KR101009543B1 - 스핀-코팅 방법, 스핀-코팅 조건 결정 방법, 및 마스크블랭크 - Google Patents
스핀-코팅 방법, 스핀-코팅 조건 결정 방법, 및 마스크블랭크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101009543B1 KR101009543B1 KR1020030021004A KR20030021004A KR101009543B1 KR 101009543 B1 KR101009543 B1 KR 101009543B1 KR 1020030021004 A KR1020030021004 A KR 1020030021004A KR 20030021004 A KR20030021004 A KR 20030021004A KR 101009543 B1 KR101009543 B1 KR 101009543B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film thickness
- resist
- effective area
- substrate
- condition
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
Claims (32)
- 기판상에 배치된 레지스트 막을 갖는 마스크 블랭크 제조 방법으로서,레지스트 용액을 기판상에 분배하고, 소정의 주 회전 시간동안 소정의 주 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜, 레지스트 필름 두께를 주로 균일화하는 균일화 단계; 및상기 균일화 단계 이후에 소정의 건조 회전 시간동안 소정의 건조 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜 상기 균일한 레지스트 필름을 건조시키는 건조 단계를 포함하고,레지스트 용액의 농도(점성도)가 고정되고 상기 건조 단계동안 건조 회전 속도가 고정된 조건하에서, 상기 균일화 단계 동안 주 회전 속도 및 주 회전 시간을 파라미터로 하여, 상기 파라미터가 독립적으로 단계적으로 변화하는 다수의 조건하에서 레지스트 용액으로 코팅되어 다수의 샘플이 준비되며,상기 각 샘플의 레지스트 필름 두께는 상기 기판의 원하는 유효 영역(임계 영역) 내의 다수의 점에서 측정되며, 유효 영역내 필름 두께 균일성은 유효 영역내 필름 두께 분포 결과로부터 결정되고, 이에 의해서 각 샘플의 유효 영역내 필름 두께 균일성은 각 샘플의 주 회전 속도 및 주 회전 시간의 조합 조건에 따라 결정되며, 상기 조합 조건 및 유효 영역내 필름 두께 균일성 사이의 대응 관계는 기준 데이터(A)로 선정되고,원하는 유효 영역내 필름 두께 균일성을 얻기 위한 주 회전 속도 및 주 회전 시간에 대한 조합 조건(I)은 기준 데이터(A)를 기초로 하여 결정되며,상기 균일화 단계동안 주 회전 속도 및 주 회전 시간이 상기 결정된 조건(I)에 고정되는 조건하에서, 그리고 상기 레지스트 용액의 농도(점성도)가 단계적 변화하는 다수의 조건하에서 레지스트로 코팅되어 다수의 샘플이 준비되며,상기 각 샘플의 레지스트 필름 두께는 기판의 원하는 유효 영역내의 다수의 점에서 측정되고, 상기 레지스트 필름 두께 측정 결과의 평균값이 결정되며, 이에 의해서 각 샘플의 레지스트 필름 두께 평균값은 상기 각 샘플의 레지스트 용액의 농도(점성도)에 따라 결정되며, 상기 레지스트 용액의 농도(점성도) 및 레지스트 필름 두께 평균값 사이의 대응 관계가 기준 데이터(C)로 선정되며,상기 기준 데이터(C)를 기초로 하여 원하는 평균 레지스트 필름 두께를 얻기 위한 레지스트 용액의 농도(점성도) 조건(V)이 결정되고, 그리고상기 레지스트 용액의 농도(점성도) 조건(V)에 따라서 레지스트 코팅이 수행되고,상기 기판의 유효 영역 내의 필름 두께의 균일성이 40Å 이하로 되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 기준 데이터(A)는 종축이 주 회전 속도를 지시하고 횡축이 주 회전 시간을 지시하며 동일한 유효 영역내 필름 두께 균일성에 대응하는 점들이 등고선으로 연결된 등고선도이거나 또는 X축, Y축, Z축이 각각 주 회전 속도, 주 회전 시간, 유효 영역내 필름 두께 균일성을 각각 지시하는 점 플로팅(point-plotting)으로 나타내는 조감도인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크 제조 방법.
