TW202006172A - 用於SiC高溫氧化製程的製作腔室及熱處理爐 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於SiC高溫氧化製程的製作腔室及熱處理爐，該製作腔室包括：筒狀隔熱裝置，內部具有封閉的隔熱空間；隔熱板組件，包括複數個沿垂直方向疊置在一起的隔熱板；隔熱板元件鄰接設置在筒狀隔熱裝置的上方；以及工藝舟，用於承載被加工工件；工藝舟鄰接設置在隔熱板組件的上方。本發明提供的用於SiC高溫氧化製程的製作腔室，其不僅具有較高的使用溫度、較小的爐腔體積，而且可以簡化設備整體結構。

Description

用於SiC高溫氧化製程的製作腔室及熱處理爐
本發明涉及半導體製造領域，具體地，涉及一種用於SiC高溫氧化製程的製作腔室及熱處理爐。
SiC材料具有寬頻隙、高飽和漂移速度、高熱導率、高臨界擊穿電場等突出優點，屬第三代半導體材料，適合製備高功率、高頻、高壓、高溫、抗輻照電子器件。
SiC材料是唯一可以直接氧化生長SiO2 薄膜的寬禁帶半導體，最常用的方法是採用高溫幹氧或濕氧的熱氧化方法來生長SiO2 薄膜，並且熱氧化製程獲得SiO2 薄膜和介面特性的品質是最好的。
SiC高溫氧化製程的溫度高達1500℃，常規高溫設備無法滿足製作要求。目前業內利用高溫氧化爐進行SiC片的高溫氧化製程，高溫氧化爐是SiC器件積體電路生產線的關鍵製作設備。
現有的一種高溫退火爐的最高溫度為1950℃，使用溫度較低，不利於離子啟動，器件電學性能不易提高。同時，製作腔內的隔熱擋板數量很多，腔室容積較大，不利於腔室製作溫度均勻性、氣密性、潔淨度等關鍵指標控制。此外，對進氣管路的冷卻的過渡結構冗長，不利於設備整體優化。
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種用於SiC高溫氧化製程的製作腔室及熱處理爐，其不僅具有較高的使用溫度、較小的爐腔體積，而且可以簡化設備整體結構。
為實現本發明的目的而提供一種用於SiC高溫氧化製程的製作腔室，包括：一筒狀隔熱裝置，內部具有封閉的隔熱空間；一隔熱板組件，包括複數個沿垂直方向疊置在一起的隔熱板；所述隔熱板組件鄰接設置在所述筒狀隔熱裝置的上方；以及一工藝舟，用於承載一被加工工件；所述工藝舟鄰接設置在所述隔熱板組件的上方。
較佳地，所述筒狀隔熱裝置包括：一石英筒，所述石英筒的一上端和一下端均為封閉端，內部形成封閉的所述隔熱空間，且所述石英筒設有貫穿其上端和下端的一穿孔；一石英管，所述石英管密封穿設在所述石英筒的所述穿孔內；以及一隔熱材料，填充在所述石英管與所述石英筒之間的所述隔熱空間內。
較佳地，所述製作腔室還包括一舟裝卸法蘭，所述舟裝卸法蘭密封抵靠在所述石英筒的下端，用於支撐所述筒狀隔熱裝置、所述隔熱板組件和所述工藝舟並能升降移動，一進氣管密封穿設在所述舟裝卸法蘭上並與所述石英管的內部連通。
較佳地，所述石英筒的下端設有一過濾孔，所述過濾孔將所述隔熱空間與所述石英筒的外部連通，且所述過濾孔內設有一篩檢程式；所述舟裝卸法蘭內設有一夾層管路，所述夾層管路的一端與所述過濾孔連通，所述夾層管路的另一端與一第二抽氣裝置連通。
較佳地，所述石英筒的一下端與所述舟裝卸法蘭之間設置有一第四密封圈，所述第四密封圈環繞在所述過濾孔周圍。
較佳地，所述石英筒的下端與所述舟裝卸法蘭之間還設置有一第五密封圈，並且所述石英管的一下端開口、所述過濾孔和所述第四密封圈均位於所述第五密封圈環繞的密封區域內。
較佳地，所述隔熱板元件設置有貫穿每個所述隔熱板厚度的一通氣孔，且所述通氣孔與所述石英管的內部連通，用於將製程氣體輸送至所述工藝舟所在區域。
