JPH04262552A - 処理装置、レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造装置
等において使用される処理装置に係わり、特に、複数の
処理工程を経て処理する装置に適用して好適な処理装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、処理装置として、半導体素子の製
造工程において使用されるレジスト塗布・現像装置が知
られている。また、この装置に組み込まれている処理ラ
インには、スピンコート方式のレジスト塗布装置が使用
されている。これは、フォトレジスト液を半導体ウエハ
の中央部に滴下した後、この半導体ウエハを所定の回転
数で回転させ、このとき生じる遠心力によって半導体ウ
エハの全表面にレジスト薄膜を均一に形成する装置であ
る。

【０００３】従来のレジスト塗布装置は、例えば図６に
示すように構成されている。

【０００４】図において、スピンチャック９２は、真空
チャック部９２ａと、この真空チャック部９２ａを支え
る支持軸９２ｂとによって構成されており、半導体ウエ
ハ９０を真空吸着により固着することができる。また、
この支持軸９２ｂは、回転軸受９４を介して接続された
モータ５４により、回転することができる。さらに、真
空チャック部９２ａの上方には、半導体ウエハ９０の表
面にフォトレジスト液を滴下するためのレジスト液供給
ノズル６２が配設されている。

【０００５】このようなレジスト塗布装置において、半
導体ウエハ９０がスピンチャック９２に固定されると、
レジスト液供給ノズル６２よりフォトレジスト液が滴下
し、続いてモータ５４が回転を開始する。このとき、モ
ータ５４の回転によって、スピンチャック９２と共に半
導体ウエハ９０も回転するので、この半導体ウエハ９０
の表面に滴下されたフォトレジスト液は、回転による遠
心力で均一に広がり、レジスト薄膜が形成されるのであ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】昨今の半導体素子の高
集積度化に伴なって、半導体ウエハに形成される回路パ
ターンには高精度化が要求されているため、半導体素子
の製造工程における歩留まりを向上させるためには、上
述のごときレジスト塗布装置を用いてレジスト薄膜を形
成する際に、形成されるレジスト薄膜の膜厚を所望の膜
厚に正確に一致させ且つ均一にする必要がある。また、
均一な所望の膜厚を得るためには、半導体ウエハ９０の
温度を、正確に制御する必要がある。したがって、上述
のごとき従来のレジスト塗布装置では、半導体ウエハ９
０の温度をあらかじめ所定の温度に設定した後、搬送機
構によってスピンチャック９２に載置して、上述のよう
にしてレジスト液の塗布を行なっていた。

【０００７】しかしながら、上述のごとき従来のレジス
ト塗布装置では、冷却装置（図示せず）により半導体ウ
エハ９０の温度に設定してから搬送機構によってスピン
チャック９２に載置するまでの間に、周囲の条件により
、ウエハ９０の温度が所定の雰囲気温度である２３℃よ
りも高い温度に上昇してしまい、このため、形成される
レジスト薄膜の膜厚の均一性が悪化してしまうという課
題を有していた。

【０００８】かかる課題について、本発明者が検討した
結果、かかる温度上昇の、レジスト膜の膜厚に対する影
響は、ウエハ９０の周縁に近付くほど大きくなることが
解った。すなわち、ウエハ９０に形成されるレジスト膜
の中央部付近の膜厚については、搬送時にウエハ９０の
温度が多少上昇しても、滴下させるレジスト液の温度を
正確に制御すれば、高精度に制御することが可能である
。これに対して、ウエハ９０の周辺部のレジスト薄膜の
膜厚は、温度の影響を受けやすく、ウエハ９０の温度が
設定温度よりも少しでも高くなると、設定値よりも厚く
なってしまう。これは、本発明者の検討によれば、ウエ
ハ９０の温度が設定温度よりも高い場合、その分だけレ
ジスト液の溶媒の乾燥が速くなるので、レジスト液の粘
性が大きくなってしまい、これにより、レジスト液が広
がりにくくなるためであると考えられる。また、このよ
うな傾向が周辺部で著しく強い理由は、周辺部ほど周速
度が速く、レジスト中の溶媒が逃げ易く乾燥が速いから
であると考えられる。また、通常は回転塗布時にカップ
の底面から排気を行うので、ウエハの周辺部のほうが中
心部より排気速度が大きく、乾燥が速くなると考えられ
るからである。

