JPH01241124A - レジスト被塗布体の加熱装置 - Google Patents
レジスト被塗布体の加熱装置Info
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- JPH01241124A JPH01241124A JP6872188A JP6872188A JPH01241124A JP H01241124 A JPH01241124 A JP H01241124A JP 6872188 A JP6872188 A JP 6872188A JP 6872188 A JP6872188 A JP 6872188A JP H01241124 A JPH01241124 A JP H01241124A
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- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 24
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 2
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、レジスト被塗布体の加熱装置に関する。
（従来の技術）
一般に、半導体デバイスの製造においては、精密写真転
写技術を用いて、所定パターンを半導体ウェハに転写す
るが、近年は、半導体デバイスの高集積化に伴い、その
工程数は著しく増大している。
写技術を用いて、所定パターンを半導体ウェハに転写す
るが、近年は、半導体デバイスの高集積化に伴い、その
工程数は著しく増大している。
すなわち、従来は、単にレジスト塗布装置によりレジス
トを塗布し、レジスト被塗布体の加熱装置により溶剤乾
燥を行えばよかったが、集積度向上に伴なう微細加工の
ためには、疎水処理（ＨＭＤＳによるア下ヒージョン処
理）や、塗布層の上にさらに塗布層を重ねてレジスト膜
の表面平坦化を行う多層塗布、ＣＥＬ膜（反射防止膜）
塗布等が必要とされる。
トを塗布し、レジスト被塗布体の加熱装置により溶剤乾
燥を行えばよかったが、集積度向上に伴なう微細加工の
ためには、疎水処理（ＨＭＤＳによるア下ヒージョン処
理）や、塗布層の上にさらに塗布層を重ねてレジスト膜
の表面平坦化を行う多層塗布、ＣＥＬ膜（反射防止膜）
塗布等が必要とされる。
このため、これらの一連の工程を処理するために必要と
される装置が増え、装置設置面積が増大する傾向にある
。
される装置が増え、装置設置面積が増大する傾向にある
。
そこで、レジスト塗布装置によりレジストを塗布された
基板の溶剤乾燥を行うレジスト被塗布体の加熱装置にお
いては、従来第３図に示すように、レジスト被塗布体、
例えばレジストが塗布された半導体ウェハ１が載置され
、この半導体ウェハ１を加熱する加熱板２を所定の間隔
を形成して縦方向に積層し、複数段設けることによって
、設置面積の縮小を図っている。
基板の溶剤乾燥を行うレジスト被塗布体の加熱装置にお
いては、従来第３図に示すように、レジスト被塗布体、
例えばレジストが塗布された半導体ウェハ１が載置され
、この半導体ウェハ１を加熱する加熱板２を所定の間隔
を形成して縦方向に積層し、複数段設けることによって
、設置面積の縮小を図っている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、一般に半導体製造工程は、クリーンルー
ム内で行われ、このクリーンルーム内には、上方から下
方へ向けてのダウンフローが形成されている。このため
、第３図に示した従来のレジスト被塗布体の加熱装置で
は、上記ダウンフローによって上方に配置された加熱板
２の熱が、例えばレジスト塗布装置３等の周辺の工程機
器に運ばれ、例えばレジスト塗布装置３屑囲の雰囲気温
度が上昇してレジスト塗布等の工程に悪影響を与えると
いう問題がある。また、レジスト被塗布体の加熱装置に
おいては、処理温度を±０．５℃程度の精度で一定に保
つ必要があるが、上述のダウンフローにより上方に配置
された加熱板２の熱が下方に配置された加熱板２の周囲
に運ばれるため、下方に配置された加熱板２と上方に配
置された加熱板２との間で熱的な条件に違いが生じ、温
度精度が低下するという問題がある。
ム内で行われ、このクリーンルーム内には、上方から下
方へ向けてのダウンフローが形成されている。このため
、第３図に示した従来のレジスト被塗布体の加熱装置で
は、上記ダウンフローによって上方に配置された加熱板
２の熱が、例えばレジスト塗布装置３等の周辺の工程機
器に運ばれ、例えばレジスト塗布装置３屑囲の雰囲気温
