WO2018074306A1 - 露光システム及びリソグラフィシステム - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to an exposure system and a lithography system, and more particularly to an exposure system that exposes a target with an exposure beam, and a lithography system that includes a first exposure system and a second exposure system.
- an exposure apparatus (hereinafter referred to as an ultraviolet light exposure apparatus) that is used in a lithography process for manufacturing electronic devices (microdevices) such as semiconductor elements and uses ultraviolet light from the far ultraviolet region to the vacuum ultraviolet region as an exposure beam.
- an exposure wavelength has been shortened, the illumination conditions have been optimized, and the immersion method has been applied to further increase the numerical aperture of the projection optical system.
- EUV Extreme Ultraviolet, extreme ultraviolet, soft X-ray
- the footprint is larger than that of the ultraviolet light exposure apparatus.
- an exposure system for exposing a target with an exposure beam, wherein a measurement chamber for measuring the target or a target coated with a sensitive agent by the substrate processing apparatus is formed.
- an at least one control rack configured to supply utility supplied from an external utility source to at least one of the first chamber and the second chamber.
- a lithography system for exposing a target with an exposure beam, wherein the measurement chamber performs measurement on the target or the target coated with a sensitive agent in the first substrate processing apparatus.
- a second chamber Adjacent to at least one of the first chamber and the second chamber, a second chamber in which an exposure chamber for exposing the target transferred from the first chamber with an exposure beam is formed, and Or at least one first control rack that is disposed in close proximity and supplies a utility supplied from an external utility supply source to at least one of the first chamber and the second chamber;
- the second substrate processing apparatus measures the target or the target coated with a sensitive agent.
- a second exposure system comprising: at least one second control rack disposed adjacent to or in close proximity and supplying a utility supplied from an external utility supply source to at least one of the third chamber and the fourth chamber;
- the first chamber has a second direction that intersects a first direction in which the first substrate processing apparatus and the second substrate processing apparatus are arranged in the first substrate processing apparatus.
- the second chamber is disposed on the other side in the first direction of the first chamber, and the third chamber is disposed in the second direction of the second substrate processing apparatus. Is disposed on the other side, it said fourth chamber, lithography system disposed on one side of the first direction of the third chamber is provided.
- a lithography system that exposes a target with an exposure beam, and performs measurement on the target on which the target or the sensitive agent is applied in the first substrate processing apparatus.
- a second chamber Adjacent to at least one of the first chamber and the second chamber, a second chamber in which an exposure chamber for exposing the target transferred from the first chamber with an exposure beam is formed, and Or at least one first control rack that is disposed in close proximity and supplies a utility supplied from an external utility supply source to at least one of the first chamber and the second chamber;
- the second substrate processing apparatus measures the target or the target coated with a sensitive agent.
- a second exposure system comprising: at least one second control rack disposed adjacent to or in close proximity and supplying a utility supplied from an external utility supply source to at least one of the third chamber and the fourth chamber;
- the first substrate processing apparatus and the second substrate processing apparatus are arranged close to or adjacent to each other in the first direction, and the first chamber and the third chamber are the first chamber
- the second chamber and the fourth chamber are arranged symmetrically with respect to a point between the second substrate processing apparatus and the second substrate processing apparatus.
- Lithography system arranged in 180 ° rotational symmetry with respect to a point between the substrate processing apparatus and the second substrate processing apparatus is provided.
- FIG. 1 is a perspective view showing an exposure system according to a first embodiment together with a resist coating / developing apparatus. It is a top view which shows the exposure system which concerns on 1st Embodiment with a resist coating and developing apparatus. It is a figure which shows schematically the load lock chamber with which a vacuum chamber is provided with the exposure unit accommodated in the exposure chamber inside the vacuum chamber. It is a perspective view which shows an exposure unit. It is a perspective view which shows the state by which the wafer shuttle was mounted
- FIG. 6 is a perspective view showing the coarse / fine movement stage of FIG. 5 with the wafer shuttle removed from the fine movement stage.
- FIGS. 9A and 9B are views (No. 1 and No. 2) for explaining the configuration of the first measurement system.
- 10A is a diagram for explaining the configuration of each part in the measurement chamber
- FIG. 10B is a diagram for explaining the movable range in the vertical direction of the measurement table in FIG. 10A. is there.
- It is a block diagram which shows the structure of the control system of an exposure system.
- It is a block diagram which shows the input / output relationship of the measurement control apparatus which comprises the control system of FIG.
- FIG. 14A is a flowchart for explaining an example of the preparatory work performed in the measurement chamber 60
- FIG. 14B is a diagram for explaining the unloading operation of the exposed wafer in the measurement chamber 60. It is a flowchart of. It is a perspective view which shows the exposure system which concerns on the modification of 1st Embodiment with a resist coating / developing apparatus. It is a perspective view which shows the exposure system which concerns on 2nd Embodiment with a resist coating / developing apparatus.
- FIG. 14A is a flowchart for explaining an example of the preparatory work performed in the measurement chamber 60
- FIG. 14B is a diagram for explaining the unloading operation of the exposed wafer in the measurement chamber 60.
- FIG. 2 is a perspective view showing a state in which two lithography systems 2000 are arranged so that resist coating / developing devices face each other in a state where they are rotated by 180 °. It is a perspective view which shows the exposure system which concerns on the modification 1 of 2nd Embodiment with a resist coating / developing apparatus. It is a perspective view which shows the exposure system which concerns on 2nd Embodiment which concerns on the modification 2 of 2nd Embodiment with a resist coating / developing apparatus. It is a perspective view which shows the exposure system which concerns on the modification 3 of 2nd Embodiment with a resist coating / developing apparatus. It is a perspective view which shows the exposure system which concerns on the modification 4 of 2nd Embodiment with a resist coating / developing apparatus.
- FIG. 1 is a perspective view of an exposure system 1000 according to the first embodiment, along with a resist coating / developing apparatus (coater / developer (hereinafter abbreviated as C / D)) 9000.
- FIG. 2 shows the exposure system 1000 together with the C / D 9000 in a plan view.
- a configuration using a charged particle beam particularly an electron beam will be described as an example of an exposure beam.
- the charged particle beam is not limited to an electron beam, and a beam using charged particles such as an ion beam may be used.
- a plane that takes the Z axis parallel to the optical axis of each electron beam optical system and is perpendicular to the Z axis (this embodiment)
- the X axis and the Y axis that are orthogonal to each other are taken in the plane parallel to the floor surface F).
- the exposure system 1000 includes a measurement chamber 200 disposed adjacent to the + X side of a rectangular parallelepiped C / D 9000 installed on the floor surface F, and an upper portion of the measurement chamber 200.
- 10 vacuum chambers (hereinafter also referred to as chambers as appropriate) 300 1 to 300 10 arranged on the + X side of the measurement chamber 200 and the control rack 500.
- the control rack 500 is arranged on a frame 400 having four legs located at four corners of the space between the C / D 9000 in which the measurement chamber 200 is arranged and the ten chambers 300 1 to 300 10. ing. Therefore, the weight of the control rack 500 is not applied to the measurement chamber 200, and the control rack 500 and the measurement chamber 200 are vibrationally separated.
- the control rack 500 is placed directly on the measurement chamber 200 without using a frame member such as the frame 400. May be.
- the ten chambers 300 1 to 300 10 are divided into two rows consisting of five chambers 300 1 to 300 5 and five chambers 300 6 to 300 10 .
- the five chambers 300 1 to 300 5 are arranged in a row adjacent to each other in the X-axis direction (direction in which the measurement chamber 200 and the C / D 9000 are adjacent), and the remaining five chambers 300 6 to 300 10 are Are arranged in a row in parallel with the chambers 300 1 to 300 5 adjacent to each other.
- the chambers 300 1 to 300 5 in one row and the chambers 300 6 to 300 10 in the other row are respectively connected to the ⁇ Y side end of the control rack 500 (and the measurement chamber 200).
- the chambers 300 1 and 300 6 are opposed, chambers 300 2 and 300 7 are opposed, chambers 300 3 and 300 8 are opposed, chambers 300 4 and 300 9 are opposed, and chambers 300 5 and 300 are opposed.
- 300 10 are facing each other.
- Each of the chambers 300 1 to 300 10 has the same height as the C / D 9000. Further, since the height of the measurement chamber 200 is lower than the heights of the chambers 300 1 to 300 10 and C / D 9000, an empty space exists above the measurement chamber 200. Therefore, in the present embodiment, the control rack 500 is disposed via the frame 400 in order to effectively use this empty space.
- the frame 400 has a rectangular top plate portion and four leg portions of the same length that support the top plate portion at its four corner portions, and supports the control rack 500 from below.
- the upper surface of the control rack 500 and the upper surfaces of the chambers 300 1 to 300 10 and the C / D 9000 are substantially the same surface. Note that a space exists between the control rack 500 and the floor surface F on the + Y side of the measurement chamber 200.
- the exposure system 1000 according to the present embodiment can be arranged in a rectangular parallelepiped space in the clean room together with the C / D 9000, resulting in an unusable space in the clean room. It is possible to improve the utilization efficiency of the space in the clean room.
- the wiring and piping from the utility supply source of the clean room subfab under the floor surface F, in which production support equipment and utility facilities are accommodated, are connected to the control rack 500 and the floor described above via the floor surface F. It passes through the space between the surface F and is connected from below.
- the wiring and piping supply utilities such as electric power, and the utilities include air, cooling water, vacuum exhaust and the like in addition to electric power.
- control rack 500 Inside the control rack 500, there are various units such as a control system unit directly related to an electron beam exposure apparatus such as a high voltage power source and an amplifier, a stage control system described later, and a control platform of a measurement system described later. It is stored.
- the control rack 500 temporarily relays the wiring and piping, and distributes the utility supplied from the utility supply source of the clean room subfab via the wiring and piping (supply member) to the measurement chamber 200 and the chambers 300 1 to 300 10 .
- a cooling water temperature controller may be disposed inside the control rack 500.
- control racks having different roles may be provided as the control rack.
- two control racks are provided: a control rack having a function related to irradiation control of an electron beam irradiated to a target wafer from an electron beam irradiation apparatus, which will be described later, and a control rack having other functions. May be.
- the control rack 500 supplies the utility supplied from the utility supply source to each of the ten chambers 300 1 to 300 6 from above (see thick arrows in FIG. 1). The merit of supplying the utility from above to each of the ten chambers 300 1 to 300 10 will be described later.
- the measurement chamber 200 arranged adjacent to the C / D 9000 has a rectangular parallelepiped shape (see FIG. 2).
- the measurement chamber 200 is connected inline to the C / D 9000.
- a measurement chamber (measurement cell) 60 (not shown in FIGS. 1 and 2, etc., see FIG. 10A) is provided inside the measurement chamber 200.
- predetermined measurement for a target wafer wafer coated with an electron beam resist by the C / D 9000
- loading of a wafer before exposure to a wafer shuttle described later and unloading of an exposed wafer are performed. Done,
- each of the ten chambers 300 1 to 300 10 has an L shape when viewed from the + X side, and the remaining chambers 300 6 to 300 10 have a shape that is bilaterally symmetric to these. is doing.
- the exposure chamber 301 i is maintained in a high vacuum state. That is, as the ten chambers 300 i in which the exposure chambers 301 i are formed, vacuum chambers having a structure with sufficient resistance not to be crushed or deformed by the action of atmospheric pressure are used. Yes.
- the internal space of the measurement chamber 200 is the measurement chamber 60 described above, there is no need for a vacuum atmosphere unlike the internal spaces of the chambers 300 1 to 300 10 . Therefore, as the measurement chamber 200, a chamber having a lower strength than the vacuum chamber can be used. Further, by controlling the pressure in the internal space of the measurement chamber 200 and the internal space of the C / D 9000 to be higher than the pressure in the clean room, the gas (air) in the clean room enters the measurement chamber 200 and the C / D 9000. Can be suppressed. Note that each of the internal spaces of the control rack 500 may be set to the same pressure as the clean room (atmospheric pressure space) or a pressure higher than the pressure of the clean reamer.
- a load lock chamber 302 i is attached to the front surface of the chamber 300 i .
- 3 shows the same orientation as the chambers 300 6 to 300 10 , but the chambers 300 1 to 300 5 are symmetrical to those shown in FIG. 3, but have the same configuration. is doing.
- Each load lock chamber 302 i includes a main body 302 a in which a load lock chamber (not shown) is formed, and a pair of gates fixed to the front side (atmosphere side) and back side (vacuum side) of the main body 302 a. Parts 302b and 302c.
- the pair of gate portions 302b and 302c is provided with a gate valve that includes a shutter that opens and closes an opening formed on the front surface side and the back surface side of the main body portion 302a and a drive mechanism that slides the shutter in the vertical direction.
- gate valves 302b and 302c are denoted by the same reference numerals as those of the gate portion. Opening and closing of the gate valves 302b and 302c (that is, opening and closing of the shutter by the driving mechanism) is controlled by the exposure control device 380 i (see FIGS. 11 and 13).
- the load lock chamber 302 i is connected to a vacuum pipe connected to a vacuum source such as a vacuum pump via an on-off valve 305 (see FIG. 13). Is evacuated as necessary. The opening / closing of the on-off valve 305 is also controlled by the exposure control device 380 i . Each load lock chamber 302 i may be provided with a vacuum pump individually.
- an exposure unit 310 shown in FIG. 3, for example, a horizontal multi-joint consists of a robot exposure chamber transport system 312 (not shown in FIG. 3, see FIG. 13) is accommodated Yes.
- a shuttle carrier 306 (see FIG. 13) having two upper and lower storage shelves and capable of moving up and down is provided. The vertical movement of the shuttle carrier 306 is controlled by the exposure control device 380 i (see FIG. 13).
- the exposure unit 310 includes a stage device 320 and an electron beam irradiation device 330, as shown in a simplified manner in FIG.
- the electron beam irradiation device 330 includes a cylindrical lens barrel 331 shown in FIG. 4 and an electron beam optical system inside the lens barrel 331.
- the stage device 320 includes a coarse / fine movement stage on which a wafer shuttle that can hold and move a wafer is detachably mounted.
- the electron beam irradiation device 330 is held by a wafer shuttle mounted on the coarse / fine movement stage. The wafer is exposed by irradiating it with an electron beam.
- the wafer shuttle is a holding member (or table) that electrostatically attracts and holds the wafer, which will be described in detail later.
- the holding member is transported while holding the wafer, and the holding member is Since the measurement chamber 60 is the starting point, the exposure chambers 301 1 to 301 10 are reciprocated repeatedly, so that they are called wafer shuttles.
- the stage device 320 measures the position information of the surface plate 321, the coarse / fine movement stage 322 that moves on the surface plate 321, the drive system that drives the coarse / fine movement stage 322, and the coarse / fine movement stage. A position measuring system. Details of the configuration and the like of the stage device 320 will be described later.
- the lens barrel 331 of the electron beam irradiation apparatus 330 is lowered by a metrology frame 340 formed of an annular plate member having three convex portions formed at intervals of a central angle of 120 degrees on the outer peripheral portion. It is supported from. More specifically, the lowermost end portion of the lens barrel 331 is a small-diameter portion whose diameter is smaller than that of the upper portion thereof, and a boundary portion between the small-diameter portion and the upper portion is a stepped portion. Yes.
- the lens barrel 331 is moved from below by the metrology frame 340. It is supported.
- the metrology frame 340 has three suspension support mechanisms 350 a, 350 b, and 350 c (flexible structure connecting members) each having a lower end connected to each of the three convex portions described above, the top plate of the vacuum chamber 300 i partitioning the exposure chamber 301 i is supported in a suspended state from (ceiling wall). That is, in this way, the electron beam irradiation apparatus 330 is supported by being suspended from the vacuum chamber 300 i at three points.
- the three suspension support mechanisms 350a, 350b, 350c are, as representatively shown for the suspension support mechanism 350a in FIG. 4, a passive vibration isolation pad 351 provided at each upper end, and a vibration isolation pad.
- (Anti-Vibration Unit) 351 has a wire 352 made of a steel material having one end connected to the lower end of 351 and the other end connected to a metrology frame 340.
- the anti-vibration pad 351 is fixed to the top plate of the vacuum chamber 300 i and includes an air damper or a coil spring, respectively.
- the vibration isolation pad 351 In the present embodiment, among vibrations such as floor vibration transmitted from the outside to the vacuum chamber 300 i , most of vibration components in the Z-axis direction parallel to the optical axis of the electron beam optical system are absorbed by the vibration isolation pad 351. Therefore, high vibration isolation performance can be obtained in a direction parallel to the optical axis of the electron beam optical system.
- the natural frequency of the suspension support mechanism is lower in the direction perpendicular to the optical axis than in the direction parallel to the optical axis of the electron beam optical system.
- Three suspension support mechanisms 350a, 350b, the floor 350c is in a direction perpendicular to the optical axis to oscillate like a pendulum, which is transmitted from the outside to the vibration isolation performance (vacuum chamber 300 i in the direction perpendicular to the optical axis
- the length of the three suspension support mechanisms 350a, 350b, 350c (the length of the wire 352) is sufficiently long so that the vibration (such as vibration) is sufficiently high). It is set.
- the relative position between the electron beam irradiation device 330 and the vacuum chamber 300 i may change at a relatively low frequency.
- the positioning device 353 of the non-contact type (not shown in FIG. 3, see FIG. 13) is provided.
- the positioning device 353 can be configured to include a six-axis acceleration sensor and a six-axis actuator, as disclosed in, for example, International Publication No. 2007/077920.
- the positioning device 353 is controlled by the exposure control device 380 i (see FIG. 13).
- the relative positions of the electron beam irradiation device 330 in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction with respect to the vacuum chamber 300 i and the relative rotation angles around the X-axis, Y-axis, and Z-axis are constant ( (Predetermined state).
- the electron beam irradiation device 330 includes an electron beam optical system including m (m is 100, for example) optical system columns arranged in a predetermined positional relationship within the lens barrel 331.
- Each optical system column is composed of a multi-beam optical system that can irradiate n beams (n is, for example, 4000) that can be individually turned on and off and can be deflected.
- the multi-beam optical system for example, an optical system having the same configuration as the optical system disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-258842, International Publication No. 2007/017255, or the like can be used.
- the 100 optical system columns correspond to, for example, approximately 100 shot areas formed on a 300 mm wafer (or formed from a shot map in accordance with a shot map) at a ratio of 1: 1.
- 100 shot areas on the wafer are exposed by arranging the pattern within the area and turning on / off while deflecting the circular spots of the multiple electron beams while scanning the wafer with respect to the exposure area. Is formed.
- Each optical system column includes a reflected electron detection system (not shown) that detects reflected electrons in the same manner as a normal electron beam optical system.
- the electron beam irradiation device 330 is controlled by an exposure control device 380 i (see FIG. 13).
- FIG. 5 is a perspective view showing a state where a wafer shuttle (hereinafter abbreviated as shuttle) 10 is mounted on the coarse / fine movement stage 322 of the stage device 320.
- FIG. 6 is a perspective view of the coarse / fine movement stage 322 shown in FIG. 5 in a state in which the shuttle 10 is detached (removed).
- the surface plate 321 provided in the stage device 320 is actually installed on the bottom wall of the vacuum chamber 300 i that partitions the exposure chamber 301 i .
- the coarse / fine movement stage 322 includes a pair of quadrangular columnar portions that are arranged at predetermined intervals in the Y-axis direction and extend in the X-axis direction.
- a fine movement stage 322b is not shown, the pair of square columnar portions of the coarse movement stage 322a are actually connected by a connecting member (not shown) in a state that does not prevent the movement of the fine movement stage 322b in the Y-axis direction, It is integrated.
- the coarse movement stage 322a is driven with a predetermined stroke (for example, 50 mm) in the X axis direction by a coarse movement stage drive system 323 (see FIG. 13) (see a long arrow in the X axis direction in FIG. 8).
- the coarse movement stage drive system 323 is configured by a uniaxial drive mechanism that does not cause magnetic flux leakage, for example, a feed screw mechanism using a ball screw.
- the coarse movement stage drive system 323 is disposed between one square columnar portion and the surface plate 321 of the pair of square columnar portions of the coarse movement stage.
- a screw shaft is attached to the surface plate 321 and a ball (nut) is attached to one quadrangular columnar portion.
- bowl to the surface plate 321 and attaches a screw shaft to one square pillar-shaped part may be sufficient.
- the other quadrangular columnar portion is configured to move along a guide surface (not shown) provided on the surface plate 321.
- the screw shaft of the ball screw is driven to rotate by a stepping motor.
- the coarse movement stage drive system 323 may be configured by a uniaxial drive mechanism including an ultrasonic motor as a drive source. In any case, the influence of magnetic field fluctuations caused by magnetic flux leakage on the positioning of the electron beam is negligible.
- the coarse movement stage drive system 323 is controlled by the exposure control device 380 i (see FIG. 13).
- fine movement stage 322 b is made of a member having an XZ cross-sectional rectangular frame shape penetrating in the Y-axis direction, and on weight plater 321 on surface plate 321 in the XY plane. It is supported movably. A plurality of reinforcing ribs are provided on the outer surface of the side wall of fine movement stage 322b.
- a yoke 325a having an XZ cross section in a rectangular frame shape and extending in the Y-axis direction, and a pair of magnet units 325b fixed to the upper and lower opposing surfaces of yoke 325a.
- a mover 325 of a motor that drives fine movement stage 322b is configured by 325a and a pair of magnet units 325b.
- FIG. 8 shows a state in which a magnetic shield member (to be described later) indicated by the fine movement stage 322b and the reference numeral 328 is removed from between the pair of quadrangular column portions of the coarse movement stage 322a.
- a stator 326 made of a coil unit is installed.
- the stator 326 and the above-described mover 325 can move the mover 325 with respect to the stator 326 with a predetermined stroke, for example, 50 mm in the Y-axis direction, as indicated by arrows in each direction in FIG.
- a closed magnetic field type and moving magnet type motor 327 that can be finely driven in the X axis direction, the Z axis direction, the ⁇ x direction, the ⁇ y direction, and the ⁇ z direction is configured.
- a fine movement stage drive system that drives the fine movement stage in the direction of six degrees of freedom by the motor 327 is configured.
- the fine movement stage drive system is referred to as a fine movement stage drive system 327 using the same reference numerals as those of the motor.
- Fine movement stage drive system 327 is controlled by exposure control device 380 i (see FIG. 13).
- the XZ cross-section reverse U is further covered while covering the upper surface of the motor 327 and both side surfaces in the X-axis direction.
- a letter-shaped magnetic shield member 328 is installed.
- the magnetic shield member 328 is formed to extend in a direction (Y-axis direction) intersecting the direction in which the quadrangular prism portion extends, and on the upper surface of the motor 327 in a non-contact manner and on the side surface of the motor 327. And a side portion that faces each other in a non-contact manner.
- the magnetic shield member 328 is inserted into the hollow portion of the fine movement stage 322b, and the lower surface of both end portions in the longitudinal direction (Y-axis direction) of the side surface portions is the upper surface of the pair of square pillar portions of the coarse movement stage 322a. It is fixed to. Further, of the side surfaces of the magnetic shield member 328, the surfaces other than the lower surfaces of the both end portions are opposed to the bottom wall surface (lower surface) of the inner wall surface of the fine movement stage 322b in a non-contact manner. That is, the magnetic shield member 328 is inserted into the hollow portion of the fine movement stage 322b without hindering the movement of the mover 325 relative to the stator 326.
- the magnetic shield member 328 a laminated magnetic shield member composed of a plurality of layers of magnetic material films laminated with a predetermined gap (space) is used.
- a magnetic shield member having a configuration in which films of two kinds of materials having different magnetic permeability are alternately laminated may be used. Since the magnetic shield member 328 covers the upper surface and side surfaces of the motor 327 over the entire length of the moving stroke of the mover 325 and is fixed to the coarse movement stage 322a, the fine movement stage 322b and the coarse movement stage 322a Leakage of magnetic flux upward (on the electron beam optical system side) can be prevented almost certainly over the entire moving range.
- the weight canceling device 324 includes a metal bellows type air spring (hereinafter abbreviated as “air spring”) 382 having an upper end connected to the lower surface of the fine movement stage 322 b, and a lower end of the air spring 382. And a base slider 386 made of a flat plate member connected thereto.
- air spring metal bellows type air spring
- the base slider 386 is provided with a bearing portion that blows air inside the air spring 382 onto the upper surface of the surface plate 321, and a static pressure between the bearing surface of the pressurized air that is ejected from the bearing portion and the upper surface of the surface plate 321.
- the weight of the weight canceling device 324, the fine movement stage 322b, and the mover 325 (including the shuttle 10 when the shuttle is mounted on the coarse / fine movement stage 322) is supported by (the pressure in the gap). Note that compressed air is supplied to the air spring 382 via a pipe (not shown) connected to the fine movement stage 322b.
- the base slider 386 is supported in a non-contact manner on the surface plate 321 via a kind of differential exhaust type aerostatic bearing, and air blown from the bearing portion toward the surface plate 321 is exposed to the surroundings (exposure). It is prevented from leaking into the room.
- triangular pyramid groove members 12 are provided on the upper surface of fine movement stage 322b as shown in FIG.
- the triangular pyramidal groove member 12 is provided at the positions of three apexes of a regular triangle in plan view.
- the triangular pyramid groove member 12 can be engaged with a sphere or hemisphere, which will be described later, provided on the shuttle 10 and constitutes a kinematic coupling with the sphere or hemisphere.
- FIG. 6 shows a triangular pyramid groove member 12 such as a petal composed of three plate members.
