KR19990023710A - 도막형성방법 - Google Patents
도막형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990023710A KR19990023710A KR1019980033631A KR19980033631A KR19990023710A KR 19990023710 A KR19990023710 A KR 19990023710A KR 1019980033631 A KR1019980033631 A KR 1019980033631A KR 19980033631 A KR19980033631 A KR 19980033631A KR 19990023710 A KR19990023710 A KR 19990023710A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- solvent
- resist
- coating film
- liquid
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 162
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 159
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 365
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 232
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 192
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 108
- 239000010408 film Substances 0.000 description 95
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 56
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 19
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 101100328890 Arabidopsis thaliana COL3 gene Proteins 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 2
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008676 import Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 2
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 101100328892 Arabidopsis thaliana COL4 gene Proteins 0.000 description 1
- JZUFKLXOESDKRF-UHFFFAOYSA-N Chlorothiazide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC2=C1NCNS2(=O)=O JZUFKLXOESDKRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 101100237842 Xenopus laevis mmp18 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D19/00—Degasification of liquids
- B01D19/0005—Degasification of liquids with one or more auxiliary substances
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D19/00—Degasification of liquids
- B01D19/0031—Degasification of liquids by filtration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S118/00—Coating apparatus
- Y10S118/04—Curtain coater
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
본 발명은 액정표시디스플레이(LCD)용 기판의 표면 또는 기판에 형성된 층(반도체층, 절연체층, 전극층 등)의 위에 포토레지스트막이나 반사방지막(Anti-Reflective Coating)과 같은 도막을 형성하기 위한 도막 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 도막 형성방법으로서, (a) 기판을 스핀척에 의해 회전가능하게 보지하는 공정과, (b) 도막의 용제를 상기 기판의 회전중심부로부터 떨어진 기판상의 제 1 부위에 공급하는 공정과, (c) 도포액을 상기 기판의 회전중심부인 제 2 부위에 공급하는 공정과, (d) 상기 기판을 회전시킴으로써 상기 도포액을 제 2 부위로부터 그 주변 각부에 확산시키는 공정을 포함하는 것을 제시한다.
본 발명에서는 도막 형성방법에서, 프리웨트에 이용한 것과 같은 노즐을 이용하여 기판주변부로부터 도막들 제거함으로써 레지스트도포액의 소비량을 저감하고, 기판 주변부로부터 도막을 제거하기 위한 부가적인 전용설비가 불필요해 지고, 또한 기판에 대한 노즐의 위치맞춤도 용이해 지는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 발명은, 액정표시 디스플레이(LCD)용 기판의 표면 또는 기판에 형성된 층(반도체층, 절연체층, 전극층 등)의 상에 포토레지스트막과 반사방지막(Anti-Reflective Coating)과 같은 도막을 형성하기 위한 도막형성방법(Coating film forming method)에 관한 것이다.
LCD의 제조과정에서는 반도체 디스플레이의 과정과 같이 포토리소그래피 기술이 이용된다. LCD의 포토리소그래피에 있어서는 유리기판상에 레지스트 도막을 형성하여, 이것을 패턴노광하고 현상한다. 그리고, 기판에 형성된 반도체층, 절연체층, 전극층을 선택적으로 에칭하고 ITO(Indium Tin Oxide)의 박막이나 전극패턴 등을 형성한다.
일반적으로, LCD기판에 레지스트액을 도포하는 경우는 소위 스핀코팅법을 이용한다. 도 1A에서 도시하듯이, 스핀코팅법에 있어서는, 기판(G)를 스핀척(701)에 의해 흡착보지하고, 노즐(702), (704)로부터 기판(G)의 회전중심부에 용제(8) 및 레지스트액(9) 양자를 떨어뜨려 흘리고, 이어 도 1B에서 도시하듯이, 회전컵(711)의 상부개구를 덮개(713)으로 덮어서, 회전컵(711)과 스핀척(701)을 동기회전시킨다. 이로써 도 2A에서 도시하듯이, 레지스트액(9)가 기판(G)의 회전중심부로부터 주변부를 향해 확산하고, 기판(G) 상면 전체에 걸쳐 레지스트액(9)가 도포된다.
이 때 기판(G)는 구형(矩形)이기 때문에, 기판(G) 전체에 레지스트액을 도포하려고 하면, 도 2B에서 도시하듯이 기판(G)의 사방 구석부를 덮는 원을 그리듯이 레지스트액(9)를 확산시킬 필요가 생기지만, 도면 중의 사선영역(R1) ~(R4)에 비산시키기 때문에 레지스트액(9)에 낭비가 생긴다.
그러나, 레지스트액(9)의 공급량을 너무 적게 하면, 기판(G)의 구석부까지 레지스트액(9)가 도달하지 않게 될 우려가 있다. 이 때문에 종래에는 레지스트액(9)를 과도하게 공급하지 않으면 안되어, 레지스트액(9) 공급량의 약 90% 정도가 폐기되는 결과가 생긴다.
그런데, 스핀코팅법에 의해 레지스트를 도포한 경우, 도포 직전의 막두께는 균일하지만, 회전이 정지하여 원심력이 작용하지 않게 된 후나, 시간이 경과함에 따라, 표면장력의 영향에 의해 기판 주변부에서 레지스트 도막이 솟아오른 듯이 두껍게 되어 버린다. 또, 이 방법에 있어서는, 여분의 레지스트는 기판의 회전에 의해 떨어내고 있으나, 떨어낸 레지스트가 기판 뒷면에 비산하여 불필요한 개소에 레지스트가 부착하는 경우도 있다.
이와 같이 기판의 주변부에 형성된 불균일한 두꺼운 레지스트 도막(9b)와 표면에 부착한 레지스트는, 그 후의 기판 반송과정등에서 파티클의 발생원인이 된다. 또, 기판을 반송하는 기구의 오염에도 연결된다.
그래서, 기판의 표면에 레지스트를 도포한 후 기판의 주변부나 뒷면에 부착한 불필요한 레지스트를 제거하는 처리가 행하여 지고 있다. 이 처리는, 레지스트 도포후, 레지스트도포유니트에 인접하는 레지스트제거유니트에 기판을 반송하고, 용제공급부와 용제흡인부를 구비한 레지스트 제거노즐을 기판 주변을 따라 이동시켜, 레지스트의 용제를 공급함과 동시에, 용제 공급에 의해 용해한 레지스트를 흡인제거함으로써 행하여 지고 있다.
그러나, 이와 같은 장치를 이용하여 레지스트의 제거를 행하는 경우에는, 레지스트 도포유니트에 부가적인 설비가 필요해지고, 설비의 대형화를 피할 수 없다. 또, 레지스트 제거노즐의 용제공급부와 용제흡인부와의 좁은 사이에 기판을 삽입한 상태에서 노즐을 이동시킬 필요가 있기 때문에, 기판과 노즐과의 상대적인 위치정밀도가 높은 것이 요구된다. 이와 같은 위치정밀도의 요구는 근래의 기판의 대형화 경향에 동반하여 점점 더 높아지고 있다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로, 본 발명의 목적은, 기판상에 균일한 막두께를 형성하는 경우에, 도포액의 소비량을 저감할 수 있는 도막 형성방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 관계하는 도막 형성방법은,
(a) 기판을 스핀척에 의해 회전가능하게 보지하는 공정과,
(b) 도막의 용제를 상기 기판의 회전중심부로부터 떨어진 기판상의 제 1 부위에 공급하는 공정과,
(c) 도포액을 상기 기판의 회전중심부인 제 2 부위에 공급하는 공정과,
(d) 상기 기판을 회전시킴으로써 상기 도포액을 제 2 부위로부터 주변부위에 확산시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 공정(c)에서는, 기판의 회전을 정지시키거나, 또는 저속회전으로 회전하고 있는 상태에서, 기판의 제 2 부위에 도포액을 공급하는 것이 바람직하다. 이렇게 하면 도포액 공급시에 액의 비산이 적어 지고, 미스트 발생량이 저감되기 때문에, 파티클의 발생량이 저감된다.
또한, 용제는 도포액과 잘 어울리는(용제에 대해 도포액이 높은 용해도를 가짐) 것으로, 기판에 공급된 도포액이 용제에 접촉하면, 처리액을 튀기게 하는 일 없이, 기판상을 매끄럽게 이동하는 것이 가능한 액이고, 처리액이 예를 들어 레지스트액인 경우에는 신너, 처리액이 예를 들어 현상액인 경우에는 물이다.
본 발명에 관계하는 도막 형성방법은,
(g) 구형(矩形) 기판을 스핀척에 의해 회전가능하게 보지하는 공정과,
(h) 도포액을 상기 기판의 회전중심부로부터 떨어진 기판상의 제 1 부위에 공급하는 공정과,
(i) 도포액을 상기 기판의 회전중심부인 제 2 부위에 공급하는 공정과,
(j) 상기 기판을 회전시킴으로써, 상기 도포액을 상기 제 1 및 제 2 부위로부터 각각의 주변부위에 확산시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서 「기판(G)의 회전중심부로부터 떨어진 부위(제 1 부위)」라고 하는 것은, 스핀척(38)에 의해 기판(G)를 회전시켰을 때의 기판(G)의 중심점으로부터 떨어진 영역으로, 또한, 기판(G)의 중심점과 주변부(에지)와의 중간에 위치하는 영역(부위)를 말한다. 또, 「기판(G)의 회전중심부(제 2 부위)」라고 하는 것은, 스핀척에 의해 기판(G)를 회전시켰을 때의 기판(G)의 중심점과 그 근방을 포함하는 좁은 영역(부위)를 말한다.
제 1 노즐이 공급한 도포액(주액)은, 제 2 부위(기판의 회전중심부 부위)로부터 구형(矩形) 기판의 단변측의 주변끝까지는 확산하나, 구형(矩形) 기판의 장변측의 주변끝과 구석부까지는 확산하기 어렵다(도달하기 어렵다). 특히, 구형(矩形) 기판의 구석부에서는 도포액(주액)이 부족하다. 그러나, 제 2 노즐이 공급한 도포액(보급액)은 각 구석부에 신속히 그리고 용이하게 확산한다(도달한다). 왜냐하면, 제 1 부위(기판의 회전중심부로부터 떨어진 부위)로부터 구형(矩形) 기판의 장변측의 주변끝과 구석부(코너부)까지는 거리가 짧기 때문이다.
본 발명에 관계하는 도막 형성방법은,
(k) 스핀척에 의해 기판을 회전가능하게 보지하는 공정과,
(l) 용제공급노즐에 의해 도막의 용제를 상기 기판상에 공급하는 공정과,
(m) 도포액 공급노즐에 의해 도포액을 상기 기판상에 공급하는 공정과,
(n) 상기 기판을 회전시킴으로써 상기 도포액을 확산시키는 공정과,
(p) 상기 용제공급노즐에 의해 상기 용제를 상기 기판의 주변부에 공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
소위 프리웨트 처리에서는 레지스트액의 소비량을 억제하기 위해 레지스트 도포처리에 앞서 기판에 용제를 공급한다. 본 발명에서는, 이 프리웨트에 이용한 것과 같은 노즐을 이용하여, 기판 주변부로부터 도막을 제거한다. 이 때문에, 레지스트액의 소비량을 저감하면서, 게다가 기판 주변부로부터 도막을 제거하기 위한 부가적인 전용설비가 불필요해지고, 또 기판에 대한 노즐의 위치맞춤도 용이해 진다.
도 1A ~ 도 1C는 종래의 도막 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2A ~ 도 2B는 종래의 도막 형성방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 LCD기판을 레지스트처리하기 위한 처리시스템의 개요를 도시한 평면배치도이다.
도 4는 LCD기판 처리시스템의 정면외관도이다.
도 5는 레지스트 도포/주변레지스트 제거유니트의 개요를 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 관계하는 도막 형성방법에 이용되는 장치의 개요를 도시한 투시단면도이다.
도 7은 회전컵 및 윗덮개를 도시한 분해사시도이다.
도 8은 용제공급노즐 및 레지스트액 공급노즐의 온도조정회로를 도시한 블록사시도이다.
도 9는 용제공급노즐 및 레지스트액 공급노즐의 처리액 공급회로를 도시한 블록단면도이다.
도 10은 LCD기판에 대한 일련의 레지스트 처리공정을 도시한 순서도이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 관계하는 도막 형성방법을 도시한 순서도이다.
도 12A ~ 도 12G는 본 발명의 실시형태에 관계하는 도막 형성방법을 설명하기 위해 각 공정마다에 LCD기판 및 도막 형성장치의 상태를 각각 도시한 개요사시도이다.
도 13은 용제공급 노즐로부터 LCD기판상에 용제가 공급된 상태를 도시한 평면도이다.
도 14는 레지스트액 공급노즐로부터 LCD기판상에 레지스트액이 공급된 상태를 도시한 평면도이다.
도 15는 다른 레지스트액 공급노즐의 개요를 도시한 사시도이다.
도 16은 다른 용제공급노즐의 개요를 도시한 확대단면도이다.
도 17은 다른 용제공급노즐에 의해 LCD기판상에 용제가 공급된 상태를 도시한 평면도이다.
도 18은 본 발명의 실시형태에 관계하는 도막 형성장치의 개요를 도시한 평면도이다.
도 19는 본 발명의 실시형태에 관계하는 도막 형성장치의 개요를 도시한 블록단면도이다.
도 20는 실시형태의 도막 형성장치의 액공급부를 도시한 사시도이다.
도 21은 실시형태의 도막 형성장치에 의해 레지스트액이 공급된 기판을 도시한 평면도이다.
도 22는 주변 도막 제거부를 도시한 사시도이다.
도 23은 주변 도막 제거부를 도시하느 단면도이다.
도 24A ~ 도 24D는 도막 형성장치의 동작을 설명하기 위한 내부 투시도이다.
도 25A ~ 도 25C는 도막 형성장치의 동작을 설명하기 위한 평면도이다.
도 26은 기판상에 공급된 레지스트액이 기판 표면에 확산하는 모양을 설명하기 위한 평면도이다.