- 기판상에 배치된 레지스트 막을 갖는 마스크 블랭크 제조 방법으로서,레지스트 용액을 기판상에 분배하고, 소정의 주 회전 시간동안 소정의 주 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜, 레지스트 필름 두께를 주로 균일화하는 균일화 단계; 및상기 균일화 단계 이후에 소정의 건조 회전 시간동안 소정의 건조 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜 상기 균일한 레지스트 필름을 주로 건조시키는 건조 단계를 포함하고,레지스트 용액의 농도(점성도)가 고정되고 상기 건조 단계동안 건조 회전 속도가 고정된 조건하에서, 상기 균일화 단계 동안 주 회전 속도 및 주 회전 시간을 파라미터로 하여, 상기 파라미터가 독립적으로 단계적으로 변화하는 다수의 조건하에서 레지스트 용액으로 코팅되어 다수의 샘플이 준비되며,상기 각 샘플의 레지스트 필름 두께는 상기 기판의 원하는 유효 영역(임계 영역) 내의 다수의 점에서 측정되며, 유효 영역내 필름 두께 균일성은 유효 영역내 필름 두께 분포 결과로부터 결정되고, 이에 의해서 각 샘플의 유효 영역내 필름 두께 균일성은 각 샘플의 주 회전 속도 및 주 회전 시간의 조합 조건에 따라 결정되며, 상기 조합 조건 및 유효 영역내 필름 두께 균일성 사이의 대응 관계는 기준 데이터(A)로 선정되고,다수의 기준 데이터(A)는 레지스트 용액의 농도(점성도)의 단계적 변화에 기초하여 결정되며, 최대의 유효 영역내 필름 두께 균일성을 얻기 위한 레지스트 용액의 농도(점성도) 조건(II)은 다수의 기준 데이터(A)로 구성되는 그룹 사이에서 결정되며, 그리고상기 레지스트 용액의 농도(점성도) 조건(II)에 따라서 레지스트 코팅이 수행되고,상기 기판의 유효 영역 내의 필름 두께의 균일성이 40Å 이하로 되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크 제조 방법.
- 기판상에 배치된 레지스트 막을 갖는 마스크 블랭크 제조 방법으로서,레지스트 용액을 기판상에 분배하고, 소정의 주 회전 시간동안 소정의 주 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜, 레지스트 필름 두께를 주로 균일화하는 균일화 단계; 및상기 균일화 단계 이후에 소정의 건조 회전 시간동안 소정의 건조 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜 상기 균일한 레지스트 필름을 주로 건조시키는 건조 단계를 포함하고,레지스트 용액의 농도(점성도)가 고정되고 상기 건조 단계동안 건조 회전 속도가 고정된 조건하에서, 상기 균일화 단계 동안 주 회전 속도 및 주 회전 시간을 파라미터로 하여, 상기 파라미터가 독립적으로 단계적으로 변화하는 다수의 조건하에서 레지스트 용액으로 코팅되어 다수의 샘플이 준비되며,상기 각 샘플의 레지스트 필름 두께는 상기 기판의 원하는 유효 영역(임계 영역) 내의 다수의 점에서 측정되며, 유효 영역내 필름 두께 균일성은 유효 영역내 필름 두께 분포 결과로부터 결정되고, 이에 의해서 각 샘플의 유효 영역내 필름 두께 균일성은 각 샘플의 주 회전 속도 및 주 회전 시간의 조합 조건에 따라 결정되며, 상기 조합 조건 