較佳地，所述製作腔室還包括：一製作管體，所述製作管體的上端封閉，下端敞開；所述製作管體的軸向垂直設置；一內筒體，所述內筒體的上端和下端均敞開，且同軸設置在所述製作管體內部；所述內筒體與所述製作管體之間形成環形間隙；所述筒狀隔熱裝置、所述隔熱板組件和所述工藝舟能升入到所述內筒體內部；以及一工藝管法蘭，為環形結構；所述工藝管法蘭與所述製作管體的下端和所述內筒體的下端均密封連接；所述工藝管法蘭的頂面設有向下凹陷的一環形氣槽，所述環形氣槽與所述環形間隙對接連通；所述工藝管法蘭內設有與所述環形氣槽連通的一橫向氣道，所述橫向氣道與一第一抽氣裝置連通。
較佳地，所述工藝管法蘭對接安裝在一爐筒法蘭上；所述爐筒法蘭為環形結構，固定安裝在一製作管體上，所述爐筒法蘭位於所述工藝管法蘭的上方並圍繞在所述製作管體的外側周圍；所述工藝管法蘭的頂面設有向上突出的環一形凸緣，所述環形凸緣環繞在所述製作管體的外側周圍；並且，在所述爐筒法蘭的下表面設置有一環形凹槽，所述環形凸緣伸入到所述環形凹槽中；所述環形凸緣的上表面、所述環形凹槽的與所述環形凸緣的上表面相對的表面以及所述製作管體的外周壁共同構成一環形空間，所述環形空間內設有一第一密封圈。
較佳地，所述工藝管法蘭與所述爐筒法蘭內均設有一環形冷卻水道。
較佳地，在所述爐筒法蘭中設置有一測溫套管，所述測溫套管的檢測端位於所述爐筒法蘭的內周壁上，所述測溫套管的另一端穿過所述爐筒法蘭延伸出去；並且，在所述測溫套管中設置有一溫度感測器。
較佳地，所述製作管體、所述內筒體、所述隔熱板組件以及所述筒狀隔熱裝置均為圓柱體狀，並且同軸線設置；所述隔熱板元件的外緣與所述內筒體的內壁之間具有一間隙，用於將製作氣體輸送至所述工藝舟所在區域。
作為另一個技術方案，本發明還提供一種用於SiC高溫氧化製程的熱處理爐，所述熱處理爐包括本發明提供的上述製作腔室。
本發明具有以下有益效果： 本發明提供的用於SiC高溫氧化製程的製作腔室及熱處理爐的技術方案中，製作腔室包括筒狀隔熱裝置，內部具有封閉的隔熱空間；隔熱板組件，包括複數個沿垂直方向疊置在一起的隔熱板；以及工藝舟，鄰接設置在隔熱板組件的上方。通過配合使用筒狀隔熱裝置和隔熱板元件，可以更有效地阻隔工藝舟所在區域內的高溫輻射，從而可以提高工藝舟所在區域的使用溫度達到2000℃以上，以滿足高性能器件的製作要求，而且筒狀隔熱裝置和隔熱板元件的體積較小，從而可以減小爐腔體積，簡化設備整體結構。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖來對本發明提供的用於SiC高溫氧化製程的製作腔室及熱處理爐進行詳細描述。
請參閱第一圖，本發明實施例提供的用於SiC高溫氧化製程的製作腔室，其包括筒狀隔熱裝置5、隔熱板元件和工藝舟(boat)3，其中，筒狀隔熱裝置5的內部具有封閉的隔熱空間。隔熱板組件包括複數個沿垂直方向疊置在一起的隔熱板4，該隔熱板組件鄰接設置在筒狀隔熱裝置5的上方。工藝舟3用於承載被加工工件，該工藝舟3鄰接設置在隔熱板組件的上方。
通過配合使用筒狀隔熱裝置5和隔熱板元件，可以使腔室內的溫度在垂直方向上呈階梯分佈，即，由下而上逐漸提高，例如，腔室在最下層的隔熱板4以下的區域的溫度為1300℃。由此，可以更有效地阻隔工藝舟3所在區域內的高溫輻射，進而可以工藝舟3所在區域的使用溫度提高到2000℃以上，以滿足高性能器件的製作要求，而且筒狀隔熱裝置5和隔熱板元件的體積較小，從而可以減小爐腔體積，簡化設備整體結構。
此外，由於上述筒狀隔熱裝置5的隔熱效果較好，可以在使用溫度滿足製作要求的前提下，降低加熱功率，從而可以降低製作成本。
