JPH07135171A - 塗膜の処理方法及び処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 大径で表面に段差が付いている基板であって
も、塗膜厚さの均一性の向上が図れる塗膜の処理方法及
び処理装置を提供する。 【構成】 スピンコーティングにより基板上に塗布した
レジスト塗膜を処理する塗膜処理方法であって、基板上
にレジストを塗布して塗膜を形成し、塗膜に含まれる溶
剤が無くならないうちに溶剤の過飽和雰囲気中に基板を
搬入し、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流動するに
十分な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度域で基板
を加熱する第１の加熱工程と、基板を溶剤の過飽和雰囲
気から搬出し、塗膜に含まれる溶剤を揮発させるため
に、前記第１の加熱工程よりも高い温度域で基板を加熱
する第２の加熱工程と、を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主に半導体素子やＬＣ
Ｄ基板などの製造工程において、ウエハやＬＣＤガラス
板等の被塗布物表面に塗布した例えばレジスト膜などの
塗膜を加熱して乾燥処理する塗膜の処理方法及び処理装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造プロセス
では、半導体ウエハのレジスト膜にフォトリソグラフィ
ー技術を用いて所定の回路パターンを転写し、現像処理
することなどが行われている。このようなリソグラフィ
ー工程におけるレジスト処理技術は、ステッパ（マスク
アライナ）の機能・特性並びに後のドライエッチングの
性能を最大限に引き出すために重要である。

【０００３】レジスト溶液は、高分子材料（感光性樹
脂）に溶剤を添加したものである。このようなレジスト
溶液を半導体ウエハの表面に均一に塗布することでレジ
スト膜が形成される。

【０００４】このレジスト塗布工程（レジストコート）
では、スピンコーティング法が多く採用されている。即
ち、回転塗布装置（スピンナー）を用い、レジスト溶液
をウエハの表面（上面）中心部に滴下して回転すること
で、該滴下溶液を回転遠心力によりウエハの表面全域に
均一に拡散塗布してレジスト膜を形成する。このスピン
コーティング時、レジスト膜はウエハの回転風や飛沫排
気風により流動性を失う程度に乾燥される。

【０００５】このレジストコート後は、加熱処理装置
（ベーキング装置）を用いてウエハを８０〜１１０℃の
温度で数秒間プレベークし、レジスト膜を乾燥する。ベ
ーキング装置にはホットプレートやオーブンや赤外線加
熱等の各種方式のものがある。これら従来のベーキング
装置はいずれも排気手段を備えており、プリベーク時に
レジスト膜から蒸発する溶剤を排気手段によってチャン
バ外へ強制排気する。プレベーク後、レジスト膜は露光
され、現像され、ポストベーク（ハードベーク）され、
エッチングされ、最後に除去される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、既に幾層か
の回路パターンを盛り重ねたチップがウェハ上に形成さ
れている状態で、スピンコーティング法によりレジスト
溶液をウエハ表面全域に塗布すると、レジスト膜の膜厚
の均一性が悪くなる。

【０００７】この理由は、レジスト塗布されるべきウエ
ハ表面に段差（凹凸）が存在するからである。つまり、
レジスト溶液は、ウェハ上にて分散するときに、段差付
きの各チップ上にて回転遠心力によりウエハ回転中心か
ら外方向並びに反回転方向に押し寄せられる。更に、ウ
エハの回転周速を考えると、外側（周縁部）の方が内側
（中心部）よりも速く、それだけ外側のレジスト溶液が
強い回転風を受けて内側のそれよりも早く乾燥し、この
上に内側方の未乾燥のレジスト液が流れて来て乗っか
る。

【０００８】こうしたことから、パターン形成済みウエ
ハ上にレジストを塗布すると、レジスト膜中には一種の
内部ストレスが溜まり、図６に示すように、ウエハ回転
半径方向に膜厚の差が生じる。しかも、レジスト膜の膜
厚差は、ウエハ中央部のチップＡよりもウェハ周縁部寄
りのチップＢ，Ｃの方が大きくなる。このような膜厚差
は、ウエハ径が６インチから８インチへと大きくなるに
従ってさらに大きくなる。