도 27A ~ 도 27D는 다른 실시형태에 관계하는 도막 형성방법을 도시한 평면도이다.
도 28은 다른 실시형태에 관계하는 도막 형성장치를 도시한 평면도이다.
도 29는 다른 실시형태에 관계하는 도막 형성장치가 가지는 도막 제거기구를 도시한 회로도이다.
도 30은 도막 제거기구를 도시한 부분확대단면도이다.
도 31은 또 다른 실시형태에 관계하는 도막 형성장치를 도시한 개략단면도이다.
도 32는 도막 제거부를 가지는 윗덮개를 도시한 횡단면도이다.
도 33은 윗덮개에 설치된 도막 제거부를 확대하여 도시한 종단면도이다.
도 34는 본 발명의 다른 실시형태에 관계하는 도막 형성방법에 이용되는 장치의 개요를 도시한 블록단면도이다.
도 35는 도막 형성에 이용되는 용제공급노즐을 도시한 부분단면사시도이다.
도 36은 용제공급노즐을 이동시키는 이동기구의 개요를 도시한 사시도이다.
도 37은 용제공급노즐에 대해 착탈가능하게 부착된 받이부재를 도시한 측면도이다.
도 38은 레지스트액 공급노즐을 이동시키는 이동기구의 개요를 도시한 사시도이다.
도 39는 본 발명의 실시형태에 관계하는 도막 형성방법을 도시한 순서도이다.
도 40은 도막 처리유니트에서 받이부재를 가지는 용제공급노즐을 이용하여 기판의 주변부를 세정하는상태를 모식적으로 도시한 도이다..
도 41은 용제공급노즐의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 42는 용제공급노즐의 다른 형태예를 도시한 사시도이다.
도 43은 레지스트액 공급노즐과 일체적으로 형성된 용제공급노즐을 도시한 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 도포·현상처리 시스템 2 : 반입/반출부
C1, C2 : 카세트 G : 기판
3 : 제 1 처리부 4 : 제 2 처리부
5 : 제 3 처리부 6 : 인터페이스부
7 : 노광장치(EXP) 8 : 용제
8a : 용제도포영역 9 : 레지스트액
9a : 레지스트도막 9b : 주변부 레지스트도막
10 : 카세트 재치대 11 : 반송부
12 : 열교환매체 13 : 제 1 서브아암
14a, 14b, 14c : 홀더
14A, 14B, 14C : 제 1,제 2,제 3 주 아암기구
15A, 15B, 15C : 중앙반송로
16 : 습식세정유니트(SCR) 17 : 가열유니트(HP1 HP1)
18 : 처리유니트(UV) 19 : 냉각유니트(COL1)
20 : 냉각유니트(COL2)
21 : 레지스트도포/주변레지스트제거 유니트(CT/ER)
22 : 레지스트 도포장치(CT) 22A : 레지스트 도포기구
22B : 도포유니트 23 : 주변레지스트 제거장치(ER)
23A : 주변도막 제거부 23a : 용제배출노즐
23b : 스캔이동기구 23c : 재치대
24 : 어드히죤/냉각유니트(AD COL3)
25 : 가열/냉각유니트(HP2 COL3)
25A : 유동기구 26 : 가열/가열유니트(HP2 HP2)
27 : 냉각유니트(COL5) 28, 29, 30 : 현상유니트(DEV)
31 : 타이틀러(TITLER) 32 : 가열/가열유니트(HP3 HP3)
33, 34 : 가열/냉각유니트(HP3 COL4)
35 : 제 2 서브아암기구 36 : 반송대기부
37 : 인수인도부(I/F) 38 : 스핀척
39 : 비도포영역 40 : 진공 시일부
42 : 승강실린더 43 : 회전축
44 : 스플라인축받이 48 : 제어기
50a, 66b : 종동풀리 51 : 모터
51a : 구동축 51b : 벨트기구(구동풀리)
52a, 67b : 벨트 55, 55A : 회전컵
55a : 회전컵 개구부 55b : 회전컵 하부
55c : 회전컵하부 개구부 55d : 회전컵 상면
56 : 처리실 60 : 연결통
61b : 회전외통 62b, 64 : 베어링
63 : 고정테 65a : 회전내통
71 : 윗덮개 71a : 고정핀
71b : 홈부 72 : 급기공
73 : 지지부 75 : 로봇트아암
76 : 하부 배기구 80, 80A : 드레인컵
80a : 고리상태의 통로 80b, 80c : 벽
80d : 드레인관(드레인공) 81 : 배기구
88 : 회전중심부 부위(Ra)로부터 확산되는 레지스트액의 도달가능 범위
89 : 사방 가장자리 근방부위(Rb), (Rc), (Rd), (Re)로부터 확산되는 레지스트액의 도달가능 범위
90 : 처리액공급기구
91, 251, 370, 470, 670 : 용제공급노즐
92, 252, 380,680 : 레지스트액공급노즐
95, 99 : 튜브 96 : 개폐밸브
97 : 용제탱크 98 : 가압가스공급관
100 : 개폐밸브 101 : 레지스트액 탱크
102 : 가압가스공급관 105 : 모터유동기구
106 : 수평유동아암 110 : 온도조정기구
111 : 재킷 112 : 순환회로
113 : 펌프 114 : 서모모듈
116 : 공급노즐 119 : 액배출구
120, 570, 702, 704 : 노즐 122 : 유로
123 : 노즐배출구 205, 270 : 노즐 어셈블리
208a, 208b, 208c, 208d : 에지리무버
211 : 필터 V1 : 석백밸브
V2 : 공기조정밸브 231 : 회전컵용 덮개
232 : 정류판 234a : 공기공
234b : 배기공 241 : 드레인컵용 덮개
242 : 로봇트아암 243 : 지축
244a : 공기공 245a : 배액구
248 : 제어기 250 : 구형(矩形) 블록
251a, 251b, 251c, 251d, 251e : 용제공급 제 1,제 2,제 3,제 4,제 5 노즐
252 : 레지스트공급노즐(제 6 노즐)
252a : 레지스트공급튜브 252b : 개폐밸브
252c : 용제탱크 253 :가동아암
254 : 유동기구
255a, 255b, 255c, 255d, 255e : 용제공급튜브
256 : 레지스트액 탱크 257 : 기포제거기구
258 : 벨로즈펌프 259 : 구동부
260 : 에지리무버 261a, 261b : 아암
262 : 구동기구 263 : 가이드레일
264a, 264b : 단판 265 : 헤더
265a : 슬릿 267 : 용제배출부
268 : 흡인관
271 : 주연레지스트제거부(에지 리무버)
271a : 배출구 272 : 가동아암
273 : 구동기구 274 : 막대나사기구
280 : 기체(基體) 281 : 보지 기체(基體)
282 : 용제배출구 283 : 헤더
285 : 용제공급관
284a, 284b, 284c, 284d : 용제공급로
370a : 액배출공 374 : 축
375 : 지지부재 376 : 가이드부재
377 : 벨트 378 : 모터
379 : 풀리 381 : 레지스트액 공급튜브
391 : 온도조정기구 392 : 잠금기구
393: 용제공급노즐 양측면에 돌출한 축
394 : 잠금부재 395 : 받이부재
395a : 본체 396 : 지지부재
397 : 지지핀 398 : 배액구
399 : 튜브 400 : 이동기구
401 : 가동부재 402 : 회전축
403 : 지지부재 470a : 액배출구
471 : 액 유통 라인 571 : 배출구
572 : 본체 672 : 용제 배출구
682 : 레지스트액 배출구 701 : 스핀척
711 : 회전컵 713 : 상부덮개
716, 718 : 레지스트제거노즐
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 여러 가지의 바람직한 실시 형태에 대해 설명한다.
도 3 및 도 4에서 도시하듯이, 도포·현상 처리시스템(1)은, 반입/반출부(2)와, 제 1 처리부(3)과, 제 2 처리부(4)와, 제 3 처리부(5)와, 인터페이스부(6)을 갖추고 있다. 이 처리시스템(1)은, LCD 기판(G)에 포토레지스트 액을 도포하여 현상하기 위한 여러 가지 처리기구를 갖추고 있고, 인터페이스부(6)을 매개로 하여 노광장치(7)에 연결되어 있다.
반입/반출부(2)는, X축 방향으로 각기 뻗어나온 카세트 재치대(10) 및 반송부(11)를 갖추고 있다. 카세트 재치대(10)에는 최대 4개의 카세트(C1), (C2)가 나란히 재치된다. 이 중 2개의 카세트(C1)에는 처리 전의 LCD 기판(G)가 수납되고, 다른 2개의 카세트(C2)에는 처리 후의 LCD 기판(G)가 수납된다. 각 카세트(C1), (C2)에는 예를 들어 최대 25장까지의 LCD 기판(G)가 수납가능하다.
반입/반출부(2)의 반송부(11)에는 제 1 서브아암 기구(13)이 설치되어 있다. 이 제 1 서브아암 기구(13)은, 기판(G)를 카세트(C1), (C2)에 대해 입출하기 위한 홀더와, 이 홀더를 전진 또는 후퇴시키는 진퇴 구동기구와, 홀더를 X축 방향으로 이동시키는 X축 구동기구와, 홀더를 Z축 방향으로 이동시키는 Z축 이동기구 와, 홀더를 Z축 주위로 유동회전시키는 θ회전 구동기구를 갖추고 있다.
제 1 처리부(3)은, Y축 방향으로 뻗어나온 중앙반송로(15A)와, 이 반송로(15A)를 따라 주행가능하게 설치된 제 1 주 아암기구(14A)와, 복수의 처리 유니트(16), (17), (18), (19)를 갖추고 있다. 반송로(15A)의 한쪽에는 2개의 습식세정 유니트(16)이 배치되어 있다. 이 유니트(16)은 기판(G)에 세정 처리액을 뿌리면서 회전 브러시로 기판(G)의 표면을 스크러브(scrub) 세정하기 위한 브러시 스크러버(brush scrubber)(SCR)을 갖추고 있다. 반송부(15A)의 다른 한쪽에는 가열 유니트(17), 건식세정 유니트(18), 냉각 유니트(19)가 배치되어 있다. 가열 유니트(17)은 기판(G)를 가열하기 위한 상하 2개의 핫 플레이트(HP1)을 갖추고 있다. 건식 세정 유니트(18)은 기판(G)에 자외선을 조사하여 기판(G)의 표면을 세정하기 위한 자외선 세정 장치(UV)를 갖추고 있다. 냉각 유니트(19)는 기판(G)를 냉각하기 위한 쿨링 플레이트(COL1)을 갖추고 있다. 제 1 주 아암 기구(14A)는 기판(G)를 보지하는 홀더(14a)와, 이 홀더(14a)를 전진 또는 후퇴시키는 진퇴 구동기구와, 홀더(14a)를 Y축 방향으로 이동시키는 Y축 구동기구와 ,홀더(14a)를 Z방향으로 이동시키는 Z축 이동기구와, 홀더(14a)를 Z축 주위로 유동회전시키는 θ회전 구동기구를 갖추고 있다.
제 2 처리부(4)는, Y축 방향으로 뻗어나온 중앙반송로(15B)와, 이 반송로(15B)를 따라 주행가능하게 설치된 제 2의 주 아암기구(14B)와, 복수의 처리 유니트(21), (24), (25), (26)을 갖추고 있다. 반송로(15B)의 한쪽에는 레지스트 도포/주변 레지스트 제거 유니트(21)이 배치되어 있다. 이 유니트(21)은, 기판(G)를 스핀 회전 시키면서 레지스느 액을 도포하는 도포장치(CT)와, 기판(G)의 주변부로부터 레지스트 도막을 제거하는 주변 레지스트 제거 장치(ER)을 갖추고 있다. 반송로(15B)의 다른 한쪽에는 어드히죤(adhesion)/냉각 유니트(24), 가열/냉각 유니트(25), 가열/가열 유니트(26)이 배치되어 있다. 어드히죤/냉각 유니트(24)는, 기판(G)의 표면을 HMDS의 증기에 의해 소수화(疎水化) 처리하는 어드히죤 장치(AD)와, 기판(G)를 냉각하는 쿨링 플레이트(COL3)을 갖추고 있다. 가열/냉가 유니트(25)는, 기판(G)를 가열하는 핫 플레이트(HP2)와, 기판(G)를 냉각하는 쿨링 플레이트(COL3)를 갖추고 있다. 가열/가열 유니트(26)는, 기판(G)를 가열하는 상하 2단의 핫 플레이트(HP2)를 갖추고 있다.
제 3 처리부(5)는, Y축 방향으로 뻗어나온 중앙반송로(15C)와, 이 반송로(15C)를 따라 주행가능하게 설치된 제 3의 주 아암기구(14C)와, 복수의 처리 유니트(28), (29), (30), (31), (32), (33), (34)를 갖추고 있다. 반송로(15C)의 한쪽에는 3개의 현상 유니트(28), (29), (30)이 배치되어 있다. 각 유니트(28), (29), (30)은 기판(G)에 현상액을 뿌려서 레지스트 도막을 현상처리하기 위한 현상장치(DEV)를 갖추고 있다. 반송로(15C)의 다른 한쪽에는 타이틀러(TITLER)(31), 가열/가열 유니트(32), 가열/냉각 유니트(33), (34)이 배치되어 있다. 또한, 제 2 및 제 3의 주 아암기구(14B), (14C)는 상기의 제 1의 주 아암기구(14A)와 실질적으로 같다. 또, 제 1 처리부(3)과 제 2 처리부(4)와의 사이에는 냉각 유니트(20)를 설치하고, 제 2 처리부(4)와 제 3 처리부(5)와의 사이에는 냉각 유니트(27)을 설치하고 있다. 이들의 냉각 유니트(20), (27)은 처리 대기상태인 기판(G)를 일시적으로 대기시켜 두기 위해서도 이용된다.
