少なくできる。従って、レジスト膜によるアライ
メント光の吸収およびマークエッジ部のアライメント光
の吸収差を抑えることができるため、より高い光強度の
アライメント波形を得ることができる。
【０００９】
【実施例】図１に本発明を適用したアライメントマーク
の形成方法の実施例を示し、以下に説明する。段差のあ
る丘状の形状の下地の例としてはフィールド酸化膜３１
であり、その上にポリシリコン３２を形成し、それにア
ライメントマーク３３を形成したものである。
の形成方法の実施例を示し、以下に説明する。段差のあ
る丘状の形状の下地の例としてはフィールド酸化膜３１
であり、その上にポリシリコン３２を形成し、それにア
ライメントマーク３３を形成したものである。
【００１０】図１（ａ）に示すように、アライメントマ
ーク３３上にレジスト３４を従来と同じ膜厚でコーティ
ングすると、図１（ｂ）に示すようにレジスト３４の膜
厚４１は従来例図２における膜厚１１より薄くなる。又
図１（ｂ）におけるマークエッジ上の膜厚４２，４３の
膜厚差（４２−４３）（光路差）は、従来例の図２にお
ける膜厚差（１２−１３）より少なくなり、図３（ｂ）
に示すように、得られるアライメント波形は光強度５１
が高くなり、マークエッジ間の光強度の差（５３−５
２）が小さくなる。
ーク３３上にレジスト３４を従来と同じ膜厚でコーティ
ングすると、図１（ｂ）に示すようにレジスト３４の膜
厚４１は従来例図２における膜厚１１より薄くなる。又
図１（ｂ）におけるマークエッジ上の膜厚４２，４３の
膜厚差（４２−４３）（光路差）は、従来例の図２にお
ける膜厚差（１２−１３）より少なくなり、図３（ｂ）
に示すように、得られるアライメント波形は光強度５１
が高くなり、マークエッジ間の光強度の差（５３−５
２）が小さくなる。
【００１１】図３（ｂ）のＸ軸のｃ、ｄ点は、図１
（ｂ）のアライメントマーク３３の溝のｃ、ｄ点を表
す。
（ｂ）のアライメントマーク３３の溝のｃ、ｄ点を表
す。
【００１２】以上のように、従来例よりレジスト３４の
膜厚が薄くなり、かつアライメントマーク部での膜厚差
が少くなるのは、丘状になっている本例ではフィールド
酸化膜３１の上にアライメントマーク３３を形成したた
めであり、周知のようにレジスト３４の塗布はスピンコ
ート法で行うので、粘度のあるレジスト３４は遠心力の
作用により、丘状の層３１の上に形成されたアライメン
トマーク３３の上では、前述した厚さになるのである。
膜厚が薄くなり、かつアライメントマーク部での膜厚差
が少くなるのは、丘状になっている本例ではフィールド
酸化膜３１の上にアライメントマーク３３を形成したた
めであり、周知のようにレジスト３４の塗布はスピンコ
ート法で行うので、粘度のあるレジスト３４は遠心力の
作用により、丘状の層３１の上に形成されたアライメン
トマーク３３の上では、前述した厚さになるのである。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、ウェハー上のアラ
イメントマークを段差のある丘状の下地の上部に形成す
るようにしたので、レジストの被膜を薄く、かつマーク
エッジ部での膜厚差を少なくでき、レジスト膜によるア
ライメント光の吸収およびマークエッジ部のアライメン
ト光の吸収差を抑えることができる。従って、より高い
光強度のアライメント波形を得ることができる。即ち、
アライメントが容易に行なえる。
イメントマークを段差のある丘状の下地の上部に形成す
るようにしたので、レジストの被膜を薄く、かつマーク
エッジ部での膜厚差を少なくでき、レジスト膜によるア
ライメント光の吸収およびマークエッジ部のアライメン
ト光の吸収差を抑えることができる。従って、より高い
光強度のアライメント波形を得ることができる。即ち、
アライメントが容易に行なえる。
【図１】本発明の実施例。
【図２】従来例。
【図３】アライメント波形説明図。
３１ フィールド酸化膜 ３２ ポリシリコン ３３ アライメントマーク ３４ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置の製造の主として露光工程に
おいて、半導体装置の基板であるウェハと露光のマスク
の位置合わせのためのアライメントマークの形成方法と
して、 半導体基板上に形成された平面層に対して、段差のある
丘状の層の上に前記アライメントマークを形成すること
を特徴とするアライメントマークの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090724A JPH05291105A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | アライメントマーク形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090724A JPH05291105A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | アライメントマーク形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291105A true JPH05291105A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14006509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4090724A Pending JPH05291105A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | アライメントマーク形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291105A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990055183A (ko) * | 1997-12-27 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 얼라인 키 형성 방법 |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP4090724A patent/JPH05291105A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990055183A (ko) * | 1997-12-27 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 얼라인 키 형성 방법 |
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