在本實施例中，如第二圖所示，筒狀隔熱裝置5包括石英筒51、石英管52和隔熱材料53，其中，石英筒51的上端和下端均為封閉端，石英筒51內部形成封閉的隔熱空間，且石英筒51設有貫穿其上端和下端的穿孔，最佳地，該穿孔位於石英筒51的縱向軸線上；石英管52密封穿設在石英筒51的該穿孔內，作為供製作氣體通過的進氣管道，該石英管52的進氣口與外部的氣源管路連接。隔熱材料53填充在石英管52與石英筒51之間的隔熱空間內。該隔熱材料53例如為保溫棉。當然，在實際應用中，隔熱空間內也可以是真空的。
在本實施例中，隔熱板元件設置有貫穿每個隔熱板4厚度的通氣孔41，且該通氣孔41與上述石英管52的內部連通，用於將製作氣體輸送至工藝舟3所在區域。
視情況而定，隔熱板4與腔室內壁之間具有環形間隙，這樣，製作氣體在經由通氣孔41進入工藝舟3所在區域的同時，還能夠經由該環形間隙進入工藝舟3所在區域。由此，可以使製作氣體更均勻地進入製作區，從而可以提高製作均勻性。
另外，借助筒狀隔熱裝置5和隔熱板元件，可以使腔室在製作區以下的區域的溫度在垂直方向上呈階梯分佈，從而使經過石英管52和通氣孔41的製作氣體能夠在到達製作區之前被預熱，從而可以提高製作效率。
在本實施例中，工藝舟3鄰接設置在隔熱板組件5的上方，用於承載被加工工件。具體地，工藝舟3包括支架，在該支架上設置有沿垂直方向間隔排布的固定槽，每個固定槽用於承載一個被加工工件。在實際應用中，固定槽的數量可以達到50個，且工藝舟3可以用於裝載多種規格的被加工工件，例如直徑為6寸或者4寸的SiC晶圓。
在本實施例中，製作腔室還包括舟裝卸法蘭(flange)10，該舟裝卸法蘭10密封抵靠在石英筒51的下端，用於支撐筒狀隔熱裝置5、隔熱板元件和工藝舟3並能作升降移動，進氣管22密封穿設在舟裝卸法蘭10上並與石英管52的內部連通。
在本實施例中，如第三圖所示，石英筒51的下端設有過濾孔，該過濾孔將上述隔熱空間與石英筒51的外部連通，且過濾孔內設有篩檢程式14，用於過濾自隔熱結構5排出的氣體中的雜質。並且，舟裝卸法蘭10內設有夾層管路13，該夾層管路13的一端與過濾孔連通，夾層管路13的另一端與第二抽氣裝置（圖中未示出）連通。借助篩檢程式14和夾層管路13，可以抽取並過濾隔熱空間內的氣體，保證隔熱空間內的材料放出的氣體不會對工藝舟3所在區域造成污染，從而可以提高腔室內的潔淨度。
在本實施例中，石英筒51的下端與舟裝卸法蘭10之間設置有第四密封圈18，該第四密封圈18環繞在上述過濾孔周圍，用於密封過濾孔，從而保證隔熱空間的密封性。視情況而定，第四密封圈18為V型密封圈。
在本實施例中，石英筒51的下端與舟裝卸法蘭10之間還設置有第五密封圈19，並且石英管51的下端開口、過濾孔和第四密封圈19均位於第五密封圈18環繞的密封區域內。視情況而定，第五密封圈19為星型密封圈。
在本實施例中，製作腔室還包括製作管體1、內筒體2和工藝管法蘭9。其中，製作管體1的上端封閉，下端敞開；並且，製作管體1的軸向垂直設置。內筒體2的上端和下端均敞開，且同軸設置在製作管體1內部；內筒體2與製作管體1之間形成環形間隙11。並且，筒狀隔熱裝置5、隔熱板元件和工藝舟3能夠相對於內筒體2作升降運動，以能升入到內筒體2內部，或者自內筒體2移出。這樣，可以更方便地對工藝舟3進行更換，以及對筒狀隔熱裝置5、隔熱板元件和工藝舟3等的零件進行維護。
視情況而定，製作管體1和內筒體2均採用超純石墨製作，且在二者的內、外表面形成熱解碳塗層，以保證腔室內部的氣密性。