度が上昇してレジスト塗布等の工程に悪影響を与えると
いう問題がある。また、レジスト被塗布体の加熱装置に
おいては、処理温度を±０．５℃程度の精度で一定に保
つ必要があるが、上述のダウンフローにより上方に配置
された加熱板２の熱が下方に配置された加熱板２の周囲
に運ばれるため、下方に配置された加熱板２と上方に配
置された加熱板２との間で熱的な条件に違いが生じ、温
度精度が低下するという問題がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて処理温度精度の向上を図ることができる
とともに、加熱板の熱が他の周辺の工程に対する影響を
従来に較べて大幅に軽減することのできるレジスト被塗
布体の加熱装置を提供しようとするものである。
、従来に較べて処理温度精度の向上を図ることができる
とともに、加熱板の熱が他の周辺の工程に対する影響を
従来に較べて大幅に軽減することのできるレジスト被塗
布体の加熱装置を提供しようとするものである。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、レジストが塗布されたレジスト被塗
布体を設ける加熱板の周囲をそれぞれ断熱材層で囲み、
この断熱材層の周囲をそれぞれ吸気口および排気手段に
接続された排気口を有する筐体で囲んだことを特徴とす
る。
布体を設ける加熱板の周囲をそれぞれ断熱材層で囲み、
この断熱材層の周囲をそれぞれ吸気口および排気手段に
接続された排気口を有する筐体で囲んだことを特徴とす
る。
（作 用）
上記構成の本発明のレジスト被塗布体の加熱装置では、
縦方向に複数段設けられた加熱板の周囲がそれぞれ断熱
材層で囲まれており、これらの断熱材層の周囲は、それ
ぞれ吸気口および排気手段に接続された排気口を有する
筐体で囲まれている。
縦方向に複数段設けられた加熱板の周囲がそれぞれ断熱
材層で囲まれており、これらの断熱材層の周囲は、それ
ぞれ吸気口および排気手段に接続された排気口を有する
筐体で囲まれている。
したがって、上方に配置された加熱板の熱が、クリーン
ルーム内に形成されたダウンフローによってレジスト塗
布装置等の周辺の機器および下方に配置された加熱板の
周囲に運ばれることを防止することができ、従来に較べ
て処理温度精度の向上を図ることができるとともに、加
熱板の熱による周辺の機器に対する影響を従来に較べて
大幅に軽減することができる。
ルーム内に形成されたダウンフローによってレジスト塗
布装置等の周辺の機器および下方に配置された加熱板の
周囲に運ばれることを防止することができ、従来に較べ
て処理温度精度の向上を図ることができるとともに、加
熱板の熱による周辺の機器に対する影響を従来に較べて
大幅に軽減することができる。
（実施例）
以下本発明のレジスト被塗布体の加熱装置の一実施例を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
レジストが前工程のレジスト塗布装置で半導体ウェハ１
の表面に塗布され、この半導体ウェハ１が搬送され円板
状の加熱板２上に載置される。この加熱板２の底面には
ヒータ４が配置される。この加熱板２の周囲は、例えば
低発塵性材料の断熱材層５によって覆われている。すな
わち、この断熱材層５は、加熱板２の下部および側部を
覆う如く円板状、環状ブロックを積み重ねた断熱材層５
ａと、この断熱材層５ａと別体に構成され加熱板２の上
部を覆う有底筒体状断熱材層５ｂとから構成されている
。
の表面に塗布され、この半導体ウェハ１が搬送され円板
状の加熱板２上に載置される。この加熱板２の底面には
ヒータ４が配置される。この加熱板２の周囲は、例えば
低発塵性材料の断熱材層５によって覆われている。すな
わち、この断熱材層５は、加熱板２の下部および側部を
覆う如く円板状、環状ブロックを積み重ねた断熱材層５
ａと、この断熱材層５ａと別体に構成され加熱板２の上
部を覆う有底筒体状断熱材層５ｂとから構成されている
。
断熱材層５ａは、駆動機構、例えばエアシリンダ６に接
続されて上記加熱板２およびヒータ４とともに上下動可
能に構成されている。また、断熱材層５ａとヒータ４お
よび加熱板２には、同一部分に複数例えば３つの透孔Ｈ
が形成されており、これらの透孔Ｈには、ピン７が挿入
されている。
続されて上記加熱板２およびヒータ４とともに上下動可
能に構成されている。また、断熱材層５ａとヒータ４お
よび加熱板２には、同一部分に複数例えば３つの透孔Ｈ
が形成されており、これらの透孔Ｈには、ピン７が挿入
されている。
そして、上記エアシリンダ６による加熱板２の上下動に
より、加熱板２が下降位置でピン７が加熱板２上面に突
出し、半導体ウェハ１をピン７により支持するよう構成
