JPH07135171A - 塗膜の処理方法及び処理装置 - Google Patents
塗膜の処理方法及び処理装置Info
- Publication number
- JPH07135171A JPH07135171A JP6098442A JP9844294A JPH07135171A JP H07135171 A JPH07135171 A JP H07135171A JP 6098442 A JP6098442 A JP 6098442A JP 9844294 A JP9844294 A JP 9844294A JP H07135171 A JPH07135171 A JP H07135171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating film
- substrate
- heating
- treating
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大径で表面に段差が付いている基板であって
も、塗膜厚さの均一性の向上が図れる塗膜の処理方法及
び処理装置を提供する。 【構成】 スピンコーティングにより基板上に塗布した
レジスト塗膜を処理する塗膜処理方法であって、基板上
にレジストを塗布して塗膜を形成し、塗膜に含まれる溶
剤が無くならないうちに溶剤の過飽和雰囲気中に基板を
搬入し、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流動するに
十分な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度域で基板
を加熱する第1の加熱工程と、基板を溶剤の過飽和雰囲
気から搬出し、塗膜に含まれる溶剤を揮発させるため
に、前記第1の加熱工程よりも高い温度域で基板を加熱
する第2の加熱工程と、を具備する。
も、塗膜厚さの均一性の向上が図れる塗膜の処理方法及
び処理装置を提供する。 【構成】 スピンコーティングにより基板上に塗布した
レジスト塗膜を処理する塗膜処理方法であって、基板上
にレジストを塗布して塗膜を形成し、塗膜に含まれる溶
剤が無くならないうちに溶剤の過飽和雰囲気中に基板を
搬入し、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流動するに
十分な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度域で基板
を加熱する第1の加熱工程と、基板を溶剤の過飽和雰囲
気から搬出し、塗膜に含まれる溶剤を揮発させるため
に、前記第1の加熱工程よりも高い温度域で基板を加熱
する第2の加熱工程と、を具備する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、主に半導体素子やLC
D基板などの製造工程において、ウエハやLCDガラス
板等の被塗布物表面に塗布した例えばレジスト膜などの
塗膜を加熱して乾燥処理する塗膜の処理方法及び処理装
置に関する。
D基板などの製造工程において、ウエハやLCDガラス
板等の被塗布物表面に塗布した例えばレジスト膜などの
塗膜を加熱して乾燥処理する塗膜の処理方法及び処理装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造プロセス
では、半導体ウエハのレジスト膜にフォトリソグラフィ
ー技術を用いて所定の回路パターンを転写し、現像処理
することなどが行われている。このようなリソグラフィ
ー工程におけるレジスト処理技術は、ステッパ(マスク
アライナ)の機能・特性並びに後のドライエッチングの
性能を最大限に引き出すために重要である。
では、半導体ウエハのレジスト膜にフォトリソグラフィ
ー技術を用いて所定の回路パターンを転写し、現像処理
することなどが行われている。このようなリソグラフィ
ー工程におけるレジスト処理技術は、ステッパ(マスク
アライナ)の機能・特性並びに後のドライエッチングの
性能を最大限に引き出すために重要である。
【0003】レジスト溶液は、高分子材料(感光性樹
脂)に溶剤を添加したものである。このようなレジスト
溶液を半導体ウエハの表面に均一に塗布することでレジ
スト膜が形成される。
脂)に溶剤を添加したものである。このようなレジスト
溶液を半導体ウエハの表面に均一に塗布することでレジ
スト膜が形成される。
【0004】このレジスト塗布工程(レジストコート)
では、スピンコーティング法が多く採用されている。即
ち、回転塗布装置(スピンナー)を用い、レジスト溶液
をウエハの表面(上面)中心部に滴下して回転すること
で、該滴下溶液を回転遠心力によりウエハの表面全域に
均一に拡散塗布してレジスト膜を形成する。このスピン
コーティング時、レジスト膜はウエハの回転風や飛沫排
気風により流動性を失う程度に乾燥される。
では、スピンコーティング法が多く採用されている。即
ち、回転塗布装置(スピンナー)を用い、レジスト溶液
をウエハの表面(上面)中心部に滴下して回転すること
で、該滴下溶液を回転遠心力によりウエハの表面全域に
均一に拡散塗布してレジスト膜を形成する。このスピン
コーティング時、レジスト膜はウエハの回転風や飛沫排