【０００９】こうした状態で、次のプレベーク工程で１
００℃前後で高温加熱すると、レジスト膜が前述の如き
ストレスを残したまま（膜厚差を持ったまま）乾燥硬化
してしまい、膜厚の均一性が得られない。このために、
その後のステッパの機能・特性並びに後のドライエッチ
ングの性能などに支障を来すことになる。

【００１０】本発明の目的は、ウエハ上にスピンコーテ
ィングしたレジスト膜に生じるストレスを容易に低減す
ることができ、大径で表面に段差が付いている基板であ
っても、塗膜厚さの均一性の向上が図れる塗膜処理方法
及びその装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の塗膜の処理方法
は、スピンコーティングにより基板上に塗布したレジス
ト塗膜を処理する塗膜処理方法であって、基板上にレジ
ストを塗布して塗膜を形成し、塗膜に含まれる溶剤が無
くならないうちに溶剤の過飽和雰囲気中に基板を搬入
し、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流動するに十分
な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度域で基板を加
熱する第１の加熱工程と、基板を溶剤の過飽和雰囲気か
ら搬出し、塗膜に含まれる溶剤を揮発させるために、前
記第１の加熱工程よりも高い温度域で基板を加熱する第
２の加熱工程と、を具備することを特徴とする。

【００１２】第１の加熱工程では、基板に内容量の小さ
なカバーを被せて、塗膜から溶剤の蒸発を抑制しながら
低温加熱することが望ましい。本発明の塗膜の処理装置
は、チャンバと、塗膜に含まれる溶剤が無くならないう
ちに基板を前記チャンバ内に搬入する手段と、前記チャ
ンバ内にて基板を実質的に水平に支持する載置台と、基
板の周囲に溶剤の過飽和雰囲気をつくりだすために基板
を覆うカバーと、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流
動するに十分な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度
域で基板を加熱する加熱手段と、を具備することを特徴
とする。

【００１３】

【作用】本発明の塗膜の処理方法においては、まず第１
の加熱工程で塗膜を加熱し、溶剤の揮発を抑制しながら
塗膜の粘性を低下させる。第１加熱工程では塗膜が流動
するので、スピンコーティングにより塗膜に生じている
内部ストレスが減少し、塗膜の部分的な膜厚差が小さく
なる。

【００１４】

【実施例】以下、添付の図面を参照しながら本発明の種
々の実施例について説明する。図１に示すように、レジ
スト処理システム１の一端側にカセットステーション
（ローダ部）２が設けられ、多数枚の半導体ウエハＷを
収容したカセットが搬入されるようになっている。ロー
ダ部２には複数の処理室６，７，８，９，１２，１３を
含む第１のプロセス部１５が連結されている。第２のプ
ロセス部１７はインターフェイス部１６を介して第１の
プロセス部１５に連結されている。第２のプロセス部１
７は複数の処理室１０，１１，１３，１４を含んでい
る。第１及び第２のプロセス部１５，１７の中央には移
送路４がそれぞれ設けられ、移載アーム機構３が各移送
路４に沿ってそれぞれ走行可能に設けられている。移載
アーム機構３はカセットからウエハＷを一枚ずつ取り出
して各処理室６〜１４に搬送するようになっている。な
お、第２プロセス部１５の他端側には露光装置（図示せ
ず）が連結されている。

【００１５】処理室６〜１４は移送路４の両側に配設さ
れている。第１プロセス部１５の移送路４の一方側には
ブラシ洗浄室６、高圧ジェット洗浄室７、アドヒージョ
ン室８、クーリング室９が順に並んでいる。さらに第２
プロセス部１７の移送路４の一方側には塗膜処理室５
０、塗膜処理室１０、プリベーキング室１１が順に並ん
でいる。

【００１６】第１プロセス部１５の移送路４の他方側に
はレジスト塗布室１２およびレジスト除去室１３が順に
並んでいる。レジスト塗布室１２にはスピンコータ（図
示せず）が設けられている。さらに第２プロセス部１７
の移送路４の他方側には２台の現像室１４が並んでい
る。