- the triangular pyramid groove member 12 is a triangular pyramid that makes point contact with a sphere or a hemisphere. Since it has the same role as the groove, it is called a triangular pyramid groove member. Therefore, a single member in which a triangular pyramid groove is formed may be used instead of the triangular pyramid groove member 12.
- three spheres or hemispheres (balls in the present embodiment) 14 are provided in the shuttle 10 corresponding to the three triangular pyramid groove members 12, as shown in FIG.
- the shuttle 10 is formed in a hexagonal shape in which each vertex of an equilateral triangle is cut off in plan view. More specifically, the shuttle 10 has notches 10a, 10b, and 10c formed at the center of each of the three oblique sides in plan view, and covers the notches 10a, 10b, and 10c from the outside.
- the leaf springs 16 are respectively attached. Balls 14 are fixed to the center of each leaf spring 16 in the longitudinal direction.
- each ball 14 In a state before being engaged with the triangular pyramid groove member 12, each ball 14, when receiving an external force, has a radial direction centered on the center of the shuttle 10 (substantially coincident with the center of the wafer W shown in FIG. 5). Only move to a minute.
- each of the three balls 14 is lowered by moving the shuttle 10 down.
- the shuttle 10 is mounted on the fine movement stage 322b by individually engaging with the three triangular pyramid groove members 12. Even when the position of the shuttle 10 with respect to the fine movement stage 322b is deviated from a desired position at the time of mounting, when the ball 14 is engaged with the triangular pyramid groove member 12, an external force is received from the triangular pyramid groove member 12 to As a result of the radial movement, the three balls 14 always engage with the corresponding triangular pyramidal groove members 12 in the same state.
- the shuttle 10 can be easily detached (detached) from the fine movement stage 322b only by moving the shuttle 10 upward and releasing the engagement between the ball 14 and the triangular pyramid groove member 12.
- a kinematic coupling is constituted by the set of three balls 14 and the triangular pyramid groove member 12, and the kinematic coupling ensures that the mounting state of the shuttle 10 with respect to the fine movement stage 322b is always substantially the same. It can be set to the state. Therefore, no matter how many times it is removed, the shuttle 10 can be moved slightly together with the shuttle 10 only by mounting the shuttle 10 on the fine movement stage 322b via the kinematic coupling (the set of three balls 14 and the triangular pyramid groove member 12). A certain positional relationship with the stage 322b can be reproduced.
- a circular recess having a diameter slightly larger than that of the wafer W is formed at the center, and an electrostatic chuck (not shown) is provided in the recess.
- the wafer W is electrostatically attracted and held by the chuck.
- the surface of the wafer W is substantially flush with the upper surface of the shuttle 10.
- the shuttle 10 is formed with a plurality of circular openings (not shown) penetrating vertically on the mounting surface (suction surface) of the wafer W in a predetermined positional relationship.
- This position measurement system measures the position information of the shuttle 10 in a state where the shuttle 10 is mounted on the fine movement stage 322b via the kinematic coupling described above.
- This position meter includes a first measurement system 20 that measures position information of fine movement stage 322b to which shuttle 10 is attached, and a second measurement system 25 that directly measures position information of fine movement stage 322b (see FIG. 13). ).
- grating plates 22a, 22b, and 22c are provided in the vicinity of the three sides of the shuttle 10 excluding the three oblique sides described above.
- Each of the grating plates 22a, 22b, and 22c includes a two-dimensional lattice having a periodic direction in the radial direction centered on the center of the shuttle 10 (which coincides with the center of the circular concave portion in the present embodiment) and the direction orthogonal thereto.
- the grating plate 22a is formed with a two-dimensional grating having a periodic direction in the Y-axis direction and the X-axis direction.
- the grating plate 22b is formed with a two-dimensional grating having a direction that is ⁇ 120 degrees with respect to the Y axis with respect to the center of the shuttle 10 (hereinafter referred to as ⁇ direction) and a direction perpendicular thereto as a periodic direction.
- the grating plate 22c is formed with a two-dimensional lattice having a direction that is +120 degrees with respect to the Y axis with respect to the center of the shuttle 10 (hereinafter referred to as a ⁇ direction) and a direction perpendicular thereto as a periodic direction.
- a reflection type diffraction grating having a pitch of, for example, 1 ⁇ m is used in each periodic direction.
- each of the three head portions 24a, 24b, and 24c is provided with a four-axis encoder head having measurement axes indicated by four arrows in FIG. 9B.
- the head portion 24a includes a first head housed in the same housing and having a measurement direction in the X-axis direction and the Z-axis direction, and a measurement direction in the Y-axis direction and the Z-axis direction. And a second head.
- the first head (more precisely, the irradiation point on the grating plate 22a of the measurement beam emitted by the first head) and the second head (more precisely, the irradiation of the measurement beam emitted by the second head on the grating plate 22a).
- the first head (more precisely, the irradiation point on the grating plate 22a of the measurement beam emitted by the first head) and the second head (more precisely, the irradiation of the measurement beam emitted by the second head on the grating plate 22a).
- the first head and the second head of the head portion 24a are each a biaxial linear encoder that measures position information of the shuttle 10 in the X-axis direction and the Z-axis direction using the grating plate 22a, and the Y-axis direction and the Z-axis direction.
- a two-axis linear encoder that measures the position information is configured.
- the remaining head portions 24b and 24c are configured in the same manner as the head portion 24a including the first head and the second head, although the directions with respect to the respective metrology frames 340 are different (measurement directions in the XY plane are different). ing.
- the first head and the second head of the head unit 24b each use a grating plate 22b, a biaxial linear encoder that measures position information in the direction orthogonal to the ⁇ direction of the shuttle 10 in the XY plane and in the Z axis direction, and A two-axis linear encoder that measures position information in the ⁇ direction and the Z-axis direction is configured.
- the first head and the second head of the head unit 24c each use a grating plate 22c to measure position information in a direction orthogonal to the ⁇ direction of the shuttle 10 in the XY plane and position information in the Z-axis direction, and A two-axis linear encoder that measures position information in the ⁇ direction and the Z-axis direction is configured.
- an encoder head having the same configuration as the displacement measurement sensor head disclosed in US Pat. No. 7,561,280 is used. Can be used.
- An encoder system is configured by the three head portions 24a, 24b, and 24c that measure the position information of the shuttle 10 using the above-described three sets, that is, a total of six biaxial encoders, that is, three grating plates 22a, 22b, and 22c, respectively.
- the encoder system constitutes the first measurement system 20 (see FIG. 13). Position information measured by the first measurement system 20 is supplied to the exposure control device 380 i .
- the three head portions 24a, 24b, and 24c each have four measurement degrees of freedom (measurement axes), a total of 12 degrees of freedom can be measured. That is, in the three-dimensional space, since the maximum degree of freedom is 6, redundant measurement is actually performed for each of the 6 degrees of freedom directions, and two pieces of position information are obtained.
- the exposure control device 380 i uses the average value of the two pieces of position information for each degree of freedom as the measurement result in each direction based on the position information measured by the first measurement system 20. Thereby, the position information of the shuttle 10 and fine movement stage 322b can be obtained with high accuracy in all directions with six degrees of freedom due to the averaging effect.
- the second measurement system 25 can measure position information in the direction of 6 degrees of freedom of the fine movement stage 322b regardless of whether or not the shuttle 10 is attached to the fine movement stage 322b.
- the second measurement system 25 irradiates the reflection surface provided on the outer surface of the side wall of the fine movement stage 322b with measurement light, receives the reflected light, and measures the position information of the fine movement stage 322b in the 6 degrees of freedom direction. It can be configured by a metering system.
- Each interferometer of the interferometer system may be suspended and supported on the metrology frame 340 via a support member (not shown), or may be fixed to the surface plate 321.
- the second measurement system 25 mainly determines the position and posture of the fine movement stage 322b in a desired manner when the shuttle 10 is not mounted on the fine movement stage 322b, that is, when the wafer is not exposed. Since it is used to maintain the state, the measurement accuracy may be lower than that of the first measurement system 20.
- Position information measured by the second measurement system 25 is supplied to the exposure control device 380 i (see FIG. 13).
- you may comprise a 2nd measurement system not only by an interferometer system but by an encoder system or the combination of an encoder system and an interferometer system. In the latter case, the position information in the three degrees of freedom direction in the XY plane of the fine movement stage 322b may be measured by the encoder system, and the remaining position information in the three degrees of freedom direction may be measured by the interferometer system.
- Measurement information according to the first measurement system 20 and the second measurement system 25 is sent to the exposure control unit 380 i, the exposure control unit 380 i is at least one by the measurement information of the first measurement system 20 and the second measurement system 25 Based on this, the coarse / fine movement stage 322 is controlled.
- the chamber 300 i 1 ⁇ 10
- a transport space SP is provided between the two facing each other, and a movement route R of a shuttle transport system to be described later is set in the transport space SP.
- the transfer space SP is not limited to the atmospheric pressure space, and may be set to a low vacuum space having a lower degree of vacuum than the inside of the vacuum chamber.
- a measurement stage device 30 having a measurement stage ST that moves two-dimensionally in the XY plane and a measurement table TB mounted on the measurement stage ST, and measurement
- the system 40 and the measurement room transfer system 62 (not shown in FIG. 10A, see FIG. 12) and the like are housed.
- the measurement chamber transfer system 62 is composed of, for example, an articulated robot that transfers the wafer W and the shuttle 10.
- the shuttle 10 is detachably mounted on the measurement table TB through the same kinematic coupling as described above.
- the measurement system 40 performs a predetermined measurement on the wafer W held on the shuttle 10.
- a shuttle stocker (not shown) having a plurality of shelves that can store the shuttle 10 and capable of storing the plurality of shuttles 10 at the same time.
- the shuttle stocker also has a temperature control function of the shuttle 10 accommodated therein.
- the conveyance system which conveys a wafer and the conveyance system which conveys a shuttle may be provided separately, in this embodiment, in order to simplify description, a wafer and a shuttle are conveyed by the same conveyance system. Shall be done.
- a plurality of circular openings are formed in an arrangement corresponding to the above-described plurality of circular openings formed in the shuttle 10.
- the measurement stage ST is provided with a plurality of pins 32 in an arrangement corresponding to the plurality of circular openings, and the plurality of pins 32 are individually inserted into the plurality of circular openings of the measurement table TB.
- a measurement table TB is arranged on the measurement stage ST.
- the measurement table TB is driven by a drive system 34 provided on the measurement stage ST, and can be moved up and down (moved in the Z-axis direction) with a predetermined stroke.
- the measurement table TB is such that the upper surface of the shuttle 10 is higher than the upper end surfaces of the plurality of pins 32 by a predetermined distance in a state where the shuttle 10 is mounted via the kinematic coupling (the upper end surfaces of the plurality of pins). 10 does not protrude from the upper surface of the shuttle 10) and the wafer placement surface (upper surface of the electrostatic chuck) of the shuttle 10 is lower than the upper end surfaces of the plurality of pins 32 by a predetermined distance (see FIG. 10A).
- the upper end surfaces of the pins 32 protrude from the wafer mounting surface of the shuttle 10 and can move up and down between the second position shown in FIG.
- the measurement table TB may be mounted on the measurement stage ST, and the plurality of pins 32 may be moved up and down with respect to the measurement table TB.
- the measurement stage ST is driven (including rotation in the ⁇ z direction) in the XY plane by a measurement stage drive system 36 (see FIG. 12) composed of a planar motor, for example.
- Position information of the measurement stage ST in the XY plane is measured by a measurement stage interferometer 38 (see FIG. 12).
- the vertical position of the measurement table TB is measured by an encoder included in the drive system 34.
- the operation of each part of the measurement stage device 30 is controlled by the measurement control device 50 (see FIG. 12).
- the measurement system 40 includes an alignment detection system ALG and a surface position detection device AF (see FIG. 12) having an irradiation system 42a and a light receiving system 42b.
- the alignment detection system ALG includes a primary alignment system AL1 that is arranged such that its detection center coincides with the origin of a two-dimensional orthogonal coordinate system (reference coordinate system) defined by the measurement axis of the measurement stage interferometer 38.
- Secondary alignment systems AL2 1 , AL2 2 , AL2 3 , AL2 4 having detection centers arranged almost symmetrically with respect to the primary alignment system AL1 on one side and the other side in the X-axis direction across the primary alignment system AL1 I have. That is, the detection centers of the five alignment systems AL1, AL2 1 to AL2 4 are arranged along the X-axis direction.
- Secondary alignment systems AL2 1 , AL2 2 , AL2 3 , AL2 4 can each adjust at least their X positions.
- the detection light of each of the alignment systems AL1, AL2 1 to AL2 4 corresponds to the application of a sensitive agent (electron beam resist) to the upper surface of the wafer held on the shuttle 10.
- a sensitive agent electron beam resist
- a detection beam having a wavelength that does not expose the electron beam resist is used.
- each of alignment systems AL1, AL2 1 to AL2 4 for example, a broadband detection light beam that does not expose the resist applied on the wafer is irradiated to the target mark, and an image is formed on the light receiving surface by the reflected light from the target mark
- An image processing type FIA that captures an image of a target mark and an image of an unillustrated index (an index pattern on an index plate provided inside) using an image sensor (CCD or the like) and outputs the imaged signals. (Field Image Alignment) system is used. Imaging signals from the alignment systems AL1, AL2 1 to AL2 4 constituting the alignment detection system ALG are supplied to the measurement control device 50 via a signal processing device (not shown) (see FIG. 12). ).
- the alignment detection system ALG is configured in the same manner as the alignment apparatus disclosed in, for example, US Pat. No. 8,432,534. Note that each of the alignment systems AL1, AL2 1 to AL2 4 constituting the alignment detection system ALG is not limited to the FIA system, and for example, two diffracted lights generated from the target mark by irradiating the target mark with coherent detection light. A diffracted light interference type alignment system that detects by interference (for example, diffracted light of the same order or diffracted in the same direction) may be used instead of the FIA system.
- the alignment detection system ALG is not limited to five alignment systems, and may have at least one alignment system.
- the surface position detector AF has an irradiation system 42a and a light receiving system 42b, and is an oblique incidence type multi-point focal position having the same configuration as disclosed in, for example, US Pat. No. 5,448,332. Consists of a detection system.
- the plurality of detection points of the surface position detection device AF are arranged at predetermined intervals along the X-axis direction on the surface to be detected. In the present embodiment, for example, they are arranged in a row matrix of 1 row and M columns (M is the total number of detection points) or 2 rows and N columns (N is 1/2 of the total number of detection points).
- the plurality of detection points are set almost evenly in a region having a length in the X-axis direction that is about the same as the diameter of the wafer W.
- the position information (surface position information) in the Z-axis direction can be measured on almost the entire surface of the wafer W only by scanning the wafer W once in the Y-axis direction.
- the components placed in the measurement chamber 60 described above, that is, the measurement stage device 30, the measurement system 40, the measurement chamber conveyance system 62, and the like, and the measurement control device 50 are held on the shuttle 10.
- a measurement unit 65 is configured to perform measurement on the wafer before exposure (see FIG. 12). Note that measurement on a wafer before exposure is referred to as advance measurement.
- the exposure system 1000 moves the shuttle 10 that moves in the space SP along the movement path R indicated by the arrow in FIG. To the load lock chamber 302 i included in each of the chambers 300 i, and the shuttle 10 for transferring the shuttle 10 holding the exposed wafer from the load lock chamber 302 i to the measurement chamber 60. (See FIG. 11).
- the shuttle conveyance system 70 is configured by a horizontal articulated robot that can move along the movement route R, for example.
- the shuttle transport system 70 is controlled by a transport system control device 72 (see FIG. 11) including a microcomputer or the like.
- FIG. 11 is a block diagram showing the configuration of the control system of the exposure system 1000.
- FIG. 12 is a block diagram showing the input / output relationship of the measurement control device 50 constituting the control system of FIG.
- the measurement control device 50 includes a microcomputer and controls each unit shown in FIG. 12 provided in the measurement chamber 60.
- FIG. 13 is a block diagram showing the input / output relationship of ten exposure control devices 380 i constituting the control system of FIG.
- the exposure control device 380 i includes a microcomputer and controls each unit shown in FIG. 13 provided in the exposure chamber 301 i .
- step S102 the shuttle 10 stored in the shuttle stocker is mounted on the measurement table TB. Specifically, the shuttle 10 stored in the shuttle stocker is moved from the shuttle stocker to the measurement table ST located at the second position on the measurement stage ST at the wafer exchange position by the measurement room transfer system 62. After being conveyed upward, it is driven downward and mounted on the measurement table TB via a kinematic coupling.
- the wafer before exposure in the substrate transfer unit by the measuring chamber conveying system 62 (for convenience, the wafer W 1) is passed to a plurality of pins 32 of the measuring stage ST.
- the measurement table TB is in a second position, in this state, the wafer W 1 is in a state where the rotational position displacement and displacement between the center positions is adjusted is placed on the plurality of pins 32.
- the measurement table TB by driving upwards to the first position, to place the wafer W 1 on the electrostatic chuck of the shuttle 10, then, starts the adsorption of the wafer by the electrostatic chuck.
- the shuttle 10 is provided with a connection terminal connected to the electrostatic chuck, and the measurement table TB is provided with a table side terminal connected to a power supply source (not shown), and the measurement table TB.
- the connection terminal and the table side terminal are connected, and power can be supplied from the power supply source to the electrostatic chuck.
- next step S108 it performs an outline (rough) position measurement with respect to the shuttle 10 of the wafer W 1. More specifically, first, after the search alignment of the wafer W 1, and measures the positional information of the reference mark provided on the shuttle 10 (not shown), the relative wafer W 1 for the shuttle 10 (reference marks) Find location information.
- search mark located on the periphery portion substantially symmetrical with respect to the center of the wafer W 1 (hereinafter, referred to as search mark) is detected.
- the measurement control device 50 controls the driving of the measurement stage ST by the measurement stage drive system 36 and positions each search mark within the detection region (detection field of view) of the primary alignment system AL1, while using the measurement stage interferometer 38. It acquires measurement information, a detection signal upon detection of search mark formed on the wafer W 1 by using primary alignment system AL1, on the basis of the measurement information by the measuring stage interferometer 38, the position information of each search mark Ask for.
- the measurement control device 50 detects the detection result of the primary alignment system AL1 output from the signal processing device (not shown) (the detection center (index center) of the primary alignment system AL1 obtained from the detection signal) and each search mark. Relative position) and the measurement value of the measurement stage interferometer 38 when each search mark is detected, the position coordinates of the two search marks on the reference coordinate system are obtained.
- the measurement control device 50 obtains the position coordinates on the reference coordinate system of the plurality of reference marks provided on the shuttle 10 in the same procedure as the search mark. Then, based on the position coordinates of the position coordinates and a plurality of reference marks of the two search marks to determine the relative position with respect to the shuttle 10 of the wafer W 1. Accordingly, the approximate position measuring relative the shuttle 10 of the wafer W 1 is completed. Incidentally, the wafer W 1, since in fact loaded on the shuttle 10 in a state where the rotational position deviation and the center position deviation is adjusted, the more central position deviation of the wafer W 1 is negligibly small, the residual rotation error is very Small.
- step S109 EGA obtaining an array of a plurality of shot areas on wafer W 1 (enhanced global alignment) wafer alignment method To do.
- the positions of the secondary alignment systems AL2 1 to AL2 4 in the X-axis direction are adjusted in accordance with the arrangement of the alignment shot areas.
- the fine movement stage 322b is moved stepwise in the Y-axis direction (and the X-axis direction) in the XY plane to detect at least a part of the detection areas of the five alignment systems AL1, AL2 1 to AL2 4 of the alignment detection system ALG.
- the fine movement stage 322b is stepped only in the Y-axis direction, and a plurality of (for example, three or five) marks are detected using at least a part of the five alignment systems AL1, AL2 1 to AL2 4.
- the fine movement stage 322b by step movement in the X-axis and Y-axis directions, at least the alignment mark formed on the entire shot area on the wafer W 1 (the predetermined number of shot areas) Assume that all shot alignment to detect one is performed.
- the position of each of the predetermined number of alignment marks on the aforementioned reference coordinate system is obtained. Then, by using the positions of the predetermined number of alignment marks obtained in this way, statistical calculation is performed by the EGA method disclosed in, for example, US Pat. No. 4,780,617, and the like on the reference coordinate system. calculating an array of all the shot areas on the wafer W 1 in.
- step S110 flatness measurement of the wafer W 1 (Measurement of surface irregularities) is performed.
- This flatness measurement is performed by capturing measurement information of the surface position detector AF and measurement information of the measurement stage interferometer 38 at a predetermined sampling interval while moving the measurement stage ST in the Y-axis direction.
- the wafer flatness is measured in the electron beam exposure apparatus because a position measurement error (lateral deviation) in the XY plane of the wafer occurs due to the unevenness of the wafer surface. This is because the measurement error needs to be corrected.
- This position measurement error can be easily obtained by calculation based on wafer flatness information (Z position information Z (X, Y) corresponding to XY coordinate position (X, Y) on the wafer coordinate system). . Since the information on the rotational deviation of the wafer is known by the search alignment, the relationship between the wafer coordinate system and the reference coordinate system can be easily obtained.
- step S112 the shuttle 10 holding the wafer W 1 is, by measuring the indoor transport system 62 is driven upwardly, detached from the measurement table TB to release the kinematic coupling After that, it is placed on the load-side shuttle placement portion of the shuttle delivery portion provided at the boundary with the space SP of the measurement chamber 60. Thereby, the preliminary preparation work including the preliminary measurement operation (S108, S109, S110) in the measurement chamber 60 is completed. Even after the shuttle 10 is detached from the measurement table TB, the electrostatic chuck of the shuttle 10 is capable of holding the wafer W 1 by the residual charge. Further, the shuttle 10 may be provided with an internal power supply, and after the shuttle 10 is removed from the measurement table TB, power may be supplied from the internal power supply to the electrostatic chuck.
- step S122 the exposed wafer (for convenience, the wafer W 0) shuttle 10 for holding the can, is attached to the measuring table TB.
- the shuttle 10 holding the wafer W 0 is moved from the unload-side shuttle placement part of the shuttle delivery part to the above-described first position on the measurement stage ST at the wafer exchange position by the measurement room transfer system 62.
- the measurement room transfer system 62 After being conveyed above the measurement table TB that is positioned, it is driven downward and attached to the measurement table TB via a kinematic coupling.
- the disengaging from the shuttle 10 to the wafer W 0 (removed). Specifically, the suction of the wafer W 0 by the electrostatic chuck of the shuttle 10 is released, and the measurement table TB is driven downward to the second position. Thus, the wafer W 0 is totally pushed up from below by a plurality of pins 32, the wafer W 0 can be easily detached from the shuttle 10. If the wafer W 0 is difficult to be detached from the shuttle 10 due to the residual charge, the wafer can be detached while applying ultrasonic waves to the wafer W 0 or taking various measures for static elimination.
- the wafer W 0 which is supported by a plurality of pins 32, the measuring chamber conveying system 62 is carried out from the measurement table TB is placed on the substrate transfer unit described above.
- the shuttle 10 is driven upward by the measurement room transport system 62, released from the measurement table TB after releasing the kinematic coupling, and then stored in an empty storage shelf of the shuttle stocker. Is done. Thereby, the unloading operation of the exposed wafer in the measurement chamber 60 is completed.
- the shuttle 10 accommodated in the shuttle stocker is stored in the shuttle stocker until it is next taken out, and is adjusted (cooled) to a predetermined temperature during the storage.
- the wafer before the exposure with the electron beam resist applied to the measurement chamber 60 and the C / D 9000 is transferred by a transfer system (for example, an articulated robot) in the C / D 9000. Is placed on a substrate transfer portion provided at a boundary portion between the two. Within the C / D 9000, a series of processes including an electron beam resist coating process on the wafer are sequentially repeated, and the wafers are sequentially placed on the substrate transfer unit.
- a transfer system for example, an articulated robot
- the processes of steps S102 to S112 described above are performed.
- the shuttle 10 that holds the pre-exposure wafer W 1 for which the approximate position measurement with respect to the wafer shuttle, EGA wafer alignment (in this case, all shot alignment (also referred to as all points EGA)) and flatness measurement have been completed is performed. Then, it is placed on the load side shuttle placement portion of the shuttle delivery portion.
- the shuttle 10 that holds the wafer W 1 before exposure from the load-side shuttle placement unit of the shuttle transfer unit by the shuttle transfer system 70 is loaded into the load lock chamber corresponding to the exposure chamber 301 i specified by the main controller 100.
- main controller 100 designates exposure chamber 301 i if there is an exposure chamber 301 i for which the exposure processing for the wafer has been completed at that time, and if there is no exposure chamber for which the exposure processing has been completed.
- the exposure chamber 301 i where the exposure process is scheduled to end at the earliest timing is designated.
- it is assumed that the exposure chamber 301 i where the exposure process is scheduled to end at the earliest timing is designated.
- the shuttle exchange operation that is, the wafer exchange operation integrated with the shuttle will be described below.
- the shuttle 10 holding the wafer W 1 taken out from the load side shuttle mounting portion of the shuttle transfer unit, the position of the front of the load lock chamber 302 i of the vacuum chamber 300 i of the exposure chamber 301 i formed therein Is transported by the shuttle transport system 70.
- the exposure of the wafer W 0 is performed in the exposure chamber 301 i.
- the "shuttle for holding a wafer W 1" for convenience, referred to as "shuttle 10 1”
- the "shuttle for holding a wafer W 0" referred to as "shuttle 10 0".