されている。
より、加熱板２が下降位置でピン７が加熱板２上面に突
出し、半導体ウェハ１をピン７により支持するよう構成
されている。
一方、断熱材層５ｂは、支持部材８に固定されており、
そのほぼ中央部には、加熱にともなって半導体ウェハ１
に塗布されたレジストから気化する溶媒を外部に導出す
るための排気管９が接続されている。
そのほぼ中央部には、加熱にともなって半導体ウェハ１
に塗布されたレジストから気化する溶媒を外部に導出す
るための排気管９が接続されている。
さらに、上記断熱材層５、エアシリンダ６、支持部材８
等を囲む如く筐体１０が配置されている。
等を囲む如く筐体１０が配置されている。
この筐体１０の上部および側部には、吸気孔として例え
ば複数の円孔１１が形成されており、例えば側部下方に
は、排気孔が形成されこの排気孔には、図示しない排気
装置に接続された排気管１２が接続されている。また、
筺体１０の側部には、半導体ウェハ１径よりも幅の広い
スリット状の開口からなる搬出入口１３が形成されてい
る。
ば複数の円孔１１が形成されており、例えば側部下方に
は、排気孔が形成されこの排気孔には、図示しない排気
装置に接続された排気管１２が接続されている。また、
筺体１０の側部には、半導体ウェハ１径よりも幅の広い
スリット状の開口からなる搬出入口１３が形成されてい
る。
そして、上述のように加熱板２、断熱材層５、エアシリ
ンダ６、支持部材８等を収容する筐体１０が第２図に示
すように、縦方向に間隔を設けて撲数積層されて、レジ
スト被塗布体の加熱装置が構成されている。なお、これ
らの筐体１０は、図示しない駆動装置に接続されており
上下動可能に構成されている。
ンダ６、支持部材８等を収容する筐体１０が第２図に示
すように、縦方向に間隔を設けて撲数積層されて、レジ
スト被塗布体の加熱装置が構成されている。なお、これ
らの筐体１０は、図示しない駆動装置に接続されており
上下動可能に構成されている。
上記構成のこの実施例のレジスト被塗布体の加熱装置は
、予めヒータ４により加熱板２を所定温度に加熱してお
くとともに、排気管１２により筐体１０内からの排気を
行い、エアシリンダ６により断熱材層５ａおよび加熱板
２を下降させ、断熱材層５ａと断熱材層５ｂとの間に間
隔を設けるとともにピン７が加熱板２上面に突出した状
態で待機する。
、予めヒータ４により加熱板２を所定温度に加熱してお
くとともに、排気管１２により筐体１０内からの排気を
行い、エアシリンダ６により断熱材層５ａおよび加熱板
２を下降させ、断熱材層５ａと断熱材層５ｂとの間に間
隔を設けるとともにピン７が加熱板２上面に突出した状
態で待機する。
そして、レジスト塗布装置３によりレジストを塗布され
た半導体ウェハ１が図示しない搬送装置により搬送され
、搬出入口１３から筐体１０内に挿入されて、ピン７上
に配置される。なお、この時、半導体ウェハ１を搬入さ
れる筐体１０は、図示しない駆動装置により、搬送装置
の高さに対応した所定高さ位置に配置される。
た半導体ウェハ１が図示しない搬送装置により搬送され
、搬出入口１３から筐体１０内に挿入されて、ピン７上
に配置される。なお、この時、半導体ウェハ１を搬入さ
れる筐体１０は、図示しない駆動装置により、搬送装置
の高さに対応した所定高さ位置に配置される。
この後、エアシリンダ６を駆動し断熱材層５ａおよび加
熱板２を上昇させることにより、半導体ウェハ１をピン
７上から加熱板２上に移し、断熱材層５ａと断熱材層５
ｂとの間の間隔を閉塞した状態で、排気管９．１２によ
り排気を行い、所定時間半導体ウェハｌを加熱して、レ
ジストの溶剤乾燥を行う。
熱板２を上昇させることにより、半導体ウェハ１をピン
７上から加熱板２上に移し、断熱材層５ａと断熱材層５
ｂとの間の間隔を閉塞した状態で、排気管９．１２によ
り排気を行い、所定時間半導体ウェハｌを加熱して、レ
ジストの溶剤乾燥を行う。
そして、上記所定時間のレジストの溶剤乾燥が終了する
と、エアシリンダ６を駆動し、断熱材層５ａおよび加熱
板２を下降させることにより、断熱材層５ａと断熱材層
５ｂとの間に間隔を設けるとともに加熱板２からピン７
上に半導体ウェハ１を移し、搬送装置により搬出入口１
３から搬出する。
と、エアシリンダ６を駆動し、断熱材層５ａおよび加熱
板２を下降させることにより、断熱材層５ａと断熱材層
５ｂとの間に間隔を設けるとともに加熱板２からピン７
上に半導体ウェハ１を移し、搬送装置により搬出入口１
３から搬出する。
すなわち、上記説明のこの実施例のレジスト被塗布体の
加熱装置では、加熱板２の周囲が断熱材層５によって覆
われているとともに、これらの加熱板２および断熱材層
