JPS594021A - 真空断熱スペ−サ− - Google Patents

真空断熱スペ−サ−

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Publication number
JPS594021A
JPS594021A JP11311582A JP11311582A JPS594021A JP S594021 A JPS594021 A JP S594021A JP 11311582 A JP11311582 A JP 11311582A JP 11311582 A JP11311582 A JP 11311582A JP S594021 A JPS594021 A JP S594021A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hollow body
hole
exhaust pipe
vacuum
external
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11311582A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Araihara
新井原 聡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP11311582A priority Critical patent/JPS594021A/ja
Publication of JPS594021A publication Critical patent/JPS594021A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 +11発明の技術分野 本発明は真空断熱スペーサー、詳しくは二重構造体の内
方中空体を真空に保ち、それを囲む外方中空体に冷却流
体を通ず構造とした真空断熱スペーサーに関する。
(2)技術の背景 従来技術において、断熱スペーサーとしてはアスヘスト
等が用いられているだけであり、2個のヒータ相互間、
ヒータとそれの容器との間の断熱はヒータのまわりの空
間が利用されているに過ぎない。
(1) (3)従来技術と問題点 最近の半導体装置の製造において、ウェハ、マスクの如
き基板にベーキングまたは乾燥がなされ、加熱に複数個
のヒータが用いられる例が多い。
その場合、それぞれのヒータは独立の加熱をなしうる如
くに別個に制御されることが要求されるので、各ヒータ
は断熱スペーサーで隣のヒータから遮断されることが必
要となる。
上記した加熱システムの1例は本願出願人の開発した無
接触ベーキングシステムであり、それは第1図の概略断
面図に示される。同図において1は中空石英管、2と2
′はゲート、3はウェハ、4はエアヘアリング・ヒータ
・温度センサ・ユニット、5は空気噴出孔、6は空気加
熱用ヒータ、7は温度センサ、8は装置のための排気管
を示す。
ウェハは、空気噴出孔5から噴出する空気で図に矢印で
示す方向に進められている間に加熱された空気でベーキ
ングされる。ウェハに対しては種々の異なった条件での
加熱が要求され、ユニット4のヒータ6をそれぞれ独立
に加熱するために、各(2) ユニットが互いに熱的に遮断されていることが必要であ
る。
かかる断熱のためのスペーサーにアスへろトを用いたと
すると、アスベストから発生するゴミがウェハに付着し
て好ましくない。また、断熱スペーサーが加熱されてガ
スや湿気を発生し、ウェハを汚染することがあってもな
らない。本願の発明者の調査した限りにおいζ、十分な
断熱効果をもち、しかもゴミその他の汚染を発生するこ
とのない断熱スペーサーは未だ開発されていない。
(4)発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、十分な遮断効果をもち
、ゴミ、汚染物等を発生することのない断熱スペーサー
を提供することを目的とする。
(5)発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、中空二重構造体を形
成し、この構造体の内方中空体は真空に保ち、この内方
中空体を囲む外方中空体には冷却用流体を通す構成とし
た真空断熱スペーサーを提供することによって達成され
る。
(3) (6)発明の実施例 以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
第2図に本発明にかかる真空断熱スペーサー11の斜視
図が示され、同図において、12は中空の内方中空体、
13は内方中空体12を囲む中空の外方中空体を示す。
内方中空体12の底壁14には孔15があけられ、孔1
5からは排気管16が延び、排気管16ば、バルブ17
を介してロークリポンプ24(第1図)に埋結され、パ
ルプ17を開き排気して内方中空体12を真空に保つ。
他方、中空の外方中空体13が内方中空体12を囲む(
内蔵する)如くに配置される。外方中空体13もまた中
空構造で、その底壁18には、排気管16が通る孔19
、冷却空気の取入れ用の空気供給管2゜のための孔21
および排気管23のための孔23が形成され、内方中空
体12と外方中空体13とは、排気管16の孔15と1
9との間の部分16′によって一体的な構造、すなわち
、外方中空体13内に内方中空体12が管の部分16′
によって支持された構成となっている。
(4) 使用において、内方中空体12は真空に保ち、冷却用空
気を空気供給管20から外方中空体13内に送り、排気
管22から排気する。排気および空気供給の方向は第2
図に矢印で示す。内方中空体は真空に保たれているので
熱遮断の効果を発揮し、冷却空気は外方中空体および内
方中空体を雷に冷却した状態に保つから、真空断熱スペ
ーサー11は十分な断熱効果を発揮する。
スペーサー11の材質には、ガラス、セラミック等の熱
伝導率の小なる材料を用いる。スペーサー11はその構
造から理解され得る如く、それ自体なんらのゴミ等を発
生ずるものでなく、また冷却用空気は外方中空体の閉さ
れた空間内を流れ外部に流出することは全くないから、
冷却空気による汚染の危険もない。
真空断熱スペーサ−11は、例えば第1図に示す如くに
使用可能才あり、同図において、24は真空排気用のロ
ークリポンプを示す。冷却空気の供給排気機構は浦富の
技術できわめて容易に組み込むことができる。なお同図
において、排気機構は(5) 図の下方のスペーサーについてのみ示されるが、図の上
方のスペー号−についても同様である。
なお上記において、外方中空体13の冷却には空気を用
いる例をとったが、空気に代えその他の気体、水その他
の液体を用いうろことはいうまでもない。
また、内方および外方の中空体は直方体形状のものを図
示したが、本発明の真空11i熱スペーサーは図示の形
状のものに限定されるものでなく、使用上の条件に応じ
任意の形状をとりうるちのであり、要は上記に説明した
二重構造のものであることである。
(7)発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明の真空断熱スペー
サーにおいては、真空と冷却流体を効率良く利用するこ
とにより、ヘーキングの如き熱処理において加熱ユニッ
ト間の十分な断熱効果を発揮し、種々の異なった温度条
件での熱処理を可能にするだけでなく、それ自体、ゴミ
、汚染物質等を発生することが皆無であって、製品加工
にお(6) げる品質管理、歩留り向上に効果大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は無接触ヘーキングシステムの概略断面図、第2
図は本発明にかかる真空断熱スペーサーの斜視図である
。 11−真空断熱スペーサ−112−内方中空体、13−
外方中空体、14−底壁、15一孔、16−排気管、1
6’−排気管の一部分、17−・−バルブ、1F−底壁
、19一孔、2〇−空気供給管、21一孔、22−排気
管、23一孔、24− ロータリポンプ 特 許 出願人  富士通株式会社 (7)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 内方中空体とそれを囲む外方中空体との二重構造体であ
    り、内方中空体は真空に保たれ、外方中空体には冷却用
    流体が供給され排出される構成とした真空断熱スペーサ
    ー。
JP11311582A 1982-06-30 1982-06-30 真空断熱スペ−サ− Pending JPS594021A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11311582A JPS594021A (ja) 1982-06-30 1982-06-30 真空断熱スペ−サ−

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11311582A JPS594021A (ja) 1982-06-30 1982-06-30 真空断熱スペ−サ−

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS594021A true JPS594021A (ja) 1984-01-10

Family

ID=14603885

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11311582A Pending JPS594021A (ja) 1982-06-30 1982-06-30 真空断熱スペ−サ−

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JP (1) JPS594021A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01241124A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Tokyo Electron Ltd レジスト被塗布体の加熱装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01241124A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Tokyo Electron Ltd レジスト被塗布体の加熱装置
JPH0750674B2 (ja) * 1988-03-23 1995-05-31 東京エレクトロン株式会社 レジスト被塗布体の加熱装置

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