인터페이스부(6)은 제 3 처리부(5)와 노광장치(7)과의 사이에 설치되어 있다. 인터페이스부(6)은 반송/대기부(36) 및 인수인도부(37)를 갖추고 있다. 반송/대기부(36)에는 제 2의 서브아암 기구(35) 및 2개의 버퍼(buffer) 카세트(BC)가 설치되어 있다. 제 2 서브아암 기구(35)는 제 1 서브아암 기구(13)과 실직적으로 같은 것이다. 각 버퍼 카세트(BC)에는 처리 대기중인 기판(G)가 수납되고, 여기에서 기판(G)는 일시적으로 대기하도록 되어 있다. 인수인도부(37)에는 인수인도대(도시하지 않음)가 설치되어, 이 인수인도대를 매개로 해서 노광장치(7)의 반송기구(도시하지 않음)와 제 2 서브아암 기구(35)와의 사이에서 기판(G)가 인수인도되도록 되어 있다.
이어, 도 5 ~ 도 9를 참조하면서 레지스트 도포/주변 레지스트 제거 유니트(21)에 대해 설명한다.
도 5에서 도시한 바와 같이, 유니트(21)은 레지스트 도포장치(22)(CT) 및 주변 레지스트 제거장치(23)(ER)을 구비하고 있다. 유니트(21)의 정면 벽에는 2개의 개폐구(도시하지 않음)가 형성되고, 한쪽의 개폐구를 매개로 하여 레지스트 도포장치(22)에 기판(G)가 반입되고, 다른 한쪽의 개폐구를 매개로 하여 주변 레지스트 제거장치(23)으로부터 기판(G)가 반출되도록 되어 있다. 또한, 레지스트 도포장치(22)와 주변 레지스트 제거 장치(23)과의 사이에는 이송기구(도시하지 않음)가 설치되어, 기판(G)가 레지스트 도포장치(22)에서 주변 레지스트 제거장치(23)으로 이송되도록 되어 있다.
도 6에서 도시하듯이, 레지스트 도포장치(22)는 스핀척(38)과, 회전컵(55)와, 드레인컵(80)과 레지스트액 공급기구(90)을 구비하고 있다. 스핀척(38)은 기판(G)를 흡착보지하기 위한 진공흡착기구(도시하지 않음)와, 기판(G)를 회전시키는 회전 구동기구(42)를 구비하고 있다. 스핀척(38)의 주위를 둘러싸듯이 회전컵(55)가 설치되어 있다. 게다가 회전컵(55)의 주위를 둘러싸듯이 드레인컵(80)이 설치되어 있다. 회전컵(55)상의 상부 개구에는 덮개(71)이 덮여지도록 되어 있다. 드레인컵(80)의 바닥부에는 복수의 드레인관(80d)가 부착되어, 이들 드레인관(80d)을 매개로 하여 회수 재생장치(도시하지 않음)에 미스트와 폐액이 배출되도록 되어 있다. 처리액 공급기구(90)은 용제 공급노즐(91), 레지스트액 공급노즐(92), 모터(105), 유동 아암(106)를 구비하고 있다.
주변 레지스트 제거장치(23)은, 4개의 용제배출 노즐(23a)와, 각 노즐(23a)를 기판(G)의 각 주변을 따라서 각각 스캔이동시키는 스캔이동 기구(23b)와 기판(G)를 흡착보지하는 재치대(23c)를 구비하고 있다.
이어, 도 6 ~ 도 9를 참조하면서 레지스트 도포장치(22)에 대해 더욱 상세히 설명한다.
스핀척(38)의 하부에는 회전축(43)이 접속되어 있다. 이 회전축(43)은, 진공시일부(40)을 매개로 하여 승강 실린더(42)에 연결됨과 동시에, 스플라인 축받이(44)를 매개로 하여 회전컵(55)의 하부에 접하여 움직일 수 있게 지지되어 있다.
게다가, 스플라인 축 받이(44)에는 종동(從動)풀리(50a)가 장착되며, 이 종동 풀리(50a)와 구동 풀리(51b)와의 사이에 벨트(52a)가 걸쳐져 있다. 구동 풀리(51b)는 모터(51)의 구동축(51a)에 부착되어 있다. 또, 스핀척(38)은 승강 실린더(42)에 의해 승강이 자유롭게 지지되어 있다.
스핀척(38)의 상부 및 외주부를 포위하듯이 회전컵(55)가 설치되어 있다. 회전컵(55)의 내부에는 기판(G)를 처리하기 위한 처리실(56)이 형성되고, 회전컵(55)의 하부(55b)의 중앙에는 개구부(55c)가 형성되어 있다. 스핀척(38)은 이 개구부(55c)로부터 처리실(56) 내부로 삽입되어 있다.
회전컵(55)의 하부에 있어서는, 회전컵(55)의 하부(55b)가 연결통(60)을 매개로 해서 회전 외통(61b)의 상단부에 연결되어 있고, 이 회전 외통(61b)는 베어링(62b)를 매개로 하여 고정 컬러(63)에 연결하고 있다. 고정테(63)은 베어링(64)를 매개로 하여 회전 내통(65a)에 연결되어 있고, 회전축(43)이 스플라인 축 받이(44)를 매개로 하여 회전내통(65a)에 연결하고 있다. 게다가, 고정 컬러(63)과 회전 내통(65a)의 대항면과, 고정 컬러(63)과 회전 외통(61b)의 대향면에는 래비린스 시일(labyrinth seal)(도시하지 않음)이 각각 형성되어 있다. 이들 래비린스 시일에 의해 하부의 구동기구(42), (44), (51), (51a) ~(52a), (62b), (64)에서 발생한 파티클이 처리 공간(56)에 침입하는 것이 방지되어 있다.
회전 외통(61b)에는 종동 풀리(66b)가 장착되어 있다. 이 종동 풀리(66b)에는 벨트(67b)를 매개로 하여 모터(51)의 구동 풀리(51b)로부터 회전 구동력이 전달되도록 되어 있다. 덧붙여, 종동 풀리(50a)의 직경은 종동 풀리(66b)의 직경과 동일하고, 또한 양자는 공통의 모터(51)에 의해 회전구동되기 때문에 스핀척(38)와 회전컵(55)와는 동기 회전된다.
도 7에서 도시하듯이, 상부 개구(55c)를 둘러싼 회전컵 상면(55d)로부터는 복수의 고정핀(71a)가 상부로 돌출하여 있다. 각 고정핀(71a)는 윗덮개(71)의 홈부(71b)에 각각 끼어맞도록 되어 있고, 홈부(71b)를 고정핀(71a)에 끼어맞춤으로써 회전컵(55)의 윗덮개(71)이 결합하도록 되어 있다. 또, 고정핀(71a)의 첨부는 구면상태로 형성되어, 홈부(71b)와의 접촉에 의한 먼지발생을 억제하도록 되어 있다.
도 6 및 도 7에서 도시하듯이, 윗덮개(71)의 중앙 근방에는 복수의 급기공(給氣孔)(72)가 관통형성되어 있다. 또, 윗덮개(71)의 중앙으로부터는 지지부(73)이 상부로 뻗어나와 있다. 이 지지부(73)에는 복수의 계지홀(73a)가 형성되어 있다. 이들 계지홀(73a)에는 로봇 아암(75)에서 돌출한 계지핀(도시하지 않음)이 계합하고, 이것에 의해 윗덮개(71)이 회전컵(55)으로부터 떼어지도록 되어 있다.
회전컵(55)의 측벽에는, 내측면이 상측을 향해 축경된 테이퍼면으로 형성되어 있다. 따라서, 윗덮개(71)의 급기공(72)로부터 처리실(56)내로 공기가 공급되면, 이 공기는 기판(G)의 상면을 따라 흘러서, 또한 테이퍼면을 따라 흘러서, 회전컵(55)의 하부 배기구(76)을 매개로 하여 드레인컵(80)으로 배기된다.
회전컵(55)를 둘러싸듯이 드레인컵(80)이 배설되어 있다. 드레인컵(80)은, 중공 링 상태를 이루며, 회전컵(55)로부터 배출되는 폐액과 폐 미스트를 받아서 이들을 드레인 유니트(도시하지 않음)나 배기 유니트(도시하지 않음) 또는 재생 유니트(도시하지 않음)에 배출하도록 되어 있다. 드레인컵(80)의 내부에는 환상태(고리모양)의 통로(80a)가 설치되어 있다. 이 환상태 통로(80a)는 드레인컵(80)의 바닥부에서 기립하는 벽(80b)와 드레인컵(80)의 천정부로부터 수하하는 벽(80c)에 의해 우회형태(크랭크 상태)로 구획형성되어 있다. 이들의 벽(80b)와 벽(80c)와의 사이에 위치하는 바닥부에는 복수의 드레인공(80d)가 형성되어 있다.
또, 환상태 통로(80a)의 외주벽에는 예를 들어 4개의 배기구(81)이 형성되고, 각 배기구(81)은 배기 유니트(도시하지 않음)의 흡입측에 연통되어 있다. 처리실(56)내에서 발생한 레지스트액의 미스트는, 배기구(76)을 통과하여 드레인컵(80)에 흘러서, 또한 환상태 통로(80a)를 통과하여 배기구(81)로부터 외부로 배출된다.
도 8 및 도 9에서 나타내듯이, 처리액 공급기구(90)은, 용제(8)을 배출공급하기 위한 용제공급 노즐(91)과 포토레지스트액(9)를 배출공급하기 위한 레지스트액 공급노즐(92)을 구비하고 있다. 이들의 노즐(91) 및(92)는 공통의 수평 아암(106)의 선단부에 부착되어 지지되고 있다. 수평 아암(106)의 기단부는 유동기구(105)에 연결지지되어 있다. 유동기구(105)는 스탭핑 모터(도시하지 않음)를 구비하고 있으며, 이것에 의해 수평 아암(106)는 Z축주위로 유동하고, 도 5에서 도시하듯이 노즐(91), (92)가 홈 위치와 사용위치 사이를 이동하도록 되어 있다.
도 9에서 도시하듯이, 용제공급 노즐(91)은 튜브(95)를 매개로 하여 탱크(97)에 연통하고 있다. 튜브(95)에는 제어기(48)에 의해 온오프 제어되는 개폐밸브(96)이 설치되어 있다. 탱크(97)내에는 용제(8)이 수용되어 있고, 이 탱크(97)내에는 공급관(98)을 매개로 하여 가압가스 공급원(도시하지 않음)이 연통하고 있다. 가압가스 공급원의 동작은 제어기(48)에 의해 제어되도록 되어 있고, 제어기(48)이 가스압력을 제어함으로써 노즐(91)에 반송되는 용제(8)의 공급량을 조정되도록 되어 있다. 또한, 용제(8)은 예를 들어, 프로필렌글리콜모노메틸에텔(PGME), 프로필렌글리콜모노메틸에텔아세테이트(PGMEA), 유산에틸(EL), 에틸-3-에트키시프로피오네트(EEP)등이 이용된다.
레지스트액 공급노즐(92)는 용제공급 노즐(91)과 거의 동일하게 구성되어 있다. 레지스트액 공급노즐(92)는 튜브(99)를 매개로 하여 탱크(101)에 연통하고 있다. 튜브(99)에는 제어기(48)에 의해 온오프되는 개폐밸브(100)이 설치되어 있다. 탱크(101)내에는 포토레지스트액(9)가 수용되어 있고, 이 탱크(101)내에는 공급관(102)를 매개로 하여 가압가스 공급원(도시하지 않음)이 연통하고 있다. 가압가스 공급원의 동작은 제어기(48)에 의해 제어되도록 되어 있고, 제어기(48)이 가스압력을 제어함으로써 노즐(92)에 반송되는 포토레지스트액(9)의 공급량이 조정되도록 되어 있다. 또한, 포토레지스트액(9)는, 예를 들어 키논지아지드계의 감광제와 페놀계 수지(알칼리 가용)과의 혼합물을 적량의 용제(8)에 용해한 용액이 이용된다.
또한, 튜브(95)내를 흐르는 용제(8) 및 튜브(99)내를 흐르는 레지스트액(9)는, 온도조정기구(110)에 의해 목표온도로 각각 조정되도록 되어 있다. 즉 도 9에서 도시하듯이, 각 튜브(95), (99)의 외측을 포위하도록 재킷(111)이 설치되고, 각 재킷(111)에는 순환회로(112)를 매개로 하여 온도조정기구(110)에 의해 열교환매체(12)가 순환되도록 되어 있다. 순환회로(112)에는 펌프(113) 및 서모모듈(114)가 이 순서대로 설치되어 잇다. 펌프(113) 및 서모모듈(114)의 동작은 제어기(48)에 의해 제어되도록 되어 있다. 서모모듈(114)는 열교환매체(12)를 일정의 설정온도로 유지하기 위한 것이다. 또한, 각 튜브(95), (99)는 선단부의 근방까지 재킷(111)에 의해 포위되어 있다. 이로써 용제(8) 및 레지스트액(9)는 목표온도(예를 들어 23℃)로 온도조절된다.
이어, 도 10 ~ 도 14를 참조하면서 LCD기판(G)의 일련의 레지스트처리에 대해 설명한다. 특히, 기판(G)에 레지스트를 도포하는 경우에 대해 상세히 설명한다.
제 1 의 서브 아암 기구(13)에 의해 카세트(C1)으로부터 1장의 기판(G)를 꺼낸다(공정 S1). 기판(G)를 제 1 서브 아암 기구(13)으로부터 제 1 주 아암 기구(14A)로 인수인도한다. 제 1 주 아암 기구(14A)는 기판(G)를 세정 유니트(18)로 반송한다. 세정 유니트(18)에서는 기판(G)에 오존 존재하에서 자외선을 조사하고 기판(G)의 표면을 UV오존세정한다(공정 S2). 게다가 제 1 주 아암 기구(14A)에 의해 기판(G)를 세정 유니트(16)에 반송하고, 기판(G)에 세정액을 뿌리면서 회전 브러시로 기판(G)의 표면을 스크러브세정한다(공정 S3). 이어 기판(G)를 순수로 린스하여 건조시킨다(공정 S4).