気風により流動性を失う程度に乾燥される。
【0005】このレジストコート後は、加熱処理装置
(ベーキング装置)を用いてウエハを80〜110℃の
温度で数秒間プレベークし、レジスト膜を乾燥する。ベ
ーキング装置にはホットプレートやオーブンや赤外線加
熱等の各種方式のものがある。これら従来のベーキング
装置はいずれも排気手段を備えており、プリベーク時に
レジスト膜から蒸発する溶剤を排気手段によってチャン
バ外へ強制排気する。プレベーク後、レジスト膜は露光
され、現像され、ポストベーク(ハードベーク)され、
エッチングされ、最後に除去される。
(ベーキング装置)を用いてウエハを80〜110℃の
温度で数秒間プレベークし、レジスト膜を乾燥する。ベ
ーキング装置にはホットプレートやオーブンや赤外線加
熱等の各種方式のものがある。これら従来のベーキング
装置はいずれも排気手段を備えており、プリベーク時に
レジスト膜から蒸発する溶剤を排気手段によってチャン
バ外へ強制排気する。プレベーク後、レジスト膜は露光
され、現像され、ポストベーク(ハードベーク)され、
エッチングされ、最後に除去される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、既に幾層か
の回路パターンを盛り重ねたチップがウェハ上に形成さ
れている状態で、スピンコーティング法によりレジスト
溶液をウエハ表面全域に塗布すると、レジスト膜の膜厚
の均一性が悪くなる。
の回路パターンを盛り重ねたチップがウェハ上に形成さ
れている状態で、スピンコーティング法によりレジスト
溶液をウエハ表面全域に塗布すると、レジスト膜の膜厚
の均一性が悪くなる。
【0007】この理由は、レジスト塗布されるべきウエ
ハ表面に段差(凹凸)が存在するからである。つまり、
レジスト溶液は、ウェハ上にて分散するときに、段差付
きの各チップ上にて回転遠心力によりウエハ回転中心か
ら外方向並びに反回転方向に押し寄せられる。更に、ウ
エハの回転周速を考えると、外側(周縁部)の方が内側
(中心部)よりも速く、それだけ外側のレジスト溶液が
強い回転風を受けて内側のそれよりも早く乾燥し、この
上に内側方の未乾燥のレジスト液が流れて来て乗っか
る。
ハ表面に段差(凹凸)が存在するからである。つまり、
レジスト溶液は、ウェハ上にて分散するときに、段差付
きの各チップ上にて回転遠心力によりウエハ回転中心か
ら外方向並びに反回転方向に押し寄せられる。更に、ウ
エハの回転周速を考えると、外側(周縁部)の方が内側
(中心部)よりも速く、それだけ外側のレジスト溶液が
強い回転風を受けて内側のそれよりも早く乾燥し、この
上に内側方の未乾燥のレジスト液が流れて来て乗っか
る。
【0008】こうしたことから、パターン形成済みウエ
ハ上にレジストを塗布すると、レジスト膜中には一種の
内部ストレスが溜まり、図6に示すように、ウエハ回転
半径方向に膜厚の差が生じる。しかも、レジスト膜の膜
厚差は、ウエハ中央部のチップAよりもウェハ周縁部寄
りのチップB,Cの方が大きくなる。このような膜厚差
は、ウエハ径が6インチから8インチへと大きくなるに
従ってさらに大きくなる。
ハ上にレジストを塗布すると、レジスト膜中には一種の
内部ストレスが溜まり、図6に示すように、ウエハ回転
半径方向に膜厚の差が生じる。しかも、レジスト膜の膜
厚差は、ウエハ中央部のチップAよりもウェハ周縁部寄
りのチップB,Cの方が大きくなる。このような膜厚差
は、ウエハ径が6インチから8インチへと大きくなるに
従ってさらに大きくなる。
【0009】こうした状態で、次のプレベーク工程で1
00℃前後で高温加熱すると、レジスト膜が前述の如き
ストレスを残したまま(膜厚差を持ったまま)乾燥硬化
してしまい、膜厚の均一性が得られない。このために、
その後のステッパの機能・特性並びに後のドライエッチ
ングの性能などに支障を来すことになる。
00℃前後で高温加熱すると、レジスト膜が前述の如き
ストレスを残したまま(膜厚差を持ったまま)乾燥硬化
してしまい、膜厚の均一性が得られない。このために、
その後のステッパの機能・特性並びに後のドライエッチ
ングの性能などに支障を来すことになる。
【0010】本発明の目的は、ウエハ上にスピンコーテ
ィングしたレジスト膜に生じるストレスを容易に低減す
ることができ、大径で表面に段差が付いている基板であ
っても、塗膜厚さの均一性の向上が図れる塗膜処理方法
及びその装置を提供することにある。
ィングしたレジスト膜に生じるストレスを容易に低減す
ることができ、大径で表面に段差が付いている基板であ
っても、塗膜厚さの均一性の向上が図れる塗膜処理方法
及びその装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の塗膜の処理方法
は、スピンコーティングにより基板上に塗布したレジス
ト塗膜を処理する塗膜処理方法であって、基板上にレジ
ストを塗布して塗膜を形成し、塗膜に含まれる溶剤が無
くならないうちに溶剤の過飽和雰囲気中に基板を搬入
し、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流動するに十分
な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度域で基板を加