- Shuttle transfer system 70 after carrying the shuttle 10 1 to the load lock chamber, the operation of carrying the shuttle for holding a wafer before the next exposure from the shuttle transfer unit to another load lock chamber, or another exposed wafer Engage in the operation (hereinafter referred to as another operation) of carrying out the shuttle to be held from another load lock chamber and transporting it to the shuttle delivery section.
- the inner (vacuum side) gate valve 302 c provided in the load lock chamber 302 i is opened, and the inside of the exposure chamber 301 i is then opened.
- the exposure chamber transport system 312 the shuttle 10 1 is housed in, for example, lower storage rack of the shuttle carrier 306 in the exposure chamber 301 i.
- the shuttle carrier 306 is in the first state (first position) in which the height of the lower storage shelf matches the opening of the load lock chamber.
- the position of the shuttle 10 for convenience, referred to as loading and unloading position. In this case, exposure of wafer W 0 on the shuttle 10 0 is continued.
- the shuttle carrier 306 descends from the first position to the second position below the first distance. Thereby, the shuttle carrier 306 is in the second state in which the height of the upper storage shelf matches the opening of the load lock chamber. At this time, since the exposure of wafer W 0 on the shuttle 10 0 is continued, the shuttle carrier 306, until the exposure is completed, maintaining the second state. That is, the shuttle 10 1 waits at the first waiting position below the loading and unloading position.
- the exposure chamber transport system 312 the shuttle 10 0, removed from fine movement stage 322b, is housed in the upper storage rack of the shuttle carrier 306.
- the feedback control of the posture initiated by the exposure control unit 380 i, then based on the first measurement information of the measurement system 20 (see FIG. 13), until the position control of the fine movement stage 322b of the shuttle and integral is started, the fine movement stage 322b 6
- the position and orientation in the direction of freedom are maintained in a predetermined reference state.
- the shuttle carrier 306 moves upward by a first distance and returns to the aforementioned first state (first position). That is, the shuttle by upward movement of the shuttle carrier 306, upward and shuttle 10 1 and the shuttle 10 0, is moved a first distance, along with positioning the shuttle 10 0 to the second standby position above the loading and unloading position 101 Position 1 to the loading / unloading position.
- the exposure chamber transport system 312 the shuttle 10 1 is taken out from the shuttle carrier 306 is transported upward in the coarse and fine movement stage 322 is mounted on the fine movement stage 322b.
- the shuttle 10 1 since the posture is maintained at the reference state, the shuttle 10 1, only attached to the fine movement stage 322b via the kinematic coupling, electronic positional relationship of the beam irradiation device 330 (the electron beam optics) and the shuttle 10 1 has a desired positional relationship.
- the position of the fine movement stage 322b is finely adjusted.
- the electron beam is irradiated from the electron beam optical system, the reflected electrons from the alignment mark is reflective is detected by an electronic detection system, position measurement of the wafer W 1 is carried out, the result of this position measurement, on the basis of the results of all points EGA previously performed with respect to a plurality of shot areas on the wafer W 1, Exposure using the electron beam irradiation apparatus 330 is started.
- the shuttle 10 0 of the aforementioned shuttle transfer portion of the transfer operation to the unload side shuttle mounting unit (recovery operation of the shuttle) is less It is performed in the procedure.
- the shuttle carrier 306 moves downward by the first distance and enters the second state again.
- the upper storage rack of the shuttle carrier 306 that shuttle 10 0 is accommodated is positioned at the same height as the opening of the load lock chamber.
- the exposure chamber transport system 312 the shuttle 10 0 is removed from the shuttle carrier 306 is conveyed toward the load lock chamber when the shuttle 10 0 is transferred into the load lock chamber, the gate valve 302c of the vacuum side Closed.
- the shuttle transport system 70 once completes the other operation described above and moves in front of the load lock chamber 302 i included in the vacuum chamber 300 i .
- the shuttle transfer system 70 is continuing another operation, for example, when the exposure of the wafer W 0 in the exposure chamber 301 i is completed, the main controller 100 immediately performs the other operation. It may be temporarily interrupted and moved before the load lock chamber 302 i included in the vacuum chamber 300 i .
- the shuttle 10 0 is taken out from the load lock chamber 304 by the shuttle transfer system 70, it is recovered.
- the exposure control device 380 i drives the shuttle carrier 306 in the second state upward by a first distance to return to the first state before and after opening the gate valve 302b. Incidentally, after the shuttle 10 0 has been removed, the gate valve 302b is closed.
- the recovered shuttle 10 0 by the shuttle transfer system 70 immediately returned to the unload side shuttle mounting portion of the shuttle transfer unit.
- the shuttle 10 0 returned is by the measurement chamber conveying system 62, for wafer exchange, is conveyed toward the measurement table TB.
- the inside measurement chamber 60 is repeated the process described above, each time the specified exposure chamber by the main controller 100 is performed, the conveyance of the shuttle by the shuttle transfer system 70, and designated the exposure chamber 301 i shuttle Exchange and exposure processing operations are repeated.
- the shuttle carrier 306 in the open front and rear of the gate valve 302b for extracting the shuttle 10 0 from the load lock chamber, the shuttle carrier 306, it is assumed to return to the first state (the first position), not limited to this, the The shuttle carrier 306 in the state 2 may be left as it is.
- the procedure similar to the above is performed while the setting of the first state and the second state of the shuttle carrier 306 is opposite to the above description. You can change the shuttle.
- the above-described preparatory work in the measurement chamber 60 and a series of operations by the shuttle transport system 70 (carrying the shuttle holding the wafer before exposure from the shuttle transfer unit into the load lock chamber, and The total time required for the operation of carrying out the shuttle holding the exposed wafer from the load-lock chamber and transporting it to the shuttle transfer unit is larger than the time required for the exposure operation performed by one exposure unit 310. Since it is extremely short, it is sufficient to provide only one measurement chamber 60 and one shuttle transport system 70 for each of ten exposure units 310 as in the exposure system 1000 according to the present embodiment. . That is, due to the series of operations in the measurement chamber 60 and the series of operations by the shuttle transport system 70, the throughput of the exposure system 1000 as a whole is not reduced.
- the utility supplied from below the floor surface F via the wiring and piping is supplied to the measurement chamber 200 and the chambers 300 1 to 300 10 are provided.
- a control rack 500 to be distributed to each is arranged between the two rows of chambers 300 1 to 300 5 and 300 6 to 300 10 and the C / D 9000 in the Y-axis direction and at the top of the measurement chamber 200. Further, the height of the chambers 300 1 to 300 10 , C / D 9000, so that the upper surface of the chambers 300 1 to 300 10 , the upper surface of the C / D 9000, and the upper surface of the control rack 500 are located on substantially the same plane.
- the height of the upper surface of the frame 400, and the height of the control rack 500 are set. Further, a layout is adopted in which the width dimensions (dimensions in the Y-axis direction) between the two rows of chambers 300 1 to 300 5 and 300 4 to 300 6 and the C / D 9000 side are aligned.
- the components of the exposure system 1000 including the two rows of chambers, the measurement chamber 200, and the control rack 500 occupy a rectangular parallelepiped space as a whole together with the C / D 9000. Therefore, in this embodiment, it is possible to avoid the occurrence of a poorly usable space in the clean room and to improve the utilization efficiency of the space.
- the utility is supplied to each of the chambers 300 1 to 300 10 from above by the control rack 500, there are the following advantages. That is, for example, it is necessary to connect many electric wires (wirings) to the lens barrel 331 of the electron beam irradiation apparatus 330. However, if the electric wires are to be connected from below, for example, the stage device 320 including the coarse / fine movement stage 322 and the like. Exist, get in the way, and the connection itself is difficult. On the other hand, when connecting the electric wire to the barrel 331 from above, since there is nothing to block, it can be easily connected even if the number of electric wires is large.
- the exposure system 1000 includes a total of ten exposure units 310 housed in the vacuum chambers 300 1 to 300 10 , each of which can be turned on / off, and There are, for example, 100 optical columns, for example, 100 mm, for example, on a 300 mm wafer.
- the electron beam irradiation device 330 is provided in the lens barrel 331 in a positional relationship corresponding substantially to 100 shot regions. Therefore, by performing exposure of separate wafers in parallel by a total of ten exposure units 310, the throughput can be significantly improved as compared with the conventional electron beam exposure apparatus.
- measurement of the positional relationship of the wafer with respect to the shuttle 10 is performed in a state where the wafer is held by the shuttle 10 prior to exposure in a measurement chamber 60 different from the exposure chamber 301 i. Then, pre-measurement such as EGA alignment measurement and wafer flatness measurement is performed, and then the shuttle 10 holding the wafer for which the pre-measurement has been completed is loaded into each exposure chamber 301 i , and the fine movement at the reference position is performed.
- An alignment measurement performed in advance for example, by performing a wafer position confirmation operation by mounting the stage 322b via a kinematic coupling and irradiating an electron beam to measure several alignment marks on the wafer. Using the result of all-point EGA measurement and the result of flatness measurement, exposure to the wafer is started immediately. Can. Also in this respect, the throughput can be significantly improved as compared with the conventional case.
- the shuttle transfer system 70 allows the wafers for which pre-measurement has been completed and the wafers for which the exposure has been completed to be integrated with the shuttle 10 and the load lock chambers 302 of the measurement chamber 60 and the vacuum chambers 300 1 to 300 10 respectively. It is conveyed between i .
- the exposure chamber transfer system 312 carries the shuttle 10 holding the wafer, which has been carried into the load lock chamber 302 i of each of the vacuum chambers 300 1 to 300 10 and has been subjected to the preliminary measurement, into each exposure chamber 301 i .
- the wafer exposure can be started immediately only by performing the above-described wafer position confirmation operation.
- the coarse movement stage drive system 323 that drives the coarse movement stage 322a in the X-axis direction is a uniaxial drive mechanism, for example. Since it is constituted by a feed screw mechanism using a ball screw, there is no possibility of magnetic flux leakage from the feed screw mechanism. Further, as the fine movement stage drive system 327 for driving the fine movement stage 322b on which the shuttle 10 is mounted in the direction of 6 degrees of freedom, the above-mentioned closed magnetic field type and moving magnet type motor 327 is used, and the upper surface and both side surfaces of the motor.
- the stage apparatus 320 can effectively suppress or prevent upward magnetic flux leakage as described above, an electron beam exposure apparatus, other charged particle beam exposure apparatus, SEM, or the like It is suitable as a stage device used for the above.
- the coarse motion stage drive system 323 is configured with a feed screw mechanism using a ball screw, but is not limited to this configuration.
- the stage device 320 since the weight canceling device 324 that supports the own weight of the fine movement stage 322b (and the shuttle 10) on the surface plate 321 is provided, the fine movement stage (and the shuttle 10) is provided. It is necessary to generate a steady force for supporting the own weight by the motor 327 when it is not driven. Thereby, it is possible to prevent inconvenience due to large heat generation and to further suppress or prevent the magnetic force from adversely affecting the positioning of the electron beam.
- the position information of the fine movement stage 322b in the direction of 6 degrees of freedom is obtained by measuring the position information of the shuttle 10 described above. It is measured by the first measurement system 20 comprising: Since the encoder system has an extremely short optical path length of the measurement beam as compared with the interferometer, the required space is small and the first measurement system 20 can be downsized. Further, as described above, the first measurement system 20 can measure a total of 12 degrees of freedom. Redundant measurement is performed for each of the 6 degrees of freedom directions, and two pieces of position information are obtained.
- the exposure control device 380 uses the average value of the two pieces of position information for each degree of freedom as the measurement result in each direction. Thereby, the position information of the shuttle 10 and fine movement stage 322b can be obtained with high accuracy in all directions with six degrees of freedom due to the averaging effect. Therefore, it is possible to improve the position controllability of the wafer during exposure, and high-accuracy exposure is possible.
- the entire exposure unit 310 is accommodated in the vacuum chamber 300 i . Therefore, even if the atmospheric pressure fluctuates, the lens barrel 331 that is entirely accommodated in the vacuum chamber 300 i is not deformed, and the electron beam optical system in the lens barrel 331 is adversely affected. There is no fear.
- the case where one exposure unit 310 is accommodated in the vacuum chamber 300 i is illustrated, but the present invention is not limited to this, and two or more exposure units 310 are included in one vacuum chamber. It may be housed.
- the exposure system 1000 has been described the case that a ten exposure chamber 301 i and one measuring chamber 60, the number of the exposure chamber is not particularly limited, an even number It is desirable for layout. Further, it is not necessary to provide all of the two rows of chambers 300 1 to 300 5 and 300 6 to 300 10 , and only at least one of the chambers 300 1 and 300 6 adjacent to the measurement chamber 200 and the control rack 500 is provided. Also good.
- the electron beam irradiation device 330 is integrated with the metrology frame 340 and suspended from the top plate (ceiling wall) of the vacuum chamber or the frame 400 via the three suspension support mechanisms 350a, 350b, 350c.
- the present invention is not limited to this, and the electron beam irradiation device 330 may be supported by a floor-standing body.
- the above-mentioned space SP in which the wafer is transported and a part of the measurement chamber 60 communicating with the space SP are a vacuum chamber. You may comprise so that a low vacuum state with a low degree of vacuum compared with the inside of this can be set.
- a wafer carry-out unit may be provided separately from the measurement chamber 60, and the wafer may be removed from the shuttle at the wafer carry-out unit.
- the fine movement stage 322b is movable in the direction of 6 degrees of freedom with respect to the coarse movement stage 322a
- the present invention is not limited to this, and the fine movement stage can be moved only in the XY plane. May be.
- the first measurement system 20 and the second measurement system 25 that measure the position information of the fine movement stage may also be able to measure the position information regarding the three degrees of freedom direction in the XY plane.
- the first measurement system 20 performs redundant measurement for each direction in the 6-degree-of-freedom direction, and based on the average of the two position information obtained for each direction, the fine movement stage in each direction.
- the position of the fine movement stage in each direction is determined based on the average of three or more pieces of position information. It is good also as what asks for.
- redundant measurement may be performed only in a part of the six degrees of freedom direction, for example, in the three degrees of freedom direction in the XY plane, or redundant measurement may not be performed in any direction.
- FIG. 15 is a perspective view showing an exposure system 1000A according to the present modification together with C / D 9000A.
- the exposure system 1000A differs from the exposure system 1000 according to the first embodiment described above only in a part of the layout, and the functions and the like of each component are the same. .
- the exposure system 1000A can be arranged in a rectangular parallelepiped space in a clean room together with the C / D 9000A, as in the exposure system 1000 according to the first embodiment.
- a C / D 9000A having a chamber lower than the C / D 9000 connected inline to the measurement chamber 200 is used, and the space above the C / D 9000A is effectively used. Therefore, instead of the control rack 500, a control rack 500A having a width (length in the X-axis direction) larger than that of the control rack 500 is used.
- the control rack 500A is placed on the frame 400A.
- the frame 400A has four legs located at four corners of a space in which the C / D 9000A and the measurement chamber 200 are arranged in the X-axis direction, and a ceiling supported by these legs. .
- a control rack 500A is placed on the ceiling.
- the frame 400A is used.
- the control rack 500A may be mounted directly on the measurement chamber 200 and the C / D 9000A without using a frame member such as.
- the control rack 500A has wiring and piping from the utility supply source of the clean room sub-fab under the floor surface F between the control rack 500A and the floor surface F via the floor surface F. It passes through the space and is connected from below.
- the control rack 500A includes a control system unit directly related to an electron beam exposure apparatus such as a high-voltage power supply and an amplifier, a stage control system described later, and a measurement control platform described later. Various units such as are stored.
- the control rack 500A temporarily relays the wiring and piping, and distributes the utility supplied from the utility supply source of the clean room subfab via the wiring and piping (supply member) to the measurement chamber 200 and the chambers 300 1 to 300 10 .
- a cooling water temperature controller may be disposed inside the control rack 500. In this case as well, a plurality of control racks having different roles may be provided as the control rack.
- the configuration of the other parts of the exposure system 1000A is the same as that of the exposure system 1000.
- the exposure system 1000A configured as described above is installed on the clean room floor F with the layout shown in FIG. 15 together with the C / D 9000A to assemble a lithography system that occupies a rectangular parallelepiped space in the clean room. Therefore, it is possible to avoid the generation of unusable space in the clean room and improve the utilization efficiency of the space in the clean room. Also, the exposure system 1000A according to the present modification can obtain various effects equivalent to those of the exposure system 1000 according to the above embodiment.
- FIG. 16 an exposure system 1000B according to the second embodiment is shown in a perspective view together with C / D 9000B.
- the exposure system 1000B is shown in a simplified manner, and the frame member that supports the control rack 500B is not shown.
- the layout of the measurement chamber 200, the vacuum chambers 300 1 to 300 10 and the control rack provided in the exposure system 1000B will be mainly described. The same applies to each embodiment to be described later and modifications thereof. Also in the exposure system 1000B, it is not always necessary to use a frame member that supports the control rack 500B.
- a control rack 510 different from the control rack 500B is arranged in the above-described space on the + Y side of the measurement chamber 200.
- a control rack 500B is placed above the control rack 510 and the measurement chamber 200 via a frame member (not shown).
- Control rack 500B has a similar structure will equal or more functions and control the rack 500 of the embodiment described above, the height is higher than the control rack 500, the upper surface, the chamber 300 1 to 300 10, and C / D9000B is higher.
- Wiring and piping from the utility supply source of the clean room subfab are connected to the control rack 510 via the floor surface F, and the utility is supplied to the control rack 500B.
- the control rack 500B distributes the utility supplied from the control rack 510 to the measurement chamber 200 and the ten chambers 300 1 to 300 10 . That is, the control rack 500B functions as an interface between the control rack 510 and the measurement chambers and the ten chambers 300 1 to 300 10 .
- a configuration may be adopted in which utility is supplied from the control rack 510 to the measurement chamber 200.
- control rack 510 is a control rack having a function related to the irradiation control of the electron beam irradiated to the target wafer from the electron beam irradiation apparatus 330
- control rack 500B is a control having other functions.
- Two control racks may be assigned roles such as a rack.
- the C / D 9000B is connected inline to the measurement chamber 200, but the in-line connection port is provided on one side in the longitudinal direction of the C / D 9000B chamber.
- the configuration of other parts of the exposure system 1000B is the same as that of the exposure system 1000 according to the first embodiment described above.
- the lithography system 2000 is constituted by the exposure system 1000B and the C / D 9000B according to the second embodiment. As can be seen from FIG. 16, in the lithography 2000, a free space is generated on the + Y side of the C / D 9000B.
- the lithography system 2000 is arranged so that the C / D 9000 ⁇ / b> Bs are opposed to each other while being rotated 180 ° to each other, so that the entire space is arranged in a substantially rectangular parallelepiped space. Therefore, it is possible to avoid the occurrence of a poorly usable space in the clean room and to improve the utilization efficiency of the space in the clean room.
- FIG. 18 an exposure system 1000C according to Modification 1 of the second embodiment is shown in a perspective view together with C / D 9000B.
- Exposure system 1000C in the exposure system 1000B according to the second embodiment described above, the control rack 500B, rather than above the measurement chamber 200 and the control rack 510, adjacent to the + X side of the chamber 300 5 and the chamber 300 10 It is arranged on the floor surface F.
- wiring and piping from the utility supply source of the clean room subfab are connected to the control rack 500 ⁇ / b> B via the floor surface F.
- the control rack 500B includes a base for controlling each part other than the electron beam irradiation apparatus, for example, a stage system.
- An exposure system 1000C forms a lithography system 2000A together with C / D 9000B.
- the C / D 9000B is rotated in a state where the two lithography systems 2000A are rotated 180 ° relative to each other.
- positioning so that it may mutually oppose, it can arrange
- FIG. 19 an exposure system 1000D according to Modification 2 of the second embodiment is shown in a perspective view together with C / D 9000.
- the control rack 500B is installed on the floor F adjacent to the ⁇ X side of the measurement chamber 200 and the control rack 510 in the exposure system 1000B according to the second embodiment described above.
- the exposure system 1000D uses the aforementioned C / D 9000 in place of the C / D 9000B.
- the C / D 9000 is arranged on the ⁇ Y side of the measurement chamber 200 of the exposure system 1000D and the control rack 500B and is connected to the measurement chamber 200 in-line. ing.
- control rack 500B supplies utilities to the control rack 510 and incorporates a base for controlling each part other than the electron beam irradiation apparatus, for example, a stage system.
- An exposure system 1000D forms a lithography system 2000B together with a C / D 9000.
- the C / D 9000 is rotated with the two lithography systems 2000B rotated 180 ° relative to each other. By disposing them so as to face each other with a predetermined distance, they can be disposed in a substantially rectangular parallelepiped (planar view rectangle) space as a whole.
- FIG. 20 is a perspective view showing an exposure system 1000E according to Modification 3 of the second embodiment together with C / D9000.
- the control rack 500B is adjacent to the ⁇ X side of the control rack 510 and the measurement chamber 200 instead of above the control rack 510 and the measurement chamber 200. Then, it is installed on the floor surface F with the X-axis direction as the longitudinal direction.
- the above-described C / D 9000 is used, the C / D 9000 is disposed on the measurement chamber 200-Y side, and is connected to the measurement chamber 200 in-line.
- control rack 500B supplies utilities to the control rack B and incorporates a base for controlling each part other than the electron beam irradiation apparatus, such as a stage system.
- An exposure system 1000E according to this modification constitutes a lithography system 2000C together with C / D 9000.
- the two lithography systems 2000C are rotated by 180 ° with respect to each other.
- / D9000 can be arranged in such a way that one end face in the longitudinal direction faces each other in a substantially contacted state, so that free space can be created in some places, but it can be arranged in a substantially rectangular parallelepiped (planar view rectangle) space as a whole. it can.
- FIG. 21 an exposure system 1000F according to Modification 4 of the second embodiment is shown in a perspective view together with C / D 9000.
- Exposure system 1000F is the exposure system 1000B according to the second embodiment described above, the control rack 500B, rather than above the measurement chamber 200 and the control rack 510, adjacent to the + X side of the chamber 300 5 and the chamber 300 10 It is arranged on the floor surface F.
- the C / D 9000 is installed on the floor surface F adjacent to the control rack 510 and the ⁇ X side of the measurement chamber 200 and is connected inline to the measurement chamber 200.
- the control rack 500B includes a base for controlling each part other than the electron beam irradiation apparatus, for example, a stage system.
- the exposure system 1000F according to this modification can be arranged in a substantially rectangular parallelepiped (planar view rectangle) space together with the C / D 9000.
- FIG. 22 is a perspective view showing an exposure system 1000G according to the third embodiment together with C / D 9000.
- control rack 510 is arranged on the + Y side of the measurement chamber 200 installed on the floor surface F.
- an interface chamber 600 having a wafer transfer path therein is disposed between the measurement chamber 200 and the C / D 9000.
- the control rack 500C is placed via a frame member (not shown).
- the control rack 500 ⁇ / b> C is configured in the same manner as the control rack 500 described above and has an equivalent or higher function, but is longer than the control rack 500.
- the control rack 510 may be disposed above the measurement chamber 200 and the interface chamber 600 without using a frame member.
- Wiring and piping from the utility supply source of the clean room subfab are connected to the control rack 510 via the floor surface F, and the utility is supplied to the control rack 500C.
- the control rack 500C distributes the utility supplied from the control rack 510 to the measurement chamber 200 and the ten chambers 300 1 to 300 10 . That is, the control rack 500C functions as an interface between the control rack 510 and the measurement chamber 200 and the ten chambers 300 1 to 300 10 .
- a configuration may be adopted in which utility is supplied from the control rack 510 to the measurement chamber 200.
- control rack 510 is a control rack having a function related to the irradiation control of the electron beam irradiated to the target wafer from the electron beam irradiation apparatus 330
- control rack 500C is a control having other functions.
- a role may be assigned to two control racks such as a rack.
- the C / D 9000 is connected inline to the measurement chamber 200 via the interface chamber 600.
- the configuration of other parts is the same as that of the exposure system 1000 according to the first embodiment described above.
- maintenance and the like can be performed from both sides in the Y-axis direction for any of the chambers 300 1 to 300 10 .
- the exposure system 1000G constitutes a lithography system 2000E together with the C / D 9000.
- a free space is generated on the + X side of the C / D 9000.
- the longitudinal ends of the C / D 9000 are opposed to each other. It can be set as the structure to arrange.
- the interface chamber 600A (not shown), the measurement chamber 200A (not shown), and the above-described chamber are arranged on the ⁇ Y side of the C / D 9000A opposite to the + X side half of the C / D 9000A.
- Control racks 510A are arranged in order from the C / D 9000A side. Measurements above the chamber 200A and the interface chamber 600A control rack 500CA through the frame member (not shown) is placed, each chamber 300 Ai is disposed on the -X side of the measuring chamber 200A.
- the interface chamber 600B, the measurement chamber 200B, and the control rack 510B described above are located on the + Y side of the C / D 9000B facing the ⁇ X half of the C / D 9000B from the side close to the C / D 9000B. They are arranged in order.
- a control rack 500CB is placed above the measurement chamber 200B and the interface chamber 600B via a frame member (not shown), and each chamber 300 Bi is arranged on the + X side of the measurement chamber 200.
- wiring and piping from the utility supply source of the clean room subfab are connected to the control rack 510A via the floor F, and the utility is supplied to the control rack 500CA.
- wiring and piping from the utility supply source of the clean room subfab are connected to the control rack 510B through the floor surface F, and the utility is supplied to the control rack 500CB.
- FIG. 24 is a perspective view showing an exposure system 1000H according to a modification of the third embodiment together with C / D9000.