이어, 제 1 주 아암 기구(14A)는 유니트(20)을 매개로 하여 기판(G)를 제 2 주 아암 기구(14B)에 인수인도하고, 제 2 주 아암 기구(14B)는 기판(G)를 어드히죤 유니트(24)에 반송한다. 어드히죤 유니트(24)에서는 기판(G)를 가열하면서 HMDS증기를 작용시켜 그 표면을 소수화한다(공정 S5). 게다가 냉각부(COL3)에서 기판(G)를 목표온도(예를 들어 23℃)로 온도조절 냉각한다. 기판(G)를 유니트(21)로 반송하고, 기판(G)에 레지스트액을 도포하여(공정 S6), 이것에 이어 기판(G)의 주변부에서 레지스트 도막(9b)를 제거한다(공정 S7). 또한, 공정 S6 및 공정 S7의 사이에서 유니트(21)의 내부는 계속 배기되고 있다.
도 11을 참조하면서 레지스트 도포 공정(S6)에 대해 더욱 상세히 설명한다. 제 2 주 아암 기구(14B)가 유니트(21)에 도착하면, 셔터(도시하지 않음)를 열고, 로봇트 아암(75)에 의해 윗덮개(71)을 컵(55)에서 떼어낸다. 제 2 주 아암기구(14B)는 홀더(14b)를 전진시켜, 기판(G)를 유니트(21)의 레지스트 도포부(22)내로 반입한다(공정 S611). 스핀척(38)을 상승시켜, 기판(G)를 홀더(14b)로부터 스핀척(38)상으로 이동재치하고, 도 12A에서 도시하듯이 스핀척(38)에 의해 기판(G)를 진공흡착 보지한다(공정 S612). 홀더(14b)를 유니트(21)에서 퇴피시키고 셔터를 닫는다.
유동기구(105)는 수평 아암(106)을 유동시켜, 양 노즐(91), (92)를 홈 위치에서 사용위치로 이동시킨다. 이로써 레지스트액 공급노즐(92)는 기판(G)의 회전중심부(제 2 부위)의 바로위에 위치되며, 용제공급노즐(91)은 기판(G)의 중간부(제 1 부위)의 바로위에 위치된다(공정 S613). 여기서 「기판(G)의 회전중심부(제 2 부위)」라고 하는 것은, 스핀척(38)에 의해 기판(G)를 회전시켰을 때의 기판(G)의 중심점과 그 근방을 포함하는 좁은 영역을 말한다. 또, 「기판(G)의 중간부(제 1 부위)」라고 하는 것은, 스핀척(38)에 의해 기판(G)을 회전시켰을 때의 기판(G)의 중심점에서 떨어진 영역으로, 또한 기판(G)의 중심점과 주변단(에지)와의 중간에 위치하는 영역을 말한다.
또한, 용제공급노즐(91)의 유로 내의 신너(8)은 목표온도인 23℃±1℃로 온도조절되어 있다. 또, 레지스트액 공급노즐(92)의 유로 내의 레지스트액(9)도 같은 목표온도로 온도조절되어 있다.
모터(51)을 기동시켜 기판(G) 및 컵(55)의 동기 회전을 개시한다(공정 S614). 기판(G)를 제1 회전속도인 200rpm으로 회전시키고 있는 동안에, 노즐(91)로부터 기판(G)의 제 1 부위를 향해 용제(8)을 약 2초간만 공급하면, 도 12B에서 도시하듯이 환상태의 용제도포영역(8a)가 형성되고, 게다가 용제도포영역(8a)는 주위로 확산한다(공정 S615).
도 13에서 도시하듯이, 용제(8)은 기판(G)의 회전중심점(Q)로부터 떨어진 점(P)에 공급된다. 예를 들어, 이 공급점(P)는 평면도(13)안에서 스핀척(38)의 거의 외주변부보다 내측의 위치로 하는 것이 바람직하다. 만약 점(P)가 스핀척(38)의 외주변부보다 외측에 위치하면, 회전중인 기판의 가장자리에 용제가 충돌하여 용제의 비산이 발생하기 때문이다. 한편, 점(P)가 스핀척(38)의 외주변부보다 내측에 위치하면 용제의 비산은 발생하지 않게 된다. 이 점(P)에 용제(8)이 공급되면, 용제(8)은 점(Q)를 중심으로하는 반경(PQ)의 원 외측을 향해 확산하고, 도 13안에 사선부에서 도시하듯이 용제 도포영역(8a)가 형성된다. 이 결과 기판(G)의 중앙에는 용제(8)이 도포되지 않는 비도포영역(39)가 형성된다.
노즐(91)로부터 기판(G)로의 용제(8)의 공급을 정지한다(공정 S616). 이어, 기판(G)상에 존재하는 용제(8)의 양을 저감시키기 위해, 도 12C에서 도시하듯이 기판(G)를 200 ~ 800rpm의 회전속도로 3 ~ 5초간 회전시킨다(공정 S617). 이 공정 (S617)에서의 기판(G)의 회전속도는 예를 들어 600rpm으로 하는 것이 바람직하고, 이 속도에서의 기판(G)의 회전시간은 약 3초간으로 하는 것이 바람직하다.
모터(51)의 구동을 정지시키고, 스핀척(38) 및 컵(55)의 동기회전을 정지하고, 기판(G)를 정지시킨다(공정 S618).
이어, 노즐(92)로부터 비도포영역(39)(기판(G)의 회전중심부 ; 제 2 부위)에 레지스트액(9)의 공급을 개시한다(공정 S619). 도 12D 및 도 14에서 도시하듯이, 레지스트액(9)는 기판(G)의 회전중심점(Q)에 공급된다. 이 때, 레지스트액(9)의 공급량을 14㏄로하고, 공급시간을 약 3초간으로 한다. 기판(G)로의 레지스트액(9)의 공급이 종료한(공정 S620) 후에는, 유동기구(105)에 위해 노즐(91), (92)를 사용위치로부터 홈 위치까지 퇴피시킨다.
도 12E에서 도시하듯이, 로봇트 아암(75)에 의해 윗덮개(71)을 컵(55)에 덮고, 윗덮개(71)로 상부 개구(55c)를 막아, 기판(G)의 주위 분위기를 기밀상태로 한다 (공정 S621). 이어, 도 12F에서 도시하듯이, 스핀척(38) 및 회전컵(55)를 상기의 제 1 회전속도보다도 큰 제 2 회전속도로 동기회전시킨다(공정 S622). 이로써 레지스트액(9)를 기판(G)상에 공급된 레지스트액(9)를 확산시켜, 이 기판(G)상에 형성된 레지스트 도막(9a)의 막 두께를 정돈한다. 또한, 공정 S622에서 제 2 회전속도는 예를 들어 600 ~ 800 rpm으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 기판(G)의 회전시에 처리실(56)내에서 발생하는 미스트는 드레인컵(80)으로 흘러서, 배기구(81)로부터 외부로 배기된다. 이 때문에 회전컵(55)의 상부측은 날아올라온 미스트에 위해 오염되는 일이 없다.
기판(G)의 회전을 정지시킨다(공정 S623). 이와 같은 일련의 공정 S611 ~ S623에 의해 기판(G)의 상면에 목표 막두께의 레지스트 도막(9a)가 형성된다(공정S6). 도 12G에서 도시하듯이, 로봇트 아암(75)에 의해 윗덮개(71)을 컵(55)로부터 떼어낸다(공정 S624). 스핀척(38)에 의한 기판(G)의 흡착보지를 해제하고, 이송기구(도시하지 않음)의 척 부에 의해 기판(G)를 집어서, 레지스트 도포부(22)로부터 반출하여, 주변 레지스트 제거부(23)로 이송한다(공정 S625).
주변 레지스트 제거부(23)에 있어서는, 기판(G)가 반입되면, 재치대를 상승시켜 재치대 위로 기판(G)를 이동재치하여 흡착부재로 기판(G)의 표면을 흡착한다. 이송기구를 주변 레지스트 제거부로부터 퇴피시키고, 재치대를 하강시켜, 4개의 노즐(23)a에 대하여 기판(G)를 위치시킨다. 이어, 각 노즐(23)을 기판(G)의 사방 가장자리를 따라 각각 이동시키면서 용제(8)을 각각 배출시켜, 기판(G)의 주변부로부터 레지스트 도막(9b)를 용해제거한다(공정 S7).
이어, 제 2 주 아암기구(14B)는 기판(G)를 유니트(21)로부터 반출하고, 이것을 유니트(26)으로 반송하여, 레지스트 도막(9a)를 소정온도 조건하에서 프리베이크(pre bake)처리를 한다(공정 S8). 또한, 냉각유니트(27)내에서 기판(G)를 냉각하고, 인터페이스부(6)을 매개로 하여 기판(G)를 노광장치(7)로 반입하고, 노광장치(7)에 의해 레지스트 도막(9a)로 패턴 노광한다(공정 S9). 이어, 기판(G)는 현상 유니트(30)으로 반송되고, 레지스트 도막(9a)에 현상액을 뿌려서 현상처리된다 (공정 S10). 그리고, 기판(G)를 순수로 린스하고(공정 S11) 건조시킨다(공정 S12). 또한, 처리가 끝난 기판(G)는 주 아암기구(14A), (14B), (14C)에 의해 차례대로 반송되고, 제 1 서브 아암(13)에 의해 반입/반출부(2)의 카세트(C2)내에 수납된다(공정 S13). 그리고, 최종적으로는 카세트(C2)와 함께 기판(G)는 시스템(1)로부터 반출되어, 다음 공정인 처리장치를 향해 반송된다.
상기 실시형태에 의하면, 기판(G)에 레지스트액(9)를 공급할 때 기판(G)는 정지(회전정지)하고 있기 때문에 레지스트액(9)가 주위로 비산하는 것이 회피되어, 파티클 발생량이 극히 적다.
또, 기판(G)에 대해 용제(8)을 공급한 후에 레지스트액(9)를 공급하기 위해, 레지스트액(9)가 기판(G)의 주변부의 구석부에까지 퍼진다. 따라서, 기판(G)상에 균일한 레지스트막을 형성하는 것이 가능해 진다. 게다가 도포액은 용제에 접촉하지 않고, 희석되지 않은 상태에서 확산되기 때문에, 보다 균일한 막 두께를 얻을 수 있다. 그리고, 기판(G)상의 용제(8)을 확산 및 저감시킨 후에 레지스트액(9)를 공급함으로써, 용제(8)을 저감시키지 않은 경우보다도 레지스트액(9)와 기판(G)와의 밀착성이 낮아지지 않고 비산하는 레지스트액(9)의 양을 줄이는 것이 가능해 진다.
또, 용제(8)은 기판(G)의 회전중심부에서 떨어진 점(P)에 공급되고, 기판(G)의 중심에는 용제(8)이 공급되지 않는다(도 13, 도 14 참조). 따라서, 기판(G)의 회전중심부에 공급하지 않는 양만큼, 용제(8)의 사용량을 적게 할 수 있다.
이상과 같이 하여, 소정의 두께의 레지스트막이 기판(G)상에 형성된 후에는 스핀척(32)와 회전컵(55)의 회전을 같이 정기시켜서, 회전컵(55)의 개구부(55a)를 폐쇄했던 덮개(71)을 개방한다. 이 때, 회전컵(55)의 처리실(56)내에서는 급기공(72)로부터 도입된 공기가 배기구(76)에서 배기되기 때문에, 처리실(56)내가 필요이상의 부압이 되지 않고, 덮개(71)을 개방할 때에 큰 힘을 요하지 않는다. 따라서, 덮개(71)을 용이하게 개방할 수 있다.
또한, 기판(G)에 대한 용제(8) 및 레지스트액(9)의 공급 타이밍과 장소는, 상기 실시형태의 경우에만 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 용제(8)과 레지스트액(9)를 기판(G)에 대해 동시에 공급하도록 해도 좋다. 용제(8) 및 레지스트액(9)의 동시공급에 의해 처리소요 시간이 더욱 단축되고 스루풋(throughput)이 향상한다. 또, 예를 들어, 용제(8)을 점(P) 이외의 다른 개소에도 공급하도록 해도 좋다. 복수 개소에 용제(8)을 공급함으로써 기판(G)의 구석구석까지 빠짐없이 용제(8)이 확산되기 때문에, 용제의 소비량을 저감시킬 수 있다.
또, 용제(8)과 레지스트액(9)를 기판(G)에 대해 동시에 공급한 후에, 기판(G)를 회전시키고 있다. 그 때문에, 레지스트액(9)를 기판(G)의 구석부(코너부)에까지 균등하게 확산시킬 수 있고, 레지스트 도막은 균일한 막두께가 된다.
게다가, 정지상태인 기판(G)에 대해 용제(8)과 레지스트액(9)를 공급하기 때문에, 용제(8)과 레지스트액(9)의 외부로의 비산량을 억제할 수 있다. 또, 덮개(71)을 컵(55)에 덮어서 처리분위기를 기밀상태로 한 후에 기판(G)를 회전시키기 때문에, 기판(G)상의 레지스트액(9)는 컵(55)의 외부나 주위로 비산하지 않아, 주위의 오염이 방지된다.
또한, 본 실시형태에서는 용제(8)을 스핀척(32)의 거의 외주 부근에 상당하는 점(P)에 공급한다고 설명했지만, 본 발명은 관계되는 예에는 한정받지 않는다. 즉, 용제(8)을 저감시키는 공정에 있어서 LCD기판의 회전속도나 그 회전시간을 변화시키면, 점(P)보다도 외측의 위치에 용제(8)을 공급하는 것도 가능하다. 그 때, 용제(8)을 기판(G)의 내접원보다도 내측에 공급하도록 하면, 기판(G)에 대해 공급하는 용제(8)의 손실을 억제하는 것이 가능해 진다.
또, 상기의 레지스트액 공급노즐(92)를 대신하여 도 15에서 도시한 리니어형 노즐(115)를 사용하는 것도 가능하다.
