JPH04127516A - 加熱処理方法 - Google Patents
加熱処理方法Info
- Publication number
- JPH04127516A JPH04127516A JP24979590A JP24979590A JPH04127516A JP H04127516 A JPH04127516 A JP H04127516A JP 24979590 A JP24979590 A JP 24979590A JP 24979590 A JP24979590 A JP 24979590A JP H04127516 A JPH04127516 A JP H04127516A
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- JP
- Japan
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- heating plate
- treated
- semiconductor wafer
- heat treatment
- wafer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 18
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的」
半導体ウェハの製造工程におけるレジスト塗布方法には
、一般に、スピンコーティング方式が多く採用されてい
る。この方式は、スピンカップ内の中央にスピンチャッ
クを回転可能に設け、このスピンチャック上に設けられ
たウェハ上にウェハと対向した位置に配置したノズルよ
りレジストを滴下し１回転されるスピンチャックの遠心
力によリウエハ上に塗布膜を形成する方式である。 そして、このレジスト塗布工程の後に、ウオーキングビ
ーム等の搬送装置によりウェハをベーキング工程に搬入
して、露光前に加熱処理を施してレジスト中の溶媒を除
去するようにしている。 また、露光及び現像工程の前後にも、ボストエクスポロ
ジャーベークやポストベーク工程を経る加熱処理を行な
っている。 しかしながら、上記の従来例によると、第２図に示すよ
うに塗布或は現像工程の前後に実行されるベーキング工
程において、平坦な加熱板１上に載置ビン３を介して微
小のギャップ５を持って載置させた半導体ウェハ２を加
熱処理する際に、加熱板１とカバー４との間隙よりダウ
ンフローや排気の影響で加熱板１の上面より矢印のよう
に層流状態で空気が流れるとき、同図の矢印に示すよう
に半導体ウェハ２の下面を空気が流れ、そのため、ウェ
ハ２の下面中の雰囲気空気が乱れて伝熱体であるこの雰
囲気空気が揺らぎ、その結果、空気層の温度分布がばら
つき、例えば０．２℃の温度分布のばらつきがあると、
そのばらつきに基づき膜厚は１０人程度不均−な膜厚が
形成されることが確認された。また、現像工程において
も、上記と同様に温度分布のばらつきがあり、そのため
、現像工程が不均一になる等の課題を有していた。 本発明は、上記した従来の課題を解決するために開発し
たもので、被処理体を加熱処理する際に、被処理体を加
熱する温度を均一にすることにより膜厚の均−性或は現
像など処理の均一性の向上を図ることを目的としたもの
である。 「発明の構成」
、一般に、スピンコーティング方式が多く採用されてい
る。この方式は、スピンカップ内の中央にスピンチャッ
クを回転可能に設け、このスピンチャック上に設けられ
たウェハ上にウェハと対向した位置に配置したノズルよ
りレジストを滴下し１回転されるスピンチャックの遠心
力によリウエハ上に塗布膜を形成する方式である。 そして、このレジスト塗布工程の後に、ウオーキングビ
ーム等の搬送装置によりウェハをベーキング工程に搬入
して、露光前に加熱処理を施してレジスト中の溶媒を除
去するようにしている。 また、露光及び現像工程の前後にも、ボストエクスポロ
ジャーベークやポストベーク工程を経る加熱処理を行な
っている。 しかしながら、上記の従来例によると、第２図に示すよ
うに塗布或は現像工程の前後に実行されるベーキング工
程において、平坦な加熱板１上に載置ビン３を介して微
小のギャップ５を持って載置させた半導体ウェハ２を加
熱処理する際に、加熱板１とカバー４との間隙よりダウ
ンフローや排気の影響で加熱板１の上面より矢印のよう
に層流状態で空気が流れるとき、同図の矢印に示すよう
に半導体ウェハ２の下面を空気が流れ、そのため、ウェ
ハ２の下面中の雰囲気空気が乱れて伝熱体であるこの雰
囲気空気が揺らぎ、その結果、空気層の温度分布がばら
つき、例えば０．２℃の温度分布のばらつきがあると、
そのばらつきに基づき膜厚は１０人程度不均−な膜厚が