【００１７】次に、図２を参照しながら塗膜処理装置１
０について説明する。塗膜処理装置１０は蓋２１ａ付き
のボックスフレーム２１を備えている。フレーム２１の
一側面には挿脱口２２が形成されている。この挿脱口２
２を介してレジスト塗布済みのウエハＷが移載アーム３
によって装置１０内に搬入搬出されるようになってい
る。フレーム２１の内部中央には載置台２３が設けら
れ、載置台２３は複数本の脚２４によりフレーム２１に
固定されている。

【００１８】載置台２３の上面部にはホットプレート２
５，２６が同軸に設けられている。内外周ホットプレー
ト２５，２６にはそれぞれヒータエレメント（面状発熱
体）が２５ａ，２６ａが埋設されている。各ヒータエレ
メント２５ａ，２６ａは電源７２に接続され、さらに電
源７２は制御器７０の出力側に接続されている。内周ホ
ットプレート２５には温度センサー２７が設けられ、外
周ホットプレート２６には温度センサー２８が設けられ
ている。これらの温度センサー２７，２８は制御器７０
の入力側にそれぞれ接続されている。

【００１９】制御器７０は、ＣＰＵやメモリを内蔵して
おり、温度検出信号を受けて、これに基づきウエハＷが
３０℃〜６０℃の範囲に加熱されるように電源７２を制
御するようになっている。電源７２は、内外周ホットプ
レート２５，２６へそれぞれ別々に給電しうる回路を有
している。なお、スピンコーティングされたレジスト膜
においてはウエハＷの中央領域よりも周縁領域のほうが
ストレスが大きいので、外周ホットプレート２６のほう
を内周ホットプレート２５よりも少し高めの温度になる
ように制御してもよい。

【００２０】３つの貫通孔３０が載置台２３の上面にて
開口している。各貫通孔３０には支持ピン３１がそれぞ
れ挿入されている。各支持ピン３１の下端は第１昇降機
構３２の昇降アーム３３にそれぞれ固定されている。第
１昇降機構３２は、外囲フレーム２１の背面側に設置さ
れたモータとボールねじとシリンダを有している。これ
ら３本の支持ピン３１を載置台２３から突出させると、
ウエハＷが載置台２３から離れるようになっている。

【００２１】載置台２３の上方には密封カバー３５が設
けられている。密封カバー３５には第２昇降機構（シリ
ンダ）４４のロッド４５が連結されている。シリンダ４
４はエア供給源７４に配管回路によって接続されてい
る。ロッド４５をシリンダ４４から突出させるとカバー
３５が載置台２３から離れ、ロッド４５をシリンダ４４
内に退入させるとカバー３５が載置台２３に被せられる
ようになっている。密封カバー３５を載置台２３に被せ
た状態では、間隙Ｌ₁ は１０mm以下であることが望まし
い。この間隙Ｌ₁ は３〜５mmの範囲にあることが最適で
ある。

【００２２】溶剤供給源（図示せず）がバルブ４２及び
溶剤供給ホース４３を介して溶剤導入孔４０に連通して
いる。溶剤導入孔４０は環状溝４１に連通し、さらに環
状溝４１は載置台２３の上面周縁部にて開口している。
環状溝４１の径はウェハの径よりも大きい。なお、溶剤
供給源の中にはシンナー或いは水等の溶剤が収容されて
いる。

【００２３】次に、図３及び図４を参照しながら第１実
施例の塗膜処理方法について説明する。ステーション２
にカセットを搬入し、移載アーム機構３によりカセット
から１枚のウエハＷを取り出し、これを第１プロセス部
１５に搬入する。ウェハＷを処理室６でブラシ洗浄し、
処理室７で高圧ジェット洗浄し、スピン乾燥し、さらに
処理室８でアドヒージョン処理する（工程Ｓ１）。ウエ
ハＷを処理室９で冷却し、これを処理室１２に搬入し、
ここでウエハＷ表面にレジスト溶液をスピン塗布する
（工程Ｓ２）。

【００２４】スピン塗布後、ただちにウエハＷを第１プ
ロセス部１５から第２プロセス部１７へ搬送する。ウェ
ハ搬送所要時間は短ければ短いほどよく、レジスト液が
乾燥しないうちにウェハＷを処理室１０に搬入する（工
程Ｓ３）。