게다가, 상기 실시형태에서는 공급노즐(91)로부터 기판(G)의 제 1 부위에 용제(8)을 공급하는 경우에 대해 설명했으나, 본 발명은 이것에만 한정되지 않고 도 16에서 도시한 다른 타입의 공급노즐(116)을 이용하여 기판(G)에 용제(8)을 공급하도록 해도 좋다. 이 타입의 공급노즐(116)의 액배출구(119)는 환상태의 슬릿을 이루는 것이다. 액배출구(119)로부터 기판(G)를 향해 용제(8)을 배출시키면, 도 17에서 도시한 바와 같이, 기판(G)상에 점(Q)를 중심으로하는 환상태의 용제도포영역(도면에서 사선부분)(8a)가 형성된다. 게다가 노즐(116)의 하면 중앙에 노즐(120)을 설치하고, 공급구(121)을 매개로 하여 레지스트공급원(101), (256)에서 유로(122)로 레지스트액(9)를 공급하고, 레지스트액(9)를 노즐 배출구(123)으로부터 기판(G)의 회전중심점(Q)를 향해 배출시키도록 해도 좋다. 이렇게 하면, 용제(8)과 레지스트액(9)를 거의 동시에 기판(G)에 공급할 수 있고, 처리 스로풋이 더욱 향상한다. 또, 도포액이 비산하지 않을 정도의 회전속도로 기판을 회전시키도록 해도 좋다. 이와 같이 하면, 공급후의 도포액의 분포가 더욱 균일하게 되어 막두께의 균일성이 향상한다.
또, 종동 풀리(50a)와 종동 풀리(66b)의 크기를 바꾸어 스핀척(38)의 회전속도와 회전컵(55)의 회전속도를 적당하게 바꾸도록 해도 좋다. 게다가, LCD기판에만 한정되지 않고, 대경의 반도체 웨이퍼를 처리하는 경우에 있어서도 본 발명은 적용이 가능하다. 또, 용제의 저감방법으로서는, 기판의 회전에 의해 떨어내는 것에만 한정되지 않고, 가열건조 등의 다른 방법에 의해서도 같은 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 의하면, 용제를 도포한 후에 도포액이 그 위를 확산하기 때문에, 기판의 주변부, 특히 구석부까지 도포액을 충분히 확산시킬 수 있어, 이로써 균일한 막두께를 얻을 수 있다.
또, 도포액이 용제에 희석되지 않은 상태에서 확산되기 때문에 더욱 균일한 막두께를 얻을 수 있다.
또, 도포액을 기판상에 공급할 때에는 기판의 회전을 정지하여 행하기 때문에, 기판상으로부터의 처리액의 비산을 억제하는 것이 가능해 진다. 그 결과, 외부에 대한 오염을 방지하는 것이 가능해 진다. 또, 용제를 기판의 회전중심부에서 떨어진 부위에 공급하기 때문에 도포액의 용제함유량을 종래의 방법보다도 저감하는 것이 가능해 진다.
또, 기판상에 공급된 용제를 감소시킨 후에 도포액을 공급하기 때문에 도포액의 비산량이 저감되고, 도포액의 수율(원료에 대한 제품의 비율, 이하 수율이라 한다)이 높아진다.
또, 정지상태의 기판에 도포액을 공급함과 동시에 기판을 회전시켜 도포액을 확산시킬 때에는 덮개를 닫고 있는 것이 가능하기 때문에, 도포액이 처리장치 외부에 비산하여 오염하는 일이 없다. 그 때문에, 수율의 저하를 억제하는 것이 가능해 진다.
게다가, 처리액 및 처리액의 용제를 기판에 대해 동시에 공기하기 때문에, 처리액 및 처리액의 용제를 따로따로 기판에 대해 공급하는 경우보다도, 스로풋의 향상을 도모하는 것이 가능해 진다.
이어, 도 18 ~ 도 33을 참조하면서 본 발명의 제 2 실시형태에 대해 설명한다.
이 제 2 실시형태의 레지스트 도포기구(22A)는, 5개의 용제공급노즐(251a), (251b), (251c), (251d), (251e)와 1개의 레지스트 공급노즐(252)를 구비하는 노즐 어셈블리(205)를 가진다. 이와 같은 노즐 어셈블리(205)는 기판(G)의 사방 가장자리와 중앙에 동시에 용제(8)을 공급할 수 있다.
레지스트 도포기구(22A)의 거의 중앙에는 스핀척(38)이 설치되어 있다. 이 스핀척(38)의 상부는 원판 상태를 이루면, 그 직경은 기판(G)의 단변보다 작다. 스핀척(38)은 제 1 실시형태의 그것과 실질적으로 같은 것이며, 진공흡착기구와 회전구동기구와 승강기구를 구비하고 있다.
스핀척(38)을 둘러싸듯이 회전컵(55A)가 설치되어 있다. 이 회전컵(55A)는 상부 개구(55c)를 가지는 바닥있는 개구 원통상태를 이루며, 상부개구(55c)에는 덮개(231)이 덮여져 있다. 이 덮개(231)은 로봇트 아암(242)에 의해 컵(55A)로부터 떼어낼 수 있게 되어 있다.
회전컵(55A)내에는 정류판(整流板)(232)가 설치되어 있다. 이 정류판(232)는 지축(243)에 의해 덮개(231)에 연결되어, 스핀척(38)에 대면하고, 기판(G)보다도 크다. 회전컵(55A)의 바닥면과 스핀척(38)의 밑면과의 사이에는 시일 용의 링(39)가 설치되어, 스핀척(38)이 하강했을 때에 스핀척(38)의 밑면이 링(39)에 접하여, 회전컵(55A)의 내부가 기밀상태로 보지되도록 되어 있다.
회전컵(55A)를 둘러싸듯이 드레인컵(80A)가 설치되어 잇다. 이 드레인컵(80A)에는 덮개(241)이 덮여져 있다. 이 덮개(241)은 상기의 회전컵용의 덮개(231)에 지축(243)을 매개로 하여 연결되어 있다. 즉, 2개의 덮개(231), (241)과 정류판(232)는 서로 일체적으로 형성되어, 로봇트 아암(242)에 의해 덮개(231), (241) 및 정류판(232)는 컵(55A), (80A)에 대해 일괄적으로 착탈되도록 되어 있다.
덮개(231), (241)의 중앙 근방에는 공기공(234a), (244a)가 각각 형성되어 있다. 또, 회전컵(55A)의 바닥면의 주변측에는 배기공(234b)가 형성되어 있다. 또 드레인컵(80A)의 바닥면의 가장자리측에는 복수의 배액구(245a)가 설치되고, 이들의 배액구(245a)의 내주측에는 도시하지 않은 배기장치에 연통하는 배기구(245b)가 형성되어 있다.
스핀척(38)은 벨트기구(50a), (52a), (51b)를 매개로 하여 모터 구동축(51a)에 연결되어 있다. 또, 스핀척(38)은 축(43)을 매개로하여 승강 실린더(42)에 의해 승강가능하게 지지되어 있다. 승강 실린더(42)의 승강 스트로크(stroke)는, 스핀척(38)의 상면이 회전컵(55A)의 안에 위치하는 기판(G)의 처리위치로부터, 스핀척(38)의 상면이 드레인컵(80A)의 상단보다도 상측에 위치하는 기판(G)의 이동재치 위치까지이다. 또, 스핀척(38)의 흡착공(도시하지 않음)은, 중공 회전축(43) 및 진공 시일부(40)을 매개로 하여 도시하지 않은 진공흡인장치에 연통하고 있다.
회전컵(55A)는 회전통(61b)의 첨부에 연결통(60)을 매개로 하여 부착되어 있고, 회전통(61a) 및 연결통(60)의 외주에는 동일지름의 종동 풀리(50a), (66b)가 각각 부착되어 있다. 종동 풀리(50a), (66b)와 구동 풀리(51b)와의 사이에는 벨트(37a), (37b)가 각각 감겨져 걸려 있다. 공통의 모터(51)의 구동에 의해 스핀척(38)과 회전컵(55A)는 동기회전된다.
레지스트 도포기구(22A)의 한쪽측부에는 노즐 어셈블리(205)가 배치되어 있다. 도 20에서 도시하듯이, 노즐 어셈블리(205)는, 레지스트액(9)을 공급하기 위한 5개의 노즐(251a), (251b), (251c), (251d), (251e)와, 용제(8)을 공급하기 위한 1개의 노즐(252)를 지지하는 구형(矩形) 블록(250)을 구비하고 있다. 구형(矩形) 블록(250)은 가동 아암(253)의 선단에 장착되어, 가동 아암(253)은 유동기구(254)에 의해 Z축주위에 유동가능하게 지지되어 있다.
이어, 도 20 및 도 21을 참조하면서 각 노즐(251a), (251b), (251c), (251d), (251e), (252)로부터 기판(G)로의 액(용제 또는 레지스트액)의 공급에 대해 각각 설명한다.
제 1 노즐(251a)와 제 6 노즐(252)와는 구형(矩形) 블록(250)의 거의 중앙에 나란히 배설되어 있다. 제 1 노즐(251a)로부터는 기판(G)의 회전중심부 부위(Ra)에 레지스트액(9)가 공급된다. 제 6 노즐(252)로부터는 기판(G)의 회전중심부 부위(Ra)에 용제(8)이 공급된다. 이 제 6 노즐(252)로부터의 공급 용제(8)은, 레지스트액(9)의 공급전에 기판(G)를 미리 적셔 놓기 위한 소위 프리웨트(Pre-wet)용이다. 제 2, 제 3, 제 4, 제 5의 노즐(251b), (251c), (251d), (251e)는 구형(矩形) 블록(250)의 사방 가장자리에 각각 배설되어 있다. 도 21에서 도시하듯이 각 노즐(251b), (251c), (251d), (251e)로부터는 기판(G)의 사방 가장자리 영역 부위(Rb), (Rc), (Rd), (Re)(회전중심부 부위(Ra)로부터 확산되는 레지스트액(9)의 공급량이 부족한 부위)에 레지스트액(9)가 각각 공급된다. 이들 부위(Rb), (Rc), (Rd), (Re)는, 도 21 중에 이점쇄선으로 도시한 동심원(88)보다도 외측에 위치하고, 또한 도면안에 일점쇄선으로 도시한 대각선(L1), (L2)보다도 기판(G)의 회전방향(도면안에서 화살표로 도시한 시계방향)에서 조금 떨어진 곳에 위치하고 있다. 또한, 동심원(88)은 회전중심부 부위(Ra)로부터 확산되는 레지스트액(9)의 도달가능한 범위를 도시한 것으로, 이 동심원(88)의 직경은 기판(G)의 단변의 길이보다도 조금 크게 하는 것이 중요하다.
이들 부위(Rb), (Rc), (Rd), (Re)에 레지스트액(9)를 각각 공급하면, 기판(G)를 회전시켰을 때에 도 26에서 도시하듯이 각 부위(Rb), (Rc), (Rd), (Re)로부터 레지스트액(9)가 각각 확산하여, 기판(G)의 사방 가장자리 영역의 각각에 레지스트액(9)가 보충된다. 이 결과, 기판(G)의 전면에 레지스트액(9)가 빠짐없이 도달하여 균일한 막두께의 레지스트 도막(9a)가 형성된다.
도 19 및 도 20에서 도시하듯이, 제 1 ~ 제 5의 노즐(251a), (251b), (251c), (251d), (251e)는 공급튜브(255a) ~(255e)를 매개로 하여 각각 레지스트액 탱크(256)에 연통되어 있다. 각 공급튜브(255a) ~(255e)에는 석백(suck back) 밸브(V1) 공기조정 밸브(V2), 기포제거기구(257), 필터(211) 및 벨로즈(bellows) 펌프(258)이 각각 설치되어 있다.
벨로즈 펌프(258)은 구동부(259)에 의해 신축구동되도록 되어 있다. 제어기(248)은, 벨로즈 펌프(258)의 구동시간과 구동속도 및 공기조정 밸브(V2)의 개폐동작을 제어함으로써, 각 노즐(251a) ~(251e)로의 레지스트액(9)의 공급량을 조정한다. 또한, 벨로즈 펌프(258) 대신에 탱크(256)내에 가압 N2가스를 도입하여 레지스트액(9)를 반송하도록 하는 것도 가능하다. 이 경우에, 제어기(248)은 가압 N2가스의 압력을 제어함으로써 레지스트액(9)의 공급량을 조정한다.
제 6 노즐(252)는, 공급튜브(252a)와 개폐밸브(252b)를 매개로 하여 용제 탱크(252c)에 연통하고 있다. 제어기(248)은, 용제 탱크(252c)내에 도입하는 가압 N2가스의 압력을 제어함으로써 레지스트액(9)의 공급량을 조정한다.
또한, 드레인컵(80A)의 외측에는 주변도막 제거부(23A)가 설치되어 있다. 이 주변도막 제거부(23A)는, 도 22 및 도 23에서 도시하듯이 에지 리무버(260)을 구비하고 있다. 에지 리무버(260)의 양단부에는 아암(261a), (261b)가 부착되어 있고, 이 아암(261a)는 구동기구(262)에 의해 수평방향으로 이동함으로써, 아암(261b)도 가이드 레일(263)을 따라 수평방향으로 이동하고, 이렇게 해서 에지 리무버(260)이 기판(G)의 외주 끝 가장자리에 근접했다 멀어졌다 하도록 되어 있다.
에지 리무버(260)은 기판(G)의 장변보다 조금 길고, 그 양단에는 단판(264a), (264b)가 부착되어 있다. 에지 리무버(260)의 상면에는 슬릿 상태의 용제 배출부(266)이 설치되고, 이로써 기판(G)의 상면의 가장자리 끝에서 조금 내측으로 들어온 부분에 용제(8)을 내뿜도록 되어 있다.
에지 리무버(260)의 상부에는 석영제인 헤더(header)(265)이 설치되어 있다. 헤더(265)은, 가요성 밸브(252d)를 매개로 하여 용제 탱크(252c)에 연통하고, 그 내부는 용제(8)로 항상 충만되어 있다. 게다가 헤더(265)의 바닥면에는 용제 배출부(266)에 대응하여 슬릿(265a)가 형성되어 있다.