- the exposure system 1000H includes a control rack 500B instead of the control rack 500C in the exposure system 1000G according to the third embodiment described above, and the control rack 500B together with the control rack 510 is a floor surface on the + X side of the C / D 9000. It is installed side by side in the X-axis direction on F.
- wiring and piping from the utility supply source of the clean room subfab are connected to the control rack 500B via the floor surface F.
- the control rack 500B supplies utilities to the control rack 510 and incorporates a base for controlling each part other than the electron beam irradiation apparatus, for example, a stage system.
- a space for maintenance is secured between the chamber row including the chambers 300 1 to 300 5 and the control rack 510 and the control rack 500B.
- a free space is generated on the + Y side of the measurement chamber 200.
- the exposure system 1000H can be disposed in a substantially rectangular parallelepiped (planar view rectangle) space as a whole.
- FIG. 25 shows a perspective view of an exposure system 1000I according to the single chamber row type (part 1) together with C / D 9000B.
- the control rack 500B is not the upper part of the measurement chamber 200 and the control rack 510, but C / D (in this case, C / D 9000B is used).
- the chambers 300 1 to 300 10 are arranged in a line along the X-axis direction on the + X side of the measurement chamber 200.
- control rack 510 supplies utilities to the control rack 500B.
- the control rack 500B distributes the utility supplied from the control rack 510 to the measurement chamber 200 and the ten chambers 300 1 to 300 10 . That is, the control rack 500B functions as an interface between the control rack 510 and the measurement chamber 200 and the ten chambers 300 1 to 300 10 .
- the control rack 500B includes a base for controlling each part other than the electron beam irradiation apparatus 330, for example, a stage system.
- the control rack 510 incorporates a base related to the control of the electron beam irradiation device 330 of each chamber 300 i .
- a configuration may be adopted in which utility is supplied from the control rack 510 to the measurement chamber 200.
- maintenance can be performed from both sides for any of the chambers 300 1 to 300 10 , and maintenance of the shuttle transport system is facilitated.
- the exposure system 1000I constitutes a lithography system together with the C / D 9000B.
- this lithography system so that the control racks 510 face each other with a predetermined distance in a state where they are rotated by 180 °, they can be arranged in a substantially rectangular parallelepiped (planar view rectangular) space as a whole. it can.
- FIG. 26 is a perspective view showing an exposure system 1000J according to the single chamber row type (No. 2) together with C / D 9000B.
- a control rack 510 is disposed on the measurement chamber 200 via a frame member (not shown), and the measurement chamber 200 and ten chambers 300 are replaced with the control rack 500B.
- a control rack 500D having a length approximately equal to the length of the chamber row consisting of 1 to 300 10 is provided, and this control rack 500D is arranged on the + Y side of the measurement chamber 200 and the ten chambers 300 1 to 300 10 It is.
- control rack 500D and the ten chambers 300 1 to 300 10 have a predetermined distance in the Y-axis direction (corresponding to a difference in length in the Y-axis direction between the control rack 510 and each of the chambers 300 1 to 300 10 ). Distance) is facing away.
- control rack 510 may be disposed on the measurement chamber 200 without using a frame member.
- control rack 510 supplies utilities to the measurement chamber 200 and the control rack 500D.
- the control rack 500D distributes the utility supplied from the control rack 510 to the ten chambers 300 1 to 300 10 . That is, the control rack 500D functions as an interface between the control rack 510 and the ten chambers 300 1 to 300 10 .
- the control rack 500D includes a base for controlling each part other than the electron beam irradiation apparatus, for example, a stage system.
- the control rack 510 incorporates a base related to the control of the electron beam irradiation device 330 of each chamber 300 i .
- a configuration may be adopted in which utility is supplied from the control rack 510 to the measurement chamber 200.
- FIG. 27 shows a perspective view of an exposure system 1000K according to a single chamber row type (No. 3) together with C / D 9000B.
- the C / D 9000B and the measurement chamber 200 are installed on the floor surface F at a predetermined interval in the Y-axis direction, and the interface between the C / D 9000B and the measurement chamber 200 is the longitudinal direction in the Y-axis direction.
- In-line connection is made via the chamber 600A.
- a control rack 510 and a control rack 500E are arranged side by side in the X-axis direction above the interface chamber 600A and the measurement chamber 200 via a frame member (not shown).
- Chambers 300 1 to 300 10 are arranged in a line in the X axis direction on the + X side of the measurement chamber 200. Note that the control rack 510 and the control rack 500E may be arranged above the interface chamber 600A and the measurement chamber 200 without using a frame member.
- control rack 510 supplies utilities to the control rack 500E.
- the control rack 500E distributes the utility supplied from the control rack 510 to the measurement chamber 200 and the ten chambers 300 1 to 300 10 .
- the control rack 500E includes a base for controlling each part other than the electron beam irradiation apparatus, for example, a stage system.
- the control rack 510 incorporates a base related to the control of the electron beam irradiation device 330 of each chamber 300 i .
- any of the chambers 300 1 to 300 10 can be maintained from both sides, and the shuttle transport system can be easily maintained.
- an exposure system 1000L having a layout as shown in a perspective view in FIG. 28 can be cited as an exposure system that can be arranged in a rectangular space in plan view in the clean room together with C / D.
- the exposure system 1000L has the interface chamber 600A described above as a part thereof.
- the interface chamber 600A and the control rack 500B are arranged in the Y-axis direction on the ⁇ Y side of the C / D 9000 installed on the floor F with the X-axis direction as the longitudinal direction.
- the measurement chamber 200 and the control rack 510 are arranged on the + X side of each of the interface chamber 600A and the control rack 500B.
- two rows of chambers 300 1 to 300 5 and 300 6 to 300 10 are arranged on the + X side of the measurement chamber 200 and the control rack 510.
- the C / D 9000 and the measurement chamber 200 are connected inline via the interface chamber 600A.
- control rack 510 supplies utilities to the control rack 500B.
- the control rack 500B distributes the supplied utility to the measurement chamber 200 and the ten chambers 300 1 to 300 10 .
- the control rack 500B includes a base for controlling each part other than the electron beam irradiation apparatus, for example, a stage system.
- the control rack 510 incorporates a base related to the control of the electron beam irradiation device 330 of each chamber 300 i .
- an exposure system 1000M having a layout as shown in a perspective view in FIG.
- the exposure system 1000M includes an interface chamber 600B that is different from the interface chambers 600 and 600A described above.
- Exposure system 1000M are arranged in the Y-axis direction in the longitudinal direction as the metrology chamber 200 floor surface on F, to one side and the other side of the X-axis direction across the measuring chamber 200, the chamber 300 1 to 300 5 and the chamber 300 6 to 300 10 are arranged in a row in the X-axis direction.
- C / D 9000B is arranged at a predetermined interval on the + Y side of chambers 300 1 to 300 3 .
- An interface chamber 600B is disposed adjacent to the + Y side of the measurement chamber 200, and the C / D 9000B and the measurement chamber 200 are connected inline by the interface chamber 600B.
- a control rack 500B is disposed adjacent to the + X side of the interface chamber 600B, and a control rack 510 is disposed adjacent to the + X side of the control rack 500B.
- control rack 510 supplies utilities to the control rack 500B.
- the control rack 500B distributes the supplied utility to the measurement chamber 200 and the ten chambers 300 1 to 300 10 .
- the control rack 500B includes a base for controlling each part other than the electron beam irradiation apparatus, for example, a stage system.
- the control rack 510 incorporates a base related to the control of the electron beam irradiation device 330 of each chamber 300 i .
- the transport path of shuttle 10 (wafer) is the + Y side (C / D 9000 side) space of chambers 300 1 to 300 5 and the + Y side of chambers 300 6 to 300 10 (space on the control rack 500B side).
- the control rack 500B is arranged on one end side of the chamber row composed of the chambers 300 1 to 300 10 arranged in a row, it is for distributing the utility to the chambers 300 1 to 300 10 .
- the overall length of wiring and piping is shortened.
- a plurality of electron beams are generated via a blanking aperture array having a plurality of apertures in a method of turning on / off each beam.
- a method of drawing the pattern on the sample surface by individually turning on / off the electron beam according to the drawing pattern may be adopted.
- the blanking aperture array instead of the blanking aperture array, a configuration using a surface emission type electron beam source having a plurality of electron emission portions for emitting a plurality of electron beams may be used.
- the electron beam irradiation apparatus a multi-beam irradiation apparatus that irradiates a multi-beam, a single beam irradiation apparatus that irradiates a single electron beam, or the like may be used.
- the single beam type irradiation apparatus has a point beam type in which the irradiated beam is used in a spot shape, a variable shaped beam type in which the irradiated beam is used in a rectangular section having a variable size, and a beam passage hole having a desired shape.
- a stencil mask type in which a stencil mask is prepared and a beam is formed into a desired shape by using the stencil mask.
- the electron beam irradiation apparatus a multi-column system in which a large number of optical system columns are arranged, or a single column system in which one optical system column is arranged may be used.
- the exposure unit in the present embodiment is not limited to the scanning stepper method, and a stationary type method such as a stepper may be used, and a step-and-stitch type reduced projection exposure method for combining a shot area and a shot area. It may be.
- a batch transfer apparatus that batch-transfers a pattern corresponding to one semiconductor chip or a plurality of semiconductor chips from a mask to a photosensitive substrate, or higher throughput than a batch transfer system.
- a split transfer type apparatus capable of exposure may also be used.
- the divided transfer method is a method in which a pattern to be transferred to a photosensitive substrate is divided into a plurality of small areas smaller than the size corresponding to one shot on the mask, and these are transferred onto the photosensitive substrate.
- a mask having a circuit pattern of one entire semiconductor chip is prepared, an electron beam is irradiated to a range of the mask, and an image of the pattern in the irradiation range is reduced and transferred by a projection lens.
- an electron beam reduction transfer exposure apparatus There is also an electron beam reduction transfer exposure apparatus.
- measurement was performed on the target to which the sensitive agent was applied by the substrate processing apparatus.
- the target before the sensitive agent was applied by the substrate processing apparatus was measured. Measurement may be performed.
- the exposure system 1000 In the exposure system 1000 according to the first embodiment, the case where the target is a wafer for manufacturing a semiconductor device has been described. It can also be suitably used when a mask is manufactured by forming a fine pattern on a glass substrate. For example, an exposure system for drawing a mask pattern on a rectangular glass plate or a silicon wafer, an exposure system for manufacturing an organic EL, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD, etc.), a micromachine, a DNA chip, etc. Also good.
- the exposure system 1000 that uses an electron beam as an exposure beam has been described. However, the above embodiments or modifications may be applied to an exposure apparatus system that uses an ion beam or the like. it can.
- the exposure system is not limited to an exposure system that performs exposure with a charged particle beam, and the EUV light is used as an exposure beam to illuminate the mask, and EUV light from the mask pattern is projected onto the substrate by the projection optical system.
- An exposure apparatus system using an EUV exposure apparatus may be used.
- the exposure system and the lithography system according to the present invention are suitable for use in the lithography process in the manufacture of electronic devices such as semiconductor elements.
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Abstract
露光システム(1000)は、床面(F)上に設置されたC/D(9000)に対して+X側に配置された第1列のチャンバ(3001~3005)と、第1列のチャンバに対向して+Y側に配置された第2列のチャンバと、第1及び第2列のチャンバに対して-X側に隣接して、かつC/D(9000)の+X側に配置された計測チャンバ(200)及び制御ラック(500)と、を備えている。少なくとも一部の複数のチャンバの内部には、露光が行われる露光室がそれぞれ形成され、制御ラック(500)は、床面(F)の下方から供給されたユーティリティを第1列及び第2列のチャンバのそれぞれに分配する。
Description
本発明は、露光システム及びリソグラフィシステムに係り、特にターゲットを露光ビームで露光する露光システム、及び第1の露光システム及び第2の露光システムを備えるリソグラフィシステムに関する。
半導体素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するためのリソグラフィ工程で使用され、露光ビームとして遠紫外域から真空紫外域にかけての紫外光を用いる露光装置(以下、紫外光露光装置という)においては、解像度を高めるために、露光波長の短波長化、照明条件の最適化、及び投影光学系の開口数をさらに増大するための液浸法の適用等が行われてきた。さらに、解像度を高めるための試みとして、紫外光よりさらに波長の短いEUV(Extreme Ultraviolet、極紫外線、軟X線)光源を用いたEUV露光装置の採用も検討されている。
また、近年では、紫外光露光装置の解像限界よりも微細なピッチの回路パターンを形成するために、紫外光露光装置の解像限界よりも小さい多数の円形スポットを電子ビームで形成し、この電子ビームの円形スポットとウエハとを相対的に走査する電子ビーム露光装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
電子ビーム露光装置あるいはEUV露光装置は、チャンバの内部を真空にするための種々の制御ユニットを備えているため、紫外光露光装置に比べてフットプリントが大きい。