如第一圖和第三圖所示，工藝管法蘭9為環形結構，該工藝管法蘭9與製作管體1的下端和內筒體2的下端均密封連接；並且，工藝管法蘭9的頂面設有向下凹陷的環形氣槽91，該環形氣槽91與環形間隙11對接連通；工藝管法蘭9內設有與環形氣槽91連通的橫向氣道92，該橫向氣道92與第一抽氣裝置8連通。環形間隙11、環形氣槽91和橫向氣道92，構成與內筒體2內部連通的排氣通道，完成反應的氣體經由該排氣通道排出。
在本實施例中，工藝管法蘭9對接安裝在爐筒法蘭7上，該爐筒法蘭7為環形結構，固定安裝在製作管體1上，並且爐筒法蘭7位於工藝管法蘭9的上方並圍繞在製作管體1的外側周圍。
視情況而定，在舟裝卸法蘭10與工藝管法蘭9之間設置有第二密封圈16，用於對二者之間的間隙進行密封，從而保證製作管體1與內筒體2之間的環形間隙以及內筒體2內部的封閉性。
在本實施例中，夾層管路13的出氣端131位於舟裝卸法蘭10與工藝管法蘭9之間；並且，第二密封圈16位於夾層管路13的出氣端131的內側；並且，在舟裝卸法蘭10與工藝管法蘭9之間設置有第三密封圈17，該第三密封圈17位於夾層管路13的出氣端131的外側。借助上述第二密封圈16和第三密封圈17，可以對舟裝卸法蘭10與工藝管法蘭9之間的間隙進行雙重密封，同時對夾層管路13的出氣端131進行密封。
視情況而定，第三密封圈17為V型密封圈。這種密封圈的變形量較大，密封效果較好。第二密封圈16可以為O型密封圈。
並且，工藝管法蘭9的頂面設有向上突出的環形凸緣94，該環形凸緣94環繞在製作管體1的外側周圍；並且，在爐筒法蘭7的下表面設置有環形凹槽，環形凸緣94伸入到該環形凹槽中。環形凸緣94的上表面、環形凹槽的與環形凸緣94的上表面相對的表面以及製作管體1的外周壁共同構成環形空間，該環形空間內設有第一密封圈6，用於對工藝管法蘭9與製作管體1之間的間隙進行密封，從而保證製作管體1內的封閉性。視情況而定，該第一密封圈6為全氟橡膠圈。
綜上所述，借助由上述第一隻第五密封圈構成的密封系統，可以提高腔室的氣密性，有效降低整個系統的氣體洩漏量。
在本實施例中，工藝管法蘭9內設置有環形的第一冷卻通道93，通過向該第一冷卻通道93中通入冷卻媒介（例如冷卻水）來冷卻工藝管法蘭9，進而間接冷卻工藝管法蘭9附近的零件。同樣的，爐筒法蘭7內設有環形的第二冷卻通道71。通過向第二冷卻通道71中通入冷卻媒介來冷卻爐筒法蘭7，從而間接冷卻爐筒法蘭7附近的零件。
借助上述第一冷卻通道93和第二冷卻通道71，可以有效降低高溫對密封圈的影響，從而可以避免密封圈在高溫條件下失效。通過實驗發現，上述第一冷卻通道93和第二冷卻通道71可以將密封圈的溫度變化控制在200℃以下。
在本實施例中，如第四圖所示，在爐筒法蘭7中設置有測溫套管20，該測溫套管20的檢測端位於爐筒法蘭7的內周壁上，以能夠靠近製作管體1。測溫套管20的另一端穿過爐筒法蘭7延伸出去；並且，在測溫套管20中設置有溫度感測器21。
視情況而定，測溫套管20為波紋管。最佳地，該波紋管的外徑很小，以滿足超高溫環境的使用。
在本實施例中，製作管體1、內筒體2、隔熱板元件以及筒狀隔熱裝置5均為圓柱體狀，並且同軸線設置；並且，隔熱板元件的外緣與內筒體2的內壁之間具有間隙，用於將製作氣體輸送至工藝舟3所在區域。這樣，製作氣體在經由隔熱板4的通氣孔41進入工藝舟3所在區域的同時，還能夠經由隔熱板元件的外緣與內筒體2的內壁之間的間隙進入工藝舟3所在區域。由此，可以使製作氣體更均勻地進入製作區，從而可以提高製作均勻性。
通過實驗發現，本發明提供的製作腔室，其最高溫度達到2000℃以上；腔室的氣體洩漏率小於1E-7mbar.l/s；腔室的金屬污染率小於1E+11atoms/cm2 。
需要說明的是，本發明提供的製作腔室可以應用在例如SiC晶圓的高溫真空熱處理製程中。或者，通過更換熱處理爐的相應零件（例如製作管體）的材料，而無需改變結構，本發明提供的製作腔室還可以應用在溫度較低的諸如矽片的熱處理製程中。