５は、筺体１０内に収容され、この筐体１０内は、排気
管１２により常に排気されている。したがって筐体１０
内には、第１図に矢印で示すような空気流が形成され、
筐体１０は、この空気流によって冷却される。このため
、加熱板２およびヒータ４が高温になっても、この熱が
筐体１０に伝わりにくく、筐体１０を介して外側雰囲気
に熱が伝達することを防止することができる。また、筐
体１０内を通過し、温度が上昇した空気は、排気管１２
により系外に排出されるので、この空気により他の機器
および下段に配置された加熱板２に悪影響をおよぼすこ
ともない。
加熱装置では、加熱板２の周囲が断熱材層５によって覆
われているとともに、これらの加熱板２および断熱材層
５は、筺体１０内に収容され、この筐体１０内は、排気
管１２により常に排気されている。したがって筐体１０
内には、第１図に矢印で示すような空気流が形成され、
筐体１０は、この空気流によって冷却される。このため
、加熱板２およびヒータ４が高温になっても、この熱が
筐体１０に伝わりにくく、筐体１０を介して外側雰囲気
に熱が伝達することを防止することができる。また、筐
体１０内を通過し、温度が上昇した空気は、排気管１２
により系外に排出されるので、この空気により他の機器
および下段に配置された加熱板２に悪影響をおよぼすこ
ともない。
さらに、断熱材層５を介して加熱板２およびヒータ４の
熱がある程度漏洩しても、上述のような筐体１０内の空
気流によって系外に導出されるので、断熱材層５の厚さ
を薄くすることができ、装置全体の高さを低くする、あ
るいは積層段数を多くすることができる。
熱がある程度漏洩しても、上述のような筐体１０内の空
気流によって系外に導出されるので、断熱材層５の厚さ
を薄くすることができ、装置全体の高さを低くする、あ
るいは積層段数を多くすることができる。
［発明の効果］
上述のように、本発明のレジスト被塗布体の加熱装置で
は、従来に較べて処理温度精度の向上を図ることができ
るとともに、加熱板の熱による周辺の機器に対する影響
を従来に較べて大幅に軽減することができる。
は、従来に較べて処理温度精度の向上を図ることができ
るとともに、加熱板の熱による周辺の機器に対する影響
を従来に較べて大幅に軽減することができる。
第１図は本発明の一実施例のレジスト被塗布体の加熱装
置の要部を示す断面図、第２図は第１図のレジスト被塗
布体の加熱装置の全体構成を示す図、第３図は従来のレ
ジスト被塗布体の加熱装置の全体構成を示す図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・加熱板、
３・・・・・・レジスト塗布装置、４・・・・・・ヒー
タ、５・・・・・・断熱材層、６・・・・・・エアシリ
ンダ、７・・・・・・ビン、８・・・・・・支持部材、
９・・・・・・排気管、１０・・・・・・筐体、１１・
・・・・・円孔（吸気孔）、１２・・・・・・排気管、
１３・・・・・・搬出入口。 出願人 東京エレクトロン株式会社
置の要部を示す断面図、第２図は第１図のレジスト被塗
布体の加熱装置の全体構成を示す図、第３図は従来のレ
ジスト被塗布体の加熱装置の全体構成を示す図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・加熱板、
３・・・・・・レジスト塗布装置、４・・・・・・ヒー
タ、５・・・・・・断熱材層、６・・・・・・エアシリ
ンダ、７・・・・・・ビン、８・・・・・・支持部材、
９・・・・・・排気管、１０・・・・・・筐体、１１・
・・・・・円孔（吸気孔）、１２・・・・・・排気管、
１３・・・・・・搬出入口。 出願人 東京エレクトロン株式会社
Claims (1)
- （１）レジストが塗布されたレジスト被塗布体を設ける
加熱板の周囲をそれぞれ断熱材層で囲み、この断熱材層
の周囲をそれぞれ吸気口および排気手段に接続された排
気口を有する筐体で囲んだことを特徴とするレジスト被
塗布体の加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068721A JPH0750674B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | レジスト被塗布体の加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068721A JPH0750674B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | レジスト被塗布体の加熱装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9796996A Division JP2611161B2 (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | レジスト処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241124A true JPH01241124A (ja) | 1989-09-26 |
| JPH0750674B2 JPH0750674B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=13381943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068721A Expired - Fee Related JPH0750674B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | レジスト被塗布体の加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750674B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| JP2006303104A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 |
| CN103578928A (zh) * | 2013-10-21 | 2014-02-12 | 上海和辉光电有限公司 | 基板干燥方法、基板制造方法及其低温加热干燥装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4534175B2 (ja) * | 2007-05-09 | 2010-09-01 | エルピーダメモリ株式会社 | 基板の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5348589U (ja) * | 1976-09-29 | 1978-04-24 | ||
| JPS594021A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 真空断熱スペ−サ− |
| JPS61119341U (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-28 | ||
| JPS6231120A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 半導体ウエハの搬送方法及び装置 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068721A patent/JPH0750674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| JP2006303104A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 |
| US7812285B2 (en) | 2005-04-19 | 2010-10-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for heating substrate and coating and developing system |
| US8080765B2 (en) | 2005-04-19 | 2011-12-20 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for heating substrate and coating and developing system |
| US8237092B2 (en) | 2005-04-19 | 2012-08-07 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for heating substrate and coating and developing system |
| CN103578928A (zh) * | 2013-10-21 | 2014-02-12 | 上海和辉光电有限公司 | 基板干燥方法、基板制造方法及其低温加热干燥装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750674B2 (ja) | 1995-05-31 |
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