本発明の第1の態様によれば、ターゲットを露光ビームで露光する露光システムであって、前記ターゲット又は基板処理装置で感応剤が塗布された前記ターゲットに対して計測を行う計測室が形成された第1チャンバと、前記第1チャンバから搬送された前記ターゲットを露光ビームで露光する露光室が形成された第2チャンバと、前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に隣接又は近接して配置され、外部のユーティリティ供給源から供給されるユーティリティを前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に供給する少なくとも1つの制御ラックと、を備える露光システムが、提供される。
本発明の第2の態様によれば、ターゲットを露光ビームで露光するリソグラフィシステムであって、第1の基板処理装置で前記ターゲット又は感応剤が塗布された前記ターゲットに対して計測を行う計測室が形成された第1チャンバと、前記第1チャンバから搬送された前記ターゲットを露光ビームで露光する露光室が形成された第2チャンバと、前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に隣接又は近接して配置され、外部のユーティリティ供給源から供給されるユーティリティを前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に供給する少なくとも1つの第1制御ラックと、を備える第1の露光システムと、第2の基板処理装置で前記ターゲット又は感応剤が塗布された前記ターゲットに対して計測を行う計測室が形成された第3チャンバと、前記第3チャンバから搬送された前記ターゲットを露光ビームで露光する露光室が形成された第4チャンバと、前記第3チャンバ及び前記第4チャンバの少なくとも一方に隣接又は近接して配置され、外部のユーティリティ供給源から供給されるユーティリティを前記第3チャンバ及び前記第4チャンバの少なくとも一方に供給する少なくとも1つの第2制御ラックと、を備える第2の露光システムと、を有し、前記第1チャンバは、前記第1の基板処理装置の、前記第1の基板処理装置と前記第2の基板処理装置とが並ぶ第1方向に交差する第2方向の一側に配置され、前記第2チャンバは、前記第1チャンバの第1方向の他側に配置され、前記第3チャンバは、前記第2の基板処理装置の前記第2方向の他側に配置され、前記第4チャンバは、前記第3チャンバの第1方向の一側に配置されるリソグラフィシステムが、提供される。
本発明の第3の態様によれば、ターゲットを露光ビームで露光するリソグラフィシステムであって、第1の基板処理装置で前記ターゲット又は感応剤が塗布された前記ターゲットに対して計測を行う計測室が形成された第1チャンバと、前記第1チャンバから搬送された前記ターゲットを露光ビームで露光する露光室が形成された第2チャンバと、前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に隣接又は近接して配置され、外部のユーティリティ供給源から供給されるユーティリティを前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に供給する少なくとも1つの第1制御ラックと、を備える第1の露光システムと、第2の基板処理装置で前記ターゲット又は感応剤が塗布された前記ターゲットに対して計測を行う計測室が形成された第3チャンバと、前記第3チャンバから搬送された前記ターゲットを露光ビームで露光する露光室が形成された第4チャンバと、前記第3チャンバ及び前記第4チャンバの少なくとも一方に隣接又は近接して配置され、外部のユーティリティ供給源から供給されるユーティリティを前記第3チャンバ及び前記第4チャンバの少なくとも一方に供給する少なくとも1つの第2制御ラックと、を備える第2の露光システムと、を有し、前記第1の基板処理装置と前記第2の基板処理装置とは第1方向に近接又は隣接して配置され、前記第1チャンバと前記第3チャンバとは、前記第1の基板処理装置と前記第2の基板処理装置との間の点に対して180度回転対称に配置され、前記第2チャンバと前記第4チャンバとは、前記第1の基板処理装置と前記第2の基板処理装置との間の点に対して180度回転対称に配置されるリソグラフィシステムが、提供される。
《第1の実施形態》
以下、第1の一実施形態について、図1~図14に基づいて、説明する。図1には、第1の実施形態に係る露光システム1000が、レジスト塗布・現像装置(コータ・デベロッパ(以下、C/Dと略記する))9000とともに、斜視図にて示されている。また、図2には、露光システム1000が、C/D9000とともに、平面図にて示されている。
以下、第1の一実施形態について、図1~図14に基づいて、説明する。図1には、第1の実施形態に係る露光システム1000が、レジスト塗布・現像装置(コータ・デベロッパ(以下、C/Dと略記する))9000とともに、斜視図にて示されている。また、図2には、露光システム1000が、C/D9000とともに、平面図にて示されている。
本実施形態では、露光ビームの一例として、荷電粒子ビーム、特に電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
本実施形態では、後述するように複数の電子ビーム光学系が設けられているので、以下、各電子ビーム光学系の光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面(本実施形態では床面Fと平行な面である)内に互いに直交するX軸及びY軸を取って説明する。
露光システム1000は、図1及び図2に示されるように、床面F上に設置された直方体状のC/D9000の+X側に隣接して配置された計測チャンバ200と、計測チャンバ200の上方に配置された制御ラック500と、計測チャンバ200及び制御ラック500の+X側に配置された10個の真空チャンバ(以下、適宜、チャンバとも称する)3001~30010と、を備えている。制御ラック500は、計測チャンバ200が配置されたC/D9000と10個のチャンバ3001~30010との間のスペースの4つのコーナーに位置する4本の脚部を有するフレーム400上に配置されている。したがって、制御ラック500の重量が計測チャンバ200に掛からず、かつ制御ラック500と計測チャンバ200とが、振動的に分離されている。なお、計測チャンバ200の強度が十分ある場合、あるいは制御ラック500の重量が軽い場合などには、フレーム400などのフレーム部材を用いることなく、制御ラック500を、計測チャンバ200上に直接載置しても良い。
10個のチャンバ3001~30010は、5つのチャンバ3001~3005と、5つのチャンバ3006~30010とから成る2列に分かれている。
5つのチャンバ3001~3005は、互いに隣接してX軸方向(計測チャンバ200とC/D9000とが隣接する方向)に一列で配置され、また、残りの5つのチャンバ3006~30010は、互いに隣接してチャンバ3001~3005に並行して一列で配置されている。
図2の平面図に示されるように、一方の列のチャンバ3001~3005及び他方の列のチャンバ3006~30010は、それぞれ、制御ラック500(及び計測チャンバ200)の-Y側端部、+Y側端部の+X側に隣接してX軸方向に並んで配置されている。本実施形態では、チャンバ3001と3006が対向し、チャンバ3002と3007が対向し、チャンバ3003とチャンバ3008が対向し、チャンバ3004と3009が対向し、チャンバ3005と30010が対向している。
チャンバ3001~30010のそれぞれは、C/D9000と同じ高さを有している。また、計測チャンバ200の高さは、チャンバ3001~30010及びC/D9000の高さよりも低いため、計測チャンバ200の上方に、空きスペースが存在する。そこで、本実施形態では、この空きスペースを有効活用すべく、制御ラック500が、フレーム400を介して配置されている。フレーム400は、矩形の天板部とこの天板部を、その4つのコーナー部分で支持する4本の同一長さの脚部とを有し、制御ラック500を下方から支持している。制御ラック500の上面と、チャンバ3001~30010及びC/D9000の上面とは、ほぼ同一面となっている。なお、計測チャンバ200の+Y側には、制御ラック500と床面Fとの間に空間が存在する。
このようなレイアウトを採用したことで、本実施形態に係る露光システム1000は、C/D9000とともに、クリーンルーム内の直方体状のスペースに、配置することができ、クリーンルーム内に使い勝手が悪い空間が生じるのを回避して、クリーンルーム内の空間の利用効率の向上を図ることが可能である。
制御ラック500には、床面Fの下にある、生産支援機器やユーティリティ設備が収容されたクリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して前述した制御ラック500と床面Fとの間の空間部分を通り、下側から接続されている。配線及び配管は、電力等のユーティリティ(用役、用力)を供給するもので、ユーティリティには、電力の他に、空気、冷却水、真空排気などが含まれる。
制御ラック500の内部には、例えば高電圧電源、及びアンプなどの電子ビーム露光装置に直接関係する制御系ユニット、後述するステージの制御系、及び後述する計測系の制御基盤等の様々なユニットが収納されている。制御ラック500は、配線及び配管を一旦中継し、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源から配線及び配管(供給部材)を介して供給されたユーティリティを計測チャンバ200及びチャンバ3001~30010に分配する。なお、必要に応じ、制御ラック500の内部に、冷却水の温調機を配置しても良い。
なお、制御ラックとして、役割の異なる複数の制御ラックを設けても良い。例えば、制御ラックとして、後述する電子ビーム照射装置からターゲットであるウエハに照射される電子ビームの照射制御に関連する機能を有する制御ラックと、それ以外の機能を有する制御ラックとの2つを設けても良い。
制御ラック500は、10個のチャンバ3001~3006のそれぞれに対して、ユーティリティ供給源から供給されたユーティリティを上方から供給する(図1における太矢印参照)。なお、10個のチャンバ3001~30010のそれぞれに対して、ユーティリティを上方から供給するメリットについては、後述する。
C/D9000に隣接して配置された計測チャンバ200は、直方体形状を有している(図2参照)。計測チャンバ200は、C/D9000にインラインにて接続されている。計測チャンバ200の内部には、計測室(計測セル)60(図1、図2等では不図示、図10(A)参照)が設けられている。計測室60内では、ターゲットであるウエハ(C/D9000によって電子線レジストが塗布されたウエハ)に対する所定の計測、及び後述するウエハシャトルに対する露光前のウエハのロード及び露光済みのウエハのアンロードが行われる、
10個のチャンバ3001~30010のうち、チャンバ3001~3005は、+X側から見てL字形状を有し、残りのチャンバ3006~30010は、これらと左右対称な形状を有している。10個のチャンバ3001~30010それぞれの内部空間は、電子ビームによるウエハに対する露光が行われる露光室(露光セル)301i(i=1~10)(図1、図2等では不図示、図3参照)となっている。露光室301i内は、高度の真空状態に維持されている。すなわち、内部に露光室301iが形成される10個のチャンバ300iとしては、大気圧の作用によって押しつぶされたり変形したりすることがない十分な耐性を備えた構造の真空チャンバが用いられている。
なお、計測チャンバ200の内部空間は、上述した計測室60になっているため、チャンバ3001~30010の内部空間のように真空雰囲気にする必要性がない。そのため、計測チャンバ200としては、真空チャンバより強度の弱いチャンバを用いることができる。また、計測チャンバ200の内部空間及びC/D9000の内部空間の圧力をクリーンルームの気圧よりも高くなるように制御することにより、クリーンルーム内の気体(空気)が計測チャンバ200及びC/D9000内に侵入することを抑制することができる。なお、制御ラック500の内部空間のそれぞれは、クリーンルームと同圧力(大気圧空間)、又はクリーンリームの気圧よりも高い圧力に設定しても良い。
チャンバ300iには、図3に示されるように、前面にロードロックチャンバ302iが取付けられている。なお、図3は、チャンバ3006~30010と同じ向きのものが示されているが、チャンバ3001~3005は、図3に示されるものとは左右対称であるが同様の構成を有している。
各ロードロックチャンバ302iは、その内部に不図示のロードロック室が形成される本体部302aと、本体部302aの前面側(大気側)及び背面側(真空側)に固定された一対のゲート部302b、302cとを含む。一対のゲート部302b、302cには、本体部302aの前面側及び背面側に形成された開口を開閉するシャッタと該シャッタを上下方向にスライド駆動する駆動機構とから成るゲートバルブが設けられている。以下では、ゲート部と同一の符号を用いて、ゲートバルブ302b、302cと表記する。ゲートバルブ302b、302cの開閉(すなわち駆動機構によるシャッタの開閉)は、露光制御装置380i(図11、図13参照)によって制御される。
ロードロックチャンバ302iには、真空ポンプ等の真空源に開閉弁305(図13参照)を介して接続された真空配管が接続されており、開閉弁305を開けることで、ロードロック室の内部は、必要に応じて真空引きが行われる。開閉弁305の開閉も露光制御装置380iによって制御される。なお、各ロードロックチャンバ302iに、個別に真空ポンプを設けても良い。
チャンバ300i内部の露光室301i内には、図3に示される露光ユニット310と、例えば水平多関節ロボットから成る露光室内搬送系312(図3では不図示、図13参照)が収容されている。また、露光室301i内には、例えば上下2段の収納棚を有し、上下動可能なシャトルキャリア306(図13参照)が設けられている。シャトルキャリア306の上下動は、露光制御装置380iによって制御される(図13参照)。
露光ユニット310は、図3に簡略化して示されるように、ステージ装置320と、電子ビーム照射装置330とを含む。電子ビーム照射装置330は、図4に示される円筒状の鏡筒331と、鏡筒331の内部の電子ビーム光学系とを含む。
ステージ装置320は、ウエハを保持して移動可能なウエハシャトルが着脱自在に装着される粗微動ステージを含む構成であり、電子ビーム照射装置330は、粗微動ステージに装着されたウエハシャトルに保持されたウエハに電子ビームを照射して露光する構成である。
ここで、ウエハシャトルは、詳しくは後述するが、ウエハを静電吸着して保持する保持部材(あるいはテーブル)であるが、この保持部材がウエハを保持した状態で搬送され、しかもこの保持部材が計測室60を起点として、各露光室3011~30110それぞれとの間で繰り返し往復するので、ウエハシャトルと称している。
ステージ装置320は、図4に示されるように、定盤321と、定盤321上で移動する粗微動ステージ322と、粗微動ステージ322を駆動する駆動系と、粗微動ステージの位置情報を計測する位置計測系とを備えている。ステージ装置320の構成等の詳細は、後述する。
電子ビーム照射装置330の鏡筒331は、図4に示されるように、外周部に中心角120度の間隔で3つの凸部が形成された円環状の板部材から成るメトロロジーフレーム340によって下方から支持されている。より具体的には、鏡筒331の最下端部は、その上の部分に比べて直径が小さい小径部となっており、その小径部とその上の部分との境界部分は段部となっている。そして、その小径部が、メトロロジーフレーム340の円形の開口内に挿入され、段部の底面がメトロロジーフレーム340の上面に当接した状態で、鏡筒331が、メトロロジーフレーム340によって下方から支持されている。メトロロジーフレーム340は、図4に示されるように、前述の3つの凸部のそれぞれに下端が接続された3つの吊り下げ支持機構350a、350b、350c(柔構造の連結部材)を介して、露光室301iを区画する真空チャンバ300iの天板(天井壁)から吊り下げ状態で支持されている。すなわち、このようにして、電子ビーム照射装置330は、真空チャンバ300iに対して3点で吊り下げ支持されている。
3つの吊り下げ支持機構350a、350b、350cは、図4中で吊り下げ支持機構350aについて代表的に示されるように、それぞれの上端に設けられた受動型の防振パッド351と、防振パッド(防振部)351の下端にそれぞれの一端が接続され、他端がメトロロジーフレーム340に接続された鋼材より成るワイヤ352とを有する。防振パッド351は、真空チャンバ300iの天板に固定され、それぞれエアダンパ又はコイルばねを含む。
本実施形態では、外部から真空チャンバ300iに伝達された床振動などの振動のうちで、電子ビーム光学系の光軸に平行なZ軸方向の振動成分の大部分は防振パッド351によって吸収されるため、電子ビーム光学系の光軸に平行な方向において高い除振性能が得られる。また、吊り下げ支持機構の固有振動数は、電子ビーム光学系の光軸に平行な方向よりも光軸に垂直な方向で低くなっている。3つの吊り下げ支持機構350a、350b、350cは光軸に垂直な方向には振り子のように振動するため、光軸に垂直な方向の除振性能(真空チャンバ300iに外部から伝達された床振動などの振動が電子ビーム照射装置330に伝わるのを防止する能力)が十分に高くなるように3つの吊り下げ支持機構350a、350b、350cの長さ(ワイヤ352の長さ)を十分に長く設定している。この構造では高い除振性能が得られるとともに機構部の大幅な軽量化が可能であるが、電子ビーム照射装置330と真空チャンバ300iとの相対位置が比較的低い周波数で変化するおそれがある。そこで、電子ビーム照射装置330と真空チャンバ300iとの相対位置を所定の状態に維持するために、非接触方式の位置決め装置353(図3では不図示、図13参照)が設けられている。この位置決め装置353は、例えば国際公開2007/077920号などに開示されるように、6軸の加速度センサと、6軸のアクチュエータとを含んで構成することができる。位置決め装置353は、露光制御装置380iによって制御される(図13参照)。これにより、真空チャンバ300iに対する電子ビーム照射装置330のX軸方向、Y軸方向、Z軸方向の相対位置、及びX軸、Y軸、Z軸の回りの相対回転角は、一定の状態(所定の状態)に維持される。
本実施形態では、電子ビーム照射装置330は、鏡筒331内に所定の位置関係で配置されたm個(mは例えば100)の光学系カラムから構成される電子ビーム光学系を備えている。各光学系カラムは、個別にオンオフ可能で、かつ偏向可能なn本(nは例えば4000)のビームを照射可能なマルチビーム光学系から成る。マルチビーム光学系としては、例えば特開2011-258842号公報、国際公開第2007/017255号などに開示される光学系と同様の構成のものを用いることができる。
4000本のマルチビームを全てオン状態(電子ビームがウエハに照射される状態)にしたとき、例えば100μm×20nmの矩形領域(露光領域)内に等間隔に設定された4000点に同時に紫外光露光装置の解像限界よりも小さい(例えば直径20nm)の電子ビームの円形スポットが形成される。
4000本のマルチビームを全てオン状態(電子ビームがウエハに照射される状態)にしたとき、例えば100μm×20nmの矩形領域(露光領域)内に等間隔に設定された4000点に同時に紫外光露光装置の解像限界よりも小さい(例えば直径20nm)の電子ビームの円形スポットが形成される。
100個の光学系カラムは、例えば300mmウエハ上に形成された(あるいはショットマップに従ってこれから形成される)例えば100個のショット領域にほぼ1:1で対応している。本実施形態では、100個の光学系カラムのそれぞれが、それぞれオン/オフ可能で、かつ偏向可能な多数(n=4000)の直径20nm電子ビームの円形スポットを矩形(例えば100μm×20nm)の露光領域内に配置し、この露光領域に対してウエハを走査しながら、その多数の電子ビームの円形スポットを偏向しながらオン/オフすることで、ウエハ上の100個のショット領域が露光され、パターンが形成される。したがって、300mmウエハの場合、露光に際してのウエハの移動ストロークは、多少の余裕を持たせても数十mm、例えば50mmあれば十分である。各光学系カラムは、通常の電子ビーム光学系と同様、反射電子を検出する反射電子検出系(不図示)を備えている。電子ビーム照射装置330は、露光制御装置380iによって制御される(図13参照)。
次にステージ装置320の構成等について説明する。図5には、ステージ装置320の粗微動ステージ322に、ウエハシャトル(以下、シャトルと略記する)10が装着された状態の斜視図が示されている。図6には、シャトル10が離脱された(取り外された)状態の図5に示される粗微動ステージ322の斜視図が示されている。
ステージ装置320が備える定盤321は、実際には、露光室301iを区画する真空チャンバ300iの底壁上に設置されている。粗微動ステージ322は、図5及び図6に示されるように、Y軸方向に所定間隔を隔てて配置され、X軸方向にそれぞれ延びる一対の四角柱状の部分を含み、定盤321上でX軸方向に所定ストローク、例えば50mmで移動可能な粗動ステージ322aと、粗動ステージ322aに対してY軸方向に所定ストローク、例えば50mmで移動可能で、かつ残りの5自由度方向、すなわちX軸方向、Z軸方向、X軸周りの回転方向(θx方向)、Y軸周りの回転方向(θy方向)及びZ軸周りの回転方向(θz方向)にY軸方向に比べて短いストロークで可動な微動ステージ322bと、を備えている。なお、図示は省略されているが、粗動ステージ322aの一対の四角柱状の部分は、実際には、微動ステージ322bのY軸方向の移動を妨げない状態で不図示の連結部材によって連結され、一体化されている。
粗動ステージ322aは、粗動ステージ駆動系323(図13参照)によって、X軸方向に所定ストローク(例えば50mm)で駆動される(図8のX軸方向の長い矢印参照)。粗動ステージ駆動系323は、本実施形態では磁束漏れが生じない一軸駆動機構、例えばボールねじを用いた送りねじ機構によって構成される。この粗動ステージ駆動系323は、粗動ステージの一対の四角柱状の部分のうち、一方の四角柱状の部分と定盤321との間に配置される。例えば、定盤321にねじ軸が取り付けられ、一方の四角柱状の部分にボール(ナット)が取り付けられる構成である。なお、定盤321にボールを取り付け、一方の四角柱状の部分にねじ軸を取り付ける構成であっても良い。
また、粗動ステージの一対の四角柱状の部分のうち、他方の四角柱状の部分は、定盤321に設けられた不図示のガイド面に沿って移動する構成である。
ボールねじのねじ軸は、ステッピングモータによって回転駆動される。あるいは、粗動ステージ駆動系323を、駆動源として超音波モータを備えた一軸駆動機構によって構成しても良い。いずれにしても、磁束漏れに起因する磁場変動が電子ビームの位置決めに影響を与える影響は無視できる。粗動ステージ駆動系323は、露光制御装置380iによって制御される(図13参照)。
微動ステージ322bは、図7の斜視図に拡大して示されるように、Y軸方向に貫通したXZ断面矩形枠状の部材から成り、重量キャンセル装置324によって、定盤321上でXY平面内で移動可能に支持されている。微動ステージ322bの側壁の外面には、補強用のリブが複数設けられている。
微動ステージ322bの中空部の内部には、XZ断面が矩形枠状でY軸方向に延びるヨーク325aと、ヨーク325aの上下の対向面に固定された一対の磁石ユニット325bとが設けられ、これらヨーク325aと一対の磁石ユニット325bによって、微動ステージ322bを駆動するモータの可動子325が構成されている。
この可動子325に対応して、粗動ステージ322aの一対の四角柱部分の相互間には、図6から微動ステージ322b及び符号328で示される後述する磁気シールド部材を取り去った状態を示す図8に示されるように、コイルユニットから成る固定子326が架設されている。固定子326と前述の可動子325とによって、可動子325を固定子326に対して、図8に各方向の矢印で示されるように、Y軸方向に所定ストローク、例えば50mmで移動可能で、かつX軸方向、Z軸方向、θx方向、θy方向及びθz方向に微小駆動可能な閉磁界型かつムービングマグネット型のモータ327が構成されている。本実施形態では、モータ327によって微動ステージを6自由度方向に駆動する微動ステージ駆動系が構成されている。以下、微動ステージ駆動系をモータと同一の符号を用いて、微動ステージ駆動系327と表記する。微動ステージ駆動系327は、露光制御装置380iによって制御される(図13参照)。
粗動ステージ322aの一対の四角柱部分の相互間には、例えば図5及び図6などに示されるように、さらに、モータ327の上面及びX軸方向の両側面を覆う状態でXZ断面逆U字状の磁気シールド部材328が架設されている。すなわち、磁気シールド部材328は、四角柱部分が延びる方向に交差する方向(Y軸方向)に延びて形成されており、モータ327の上面に非接触で対向する上面部と、モータ327の側面に非接触で対向する側面部とを備える。この磁気シールド部材328は、微動ステージ322bの中空部内に挿入された状態で、側面部のうち、長手方向(Y軸方向)の両端部の下面が粗動ステージ322aの一対の四角柱部分の上面に固定されている。また、磁気シールド部材328の側面部のうち、上記両端部の下面以外は、微動ステージ322bの内壁面のうち、底壁面(下面)に対して、非接触で対向する。すなわち、磁気シールド部材328は、可動子325の固定子326に対する移動を妨げることがない状態で、微動ステージ322bの中空部内に挿入されている。
磁気シールド部材328としては、所定の空隙(スペース)を隔てて積層された複数層の磁性材料のフィルムによって構成されるラミネートな磁気シールド部材が用いられている。この他、透磁率の異なる2種類の材料のフィルムが交互に積層された構成の磁気シールド部材を用いても良い。磁気シールド部材328は、モータ327の上面及び側面を、可動子325の移動ストロークの全長に渡って覆っており、かつ粗動ステージ322aに固定されているので、微動ステージ322b及び粗動ステージ322aの移動範囲の全域で、上方(電子ビーム光学系側)への磁束の漏れをほぼ確実に防止することができる。
重量キャンセル装置324は、図7に示されるように、微動ステージ322bの下面に上端が接続された金属製のベローズ型空気ばね(以下、空気ばねと略記する)382と、空気ばね382の下端に接続された平板状の板部材から成るベーススライダ386と、を有している。
ベーススライダ386には、空気ばね382内部の空気を、定盤321の上面に噴き出す軸受部が設けられ、軸受部から噴き出される加圧空気の軸受面と定盤321上面との間の静圧(隙間内圧力)により、重量キャンセル装置324、微動ステージ322b及び可動子325(シャトルが粗微動ステージ322に装着された場合には、そのシャトル10等も含む)の自重が支持されている。なお、空気ばね382には、微動ステージ322bに接続された不図示の配管を介して圧縮空気が供給されている。ベーススライダ386は、一種の差動排気型の空気静圧軸受を介して定盤321上に非接触で支持され、軸受部から定盤321に向かって噴き出された空気が、周囲に(露光室内に)漏れ出すことが防止されている。
ここで、シャトル10を粗微動ステージ322、より正確には微動ステージ322bに着脱自在に装着するための構造について説明する。
微動ステージ322bの上面には、図6に示されるように、3つの三角錐溝部材12が設けられている。この三角錐溝部材12は、例えば、平面視でほぼ正三角形の3つの頂点の位置に設けられている。この三角錐溝部材12には、シャトル10に設けられた後述する球体又は半球体が係合可能であり、この球体又は半球体とともにキネマティックカップリングを構成する。なお、図6には、3つの板部材によって構成された花弁のような三角錐溝部材12が示されているが、この三角錐溝部材12は、球体又半球体にそれぞれ点接触する三角錐溝と同じ役割を有するので、三角錐溝部材と称している。したがって、三角錐溝が形成された単一の部材を、三角錐溝部材12の代わりに用いても良い。
本実施形態では、3つの三角錐溝部材12に対応して、図5に示されるように、シャトル10に3つの球体又は半球体(本実施形態ではボール)14が設けられている。シャトル10は、平面視で正三角形の各頂点を切り落としたような六角形状に形成されている。これをさらに詳述すると、シャトル10には、平面視で3つの斜辺それぞれの中央部に切り欠き部10a、10b、10cが形成され、切り欠き部10a、10b、10cをそれぞれ外側から覆う状態で、板ばね16がそれぞれ取り付けられている。各板ばね16の長手方向の中央部にボール14がそれぞれ固定されている。三角錐溝部材12に係合される前の状態では、各ボール14は、外力を受けた場合、シャトル10の中心(図5に示されるウエハWの中心にほぼ一致)を中心とする半径方向にのみ微小移動する。
微動ステージ322bの上方で3つの三角錐溝部材12に3つのボール14がそれぞれほぼ対向する位置に、シャトル10を移動させた後、シャトル10を降下させることにより、3つのボール14のそれぞれが、3つの三角錐溝部材12に個別に係合し、シャトル10が微動ステージ322bに装着される。この装着時に、シャトル10の微動ステージ322bに対する位置が所望の位置からずれていたとしても、ボール14が三角錐溝部材12に係合する際にその三角錐溝部材12から外力を受けて前述の如く半径方向に移動する結果、3つのボール14が対応する三角錐溝部材12に、常に同じ状態で係合する。一方、シャトル10を上方に移動させて、ボール14と三角錐溝部材12との係合を解除するだけで、シャトル10を微動ステージ322bから簡単に取り外す(離脱させる)ことができる。すなわち、本実施形態では3組のボール14と三角錐溝部材12との組によって、キネマティックカップリングが構成され、このキネマティックカップリングによって、シャトル10の微動ステージ322bに対する取り付け状態を常にほぼ同一状態に設定することができるようになっている。したがって、何度、取り外しても、再度、シャトル10をキネマティックカップリング(3組のボール14と三角錐溝部材12との組)を介して微動ステージ322bに装着するだけで、シャトル10と微動ステージ322bとの一定の位置関係を、再現することができる。
シャトル10の上面には、例えば図5に示されるように、中央にウエハWより僅かに直径が大きな円形の凹部が形成され、該凹部内に不図示の静電チャックが設けられ、該静電チャックによってウエハWが静電吸着され保持されている。このウエハWの保持状態では、ウエハWの表面は、シャトル10の上面とほぼ同一面となっている。シャトル10にはウエハWの載置面(吸着面)に上下に貫通する円形開口(不図示)が複数、所定の位置関係で形成されている。
次に、粗微動ステージ322の位置情報を計測する位置計測系について説明する。この位置計測系は、シャトル10が微動ステージ322bに前述したキネマティックカップリングを介して装着された状態で、シャトル10の位置情報を計測する。この位置計測計は、シャトル10が装着された微動ステージ322bの位置情報を計測する第1計測系20と、微動ステージ322bの位置情報を直接計測する第2計測系25とを含む(図13参照)。
まず、第1計測系20について説明する。シャトル10の前述の3つの斜辺を除く3つの辺それぞれの近傍には、図5に示されるように、グレーティングプレート22a、22b、22cがそれぞれ設けられている。グレーティングプレート22a、22b、22cのそれぞれには、シャトル10の中心(本実施形態では円形の凹部の中心に一致)を中心とする半径方向及びこれに直交する方向を、周期方向とする2次元格子がそれぞれ形成されている。例えば、グレーティングプレート22aには、Y軸方向及びX軸方向を周期方向とする2次元格子が形成されている。また、グレーティングプレート22bには、シャトル10の中心に関してY軸に対して-120度を成す方向(以下、α方向と称する)及びこれに直交する方向を周期方向とする2次元格子が形成され、グレーティングプレート22cには、シャトル10の中心に関してY軸に対して+120度を成す方向(以下、β方向と称する)及びこれに直交する方向を周期方向とする2次元格子が形成されている。2次元格子としては、それぞれの周期方向について、ピッチが例えば1μmの反射型の回折格子が用いられている。
図9(A)に示されるように、メトロロジーフレーム340の下面(-Z側の面)には、3つのグレーティングプレート22a、22b、22cのそれぞれに個別に対向可能な位置に、3つのヘッド部24a、24b、24cが固定されている。3つのヘッド部24a、24b、24cのそれぞれには、図9(B)中に各4本の矢印で示される計測軸を有する4軸エンコーダヘッドが設けられている。