形成されることが確認された。また、現像工程において
も、上記と同様に温度分布のばらつきがあり、そのため
、現像工程が不均一になる等の課題を有していた。 本発明は、上記した従来の課題を解決するために開発し
たもので、被処理体を加熱処理する際に、被処理体を加
熱する温度を均一にすることにより膜厚の均−性或は現
像など処理の均一性の向上を図ることを目的としたもの
である。 「発明の構成」
【課題を解決するための手段１
上記の目的を達成するため１本発明は、加熱板上にギャ
ップを有して載置させた被処理体を加熱処理する加熱処
理装置において、上記被処理体周縁部の上記加熱板の上
面より当該被処理体の下面を下方に位置させて熱処理す
るように構成した。 【作 用】 本発明は、上述のように被加熱体周縁部に位置する加熱
板の上面位置より被処理体の下面を下方に位置させて熱
処理するように構成したから、クリーンルーム内でのダ
ウンフローや装置内の雰囲気ガスを排気するための排気
機構により空気が加熱板の上面に沿って層流状態に流れ
、この時、空気の流れは、被処理体の下面を通過するこ
となく加熱板の上面に沿って流れるので、加熱板と被処
理体とのギャップ間の雰囲気にある空気が加熱温度の伝
熱体としての機能を有効に発揮して被処理体を有効に加
熱できる。そのため、塗布工程における膜厚は高精度に
均一化されると共に、例えば現像工程においても現像の
均一化を図ることができる。
ップを有して載置させた被処理体を加熱処理する加熱処
理装置において、上記被処理体周縁部の上記加熱板の上
面より当該被処理体の下面を下方に位置させて熱処理す
るように構成した。 【作 用】 本発明は、上述のように被加熱体周縁部に位置する加熱
板の上面位置より被処理体の下面を下方に位置させて熱
処理するように構成したから、クリーンルーム内でのダ
ウンフローや装置内の雰囲気ガスを排気するための排気
機構により空気が加熱板の上面に沿って層流状態に流れ
、この時、空気の流れは、被処理体の下面を通過するこ
となく加熱板の上面に沿って流れるので、加熱板と被処
理体とのギャップ間の雰囲気にある空気が加熱温度の伝
熱体としての機能を有効に発揮して被処理体を有効に加
熱できる。そのため、塗布工程における膜厚は高精度に
均一化されると共に、例えば現像工程においても現像の
均一化を図ることができる。
以下に１本発明における加熱処理装置をレジスト塗布或
は現像工程後の溶剤を乾燥させるためのベーキング装置
に適用した一実施例を第１図を用いて説明する。 図面において、ホットプレートオーブン１７には、予め
設定された温度制御される如く加熱手段、例えばヒータ
（図示せず）を内蔵した円板状加熱板１１を配設し、こ
の加熱板１１は上面（加熱面）１１ａに、例えば被処理
体である半導体ウェハの形状より多少大きい凹状溝部１
６（例えば２−の深さ）を形成し、この溝部１６内に設
けた少なくとも３個の載置ビン１３により形成した平面
に半導体ウェハ１２を載置して半導体ウェハ１２の下面
１２ａと溝部１６平面との間にギャップ１５（プロキシ
ミティギャップ）を、例えば０．５■有している。この
ギャップ１５を形成する手段はウェハ周縁部に設けても
よい、従って１本例によると、半導体ウェハ１２の下面
１２ａは勿論のこと上面１２ｂも加熱板１１の上面１１
ａより下方に位置しているが、少なくとも半導体ウェハ
１２の下面１２ａが加熱板１１の側部上面１１ａより下
方に位置していることが必要である。 更に、加熱板１１の上方にはカバー１４を設け、このカ
バー１４には、ウェハ搬入口１４ａを設け。 加熱板１１の近傍位置には、雰囲気ガスを排気する排気
管１８を設けている。 なお、上記の例は塗布、現像工程におけるベーキングの
場合について説明したが、これに限定されることなく、
ＣＶＤ等のような加熱処理を行なう場合の工程において
も適用することが可能であり、これらの場合においても
温度分布のばらつきが生じることなく好適である。 次に上記実施例の作用を説明する。 半導体ウェハ１２を前工程より例えば、塗布、現像工程
に搬入し、加熱板１１の凹状溝部１６内の載置ピン１３
上に載置されると、半導体ウェハ１２の下面１２ａは加
熱板１１の上面１１ａより下方に位置しているので、ク
リーンルーム内でのダウンフローやオーブン１７内の雰
囲気ガスを排気管１８を介して排気した場合に、第１図
の矢印の状態に空気が加熱板１１の上面１１ａに沿って
層流状態で流れ、この時、空気の流れは、半導体ウェハ
１２の下面を通過することなく加熱板１１の上面１１ａ
に沿って流れるので、加熱板１１と半導体ウェハ１２と
のギャップ１５間の雰囲気にある空気が影響を受けるこ
となく加熱温度の伝熱体としての機能を有効に発揮して