【００２５】ウエハＷを３本の支持ピン３１で受け、次
いでピン３１を載置台２３のなかに退入させ、ウエハＷ
を載置台２３の上面に接触させる。これと同時にロッド
４５をシリンダ４４に退入させ、密封カバー３５を載置
台２３に被せる（工程Ｓ４）。載置台２３及びカバー３
５の間に形成された気密スペース内にウェハＷが位置す
る。この気密スペースは小容積である。

【００２６】ヒータエレメント２５ａ，２６ａに給電
し、ウエハＷを低温度域で加熱する（工程Ｓ５）。この
第１加熱工程Ｓ５の最適条件は、加熱温度が約５０℃、
加熱保持時間が約２０秒間である。この場合に、温度湿
度などの環境条件にも左右されるが、加熱温度は３０℃
〜６０℃の範囲とすることが好ましく、加熱保持時間は
４０〜１１０秒間の範囲とすることが好ましい。なお、
第１加熱工程Ｓ５では外周ホットプレート２６のほうを
内周ホットプレート２５よりも少しだけ高い温度として
もよい。この理由は塗布レジスト膜はウエハＷの周縁部
のほうが中央部よりも内部ストレスが大きいからであ
る。

【００２７】この第１加熱工程Ｓ５においては、溶剤の
過飽和蒸気雰囲気下にウェハＷはおかれているので、レ
ジスト膜は軟化し、その粘度が低下する。とくに、小容
積の気密スペース内でウエハＷを暖めるので、レジスト
膜に含まれる溶剤の蒸発が抑制され、乾燥硬化すること
なくレジスト膜の流動性が高まる。このため、レジスト
膜は軟らかくなり、その内部ストレスが減少する方向に
流動する。その結果、レジスト膜の局部的な膜厚差が小
さくなる。

【００２８】なお、本実施例では気密スペース内に環状
溝４１から溶剤蒸気を供給するようにしたが、このよう
な溶剤蒸気供給手段４０〜４２が無くとも気密スペース
の容積を十分に小さくすればよい。ただし、溶剤蒸気供
給手段４０〜４２を設ける場合は、気密スペースの容積
はある程度は大きくしてよい。

【００２９】第１加熱が完了すると、ロッド４５をシリ
ンダ４４から突出させ、カバー３５を載置台２３から持
ち上げる（工程Ｓ６）。そして、支持ピン３１を上昇さ
せて、ウエハＷを載置台２３から離し、移載アーム機構
３によりウェハＷを処理室１０から搬出する（工程Ｓ
７）。

【００３０】さらに、次の処理室１１にウェハＷを搬入
し、処理室１１内を排気しながらウェハＷをプレベーク
する（工程Ｓ８）。この第２加熱工程Ｓ８の最適条件
は、加熱温度が約９０℃、加熱保持時間が約９０秒間で
ある。なお、このプレベーク時の加熱温度は８０℃〜１
１０℃の範囲とすることが好ましく、加熱保持時間は６
０〜１２０秒間の範囲とすることが好ましい。このプレ
ベークによりウエハＷ表面のレジスト膜は乾燥硬化す
る。なお、第１加熱工程Ｓ５から第２加熱工程Ｓ８にい
たるまでの時間はとくに制限されない。

【００３１】次いで、露光室（図示せず）にウエハＷを
搬入し、レジスト膜を露光し（工程Ｓ９）、現像室１４
で現像し（工程Ｓ１０）、これを検査する（工程Ｓ１
１）。さらに処理室１１でウェハＷをハードベークし
（ポストベーク工程Ｓ１２）、これをパターンエッチン
グし（工程Ｓ１３）、検査し（工程Ｓ１４）、レジスト
を除去する（工程Ｓ１５）。

【００３２】次に、図５〜図７を参照しながらレジスト
膜厚のバラツキ変化につき説明する。図６は従来方法に
より形成したレジスト膜の膜厚をチップＡ，Ｂ，Ｃにつ
き調べた結果を示す特性線図（比較例）である。図７は
本発明方法により形成したレジスト膜の膜厚をチップ
Ａ，Ｂ，Ｃにつき調べた結果を示す特性線図（実施例）
である。比較例ではレジスト塗布後にプリベーク（第２
加熱工程）している。図５に示すようにチップＡはウェ
ハＷの中央部に位置し、チップＣはウェハＷの周縁部に
位置し、チップＢはチップＡとチップＣの中間に位置す
る。両図６，７から明らかなように、比較例では周縁位
置チップＢ，Ｃでレジスト膜厚のバラツキが大きいが、
実施例では周縁位置チップＢ，Ｃであってもレジスト膜
厚が実質的に均一になる。これは第１加熱工程Ｓ５によ
りレジスト膜の内部ストレスが小さくなったためであ
る。

【００３３】次に、図８を参照しながら第２実施例の塗
膜処理装置５０について説明する。なお、第２実施例が
上記の第１実施例と重複する部分については説明を省略
する。

【００３４】塗膜処理装置５０では第１加熱（低温加
熱）及び第２加熱（プレベーク）をともにできるように
なっている。すなわち塗膜処理装置５０にはさらに排気
手段５２，５３，７０，８２が付加されている。

【００３５】環状のシャッター部材５５が外囲フレーム
２１内の載置台２３を取り囲むように設けられている。
シャッター部材５５は第３昇降機構５６により上下動可
能に支持されている。第３昇降機構５６はボールねじ機
構（図示せず）及び駆動モータ（図示せず）を有してい
る。シャッター部材５５の周面部には複数の通風孔５５
ａが形成され、通風孔５５ａを介して外部から内部に清
浄空気が通風できるようになっている。

【００３６】排気手段として蛇腹状のフレキシブルダク
ト５２が、密封カバー８５の中央から蓋５１を貫通して
排風機８２に接続されている。このフレキシブルダクト
５２の途中にはダンパー５３が設けられている。排風機
８２及びダンパー５３は制御器７０によってそれぞれ動
作制御されるようになっている。

【００３７】次に、図９を参照しながら第２実施例の塗
膜処理方法について説明する。工程Ｓ２１〜Ｓ２２は上
記第１実施例の工程Ｓ１〜Ｓ２と実質的に同じである。
工程Ｓ３０〜Ｓ３６は上記第１実施例の工程Ｓ９〜Ｓ１
５と実質的に同じである。シャッター部材５５を第３昇
降機構５６により下降し、密封カバー８５を第２昇降機
構４４，４５，７４により上昇しておき、この状態でウ
エハＷを処理室５０内に搬入する（工程Ｓ２３）。

【００３８】ウエハＷを３本の支持ピン３１で受け、次
いでピン３１を載置台２３のなかに退入させ、ウエハＷ
を載置台２３の上面に接触させる。これと同時にロッド
４５をシリンダ４４に退入させ、密封カバー３５を載置
台２３に被せる（工程Ｓ２４）。ヒータエレメント２５
ａ，２６ａに給電し、ウエハＷを低温度域で加熱する
（工程Ｓ２５）。この第１加熱工程Ｓ２５の最適条件は
上記第１の実施例と同じである。

【００３９】第１加熱が完了すると、ロッド４５をシリ
ンダ４４から突出させ、カバー８５が上蓋５１に当接す
るまでカバー８５を上昇させる（工程Ｓ２６）。また、
シャッター部材５５を第３昇降機構５６により上昇さ
せ、シャッター部材５５の上端を上蓋５１に当接させ
る。そして、ダンパー５３を開け、排風機８２を駆動
し、チャンバ５０内を排気する（工程Ｓ２７）。さら
に、ヒータエレメント２５ａ，２６ａに給電し、ウェハ
Ｗをプレベークする（工程Ｓ２８）。この第２加熱工程
Ｓ２８の最適条件は上記第１の実施例と同じである。第
２加熱後、支持ピン３１を上昇させて、ウエハＷを載置
台２３から離し、移載アーム機構３によりウェハＷを処
理室５０から搬出する（工程Ｓ２９）。

【００４０】上記実施例によれば、同じチャンバ５０の
なかで第１加熱工程Ｓ２５と第２加熱工程Ｓ２８とを行
なうことができるので、スループットが向上する。な
お、上記各実施例ではウエハＷを上向き水平支持して第
１加熱したが、ウエハＷを逆さに支持して第１加熱して
もよい。

【００４１】また、ウエハＷの低温加熱並びに高温加熱
（プレベーク）の発熱源として、ヒータエレメント２
５，２６を内蔵したホットプレート加熱方式の熱盤２３
を用いたが、これ以外に例えばオーブン炉や赤外加熱方
式やマイクロウェーブ加熱方式のものを用いてもよい。

【００４２】また、本発明は前述の半導体ウエハＷへの
レジスト膜の処理についてのべたが、これ以外に例えば
ＬＣＤ基板等に塗布してレジスト膜や、その他、被塗布
物の表面にスピンコーティングした各種塗膜の熱処理に
適用してもよい。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェハ等の基板
上面にスピンコーティングしたレジスト塗膜に生じるス
トレスを容易に低減することができ、大径で表面に段差
（凹凸）が付いている基板であっても、塗膜厚さの均一
性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体ウエハのレジスト処理システムの外観を
示す斜視図。

【図２】第１の実施例に係る塗膜の処理装置を示す断面
図。

【図３】第１の実施例に係る塗膜の処理方法を示すフロ
ーチャート。

【図４】第１及び第２の加熱処理をしたときの温度変化
を示す特性線図。

【図５】パターン形成された半導体ウエハを模式的に示
す平面図。

【図６】従来の塗膜の処理方法により形成したレジスト
膜の膜厚変化を示す特性線図。

【図７】本発明の塗膜の処理方法により形成したレジス
ト膜の膜厚変化を示す特性線図。

【図８】第２の実施例に係る塗膜の処理装置を示す断面
図。

【図９】第２の実施例に係る塗膜の処理方法を示すフロ
ーチャートである。

【符号の説明】

１０，５０…塗膜処理装置、２１…ボックスフレーム、
２２…挿脱口、２３…載置台、２５，２６…ホットプレ
ート、２７，２８…センサ、３５…カバー、４０〜４３
…溶剤供給手段（４０…溶剤導入孔、４１…環状溝、４
２…バルブ、４３…溶剤供給ホース）、４４…シリン
ダ、５２，５３…排気手段（５２…フレキシブルダク
ト、５３…排気バルブ）