これをさらに詳述すると、ヘッド部24aは、同一の筐体の内部に収容された、X軸方向及びZ軸方向を計測方向とする第1ヘッドと、Y軸方向及びZ軸方向を計測方向とする第2ヘッドとを含む。第1ヘッド(より正確には、第1ヘッドが発する計測ビームのグレーティングプレート22a上の照射点)と、第2ヘッド(より正確には、第2ヘッドが発する計測ビームのグレーティングプレート22a上の照射点)とは、同一のX軸に平行な直線上に配置されている。ヘッド部24aの第1ヘッド及び第2ヘッドは、それぞれグレーティングプレート22aを用いて、シャトル10のX軸方向及びZ軸方向の位置情報を計測する2軸リニアエンコーダ、及びY軸方向及びZ軸方向の位置情報を計測する2軸リニアエンコーダを構成する。
残りのヘッド部24b、24cは、それぞれのメトロロジーフレーム340に対する向きが異なる(XY平面内における計測方向が異なる)が、第1ヘッドと第2ヘッドとを含んでヘッド部24aと同様に構成されている。ヘッド部24bの第1ヘッド及び第2ヘッドは、それぞれグレーティングプレート22bを用いて、シャトル10のα方向にXY平面内で直交する方向及びZ軸方向の位置情報を計測する2軸リニアエンコーダ、及びα方向及びZ軸方向の位置情報を計測する2軸リニアエンコーダを構成する。ヘッド部24cの第1ヘッド及び第2ヘッドは、それぞれグレーティングプレート22cを用いて、シャトル10のβ方向にXY平面内で直交する方向及びZ軸方向の位置情報を計測する2軸リニアエンコーダ、及びβ方向及びZ軸方向の位置情報を計測する2軸リニアエンコーダを構成する。
ヘッド部24a、24b、24cそれぞれが有する第1ヘッド及び第2ヘッドのそれぞれとしては、例えば米国特許第7,561,280号明細書に開示される変位計測センサヘッドと同様の構成のエンコーダヘッドを用いることができる。
上述した3組、合計6つの2軸エンコーダ、すなわち3つのグレーティングプレート22a、22b、22cをそれぞれ用いてシャトル10の位置情報を計測する3つのヘッド部24a、24b、24cによって、エンコーダシステムが構成され、このエンコーダシステムによって第1計測系20(図13参照)が構成されている。第1計測系20で計測される位置情報は、露光制御装置380iに供給される。
第1計測系20は、3つのヘッド部24a、24b、24cがそれぞれ4つの計測自由度(計測軸)を有しているので、合計12自由度の計測が可能である。すなわち、3次元空間内では、自由度は最大で6であるから、実際には、6自由度方向のそれぞれについて、冗長計測が行われ、各2つの位置情報が得られることになる。
したがって、露光制御装置380iは、第1計測系20で計測された位置情報に基づいて、それぞれの自由度について各2つの位置情報の平均値を、それぞれの方向の計測結果とする。これにより、平均化効果により、6自由度の全ての方向について、シャトル10及び微動ステージ322bの位置情報を、高精度に求めることが可能になる。
次に、第2計測系25について説明する。第2計測系25は、シャトル10が微動ステージ322bに装着されているか否かを問わず、微動ステージ322bの6自由度方向の位置情報の計測が可能である。第2計測系25は、例えば微動ステージ322bの側壁の外面に設けられた反射面に計測光を照射し、その反射光を受光して微動ステージ322bの6自由度方向の位置情報を計測する干渉計システムによって構成することができる。干渉計システムの各干渉計は、メトロロジーフレーム340に不図示の支持部材を介して吊り下げ支持しても良いし、あるいは定盤321に固定しても良い。第2計測系は、露光室301i内(真空空間内)に設けられるので、空気揺らぎに起因する計測精度の低下のおそれがない。また、第2計測系25は、本実施形態では、シャトル10が微動ステージ322bに装着されていないとき、すなわちウエハの露光が行われないときに、主として、微動ステージ322bの位置、姿勢を所望の状態に維持するために用いられるので、第1計測系20に比べて計測精度は低くても良い。第2計測系25で計測される位置情報は、露光制御装置380iに供給される(図13参照)。なお、干渉計システムに限らず、エンコーダシステムにより、あるいはエンコーダシステムと干渉計システムとの組み合わせによって、第2計測系を構成しても良い。後者の場合、微動ステージの322bのXY平面内の3自由度方向の位置情報をエンコーダシステムで計測し、残りの3自由度方向の位置情報を干渉計システムで計測しても良い。
第1計測系20及び第2計測系25による計測情報は、露光制御装置380iに送られ、露光制御装置380iは、第1計測系20及び第2計測系25の少なくとも一方による計測情報に基づいて、粗微動ステージ322を制御する。
本実施形態では、チャンバ300i(i=1~10)がそれぞれ備えるロードロックチャンバ302iも、チャンバ300iと同様、X軸方向に並んで配置されるので、一方の列のチャンバ3001~3005がそれぞれ備えるロードロックチャンバ3021~3025と、他方の列のチャンバ3006~30010がそれぞれ備えるロードロックチャンバ3026~30210とは、所定の間隔を隔てて対向している。そして、図2に示されるように、この対向する両者間に、搬送空間SPが設けられ、搬送空間SP内に後述するシャトル搬送系の移動経路Rが設定される。なお、搬送空間SPは、大気圧空間に限らず、真空チャンバの内部に比べて真空度の低い低真空空間に設定しても良い。
次に、計測室60内部の構成について簡単に説明する。計測室60内には、図10(A)に示されるように、XY平面内で2次元移動する計測ステージSTと計測ステージST上に搭載された計測テーブルTBとを有する計測ステージ装置30、計測システム40及び計測室内搬送系62(図10(A)では不図示、図12参照)等が収納されている。計測室内搬送系62は、ウエハW及びシャトル10を搬送する例えば多関節ロボットから成る。計測ステージ装置30では、計測テーブルTBに前述と同様のキネマティックカップリングを介して着脱自在にシャトル10が装着される。計測システム40は、シャトル10に保持されたウエハWに対して所定の計測を行う。
この他、計測室60の内部には、シャトル10を収納可能な複数段の棚を有し、複数のシャトル10を同時保管可能なシャトルストッカ(不図示)が設けられている。本実施形態では、シャトルストッカは、収納されているシャトル10の温調機能をも有している。なお、ウエハを搬送する搬送系とシャトルを搬送する搬送系とが別々に設けられていても良いが、本実施形態では、説明を簡略化するため、同一の搬送系によりウエハ及びシャトルの搬送が行われるものとする。
計測テーブルTBには、シャトル10に形成された前述の複数の円形開口に対応する配置で複数の円形開口が形成されている。計測ステージSTには、複数の円形開口に対応する配置で、複数のピン32が凸設されており、複数のピン32が計測テーブルTBの複数の円形開口内に個別に挿入された状態で、計測テーブルTBが計測ステージST上に配置されている。計測テーブルTBは、計測ステージSTに設けられた駆動系34によって駆動され、所定ストロークで上下動(Z軸方向に移動)可能である。本実施形態では、計測テーブルTBは、シャトル10がキネマティックカップリングを介して装着された状態で、シャトル10の上面が複数のピン32の上端面より所定距離高くなる(複数のピンの上端面がシャトル10の上面から突出しない)図10(A)に示される第1位置と、シャトル10のウエハ載置面(静電チャックの上面)が複数のピン32の上端面より所定距離低くなる(複数のピン32の上端面がシャトル10のウエハ載置面から突出する)図10(B)に示される第2位置との間で、上下動可能である。
なお、計測ステージST上に計測テーブルTBを載置し、計測テーブルTBに対して、複数のピン32を上下動させても良い。
計測ステージSTは、例えば平面モータから成る計測ステージ駆動系36(図12参照)によってXY平面内で駆動(θz方向の回転を含む)される。計測ステージSTのXY平面内の位置情報は、計測ステージ干渉計38(図12参照)によって計測されている。また、計測テーブルTBの上下方向の位置は、駆動系34が有するエンコーダによって計測されている。計測ステージ装置30の各部の動作は、計測制御装置50によって制御される(図12参照)。
計測システム40は、図10(A)に示されるように、アライメント検出系ALGと、照射系42aと受光系42bとを有する面位置検出装置AF(図12参照)とを含む。アライメント検出系ALGは、計測ステージ干渉計38の測長軸によって規定される2次元直交座標系(基準座標系)の原点に、その検出中心が一致して配置されるプライマリアライメント系AL1と、このプライマリアライメント系AL1を挟んで、X軸方向の一側と他側に、プライマリアライメント系AL1に関してほぼ対称に検出中心が配置されるセカンダリアライメント系AL21,AL22と、AL23,AL24とを備えている。すなわち、5つのアライメント系AL1,AL21~AL24はその検出中心がX軸方向に沿って配置されている。セカンダリアライメント系AL21,AL22,AL23,AL24は、それぞれ少なくともそのX位置を調整可能である。
本実施形態では、シャトル10上に保持されているウエハ上面には、感応剤(電子線用レジスト)が塗布さているのに対応して、アライメント系AL1,AL21~AL24それぞれの検出光として、電子線レジストを感光させない波長の検出ビームが用いられる。アライメント系AL1,AL21~AL24それぞれとして、例えばウエハ上に塗布されているレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標(内部に設けられた指標板上の指標パターン)の像とを撮像素子(CCD等)を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系が用いられている。アライメント検出系ALGを構成するアライメント系AL1,AL21~AL24それぞれからの撮像信号は、信号処理装置(不図示)を介して計測制御装置50に供給されるようになっている(図12参照)。アライメント検出系ALGは、例えば米国特許第8,432,534号明細書等に開示されているアライメント装置と同様に構成されている。なお、アライメント検出系ALGを構成するアライメント系AL1,AL21~AL24のそれぞれとして、FIA系に限らず、例えばコヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する2つの回折光(例えば同次数の回折光、あるいは同方向に回折する回折光)を干渉させて検出する回折光干渉型のアライメント系を、FIA系に代えて用いても良い。アライメント検出系ALGは、アライメント系を5つに限らず、少なくとも1つ有していれば良い。
面位置検出装置AFは、照射系42aと受光系42bとを有し、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系によって構成される。面位置検出装置AFの複数の検出点は、被検面上でX軸方向に沿って所定間隔で配置される。本実施形態では、例えば1行M列(Mは検出点の総数)又は2行N列(Nは検出点の総数の1/2)の行マトリックス状に配置される。図10(A)中では、図示が省略されているが、複数の検出点は、ウエハWの直径と同程度のX軸方向の長さを有する領域内にほぼ均等に設定されているので、ウエハWをY軸方向に1回スキャンするだけで、ウエハWのほぼ全面でZ軸方向の位置情報(面位置情報)を計測できる。本実施形態では、上述した計測室60内に配置された各部、すなわち計測ステージ装置30、計測システム40、及び計測室内搬送系62等と、計測制御装置50とによって、シャトル10上に保持された露光前のウエハに対する計測を行う計測部65が構成されている(図12参照)。なお、露光前のウエハに対する計測を事前計測という。
この他、本実施形態に係る露光システム1000は、図2に矢印で示される移動経路Rに沿って前述の空間SP内を移動して、露光前のウエハを保持するシャトル10を、計測室60からチャンバ300iがそれぞれ備えるロードロックチャンバ302iに搬送し、露光済みのウエハを保持するシャトル10をロードロックチャンバ302iから計測室60に搬送する、シャトルの搬送動作を繰り返し行うシャトル搬送系70(図11参照)を、さらに備えている。シャトル搬送系70は、例えば移動経路Rに沿って移動可能な水平多関節ロボットによって構成される。シャトル搬送系70は、マイクロコンピュータ等を含む搬送系制御装置72(図11参照)によって制御される。
図11には、露光システム1000の制御系の構成がブロック図にて示されている。露光システム1000の制御系は、露光システム1000の全体を統括的に制御するワークステーション等から成る主制御装置100と、主制御装置100の配下にある計測制御装置50、複数台(ここでは10台)の露光制御装置380i(i=1~10)、及び搬送系制御装置72とを備えている。
図12には、図11の制御系を構成する計測制御装置50の入出力関係がブロック図にて示されている。計測制御装置50は、マイクロコンピュータ等を含み、計測室60内に設けられた図12に示される各部を制御する。
図13には、図11の制御系を構成する10台の露光制御装置380iの入出力関係がブロック図にて示されている。露光制御装置380iは、マイクロコンピュータ等を含み、露光室301i内に設けられた図13に示される各部を制御する。
次に、計測室60内で行われる事前計測動作を含む事前準備作業の一例について、図14(A)のフローチャートに基づいて説明する。以下で説明する各ステップの処理は、計測制御装置50の制御下で行われるが、以下では、説明の簡略化のため、計測制御装置50に関する説明は特に必要な場合を除き省略する。
前提として、計測室60内に設置されたシャトルストッカには、複数のシャトル10が保管されているものとする。また、露光前のウエハは、計測室60にインラインにて接続されているC/D9000側のウエハ搬送系によって基板受け渡し部に載置されているものとする。
ステップS102において、シャトルストッカに保管されているシャトル10が、計測テーブルTBに装着される。具体的には、シャトルストッカに保管されているシャトル10が、計測室内搬送系62により、シャトルストッカからウエハ交換位置にある計測ステージST上で前述の第2位置に位置している計測テーブルTBの上方に搬送された後、下方に駆動されて計測テーブルTBにキネマティックカップリングを介して装着される。
次のステップS104では、計測室内搬送系62により基板受け渡し部にある露光前のウエハ(便宜上、ウエハW1とする)が、計測ステージSTの複数のピン32に渡される。このとき、計測テーブルTBは第2位置にあり、この状態で、ウエハW1は、回転位置ずれ及び中心位置ずれが調整された状態で、複数のピン32の上に載置される。
次のステップS106では、ウエハW1をシャトル10に保持させる。具体的には、計測テーブルTBを第1位置まで上方に駆動することで、ウエハW1をシャトル10の静電チャック上に載置し、その後、静電チャックによるウエハの吸着を開始する。なお、シャトル10には、静電チャックに接続された接続端子が設けられ、また、計測テーブルTBには、不図示の電力供給源に接続されたテーブル側端子が設けられており、計測テーブルTBにシャトル10がキネマティックカップリングを介して装着された時に、接続端子とテーブル側端子とが接続され、電力供給源から静電チャックに電力が供給可能になる。
次のステップS108では、ウエハW1のシャトル10に対する概略(ラフ)位置計測を行う。具体的には、最初に、ウエハW1のサーチアライメントを行った後、シャトル10に設けられた基準マーク(不図示)の位置情報を計測し、シャトル10(基準マーク)に対するウエハW1の相対位置情報を求める。
サーチアライメントに際し、例えば、ウエハW1の中心に関してほぼ対称に周辺部に位置する少なくとも2つのサーチアライメントマーク(以下、サーチマークと称する)が検出対象となる。計測制御装置50は、計測ステージ駆動系36による計測ステージSTの駆動を制御して、それぞれのサーチマークをプライマリアライメント系AL1の検出領域(検出視野)内に位置決めしつつ、計測ステージ干渉計38による計測情報を取得し、プライマリアライメント系AL1を用いてウエハW1に形成されたサーチマークを検出した時の検出信号と、計測ステージ干渉計38による計測情報とに基づいて、各サーチマークの位置情報を求める。
より具体的には、計測制御装置50は、信号処理装置(不図示)から出力されるプライマリアライメント系AL1の検出結果(検出信号から求まるプライマリアライメント系AL1の検出中心(指標中心)と各サーチマークとの相対位置関係)と、各サーチマーク検出時の計測ステージ干渉計38の計測値とに基づいて、2つのサーチマークの基準座標系上の位置座標を求める。
しかる後、計測制御装置50は、サーチマークと同様の手順で、シャトル10上に設けられた複数の基準マークの基準座標系上の位置座標を求める。そして、2つのサーチマークの位置座標と複数の基準マークの位置座標とに基づいて、ウエハW1のシャトル10に対する相対位置を求める。これにより、ウエハW1のシャトル10に対する概略位置計測が終了する。なお、ウエハW1は、実際には回転位置ずれ及び中心位置ずれが調整された状態でシャトル10上にロードされるので、ウエハW1の中心位置ずれは無視できるほど小さく、残留回転誤差は非常に小さい。
ステップS108の処理(ウエハW1のシャトル10に対する概略位置計測)が終了すると、ステップS109に進み、ウエハW1上の複数のショット領域の配列を求めるEGA(エンハンスト・グローバル・アライメント)方式のウエハアライメントを行なう。このウエハアライメントの開始に先立って、アライメントショット領域の配置に合わせて、セカンダリアライメント系AL21~AL24のX軸方向の位置調整が行われている。ウエハアライメントは、微動ステージ322bをXY平面内でY軸方向(及びX軸方向)にステップ移動してアライメント検出系ALGの5つのアライメント系AL1、AL21~AL24の少なくも一部の検出領域にウエハW1上の1つ又は複数のアライメントマークを順次位置決めして、その1つ又は複数のアライメントマークを、アライメント検出系ALGで検出する。ここで、微動ステージ322bをY軸方向にのみステップ移動して、複数(例えば3つ又は5つ)のマークを、5つのアライメント系AL1、AL21~AL24の少なくも一部を用いて検出することもできるが、ここでは、微動ステージ322bをX軸方向及びY軸方向にステップ移動して、ウエハW1上の全ショット領域(所定数のショット領域)に形成されたアライメントマークを少なくとも各1つ検出する全ショットアライントが行われるものとする。そして、それぞれのアライメントマークの検出結果と、それぞれの検出時の計測ステージ干渉計38の計測情報とに基づいて、その所定数のアライメントマークそれぞれの前述の基準座標系上における位置を求める。そして、このようにして得た所定数のアライメントマークの位置を用いて、例えば米国特許第4,780,617号明細書などに開示されるEGA方式にて統計演算を行って、基準座標系上におけるウエハW1上の全てのショット領域の配列を算出する。
次いでステップS110において、ウエハW1のフラットネス計測(表面の凹凸の計測)が行われる。このフラットネス計測は、計測ステージSTをY軸方向に移動させながら、面位置検出装置AFの計測情報と計測ステージ干渉計38の計測情報とを所定のサンプリング間隔で取り込むことで行われる。ここで、ウエハのフラットネスの計測を行うのは、電子ビーム露光装置では、ウエハ表面の凹凸に起因してウエハのXY平面内の位置計測誤差(横ずれ)が生じるので、露光の際にこの位置計測誤差を補正する必要があるからである。この位置計測誤差は、ウエハのフラットネス情報(ウエハ座標系上のXY座標位置(X,Y)に応じたZ位置の情報Z(X,Y))に基づいて簡単に演算で求めることができる。なお、サーチアライメントにより、ウエハの回転ずれの情報は既知なので、ウエハ座標系と前述の基準座標系との関係は、簡単に求めることができる。
ステップS110のフラットネス計測が終了すると、ステップS112において、ウエハW1を保持したシャトル10が、計測室内搬送系62によって、上方に駆動され、キネマティックカップリングを解除して計測テーブルTB上から取り外された後、計測室60の空間SPとの境界部に設けられているシャトル受け渡し部のロード側シャトル載置部に載置される。これにより、計測室60内における事前計測動作(S108、S109、S110)を含む事前準備作業が終了する。なお、計測テーブルTBからシャトル10が取り外された後も、シャトル10の静電チャックは、残留電荷によりウエハW1を保持することが可能である。また、シャトル10に内部電源を設け、計測テーブルTBからシャトル10が取り外された後は、この内部電源から静電着チャックに電力を供給しても良い。
次に、計測室60内で行われる露光済みのウエハのアンロード作業について、図14(B)のフローチャートに基づいて説明する。以下で説明する各ステップの処理は、計測制御装置50の制御下で行われるが、以下では、説明の簡略化のため、計測制御装置50に関する説明は特に必要な場合を除き省略する。前提として、露光済みのウエハを保持するシャトルが、シャトル受け渡し部のアンロード側シャトル載置部に載置されているものとする。
ステップS122において、露光済みのウエハ(便宜上、ウエハW0とする)を保持するシャトル10が、計測テーブルTBに装着される。具体的には、ウエハW0を保持するシャトル10が、計測室内搬送系62により、シャトル受け渡し部のアンロード側シャトル載置部からウエハ交換位置にある計測ステージST上で前述の第1位置に位置している計測テーブルTBの上方に搬送された後、下方に駆動されて計測テーブルTBにキネマティックカップリングを介して装着される。
次のステップS124では、シャトル10からウエハW0を離脱させる(取り外す)。具体的には、シャトル10の静電チャックによるウエハW0の吸着を解除し、計測テーブルTBを第2位置まで下方に駆動する。これにより、複数のピン32によってウエハW0が下方から全体的に押し上げられ、ウエハW0をシャトル10から容易に離脱させることができる。なお、残留電荷に起因してウエハW0がシャトル10から離脱させ難い場合には、ウエハW0に超音波を印可させたり、あるいは各種除電対策を行なったりしながらウエハを離脱させることもできる。
次のステップS126では、複数のピン32によって支持されているウエハW0が、計測室内搬送系62により計測テーブルTB上から搬出され前述の基板受け渡し部に載置される。
次のステップ128では、シャトル10が、計測室内搬送系62によって、上方に駆動され、キネマティックカップリングを解除して計測テーブルTB上から取り外された後、シャトルストッカの空いている収納棚に収納される。これにより、計測室60内における露光済みのウエハのアンロード作業が終了する。シャトルストッカ内に収納されたシャトル10は、次に取り出されるまで、シャトルストッカ内に保管されるが、この保管中に所定の温度に調整(冷却)される。
次に、露光システム1000によるウエハに対する処理の流れについて説明する。以下で説明する処理は、計測制御装置50及び露光制御装置3801~38010、並びに搬送系制御装置72により、これらの制御装置を統括的に管理する主制御装置100の管理の下で行われるが、以下では、これらの制御装置に関する説明は特に必要な場合を除き、省略する。
露光システム1000による処理が開始されるのに先立って、C/D9000内の搬送系(例えば多関節型のロボット)により、電子線レジストが塗布された露光前のウエハが計測室60とC/D9000との境界部分に設けられた基板受け渡し部上に載置される。C/D9000内では、ウエハに対する電子線レジスト塗布処理を含む一連の処理が順次繰り返し行われ、ウエハが順次基板受け渡し部上に載置される。
まず、計測室60内で、前述したステップS102~ステップS112の処理が行われる。これにより、ウエハのシャトルに対する概略位置計測、EGA方式のウエハアライメント(この場合全ショットアライント(全点EGAとも呼ばれる))及びフラットネス計測が終了した露光前のウエハW1を保持するシャトル10が、シャトル受け渡し部のロード側シャトル載置部に載置されることになる。
次いで、シャトル搬送系70により、シャトル受け渡し部のロード側シャトル載置部から露光前のウエハW1を保持するシャトル10が、主制御装置100によって指定された露光室301iに対応するロードロックチャンバ302iの前方に搬送された後、その指定された露光室301i内の露光済みのウエハW0を保持するシャトル10と交換される。この場合、主制御装置100は、その時点でウエハに対する露光処理が終了している露光室301iがあれば、その露光室301iを指定し、露光処理が終了している露光室がなければ、最も早いタイミングで露光処理が終了する予定の露光室301iを指定する。ここでは、一例として、最も早いタイミングで露光処理が終了する予定の露光室301iが指定されるものとする。
以下、シャトル交換動作、すなわちシャトルと一体でのウエハの交換動作について説明する。まず、シャトル受け渡し部のロード側シャトル載置部から搬出されたウエハW1を保持するシャトル10は、露光室301iが内部に形成された真空チャンバ300iのロードロックチャンバ302iの前方の位置までシャトル搬送系70によって搬送される。このとき、露光室301i内では、ウエハW0の露光が行われている。なお、以下の説明では、「ウエハW1を保持するシャトル」を、便宜上、「シャトル101」と表記し、「ウエハW0を保持するシャトル」を、「シャトル100」と表記する。
ウエハW0の露光が終了すると、真空チャンバ300iのロードロックチャンバ302iに設けられた外側(大気側)ゲートバルブ302bが開けられた後、シャトル101がシャトル搬送系70によって本体部302a内部のロードロック室内に搬入される。次に、外側(大気側)ゲートバルブ302bが閉じられた後、ロードロック室内の真空引きが開始される。
シャトル搬送系70は、ロードロック室内にシャトル101を搬入後、次の露光前のウエハを保持するシャトルをシャトル受け渡し部から別のロードロック室内に搬入する動作、又は別の露光済みのウエハを保持するシャトルを別のロードロック室から搬出し、シャトル受け渡し部に搬送する動作など(以下、別の動作と称する)に従事する。
そして、ロードロック室内が露光室301iと同程度の高真空状態に達すると、ロードロックチャンバ302iに設けられた内側(真空側)ゲートバルブ302cが開けられた後、露光室301i内部の露光室内搬送系312によって、シャトル101が露光室301i内のシャトルキャリア306の例えば下段の収納棚に収納される。このときシャトルキャリア306は、下段の収納棚の高さが、ロードロック室の開口に一致する第1の状態(第1位置)にある。このときの、シャトル101の位置を、便宜上、搬出入位置と称する。このとき、シャトル100上のウエハW0に対する露光が続行されている。
次いで、シャトルキャリア306は、第1位置から第1の距離下方の第2位置まで下降する。これにより、シャトルキャリア306は、上段の収納棚の高さが、ロードロック室の開口に一致する第2の状態となる。このとき、シャトル100上のウエハW0に対する露光が続行されているので、シャトルキャリア306は、露光が終了するまで、第2の状態を維持する。すなわち、シャトル101は、搬出入位置の下方の第1待機位置で待機する。
そして、露光が終了すると、露光室内搬送系312により、シャトル100が、微動ステージ322bから取り外され、シャトルキャリア306の上段の収納棚に収納される。なお、微動ステージ322bからシャトル100が取り外されるのに先立って、第2計測系25(図13参照)の計測情報に基づく、微動ステージ322bの6自由度方向の位置、姿勢のフィードバック制御が、露光制御装置380iによって開始され、次に第1計測系20(図13参照)の計測情報に基づく、シャトルと一体の微動ステージ322bの位置制御が開始されるまでの間、微動ステージ322bの6自由度方向の位置、姿勢は所定の基準状態に維持される。
次いで、シャトルキャリア306が、上方に第1の距離移動し、前述の第1の状態(第1位置)に戻る。すなわち、このシャトルキャリア306の上昇動作により、シャトル101とシャトル100とを上方に、第1の距離移動させて、シャトル100を搬出入位置の上方の第2待機位置へ位置させるとともにシャトル101を搬出入位置へ位置させる。
次いで、露光室内搬送系312により、シャトル101がシャトルキャリア306から取り出され、粗微動ステージ322の上方に向かって搬送され、微動ステージ322bに装着される。このとき、前述の如く、微動ステージ322bの6自由度方向の位置、姿勢は基準状態に維持されているので、シャトル101を、キネマティックカップリングを介して微動ステージ322bに装着するだけで、電子ビーム照射装置330(電子ビーム光学系)とシャトル101との位置関係が所望の位置関係となる。そして、先に説明した概略位置計測の結果を考慮して、微動ステージの322bの位置を微調整する。そして、微動ステージ322bに装着されたシャトル101上のウエハW1に形成された一部のアライメントマークに対して、電子ビーム光学系から電子ビームが照射され、そのアライメントマークからの反射電子が反射電子検出系で検出され、ウエハW1の位置計測が行われ、この位置計測の結果と、先に行われた全点EGAの結果に基づいて、ウエハW1上の複数のショット領域に対し、電子ビーム照射装置330を用いた露光が開始される。
上記の電子ビームを用いてウエハW1の位置計測及び露光と並行して、シャトル100の前述のシャトル受け渡し部のアンロード側シャトル載置部への搬送動作(シャトルの回収動作)が、以下の手順で行われる。
すなわち、まず、シャトルキャリア306が、第1の距離下方に移動して、再び第2の状態となる。これにより、シャトル100が収納されたシャトルキャリア306の上段の収納棚が、ロードロック室の開口と同じ高さに位置する。
次いで、露光室内搬送系312により、シャトル100がシャトルキャリア306から取り出され、ロードロック室内へ向けて搬送され、シャトル100がロードロック室内に搬入された時点で、真空側のゲートバルブ302cが閉じられる。
このとき、シャトル搬送系70は、前述した別の動作を一旦終了して真空チャンバ300iが備えるロードロックチャンバ302iの前に移動している。なお、シャトル搬送系70が、別の動作を継続中であった場合、例えば露光室301i内でのウエハW0の露光が終了した時点で、主制御装置100は、直ちにその別の動作を一時的に中断させ、真空チャンバ300iが備えるロードロックチャンバ302iの前に移動させても良い。
次いで、大気側のゲートバルブ302bが開けられた後、シャトル搬送系70によりシャトル100がロードロック室304から取り出されて、回収される。露光制御装置380iは、ゲートバルブ302bを開けるのと前後して、第2状態にあるシャトルキャリア306を、第1の距離上向きに駆動して第1状態に戻す。なお、シャトル100が取り出された後、ゲートバルブ302bは、閉じられる。
次いで、回収されたシャトル100は、シャトル搬送系70により、直ちに、シャトル受け渡し部のアンロード側シャトル載置部へ戻される。この戻されたシャトル100は、計測室内搬送系62によって、ウエハ交換のため、計測テーブルTBに向けて搬送される。以後、計測室60内では前述した処理が繰り返し行われ、主制御装置100により露光室の指定がなされる度に、シャトル搬送系70によるシャトルの搬送、及び指定された露光室301iでのシャトルの交換及び露光処理動作が繰り返し行われる。
なお、シャトル100をロードロック室から取り出すためのゲートバルブ302bの開放と前後して、シャトルキャリア306を、第1の状態(第1位置)に戻すものとしたが、これに限らず、第2の状態にあるシャトルキャリア306をそのままにしても良い。この場合には、露光室301i内でのシャトルの交換に際して、シャトルキャリア306の第1の状態と第2の状態との設定が上の説明と反対になるようにしつつ、上述と同様の手順でシャトル交換を行えば良い。
なお、実際には、上述した計測室60内での事前準備作業、及びシャトル搬送系70による一連の動作(露光前のウエハを保持するシャトルの、シャトル受け渡し部からロードロック室内への搬入、及び露光済みのウエハを保持するシャトルのロードロック室からの搬出及びシャトル受け渡し部への搬送などの動作)に要する合計の所要時間は、1つの露光ユニット310で行われる露光動作の所要時間に比べて格段に短いので、本実施形態に係る露光システム1000のように、10台の露光ユニット310に対して、計測室60及びシャトル搬送系70が、それぞれ1つのみ設けられているだけで十分である。すなわち、計測室60内での一連の動作、及びシャトル搬送系70による一連の動作が原因となって、露光システム1000全体としてのスループットの低下を生じさせることはない。また、上記システム構成によると、実用上、十分なスループットを確保することが可能になる。なお、真空チャンバ3005及び真空チャンバ30010に隣接して、真空チャンバ(露光室)を増設することは容易であるので、計測室60及びシャトル搬送系70に、遊びの時間がある場合には、露光室(及び露光ユニット)の数をさらに増やすことで、さらなるスループットの向上が期待できる。