半導体ウェハ１２を加熱するため、塗布工程におけるレ
ジストの膜厚は高精度に均一化されると共に、現像工程
においても現像の均一化を図ることができる。 上記実施例において、雰囲気ガス流によりウェハ下面よ
り上位に位置する加熱板の周辺部表面が比較的低温にな
る場合には、この表面上に基板。 例えば絶縁体、半導体などを載置又は間隙を設けて配置
してもよい。 他の実施例として第３図に示すように、加熱板１１に、
例えばアルミニウムからなり高さ２ｍで半導体ウェハの
形状より多少大きいリング部材２０に伝導される如く構
成したものがある。 その他第１図と同一部分には、同一番号を図示して説明
する。 この実施例装置は、第１図を用いて説明した上記実施例
装置と同様の効果があり、更に、半導体ウェハの大きさ
が変わった場合も、上記リング部材２０を交換すること
により簡単に対応することができる。 「発明の効果」 以上のことから明らかなように、本発明によると、次の
ような有用な効果がある。 被処理体を加熱処理する際に、被処理体を加熱する温度
分布を均一にすることができるので、膜厚の均−性或は
現像の均一性を著しく向上させることができる等の効果
がある。
は現像工程後の溶剤を乾燥させるためのベーキング装置
に適用した一実施例を第１図を用いて説明する。 図面において、ホットプレートオーブン１７には、予め
設定された温度制御される如く加熱手段、例えばヒータ
（図示せず）を内蔵した円板状加熱板１１を配設し、こ
の加熱板１１は上面（加熱面）１１ａに、例えば被処理
体である半導体ウェハの形状より多少大きい凹状溝部１
６（例えば２−の深さ）を形成し、この溝部１６内に設
けた少なくとも３個の載置ビン１３により形成した平面
に半導体ウェハ１２を載置して半導体ウェハ１２の下面
１２ａと溝部１６平面との間にギャップ１５（プロキシ
ミティギャップ）を、例えば０．５■有している。この
ギャップ１５を形成する手段はウェハ周縁部に設けても
よい、従って１本例によると、半導体ウェハ１２の下面
１２ａは勿論のこと上面１２ｂも加熱板１１の上面１１
ａより下方に位置しているが、少なくとも半導体ウェハ
１２の下面１２ａが加熱板１１の側部上面１１ａより下
方に位置していることが必要である。 更に、加熱板１１の上方にはカバー１４を設け、このカ
バー１４には、ウェハ搬入口１４ａを設け。 加熱板１１の近傍位置には、雰囲気ガスを排気する排気
管１８を設けている。 なお、上記の例は塗布、現像工程におけるベーキングの
場合について説明したが、これに限定されることなく、
ＣＶＤ等のような加熱処理を行なう場合の工程において
も適用することが可能であり、これらの場合においても
温度分布のばらつきが生じることなく好適である。 次に上記実施例の作用を説明する。 半導体ウェハ１２を前工程より例えば、塗布、現像工程
に搬入し、加熱板１１の凹状溝部１６内の載置ピン１３
上に載置されると、半導体ウェハ１２の下面１２ａは加
熱板１１の上面１１ａより下方に位置しているので、ク
リーンルーム内でのダウンフローやオーブン１７内の雰
囲気ガスを排気管１８を介して排気した場合に、第１図
の矢印の状態に空気が加熱板１１の上面１１ａに沿って
層流状態で流れ、この時、空気の流れは、半導体ウェハ
１２の下面を通過することなく加熱板１１の上面１１ａ
に沿って流れるので、加熱板１１と半導体ウェハ１２と
のギャップ１５間の雰囲気にある空気が影響を受けるこ
となく加熱温度の伝熱体としての機能を有効に発揮して
半導体ウェハ１２を加熱するため、塗布工程におけるレ
ジストの膜厚は高精度に均一化されると共に、現像工程
においても現像の均一化を図ることができる。 上記実施例において、雰囲気ガス流によりウェハ下面よ
り上位に位置する加熱板の周辺部表面が比較的低温にな
る場合には、この表面上に基板。 例えば絶縁体、半導体などを載置又は間隙を設けて配置
してもよい。 他の実施例として第３図に示すように、加熱板１１に、
例えばアルミニウムからなり高さ２ｍで半導体ウェハの
形状より多少大きいリング部材２０に伝導される如く構
成したものがある。 その他第１図と同一部分には、同一番号を図示して説明
する。 この実施例装置は、第１図を用いて説明した上記実施例
装置と同様の効果があり、更に、半導体ウェハの大きさ
が変わった場合も、上記リング部材２０を交換すること
により簡単に対応することができる。 「発明の効果」 以上のことから明らかなように、本発明によると、次の
ような有用な効果がある。 被処理体を加熱処理する際に、被処理体を加熱する温度
分布を均一にすることができるので、膜厚の均−性或は
現像の均一性を著しく向上させることができる等の効果
がある。