【０００９】本発明は、このような従来技術の課題に鑑
みて試されたものであり、被処理体の全面について均一
な処理を行なうことができる処理装置を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の処理装置は、被
処理体に所望の処理を施す処理装置において、前記被処
理体の少なくとも周辺部の温度を制御する温度制御手段
を具備してなることを特徴とする。

【００１１】

【作用】処理装置内で、処理前に被処理体の外周部付近
の温度を温度制御手段により設定し、その後、保持部材
を駆動手段で回転させてこの被処理体に対する処理を行
なう。

【００１２】これにより、処理時の被処理体の周辺部付
近の温度を、設定値と正確に一致させることが可能とな
る。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の一実施例として、本発明に係
わる処理装置をスピンコート方式のレジスト塗布装置に
適用した場合について説明する。

【００１４】まず、本実施例に係わるレジスト膜形成装
置の全体概要について、図１を用いて説明する。

【００１５】図に示したように、本実施例に係わるレジ
スト膜形成装置の本体１０は、処理装置ユニット１２と
搬入搬出機構３０とを有している。

【００１６】搬入搬出機構３０は、ウエハキャリア４２
に収納された処理前の半導体ウエハ９０を取り出して載
置台４０に載置するため、および、載置台４０に載置さ
れた処理後の半導体ウエハ９０をウエハキャリア４４に
収納するために設けられたものである。

【００１７】このために、搬入搬出機構３０は、半導体
ウエハ９０を吸着保持するピンセット３８と、このピン
セット３８をＸ方向に移動させるためのＸ方向移動機構
３２と、ピンセット３８をＹ方向に移動させるためのＹ
方向移動機構３４と、ピンセット３８をθ方向に移動さ
せるためのθ方向回転機構３６とを有している。さらに
、搬入搬出機構３０は、ウエハキャリア４２およびウエ
ハキャリア４４をＺ方向（上下方向）に移動させるため
の昇降機構を備えている（図示せず）。

【００１８】一方、処理装置ユニット１２は、半導体ウ
エハ９０に対する各種処理を行なうための各処理機構２
０〜２８と、これらの各処理機構２０〜２８に対する半
導体ウエハ９０の搬入および搬出を行なうための搬送機
構１４とを有している。

【００１９】搬送機構１４は、２個のピンセット１８，
１８（一方は図示せず）を上下に有しており、各ピンッ
ト１８，１８を、それぞれ独立に、搬送経路１６に沿っ
てＸ（横）方向の移動を行なわせることができると共に
、図示していない移動手段によりＹ（縦）方向，Ｚ（垂
直）方向およびθ（回転）方向にも移動させることがで
きるように構成されている。かかる構成は、例えば、搬
送機構１４に、ステッピングモータおよびこれに連結さ
れたボールスクリュー等の回転駆動機構（図示せず）を
設けることにより、可能となる。

【００２０】ピンセット１８を２個設けたことにより、
複数枚の半導体ウエハ９０を平行して処理する際でも、
これら半導体ウエハ９０の搬送を効率よく行なうことが
できる。

【００２１】本実施例のレジスト膜形成装置では、この
ような搬送機構１４を用い、あらかじめ載置台４０に載
置された半導体ウエハ９０について、後述する各処理室
２０〜２８に選択的に搬入および搬出を行ない、それぞ
れの処理を順次繰り返すことにより半導体ウエハ９０に
対する各種処理を施した後、再び載置台４０に載置する
。

【００２２】また、かかる搬送機構１４の搬送経路１６
の両側には、この搬送経路１６に沿って、アドヒージョ
ン処理機構２０、ベーク機構２２、冷却機構２４、およ
び、第１の塗布機構２６、第２の塗布機構２８が設けら
れている。

【００２３】アドヒージョン処理機構２０は、半導体ウ
エハ９０とレジスト膜との密着性を向上させるためのウ
エハ表面処理であり、例えば９０℃にウエハを加熱して
アドヒージョン処理を行なう。