및 유효 영역내 필름 두께 균일성 사이의 대응 관계는 기준 데이터(A)로 선정되고,상기 기준 데이터(A)는 종축이 주 회전 속도를 지시하고 횡축이 주 회전 시간을 지시하며 동일한 유효 영역내 필름 두께 균일성에 대응하는 점들이 등고선으로 연결된 등고선도이거나 또는 X축, Y축, Z축이 각각 주 회전 속도, 주 회전 시간, 유효 영역내 필름 두께 균일성을 각각 지시하는 점 플로팅(point-plotting)으로 나타내는 조감도이고,다수의 등고선도 또는 조감도는 레지스트 용액의 농도(점성도)의 단계적 변화에 기초하여 결정되며, 최대의 유효 영역내 필름 두께 균일성을 얻기 위한 레지스트 용액의 농도(점성도) 조건(II)은 다수의 등고선도로 구성되는 그룹 또는 다수의 조감도로 구성되는 그룹 사이에서 결정되며, 그리고상기 레지스트 용액의 농도(점성도) 조건(II)에 따라서 레지스트 코팅이 수행되고,상기 기판의 유효 영역 내의 필름 두께의 균일성이 40Å 이하로 되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 기판상에 배치된 레지스트 막을 갖는 마스크 블랭크 제조 방법으로서,레지스트 용액을 기판상에 분배하고, 소정의 주 회전 시간동안 소정의 주 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜, 레지스트 필름 두께를 주로 균일화하는 균일화 단계; 및상기 균일화 단계 이후에 소정의 건조 회전 시간동안 소정의 건조 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜 상기 균일한 레지스트 필름을 주로 건조시키는 건조 단계를 포함하고,레지스트 용액의 농도(점성도)가 고정되고 상기 건조 단계동안 건조 회전 속도가 고정된 조건하에서, 상기 균일화 단계 동안 주 회전 속도 및 주 회전 시간을 파라미터로 하여, 상기 파라미터가 독립적으로 단계적으로 변화하는 다수의 조건하에서 레지스트 용액으로 코팅되어 다수의 샘플이 준비되며,상기 각 샘플의 레지스트 필름 두께는 상기 기판의 원하는 유효 영역(임계 영역) 내의 다수의 점에서 측정되며, 유효 영역내 필름 두께 균일성은 유효 영역내 필름 두께 분포 결과로부터 결정되고, 이에 의해서 각 샘플의 유효 영역내 필름 두께 균일성은 각 샘플의 주 회전 속도 및 주 회전 시간의 조합 조건에 따라 결정되며, 상기 조합 조건 및 유효 영역내 필름 두께 균일성 사이의 대응 관계는 기준 데이터(A)로 선정되고,원하는 유효 영역내 필름 두께 균일성을 얻기 위한 주 회전 속도 및 주 회전 시간에 대한 조합 조건(I)은 기준 데이터(A)를 기초로 하여 결정되며,상기 균일화 단계동안 주 회전 속도 및 주 회전 시간이 상기 주 회전 속도 및 주 회전 시간의 조건(I)에 고정되며,상기 건조 단계 동안 건조 회전 속도가 단계적으로 변화하는 다수의 조건하에서 레지스트로 코팅되어 다수의 샘플이 준비되고,상기 각 샘플의 레지스트 필름 두께는 기판의 원하는 유효 영역내의 다수의 점에서 측정되며, 상기 유효 영역내 필름 두께 균일성은 유효 영역내 필름 두께 분포 결과로부터 결정되고, 이에 의해서 각 샘플의 유효 영역내 필름 두께 균일성은 각 샘플의 건조 회전 속도에 따라 결정되며, 상기 건조 회전 속도 및 유효 영역내 