以上説明したように、本実施形態に係る露光システム1000によると、床面Fの下方から配線及び配管を介して供給されたユーティリティを、計測チャンバ200に供給するとともに、チャンバ3001~30010のそれぞれに分配する制御ラック500が、Y軸方向に関して、2列のチャンバ3001~3005及び3006~30010とC/D9000との間で、かつ計測チャンバ200の上部に配置されている。また、チャンバ3001~30010の上面と、C/D9000の上面と、制御ラック500の上面とが、ほぼ同一面上に位置するように、チャンバ3001~30010の高さ、C/D9000の高さ、フレーム400の上面の高さ及び制御ラック500の高さが設定されている。また、2列のチャンバ3001~3005及び3004~3006側と、C/D9000側との幅寸法(Y軸方向の寸法))を揃えるレイアウトが採用されている。
したがって、2列のチャンバと、計測チャンバ200と、制御ラック500とを含む露光システム1000の構成部分は、C/D9000とともに、全体として直方体の空間を占めている。したがって、本実施形態では、クリーンルーム内に使い勝手が悪い空間が生じるのを回避して、空間の利用効率の向上を図ることが可能である。
また、制御ラック500により、上方からユーティリティをチャンバ3001~30010のそれぞれに供給しているので次のような利点がある。すなわち、例えば電子ビーム照射装置330の鏡筒331には多くの電線(配線)を接続する必要があるが、かかる電線の接続を例えば下方から行おうとすると、粗微動ステージ322等を含むステージ装置320が存在し、邪魔になって、接続そのものに困難を伴う。これに対し、上方から鏡筒331に対して電線の接続を行う場合には、遮るものがないため、電線の本数が多くても容易に接続できる。
また、本実施形態に係る露光システム1000では、真空チャンバ3001~30010の内部にそれぞれ収容された合計10機の露光ユニット310を備え、各露光ユニット310が、それぞれオン/オフ可能で、かつ偏向可能な例えば4000本の直径20nmの電子ビームの円形スポットを矩形(例えば100μm×20nm)の露光領域内に配置可能なマルチビーム光学系から成る光学系カラムが、例えば100個、例えば300mmウエハ上の例えば100個のショット領域にほぼ1:1で対応する位置関係で鏡筒331内に配置された電子ビーム照射装置330を備えている。したがって、合計10機の露光ユニット310により並行して別々のウエハの露光を行うことで、従来の電子ビーム露光装置に比べてスループットを大幅に向上させることができる。
また、本実施形態に係る露光システム1000では、露光室301iとは別の計測室60内で、露光に先立って、ウエハをシャトル10で保持した状態で、シャトル10に対するウエハの位置関係の計測、EGA方式のアライメント計測及びウエハのフラットネス計測などの事前計測を行い、その後に各露光室301i内にその事前計測が終了したウエハを保持するシャトル10を搬入し、基準位置にある、微動ステージ322bに、キネマティックカップリングを介して装着し、電子ビームを照射してウエハ上の数個のアライメントマークを計測するウエハの位置確認作業を行なうだけで、事前に行われたアライメント計測、例えば全点EGA計測の結果、及びフラットネス計測の結果を用いて、ウエハに対する露光を直ちに開始することができる。この点においても、従来に比べてスループットの格段の向上が可能である。
また、露光システム1000では、シャトル搬送系70により、事前計測が終了したウエハ及び露光が終了したウエハが、シャトル10と一体で、計測室60と真空チャンバ3001~30010それぞれのロードロックチャンバ302iとの間で搬送される。このため、真空チャンバ3001~30010それぞれのロードロックチャンバ302i内に搬入された事前計測が終了したウエハを保持するシャトル10を、露光室内搬送系312が各露光室301i内に搬入して微動ステージ322bに装着した後、前述のウエハの位置確認作業を行なうだけで、ウエハの露光を直ちに開始することが可能になる。
また、本実施形態に係る露光システム1000の複数の露光ユニット310がそれぞれ備えるステージ装置320によると、粗動ステージ322aをX軸方向に駆動する粗動ステージ駆動系323が、一軸駆動機構、一例としてボールねじを用いた送りねじ機構によって構成されているので、その送りねじ機構からの磁束漏れが生じるおそれはない。また、シャトル10が装着される微動ステージ322bを6自由度方向に駆動する微動ステージ駆動系327として、前述した閉磁界型かつムービングマグネット型のモータ327が用いられ、且つ該モータの上面及び両側面が、粗動ステージ322aに両端が固定された磁気シールド部材328で覆われているので、粗動ステージ322a及び微動ステージ322bの全移動範囲で上方への磁束漏れを効果的に抑制ないしは防止することが可能である。したがって、本実施形態では電子ビーム照射装置330のビーム源から射出される電子ビームの位置決めに対して無視できないほどの悪影響を与えるような磁場変動が生じるおそれはない。なお、本実施形態に係るステージ装置320は、上述のように上方への磁束漏れを効果的に抑制ないしは防止することができるので、電子ビーム露光装置、その他の荷電粒子線露光装置、あるいはSEM等に用いられるステージ装置として好適である。
なお、本実施形態では、粗動ステージ駆動系323として、ボールねじを用いた送りねじ機構で構成した例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、粗動ステージ駆動系を微動ステージと同様、磁束漏れ対策が施された粗動ステージ駆動系を用いることも可能である。
また、本実施形態に係るステージ装置320では、微動ステージ322b(及びシャトル10)の自重を、定盤321上で支持する重量キャンセル装置324が設けられているので、微動ステージ(及びシャトル10)を駆動しないときにモータ327により自重を支持するための定常的な力を発生させる必要がなる。これにより、発熱が大きくなることによる不都合を防止できるとともに、磁力が電子ビームの位置決めに悪影響を与えることをさらに抑制ないしは防止することができる。
また、本実施形態に係る露光ユニット310では、シャトル10が微動ステージ322bに装着された状態では、微動ステージ322bの6自由度方向の位置情報は、シャトル10の位置情報を計測する前述のエンコーダシステムから成る第1計測系20で計測されている。エンコーダシステムは、干渉計と比べて計測ビームの光路長が極端に短いので、必要なスペースが小さく、第1計測系20の小型化が可能になる。また、第1計測系20は、前述の如く、合計12自由度の計測が可能であり、6自由度方向のそれぞれについて、冗長計測が行われ、各2つの位置情報が得られる。そして、露光制御装置380は、第1計測系20で計測された位置情報に基づいて、それぞれの自由度について各2つの位置情報の平均値を、それぞれの方向の計測結果とする。これにより、平均化効果により、6自由度の全ての方向について、シャトル10及び微動ステージ322bの位置情報を、高精度に求めることが可能になる。したがって、露光の際のウエハの位置制御性の向上が可能となり、高精度な露光が可能になる。
また、本実施形態に係る露光ユニット310では、微動ステージ322bの6自由度方向の位置情報を常時計測する第2計測系25が、第1計測系20とは別に設けられている。このため、シャトルが微動ステージ322bに装着されていないときにも、露光制御装置380i(i=2~6)では、微動ステージ322bの6自由度方向の位置、姿勢の制御が可能である。
また、本実施形態に係る露光システム1000では、真空チャンバ300iの内部に、露光ユニット310の全体が収容されている。したがって、大気圧が変動しても真空チャンバ300iの内部に全体が収容された鏡筒331が変形することはなく、鏡筒331内の電子ビーム光学系が悪影響を受けるなどの事態が発生するおそれはない。
なお、上記実施形態では、真空チャンバ300iの内部に、露光ユニット310が1つ収容された場合について例示したが、これに限らず、1つの真空チャンバの内部に、露光ユニット310が2つ以上収容されていても良い。また、上記実施形態では、露光システム1000が、10個の露光室301iと1つの計測室60とを備えている場合について説明したが、露光室の数は、特に問わないが、偶数個であることがレイアウト上望ましい。また、2列のチャンバ3001~3005及び3006~30010の全てを設ける必要はなく、計測チャンバ200及び制御ラック500に隣接するチャンバ3001、3006の少なくとも一方のみが設けられていても良い。
なお、上記実施形態では、電子ビーム照射装置330がメトロロジーフレーム340と一体で、3つの吊り下げ支持機構350a、350b、350cを介して真空チャンバの天板(天井壁)又はフレーム400から吊り下げ支持されるものとしたが、これに限らず、電子ビーム照射装置330は、床置きタイプのボディによって支持されても良い。
シャトルと一体でウエハを搬送する場合、及びウエハを単独で搬送する場合のいずれにおいても、ウエハが搬送される前述の空間SPと該空間SPに連通する計測室60の一部とは、真空チャンバの内部に比べて真空度の低い低真空状態に設定可能に構成しても良い。大気中からロードロック室内にウエハ(及びシャトル)を搬入する場合、可能な限り短時間でロードロック室内を真空チャンバの内部と同程度の高真空状態になるまで真空引きする必要があり、この場合、ウエハ(及びシャトル)が置かれる環境は、大気圧から高真空に変化し、温度低下によりウエハが収縮する。一方、低真空空間からロードロック室内にウエハ(及びシャトル)を搬入した場合、その温度の低下割合が低くなり、温度低下に起因するウエハの収縮が小さくなる。
なお、露光済のウエハを保持するシャトルを計測室60に必ず戻す必要はない。例えば、計測室60とは別に、ウエハ搬出部を設け、このウエハ搬出部でシャトルからウエハを取り外しても良い。
また、上記実施形態では、微動ステージ322bが、粗動ステージ322aに対して6自由度方向に移動可能な場合について説明したが、これに限らず、微動ステージはXY平面内でのみ移動可能であっても良い。この場合、微動ステージの位置情報を計測する第1計測系20及び第2計測系25も、XY平面内の3自由度方向に関する位置情報を計測可能であっても良い。
また、上記実施形態では、第1計測系20により6自由度方向の各方向について、冗長計測を行い、それぞれの方向について得られた2つの位置情報の平均に基づいて、それぞれの方向の微動ステージの位置を求めるものとしたが、これに限らず、6自由度方向の各方向について、更なる冗長計測を行い、3つ以上の位置情報の平均に基づいて、それぞれの方向の微動ステージの位置を求めるものとしても良い。あるいは、6自由度方向の一部の方向、例えばXY平面内の3自由度方向についてのみ、冗長計測を行うようにしても良いし、いずれの方向についても冗長計測を行わなくても良い。
《第1の実施形態の変形例》
次に、上記第1の実施形態に係る露光システム1000と同様に、計測チャンバの上に制御ラックが配置される、変形例に係る露光システムについて、説明する。図15には、本変形例に係る露光システム1000Aが、C/D9000Aとともに斜視図にて示されている。
次に、上記第1の実施形態に係る露光システム1000と同様に、計測チャンバの上に制御ラックが配置される、変形例に係る露光システムについて、説明する。図15には、本変形例に係る露光システム1000Aが、C/D9000Aとともに斜視図にて示されている。
図15と図1とを比較すると明らかなように、露光システム1000Aは、前述した第1の実施形態に係る露光システム1000と、レイアウトが一部異なるのみで、構成各部の機能等は同様である。露光システム1000Aは、前述した第1の実施形態に係る露光システム1000と同様、C/D9000Aとともに、クリーンルーム内の直方体状のスペースに、配置することができる。
露光システム1000Aでは、C/D9000に代えて、計測チャンバ200にインライン接続されたC/D9000より高さが低いチャンバを有するC/D9000Aが用いられるとともに、そのC/D9000A上方の空間を有効利用すべく、制御ラック500に代えて、制御ラック500より幅(X軸方向の長さ)が大きい制御ラック500Aが用いられている。また、制御ラック500Aはフレーム400Aの上に載置されている。フレーム400Aは、C/D9000Aと計測チャンバ200とがX軸方向に並んで配置されたスペースの4つのコーナーに位置する4本の脚部と、これらの脚部によって支持された天井部とを有する。この天井部の上に制御ラック500Aが載置されている。なお、C/D9000Aのチャンバの強度が十分な場合、あるいは制御ラック500Aの重量が軽い場合などで、且つ計測チャンバ200及びC/D9000Aとの高さがほぼ一致している場合には、フレーム400Aなどのフレーム部材を用いることなく、制御ラック500Aを、計測チャンバ200及びC/D9000Aの上に直接載置しても良い。
本変形例においても、制御ラック500Aには、床面Fの下にある、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して制御ラック500Aと床面Fとの間の空間部分を通り、下側から接続されている。制御ラック500Aは、制御ラック500と同様、内部に、例えば高電圧電源、及びアンプなどの電子ビーム露光装置に直接関係する制御系ユニット、後述するステージの制御系、及び後述する計測系の制御基盤等の様々なユニットが収納されている。制御ラック500Aは、配線及び配管を一旦中継し、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源から配線及び配管(供給部材)を介して供給されたユーティリティを計測チャンバ200及びチャンバ3001~30010に分配する。なお、必要に応じ、制御ラック500の内部に、冷却水の温調機を配置しても良い。なお、この場合も、制御ラックとして、役割の異なる複数の制御ラックを設けても良い。
露光システム1000Aのその他の部分の構成は、露光システム1000と同様である。
上述のようにして構成された露光システム1000Aを、C/D9000Aとともに、図15のようなレイアウトでクリーンルーム床面F上に設置することで、クリーンルーム内の直方体状のスペースを占めるリソグラフィシステムを組み立てることができ、クリーンルーム内に使い勝手が悪い空間が生じるのを回避して、クリーンルーム内の空間の利用効率の向上を図ることが可能である。また、本変形例に係る露光システム1000Aによっても上記実施形態に係る露光システム1000と同等の種々の効果を得ることができる。
《第2の実施形態》
図16には、第2の実施形態に係る露光システム1000BがC/D9000Bとともに斜視図にて示されている。図16では、露光システム1000Bが簡略化して示されるとともに、制御ラック500Bを支持するフレーム部材は図示が省略されている。以下では、露光システム1000Bが備える計測チャンバ200、真空チャンバ3001~30010及び制御ラック等のレイアウトを中心として説明する。後述する各実施形態及びそれらの変形例についても同様である。露光システム1000Bにおいても、制御ラック500Bを支持するフレーム部材を必ずしも用いる必要はない。
図16には、第2の実施形態に係る露光システム1000BがC/D9000Bとともに斜視図にて示されている。図16では、露光システム1000Bが簡略化して示されるとともに、制御ラック500Bを支持するフレーム部材は図示が省略されている。以下では、露光システム1000Bが備える計測チャンバ200、真空チャンバ3001~30010及び制御ラック等のレイアウトを中心として説明する。後述する各実施形態及びそれらの変形例についても同様である。露光システム1000Bにおいても、制御ラック500Bを支持するフレーム部材を必ずしも用いる必要はない。
露光システム1000Bでは、計測チャンバ200の+Y側の前述したスペースに制御ラック500Bとは別の制御ラック510が配置されている。制御ラック510と計測チャンバ200との上方に、フレーム部材(図示省略)を介して制御ラック500Bが載置されている。制御ラック500Bは、前述した実施形態の制御ラック500と同様に構成され同等以上の機能を有しているが、制御ラック500より高さが高く、その上面が、チャンバ3001~30010及びC/D9000Bより高くなっている。
制御ラック510には、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されるとともに、制御ラック500Bに対してユーティリティを供給する。制御ラック500Bは、制御ラック510から供給されたユーティリティを、計測チャンバ200及び10個のチャンバ3001~30010に対して分配する。すなわち、制御ラック500Bは、制御ラック510と、計測チャンバ及び10個のチャンバ3001~30010とのインタフェースとして機能する。なお、計測チャンバ200に、制御ラック510からユーティリティを供給する構成を採用しても良い。この場合、例えば、制御ラック510を、電子ビーム照射装置330からターゲットであるウエハに照射される電子ビームの照射制御に関連する機能を有する制御ラックとし、制御ラック500Bをそれ以外の機能を有する制御ラックとするなど、2つの制御ラックを役割分担させても良い。
C/D9000Bは、計測チャンバ200にインラインにて接続されているが、そのインライン接続口は、C/D9000Bのチャンバの長手方向の一側に設けられている。露光システム1000Bのその他の部分の構成等は、前述した第1の実施形態に係る露光システム1000と同様になっている。本第2の実施形態に係る露光システム1000BとC/D9000Bとによって、リソグラフィシステム2000が構成されている。図16からわかるように、リソグラフィ2000では、C/D9000Bの+Y側にフリースペースが生じる。
図17に斜視図にて示されるように、リソグラフィシステム2000を、互いに180°回転させた状態で、C/D9000B同士が対向するように配置することで、全体としてほぼ直方体状のスペースに、配置することができ、クリーンルーム内に使い勝手が悪い空間が生じるのを回避して、クリーンルーム内の空間の利用効率の向上を図ることが可能である。
《第2の実施形態の変形例1》
図18には、第2の実施形態の変形例1に係る露光システム1000Cが、C/D9000Bとともに斜視図にて示されている。露光システム1000Cは、前述した第2の実施形態に係る露光システム1000Bにおいて、制御ラック500Bを、計測チャンバ200及び制御ラック510の上方ではなく、チャンバ3005とチャンバ30010の+X側に隣接して床面F上に配置したものである。本変形例に係る露光システム1000Cでは、制御ラック500Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック500Bは、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、計測チャンバ200及びチャンバ300i(i=1~10)にユーティリティを分配するとともに、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置の制御に関連する基盤などを内蔵している。
図18には、第2の実施形態の変形例1に係る露光システム1000Cが、C/D9000Bとともに斜視図にて示されている。露光システム1000Cは、前述した第2の実施形態に係る露光システム1000Bにおいて、制御ラック500Bを、計測チャンバ200及び制御ラック510の上方ではなく、チャンバ3005とチャンバ30010の+X側に隣接して床面F上に配置したものである。本変形例に係る露光システム1000Cでは、制御ラック500Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック500Bは、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、計測チャンバ200及びチャンバ300i(i=1~10)にユーティリティを分配するとともに、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置の制御に関連する基盤などを内蔵している。
本変形例に係る露光システム1000Cは、C/D9000Bとともにリソグラフィシステム2000Aを構成しており、図示は省略されているが、2つのリソグラフィシステム2000Aを、互いに180°回転させた状態で、C/D9000B同士が対向するように配置することで、全体としてほぼ直方体状(平面視矩形)のスペースに、配置することができる。
《第2の実施形態の変形例2》
図19には、第2の実施形態の変形例2に係る露光システム1000Dが、C/D9000とともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Dは、前述した第2の実施形態に係る露光システム1000Bにおいて、制御ラック500Bを、計測チャンバ200及び制御ラック510の-X側に隣接して床面F上に設置したものである。露光システム1000Dは、C/D9000Bに代えて前述のC/D9000を用い、C/D9000を、露光システム1000Dの計測チャンバ200及び制御ラック500Bの-Y側に配置し、計測チャンバ200にインライン接続している。本変形例に係る露光システム1000Dでは、制御ラック500Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック500Bは、制御ラック510にユーティリティを供給するとともに、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、計測チャンバ200及びチャンバ300i(i=1~10)にユーティリティを分配するとともに、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置の制御に関連する基盤などを内蔵している。
図19には、第2の実施形態の変形例2に係る露光システム1000Dが、C/D9000とともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Dは、前述した第2の実施形態に係る露光システム1000Bにおいて、制御ラック500Bを、計測チャンバ200及び制御ラック510の-X側に隣接して床面F上に設置したものである。露光システム1000Dは、C/D9000Bに代えて前述のC/D9000を用い、C/D9000を、露光システム1000Dの計測チャンバ200及び制御ラック500Bの-Y側に配置し、計測チャンバ200にインライン接続している。本変形例に係る露光システム1000Dでは、制御ラック500Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック500Bは、制御ラック510にユーティリティを供給するとともに、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、計測チャンバ200及びチャンバ300i(i=1~10)にユーティリティを分配するとともに、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置の制御に関連する基盤などを内蔵している。
本変形例に係る露光システム1000Dは、C/D9000とともにリソグラフィシステム2000Bを構成しており、図示は省略されているが、2つのリソグラフィシステム2000Bを、互いに180°回転させた状態で、C/D9000同士が所定距離を隔てて対向するように配置することで、全体としてほぼ直方体状(平面視矩形)のスペースに、配置することができる。
《第2の実施形態の変形例3》
図20には、第2の実施形態の変形例3に係る露光システム1000Eが、C/D9000とともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Eは、前述した第2の実施形態に係る露光システム1000Bにおいて、制御ラック500Bを、制御ラック510及び計測チャンバ200の上方ではなく、これら制御ラック510及び計測チャンバ200の-X側に隣接してX軸方向を長手方向として床面F上に設置したものである。本変形例では、前述のC/D9000を用い、このC/D9000を計測チャンバ200-Y側に配置し、計測チャンバ200にインライン接続している。本変形例に係る露光システム1000Eでは、制御ラック500Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック500Bは、制御ラックBにユーティリティを供給するとともに、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、計測チャンバ200及びチャンバ300i(i=1~10)にユーティリティを分配するとともに、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置の制御に関連する基盤などを内蔵している。
図20には、第2の実施形態の変形例3に係る露光システム1000Eが、C/D9000とともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Eは、前述した第2の実施形態に係る露光システム1000Bにおいて、制御ラック500Bを、制御ラック510及び計測チャンバ200の上方ではなく、これら制御ラック510及び計測チャンバ200の-X側に隣接してX軸方向を長手方向として床面F上に設置したものである。本変形例では、前述のC/D9000を用い、このC/D9000を計測チャンバ200-Y側に配置し、計測チャンバ200にインライン接続している。本変形例に係る露光システム1000Eでは、制御ラック500Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック500Bは、制御ラックBにユーティリティを供給するとともに、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、計測チャンバ200及びチャンバ300i(i=1~10)にユーティリティを分配するとともに、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置の制御に関連する基盤などを内蔵している。
本変形例に係る露光システム1000Eは、C/D9000とともにリソグラフィシステム2000Cを構成しており、図示は省略されているが、2つのリソグラフィシステム2000Cを、互いに180°回転させた状態で、2つのC/D9000それぞれの長手方向の一端面同士がほぼ接触状態で対向するように配置することで、フリースペースが所々にできるが、全体としてほぼ直方体状(平面視矩形)のスペースに、配置することができる。
《第2の実施形態の変形例4》
図21には、第2の実施形態の変形例4に係る露光システム1000Fが、C/D9000とともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Fは、前述した第2の実施形態に係る露光システム1000Bにおいて、制御ラック500Bを、計測チャンバ200及び制御ラック510の上方ではなく、チャンバ3005とチャンバ30010の+X側に隣接して床面F上に配置したものである。本変形例では、C/D9000を、制御ラック510及び計測チャンバ200の-X側に隣接して床面F上に設置して、計測チャンバ200にインライン接続している。本変形例に係る露光システム1000Fでは、制御ラック500Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック500Bは、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、計測チャンバ200及びチャンバ300i(i=1~10)にユーティリティを分配するとともに、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置の制御に関連する基盤などを内蔵している。
図21には、第2の実施形態の変形例4に係る露光システム1000Fが、C/D9000とともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Fは、前述した第2の実施形態に係る露光システム1000Bにおいて、制御ラック500Bを、計測チャンバ200及び制御ラック510の上方ではなく、チャンバ3005とチャンバ30010の+X側に隣接して床面F上に配置したものである。本変形例では、C/D9000を、制御ラック510及び計測チャンバ200の-X側に隣接して床面F上に設置して、計測チャンバ200にインライン接続している。本変形例に係る露光システム1000Fでは、制御ラック500Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック500Bは、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、計測チャンバ200及びチャンバ300i(i=1~10)にユーティリティを分配するとともに、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置の制御に関連する基盤などを内蔵している。
本変形例に係る露光システム1000Fは、C/D9000とともに、ほぼ直方体状(平面視矩形)のスペースに、配置することができる。
《第3の実施形態》
図22には、第3の実施形態に係る露光システム1000Gが、C/D9000とともに、斜視図にて示されている。
図22には、第3の実施形態に係る露光システム1000Gが、C/D9000とともに、斜視図にて示されている。
露光システム1000Gでは、床面F上に設置された計測チャンバ200の+Y側に前述した制御ラック510が配置されている。また、計測チャンバ200とC/D9000との間に、内部にウエハの搬送経路が設けられたインタフェースチャンバ600が配置されている。制御ラック510、計測チャンバ200及びインタフェースチャンバ600の上方に、不図示のフレーム部材を介して制御ラック500Cが載置されている。制御ラック500Cは、前述した制御ラック500と同様に構成され同等以上の機能を有しているが、制御ラック500より長さが長い。なお、フレーム部材を介することなく、制御ラック510を、計測チャンバ200及びインタフェースチャンバ600の上方に、配置しても良い。
制御ラック510には、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されるとともに、制御ラック500Cに対してユーティリティを供給する。制御ラック500Cは、制御ラック510から供給されたユーティリティを、計測チャンバ200及び10個のチャンバ3001~30010に対して分配する。すなわち、制御ラック500Cは、制御ラック510と、計測チャンバ200及び10個のチャンバ3001~30010とのインタフェースとして機能する。なお、計測チャンバ200に、制御ラック510からユーティリティを供給する構成を採用しても良い。この場合、例えば、制御ラック510を、電子ビーム照射装置330からターゲットであるウエハに照射される電子ビームの照射制御に関連する機能を有する制御ラックとし、制御ラック500Cをそれ以外の機能を有する制御ラックとするなど、2つの制御ラックに役割分担をさせても良い。
C/D9000は、計測チャンバ200にインタフェースチャンバ600を介してインライン接続されている。露光システム1000Gでは、その他の部分の構成等は、前述した第1の実施形態に係る露光システム1000と同様になっている。露光システム1000Gでは、チャンバ3001~30010のいずれについても、Y軸方向の両側からメンテナンス等が可能になる。
露光システム1000Gは、C/D9000とともに、リソグラフィシステム2000Eを構成する。図22からわかるように、リソグラフィシステム2000Eでは、C/D9000の+X側にフリースペースが生じている。しかるに、リソグラフィシステム2000Eは、図23に斜視図にて示されるように、2つのリソグラフィシステム2000Eを、互いに180°回転させた状態で、C/D9000の長手方向の一端部同士が対向するように配置する構成とすることができる。すなわち、第1のリソグラフィシステム2000EAでは、C/D9000Aの+X側半部に対向する、C/D9000Aの-Y側に、前述したインタフェースチャンバ600A(不図示)、計測チャンバ200A(不図示)、及び制御ラック510AがC/D9000A側から順に並んで配置されている。計測チャンバ200A及びインタフェースチャンバ600Aの上方には不図示のフレーム部材を介して制御ラック500CAが載置され、各チャンバ300Aiは、計測チャンバ200Aの-X側に配置されている。第2のリソグラフィシステム2000EBでは、C/D9000Bの-X側半部に対向する、C/D9000Bの+Y側に前述したインタフェースチャンバ600B、計測チャンバ200B、及び制御ラック510BがC/D9000Bに近い側から順に並んで配置されている。計測チャンバ200B及びインタフェースチャンバ600Bの上方に不図示のフレーム部材を介して制御ラック500CBが載置され、各チャンバ300Biは、計測チャンバ200の+X側に配置されている。