第１図は、本発明における加熱処理装置の一実施例を示
した説明図であり、第２図は第１図の他の実施例を示し
た説明図、第３図は従来例を示した説明図である。 １１・・・・加熱板 １１ａ・・・・加熱板上面１
５・・・・ギャップ １６・・・・凹状溝部第 図
した説明図であり、第２図は第１図の他の実施例を示し
た説明図、第３図は従来例を示した説明図である。 １１・・・・加熱板 １１ａ・・・・加熱板上面１
５・・・・ギャップ １６・・・・凹状溝部第 図
Claims (1)
- （１）加熱板上にギャップを設けて被処理体を加熱処理
する加熱処理装置において、上記被処理体周縁より外側
の上記加熱板上面の少なくとも一部に、当該被処理体の
下面より上方に位置させて加熱するように構成したこと
を特徴とする加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24979590A JP3026305B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 加熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24979590A JP3026305B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 加熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127516A true JPH04127516A (ja) | 1992-04-28 |
| JP3026305B2 JP3026305B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=17198334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24979590A Expired - Fee Related JP3026305B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 加熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3026305B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087632A (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-11 | Tokyo Electron Limited | Heat processing device with hot plate and associated reflector |
| JP2001237157A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置 |
| JP2005123651A (ja) * | 2000-12-26 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | レジスト膜の処理装置、およびレジストパターン形成方法 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP24979590A patent/JP3026305B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087632A (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-11 | Tokyo Electron Limited | Heat processing device with hot plate and associated reflector |
| JP2001237157A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置 |
| JP2005123651A (ja) * | 2000-12-26 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | レジスト膜の処理装置、およびレジストパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3026305B2 (ja) | 2000-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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