【００２４】また、冷却機構２４では、アドヒージョン
処理機構２０で加熱処理された半導体ウエハ９０の冷却
を行なう。ここでは、例えば室温±２℃の範囲内の所定
の冷媒温度にて、ウエハを冷却するものとする。

【００２５】ベーク機構２２では、第１又は第２の塗布
装置２６，２８にてレジスト膜が形成された半導体ウエ
ハ９０に対する加熱処理を行なう。この加熱処理は、半
導体ウエハ９０上に塗布されたレジスト膜中に残存する
溶剤を蒸発させるために行われる。なお、このベーク機
構２２で行われる加熱処理は、他の各機構で行われる各
種処理よりも処理時間が長いので、この機構を例えば上
下に複数配置するなどして複数枚の半導体ウエハ９０に
対する加熱処理を同時に行なうことができるように構成
することが好ましい。

【００２６】第１の塗布機構２６および第２の塗布機構
２８では、冷却機構２４にて冷却された後の半導体ウエ
ハ９０の上表面にレジスト膜をスピンコーティングする
。

【００２７】図２は、図１に示した第１の塗布機構およ
び第２の塗布機構の構成を説明するための概略図である
。また、図３は、図２に示した塗布機構の外カップ４６
内の構成を説明するための概略図である。

【００２８】図２および図３に示すように、この塗布機
構（レジスト塗布装置）は、半導体ウエハ９０を例えば
吸着保持することなどにより支持するスピンチャック５
２と、このスピンチャック５２の外縁を囲うように構成
され、後述するようにウエハ９０周辺部の温度制御がで
きるように構成された内カップ４８と、この内カップ４
８を覆うように構成された外カップ４６とが設けられ、
さらに、スピンチャック５２には、半導体ウエハ９０お
よびスピンチャック５２を所望の回転数で高速回転させ
るためのモータ５４とが設けられている。また、このモ
ータ５４の回転数は、回転制御装置７０により、所定の
プログラムにしたがって制御される。

【００２９】スピンチャック５２には、モータ５４の駆
動によって発生する熱が回転軸を介してスピンチャック
５２に吸着された半導体ウエハ９０に伝達されることを
防止するため、例えばモータ５４の回転軸の上面側近房
にチャック温度調節機構５６が設けられている。このチ
ャック温度調節機構５６は、例えばモータ５４の取付け
フランジ５４ａに内蔵された恒温水を循環させる恒温水
循環パイプ５６ａ、温調器５４ｂなどから構成されてお
り、その温度はチャック温度制御装置７２によって制御
される。チャック５２も例えば室温である２３℃に制御
される。

【００３０】スピンチャック５２中央部の上方には、レ
ジスト液供給ノズル６２が設けられている。また、この
レジスト液供給ノズル６２は、配管６６を介して、フォ
トレジスト液を収容するレジスト液収容容器６４に接続
されている。さらに、レジスト液供給ノズル６２とレジ
スト液収容容器６４の間には、図示しない弁機構、フィ
ルタ機構、泡抜き機構、ポンプなどが設けられている。 また、レジスト液収容容器６４や、このレジスト液収容
容器６４とレジスト液供給ノズル６２とを接続する配管
６６などは、それぞれ、例えば恒温水を循環させる機構
などから構成されたレジスト温度調節機構６８を備えて
いる。なお、このレジスト温度調節機構６８は、レジス
ト温度制御装置７６によって制御される。レジスト液の
温度は、例えば２３〜２４．５℃に温調される。

【００３１】内カップ４８は、レジスト膜を形成する前
の半導体ウエハ９０の周辺部の温度設定を行なうために
設けられたものである。この内カップ４８には、内カッ
プ温度調節機構５０が設けられている。内カップ温度調
節機構５０は、例えば、恒温水を循環させる恒温水循環
パイプ５０ａ、温調器５０ｂなどから構成されており、
その温度は内カップ温度制御装置７４によって制御され
る。恒温水は例えば室温（例えば２３℃）±２℃の範囲
内の所定温度に制御される。また、この内カップ４８は
、昇降機構（図示せず）を備えており、Ｚ方向（上下方
向）に移動させることが可能である。このような構成に
よれば、図３に示すように、内カップ４８の上面４８ａ
がスピンチャック５２の上面５２ａよりも高くなるよう
に内カップ４８を上昇させることにより、この上面４８
ａに半導体ウエハ９０を載置することができ、これによ
り、半導体ウエハ９０の周辺部の温度の設定を急速に行
なうことができる。本実施例ではウエハ９０の周辺部の
温度を、半導体ウエハ９０中央部に相当するモータ５４
上面の温調温度２０〜２３℃に対応する温度、例えば２
０〜２３℃内の所定温度に制御するものとする。なお、
温度の設定後に、半導体ウエハ９０をスピンチャック５
２に載置するためには、そのまま内カップ４８を下降さ
せてもよいし、後述するウエハ支持機構６０を上昇させ
てもよい。また、内カップ温度調節機構５０および内カ
ップ温度制御装置７２は、チャック温度調節機構５６お
よびチャック温度制御装置７２と兼用することも可能で
ある。

【００３２】ウエハ支持機構６０は、例えば少なくとも
３本の同じ長さの支持ピン６０ａ（図では２本のみ示し
てある）と、これらの支持ピン６０ａを昇降させるため
の昇降機構６０ｂとを有している。かかる構成によれば
、まず、内カップ４８の上面４８ａがスピンチャック５
２の上面５２ａよりも高くなるように内カップ４８を上
昇させておき、次に、支持ピン６０ａをＺ方向に上昇さ
せ、続いて、搬送機構１４のピンセット１８によってこ
の支持ピン６０ａの上端に半導体ウエハ９０を載置し、
その後、この支持ピン６０ａを下降させることにより、
半導体ウエハ９０を内カップ４８の上面４８ａに載置す
ることができる。また、搬送機構１４によって搬送され
てきた半導体ウエハ９０を、スピンチャック５２の上面
５２ａに載置したいときは、内カップ４８の上面４８ａ
がスピンチャック５２の上面５２ａよりも低い状態で、
上昇させた支持ピン６０ａの上端に半導体ウエハ９０を
載置させ、その後、この支持ピン６０ａを下降させれば
よい。

【００３３】なお、搬送機構１４によって搬送されてき
た半導体ウエハ９０を、内カップ４８の上面４８ａに載
置するに際し、半導体ウエハ９０を支持ピン６０ａの上
端に載置した後加工させる代りに、スピンチャック５２
の上面５２ａに半導体ウエハ９０を載置した後加工させ
て上面４８ａに載置する方法も考えられる。しかしなが
ら、一般に、前記スピンチャック５２は、半導体ウエハ
９０を保持し回転させることによりパーティクルが発生
すること等の見地から、樹脂製、例えばデルリン製のも
のが使用されている。一方、半導体ウエハ処理プロセス
の関係上、半導体ウエハ９０が暖かい状態で前記塗布装
置に搬入される場合もあり得る。暖かい半導体ウエハ９
０がスピンチャック５２に載置された場合、樹脂でデル
リンの耐熱温度はそう高くないのでスピンチャック５２
の上面５２ａが軟化して歪んだり、また、蓄熱してスピ
ンチャック５２上の半導体ウエハ９０の部分の温度が上
昇し過ぎたりして塗布状態に悪影響を及ぼすことが懸念
される。

【００３４】したがって、本実施例のように、一旦支持
ピン６０ａの上端に載置するように構成するのが望まし
い。

【００３５】また、外カップ４６内の雰囲気温度は、温
度センサ７８と、図示していない外カップ温度調節機構
および外カップ温度制御装置によって所定の温度に制御
される。本実施例では、この外カップ４６内の雰囲気温
度の設定値を、２３℃とすることとする。

【００３６】なお、以上説明した各構成部は、主制御装
置８０によって制御される。

【００３７】次に、かかるレジスト膜形成装置において
、主制御装置８０の制御により、半導体ウエハ９０の表
面にフォトレジスト膜を形成する工程について説明する
。

【００３８】まず、搬入搬出機構３０のＸ方向移動機構
３２，Ｙ方向移動機構３４およびθ方向回転機構３６を
駆動させて、ピンセット３８を、処理前の半導体ウエハ
９０を収納したウエハキャリア４２の下まで移動させる
。

【００３９】続いて、搬入搬出機構３０に備えられた昇
降機構（図示せず）によってウエハキャリア４２を下降
させ、このウエハキャリア４２に収納されている処理前
の半導体ウエハ９０の内の１枚を、ピンセット３８に載
せ、このピンセット３８で保持する。

【００４０】次に、ピンセット３８をＸ方向に移動させ
て、このピンセット３８に保持した半導体ウエハ９０を
ウエハキャリア４２の外に搬出し、さらに、Ｙ方向に移
動させて、載置台４０上に載置する。

【００４１】そして、処理装置ユニット１２の搬送機構
１４を、図の左方向（Ｘ方向）に移動させて、搬入搬出
機構３０の載置台４０に載置された半導体ウエハ９０を
、ピンセット１８，１８の一方で保持する。

【００４２】続いて、このピンセット１８を、アドヒー
ジョン処理機構２０まで移動させ、半導体ウエハ９０を
アドヒージョン処理機構２０にセットし、例えば９０℃
下でアドヒージョン処理を行なう。

【００４３】なお、この処理を行なっている最中に、搬
入搬出機構３０を動作させ、次に処理する半導体ウエハ
９０（以下、２枚目の半導体ウエハ９０と称す）を、ウ
エハキャリア４２から１枚取出して、載置台４０に載置
し、さらに、ピンセット１８，１８の一方で保持して、
このピンセット１８をアドヒージョン処理機構２０まで
移動させておく。

【００４４】アドヒージョン処理が終了すると、搬送機
構１４を移動させ、２枚目の半導体ウエハ９０を保持し
ていない方のピンセット１８を用いて、アドヒージョン
処理が終了した半導体ウエハ９０（以下、１枚目の半導
体ウエハ９０と称す）を処理機構２０から取出す。この
とき、これと同時に、他方のピンセット１８に保持され
た２枚目の半導体ウエハ９０を、アドヒージョン処理機
構２０にセットする。

【００４５】このように、本実施例のレジスト膜形成装
置では、アドヒージョン処理機構２０で１枚目の半導体
ウエハ９０の処理を行なっている時間を利用して２枚目
の半導体ウエハ９０の搬送を行ない、さらに、アドヒー
ジョン処理機構２０から１枚目の半導体ウエハを取り出
すと同時に、このアドヒージョン処理機構２０への２枚
目の半導体ウエハ９０のセットを行なうこととした。し
たがって、スループットを向上することができる。これ
は、本実施例のレジスト膜形成装置が、２個のピンセッ
ト１８，１８を備えていることにより可能となる。なお
、２枚目の半導体ウエハ９０に対して行なう処理の内容
は、１枚目の半導体ウエハ９０の場合と全く同一である
ので、以下の説明では、１枚目の半導体ウエハ９０につ
いてのみ述べる。

【００４６】上述のようにしてピンセット１８で保持し
たアドヒージョン処理終了後の半導体ウエハ９０を、搬
送機構１４により、冷却機構２４にセットする。この冷
却機構２４では、半導体ウエハ９０を冷却し、温度を例
えば２３℃に設定する。

【００４７】次に、第１の塗布機構２６或いは第２の塗
布機構２８まで搬送する。このように、本実施例では２
台の塗布機構を備えており、これらを並行させて使用す
ることができるので、処理工程の効率を向上させること
ができる。ここでは、第１の塗布機構２６まで搬送する
ものとする。

【００４８】続いて、図４に示したように、内カップ４
８の上面４８ａがスピンチャック５２の上面５２ａより
も高くなるように内カップ４８を上昇させると共に、支
持ピン６０ａをＺ方向に上昇させ、さらに、搬送機構１
４のピンセット１８によってこの支持ピン６０ａの上端
に半導体ウエハ９０を載置する。その後、この支持ピン
６０ａを下降させることにより、図５に示したように、
半導体ウエハ９０を内カップ４８の上面４８ａに載置す
る。内カップ４８は、上述のように、内カップ温度調節
機構５０によって一定の温度に維持されているので、一
定時間、内カップ４８の上面４８ａに半導体ウエハ９０
を載置することにより、この半導体ウエハ９０の周辺部
の温度を例えば２３℃に設定することができる。

【００４９】半導体ウエハ９０の周辺部の温度が２３℃
に設定されると、内カップ４８を下降させ、図３に示し
たように、そのままスピンチャック５２に載置する。ス
ピンチャック５２は、載置された半導体ウエハ９０を吸
着保持する。

【００５０】次に、ポンプを動作させ、レジスト液供給
ノズル６２から、スピンチャック５２上の半導体ウエハ
９０に所定量のフォトレジスト液を滴下する。なお、こ
のフォトレジスト液は、あらかじめ、上述のようにして
、半導体ウエハ９０の周辺部または近房と同じ温度、例
えば２３℃に温度調節されている。

【００５１】その後、半導体ウエハ９０を、モータ５４
によって所定の回転数で所定時間変速回転（例えば２０
００ｐｐｍ　，３０秒）させ、このときの遠心力により
、滴下されたフォトレジスト液を、半導体ウエハ９０の
全面に拡散させる。このようにして、半導体ウエハ９０
上に、フォトレジスト膜を形成することができる。本実
施例では、半導体ウエハ９０の周辺部の温度を、塗布前
にあらかじめ上述の内カップ４８、内カップ温度調節機
構５０および内カップ温度制御装置７４を用いて設定し
、そのままスピンチャック５２に吸着保持させてフォト
レジスト膜を形成することとしたので、従来のように半
導体ウエハ９０の搬送中に設定温度の変動、特に周辺部
の設定温度の変動が生じた状態でフォトレジストが塗布
されるといったことがなく、したがって、均一なフォト
レジスト膜を形成することができる。

【００５２】冷却機構２４で２３℃に温度調整された半
導体ウエハ９０は、冷却機構２４から第１の塗布機構２
６に搬送される間に、周囲の状況の影響により温度変化
しやすい。例えば、室内のダウンフローの温度の変動や
、ベーク機構２２で加熱処理された半導体ウエハ９０を
搬送した搬送機構１４のピンセット１８本体の蓄熱およ
びピンセット１８に取着された半導体ウエハ支持用の支
持爪や、搬送機構１４の半導体ウエハ９０に対向して配
置されたカバー部分の蓄熱等により変動し、２３℃以上
に温度上昇してしまうことがある。また、搬送機構１４
が複数のピンセット１８を上下に近接して備え、複数枚
の半導体ウエハ９０を同時に搬送する際に、近接する熱
い半導体ウエハ９０によって加熱されたりして温度上昇
することもある。さらに、第１の塗布機構２６の外カッ
プ４６内の雰囲気温度の変動によりレジスト塗布前の半
導体ウエハ９０の温度が変動してしまう可能性もある。

【００５３】一方、レジストを半導体ウエハ９０に回転
塗布する際、半導体ウエハ９０の周辺部は、中心部に比
べて、その周速度および排気流速が大きいため、レジス
ト中の溶媒が逃げやすくなっている。

【００５４】したがって、所定の温度、例えば２３℃を
前提として各プロセス条件を設定し、レジスト回転塗布
を行なう場合、半導体ウエハ９０の周辺部の温度が２３
℃より高いとレジスト中の溶媒がますます逃げやすくな
り、周辺部の塗布膜厚が目標膜厚よりも厚くなってしま
う。それ故、半導体ウエハ９０の周辺部の温度を厳しく
管理する必要がある。

【００５５】フォトレジスト膜の形成が終了すると、半
導体ウエハ９０を、搬送機構１４により、ベーク機構２
２にセットする。続いて、このベーク機構２２により、
半導体ウエハ２７上に塗布されたレジスト膜中に残存す
る溶剤を蒸発させるための加熱処理を行なう。

【００５６】加熱処理が終了すると、搬送機構１４を動
作させて、半導体ウエハ９０を、ピンセット１８で保持
し、このピンセット１８をＸ方向，θ方向，Ｙ方向，Ｚ
方向に移動させて、載置台に載置する。なお、このとき
、この載置台４０に処理前の半導体ウエハ９０が載置さ
れていれば、この処理前の半導体ウエハ９０を、他方の
ピンセット１８で、先に載置台４０から受取っておく。

【００５７】最後に、載置台４０上の半導体ウエハ９０
を、搬入搬出機構３０のピンセット３８で保持して搬送
し、ウエハキャリア４４内に処理終了した半導体ウエハ
９０を収納する。

【００５８】なお、本実施例では、第２の塗布機構３０
でフォトレジスト膜を形成する前の半導体ウエハ９０の
冷却を冷却機構２４で行なうこととしたが、外カップ４
６内の雰囲気温度は２３℃に制御されていることより、
この冷却を外カップ４６内での空冷によって行なうこと
も可能である。この場合は、例えば、半導体ウエハ９０
をウエハ支持機構６０の支持ピン６０ａの上端に載置し
た状態で、空冷を行なえばよい。

【００５９】さらには、本実施例では、内カップ４８に
昇降機構を設けることとしたが、これに代えて、スピン
チャック５２に昇降機構を設けることとしてもよい。

【００６０】なお、本実施例では、本発明をレジスト塗
布機構に適用した例について説明したが、本発明は本実
施例に限定されるものではなく、回転処理時に被処理体
の温度を予め定められた温度に設定する必要があるもの
であれば、どのような装置にでも適用することが可能で
ある。例えば、現像液の塗布や、磁性液の塗布に適用し
てもよい。

【００６１】さらに、本実施例では回転処理前に被処理
体の周辺部について温度設定を行なったが、この温度設
定を回転処理時に行なうこととしてもよい。回転処理時
の温度設定は、例えば、被処理体である半導体ウエハ９
０の周辺部の裏面に温調されたエアー、例えばＮ２　ガ
スを吹き付けることにより、可能となる。この場合、流
速を選択すると、レジスト塗布の場合裏面へのレジスト
液の回り込みを防止できる。もちろん、回転処理時の温
調と上述のごとき回転処理前の温調とを組み合わせ、処
理前にウエハ周辺部の温調を実行し、処理中にも温調を
することとしてもよい。

【００６２】また、本実施例では本発明を回転処理に適
用した場合について説明したが、板上の被処理体の処理
において温度依存性が大きい場合であれば、いかなる工
程ラインに適用することも可能である。

【００６３】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の処
理装置によれば、被処理体の少なくとも周辺部の温度調
整を行ない、この被処理体に対する処理を行なうので、
被処理体の全面について均一な処理を行なうことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例に係わる処理装置を適用した
レジスト膜形成装置の概略構成を示す概念図である。

【図２】図１に示した第１の塗布機構および第２の塗布
機構の構成を説明するための概略図である。

【図３】図２に示した塗布機構の外カップ内の構成を説
明するための概略図である。

【図４】図１に示した第１の塗布機構および第２の塗布
機構の動作を説明するための概略図である。

【図５】図１に示した第１の塗布機構および第２の塗布
機構の動作を説明するための概略図である。

【図６】従来の回転処置装置を説明するための概略図で
ある。

【符号の説明】

４６　　外カップ ４８　　内カップ ５０　　内カップ温度調節機構 ５２　　スピンチャック ５４　　モータ ５６　　チャック温度調節機構 ６０　　ウエハ支持機構 ６２　　レジスト液供給ノズル ６４　　レジスト液収容容器 ６６　　配管 ６８　　レジスト温度調節機構 ７０　　回転制御装置 ７２　　チャック温度制御装置 ７４　　内カップ温度制御装置 ７６　　レジスト温度制御装置 ７８　　温度センサ ８０　　主制御装置　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＴＥ０
３３９０１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　被処理体に所望の処理を施す処理装置
   において、前記被処理体の少なくとも周辺部の温度を制
   御する温度制御手段を具備してなることを特徴とする処
   理装置。