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スピンコーティングにより基板上に塗布
   したレジスト塗膜を処理する塗膜処理方法であって、 基板上にレジストを塗布して塗膜を形成し、 塗膜に含まれる溶剤が無くならないうちに溶剤の過飽和
   雰囲気中に基板を搬入し、塗膜の粘性を低下させ、かつ
   塗膜が流動するに十分な量の溶剤が塗膜中に存在しつづ
   ける温度域で基板を加熱する第１の加熱工程と、 基板を溶剤の過飽和雰囲気から搬出し、 塗膜に含まれる溶剤を揮発させるために、前記第１の加
   熱工程よりも高い温度域で基板を加熱する第２の加熱工
   程と、を具備することを特徴とする塗膜の処理方法。
2. 【請求項２】 第１加熱工程では、基板を載置台上にお
   き、これに小容量のカバーを被せて塗膜から溶剤の揮発
   を抑制しながら基板を加熱することを特徴とする請求項
   １記載の塗膜の処理方法。
3. 【請求項３】 カバーを基板に被せたときに、基板から
   カバーまでの距離が１０mm以下であることを特徴とする
   請求項２記載の塗膜の処理方法。
4. 【請求項４】 第１加熱工程では、基板を載置台上にお
   き、これにカバーを被せるとともに、溶剤の蒸気を基板
   の周囲に供給し、塗膜から溶剤の揮発を抑制しながら基
   板を加熱することを特徴とする請求項１記載の塗膜の処
   理方法。
5. 【請求項５】 第１加熱工程では、ヒータ手段を内蔵し
   た載置台上に基板をおき、これにカバーを被せ、前記載
   置台の温度を検出し、検出温度に基づき基板の加熱を制
   御することを特徴とする請求項１記載の塗膜の処理方
   法。
6. 【請求項６】 塗膜が乾燥してしまわないうちに第１加
   熱工程を開始することを特徴とする請求項１記載の塗膜
   の処理方法。
7. 【請求項７】 第１加熱工程では、基板を３０〜６０℃
   の温度域に加熱することを特徴とする請求項１記載の塗
   膜の処理方法。
8. 【請求項８】 第１加熱工程では、基板を２０秒間以上
   加熱することを特徴とする請求項１記載の塗膜の処理方
   法。
9. 【請求項９】 第１加熱工程では、基板を４０〜１００
   秒間加熱することを特徴とする請求項１記載の塗膜の処
   理方法。
10. 【請求項１０】 第１加熱工程では、基板の周縁部のほ
    うが基板の中央部よりも高い温度になるように加熱する
    ことを特徴とする請求項１記載の塗膜の処理方法。
11. 【請求項１１】 第２加熱工程では、排気雰囲気中で基
    板を８０〜１００℃の温度域に加熱することを特徴とす
    る請求項１記載の塗膜の処理方法。
12. 【請求項１２】 第２加熱工程では、排気雰囲気中で基
    板を６０〜１２０秒間加熱することを特徴とする請求項
    １記載の塗膜の処理方法。
13. 【請求項１３】 第１および第２の加熱工程を別々の密
    閉容器内でそれぞれ行なう際に、第２加熱工程では容器
    内を排気することを特徴とする請求項１記載の塗膜の処
    理方法。
14. 【請求項１４】 密閉容器内の基板に紫外線があたらな
    いように、容器で紫外線を遮断することを特徴とする請
    求項１３記載の塗膜の処理方法。
15. 【請求項１５】 第１および第２の加熱工程を同じ密閉
    容器内で行なう際に、第１加熱工程では容器内を密閉
    し、第２加熱工程では容器内を排気することを特徴とす
    る請求項１記載の塗膜の処理方法。
16. 【請求項１６】 スピンコーティングにより基板上に塗
    布したレジスト塗膜を処理する塗膜処理装置であって、 チャンバと、 塗膜に含まれる溶剤が無くならないうちに基板を前記チ
    ャンバ内に搬入する手段と、 前記チャンバ内にて基板を実質的に水平に支持する載置
    台と、 基板の周囲に溶剤の過飽和雰囲気をつくりだすために基
    板を覆うカバーと、 塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流動するに十分な量
    の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度域で基板を加熱す
    る加熱手段と、を有することを特徴とする塗膜の処理装
    置。
17. 【請求項１７】 さらに、載置台上の基板の温度を検出
    する温度検出手段と、検出温度に基づき前記加熱手段を
    制御する制御手段と、前記カバーを昇降するシリンダ手
    段と、を有し、 シリンダ手段は制御手段によって動作制御されるように
    なっていることを特徴とする請求項１６記載の塗膜の処
    理装置。
18. 【請求項１８】 さらに、チャンバ内を排気する排気手
    段を有し、 前記加熱手段により、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜
    が流動するに十分な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける
    温度域で基板を加熱し、 前記シリンダ手段によりカバーを上昇させ、 前記排気手段によりチャンバ内を排気しながら基板をさ
    らに加熱することを特徴とする請求項１７記載の塗膜の
    処理装置。
19. 【請求項１９】 載置台は、同心円状に設けられた内周
    ホットプレート及び外周ホットプレートを含み、 加熱手段は、前記内周ホットプレート及び外周ホットプ
    レートのそれぞれに埋設されたヒータエレメントと、電
    源と、を持ち、 各ヒータエレメントは制御手段によって電源からの給電
    量を個別に制御されることを特徴とする請求項１７記載
    の塗膜の処理装置。
20. 【請求項２０】 排気手段は、一端がカバー上部に設け
    られたフレキシブルホースと、このフレキシブルホース
    の適所に設けられたダンパー手段と、フレキシブルホー
    スの他端に連通する排気ポンプ手段と、を有することを
    特徴とする請求項１６記載の塗膜の処理装置。