リソグラフィシステム2000EAにおいて制御ラック510Aには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されるとともに、制御ラック500CAに対してユーティリティを供給する。リソグラフィシステム2000EBにおいて制御ラック510Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されるとともに、制御ラック500CBに対してユーティリティを供給する。
このように構成することで、全体としてほぼ直方体状のスペースに、配置することができ、クリーンルーム内に使い勝手が悪い空間が生じるのを回避して、クリーンルーム内の空間の利用効率の向上を図ることが可能である。
このように構成することで、全体としてほぼ直方体状のスペースに、配置することができ、クリーンルーム内に使い勝手が悪い空間が生じるのを回避して、クリーンルーム内の空間の利用効率の向上を図ることが可能である。
《第3の実施形態の変形例》
図24には、第3の実施形態の変形例に係る露光システム1000Hが、C/D9000とともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Hは、前述した第3の実施形態に係る露光システム1000Gにおいて、制御ラック500Cに代えて制御ラック500Bを設け、該制御ラック500Bを制御ラック510とともに、C/D9000の+X側の床面F上にX軸方向に並べて設置したものである。本変形例に係る露光システム1000Hでは、制御ラック500Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック500Bは、制御ラック510にユーティリティを供給するとともに、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、計測チャンバ200及びチャンバ300i(i=1~10)にユーティリティを分配するとともに、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置330の制御に関連する基盤などを内蔵している。
図24には、第3の実施形態の変形例に係る露光システム1000Hが、C/D9000とともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Hは、前述した第3の実施形態に係る露光システム1000Gにおいて、制御ラック500Cに代えて制御ラック500Bを設け、該制御ラック500Bを制御ラック510とともに、C/D9000の+X側の床面F上にX軸方向に並べて設置したものである。本変形例に係る露光システム1000Hでは、制御ラック500Bには、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック500Bは、制御ラック510にユーティリティを供給するとともに、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、計測チャンバ200及びチャンバ300i(i=1~10)にユーティリティを分配するとともに、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置330の制御に関連する基盤などを内蔵している。
本変形例に係る露光システム1000Hでは、チャンバ3001~3005から成るチャンバ列と、制御ラック510及び制御ラック500Bとの間に、メンテナンスのためのスペースが確保されている。また、露光システム1000Hでは、計測チャンバ200の+Y側にフリースペースが生じるが、全体としてほぼ直方体状(平面視矩形)のスペースに配置することができる。
《他のレイアウト》
これまでは、露光システムとC/Dとから成るリソグラフィシステムの全長を短くするため、チャンバ3001~30010が2列で配置された露光システムの種々のレイアウトについて説明した。しかし、クリーンルームに平面視で細長い設置スペースが用意されている場合も考えられ、このような場合には、チャンバ3001~30010を、一列に並べて配置する露光システムのレイアウトも可能になる。以下では、このような一列のチャンバ列を有する露光システム(以下、便宜上、単一チャンバ列タイプの露光システムと称する)の例について説明する。
これまでは、露光システムとC/Dとから成るリソグラフィシステムの全長を短くするため、チャンバ3001~30010が2列で配置された露光システムの種々のレイアウトについて説明した。しかし、クリーンルームに平面視で細長い設置スペースが用意されている場合も考えられ、このような場合には、チャンバ3001~30010を、一列に並べて配置する露光システムのレイアウトも可能になる。以下では、このような一列のチャンバ列を有する露光システム(以下、便宜上、単一チャンバ列タイプの露光システムと称する)の例について説明する。
《単一チャンバ列タイプ(その1)》
図25には、単一チャンバ列タイプ(その1)に係る露光システム1000Iが、C/D9000Bとともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Iは、前述した第2の実施形態に係る露光システム1000Bにおいて、制御ラック500Bを、計測チャンバ200及び制御ラック510の上方ではなく、C/D(この場合も、C/D9000Bが用いられている)の+Y側に所定間隔隔てて並べて配置するとともに、チャンバ3001~30010を、計測チャンバ200の+X側にX軸方向に沿って一列に並べて配置したものである。
図25には、単一チャンバ列タイプ(その1)に係る露光システム1000Iが、C/D9000Bとともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Iは、前述した第2の実施形態に係る露光システム1000Bにおいて、制御ラック500Bを、計測チャンバ200及び制御ラック510の上方ではなく、C/D(この場合も、C/D9000Bが用いられている)の+Y側に所定間隔隔てて並べて配置するとともに、チャンバ3001~30010を、計測チャンバ200の+X側にX軸方向に沿って一列に並べて配置したものである。
この露光システム1000Iでは、制御ラック510には、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して接続されている。制御ラック510は、制御ラック500Bに対してユーティリティを供給する。制御ラック500Bは、制御ラック510から供給されたユーティリティを、計測チャンバ200及び10個のチャンバ3001~30010に対して分配する。すなわち、制御ラック500Bは、制御ラック510と、計測チャンバ200及び10個のチャンバ3001~30010とのインタフェースとして機能する。制御ラック500Bは、電子ビーム照射装置330以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置330の制御に関連する基盤などを内蔵している。なお、計測チャンバ200に、制御ラック510からユーティリティを供給する構成を採用しても良い。
露光システム1000Iでは、チャンバ3001~30010のいずれに対しても、両サイドからメンテナンスが可能となるとともに、シャトル搬送系のメンテナンスも容易になる。
また、露光システム1000Iは、C/D9000Bとともに、リソグラフィシステムを構成する。このリソグラフィシステムを、互いに180°回転させた状態で、制御ラック510同士が所定距離を隔てて対向するように配置することで、全体としてほぼ直方体状(平面視矩形)のスペースに配置することができる。
《単一チャンバ列タイプ(その2)》
図26には、単一チャンバ列タイプ(その2)に係る露光システム1000Jが、C/D9000Bとともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Jは、前述の露光システム1000Iにおいて、計測チャンバ200の上に不図示のフレーム部材を介して制御ラック510を配置するとともに、制御ラック500Bに代えて、計測チャンバ200と10個のチャンバ3001~30010とから成るチャンバ列の長さと同程度の長さの制御ラック500Dを設け、この制御ラック500Dを、計測チャンバ200及び10個のチャンバ3001~30010の+Y側に配置したものである。この場合、制御ラック500Dと10個のチャンバ3001~30010とは、Y軸方向に関して所定距離(制御ラック510とチャンバ3001~30010それぞれとのY軸方向の長さの差に相当する距離)隔てて対向している。なお、フレーム部材を介することなく、計測チャンバ200の上に制御ラック510を配置しても良い。
図26には、単一チャンバ列タイプ(その2)に係る露光システム1000Jが、C/D9000Bとともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Jは、前述の露光システム1000Iにおいて、計測チャンバ200の上に不図示のフレーム部材を介して制御ラック510を配置するとともに、制御ラック500Bに代えて、計測チャンバ200と10個のチャンバ3001~30010とから成るチャンバ列の長さと同程度の長さの制御ラック500Dを設け、この制御ラック500Dを、計測チャンバ200及び10個のチャンバ3001~30010の+Y側に配置したものである。この場合、制御ラック500Dと10個のチャンバ3001~30010とは、Y軸方向に関して所定距離(制御ラック510とチャンバ3001~30010それぞれとのY軸方向の長さの差に相当する距離)隔てて対向している。なお、フレーム部材を介することなく、計測チャンバ200の上に制御ラック510を配置しても良い。
この露光システム1000Jでは、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が、床面F及び計測チャンバ200を介して制御ラック510に下方から接続されている。制御ラック510は、計測チャンバ200及び制御ラック500Dに対してユーティリティを供給する。制御ラック500Dは、制御ラック510から供給されたユーティリティを、10個のチャンバ3001~30010に対して分配する。すなわち、制御ラック500Dは、制御ラック510と、10個のチャンバ3001~30010とのインタフェースとして機能する。制御ラック500Dは、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置330の制御に関連する基盤などを内蔵している。なお、計測チャンバ200に、制御ラック510からユーティリティを供給する構成を採用しても良い。
この場合、制御ラック500Dとチャンバ3001~30010との間隔が狭いので、制御ラック500Dから、10個のチャンバ3001~30010に対してユーティリティを分配するための配線及び配管の長さを短くすることができる。
《単一チャンバ列タイプ(その3)》
図27には、単一チャンバ列タイプ(その3)に係る露光システム1000Kが、C/D9000Bとともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Kは、C/D9000Bと計測チャンバ200とがY軸方向に所定間隔を隔てて床面F上に設置され、これらC/D9000Bと計測チャンバ200とがY軸方向を長手方向とするインタフェースチャンバ600Aを介してインライン接続されている。インタフェースチャンバ600Aと計測チャンバ200の上方に不図示のフレーム部材を介して、制御ラック510及び制御ラック500EがX軸方向に並んで配置されている。計測チャンバ200の+X側にチャンバ3001~30010が、X軸方向に一列に並んで配置されている。なお、インタフェースチャンバ600Aと計測チャンバ200の上方にフレーム部材を介することなく、制御ラック510及び制御ラック500Eを配置しても良い。
図27には、単一チャンバ列タイプ(その3)に係る露光システム1000Kが、C/D9000Bとともに、斜視図にて示されている。露光システム1000Kは、C/D9000Bと計測チャンバ200とがY軸方向に所定間隔を隔てて床面F上に設置され、これらC/D9000Bと計測チャンバ200とがY軸方向を長手方向とするインタフェースチャンバ600Aを介してインライン接続されている。インタフェースチャンバ600Aと計測チャンバ200の上方に不図示のフレーム部材を介して、制御ラック510及び制御ラック500EがX軸方向に並んで配置されている。計測チャンバ200の+X側にチャンバ3001~30010が、X軸方向に一列に並んで配置されている。なお、インタフェースチャンバ600Aと計測チャンバ200の上方にフレーム部材を介することなく、制御ラック510及び制御ラック500Eを配置しても良い。
この露光システム1000Kでは、制御ラック510に、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面F及びインタフェースチャンバ600Aを介して下方から接続されている。制御ラック510は、制御ラック500Eに対してユーティリティを供給する。制御ラック500Eは、制御ラック510から供給されたユーティリティを、計測チャンバ200及び10個のチャンバ3001~30010に対して分配する。制御ラック500Eは、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置330の制御に関連する基盤などを内蔵している。
露光システム1000Kでは、チャンバ3001~30010のいずれに対しても、両サイドからメンテナンスが可能となるとともに、シャトル搬送系のメンテナンスも容易になる。
この他、C/Dとともにクリーンルーム内の平面視矩形のスペースに配置可能な露光システムとして、図28に斜視図にて示されるようなレイアウトの露光システム1000Lが挙げられる。露光システム1000Lは、上述したインタフェースチャンバ600Aをその一部に有している。この露光システム1000Lは、X軸方向を長手方向として床面F上に設置されたC/D9000の-Y側にそれぞれX軸方向を長手方としてインタフェースチャンバ600Aと制御ラック500BとがY軸方向に並んで配置され、これらインタフェースチャンバ600Aと制御ラック500Bそれぞれの+X側に計測チャンバ200と制御ラック510が配置されている。さらに、計測チャンバ200と制御ラック510の+X側に、2列のチャンバ3001~3005、3006~30010が、配置されている。C/D9000と計測チャンバ200とは、インタフェースチャンバ600Aを介してインライン接続されている。
この露光システム1000Lでは制御ラック510に、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して下方から接続されている。制御ラック510は、制御ラック500Bに対してユーティリティを供給する。制御ラック500Bは、供給されたユーティリティを、計測チャンバ200及び10個のチャンバ3001~30010に対して分配する。制御ラック500Bは、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置330の制御に関連する基盤などを内蔵している。
その他のレイアウトを採用した露光システムとして、図29に斜視図にて示されるようなレイアウトの露光システム1000Mが挙げられる。この露光システム1000Mは、上述したインタフェースチャンバ600,600Aとは異なるインタフェースチャンバ600Bをその一部に有している。露光システム1000Mは、Y軸方向を長手方向として計測チャンバ200が床面F上に配置され、この計測チャンバ200を挟んでX軸方向の一側と他側に、チャンバ3001~3005及びチャンバ3006~30010が、それぞれX軸方向に一列に配置されている。チャンバ3001~3003の+Y側に所定間隔を隔ててC/D9000Bが配置されている。計測チャンバ200の+Y側に隣接してインタフェースチャンバ600Bが配置され、インタフェースチャンバ600BによってC/D9000Bと計測チャンバ200とがインライン接続されている。
また、インタフェースチャンバ600Bの+X側に隣接して、制御ラック500Bが配置され、制御ラック500Bの+X側に隣接して制御ラック510が配置されている。
この露光システム1000Mでは制御ラック510に、クリーンルームサブファブのユーティリティ供給源からの配線及び配管が床面Fを介して下方から接続されている。制御ラック510は、制御ラック500Bに対してユーティリティを供給する。制御ラック500Bは、供給されたユーティリティを、計測チャンバ200及び10個のチャンバ3001~30010に対して分配する。制御ラック500Bは、電子ビーム照射装置以外の各部、例えばステージ系などを制御するための基盤などを内蔵している。また、制御ラック510は、各チャンバ300iの電子ビーム照射装置330の制御に関連する基盤などを内蔵している。
露光システム1000Mでは、シャトル10(ウエハ)の搬送経路は、チャンバ3001~3005の+Y側(C/D9000側)の空間及びチャンバ3006~30010の+Y側(制御ラック500B側の空間)に設定される。
露光システム1000Mでは、制御ラック500Bが、1列に並んだチャンバ3001~30010から成るチャンバ列の一端側に配置される場合に比べて、チャンバ3001~30010にユーティリティを分配するための配線及び配管の全体の長さが短くなる。
なお、上記第1の実施形態に係る露光システム1000におけるマルチビーム光学系において、それぞれのビームをオン/オフする方式に、複数の開口を有するブランキングアパーチャアレイを介して複数の電子ビームを発生させ、描画パターンに応じて電子ビームを個別にオン/オフしてパターンを試料面に描画する方式を採用しても良い。また、ブランキングアパーチャアレイの代わりに、複数の電子ビームを射出する複数の電子放出部を有する面放出型電子ビーム源を用いる構成であっても良い。
また、電子ビーム照射装置として、マルチビームを照射するマルチビーム型照射装置、あるいは単一の電子ビームを照射するシングルビーム型照射装置等を用いても良い。なお、シングルビーム型の照射装置には、照射するビームをスポット状にして使用するポイントビーム型、照射するビームをサイズ可変の矩形断面にして使用する可変成形ビーム型、所望形状のビーム通過孔を有するステンシルマスクを作成しておき、そのステンシルマスクによってビームを所望形状にして使用するステンシルマスク型等がある。
また、電子ビーム照射装置として、多数の光学系カラムを配置したマルチカラム方式、あるいは光学系カラムを一つ配置したシングルカラム方式を用いても良い。
なお、本実施形態における露光ユニットとして、スキャニング・ステッパ方式に限らず、ステッパなどの静止型方式を用いても良く、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光方式であっても良い。
なお、本実施形態における露光ユニットとして、スキャニング・ステッパ方式に限らず、ステッパなどの静止型方式を用いても良く、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光方式であっても良い。
また、本実施形態における露光ユニットとして、一つの半導体チップ又は複数の半導体チップに対応するパターンをマスクから感光基板へ一括して転写する一括転写方式の装置、あるいは、一括転写方式よりも高いスループットで露光が可能な分割転写方式の装置を用いても良い。分割転写方式は、感光基板に転写すべきパターンをマスク上で1ショット分に相当する大きさよりも小さい複数の小領域に分割し、これらを感光基板上に転写する方式である。分割転写方式の装置には、一個の半導体チップ全体の回路パターンを備えたマスクを準備し、そのマスクのある範囲に電子ビームを照射し、その照射範囲のパターンの像を投影レンズにより縮小転写する電子ビーム縮小転写露光装置もある。
なお、本実施形態では、第1チャンバに形成された計測室において、基板処理装置で感応剤が塗布されたターゲットに対する計測を行ったが、基板処理装置で感応剤が塗布される前のターゲットに対する計測を行っても良い。
なお、上記第1の実施形態に係る露光システム1000では、ターゲットが半導体素子製造用のウエハである場合について説明したが、露光システム1000は勿論、上記各実施形態又は各変形例に係る露光システムは、ガラス基板上に微細なパターンを形成してマスクを製造する際にも好適に用いることができる。例えば、角型のガラスプレートやシリコンウエハにマスクパターンを描画する露光システムや、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光システム等であっても良い。また、上記第1の実施形態では、露光ビームとして電子ビームを使用する露光システム1000について説明したが、イオンビーム等を用いる露光装システム等にも上記各実施形態又は各変形例を適用することができる。また、露光システムは、荷電粒子ビームで露光する露光システムに限定されるものではなく、露光ビームとしてEUV光を用いてマスクを照明し、かかるマスクパターンからのEUV光を投影光学系によって基板に投影するEUV露光装置を用いた露光装システムであっても良い。
以上説明したように、本発明に係る露光システム及びリソグラフィシステムは、半導体素子等の電子デバイスの製造におけるリソグラフィ工程での使用に適している。
60…計測室、200…計測チャンバ、3001、3002、3003…チャンバ、3004、3005、3006…チャンバ、301i…露光室、302…ロードロックチャンバ、310…露光ユニット、322…粗微動ステージ、330…電子ビーム照射装置、350a、350b、350c…吊り下げ支持機構、351…防振パッド、352…ワイヤ、353…位置決め装置、400…フレーム、500…制御ラック、1000…露光システム、9000…C/D、F…床面、SP…空間、W、W0、W1…ウエハ。
Claims (24)
- ターゲットを露光ビームで露光する露光システムであって、
前記ターゲット又は基板処理装置で感応剤が塗布された前記ターゲットに対して計測を行う計測室が形成された第1チャンバと、
前記第1チャンバから搬送された前記ターゲットを露光ビームで露光する露光室が形成された第2チャンバと、
前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に隣接又は近接して配置され、外部のユーティリティ供給源から供給されるユーティリティを前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に供給する少なくとも1つの制御ラックと、を備える露光システム。 - 前記第1チャンバは前記基板処理装置に隣接又は近接して配置され、
前記第2チャンバは前記第1チャンバに隣接又は近接して配置される請求項1に記載の露光システム。 - 前記第1チャンバは前記第2チャンバの一方側に隣接又は近接して配置され、
前記制御ラックは前記第2チャンバの他方側に隣接又は近接して配置される請求項1又は2に記載の露光システム。 - 前記制御ラックの少なくとも一部は、前記第1チャンバ及び前記基板処理装置の少なくとも一方の上方に配置される請求項1~3のいずれか一項に記載の露光システム。
- 前記制御ラックを支持するフレーム部材を備える請求項4に記載の露光システム。
- 前記基板処理装置と前記第1チャンバとの間に前記ターゲットを搬送する搬送系を備え、
前記制御ラックは前記搬送系に隣接して配置される請求項1又は2に記載の露光システム。 - 前記第2チャンバを複数備え、
前記複数の第2チャンバのそれぞれは、所定方向に沿って配列された請求項1~6のいずれか一項に記載の露光システム。 - 前記第2チャンバは、前記第1チャンバの第1方向の一側と他側の両方に隣接又は近接して配置される請求項1~6のいずれか一項に記載の露光システム。
- 前記第1チャンバは、前記基板処理装置の第1方向の一側に隣接又は近接して配置され、
前記第2チャンバは、前記第1チャンバに対して前記第1方向と交差する第2方向に隣接又は近接して配置される、請求項1~5のいずれか一項に記載の露光システム。 - 前記基板処理装置と前記第1チャンバとはインライン接続されており、
前記基板処理装置内の空間、前記各制御ラックの空間、前記各第2チャンバの空間は、互いに独立している請求項1~9のいずれか一項に記載の露光システム。 - 前記各第2チャンバ内の空間は、真空雰囲気である請求項1~10のいずれか一項に記載の露光システム。
- 前記各第2チャンバは、ロードロック室を有する請求項1~11のいずれか一項に記載の露光システム。
- 前記各第2チャンバには、前記感応剤が塗布された前記ターゲットを前記露光ビームで露光する露光ユニットの少なくとも一部が、少なくとも1つ収容されている請求項1~12のいずれか一項に記載の露光システム。
- 前記露光ユニットは、前記ターゲットを保持して移動可能なステージを含むステージ装置と、前記ターゲットに露光ビームを照射する照射装置とを有し、
前記第2チャンバの内部に、前記ステージ及び前記照射装置の少なくとも射出端部が収容されている請求項13に記載の露光システム。 - 前記第2チャンバの内部に、前記露光ユニット全体が収容されている請求項14に記載の露光システム。
- 前記ステージ装置は、前記ステージ及び前記ステージの外部の一方に設けられ、2次元格子が形成された格子部と、前記ステージ及び前記ステージの外部の他方に前記格子部と対向可能に設けられ、前記格子部に複数のビームを照射し、格子部からの戻り光を受光するヘッド部とを有し、前記ステージの位置情報を計測するエンコーダシステムを含む請求項14又は15に記載の露光システム。
- 前記露光ユニットは、前記格子部と前記ヘッド部のうち、前記ステージの外部に設けられる前記エンコーダシステムの構成部分が設けられるメトロロジーフレームをさらに有し、
前記メトロロジーフレームは、前記照射装置と一体で、前記第2チャンバの天井部から複数の柔構造の吊り下げ支持機構を介して吊り下げ支持されている請求項16に記載の露光システム。 - 前記照射装置は、前記メトロロジーフレームを介して前記第2チャンバの天井部に3つの前記吊り下げ支持機構を介して3点で吊り下げ支持されている請求項17に記載の露光システム。
- 前記吊り下げ支持機構は、前記天井部に固定された防振パッドと、前記防振パッドに一端が接続され前記照射装置の支持部材に他端が接続されたワイヤとを含む請求項17又は18に記載の露光システム。
- 前記照射装置と前記第2チャンバとの相対位置を所定の状態に維持するための非接触方式の位置決め装置をさらに備える請求項19に記載の露光システム。
- 前記照射装置は、複数の開口を有するブランキングアパーチャアレイを有し、前記複数の開口をそれぞれ通過した複数のビームについて、前記ビームが前記ターゲットに照射される照射状態を個別に設定可能なマルチビーム光学系を備える請求項14~20のいずれか一項に記載の露光システム。
- 前記ユーティリティ供給源は、前記基板処理装置、前記第1チャンバ、前記第2チャンバ、前記少なくとも1つの制御ラックが配置される床面の下方に配置され、
少なくとも1つの前記制御ラックには、前記床面を介して前記ユーティリティ供給源と接続される第1の供給部材が接続されている請求項1~21のいずれか一項に記載の露光システム。 - ターゲットを露光ビームで露光するリソグラフィシステムであって、
第1の基板処理装置で前記ターゲット又は感応剤が塗布された前記ターゲットに対して計測を行う計測室が形成された第1チャンバと、前記第1チャンバから搬送された前記ターゲットを露光ビームで露光する露光室が形成された第2チャンバと、前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に隣接又は近接して配置され、外部のユーティリティ供給源から供給されるユーティリティを前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に供給する少なくとも1つの第1制御ラックと、を備える第1の露光システムと、
第2の基板処理装置で前記ターゲット又は感応剤が塗布された前記ターゲットに対して計測を行う計測室が形成された第3チャンバと、前記第3チャンバから搬送された前記ターゲットを露光ビームで露光する露光室が形成された第4チャンバと、前記第3チャンバ及び前記第4チャンバの少なくとも一方に隣接又は近接して配置され、外部のユーティリティ供給源から供給されるユーティリティを前記第3チャンバ及び前記第4チャンバの少なくとも一方に供給する少なくとも1つの第2制御ラックと、を備える第2の露光システムと、を有し、
前記第1チャンバは、前記第1の基板処理装置の、前記第1の基板処理装置と前記第2の基板処理装置とが並ぶ第1方向に交差する第2方向の一側に配置され、
前記第2チャンバは、前記第1チャンバの第1方向の他側に配置され、
前記第3チャンバは、前記第2の基板処理装置の前記第2方向の他側に配置され、
前記第4チャンバは、前記第3チャンバの第1方向の一側に配置されるリソグラフィシステム。 - ターゲットを露光ビームで露光するリソグラフィシステムであって、
第1の基板処理装置で前記ターゲット又は感応剤が塗布された前記ターゲットに対して計測を行う計測室が形成された第1チャンバと、前記第1チャンバから搬送された前記ターゲットを露光ビームで露光する露光室が形成された第2チャンバと、前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に隣接又は近接して配置され、外部のユーティリティ供給源から供給されるユーティリティを前記第1チャンバ及び前記第2チャンバの少なくとも一方に供給する少なくとも1つの第1制御ラックと、を備える第1の露光システムと、
第2の基板処理装置で前記ターゲット又は感応剤が塗布された前記ターゲットに対して計測を行う計測室が形成された第3チャンバと、前記第3チャンバから搬送された前記ターゲットを露光ビームで露光する露光室が形成された第4チャンバと、前記第3チャンバ及び前記第4チャンバの少なくとも一方に隣接又は近接して配置され、外部のユーティリティ供給源から供給されるユーティリティを前記第3チャンバ及び前記第4チャンバの少なくとも一方に供給する少なくとも1つの第2制御ラックと、を備える第2の露光システムと、を有し、
前記第1の基板処理装置と前記第2の基板処理装置とは第1方向に近接又は隣接して配置され、
前記第1チャンバと前記第3チャンバとは、前記第1の基板処理装置と前記第2の基板処理装置との間の点に対して180度回転対称に配置され、
前記第2チャンバと前記第4チャンバとは、前記第1の基板処理装置と前記第2の基板処理装置との間の点に対して180度回転対称に配置されるリソグラフィシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/341,542 US11106145B2 (en) | 2016-10-17 | 2017-10-12 | Exposure system and lithography system |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016203454 | 2016-10-17 | ||
JP2016-203454 | 2016-10-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2018074306A1 true WO2018074306A1 (ja) | 2018-04-26 |
Family
ID=62018535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/036902 WO2018074306A1 (ja) | 2016-10-17 | 2017-10-12 | 露光システム及びリソグラフィシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11106145B2 (ja) |
TW (1) | TW201816523A (ja) |
WO (1) | WO2018074306A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 17862116 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 17862116 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |