JP2001237157A - 加熱処理装置 - Google Patents
加熱処理装置Info
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- JP2001237157A JP2001237157A JP2000044363A JP2000044363A JP2001237157A JP 2001237157 A JP2001237157 A JP 2001237157A JP 2000044363 A JP2000044363 A JP 2000044363A JP 2000044363 A JP2000044363 A JP 2000044363A JP 2001237157 A JP2001237157 A JP 2001237157A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発熱体により加熱プレートが不均一に加熱さ
れた場合にも、基板の温度分布を均一にすることができ
る基板加熱処理装置を提供すること。 【解決手段】 基板Ｗを近接または載置して加熱処理す
る加熱プレート５１と、この加熱プレート５１に配置さ
れ給電されることにより発熱する複数の発熱体５３と、
基板Ｗの加熱処理時に加熱プレート５１の表面を覆い処
理室Ｓを構成するカバー６２と、カバー６２の上側に、
リング状の発熱体５３の配置パターンに応じて配置され
た複数のリング状のヒートパイプ６５とを具備する。
れた場合にも、基板の温度分布を均一にすることができ
る基板加熱処理装置を提供すること。 【解決手段】 基板Ｗを近接または載置して加熱処理す
る加熱プレート５１と、この加熱プレート５１に配置さ
れ給電されることにより発熱する複数の発熱体５３と、
基板Ｗの加熱処理時に加熱プレート５１の表面を覆い処
理室Ｓを構成するカバー６２と、カバー６２の上側に、
リング状の発熱体５３の配置パターンに応じて配置され
た複数のリング状のヒートパイプ６５とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等の基板に塗布・現像処理を施して半導体装置等を製
造する際に用いられる、基板を加熱する加熱処理装置に
関する。
ハ等の基板に塗布・現像処理を施して半導体装置等を製
造する際に用いられる、基板を加熱する加熱処理装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスのフォトリソグラフィー
工程においては、半導体ウエハ（以下、単にウエハとい
う）にレジストを塗布し、これにより形成されたレジス
ト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パ
ターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パタ
ーンが形成されている。
工程においては、半導体ウエハ（以下、単にウエハとい
う）にレジストを塗布し、これにより形成されたレジス
ト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パ
ターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パタ
ーンが形成されている。
【０００３】このようなフォトリソグラフィー工程にお
いては、レジスト塗布後の加熱処理（プリベーク）、露
光後の加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）、現
像後の加熱処理（ポストベーク）等、種々の加熱処理が
行われている。
いては、レジスト塗布後の加熱処理（プリベーク）、露
光後の加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）、現
像後の加熱処理（ポストベーク）等、種々の加熱処理が
行われている。
【０００４】これらの加熱処理は、通常、筐体内にヒー
ターによって加熱される加熱プレート（ホットプレー
ト）を配置してなるホットプレートユニットにより行わ
れる。この加熱プレートには、例えば複数のリング状の
発熱体が同心円状に設けられており、加熱処理に際して
は、加熱プレートの表面をカバーで覆った状態で、加熱
プレートの表面に半導体ウエハを近接あるいは載置する
が、その際に、ウエハの全面にわたって均一な温度で加
熱処理できるように、加熱プレートは、その載置面の全
面にわたって温度が均一であること（面内均一性）が要
求されている。
ターによって加熱される加熱プレート（ホットプレー
ト）を配置してなるホットプレートユニットにより行わ
れる。この加熱プレートには、例えば複数のリング状の
発熱体が同心円状に設けられており、加熱処理に際して
は、加熱プレートの表面をカバーで覆った状態で、加熱
プレートの表面に半導体ウエハを近接あるいは載置する
が、その際に、ウエハの全面にわたって均一な温度で加
熱処理できるように、加熱プレートは、その載置面の全
面にわたって温度が均一であること（面内均一性）が要
求されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、加熱プ
レートに配置されているリング状の発熱体は、その抵抗
値が必ずしも均一ではなく、加熱プレートが不均一に加
熱されるおそれがある。また、加熱プレートの熱はカバ
ーの天板で反射するため、この反射熱もウエハに供給さ
れるが、加熱プレートの加熱状態が不均一な場合には、
天板からの反射熱によって温度の不均一が一層助長され
てしまう。
レートに配置されているリング状の発熱体は、その抵抗
値が必ずしも均一ではなく、加熱プレートが不均一に加
熱されるおそれがある。また、加熱プレートの熱はカバ
ーの天板で反射するため、この反射熱もウエハに供給さ
れるが、加熱プレートの加熱状態が不均一な場合には、
天板からの反射熱によって温度の不均一が一層助長され
てしまう。
【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、発熱体により加熱プレートが不均一に加熱さ
れた場合にも、基板の温度分布を均一にすることができ
る基板加熱処理装置を提供することを目的とする。
であって、発熱体により加熱プレートが不均一に加熱さ
れた場合にも、基板の温度分布を均一にすることができ
る基板加熱処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、基板
を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、その
表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プ
レートと、この加熱プレートに配置され給電されること
により発熱する複数の発熱体と、基板の加熱処理時に加
熱プレートの表面を覆うカバーと、このカバーに前記発
熱体の配置パターンに応じて配置された複数のヒートパ
イプとを具備することを特徴とする加熱処理装置を提供
する。
を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、その
表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プ
レートと、この加熱プレートに配置され給電されること
により発熱する複数の発熱体と、基板の加熱処理時に加
熱プレートの表面を覆うカバーと、このカバーに前記発
熱体の配置パターンに応じて配置された複数のヒートパ
イプとを具備することを特徴とする加熱処理装置を提供
する。
【０００８】また、本発明は、第２に、基板を所定温度
に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面に基板
を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、
この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱
する複数の発熱体と、基板の加熱処理時に加熱プレート
の表面を覆うカバーと、このカバーのうち、前記加熱プ
レートの前記発熱体が存在しない部分の直上位置に前記
発熱体の配置パターンに対応して配置された複数のヒー
トパイプとを具備することを特徴とする加熱処理装置を
提供する。
に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面に基板
を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、
この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱
する複数の発熱体と、基板の加熱処理時に加熱プレート
の表面を覆うカバーと、このカバーのうち、前記加熱プ
レートの前記発熱体が存在しない部分の直上位置に前記
発熱体の配置パターンに対応して配置された複数のヒー
トパイプとを具備することを特徴とする加熱処理装置を
提供する。
【０００９】さらに、本発明は、第３に、基板を所定温
度に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面に基
板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレート
と、この加熱プレートに配置され給電されることにより
発熱する複数の発熱体と、基板の加熱処理時に加熱プレ
ートの表面を覆うカバーと、前記カバーに配置された複
数のヒートパイプと、前記加熱プレート上にその一端か
ら他端に向かう一方向の気流を形成する一方向流形成手
段とを具備し、前記複数の発熱体は直線状をなし、それ
ぞれ前記一方向流形成手段により形成される気流の向き
に対して略垂直に配列され、前記複数のヒートパイプは
前記加熱プレートの前記発熱体が存在しない部分の直上
位置に前記発熱体の配置パターンに対応して配置されて
いることを特徴とする加熱処理装置を提供する。
度に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面に基
板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレート
と、この加熱プレートに配置され給電されることにより
発熱する複数の発熱体と、基板の加熱処理時に加熱プレ
ートの表面を覆うカバーと、前記カバーに配置された複
数のヒートパイプと、前記加熱プレート上にその一端か
ら他端に向かう一方向の気流を形成する一方向流形成手
段とを具備し、前記複数の発熱体は直線状をなし、それ
ぞれ前記一方向流形成手段により形成される気流の向き
に対して略垂直に配列され、前記複数のヒートパイプは
前記加熱プレートの前記発熱体が存在しない部分の直上
位置に前記発熱体の配置パターンに対応して配置されて
いることを特徴とする加熱処理装置を提供する。
【００１０】本発明によれば、カバーに前記発熱体の配
置パターンに応じて複数のヒートパイプを配置するが、
ヒートパイプは、内部に充填した作動液の蒸発現象と凝
縮現象を利用して、一端から他端に大量の熱を容易に輸
送する機能、およびその中に温度の高低がある場合に速
やかに熱を輸送して温度を均一化する機能を有するた
め、一つの発熱体において抵抗値が不均一であってその
発熱量が不均一となるような場合であっても、カバーに
前記発熱体の配置パターンに応じて設けられた複数のヒ
ートパイプの温度均一化作用により、カバーの温度を均
一化することができ、加熱プレート上の基板に均一に熱
を及ぼすことができるので、基板温度を均一にすること
ができる。
置パターンに応じて複数のヒートパイプを配置するが、
ヒートパイプは、内部に充填した作動液の蒸発現象と凝
縮現象を利用して、一端から他端に大量の熱を容易に輸
送する機能、およびその中に温度の高低がある場合に速
やかに熱を輸送して温度を均一化する機能を有するた
め、一つの発熱体において抵抗値が不均一であってその
発熱量が不均一となるような場合であっても、カバーに
前記発熱体の配置パターンに応じて設けられた複数のヒ
ートパイプの温度均一化作用により、カバーの温度を均
一化することができ、加熱プレート上の基板に均一に熱
を及ぼすことができるので、基板温度を均一にすること
ができる。
【００１１】ところで、カバー内の処理室では気流が形
成されているため、加熱プレートの温度不均一の影響
は、カバーの発熱体の直上位置ではなく若干ずれた発熱
体が存在しない部分の直上位置に生じやすいが、本発明
の第２では、カバーのうち、加熱プレートの発熱体が存
在しない部分の直上位置に、発熱体の配置パターンに対
応して複数のヒートパイプを配置しているため、カバー
の温度を一層有効に均一化することができる。
成されているため、加熱プレートの温度不均一の影響
は、カバーの発熱体の直上位置ではなく若干ずれた発熱
体が存在しない部分の直上位置に生じやすいが、本発明
の第２では、カバーのうち、加熱プレートの発熱体が存
在しない部分の直上位置に、発熱体の配置パターンに対
応して複数のヒートパイプを配置しているため、カバー
の温度を一層有効に均一化することができる。
【００１２】また、上記本発明の第３によれば、一方向
流形成手段により加熱プレート上にその一端から他端に
向かう一方向の気流を形成するとともに、直線状の複数
の発熱体を一方向流の向きに略垂直に配置した加熱処理
装置において、複数のヒートパイプを、カバーにおける
加熱プレートの発熱体が存在しない部分の直上位置に前
記発熱体の配置パターンに対応して配置しているので、
発熱体の抵抗値のばらつきによって温度ばらつきが生じ
やすい一方向流タイプの加熱処理装置であっても、ヒー
トパイプの温度均一化作用を有効に発揮させることによ
り、カバーの温度を均一化することができ、加熱プレー
ト上の基板に均一に熱を及ぼすことができるので、基板
温度を均一にすることができる。
流形成手段により加熱プレート上にその一端から他端に
向かう一方向の気流を形成するとともに、直線状の複数
の発熱体を一方向流の向きに略垂直に配置した加熱処理
装置において、複数のヒートパイプを、カバーにおける
加熱プレートの発熱体が存在しない部分の直上位置に前
記発熱体の配置パターンに対応して配置しているので、
発熱体の抵抗値のばらつきによって温度ばらつきが生じ
やすい一方向流タイプの加熱処理装置であっても、ヒー
トパイプの温度均一化作用を有効に発揮させることによ
り、カバーの温度を均一化することができ、加熱プレー
ト上の基板に均一に熱を及ぼすことができるので、基板
温度を均一にすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明
の一実施形態に係るホットプレートユニットが搭載され
たウエハのレジスト塗布・現像処理システムを示す概略
平面図、図２はその正面図、図３はその背面図である。
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明
の一実施形態に係るホットプレートユニットが搭載され
たウエハのレジスト塗布・現像処理システムを示す概略
平面図、図２はその正面図、図３はその背面図である。
【００１４】この処理システムは、搬送ステーションで
あるカセットステーション１０と、複数の処理ユニット
を有する処理ステーション１１と、処理ステーション１
１と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間で
ウエハＷを受け渡すためのインターフェイス部１２とを
具備している。
あるカセットステーション１０と、複数の処理ユニット
を有する処理ステーション１１と、処理ステーション１
１と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間で
ウエハＷを受け渡すためのインターフェイス部１２とを
具備している。
【００１５】上記カセットステーション１０は、被処理
体としての半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗ
を複数枚例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載
された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入また
はこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハ
カセットＣＲと処理ステーション１１との間でウエハＷ
の搬送を行うためのものである。
体としての半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗ
を複数枚例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載
された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入また
はこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハ
カセットＣＲと処理ステーション１１との間でウエハＷ
の搬送を行うためのものである。
【００１６】このカセットステーション１０において
は、図１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ
方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａ
が形成されており、この突起２０ａの位置にウエハカセ
ットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション
１１側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカ
セットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に
配列されている。また、カセットステーション１０は、
ウエハカセット載置台２０と処理ステーション１１との
間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウ
エハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およ
びその中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動
可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、この搬
送アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに
対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエ
ハ搬送用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成され
ており、後述する処理ステーション１１側の第３の処理
部Ｇ３に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およ
びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスで
きるようになっている。
は、図１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ
方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａ
が形成されており、この突起２０ａの位置にウエハカセ
ットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション
１１側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカ
セットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に
配列されている。また、カセットステーション１０は、
ウエハカセット載置台２０と処理ステーション１１との
間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウ
エハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およ
びその中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動
可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、この搬
送アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに
対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエ
ハ搬送用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成され
ており、後述する処理ステーション１１側の第３の処理
部Ｇ３に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およ
びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスで
きるようになっている。
【００１７】上記処理ステーション１１は、半導体ウエ
ハＷへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハＷ
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション１１は、
図１に示すように、中心部に搬送路２２ａを有し、この
中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路２
２ａの周りに全ての処理ユニットが配置されている。こ
れら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれてお
り、各処理部は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って
多段に配置されている。
ハＷへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハＷ
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション１１は、
図１に示すように、中心部に搬送路２２ａを有し、この
中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路２
２ａの周りに全ての処理ユニットが配置されている。こ
れら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれてお
り、各処理部は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って
多段に配置されている。
【００１８】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４
６も一体的に回転可能となっている。
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４
６も一体的に回転可能となっている。
【００１９】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。
【００２０】また、図１に示すように、この実施の形態
においては、４個の処理部Ｇ１，Ｇ ２，Ｇ３，Ｇ４がウ
エハ搬送路２２ａの周囲に実際に配置されており、処理
部Ｇ ５は必要に応じて配置可能となっている。
においては、４個の処理部Ｇ１，Ｇ ２，Ｇ３，Ｇ４がウ
エハ搬送路２２ａの周囲に実際に配置されており、処理
部Ｇ ５は必要に応じて配置可能となっている。
【００２１】これらのうち、第１および第２の処理部Ｇ
１，Ｇ２はシステム正面（図１において手前）側に並列
に配置され、第３の処理部Ｇ３はカセットステーション
１０に隣接して配置され、第４の処理部Ｇ４はインター
フェイス部１２に隣接して配置されている。また、第５
の処理部Ｇ５は背面部に配置可能となっている。
１，Ｇ２はシステム正面（図１において手前）側に並列
に配置され、第３の処理部Ｇ３はカセットステーション
１０に隣接して配置され、第４の処理部Ｇ４はインター
フェイス部１２に隣接して配置されている。また、第５
の処理部Ｇ５は背面部に配置可能となっている。
【００２２】第１の処理部Ｇ１では、ウエハＷにレジス
トを塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）およびレ
ジストのパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が
下から順に２段に重ねられている。第２の処理部Ｇ２も
同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が
下から順に２段に重ねられている。
トを塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）およびレ
ジストのパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が
下から順に２段に重ねられている。第２の処理部Ｇ２も
同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が
下から順に２段に重ねられている。
【００２３】第３の処理部Ｇ３においては、図３に示す
ように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわちレジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水
化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合
わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハ
Ｗの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Ｗに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニッ
ト（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリン
グユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。
ように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわちレジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水
化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合
わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハ
Ｗの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Ｗに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニッ
ト（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリン
グユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。
【００２４】第４の処理部Ｇ４も、オーブン型の処理ユ
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホ
ットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ね
られている。
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホ
ットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ね
られている。
【００２５】主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処
理部Ｇ５を設ける場合には、案内レール２５に沿って主
ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できるようにな
っている。したがって、第５の処理部Ｇ５を設けた場合
でも、これを案内レール２５に沿ってスライドすること
により空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２
に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことが
できる。
理部Ｇ５を設ける場合には、案内レール２５に沿って主
ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できるようにな
っている。したがって、第５の処理部Ｇ５を設けた場合
でも、これを案内レール２５に沿ってスライドすること
により空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２
に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことが
できる。
【００２６】上記インターフェイス部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長
さを有している。図１、図２に示すように、このインタ
ーフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に
配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。この
ウエハ搬送機構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有
しており、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、
Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光
装置２３にアクセス可能となっている。また、このウエ
ハ搬送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処
理ステーション１１の第４の処理部Ｇ４に属するエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露
光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセス
可能となっている。
（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長
さを有している。図１、図２に示すように、このインタ
ーフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に
配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。この
ウエハ搬送機構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有
しており、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、
Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光
装置２３にアクセス可能となっている。また、このウエ
ハ搬送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処
理ステーション１１の第４の処理部Ｇ４に属するエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露
光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセス
可能となっている。
【００２７】このようなレジスト塗布現像処理システム
においては、まず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが
カセット載置台２０上の未処理のウエハＷを収容してい
るウエハカセットＣＲにアクセスして、そのカセットＣ
Ｒから一枚のウエハＷを取り出し、第３の処理部Ｇ３の
エクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。
においては、まず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが
カセット載置台２０上の未処理のウエハＷを収容してい
るウエハカセットＣＲにアクセスして、そのカセットＣ
Ｒから一枚のウエハＷを取り出し、第３の処理部Ｇ３の
エクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。
【００２８】ウエハＷは、このエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理部Ｇ３のアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、
ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬送されて冷却される。
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理部Ｇ３のアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、
ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬送されて冷却される。
【００２９】アドヒージョン処理が終了し、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）で所定の温度に冷却さたウエハＷ
は、引き続き、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、そこで塗布膜が形成さ
れる。塗布処理終了後、ウエハＷは処理部Ｇ３，Ｇ４の
いずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）内でプリベ
ーク処理され、その後いずれかのクーリングユニット
（ＣＯＬ）にて所定の温度に冷却される。
ユニット（ＣＯＬ）で所定の温度に冷却さたウエハＷ
は、引き続き、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、そこで塗布膜が形成さ
れる。塗布処理終了後、ウエハＷは処理部Ｇ３，Ｇ４の
いずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）内でプリベ
ーク処理され、その後いずれかのクーリングユニット
（ＣＯＬ）にて所定の温度に冷却される。
【００３０】冷却されたウエハＷは、第３の処理部Ｇ３
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第４の処理部群Ｇ４のエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイ
ス部１２に搬送される。
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第４の処理部群Ｇ４のエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイ
ス部１２に搬送される。
【００３１】インターフェイス部１２では、周辺露光装
置２３により余分なレジスト除去のための周辺露光がウ
エハ周縁の例えば１ｍｍの部分について施された後、イ
ンターフェイス部１２に隣接して設けられた露光装置
（図示せず）により所定のパターンに従ってウエハＷの
レジスト膜に露光処理が施される。
置２３により余分なレジスト除去のための周辺露光がウ
エハ周縁の例えば１ｍｍの部分について施された後、イ
ンターフェイス部１２に隣接して設けられた露光装置
（図示せず）により所定のパターンに従ってウエハＷの
レジスト膜に露光処理が施される。
【００３２】露光後のウエハＷは、再びインターフェイ
ス部１２に戻され、ウエハ搬送体２４により、第４の処
理部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）
に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４
６により、いずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）
に搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により所定
の温度に冷却される。
ス部１２に戻され、ウエハ搬送体２４により、第４の処
理部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）
に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４
６により、いずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）
に搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により所定
の温度に冷却される。
【００３３】その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像処理終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレ
ートユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が
施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により
所定温度に冷却される。このような一連の処理が終了し
た後、第３処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニ
ット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション１０に戻
され、いずれかのウエハカセットＣＲに収容される。
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像処理終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレ
ートユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が
施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により
所定温度に冷却される。このような一連の処理が終了し
た後、第３処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニ
ット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション１０に戻
され、いずれかのウエハカセットＣＲに収容される。
【００３４】次に、図４から図８を参照して、本発明の
第１の実施形態に係るホットプレートユニット（ＨＰ）
について説明する。図４は本発明の第１の実施形態に係
るホットプレートユニットを模式的に示す断面図、図５
は図４のホットプレートユニットの一部を拡大して示す
断面図、図６は図４のホットプレートユニット内におけ
る発熱体およびヒートパイプの配置を模式的に示す斜視
図、図７は図４のホットプレートに設けられたリング状
のヒートパイプを一部切り欠いて示す模式図、図８は図
４のホットプレートの制御系を示す図である。
第１の実施形態に係るホットプレートユニット（ＨＰ）
について説明する。図４は本発明の第１の実施形態に係
るホットプレートユニットを模式的に示す断面図、図５
は図４のホットプレートユニットの一部を拡大して示す
断面図、図６は図４のホットプレートユニット内におけ
る発熱体およびヒートパイプの配置を模式的に示す斜視
図、図７は図４のホットプレートに設けられたリング状
のヒートパイプを一部切り欠いて示す模式図、図８は図
４のホットプレートの制御系を示す図である。
【００３５】本実施形態のホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）は、ケーシング５０を有し、その内部の一方側には
円盤状をなす加熱プレート５１が配置されている。加熱
プレート５１は例えばアルミニウムで構成されており、
その表面にはプロキシミティピン５２が設けられてい
る。そして、このプロキシミティピン５２上に加熱プレ
ート５１に近接した状態でウエハＷが載置されるように
なっている。加熱プレート５１の裏面には複数のリング
状発熱体５３が同心円状に配設されている。そして、こ
れら発熱体５３は通電されることにより発熱し、加熱プ
レート５１を加熱してウエハＷを昇温するようになって
いる。この場合に、各リング状発熱体５３への通電量は
それぞれ独立に制御可能であることが好ましい。
Ｐ）は、ケーシング５０を有し、その内部の一方側には
円盤状をなす加熱プレート５１が配置されている。加熱
プレート５１は例えばアルミニウムで構成されており、
その表面にはプロキシミティピン５２が設けられてい
る。そして、このプロキシミティピン５２上に加熱プレ
ート５１に近接した状態でウエハＷが載置されるように
なっている。加熱プレート５１の裏面には複数のリング
状発熱体５３が同心円状に配設されている。そして、こ
れら発熱体５３は通電されることにより発熱し、加熱プ
レート５１を加熱してウエハＷを昇温するようになって
いる。この場合に、各リング状発熱体５３への通電量は
それぞれ独立に制御可能であることが好ましい。
【００３６】加熱プレート５１は支持部材５４に支持さ
れており、支持部材５４内は空洞となっている。加熱プ
レート５１には、その中央部に３つの貫通孔５５が形成
されており、これら貫通孔５５にはウエハＷを昇降させ
るための３本（２本のみ図示）の昇降ピン５６が昇降自
在に設けられている。そして、加熱プレート５１と支持
部材５４の底板５４ａとの間貫通孔５５に連続する筒状
のガイド部材５７が設けられている。これらガイド部材
５７によって加熱プレート５１の下のヒーター配線等に
妨げられることなく昇降ピン５６を移動させることが可
能となる。これら昇降ピン５６は支持板５８に支持され
ており、この支持板５８を介して支持部材５４の側方に
設けられたシリンダー５９により昇降されるようになっ
ている。
れており、支持部材５４内は空洞となっている。加熱プ
レート５１には、その中央部に３つの貫通孔５５が形成
されており、これら貫通孔５５にはウエハＷを昇降させ
るための３本（２本のみ図示）の昇降ピン５６が昇降自
在に設けられている。そして、加熱プレート５１と支持
部材５４の底板５４ａとの間貫通孔５５に連続する筒状
のガイド部材５７が設けられている。これらガイド部材
５７によって加熱プレート５１の下のヒーター配線等に
妨げられることなく昇降ピン５６を移動させることが可
能となる。これら昇降ピン５６は支持板５８に支持され
ており、この支持板５８を介して支持部材５４の側方に
設けられたシリンダー５９により昇降されるようになっ
ている。
【００３７】加熱プレート５１および支持部材５４の周
囲にはそれらを包囲支持するサポートリング６１が設け
られており、このサポートリング６１の上には昇降自在
のカバー６２が設けられている。そして、このカバー６
２がサポートリング６１の上面まで降下した状態でウエ
ハＷの処理室Ｓが形成される。また、ウエハＷを加熱プ
レート５１に対して搬入出する場合には、上方に退避さ
れる。
囲にはそれらを包囲支持するサポートリング６１が設け
られており、このサポートリング６１の上には昇降自在
のカバー６２が設けられている。そして、このカバー６
２がサポートリング６１の上面まで降下した状態でウエ
ハＷの処理室Ｓが形成される。また、ウエハＷを加熱プ
レート５１に対して搬入出する場合には、上方に退避さ
れる。
【００３８】カバー６２の中央部に排気管６４が接続さ
れた排気口６３を有しており、加熱プレート５１の外周
側のサポートリング６１およびカバー６２の隙間部分か
ら空気が導入され、排気口６３および排気管６４を介し
て処理室Ｓが排気される。したがって、処理室Ｓ内には
加熱プレート５１の外周側から中央に向かう気流が形成
される。
れた排気口６３を有しており、加熱プレート５１の外周
側のサポートリング６１およびカバー６２の隙間部分か
ら空気が導入され、排気口６３および排気管６４を介し
て処理室Ｓが排気される。したがって、処理室Ｓ内には
加熱プレート５１の外周側から中央に向かう気流が形成
される。
【００３９】カバー６２の上側には、複数のリング状の
ヒートパイプ６５が配置されている。このリング状のヒ
ートパイプ６５は、発熱体５３の配置パターンに応じ
て、加熱プレート５１のリング状の発熱体５３が存在し
ない位置の上方、具体的には図５、図６に示すように複
数のリング状の発熱体５３の間の位置の上方に、発熱体
５３と同様の配置パターンである同心円状に配列されて
いる。ヒートパイプ６５は、好適には図５に示すよう
に、隣接する発熱体５３の等間隔位置の上方に設けられ
ている。
ヒートパイプ６５が配置されている。このリング状のヒ
ートパイプ６５は、発熱体５３の配置パターンに応じ
て、加熱プレート５１のリング状の発熱体５３が存在し
ない位置の上方、具体的には図５、図６に示すように複
数のリング状の発熱体５３の間の位置の上方に、発熱体
５３と同様の配置パターンである同心円状に配列されて
いる。ヒートパイプ６５は、好適には図５に示すよう
に、隣接する発熱体５３の等間隔位置の上方に設けられ
ている。
【００４０】このリング状のヒートパイプ６５は、図７
に示すように、筒状の金属、例えば銅または銅合金から
なる外殻部材としてのコンテナ６６と、その内周壁に設
けられた例えば網状部材のウイック６７とを有し、その
中に水などの作動液が充填された密閉構造を有してい
る。ウィック６７は毛細管現象を利用して作動液を移動
させる機能を有している。このリング状のヒートパイプ
６５は、内部に充填した作動液の蒸発現象と凝縮現象を
利用して、大量の熱を容易に輸送する機能、およびその
中に温度の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度
を均一化する機能を有する。具体的には、例えばヒート
パイプ６５の一部を加熱すると作動液が蒸発し、蒸気流
となって低温部へ高速移動し、次いで管壁に接触して冷
却されて凝縮する。凝縮液はウィック６７の毛細管現象
により加熱部へ戻る。なお、ウィック６７を用いる代わ
りに凝縮液を重力で戻すこともできる。
に示すように、筒状の金属、例えば銅または銅合金から
なる外殻部材としてのコンテナ６６と、その内周壁に設
けられた例えば網状部材のウイック６７とを有し、その
中に水などの作動液が充填された密閉構造を有してい
る。ウィック６７は毛細管現象を利用して作動液を移動
させる機能を有している。このリング状のヒートパイプ
６５は、内部に充填した作動液の蒸発現象と凝縮現象を
利用して、大量の熱を容易に輸送する機能、およびその
中に温度の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度
を均一化する機能を有する。具体的には、例えばヒート
パイプ６５の一部を加熱すると作動液が蒸発し、蒸気流
となって低温部へ高速移動し、次いで管壁に接触して冷
却されて凝縮する。凝縮液はウィック６７の毛細管現象
により加熱部へ戻る。なお、ウィック６７を用いる代わ
りに凝縮液を重力で戻すこともできる。
【００４１】加熱プレート５１内の適宜箇所には、複数
の温度センサー７０が設けられ、これにより加熱プレー
ト５１の温度が計測されるようになっている。この温度
センサー７０からの検出信号は、図８に示すように、こ
のホットプレートユニット（ＨＰ）を制御するためのユ
ニットコントローラ７１に送信され、その検出情報に基
づいてコントローラ７１から温調器７２に制御信号が送
信され、その制御信号に基づいて温調器７２から発熱体
電源７４に出力調整信号が送信される。さらに、このユ
ニットコントローラ７１は、加熱処理に際して、シリン
ダー５９に制御信号を送って昇降ピン５６の昇降を制御
するとともに、排気管６４に設けられた電磁弁６４ａに
より排気量を制御する。なお、ユニットコントローラ７
１は、塗布・現像システムのシステムコントローラ（図
示略）からの指令に基づいて制御信号を出力するように
なっている。
の温度センサー７０が設けられ、これにより加熱プレー
ト５１の温度が計測されるようになっている。この温度
センサー７０からの検出信号は、図８に示すように、こ
のホットプレートユニット（ＨＰ）を制御するためのユ
ニットコントローラ７１に送信され、その検出情報に基
づいてコントローラ７１から温調器７２に制御信号が送
信され、その制御信号に基づいて温調器７２から発熱体
電源７４に出力調整信号が送信される。さらに、このユ
ニットコントローラ７１は、加熱処理に際して、シリン
ダー５９に制御信号を送って昇降ピン５６の昇降を制御
するとともに、排気管６４に設けられた電磁弁６４ａに
より排気量を制御する。なお、ユニットコントローラ７
１は、塗布・現像システムのシステムコントローラ（図
示略）からの指令に基づいて制御信号を出力するように
なっている。
【００４２】ユニットコントローラ７１による発熱体５
３の制御は、各リング状発熱体５３への通電量がそれぞ
れ独立に制御可能である場合に、気流の下流側（すなわ
ち、ウエハＷの中央）に位置する発熱体と上流側（すな
わち、ウエハＷの周縁）とで供給する電流を変化させる
ことが好ましい。すなわち、処理室Ｓにおいて気流は、
加熱プレート５１の外周囲から中央に向けて流れ、カバ
ー６２の中央から上方に排気され、ウエハＷは、プロキ
シミティピン５２によって加熱プレート５１表面から若
干離間されているため、気流は、ウエハＷの裏面側にも
流れて、ウエハＷの下流側ほど（すなわち、ウエハＷの
中央部ほど）多くの不活性ガス等が滞留し、発熱体５３
への供給電流が同じであると、気流の下流側ほど（すな
わち、ウエハＷの中央部ほど）温度が若干上昇するとい
ったことがある。したがって、ユニットコントローラ７
１によって発熱体５３を制御する際には、気流の上流側
に位置する発熱体と下流に位置する発熱体とで供給する
電流を変化させる。具体的には、気流の下流側に位置す
る発熱体５３よりも上流側に位置する発熱体５３により
多くの電流を供給するように、ユニットコントローラ７
１により電源７４を制御することが好ましい。これによ
り、加熱プレート５１による加熱の均一性を一層高める
ことができる。
３の制御は、各リング状発熱体５３への通電量がそれぞ
れ独立に制御可能である場合に、気流の下流側（すなわ
ち、ウエハＷの中央）に位置する発熱体と上流側（すな
わち、ウエハＷの周縁）とで供給する電流を変化させる
ことが好ましい。すなわち、処理室Ｓにおいて気流は、
加熱プレート５１の外周囲から中央に向けて流れ、カバ
ー６２の中央から上方に排気され、ウエハＷは、プロキ
シミティピン５２によって加熱プレート５１表面から若
干離間されているため、気流は、ウエハＷの裏面側にも
流れて、ウエハＷの下流側ほど（すなわち、ウエハＷの
中央部ほど）多くの不活性ガス等が滞留し、発熱体５３
への供給電流が同じであると、気流の下流側ほど（すな
わち、ウエハＷの中央部ほど）温度が若干上昇するとい
ったことがある。したがって、ユニットコントローラ７
１によって発熱体５３を制御する際には、気流の上流側
に位置する発熱体と下流に位置する発熱体とで供給する
電流を変化させる。具体的には、気流の下流側に位置す
る発熱体５３よりも上流側に位置する発熱体５３により
多くの電流を供給するように、ユニットコントローラ７
１により電源７４を制御することが好ましい。これによ
り、加熱プレート５１による加熱の均一性を一層高める
ことができる。
【００４３】以上のように構成されたホットプレートユ
ニット（ＨＰ）では、以下のようにして、ウエハＷの加
熱処理が行われる。
ニット（ＨＰ）では、以下のようにして、ウエハＷの加
熱処理が行われる。
【００４４】まず、ウエハ搬送装置４６により、ウエハ
Ｗがホットプレートユニット（ＨＰ）の筐体内に搬入さ
れて、昇降ピン５６に受け渡され、この昇降ピン５６が
降下されて、ウエハＷが所定温度に加熱された状態にあ
る加熱プレート５１の表面に設けられたプロミキシティ
ピン５２に載置される。
Ｗがホットプレートユニット（ＨＰ）の筐体内に搬入さ
れて、昇降ピン５６に受け渡され、この昇降ピン５６が
降下されて、ウエハＷが所定温度に加熱された状態にあ
る加熱プレート５１の表面に設けられたプロミキシティ
ピン５２に載置される。
【００４５】次いで、カバー６２が降下されて処理室Ｓ
が形成され、気流が加熱プレート５１の外周側からウエ
ハＷの略中央に流されて、その上方の排気口６３および
排気管６４を介して排気される。
が形成され、気流が加熱プレート５１の外周側からウエ
ハＷの略中央に流されて、その上方の排気口６３および
排気管６４を介して排気される。
【００４６】この場合に、加熱プレート５１に配置され
ているリング状の発熱体５３は、その抵抗値が必ずしも
均一ではなく、加熱プレート５１が不均一に加熱される
おそれがある。また、加熱プレート５１の熱はカバー６
２の天板で反射されてウエハＷに供給されるため、この
ように加熱プレート５３の加熱状態が不均一な場合に
は、カバー６２の天板からの反射熱によって温度の不均
一が一層助長されてしまう。
ているリング状の発熱体５３は、その抵抗値が必ずしも
均一ではなく、加熱プレート５１が不均一に加熱される
おそれがある。また、加熱プレート５１の熱はカバー６
２の天板で反射されてウエハＷに供給されるため、この
ように加熱プレート５３の加熱状態が不均一な場合に
は、カバー６２の天板からの反射熱によって温度の不均
一が一層助長されてしまう。
【００４７】これに対し、本実施形態では、カバー６２
の上面に、発熱体５３の配置パターンに応じて複数のヒ
ートパイプ６５を同心円状に配置するするので、ヒート
パイプ６５の温度均一化作用により、一つの発熱体５３
において抵抗値が不均一であってその発熱量が不均一と
なるような場合であっても、カバー６２の温度を均一化
することができ、加熱プレート５１上のウエハＷに均一
に熱を及ぼすことができるので、ウエハＷの温度を均一
にすることができる。
の上面に、発熱体５３の配置パターンに応じて複数のヒ
ートパイプ６５を同心円状に配置するするので、ヒート
パイプ６５の温度均一化作用により、一つの発熱体５３
において抵抗値が不均一であってその発熱量が不均一と
なるような場合であっても、カバー６２の温度を均一化
することができ、加熱プレート５１上のウエハＷに均一
に熱を及ぼすことができるので、ウエハＷの温度を均一
にすることができる。
【００４８】ところで、処理室Ｓに気流が形成された際
には、加熱プレート５１の温度不均一の影響は、カバー
６２の発熱体５３の直上位置ではなく、若干ずれた発熱
体が存在しない部分の直上位置に生じやすいが、本実施
形態では、加熱プレート５１の発熱体５３が存在しない
部分の直上位置に、発熱体５３の配置パターンに対応し
て複数のヒートパイプ６５をリング状に配置しているた
め、このヒートパイプ６５の温度均一化作用が良好に発
揮され、カバー６２の温度を周方向に略均一に維持する
ことができ、ウエハＷの温度を確実に均一化することが
できる。
には、加熱プレート５１の温度不均一の影響は、カバー
６２の発熱体５３の直上位置ではなく、若干ずれた発熱
体が存在しない部分の直上位置に生じやすいが、本実施
形態では、加熱プレート５１の発熱体５３が存在しない
部分の直上位置に、発熱体５３の配置パターンに対応し
て複数のヒートパイプ６５をリング状に配置しているた
め、このヒートパイプ６５の温度均一化作用が良好に発
揮され、カバー６２の温度を周方向に略均一に維持する
ことができ、ウエハＷの温度を確実に均一化することが
できる。
【００４９】このようにしてウエハＷの加熱処理終了し
た後、カバー６２が上方に移動されて、ウエハＷが昇降
ピン５６により持ち上げられ、ウエハ搬送装置４６に受
け渡されて、ホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出
されて、次工程のユニットに搬送される。
た後、カバー６２が上方に移動されて、ウエハＷが昇降
ピン５６により持ち上げられ、ウエハ搬送装置４６に受
け渡されて、ホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出
されて、次工程のユニットに搬送される。
【００５０】次に、図９から図１２を参照して、本発明
の第２の実施形態に係るホットプレートユニットについ
て説明する。図９は本発明の第２の実施形態に係るホッ
トプレートユニットを模式的に示す断面図、図１０は図
９に示すホットプレートユニット内における発熱体およ
びヒートパイプの配置を模式的に示す斜視図、図１１は
図９のホットプレートユニットに設けられた直線状のヒ
ートパイプを一部切り欠いて示す模式図、図１２は図９
のホットプレートの制御系を示す図である。これら図に
おいて、第１の実施形態と同じものには同じ符号を付し
て説明を省略する。
の第２の実施形態に係るホットプレートユニットについ
て説明する。図９は本発明の第２の実施形態に係るホッ
トプレートユニットを模式的に示す断面図、図１０は図
９に示すホットプレートユニット内における発熱体およ
びヒートパイプの配置を模式的に示す斜視図、図１１は
図９のホットプレートユニットに設けられた直線状のヒ
ートパイプを一部切り欠いて示す模式図、図１２は図９
のホットプレートの制御系を示す図である。これら図に
おいて、第１の実施形態と同じものには同じ符号を付し
て説明を省略する。
【００５１】本実施形態では、ケーシング５０の内部の
下側には矩形状をなす加熱プレート５１’が配置されて
いる。加熱プレート５１’の表面にはプロキシミティピ
ン５２’が設けられており、このプロキシミティピン５
２’上に加熱プレート５１の表面に近接した状態でウエ
ハＷが載置されるようになっている。加熱プレート５
１’の裏面には複数の直線状の発熱体５３’が略平行に
配列されている。そして、これら発熱体５３’は通電さ
れることにより発熱し、加熱プレート５１’を加熱して
ウエハＷを昇温するようになっている。この場合に、各
直線状発熱体５３’への通電量はそれぞれ独立に制御可
能であることが好ましい。
下側には矩形状をなす加熱プレート５１’が配置されて
いる。加熱プレート５１’の表面にはプロキシミティピ
ン５２’が設けられており、このプロキシミティピン５
２’上に加熱プレート５１の表面に近接した状態でウエ
ハＷが載置されるようになっている。加熱プレート５
１’の裏面には複数の直線状の発熱体５３’が略平行に
配列されている。そして、これら発熱体５３’は通電さ
れることにより発熱し、加熱プレート５１’を加熱して
ウエハＷを昇温するようになっている。この場合に、各
直線状発熱体５３’への通電量はそれぞれ独立に制御可
能であることが好ましい。
【００５２】加熱プレート５１’は支持部材５４’に支
持されており、支持部材５４’内は空洞となっている。
支持部材５４’の周囲にはそれを包囲支持するサポート
リング６１’が設けられており、このサポートリング６
１’の上には上下動自在のカバー６２’が設けられてい
る。そして、このカバー６２’がサポートリング６１’
の上面まで降下した状態でシールリング８１により外部
から密閉された処理室Ｓ’が形成される。
持されており、支持部材５４’内は空洞となっている。
支持部材５４’の周囲にはそれを包囲支持するサポート
リング６１’が設けられており、このサポートリング６
１’の上には上下動自在のカバー６２’が設けられてい
る。そして、このカバー６２’がサポートリング６１’
の上面まで降下した状態でシールリング８１により外部
から密閉された処理室Ｓ’が形成される。
【００５３】加熱プレート５１’の一方側には、加熱プ
レート５１’の略一辺の幅を有し、処理室Ｓ’内に不活
性ガス、空気等の気体を供給するための気体供給ノズル
８２が設けられ、この気体供給ノズル８２には、不活性
ガス、空気等の気体を供給するための気体供給管８３が
接続されている。この気体供給管８３には、通流する気
体の流量および流速を調整するための電磁弁８４が介装
されている。
レート５１’の略一辺の幅を有し、処理室Ｓ’内に不活
性ガス、空気等の気体を供給するための気体供給ノズル
８２が設けられ、この気体供給ノズル８２には、不活性
ガス、空気等の気体を供給するための気体供給管８３が
接続されている。この気体供給管８３には、通流する気
体の流量および流速を調整するための電磁弁８４が介装
されている。
【００５４】一方、加熱プレート５１’の他方側には、
加熱プレート５１’の略一辺の幅を有し、処理室Ｓ’内
の気体を排出するための排気ノズル８５が設けられ、こ
の排気ノズル８５には、排気管８６が接続されている。
この排気管８６には、排気量を調整するための電磁弁８
７が介装されている。
加熱プレート５１’の略一辺の幅を有し、処理室Ｓ’内
の気体を排出するための排気ノズル８５が設けられ、こ
の排気ノズル８５には、排気管８６が接続されている。
この排気管８６には、排気量を調整するための電磁弁８
７が介装されている。
【００５５】そして、気体供給ノズル８２から処理室
Ｓ’へ供給された気体は排気ノズル８５から排気され、
処理室Ｓ’内には図９に示すような加熱プレート５１の
一端側から他端側に向かう一方向の気流が形成される。
そして、発熱体５３’の配列方向と一方向気流の方向は
略垂直になるようになっている。
Ｓ’へ供給された気体は排気ノズル８５から排気され、
処理室Ｓ’内には図９に示すような加熱プレート５１の
一端側から他端側に向かう一方向の気流が形成される。
そして、発熱体５３’の配列方向と一方向気流の方向は
略垂直になるようになっている。
【００５６】カバー６２’の上側には、複数の直線状の
ヒートパイプ６５’が配置されている。この直線状のヒ
ートパイプ６５’は、加熱プレート５１’の直線状の発
熱体５３’が存在しない位置の上方、具体的には図１０
にも示すように複数の直線状の発熱体５３’の間の位置
の上方に、発熱体５３’の配置パターンと同様、互いに
平行に配列されている。ヒートパイプ６５’は、好適に
は隣接する発熱体５３’の等間隔位置の上方に設けられ
ている。
ヒートパイプ６５’が配置されている。この直線状のヒ
ートパイプ６５’は、加熱プレート５１’の直線状の発
熱体５３’が存在しない位置の上方、具体的には図１０
にも示すように複数の直線状の発熱体５３’の間の位置
の上方に、発熱体５３’の配置パターンと同様、互いに
平行に配列されている。ヒートパイプ６５’は、好適に
は隣接する発熱体５３’の等間隔位置の上方に設けられ
ている。
【００５７】この直線状のヒートパイプ６５’は、図１
１に示すように、筒状の金属、例えば銅または銅合金か
らなるコンテナ６６’と、その内周壁に設けられたウイ
ック６７’とを有し、その中に水などの作動液が充填さ
れた密閉構造を有している。ウィック６７’は毛細管現
象を利用して作動液を移動させる機能を有している。こ
の直線状のヒートパイプ６５’は、内部に充填した作動
液の蒸発現象と凝縮現象を利用して、一端から他端に大
量の熱を容易に輸送する機能、およびその中に温度の高
低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を均一化する
機能を有する。具体的には、例えばヒートパイプ６５’
の一端を加熱すると作動液が蒸発し、蒸気流となって低
温部へ高速移動し、次いで管壁に接触して冷却されて凝
縮する。凝縮液はウィック６７’の毛細管現象により加
熱部へ戻る。なお、ウィック６７’を用いる代わりに凝
縮液を重力で戻すこともできる。
１に示すように、筒状の金属、例えば銅または銅合金か
らなるコンテナ６６’と、その内周壁に設けられたウイ
ック６７’とを有し、その中に水などの作動液が充填さ
れた密閉構造を有している。ウィック６７’は毛細管現
象を利用して作動液を移動させる機能を有している。こ
の直線状のヒートパイプ６５’は、内部に充填した作動
液の蒸発現象と凝縮現象を利用して、一端から他端に大
量の熱を容易に輸送する機能、およびその中に温度の高
低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を均一化する
機能を有する。具体的には、例えばヒートパイプ６５’
の一端を加熱すると作動液が蒸発し、蒸気流となって低
温部へ高速移動し、次いで管壁に接触して冷却されて凝
縮する。凝縮液はウィック６７’の毛細管現象により加
熱部へ戻る。なお、ウィック６７’を用いる代わりに凝
縮液を重力で戻すこともできる。
【００５８】この第２の実施形態の制御系は基本的には
第１の実施形態と同様ではあり、同様に加熱プレートの
温度制御および昇降ピン５６の昇降制御を行うが、図１
２に示すように、図８の電磁弁６４ａの制御の代わり
に、電磁弁８４，８７に制御信号を送って、気体供給ノ
ズル８２からの気体の供給量および排気ノズル８５から
の排気量を制御する。
第１の実施形態と同様ではあり、同様に加熱プレートの
温度制御および昇降ピン５６の昇降制御を行うが、図１
２に示すように、図８の電磁弁６４ａの制御の代わり
に、電磁弁８４，８７に制御信号を送って、気体供給ノ
ズル８２からの気体の供給量および排気ノズル８５から
の排気量を制御する。
【００５９】ユニットコントローラ７１による発熱体５
３’の制御は、各直線状発熱体５３’への通電量がそれ
ぞれ独立に制御可能である場合に、加熱プレート５１’
上に形成される一方向の気流の上流側に位置する発熱体
と下流側に位置する発熱体とで供給する電流を変化させ
るように制御することが好ましい。すなわち、矩形の加
熱プレート５１’において、複数の発熱体５３’がそれ
ぞれ直線状であって略平行に配列され、加熱プレート５
１’上に一方向の気流が発熱体５３’に対して略垂直方
向に流れるように構成され、さらに、ウエハＷはプロキ
シミティピン５２’によって載置面から若干離間されて
いるため、供給された気体がウエハＷの裏面側にも流れ
て、ウエハＷの下流側ほど多くの気体が滞留し、発熱体
５３’の供給電流が同じであると、ウエハＷの下流側ほ
ど温度が若干上昇するといったことがある。したがっ
て、ユニットコントローラ７１によって発熱体５３’を
制御する際には、気流の上流側に位置する発熱体と下流
側に位置する発熱体とで供給する電流を変化させる。具
体的には、気流の下流側に位置する発熱体５３’よりも
上流側に位置する発熱体５３’により多くの電流を供給
するように、ユニットコントローラ７１により電源７４
を制御することが好ましい。これにより、加熱プレート
５１’の温度は、気流の方向（すなわち、発熱体５３’
に対して略垂直方向）で均一に維持される。
３’の制御は、各直線状発熱体５３’への通電量がそれ
ぞれ独立に制御可能である場合に、加熱プレート５１’
上に形成される一方向の気流の上流側に位置する発熱体
と下流側に位置する発熱体とで供給する電流を変化させ
るように制御することが好ましい。すなわち、矩形の加
熱プレート５１’において、複数の発熱体５３’がそれ
ぞれ直線状であって略平行に配列され、加熱プレート５
１’上に一方向の気流が発熱体５３’に対して略垂直方
向に流れるように構成され、さらに、ウエハＷはプロキ
シミティピン５２’によって載置面から若干離間されて
いるため、供給された気体がウエハＷの裏面側にも流れ
て、ウエハＷの下流側ほど多くの気体が滞留し、発熱体
５３’の供給電流が同じであると、ウエハＷの下流側ほ
ど温度が若干上昇するといったことがある。したがっ
て、ユニットコントローラ７１によって発熱体５３’を
制御する際には、気流の上流側に位置する発熱体と下流
側に位置する発熱体とで供給する電流を変化させる。具
体的には、気流の下流側に位置する発熱体５３’よりも
上流側に位置する発熱体５３’により多くの電流を供給
するように、ユニットコントローラ７１により電源７４
を制御することが好ましい。これにより、加熱プレート
５１’の温度は、気流の方向（すなわち、発熱体５３’
に対して略垂直方向）で均一に維持される。
【００６０】以上のように構成されたホットプレートユ
ニット（ＨＰ）により加熱処理を行う際には、まず、第
１の実施形態の場合と同様、ウエハＷがウエハ搬送装置
４６により筐体５０内に搬入されて、プロキシミティピ
ン５２’上に載置される。
ニット（ＨＰ）により加熱処理を行う際には、まず、第
１の実施形態の場合と同様、ウエハＷがウエハ搬送装置
４６により筐体５０内に搬入されて、プロキシミティピ
ン５２’上に載置される。
【００６１】次いで、カバー６２’が降下されて処理室
Ｓ’が形成され、電磁弁８４，８７が制御されて、処理
室Ｓ’に加熱プレート５１’の一端側から他端側に向か
う一方向の気流が形成される。
Ｓ’が形成され、電磁弁８４，８７が制御されて、処理
室Ｓ’に加熱プレート５１’の一端側から他端側に向か
う一方向の気流が形成される。
【００６２】このような一方向の気流が形成された状態
で、発熱体５３’に給電することにより、加熱プレート
５１’上のウエハＷを加熱処理する。このように加熱プ
レート５１’の上面に一方向の気流を形成するので、第
１の実施形態のカバー６２と異なり、カバー６２’の中
央部には排気口が設けられておらず、滞留した気体から
塵や埃がウエハ上面に落下するといったことがない。ま
た、ウエハＷの中央付近の上方に気体が滞留することが
ないため、加熱プレート５１’からの熱がウエハＷの中
央付近に不均一に作用することがない。さらに、カバー
６２’に排気構造が設けられる必要がないため装置自体
の上下方向の寸法を小さくすることができる。
で、発熱体５３’に給電することにより、加熱プレート
５１’上のウエハＷを加熱処理する。このように加熱プ
レート５１’の上面に一方向の気流を形成するので、第
１の実施形態のカバー６２と異なり、カバー６２’の中
央部には排気口が設けられておらず、滞留した気体から
塵や埃がウエハ上面に落下するといったことがない。ま
た、ウエハＷの中央付近の上方に気体が滞留することが
ないため、加熱プレート５１’からの熱がウエハＷの中
央付近に不均一に作用することがない。さらに、カバー
６２’に排気構造が設けられる必要がないため装置自体
の上下方向の寸法を小さくすることができる。
【００６３】この場合に、一つの直線状の発熱体５３’
は必ずしも抵抗値が均一ではなく、一つの発熱体５３’
の中で発熱量のばらつきが生じ、しかも、発熱体５３’
は熱移動が生じ難い気流に垂直な方向に配置されている
ので、加熱プレート５１において気流に対して垂直な方
向に温度ばらつきが生じやすい。また、加熱プレート５
１’の熱はカバー６２’の天板で反射されてウエハＷに
供給されるため、このように加熱プレート５３’の温度
ばらつきが生じた場合には、カバー６２’の天板からの
反射熱によって温度の不均一が一層助長されてしまう。
は必ずしも抵抗値が均一ではなく、一つの発熱体５３’
の中で発熱量のばらつきが生じ、しかも、発熱体５３’
は熱移動が生じ難い気流に垂直な方向に配置されている
ので、加熱プレート５１において気流に対して垂直な方
向に温度ばらつきが生じやすい。また、加熱プレート５
１’の熱はカバー６２’の天板で反射されてウエハＷに
供給されるため、このように加熱プレート５３’の温度
ばらつきが生じた場合には、カバー６２’の天板からの
反射熱によって温度の不均一が一層助長されてしまう。
【００６４】これに対し、本実施形態では、カバー６
２’の上面に、発熱体５３’の配置パターンに応じて複
数のヒートパイプ６５’を発熱体５３’に応じて直線状
でかつ互いに平行にしかも発熱体５３’と同方向に配置
したので、ヒートパイプ６５’の温度均一化作用によ
り、一つの発熱体５３’において抵抗値が不均一であっ
てその発熱量が不均一となるような場合であっても、カ
バー６２’の温度を均一化することができ、加熱プレー
ト５１’上のウエハＷに均一に熱を及ぼすことができる
ので、ウエハＷの温度を均一にすることができる。
２’の上面に、発熱体５３’の配置パターンに応じて複
数のヒートパイプ６５’を発熱体５３’に応じて直線状
でかつ互いに平行にしかも発熱体５３’と同方向に配置
したので、ヒートパイプ６５’の温度均一化作用によ
り、一つの発熱体５３’において抵抗値が不均一であっ
てその発熱量が不均一となるような場合であっても、カ
バー６２’の温度を均一化することができ、加熱プレー
ト５１’上のウエハＷに均一に熱を及ぼすことができる
ので、ウエハＷの温度を均一にすることができる。
【００６５】ところで、処理室Ｓ’に一方向の気流が形
成された際には、加熱プレート５１’の温度不均一の影
響は、カバー６２’の発熱体５３’の直上位置ではな
く、若干ずれた発熱体が存在しない部分の直上位置に生
じやすいが、本実施形態では、加熱プレート５１’の発
熱体５３’が存在しない部分の直上位置に、発熱体５
３’の配置パターンに対応して複数のヒートパイプ６
５’をリング状に配置しているため、このヒートパイプ
６５’の温度均一化作用が良好に発揮され、カバー６
２’の温度を周方向に略均一に維持することができ、ウ
エハＷの温度を確実に均一化することができる。
成された際には、加熱プレート５１’の温度不均一の影
響は、カバー６２’の発熱体５３’の直上位置ではな
く、若干ずれた発熱体が存在しない部分の直上位置に生
じやすいが、本実施形態では、加熱プレート５１’の発
熱体５３’が存在しない部分の直上位置に、発熱体５
３’の配置パターンに対応して複数のヒートパイプ６
５’をリング状に配置しているため、このヒートパイプ
６５’の温度均一化作用が良好に発揮され、カバー６
２’の温度を周方向に略均一に維持することができ、ウ
エハＷの温度を確実に均一化することができる。
【００６６】このようにしてウエハＷの加熱処理終了し
た後、カバー６２’が上方に移動されて、ウエハＷが昇
降ピン５６により持ち上げられ、ウエハ搬送装置４６に
受け渡されて、ホットプレートユニット（ＨＰ）から搬
出されて、次工程のユニットに搬送される。
た後、カバー６２’が上方に移動されて、ウエハＷが昇
降ピン５６により持ち上げられ、ウエハ搬送装置４６に
受け渡されて、ホットプレートユニット（ＨＰ）から搬
出されて、次工程のユニットに搬送される。
【００６７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば上記実施の形態で
は、発熱体およびヒートパイプを直線状またはリング状
にしたが、これに限らず他の形状であってもよい。ヒー
トパイプの配置位置も上記実施形態のようにカバーの上
面に限定されることなく、例えばカバーの天板に埋設さ
れていてもよい。発熱体の配置位置も加熱プレートの下
側に限定されず、例えば加熱プレートに埋設されていて
もよい。また、加熱処理装置の構造としても上記実施形
態において例示したホットプレートユニットに限るもの
ではなく種々の形態が可能である。さらに、レジスト塗
布・現像処理システムの加熱処理について示したが、そ
れ以外に用いられる加熱処理に適用することも可能であ
る。さらにまた、上記実施形態ではウエハをプロキシミ
ティピン上に載置して間接的に加熱を行った場合につい
て示したが、ウエハを加熱プレート上に直接載置して加
熱してもよい。さらにまた、上記実施形態では基板とし
て半導体ウエハを用いた場合について説明したが、半導
体ウエハ以外の他の被処理基板、例えばＬＣＤ基板の加
熱処理を行う場合についても適用可能である。
ず、種々の変形が可能である。例えば上記実施の形態で
は、発熱体およびヒートパイプを直線状またはリング状
にしたが、これに限らず他の形状であってもよい。ヒー
トパイプの配置位置も上記実施形態のようにカバーの上
面に限定されることなく、例えばカバーの天板に埋設さ
れていてもよい。発熱体の配置位置も加熱プレートの下
側に限定されず、例えば加熱プレートに埋設されていて
もよい。また、加熱処理装置の構造としても上記実施形
態において例示したホットプレートユニットに限るもの
ではなく種々の形態が可能である。さらに、レジスト塗
布・現像処理システムの加熱処理について示したが、そ
れ以外に用いられる加熱処理に適用することも可能であ
る。さらにまた、上記実施形態ではウエハをプロキシミ
ティピン上に載置して間接的に加熱を行った場合につい
て示したが、ウエハを加熱プレート上に直接載置して加
熱してもよい。さらにまた、上記実施形態では基板とし
て半導体ウエハを用いた場合について説明したが、半導
体ウエハ以外の他の被処理基板、例えばＬＣＤ基板の加
熱処理を行う場合についても適用可能である。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カバーに前記発熱体の配置パターンに応じて複数のヒー
トパイプを配置するが、ヒートパイプは、内部に充填し
た作動液の蒸発現象と凝縮現象を利用して、一端から他
端に大量の熱を容易に輸送する機能、およびその中に温
度の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を均一
化する機能を有するため、一つの発熱体において抵抗値
が不均一であってその発熱量が不均一となるような場合
であっても、カバーに前記発熱体の配置パターンに応じ
て設けられた複数のヒートパイプの温度均一化作用によ
り、カバーの温度を均一化することができ、加熱プレー
ト上の基板に均一に熱を及ぼすことができるので、基板
温度を均一にすることができる。
カバーに前記発熱体の配置パターンに応じて複数のヒー
トパイプを配置するが、ヒートパイプは、内部に充填し
た作動液の蒸発現象と凝縮現象を利用して、一端から他
端に大量の熱を容易に輸送する機能、およびその中に温
度の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を均一
化する機能を有するため、一つの発熱体において抵抗値
が不均一であってその発熱量が不均一となるような場合
であっても、カバーに前記発熱体の配置パターンに応じ
て設けられた複数のヒートパイプの温度均一化作用によ
り、カバーの温度を均一化することができ、加熱プレー
ト上の基板に均一に熱を及ぼすことができるので、基板
温度を均一にすることができる。
【００６９】本発明の他の構成によれば、カバーのう
ち、加熱プレートの発熱体が存在しない部分の直上位置
に、発熱体の配置パターンに対応して複数のヒートパイ
プを配置するので、カバーの温度を一層有効に均一化す
ることができる。
ち、加熱プレートの発熱体が存在しない部分の直上位置
に、発熱体の配置パターンに対応して複数のヒートパイ
プを配置するので、カバーの温度を一層有効に均一化す
ることができる。
【００７０】本発明のさらに他の構成によれば、一方向
流形成手段により加熱プレート上にその一端から他端に
向かう一方向の気流を形成するとともに、直線状の複数
の発熱体を一方向流の向きに略垂直に配置した加熱処理
装置において、複数のヒートパイプを、カバーにおける
加熱プレートの発熱体が存在しない部分の直上位置に前
記発熱体の配置パターンに対応して配置しているので、
発熱体の抵抗値のばらつきによって温度ばらつきが生じ
やすい一方向流タイプの加熱処理装置であっても、ヒー
トパイプの温度均一化作用を有効に発揮させることによ
り、カバーの温度を均一化することができ、加熱プレー
ト上の基板に均一に熱を及ぼすことができるので、基板
温度を均一にすることができる。
流形成手段により加熱プレート上にその一端から他端に
向かう一方向の気流を形成するとともに、直線状の複数
の発熱体を一方向流の向きに略垂直に配置した加熱処理
装置において、複数のヒートパイプを、カバーにおける
加熱プレートの発熱体が存在しない部分の直上位置に前
記発熱体の配置パターンに対応して配置しているので、
発熱体の抵抗値のばらつきによって温度ばらつきが生じ
やすい一方向流タイプの加熱処理装置であっても、ヒー
トパイプの温度均一化作用を有効に発揮させることによ
り、カバーの温度を均一化することができ、加熱プレー
ト上の基板に均一に熱を及ぼすことができるので、基板
温度を均一にすることができる。
【図１】本発明の加熱処理装置の一実施形態であるホッ
トプレートユニットを備えた半導体ウエハのレジスト塗
布現像処理システムの全体構成を示す平面図。
トプレートユニットを備えた半導体ウエハのレジスト塗
布現像処理システムの全体構成を示す平面図。
【図２】本発明の加熱処理装置の一実施形態であるホッ
トプレートユニットを備えた半導体ウエハのレジスト塗
布現像処理システムの全体構成を示す正面図。
トプレートユニットを備えた半導体ウエハのレジスト塗
布現像処理システムの全体構成を示す正面図。
【図３】本発明の加熱処理装置の一実施形態であるホッ
トプレートユニットを備えた半導体ウエハのレジスト塗
布現像処理システムの全体構成を示す背面図。
トプレートユニットを備えた半導体ウエハのレジスト塗
布現像処理システムの全体構成を示す背面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るホットプレート
ユニットを模式的に示す断面図。
ユニットを模式的に示す断面図。
【図５】図４のホットプレートユニットの一部を拡大し
て示す断面図。
て示す断面図。
【図６】図４のホットプレートユニット内における発熱
体およびヒートパイプの配置を模式的に示す斜視図
体およびヒートパイプの配置を模式的に示す斜視図
【図７】図４のホットプレートに設けられたリング状の
ヒートパイプを一部切り欠いて示す模式図。
ヒートパイプを一部切り欠いて示す模式図。
【図８】図４のホットプレートの制御系を示す図。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るホットプレート
ユニットを模式的に示す断面図。
ユニットを模式的に示す断面図。
【図１０】図９に示すホットプレートユニット内におけ
る発熱体およびヒートパイプの配置を模式的に示す斜視
図。
る発熱体およびヒートパイプの配置を模式的に示す斜視
図。
【図１１】図９のホットプレートユニットに設けられた
直線状のヒートパイプを一部切り欠いて示す模式図。
直線状のヒートパイプを一部切り欠いて示す模式図。
【図１２】図９のホットプレートの制御系を示す図。
５１，５１’；加熱プレート ５２，５２’；プロキシミティピン ５６；昇降ピン ５３，５３’；発熱体 ６２、６２’；カバー ６３；排気口 ６４；排気管 ６５，６５’；ヒートパイプ ８２；気体供給ノズル ８３；気体供給管 ８４，８７；電磁弁 ８５；排気ノズル ８６；排気管 Ｓ，Ｓ’；処理室 Ｗ；半導体ウエハ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板を所定温度に加熱処理する加熱処理
装置であって、 その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加
熱プレートと、 この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱
する複数の発熱体と、 基板の加熱処理時に加熱プレートの表面を覆うカバー
と、 このカバーに前記発熱体の配置パターンに応じて配置さ
れた複数のヒートパイプとを具備することを特徴とする
加熱処理装置。 - 【請求項２】 基板を所定温度に加熱処理する加熱処理
装置であって、 その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加
熱プレートと、 この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱
する複数の発熱体と、 基板の加熱処理時に加熱プレートの表面を覆うカバー
と、 このカバーのうち、前記加熱プレートの前記発熱体が存
在しない部分の直上位置に、前記発熱体の配置パターン
に対応して配置された複数のヒートパイプとを具備する
ことを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項３】 前記複数の発熱体はリング状をなし、前
記加熱プレートに同心円状に配列され、前記複数のヒー
トパイプはリング状をなし、前記カバーに同心円状に配
列されていることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載の加熱処理装置。 - 【請求項４】 前記加熱プレート状にその外周から中央
に向かう気流を形成する気流形成手段をさらに具備する
ことを特徴とする請求項３に記載の加熱処理装置。 - 【請求項５】 前記複数の発熱体は直線状をなし、前記
加熱プレートに略平行に配列され、前記複数のヒートパ
イプは直線状をなし、前記カバーに略平行に配列されて
いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
加熱処理装置。 - 【請求項６】 基板を所定温度に加熱処理する加熱処理
装置であって、 その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加
熱プレートと、 この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱
する複数の発熱体と、 基板の加熱処理時に加熱プレートの表面を覆うカバー
と、 前記カバーに配置された複数のヒートパイプと、 前記加熱プレート上にその一端から他端に向かう一方向
の気流を形成する一方向流形成手段とを具備し、 前記複数の発熱体は直線状をなし、それぞれ前記一方向
流形成手段により形成される気流の向きに対して略垂直
に配列され、前記複数のヒートパイプは前記加熱プレー
トの前記発熱体が存在しない部分の直上位置に前記発熱
体の配置パターンに対応して配置されていることを特徴
とする加熱処理装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000044363A JP3589929B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 加熱処理装置 |
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|---|---|---|---|
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Publications (2)
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|---|---|
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Cited By (8)
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|---|---|---|---|---|
| JP2005521260A (ja) * | 2002-03-18 | 2005-07-14 | センサレー コーポレイション | 加速された速度でウェハを加熱および冷却するためのシステムおよび方法 |
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