에지 리무버(260)의 밑면에는 슬릿상태의 용제 배출부(267)이 설치되어, 기판(G)의 가장자리 끝 근방 부위에 용제(8)을 취착하고, 불필요한 레지스트 도막(9b)를 제거하도록 되어 있다. 또, 에지 리무버(260)의 측면에는, 흡인배출로를 이루는 복수의 흡인관(268)이 간격을 두고 접속되어 있으며, 도시하지 않은 흡인 펌프에 의해 흡인관(268)을 통해 레지스트 용해물 및 과도한 용제를 흡인배출하도록 되어 있다.
이어, 도 24A ~ 도 24D 및 도 25A ~ 도 25C를 참조하면서 상기 장치의 동작에 대해 설명한다.
도 24A에서 도시하듯이, 컵(55A), (80A)로부터 덮개(231), (241)을 떼어낸 상태에서, 스핀척(38)을 상승시켜 주 아암기구의 홀더(14b)로부터 스핀척(38)로 기판(G)를 이동재치하여, 이것을 흡착보지한다.
도 24B에서 도시하듯이, 스핀척(38)을 하강시켜, 제 6 노즐(252)로부터 기판(G)의 회전중심부 부위(Ra)에 용제(8)을 공급한다. 용제(8)로서는 예를 들어 PGME와 PGMEA와의 혼합물을 이용한다. 이어, 제 1 노즐(251a)로부터 레지스트액(9)를 기판(G)의 회전중심부 부위(Ra)에 공급한다. 게다가, 제 2 ~ 제 5 노즐(251b) ~(251e)로부터 기판(G)의 사방 가장자리 근방부위(Rb), (Rc), (Rd), (Re)에 레지스트액(9)를 공급한다. 이 경우에, 제 1 노즐(251a)로부터의 레지스트액(9)의 공급량은 제 2 ~ 제 5 노즐(251b) ~(251e)로부터의 레지스트액(9)의 공급량보다 많다. 또한, 기판(G)에 대한 레지스트액(9)의 공급이 완료하면, 구형(矩形) 블록(250)을 도 25A에서 도시한 사용위치로부터 도 25B에서 도시한 홈위치로 퇴피시킨다. 게다가, 주변 레지스트 제거기구(23A)를 홈위치로부터 사용위치로 이동시킨다.
도 24C에서 도시하듯이, 컵(55A), (80A)에 덮개(231), (241)을 부착하고, 스핀척(38) 및 회전컵(55A)을 200 ~ 800rpm의 회전속도로 동기회전시킨다. 게다가 스핀척(38) 및 회전컵(55A)를 500 ~ 1500rpm의 회전속도로 동기회전시킨다.이로써 도 26에서 도시하듯이, 회전중심부 부위(Ra)로부터는 레지스트액(9)가 이점쇄선으로 포위된 동심원 영역(88)에 확산되고, 사방 가장자리 근방부위(Rb), (Rc), (Rd), (Re)로부터는 레지스트액(9)가 각각 이점쇄선으로 포위한 영역(89)에 확산된다. 게다가, 기판(G)를 1000 ~ 1500rpm의 회전속도로 회전시킨다. 이로써 레지스트액(9)가 기판(G)의 전면에 완전히 도달함과 동시에, 레지스트막의 막두께가 균일하게 정돈된다. 이렇게 하여 기판(G)의 전면에 걸쳐 레지스트액(9)가 빠짐없이 공급되어, 균일한 막두께의 레지스트 도막(9a)가 형성된다.
상기 레지스트 도포공정에 있어서는, 공기공(234a)로부터 도입된 공기가 배기공(234b)로부터 배기되고, 이로써 비산한 레지스트액의 미스트가 공기와 함께 회전컵(55A)로부터 배출된다. 또, 회전컵(55A)의 회전에 의해, 공기공(244a)로부터 드레인컵(80A)내로 들어간 공기가 배기구(245b)로부터 배기되고, 이로써 회전컵(55A)의 회전시에 배기공(234b)를 매개로 하여 드레인컵(80A)내로 흘러들어간 레지스트액(9)의 미스트는 배기구(245b)로부터 배출된다.
도 24D 및 도 25B에서 도시하듯이, 컵(55A), (80A)로부터 덮개(231), (241)을 떼어내, 주변 레지스트 제거기구(23A)를 기판(G)의 장변에 위치를 맞추고, 기판(G)의 주변부에 용제(8)을 취착하고 불필요한 레지스트 도막(9b)를 기판(G)로부터 제거한다. 게다가, 도 25C에서 도시하듯이, 기판(G)의 방향을 90° 바꾸어, 주변 레지스트 제거기구(23A)를 기판(G)의 단변에 위치를 맞추고, 기판(G)의 주변부에 용제(8)을 취착하고 불필요한 레지스트 도막(9b)를 기판(G)로부터 제거한다.
상기 실시형태의 장치에 의하면, 레지스트액의 폐기량이 감소하기 때문에, 종래 장치보다도 레지스트액(9)의 총소비량을 대폭으로 저감할 수 있다. 즉, 기판(G)의 사방 가장자리 부위(Rb) ~(Re)에 레지스트액(9)를 각각 공급함으로써, 회전중심부위(Ra)로부터의 레지스트액(9)의 공급부족이 보충된다. 이 때문에 종래와 같은 정도의 스루풋으로 한 경우에는, 종래의 방법보다도 레지스트액의 소비량이 절감된다.
또한, 상기 실시형태의 장치에서는, 레지스트 도포처리와 주변 레지스트 제거처리를 같은 스핀척 상에서 행하도록 했기 때문에, 종래의 장치와 비교하여 장치가 소형화한다. 또, 레지스트액의 공급위치나 공급타이밍은 상기 실시형태에만 한정되는 것은 아니고, 기판의 복수부위에 동시에 레지스트액을 공급하도록 해도 좋다. 이와 같이 하면 스루풋의 향상이 예상된다.
또한, 도(27A)에서 도시하듯이, 기판(G)의 회전중심부 부위(Rf)에 레지스트액(9)를 공급함과 동시에, 부위(Rf)를 중심으로 점대칭으로 위치하는 2개의 부위(Rg), (Rh)에 레지스트액(9)를 공급하도록 해도 좋다.
또, 도 27B에서 도시하듯이, 기판(G)의 회전중심부 부위(Ri)에 레지스트액(9)를 공급함과 동시에, 부위(Ri)를 중심으로 점대칭으로 위치하고 또한 대각선(L1), (L2)상에 위치하는 4개의 부위(Rj), (Rk), (Rl), (Rm)에 레지스트액(9)를 공급하도록 해도 좋다.
또, 도 27C에서 도시하듯이, 기판(G)의 회전중심부 부위(Rn)에 레지스트액(9)를 공급함과 동시에, 부위(Rn)을 중심으로 방사선상태로 뻗어 나온 띠상태 부위(Ro), (Rp), (Rq), (Rr)에 레지스트액(9)를 공급하도록 해도 좋다. 또한,띠상태 부위의 수는 4개에 한정되지 않고 1개, 2개, 3개, 5개, 6개로 해도 좋다. 또한, 이 도 27C에서 도시한 예에서는, 이들 부위(Ro), (Rp), (Rq), (Rr)에 대응하는 형상의 배출구를 가지는 슬릿노즐을 이용할 수 있다. 또, 4개의 노즐(도시하지 않음)을 회전중심부로부터 주변부를 향해 각각 이동시킴으로써 띠상태 부위(Ro), (Rp), (Rq), (Rr)에 레지스트액(9)를 공급하도록 해도 좋다.
또한, 도 27D에서 도시하듯이, 기판(G)의 회전중심부 부위(Rs)에 레지스트액(9)를 공급함과 동시에, 부위(Rs)를 중심으로 하는 동심원상의 환상태 부위(Rt)에 레지스트액(9)를 공급하도록 해도 좋다. 환상태 부위(Rt)의 레지스트액(9)는, 부위(Rs)로부터 확산되는 레지스트액(9)를 보충하기 때문에, 그 결과, 기판(G)의 사방 가장자리 영역까지 레지스트액(9)가 도달한다. 또한, 이 도 27D에서 도시한 예에서는, 이 환상태 부위(Rt)에 대응하는 형상의 배출구를 갖는 슬릿노즐을 이용할 수 있다(도 16 참조). 또, 이들 공급부위로의 레지스트액 공급량을 장소에 맞추어 조절함으로써, 또한 레지스트 소비량을 저감할 수 있다. 또, 노즐 어셈블리(205)와 같은 복수의 공급구를 가지는 공급기구의 경우, 모든 공급구에 레지스트액의 공급량을 조절하는 기구(도시하지 않음)를 구비하도록 해도 좋다.
이어, 도 28 ~ 도 30을 참조하면서 다른 실시형태에 대해 설명한다.
본 실시형태의 장치에서는, 도포액 공급부(노즐 어셈블리)(270) 및 주변 레지스트 제거부(에지 리무버)(271)을 공통의 구동기구(273)에 의해 이동시키도록 하고 있다. 에지 리무버(271)은 곱자상태의 노즐 어셈블리(270)의 한쪽에 부착되어 있다. 노즐 어셈블리(270)의 다른 한쪽에는 구동기구(273)의 가동 아암(272)가 부착되어 있다. 구동기구(273)은, 노즐 어셈블리(270) 및 에지 리무버(271)을 지지하는 가동아암(272)와, 이 가동아암(272)를 Y축 방향으로 안내이동시키는 막대나사 기구(274)와, 가동아암(272)를 승강시키는 승강기구(도시하지 않음)을 구비하고 있다. 노즐 어셈블리(270) 및 에지 리무버(271)은, 비사용시에는 컵(55A)의 외측의 홈위치에서 대기하고, 사용할 때에는 컵(55A)의 상측에 이동되도록 되어 있다.
에지 리무버(271)은, 기판(G)의 장변보다 조금 길고, 헤더에 연통하는 다수의 배출구(271a)가 하부에 개구하고 있다. 에지 리무버(271)의 헤더에는 용제 공급원으로부터 용제(8)이 공급되고, 헤더 내는 용제(8)로 항상 충만되어 있다.
노즐 어셈블리(270)은 상술한 노즐 어셈블리(250)과 실질적으로 같다. 단, 노즐 어셈블리(270)의 용제 노즐(252)와 에지 리무버(271)과는 공급회로의 일부를 공용하고 있다. 즉, 튜브(252a)는, 용제노즐(252)에 연통함과 동시에, 분기로(도시하지 않음)를 매개로 하여 에지 리무버(271)의 헤더(도시하지 않음)에 연통하고 있다.
상기 장치의 동작에 대해 설명한다.
레지스트 도포공정에 있어서는, 노즐 어셈블리(270)을 기판(G)의 상측에 위치시켜, 레지스트액(9)를 기판(G)의 적소에 각각 공급하고, 기판(G)를 스핀회전시킨다. 한편, 주변 레지스트 제거공정에 있어서는, 덮개(231), (241)을 컵(55A), (80A)로부터 떼어내고, 에지 리무버(271)을 기판(G)의 일변을 따라 위치시켜, 배출구(271a)로부터 용제(8)을 기판(G)의 가장자리부를 향해 내뿜는다. 도 30에서 도시하듯이, 에지 리무버(271)로부터는 용제(8)이 수두압(水頭壓)(또는 가압가스의 압력)에 의해 기판(G)의 주변부에 취착된다. 이 용제(8)의 취착에 의해 레지스트 도막(9a)가 용해하고, 이 용해물이 하측의 드레인컵으로 흘러 내린다. 이렇게 해서 기판(G)의 장변으로부터 레지스트 도막(9a)을 제거한 후에, 기판(G)의 방향을 90°바꾸고, 게다가 에지 리무버(271)에 의해 기판(G)의 단변으로부터 레지스트 도막(9a)를 제거한다.
상기 실시형태에서는, 노즐 어셈블리(270)과 에지 리무버(271)에서 구동기구(273)을 공용하고 있기 때문에, 더욱 장치를 소형화할 수 있다. 또, 노즐 어셈블리(270)에 에지 리무버(271)을 부착하고 있기 때문에, 용제(8)의 공급회로의 일부를 공용할 수 있어, 전체적으로 용제의 공급회로를 짧게 할 수 있다.
이어, 도 31 ~ 도 33을 참조하면서 다른 실시형태에 대해 설명한다.
이 실시형태의 장치에서는, 에지 리무버(208)((208a) ~(208d))를 회전컵(55A)의 덮개(231)에 부착하고 있다. 도 32에서 도시하듯이, 에지 리무버(208)은, 정류판(232)의 장변보다 짧은 1쌍의 슬릿부(208a), (208c)와, 정류판(232)의 단변보다 짧은 1쌍의 슬릿부(208b), (280d)를 구비하고 있다. 이들 슬릿부(208a) ~(208d)의 내측끝은 보지 기체(基體)(281)의 주변부에 부착되고, 외측끝은 회전컵(55A)의 덮개(231)에 부착되어 있다.
도 33에서 도시하듯이, 각 슬릿부(208a) ~(208d)는, 정류판(232)의 가장자리부의 상측에 설치된 판자 상태의 기체(基體)(280)을 구비하고 있다. 이 기체(基體) (280)의 양단에는 단판(端板)(280a)가 설치되어 있다. 정류판(232) 상면의 가장자리 끝에 용제를 취착하기 위한 슬릿상태의 배출구(282)가 기체(基體)(280)을 관통하여 내측에 돌출하고, 또한 기체(基體)(280)의 긴쪽방향으로 뻗어나와 있다. 또, 기체(基體)(280)의 상측에는 용제(8)을 저장하기 위한 헤더(283)이 설치되어 있다. 또한, 용제 배출구로서는 슬릿대신에 세공(細孔)으로 해도 좋다.
보지 기체(基體)(281)의 내부에는, 각 헤더(283)에 용제(8)을 공급하기 위한 용제 공급로(284a) ~(284d)가 각각 형성되어 있다. 이들 용제 공급로(284a) ~(284d)는 용제 공급관(285)에 연통하고 있다. 이 용제 공급관(285)의 다른 끝쪽은 용제공급 튜브(252a)에 접속되어 있다. 또, 보지 기체(基體)(281)에는 공기공(234a)에 상당하는 도시하지 않은 공기공이 형성되어 있다.