필름 두께 균일성 사이의 대응 관계가 기준 데이터(B)로 선정되며,상기 기준 데이터(B)를 기초로 하여 최대의 유효 영역내 필름 두께 균일성을 얻기 위한 건조 회전 속도 조건(IV)이 결정되고,상기 결정된 건조 회전 속도 조건(IV)에 고정되는 조건하에서, 그리고 상기 레지스트 용액의 농도(점성도)가 단계적 변화하는 다수의 조건하에서, 레지스트로 코팅되어 다수의 샘플이 준비되며,상기 각 샘플의 레지스트 필름 두께는 기판의 원하는 유효 영역내의 다수의 점에서 측정되며, 상기 레지스트 필름 두께 측정 결과의 평균값이 결정되며, 이에 의해서 각 샘플의 레지스트 필름 두께 평균값은 상기 각 샘플의 레지스트 용액의 농도(점성도)에 따라 결정되며, 상기 레지스트 용액의 농도(점성도) 및 레지스트 필름 두께 평균값 사이의 대응 관계가 기준 데이터(C')로 선정되며,상기 기준 데이터(C')를 기초로 하여 원하는 평균 레지스트 필름 두께를 얻기 위한 레지스트 용액의 농도(점성도) 조건(V')이 결정되고, 그리고상기 레지스트 용액의 농도(점성도) 조건(V')에 따라서 레지스트 코팅이 수행되고,상기 기판의 유효 영역 내의 필름 두께의 균일성이 40Å 이하로 되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크 제조 방법.
- 기판상에 배치된 레지스트 막을 갖는 마스크 블랭크 제조 방법으로서,레지스트 용액을 기판상에 분배하고, 소정의 주 회전 시간동안 소정의 주 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜, 레지스트 필름 두께를 주로 균일화하는 균일화 단계; 및상기 균일화 단계 이후에 소정의 건조 회전 시간동안 소정의 건조 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜 상기 균일한 레지스트 필름을 주로 건조시키는 건조 단계를 포함하고,상기 주 회전 속도 및 주 회전 시간은 제1항에 따른 주 회전 조건 결정 방법에 의해 선택된 조건(I)에 고정되며,상기 건조 단계 동안 건조 회전 속도가 단계적으로 변화하는 다수의 조건하에서 레지스트로 코팅되어 다수의 샘플이 준비되고,상기 각 샘플의 레지스트 필름 두께는 기판의 원하는 유효 영역내의 다수의 점에서 측정되며, 상기 유효 영역내 필름 두께 균일성은 유효 영역내 필름 두께 분포 결과로부터 결정되고, 이에 의해서 각 샘플의 유효 영역내 필름 두께 균일성은 각 샘플의 건조 회전 속도에 따라 결정되며, 상기 건조 회전 속도 및 유효 영역내 필름 두께 균일성 사이의 대응 관계가 기준 데이터(B)로 선정되며,상기 기준 데이터(B)를 기초로 하여 최대의 유효 영역내 필름 두께 균일성을 얻기 위한 건조 회전 속도 조건(IV)이 결정되고,상기 건조 회전 속도는 상기 건조 회전 속도 조건(IV)에 고정되며,상기 레지스트 용액의 농도(점성도)는 제9항에 따른 레지스트 농도(점성도) 결정 방법에 의해 선택된 조건(V')에 고정되며, 그리고상기 조건(I), 조건(IV), 및 조건(V')에 따라서 레지스트 코팅이 수행되고,상기 기판의 유효 영역 내의 필름 두께의 균일성이 40Å 이하로 되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크 제조 방법.
- 기판상에 배치된 레지스트 막을 갖는 마스크 블랭크 제조 방법으로서,레지스트 용액을 기판상에 분배하고, 소정의 주 회전 시간동안 소정의 주 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜, 레지스트 필름 두께를 주로 균일화하는 균일화 단계; 및상기 균일화 단계 이후에 소정의 건조 회전 시간동안 소정의 건조 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜 상기 균일한 레지스트 필름을 주로 건조시키는 건조 단계를 포함하고,상기 주 회전 속도 및 주 회전 시간은 제2항에 따른 주 회전 조건 결정 방법에 의해 선택된 조건(I)에 고정되며,상기 건조 단계 동안 건조 회전 속도가 단계적으로 변화하는 다수의 조건하에서 레지스트로 코팅되어 다수의 샘플이 준비되며,상기 각 샘플의 레지스트 필름 두께는 기판의 원하는 유효 영역내의 다수의 점에서 측정되며, 상기 유효 영역내 필름 두께 균일성은 유효 영역내 필름 두께 분포 결과로부터 결정되고, 이에 의해서 각 샘플의 유효 영역내 필름 두께 균일성은 각 샘플의 건조 회전 속도에 따라 결정되며, 상기 건조 회전 속도 및 유효 영역내 필름 두께 균일성 사이의 대응 관계가 기준 데이터(B)로 선정되고,상기 기준 데이터(B)를 기초로 하여 최대의 유효 영역내 필름 두께 균일성을 얻기 위한 건조 회전 속도 조건(IV)이 결정되며,상기 건조 회전 속도는 상기 건조 회전 속도 조건(IV)에 고정되고,상기 레지스트 용액의 농도(점성도)는 제9항에 따른 레지스트 농도(점성도) 결정 방법에 의해 선택된 조건(V')에 고정되며, 그리고상기 조건(I), 조건(IV), 및 조건(V')에 따라서 레지스트 코팅이 수행되고,상기 기판의 유효 영역 내의 필름 두께의 균일성이 40Å 이하로 되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항, 제2항, 제3항, 제4항 또는 제9항 중 어느 한 항에 따른 마스크 블랭크 제조 방법에서 결정된 적어도 하나의 기준 데이터에 기초하여 상기 마스크 블랭크 조건을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크 조건 결정 방법.
- 기판상에 레지스트 필름을 포함하는 마스크 블랭크로서,상기 기판은 광 차단 기능 층 및 광 차단 기능 중 적어도 하나를 갖는 위상 시프트 층을 포함하며, 상기 레지스트 필름은 제1항, 제3항, 제4항 또는 제9항 중 어느 한 항에 따른 스핀-코팅 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 기판상에 레지스트 필름을 포함하는 마스크 블랭크로서,상기 기판은 광 차단 기능 층 및 광 차단 기능 중 적어도 하나를 갖는 위상 시프트 층을 포함하며, 상기 레지스트 필름은 제10항에 따른 스핀-코팅 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
- 기판상에 레지스트 필름을 포함하는 마스크 블랭크로서,상기 기판은 광 차단 기능 층 및 광 차단 기능 중 적어도 하나를 갖는 위상 시프트 층을 포함하며, 상기 레지스트 필름은 제11항에 따른 스핀-코팅 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
- 기판상에 적어도 하나의 레지스트 필름이 배치된 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,상기 기판에 레지스트 용액을 분배하고, 소정의 주 회전 시간 동안 소정의 주 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜, 레지스트 필름 두께를 주로 균일화하는 균일화 처리와,소정의 건조 회전 시간 동안 소정의 건조 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜, 상기 균일한 레지스트 필름을 주로 건조시키는 건조 처리를 포함하는 스핀 코팅에 의해 레지스트 필름을 형성하는 단계를 구비하며,농도를 가지는 레지스트 용액이 선택되고 건조 회전 속도가 선택되며,상기 선택된 레지스트 용액과 상기 선택된 건조 회전 속도의 조건 하에서 상기 기판 표면에 형성된 레지스트 필름의 필름 두께 균일성을 나타내는 필름 두께 분포와 다수의 주 회전 시간과 다수의 주 회전 속도의 조합으로 구성된 균일화 처리 조건 사이의 제1 대응 관계가 미리 파악되고,상기 균일화 처리 조건은 미리 파악된 상기 제1 대응 관계를 기초로 하여 결정되며, 상기 균일화 처리 조건은 상기 기판 표면에 원하는 균일한 필름 두께를 가지는 상기 레지스트 필름을 형성하는데 적합한 주 회전 시간과 주 회전 속도의 조합으로 구성되며,상기 제1 대응 관계에 기초하여 결정된 균일화 처리 조건하에서 상기 형성된 레지스트 필름의 평균 필름 두께와 상기 레지스트 용액의 농도 사이의 제2 대응 관계가 파악되고,상기 레지스트 용액의 농도는 상기 미리 파악된 제2 대응 관계에 기초하여 결정되며, 상기 농도는 원하는 평균 필름 두께를 가지는 상기 레지스트 필름을 형성하는데 적합하며,상기 균일화 처리는 상기 제1 대응 관계에 기초하여 결정된 균일화 처리 조건하에서 상기 제2 대응 관계에 기초하여 결정된 농도를 가지는 상기 레지스트 용액을 사용하여 수행되고,상기 기판의 유효 영역 내의 필름 두께의 균일성이 40Å 이하로 되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 기판상에 적어도 하나의 레지스트 필름이 배치된 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,상기 기판에 레지스트 용액을 분배하고, 소정의 주 회전 시간 동안 소정의 주 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜, 레지스트 필름 두께를 주로 균일화하는 균일화 처리와,소정의 건조 회전 시간 동안 소정의 건조 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜, 상기 균일한 레지스트 필름을 주로 건조시키는 건조 처리를 포함하는 스핀 코팅에 의해 레지스트 필름을 형성하는 단계를 구비하며,점성도(viscosity)를 가지는 레지스트 용액이 선택되고 건조 회전 속도가 선택되며,상기 선택된 레지스트 용액과 상기 선택된 건조 회전 속도의 조건 하에서 상기 기판 표면에 형성된 레지스트 필름의 필름 두께 균일성을 나타내는 필름 두께 분포와 다수의 주 회전 시간과 다수의 주 회전 속도의 조합으로 구성된 균일화 처리 조건 사이의 제1 대응 관계가 미리 파악되고,상기 균일화 처리 조건은 미리 파악된 상기 제1 대응 관계를 기초로 하여 결정되며, 상기 균일화 처리 조건은 상기 기판 표면에 원하는 균일한 필름 두께를 가지는 상기 레지스트 필름을 형성하는데 적합한 주 회전 시간과 주 회전 속도의 조합으로 구성되며,상기 제1 대응 관계에 기초하여 결정된 균일화 처리 조건하에서 상기 형성된 레지스트 필름의 평균 필름 두께와 상기 레지스트 용액의 점성도 사이의 제2 대응 관계가 파악되고,상기 레지스트 용액의 점성도는 상기 미리 파악된 제2 대응 관계에 기초하여 결정되며, 상기 점성도는 원하는 평균 필름 두께를 가지는 상기 레지스트 필름을 형성하는데 적합하며,상기 균일화 처리는 상기 제1 대응 관계에 기초하여 결정된 균일화 처리 조건하에서 상기 제2 대응 관계에 기초하여 결정된 점성도를 가지는 상기 레지스트 용액을 사용하여 수행되고,상기 기판의 유효 영역 내의 필름 두께의 균일성이 40Å 이하로 되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크 제조방법.
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002101840A JP4118585B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | マスクブランクの製造方法 |
JPJP-P-2002-00101840 | 2002-04-03 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090069976A Division KR101045171B1 (ko) | 2002-04-03 | 2009-07-30 | 스핀-코팅 방법, 스핀-코팅 조건 결정 방법, 및 마스크 블랭크 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040002484A KR20040002484A (ko) | 2004-01-07 |
KR101009543B1 true KR101009543B1 (ko) | 2011-01-18 |
Family
ID=29388788
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030021004A KR101009543B1 (ko) | 2002-04-03 | 2003-04-03 | 스핀-코팅 방법, 스핀-코팅 조건 결정 방법, 및 마스크블랭크 |
KR1020090069976A KR101045171B1 (ko) | 2002-04-03 | 2009-07-30 | 스핀-코팅 방법, 스핀-코팅 조건 결정 방법, 및 마스크 블랭크 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090069976A KR101045171B1 (ko) | 2002-04-03 | 2009-07-30 | 스핀-코팅 방법, 스핀-코팅 조건 결정 방법, 및 마스크 블랭크 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7195845B2 (ko) |
JP (1) | JP4118585B2 (ko) |
KR (2) | KR101009543B1 (ko) |
TW (1) | TWI276154B (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4118585B2 (ja) * | 2002-04-03 | 2008-07-16 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法 |
KR20050031425A (ko) * | 2003-09-29 | 2005-04-06 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 그 제조방법 |
KR101032526B1 (ko) * | 2004-03-09 | 2011-05-04 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 정보 취득방법 및 시스템, 마스크 블랭크 정보 제공방법, 전사 마스크 제작지원 및 제조방법, 그리고 마스크 블랭크 제조 및 제공방법 |
JP4440688B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-03-24 | Hoya株式会社 | レーザ描画装置、レーザ描画方法及びフォトマスクの製造方法 |
KR100587715B1 (ko) * | 2004-06-07 | 2006-06-09 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크의 레지스트 코팅방법 |
KR100586453B1 (ko) * | 2004-07-26 | 2006-06-08 | 주식회사 수성케미칼 | 연속식 회전 코팅을 이용한 광학 필터의 제조방법 |
KR20070033801A (ko) * | 2005-09-22 | 2007-03-27 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
US20080020324A1 (en) * | 2006-07-19 | 2008-01-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography defect reduction with top coater removal |
EP2274819B1 (de) * | 2008-04-30 | 2017-04-05 | Levitronix GmbH | Rotationsmaschine, verfahren zur bestimmung einer verkippung eines rotors einer rotationsmaschine, sowie bearbeitungsanlage |
US8053256B2 (en) * | 2008-12-31 | 2011-11-08 | Texas Instruments Incorporated | Variable thickness single mask etch process |
JP5373498B2 (ja) * | 2009-07-27 | 2013-12-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の処理装置及び処理方法 |
US9104107B1 (en) | 2013-04-03 | 2015-08-11 | Western Digital (Fremont), Llc | DUV photoresist process |
US10558126B2 (en) * | 2014-02-24 | 2020-02-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
KR101702101B1 (ko) * | 2014-11-27 | 2017-02-13 | 숭실대학교산학협력단 | 스핀 코팅 기법을 이용한 3d 프린팅 시스템 및 방법 |
US10292862B1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-05-21 | Richard Mackool | Ophthalmic surgical instruments and methods of use thereof |
CN110867529A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-03-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 真空冷却干燥设备以及显示功能层干燥方法 |
JP7445203B2 (ja) | 2020-03-02 | 2024-03-07 | 大日本印刷株式会社 | 潜像を有する反射体 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07281414A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクとその製造方法 |
KR20010092282A (ko) * | 2000-03-14 | 2001-10-24 | 히가시 데쓰로 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
JP2002064049A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60123031A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Hoya Corp | レジスト塗布方法 |
US4988464A (en) * | 1989-06-01 | 1991-01-29 | Union Carbide Corporation | Method for producing powder by gas atomization |
JPH0429215A (ja) | 1990-05-25 | 1992-01-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 色識別機能付きコンタクトレンズおよびその製造方法 |
JPH118177A (ja) | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト供給装置およびレジスト塗布方法 |
US6162565A (en) * | 1998-10-23 | 2000-12-19 | International Business Machines Corporation | Dilute acid rinse after develop for chrome etch |
US6635393B2 (en) * | 2001-03-23 | 2003-10-21 | Numerical Technologies, Inc. | Blank for alternating PSM photomask with charge dissipation layer |
JP4118585B2 (ja) * | 2002-04-03 | 2008-07-16 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法 |
US6855463B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-02-15 | Photronics, Inc. | Photomask having an intermediate inspection film layer |
-
2002
- 2002-04-03 JP JP2002101840A patent/JP4118585B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-03 TW TW092107614A patent/TWI276154B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-03 KR KR1020030021004A patent/KR101009543B1/ko active IP Right Grant
- 2003-04-03 US US10/405,505 patent/US7195845B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-02-20 US US11/676,692 patent/US8293326B2/en active Active
-
2009
- 2009-07-30 KR KR1020090069976A patent/KR101045171B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07281414A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクとその製造方法 |
KR20010092282A (ko) * | 2000-03-14 | 2001-10-24 | 히가시 데쓰로 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
JP2002064049A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置及びその方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040002484A (ko) | 2004-01-07 |
TW200400543A (en) | 2004-01-01 |
US20070148344A1 (en) | 2007-06-28 |
JP2003297730A (ja) | 2003-10-17 |
KR20090101135A (ko) | 2009-09-24 |
TWI276154B (en) | 2007-03-11 |
KR101045171B1 (ko) | 2011-06-30 |
US20040009295A1 (en) | 2004-01-15 |
US8293326B2 (en) | 2012-10-23 |
JP4118585B2 (ja) | 2008-07-16 |
US7195845B2 (en) | 2007-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101045171B1 (ko) | 스핀-코팅 방법, 스핀-코팅 조건 결정 방법, 및 마스크 블랭크 | |
US7119908B2 (en) | Method and apparatus for measuring thickness of thin film and device manufacturing method using same | |
JP2002523763A (ja) | 半導体基板上の膜厚、特にフォトレジストの膜厚測定方法および装置 | |
JP2002373843A (ja) | 塗布装置及び塗布膜厚制御方法 | |
KR20080034004A (ko) | 마스크 블랭크의 제조 방법 및 노광용 마스크의 제조 방법 | |
JP2003297730A5 (ko) | ||
US6733936B1 (en) | Method for generating a swing curve and photoresist feature formed using swing curve | |
CN112553589B (zh) | 一种高稳定性薄膜监控方法及镀膜装置 | |
KR20030088568A (ko) | 박막 두께 측정 방법 | |
JP4901076B2 (ja) | 測定の信頼度を向上させられる測定用パターンを備える半導体装置及び測定用パターンを利用した半導体装置の測定方法 | |
US6252670B1 (en) | Method for accurately calibrating a constant-angle reflection-interference spectrometer (CARIS) for measuring photoresist thickness | |
CN115790412A (zh) | 一种膜厚测试和均匀性调节方法 | |
US20220341728A1 (en) | Method for measuring film thickness distribution of wafer with thin films | |
JPS59178729A (ja) | フォトレジストプロセスにおける露光方法 | |
JPH05102031A (ja) | 感光性被膜の感度測定法及び耐蝕性被膜の形成法 | |
US4026743A (en) | Method of preparing transparent artworks | |
JP2890588B2 (ja) | 膜厚の測定方法 | |
JPH05234869A (ja) | 塗布装置 | |
US20190030550A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JPS6191655A (ja) | ホトレジストの塗布方法 | |
JPH0236523A (ja) | ウエハアライメントマーク及びその形成方法 | |
CN1076828C (zh) | 检测涂敷在晶片上的光刻胶膜微观厚度差所致缺陷的方法 | |
CN110592537B (zh) | 一种光栅膜层的制备方法 | |
TW201819880A (zh) | 用於光學系統偏光層之校正之裝置及方法 | |
US6080595A (en) | Method for estimating the thickness of layer coated on wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
AMND | Amendment | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20090630 Effective date: 20101102 |
|
S901 | Examination by remand of revocation | ||
GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131218 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141230 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151217 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161219 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171219 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191219 Year of fee payment: 10 |