綜上所述，本發明提供的製作腔室，其包括筒狀隔熱裝置，內部具有封閉的隔熱空間；隔熱板組件，包括複數個沿垂直方向疊置在一起的隔熱板；以及工藝舟，鄰接設置在隔熱板組件的上方。通過配合使用筒狀隔熱裝置和隔熱板元件，可以更有效地阻隔工藝舟所在區域內的高溫輻射，從而可以提高工藝舟所在區域的使用溫度達到2000℃以上，以滿足高性能器件的製作要求，而且筒狀隔熱裝置和隔熱板元件的體積較小，從而可以減小腔室體積，簡化設備整體結構。
作為另一個技術方案，本發明還提供一種熱處理爐，其包括本發明提供的上述製作腔室。
本發明提供的熱處理爐，其通過採用本發明提供的上述製作腔室，不僅具有較高的使用溫度、較小的腔室體積，而且可以簡化設備整體結構。
可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不局限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
1‧‧‧製作管體2‧‧‧內筒體3‧‧‧工藝舟4‧‧‧隔熱板5‧‧‧筒狀隔熱裝置6‧‧‧第一密封圈7‧‧‧爐筒法蘭8‧‧‧第一抽氣裝置9‧‧‧工藝管法蘭10‧‧‧舟裝卸法蘭11‧‧‧環形間隙13‧‧‧夾層管路16‧‧‧第二密封圈17‧‧‧第三密封圈18‧‧‧第四密封圈19‧‧‧第五密封圈20‧‧‧測溫套管21‧‧‧溫度感測器22‧‧‧進氣管41‧‧‧通氣孔51‧‧‧石英筒52‧‧‧石英管53‧‧‧隔熱材料71‧‧‧第二冷卻通道91‧‧‧環形氣槽92‧‧‧橫向氣道93‧‧‧第一冷卻通道94‧‧‧環形凸緣131‧‧‧出氣端
第一圖為本發明實施例提供的用於SiC高溫氧化製程的製作腔室的剖視圖。
第二圖為本發明實施例採用的筒狀隔熱裝置的剖視圖。
第三圖為第一圖中I區域的放大圖。
第四圖為本發明實施例採用的測溫套管的結構圖。
1‧‧‧製作管體
2‧‧‧內筒體
3‧‧‧工藝舟
4‧‧‧隔熱板
5‧‧‧筒狀隔熱裝置
6‧‧‧第一密封圈
7‧‧‧爐筒法蘭
8‧‧‧第一抽氣裝置
9‧‧‧工藝管法蘭
10‧‧‧舟裝卸法蘭
11‧‧‧環形間隙
13‧‧‧夾層管路
22‧‧‧進氣管
41‧‧‧通氣孔
52‧‧‧石英管
71‧‧‧第二冷卻通道
91‧‧‧環形氣槽
92‧‧‧橫向氣道
93‧‧‧第一冷卻通道

Claims (13)

  1. 一種用於SiC高溫氧化製程的製作腔室，包括： 一筒狀隔熱裝置，內部具有封閉的一隔熱空間； 一隔熱板組件，包括複數個沿垂直方向疊置在一起的隔熱板；所述隔熱板組件鄰接設置在所述筒狀隔熱裝置的上方；以及 一工藝舟，用於承載一被加工工件；所述工藝舟鄰接設置在所述隔熱板組件的上方。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製作腔室，其中所述筒狀隔熱裝置包括： 一石英筒，所述石英筒的上端和下端均為封閉端，內部形成封閉的所述隔熱空間，且所述石英筒設有貫穿其上端和下端的一穿孔； 一石英管，所述石英管密封穿設在所述石英筒的所述穿孔內；以及 一隔熱材料，填充在所述石英管與所述石英筒之間的所述隔熱空間內。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之製作腔室，其中所述製作腔室還包括一舟裝卸法蘭，所述舟裝卸法蘭密封抵靠在所述石英筒的下端，用於支撐所述筒狀隔熱裝置、所述隔熱板組件和所述工藝舟並能升降移動，進氣管密封穿設在所述舟裝卸法蘭上並與所述石英管的內部連通。