이어, 상기 장치의 동작에 대해 설명한다.
도막 제거부(208)은 덮개(231)의 일부로서 기능하고, 회전컵(55A)와 덮개(231)과는 일체가 되어 회전한다. 그리고 기판(G)의 가장자리부의 레지스트 도막(9a)를 제거할 시에는, 회전컵(55A)내를 기밀상태로 하고, 용제 배출부(282)로부터 용제(8)을 정류판(232) 표면의 각 변의 가장자리 끝 근방 거의 전역에 걸쳐 내뿜는다.
이렇게 하면, 도 33에서 도시하듯이, 용제(8)의 흐름의 방향이 정류판(232)의 가장자리 끝에 의해 바꾸어 지고, 정류판(232)의 하측으로부터 내측을 향해 흐르게 되고, 이렇게 해서 기판(G)의 가장자리부에 용제(8)이 내뿜어진다. 그리고 이 용제(8)의 내뿜는 힘에 의해 레지스트 도막(9a)가 용해하고, 그 용해물은 하측의 드레인으로 배출된다.
상기 실시형태에서는, 에지 리무버(208)과 덮개(231)에서 이동기구를 공용하고 있기 때문에, 장치가 소형화한다. 또, 레지스트액(9)의 도포처리를 행한 후, 회전컵(3)내에 기판(G)를 정지한 상태에서, 그대로 연속하여 레지스트막의 제거처리를 행할 수 있다.
또, 덮개(231)은 회전컵(55A)와 동기회전시키기 때문에, 각 슬릿부(208a) ~(208d)를 정류판(232)(기판(G))의 각 변에 대해 대응하도록 위치시켜 두면, 처리중에 각 슬릿부(208a) ~(208d)가 정류판(232)에 대해 위치가 어긋날 위험은 없다. 이렇게 미리 위치를 맞추어 두면, 레지스트액(9)의 도포처리를 행한 후에 위치를 맞추는 일 없이, 그대로 연속하여 레지스트 도막(9a)의 제거처리를 행할 수 있다는 이점이 있다.
이어, 도 34 ~ 도 43를 참조하면서 본 발명의 제 3 실시형태에 대해 설명한다.
도 34에서 도시하듯이, 도포 유니트(22B)는, 스핀척(38)과, 회전컵(55)와, 덮개(71)과, 로봇트 아암(75)와, 드레인컵(80)과, 용제공급 노즐(370)과, 레지스트액 공급노즐(380)을 구비하고 있다.
노즐(370), (380)의 각 공급로에는 온도조정기구(391)이 설치되고, 용제(8) 및 레지스트액(9)을 목표온도(예를 들어 23℃)로 순환공급하는 온도조정기구(391)이 설치되어 있다.
용제공급 노즐(370)은, 도 35에서 도시하듯이, 슬릿상태의 액 배출공(370a)를 가지고 있다. 이 용제공급 노즐(370)은 개폐밸브(96)을 가지는 회로를 매개로 하여 용제탱크(97)에 연통하고 있다. 도 34에서 도시하듯이, 용제탱크(97)내에 가압 N2가스를 공급함으로써 용제(8)이 탱크(97)로부터 노즐(370)을 향해 공급된다.
도 36에서 도시하듯이, 용제공급 노즐(370)은, 회전컵(55)를 사이에 끼우듯이 설치된 1쌍의 지지부재(375)에 축(374)를 매개로 하여 부착되어 있다. 회전컵(55)의 외측에는 각 지지부재(375)를 안내하는 1쌍의 풀리(379)이 부착되어 있고, 풀리(379)에는 벨트(377)이 감겨 걸려져 있다. 벨트(377)에는 지지부재(375)가 부착되어 있고, 또 한쪽의 풀리(379)는 모터(378)의 구동축에 부착되어 있다. 따라서, 모터(378)의 회전구동에 의해 1쌍의 지지부재(375)는, 각각 가이드부재(376)에 안내되면서 Y축방향으로 이동되고, 이에 따라서 용제공급 노즐(370)이 이동되도록 되어 있다. 그리고, 용제공급 노즐(370)은, 기판(G)의 상측 어느 한쪽의 배출위치와, 기판(G)로부터 떨어진 이점쇄선으로 도시한 퇴피위치와의 사이를 이동가능하게 되어 있다. 또한, 노즐(370)의 길이는 기판(G)의 장변보다도 조금 길다.
도 37에서 도시하듯이, 용제공급 노즐(370)에는, 그 하측에 받이부재(395)가 부착가능하게 되어 있다. 받이부재(395)는, 노즐(370)의 하측에 설치된 접시형상의 본체(395a)와, 본체로부터 수직방향으로 뻗은 지지부재(396)과, 본체에 설치된 배액구(398)로 이루어져 있다. 용제공급 노즐(370)으로의 받이부재(395)의 착탈은, 잠금기구(392)에 의해 행해진다. 잠금기구(392)는, 용제노즐(370)의 길이방향 양측면에 돌출한 축(393)에 잠금위치와 해제위치 사이를 회동가능하게 설치된 잠금부재(394)와, 받이 부재(395)의 지지부재(396)에 들어가고 나오는 것이 가능하게 설치되어, 잠금부재(394)의 구멍에 끼워짐 빠짐이 가능한 지지핀(397)를 가지고 있다. 그리고, 잠금부재(394)를 잠금위치로 회동하고, 지지핀(397)을 돌출시켜 잠금부재(394)의 구멍에 끼워 통과시킴으로써 잠기고, 받이부재(395)가 용제공급 노즐(370)과 일체적으로 이동가능하게 된다. 잠금을 해제하는 경우에는, 지지핀(397)을 빼 넣어서 잠금부재(394)를 해제위치에 회동시킨다. 또한, 배액구(398)에는 튜브(399)가 접속되어 있고, 받이부재(395)에 저장된 용제를 이 튜브(399)를 매개로 하여 도시하지 않은 회수부로 배출한다.
레지스트액 공급노즐(380)은, 튜브(381)을 매개로 하여 레지스트액 탱크(256)에 연통하고 있다. 이 튜브(381)에는, 석백 밸브(V1), 공기조정 밸브(V2), 기포제거 기구(257), 필터(211), 벨로즈 펌프(258)이 설치되어 있다. 벨로즈 펌프(258)에 의해 종래보다도 소량의 레지스트액(9) 공급량으로 제어가 가능하다.
도 38에서 도시하듯이, 레지스트액 공급노즐(380)은, 지지부재(403)에 지지되어 있고, 이동기구(400)에 의해 홈위치와 사용위치 사이에서 이동할수 있도록 되어 있다. 이동기구(400)은, 구동기구(도시하지 않음)와, 구동기구의 회전을 전달하는 회전축(402)와 회전축(402)의 상부에 부착되어, 회전축(402)와 함께 회전하는 가동부재(401)을 가지고 있다. 가동부재(401)에는 지지부재(403)이 고정되어 있다.
이어, 도 39를 참조하면서 상기 장치 22B를 이용하여 기판(G)에 레지스트 도막을 형성하고, 게다가 기판(G)의 주변부로부터 레지스트 도막을 제거하는 경우에 대해 설명한다.
먼저, 회전컵(55)로부터 윗덮개(71)을 떼어내고 상부개구(55c)를 개방한다. 기판(G)를 제 2 주 아암기구(14B)에 의해 장치(22B)에 반입한다(공정 S31). 기판(G)를 주 아암기구(14B)의 홀더로부터 스핀척(38)상에 이동재치하고, 스핀척(38)에 의해 진공흡착 보지한다(공정 S32).
노즐(370)을 홈위치로부터 사용위치로 이동시킨다(공정 S33). 기판(G)의 회전을 정지한 상태에서, 기판의 한쪽 끝에서 다른 쪽 끝까지 스캔시키면서 액배출공(370a)로부터 기판표면에 도포액인 용제(8)로서 예를 들어 PGME 와 PGMEA와의 혼합용제를 예를 들어 26.7㏄ 공급하여, 프리웨트처리를 행한다(공정 S34). 이 처리에 의해 그 후에 공급되는 레지스트액(9)가 확산되기 쉬워 지고, 레지스트액(9)의 사용량을 감소시킬 수 있다. 또한, 용제 공급후, 100 ~ 600rpm 정도의 저속으로 기판(G)를 회전시켜도 좋다. 또, 이 때, 잠금기구(392)는 해제되어 있고, 받이부재(395)는 퇴피위치에 위치하고 있다.
이어, 노즐(370)을 퇴피위치로 이동시키고(공정 S35), 이동기구(400)에 의해 지지부재(403)을 Y축방향으로 이동시키고, 노즐(380)을 홈위치에서 사용위치로 이동시킨다(공정 S36). 그리고, 스핀척(38) 및 회전컵(55)를 제 1 회전수로서 예를 들어 600 ~ 1000rpm의 속도로 회전시키면서, 기판상에 형성된 용제막(8a)의 중심에 노즐(380)으로부터 레지스트액(9)를 예를 들어 10㏄ 배출시킨다(공정 S37). 이 때 레지스트액의 공급은 도포된 용제(8)이 건조하기 전에 행하여 진다. 이와 같이, 비교적 저속으로 기판(G)를 회전시킴으로써 레지스트액을 기판표면 전체에 걸쳐 확산시킬 수 있기 때문에, 레지스트액(9)의 사용을 보다 감소시킬 수 있다.
레지스트액 배출 종료후, 스핀척(38) 및 회전컵(55)의 회전을 정지하고, 노즐(380)을 홈위치로 퇴피시킨다(공정 S38). 그리고, 로봇트 아암(75)에 의해 덮개(71)를 회전컵(55)에 얹고, 그 개구부(55c)를 덮개(71)로 폐쇄한다(공정 S39).
이 상태에서 스핀척(38) 및 회전컵(55)를 또한 고속의 제 2 회전수로서 예를 들어 1350rpm 으로 15초간만 회전시켜 레지스트 도막(9a)의 막두께를 정돈한다(공정 S40). 이와 같이 밀폐상태로 기판(G)를 회전시킴으로써 보다 균일한 막을 얻을 수 있다.
이 공정 종료 후, 스핀척(38) 및 회전컵(55)의 회전을 정지시키고(공정 S41), 스핀척(38)을 상승시킨다(공정 S42). 그리고, 재차 노즐(370)을 기판 상측의 배출위치로 이동시킨다(공정 S43). 이 경우에, 잠금기구(392)에 의해 받이부재(395)를 잠그고, 받이부재(395)를 함께, 도 40에서 도시하듯이, 기판(G)의 주변부에 대응하는 위치에 액배출구(370a)가 오도록 이동시켜, 기판(G)를 노즐(370)과 받이부재(395)에 끼워 놓은 상태로 한다. 그리고, 노즐(370)의 액배출구(370a)로부터 용제(8)을 기판(G)의 주변부에 공급하여, 주변부의 레지스트 도막(9a)을 제거하고, 받이부재(395)에서 용제 및 레지스트 용해물을 회수한다(공정 S44).
기판(G)의 일변의 주변부 세정이 종료하면, 스핀척(38)을 90°회전시키고, 기판(G)의 다음 변에 대해 동일하게 주변 레지스트의 제거를 행한다. 이것을 4회 반복함으로써 기판(G)의 전체 변의 주변부로부터 레지스트 도막(9a)가 제거된다.
이상과 같이 하여 도포처리를 위한 일련의 처리가 종료한 후, 로봇트 아암(75)에 의해 덮개(71)을 대기위치로 이동시키고, 기판(G)를 유니트(22B)로부터 반출하여, 다음 공정인 가열유니트(26)으로 반송한다(공정 S45).
이와 같이 본 실시형태에서는, 프리웨트에 의해 레지스트액의 소비량을 저감할 수 있음과 동시에, 용제(8)의 프리웨트에 이용하는 노즐(370)에 의해 기판(G)의 주변부 세정이 가능해지므로, 기판 주변부의 부착물을 세정하기 위한 부가적인 설비가 불필요하고, 설비의 대형화를 피할 수 있다. 또, 종래와 같은 기판 주변을 따라 이동하는 노즐이 불필요해지므로 노즐의 위치정밀도의 문제가 해소된다.
또, 구형(矩形) 위의 LCD기판(G)에 대해, 슬릿상태의 액배출구(370a)를 가지는 노즐(370)을 이용하여 기판(G)를 회전시키면서 기판의 각 변의 주변부를 세정하므로, 1회의 용제배출로 기판(G)의 일변을 세정할 수 있고, 용제공급 노즐(370)을 이동시키지 않고 기판(G)의 회전만으로 기판 주변부를 세정할 수 있어, 대단히 효율이 좋다. 게다가, 세정시에 스핀척(38)을 상승시킴으로써, 기판(G)를 상승시킨 상태에서 세정처리를 행하기 때문에, 노즐(370)과 컵(55)가 서로 간섭하는 일 없이 기판 주변부의 세정을 행하기 쉽게 할 수 있다. 또한, 기판 주변부의 세정시에 받이부재(395)를 기판(G)의 하측에 위치시키기 때문에, 기판 주변부의 세정에 이용한 용제를 재빨리 회수할 수 있어, 용제의 악영향을 억제할 수 있다.
또한, 도 41에서 도시하듯이, 독립한 복수의 액 유통 라인(471)을 가지고, 이들 복수의 액 유통 라인(471)에 대응하여 복수의 슬릿상태의 액배출구(470a)를 가지는 용제공급 노즐(470)을 이용할 수도 있다. 이 경우에는 각 액 유통 라인(471)의 유량을 독립적으로 제어하여, 기판 주변부의 세정성을 높일 수 있다.
또, 도 42에서 도시하듯이, 긴 본체(572)와 그 하부에 설치된 복수의 배출구(571)을 가지고, 샤워상태로 용제(8)을 배출시키는 노즐(570)이라도 좋다.
또한, 레지스트액 공급노즐도 상기예에만 한정되지 않고, 분무상태로해서 공급하는 노즐이라도 좋고, 슬릿노즐이라도 좋다. 슬릿노즐을 이용하는 경우에는, 도 43에서 도시하듯이, 용제공급 노즐(670)과 레지스트액 공급노즐(680)을 일체화한 것을 이용할 수도 있다.
또, 상기 실시형태에서는, 처리용기를 기판과 함께 회전시키고 있으나, 기판만을 회전시켜도 좋다. 게다가, 상기 실시형태에서는, 도포액으로서 레지스트액을 이용한 경우에 대해 설명했으나, 다른 도포액에 적용하는 것도 가능하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 도막 형성방법에서,레지스트 도포처리에 앞서 기판에 용제를 공급하는 프리웨트에 사용하는 것과 동일한 노즐을 사용하여 기판 주변부로부터 도막을 제거함으로써, 레지스트액의 소비량을 저감하고, 기판 주변부의 부착물을 세정하기 위한 부가적인 전용설비가 불필요해짐으로써 장비의 소형화를 도모할 수 있다. 게다가 종래와 같이 기판 주변을 따라 이동하는 노즐이 불필요해 지기 때문에 기판에 대한 노즐의 위치맞춤이 용이해 지는 효과가 있다.
또한, 용제를 도포한 후에 도포액이 그 위를 확산하기 때문에 기판의 주변부와 구석부까지 도포액이 확산할 수 있어 균일한 막두께의 도막 형성이 가능하고, 도포액이 용제에 희석되지 않은 상태에서 확산하기 때문에 더욱 균일한 막 두께의 도막을 얻을 수 있다.
또한 회전을 정지하여 도포액을 기판상에 공급함으로써 기판으로부터의 처리액의 비산을 억제하고 외부에 대한 오염을 방지할 수 있고, 기판을 회전시켜 도포액을 확산시킬 때에 덮개를 덮는 것이 가능하므로 도포액이 처리장치외부에 비산하여 오염되는 일이 없고 수율의 저하를 억제하는 것이 가능하다.
또, 기판의 사방 가장자리 부위 4곳에 레지스트액을 각각 공급함으로써 회전중심부로부터의 레지스트액의 공급부족이 보충되어 레지스트액의 소비량이 절감된다.
Claims (18)
- (a) 기판을 스핀척에 의해 회전가능하게 보지하는 공정과,(b) 도막의 용제를 상기 기판의 회전중심으로부터 떨어진 기판상의 제 1 부위에 공급하는 공정과,(c) 도포액을 상기 기판의 회전중심부인 제 2 부위에 공급하는 공정과,(d) 상기 기판을 회전시킴으로써 상기 도포액을 제 2 부위로부터 그 주변부위에 확산시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 공정(d)에서는, 기판상에서 도포액과 용제가 서로 섞여 있지 않은 상태로 기판의 회전을 개시하는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 공정(c)에서는 기판은 회전을 정지하고 있거나, 또는 상기 공정(d)에서의 기판의 회전속도보다 작은 회전속도로 기판을 회전시키는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 제 1 부위로부터 기판의 회전중심까지의 거리는 기판의 회전중심으로부터 기판의 가장자리 끝까지의 최단거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 공정(b)와 상기 공정(c)를 동시 병행적으로 행하는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 1에 있어서,기판상의 용제를 확산시키는 공정(e)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 1에 있어서,기판상의 용제의 양을 감소시키는 공정(f)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 7에 있어서,상기 공정(d)에서는, 스핀척과 동기로 회전하는 기밀용기 내에 기판이 수용되어 있는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- (g) 구형(矩形) 기판을 스핀척에 의해 회전가능하게 보지하는 공정과,(h) 도포액을 상기 기판의 회전중심부로부터 떨어진 기판상의 제 1 부위에 공급하는 공정과,(i) 도포액을 상기 기판의 회전중심부인 제 2 부위에 공급하는 공정과,(j) 상기 기판을 회전시킴으로써, 상기 도포액을 상기 제 1 및 제 2 부위로부터 각각의 주변부위로 확산시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 9에 있어서,상기 제 1 부위는 구형(矩形) 기판의 구석부(코너부)인 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 9에 있어서,상기 제 1 부위는 구형(矩形) 기판의 대각선 상에 있는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 9에 있어서,상기 제 1 부위는 대각선으로부터 구형(矩形) 기판의 회전방향의 전방으로 조금 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 9에 있어서,상기 제 1 부위는 구형(矩形) 기판의 회전중심을 중심으로 하는 환상태(고리모양)의 영역인 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 9에 있어서,상기 제 1 부위는 복수이고,이 복수의 제 1 부위 각각으로의 도포액의 공급량은 각 부위에 맞추어 각각 조정되는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- (k) 스핀척에 의해 기판을 회전가능하게 보지하는공정과,(l) 용제 공급노즐에 의해 도막의 용제를 상기 기판상에 공급하는 공정과,(m) 도막 공급노즐에 의해 도포액을 상기 기판상에 공급하는 공정과,(n) 상기 기판을 회전시킴으로써 상기 도포액을 확산시키는 공정과,(p) 상기 용제공급 노즐에 의해 상기 용제를 상기 기판의 주변부에 공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 15에 있어서,상기 공정(m)에서는 기판을 회전시키면서 기판의 회전중심부에 도포액을 공급하는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 15에 있어서,상기 공정(p)는 상기 공정(n)보다도 기판을 높은 곳에 위치시키는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
- 청구항 15에 있어서,상기 공정(p)에서는 용제를 회수하는 것을 특징으로 하는 도막형성방법.
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1997-238953 | 1997-08-19 | ||
| JP23895397A JP3416031B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 塗布膜形成装置 |
| JP31463397A JP3421557B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 塗布処理方法および塗布処理装置 |
| JP97-314633 | 1997-10-31 | ||
| JP1997-314633 | 1997-10-31 | ||
| JP1997-026726 | 1998-01-23 | ||
| JP98-26726 | 1998-01-23 | ||
| JP10026726A JPH11207250A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990023710A true KR19990023710A (ko) | 1999-03-25 |
| KR100588110B1 KR100588110B1 (ko) | 2007-04-25 |
Family
ID=27285514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980033631A KR100588110B1 (ko) | 1997-08-19 | 1998-08-19 | 도포막형성장치및방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6165552A (ko) |
| KR (1) | KR100588110B1 (ko) |
| TW (1) | TW442336B (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100772245B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2007-11-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토레지스트 도포 방법 |
| KR20140147540A (ko) * | 2013-06-20 | 2014-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 수지 도포 장치, 그 방법 및 이를 이용한 수지층 형성방법 |
| KR20180001630A (ko) * | 2016-06-24 | 2018-01-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2780665B1 (fr) * | 1998-07-03 | 2000-09-15 | Oreal | Procede et dispositif pour appliquer un revetement tel qu'une peinture ou un vernis |
| KR100537040B1 (ko) * | 1998-08-19 | 2005-12-16 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 현상장치 |
| US6391800B1 (en) * | 1999-11-12 | 2002-05-21 | Motorola, Inc. | Method for patterning a substrate with photoresist |
| US7391036B2 (en) | 2002-04-17 | 2008-06-24 | Ebara Corporation | Sample surface inspection apparatus and method |
| JP2004103850A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布方法及び装置 |
| JP2004128251A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Elpida Memory Inc | 塗布機及び塗布方法 |
| US6770424B2 (en) * | 2002-12-16 | 2004-08-03 | Asml Holding N.V. | Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms |
| JP3890026B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2007-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| WO2004088420A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Hoya Corporation | マスクブランクスの製造方法、及び転写マスクの製造方法 |
| US7195679B2 (en) * | 2003-06-21 | 2007-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for wafer edge remediation |
| JP4216238B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2009-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置及び塗布処理方法 |
| WO2006060541A2 (en) | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Panduit Corp. | Market-based labeling system and method |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7255747B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| TWI254358B (en) * | 2005-01-21 | 2006-05-01 | Promos Technologies Inc | Method of coating photoresist and photoresist layer formed by the same |
| KR100666357B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2007-01-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP4527670B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP5355951B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| JP4949338B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2012-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| JP5067432B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
| TWI409597B (zh) * | 2010-08-06 | 2013-09-21 | Inotera Memories Inc | 用於減少顯影劑用量之顯影劑噴灑裝置 |
| JP5251941B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2013-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
| US8911552B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-12-16 | Wafertech, Llc | Use of acoustic waves for purging filters in semiconductor manufacturing equipment |
| US9548199B2 (en) * | 2014-09-09 | 2017-01-17 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a thin film that eliminates air bubbles |
| JP5886935B1 (ja) * | 2014-12-11 | 2016-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
| JP6275089B2 (ja) * | 2015-01-13 | 2018-02-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
| NL2014597B1 (en) * | 2015-04-08 | 2017-01-20 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Method and device for applying a coating to a substrate. |
| JP6707386B2 (ja) | 2016-04-07 | 2020-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置、めっき処理方法及び記憶媒体 |
| JP6737666B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2020-08-12 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 犠牲膜形成方法、基板処理方法および基板処理装置 |
| KR20190015666A (ko) * | 2017-08-04 | 2019-02-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11020766B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-06-01 | Service Support Specialties, Inc. | Spin coating apparatus, system, and method |
| TW202116420A (zh) * | 2019-07-04 | 2021-05-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 塗布方法及塗布裝置 |
| CN114054288B (zh) * | 2020-07-31 | 2023-07-18 | 中国科学院微电子研究所 | 涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机 |
| CN112246543B (zh) * | 2020-09-30 | 2022-01-25 | 苏州富强科技有限公司 | 一种点胶流水线 |
| KR102677969B1 (ko) * | 2020-12-30 | 2024-06-26 | 세메스 주식회사 | 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법 |
| KR102625375B1 (ko) * | 2021-02-15 | 2024-01-15 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 및, 통상 가드의 가공 방법 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136528A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 処理液塗布装置 |
| SG130022A1 (en) * | 1993-03-25 | 2007-03-20 | Tokyo Electron Ltd | Method of forming coating film and apparatus therefor |
| KR100248565B1 (ko) * | 1993-03-30 | 2000-05-01 | 다카시마 히로시 | 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치 |
| US5395803A (en) * | 1993-09-08 | 1995-03-07 | At&T Corp. | Method of spiral resist deposition |
| US5571560A (en) * | 1994-01-12 | 1996-11-05 | Lin; Burn J. | Proximity-dispensing high-throughput low-consumption resist coating device |
| US5718763A (en) * | 1994-04-04 | 1998-02-17 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus for a rectangular substrate |
| TW285779B (ko) * | 1994-08-08 | 1996-09-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5750317A (en) * | 1994-09-16 | 1998-05-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process and system for flattening secondary edgebeads on resist coated wafers |
| JPH08274014A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗布ノズル、この塗布ノズルを用いた塗布方法及びこの塗布ノズルを組み込んだ塗布装置 |
| JPH08293452A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト塗布装置 |
| TW406216B (en) * | 1995-05-24 | 2000-09-21 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus for coating resist on substrate |
| US5849084A (en) * | 1996-06-21 | 1998-12-15 | Micron Technology, Inc. | Spin coating dispense arm assembly |
| JP3254574B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2002-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法及びその装置 |
| US5962070A (en) * | 1997-09-25 | 1999-10-05 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method and apparatus |
| JPH11340119A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
| KR100282137B1 (ko) * | 1998-06-11 | 2001-03-02 | 윤종용 | 노즐 및 스핀척이 구비되는 반도체소자 제조장치 |
-
1998
- 1998-08-14 TW TW087113449A patent/TW442336B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-08-18 US US09/135,408 patent/US6165552A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-19 KR KR1019980033631A patent/KR100588110B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-08-23 US US09/643,941 patent/US6458208B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100772245B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2007-11-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토레지스트 도포 방법 |
| KR20140147540A (ko) * | 2013-06-20 | 2014-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 수지 도포 장치, 그 방법 및 이를 이용한 수지층 형성방법 |
| KR20180001630A (ko) * | 2016-06-24 | 2018-01-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US10541161B2 (en) | 2016-06-24 | 2020-01-21 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6458208B1 (en) | 2002-10-01 |
| TW442336B (en) | 2001-06-23 |
| KR100588110B1 (ko) | 2007-04-25 |
| US6165552A (en) | 2000-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100588110B1 (ko) | 도포막형성장치및방법 | |
| KR100284559B1 (ko) | 처리방법 및 처리장치 | |
| TWI401734B (zh) | 洗淨裝置及其方法，塗佈，顯像裝置及其方法，以及記憶媒體 | |
| KR100430461B1 (ko) | 액막형성장치및액막형성방법 | |
| KR100264109B1 (ko) | 기판 처리 시스템 | |
| KR100755796B1 (ko) | 도포막형성장치 및 도포유니트 | |
| US6306455B1 (en) | Substrate processing method | |
| TW201313337A (zh) | 液處理中之噴嘴洗淨方法及其裝置 | |
| KR19980086816A (ko) | 도포막 형성방법 및 도포장치 | |
| KR19980063755A (ko) | 기판처리장치 | |
| US7419316B2 (en) | Developing treatment apparatus | |
| KR100411368B1 (ko) | 기판처리방법및기판처리장치 | |
| KR20010103657A (ko) | 현상처리장치 및 현상처리방법 | |
| KR19980018527A (ko) | 처리장치 | |
| JPH08281184A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP4353626B2 (ja) | 塗布方法および塗布装置 | |
| JP5323775B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3114084B2 (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
| JP3605541B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| TWI231950B (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method | |
| JP4113480B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP3452795B2 (ja) | 塗布膜形成方法および塗布装置 | |
| JP3277278B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP3421557B2 (ja) | 塗布処理方法および塗布処理装置 | |
| KR100740239B1 (ko) | 도포처리장치 및 도포처리방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19980819 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20030811 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 19980819 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20050620 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20060322 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20060601 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20060602 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090525 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100525 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110526 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120521 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130524 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130524 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140530 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140530 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150430 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150430 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160517 Year of fee payment: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160517 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170522 Year of fee payment: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170522 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20190312 |