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之製作腔室，其中所述石英筒的下端設有一過濾孔，所述過濾孔將所述隔熱空間與所述石英筒的外部連通，且所述過濾孔內設有一篩檢程式；所述舟裝卸法蘭內設有一夾層管路，所述夾層管路的一端與所述過濾孔連通，所述夾層管路的另一端與一第二抽氣裝置連通。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之製作腔室，其中所述石英筒的下端與所述舟裝卸法蘭之間設置有一第四密封圈，所述第四密封圈環繞在所述過濾孔周圍。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之製作腔室，其中所述石英筒的下端與所述舟裝卸法蘭之間還設置有一第五密封圈，並且所述石英管的下端開口、所述過濾孔和所述第四密封圈均位於所述第五密封圈環繞的密封區域內。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之製作腔室，其中所述隔熱板元件設置有貫穿每個所述隔熱板厚度的一通氣孔，且所述通氣孔與所述石英管的內部連通，用於將製作氣體輸送至所述工藝舟所在區域。
  8. 如申請專利範圍第3項所述之製作腔室，其中所述製作腔室還包括： 一製作管體，所述製作管體的上端封閉，下端敞開；所述製作管體的軸向垂直設置； 一內筒體，所述內筒體的上端和下端均敞開，且同軸設置在所述製作管體內部；所述內筒體與所述製作管體之間形成環形間隙；所述筒狀隔熱裝置、所述隔熱板組件和所述工藝舟能升入到所述內筒體內部；以及 一工藝管法蘭，為環形結構；所述工藝管法蘭與所述製作管體的下端和所述內筒體的下端均密封連接；所述工藝管法蘭的頂面設有向下凹陷的一環形氣槽，所述環形氣槽與所述環形間隙對接連通；所述工藝管法蘭內設有與所述環形氣槽連通的一橫向氣道，所述橫向氣道與一第一抽氣裝置連通。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之製作腔室，其中所述工藝管法蘭對接安裝在一爐筒法蘭上；所述爐筒法蘭為環形結構，固定安裝在所述製作管體上，所述爐筒法蘭位於所述工藝管法蘭的上方並圍繞在所述製作管體的外側周圍；所述工藝管法蘭的頂面設有向上突出的一環形凸緣，所述環形凸緣環繞在所述製作管體的外側周圍；並且，在所述爐筒法蘭的下表面設置有一環形凹槽，所述環形凸緣伸入到所述環形凹槽中；所述環形凸緣的上表面、所述環形凹槽的與所述環形凸緣的上表面相對的表面以及所述製作管體的外周壁共同構成一環形空間，所述環形空間內設有一第一密封圈。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之製作腔室，其中所述工藝管法蘭與所述爐筒法蘭內均設有一環形冷卻水道。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之製作腔室，其中在所述爐筒法蘭中設置有測溫套管，所述測溫套管的檢測端位於所述爐筒法蘭的內周壁上，所述測溫套管的另一端穿過所述爐筒法蘭延伸出去；並且，在所述測溫套管中設置有一溫度感測器。
  12. 如申請專利範圍第8項至第11項中任一項所述之製作腔室，其中所述製作管體、所述內筒體、所述隔熱板組件以及所述筒狀隔熱裝置均為圓柱體狀，並且同軸線設置；所述隔熱板元件的外緣與所述內筒體的內壁之間具有間隙，用於將製作氣體輸送至所述工藝舟所在區域。
  13. 一種用於SiC高溫氧化製程的熱處理爐，其中所述熱處理爐包括申請專利範圍第1項至第12項任一項所述之製作腔室。
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