熱する第1の加熱工程と、基板を溶剤の過飽和雰囲気か
ら搬出し、塗膜に含まれる溶剤を揮発させるために、前
記第1の加熱工程よりも高い温度域で基板を加熱する第
2の加熱工程と、を具備することを特徴とする。
は、スピンコーティングにより基板上に塗布したレジス
ト塗膜を処理する塗膜処理方法であって、基板上にレジ
ストを塗布して塗膜を形成し、塗膜に含まれる溶剤が無
くならないうちに溶剤の過飽和雰囲気中に基板を搬入
し、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流動するに十分
な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度域で基板を加
熱する第1の加熱工程と、基板を溶剤の過飽和雰囲気か
ら搬出し、塗膜に含まれる溶剤を揮発させるために、前
記第1の加熱工程よりも高い温度域で基板を加熱する第
2の加熱工程と、を具備することを特徴とする。
【0012】第1の加熱工程では、基板に内容量の小さ
なカバーを被せて、塗膜から溶剤の蒸発を抑制しながら
低温加熱することが望ましい。本発明の塗膜の処理装置
は、チャンバと、塗膜に含まれる溶剤が無くならないう
ちに基板を前記チャンバ内に搬入する手段と、前記チャ
ンバ内にて基板を実質的に水平に支持する載置台と、基
板の周囲に溶剤の過飽和雰囲気をつくりだすために基板
を覆うカバーと、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流
動するに十分な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度
域で基板を加熱する加熱手段と、を具備することを特徴
とする。
なカバーを被せて、塗膜から溶剤の蒸発を抑制しながら
低温加熱することが望ましい。本発明の塗膜の処理装置
は、チャンバと、塗膜に含まれる溶剤が無くならないう
ちに基板を前記チャンバ内に搬入する手段と、前記チャ
ンバ内にて基板を実質的に水平に支持する載置台と、基
板の周囲に溶剤の過飽和雰囲気をつくりだすために基板
を覆うカバーと、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流
動するに十分な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度
域で基板を加熱する加熱手段と、を具備することを特徴
とする。
【0013】
【作用】本発明の塗膜の処理方法においては、まず第1
の加熱工程で塗膜を加熱し、溶剤の揮発を抑制しながら
塗膜の粘性を低下させる。第1加熱工程では塗膜が流動
するので、スピンコーティングにより塗膜に生じている
内部ストレスが減少し、塗膜の部分的な膜厚差が小さく
なる。
の加熱工程で塗膜を加熱し、溶剤の揮発を抑制しながら
塗膜の粘性を低下させる。第1加熱工程では塗膜が流動
するので、スピンコーティングにより塗膜に生じている
内部ストレスが減少し、塗膜の部分的な膜厚差が小さく
なる。
【0014】
【実施例】以下、添付の図面を参照しながら本発明の種
々の実施例について説明する。図1に示すように、レジ
スト処理システム1の一端側にカセットステーション
(ローダ部)2が設けられ、多数枚の半導体ウエハWを
収容したカセットが搬入されるようになっている。ロー
ダ部2には複数の処理室6,7,8,9,12,13を
含む第1のプロセス部15が連結されている。第2のプ
ロセス部17はインターフェイス部16を介して第1の
プロセス部15に連結されている。第2のプロセス部1
7は複数の処理室10,11,13,14を含んでい
る。第1及び第2のプロセス部15,17の中央には移
送路4がそれぞれ設けられ、移載アーム機構3が各移送
路4に沿ってそれぞれ走行可能に設けられている。移載
アーム機構3はカセットからウエハWを一枚ずつ取り出
して各処理室6〜14に搬送するようになっている。な
お、第2プロセス部15の他端側には露光装置(図示せ
ず)が連結されている。
々の実施例について説明する。図1に示すように、レジ
スト処理システム1の一端側にカセットステーション
(ローダ部)2が設けられ、多数枚の半導体ウエハWを
収容したカセットが搬入されるようになっている。ロー
ダ部2には複数の処理室6,7,8,9,12,13を
含む第1のプロセス部15が連結されている。第2のプ
ロセス部17はインターフェイス部16を介して第1の
プロセス部15に連結されている。第2のプロセス部1
7は複数の処理室10,11,13,14を含んでい
る。第1及び第2のプロセス部15,17の中央には移
送路4がそれぞれ設けられ、移載アーム機構3が各移送
路4に沿ってそれぞれ走行可能に設けられている。移載
アーム機構3はカセットからウエハWを一枚ずつ取り出
して各処理室6〜14に搬送するようになっている。な
お、第2プロセス部15の他端側には露光装置(図示せ
ず)が連結されている。
【0015】処理室6〜14は移送路4の両側に配設さ
れている。第1プロセス部15の移送路4の一方側には
ブラシ洗浄室6、高圧ジェット洗浄室7、アドヒージョ
ン室8、クーリング室9が順に並んでいる。さらに第2
プロセス部17の移送路4の一方側には塗膜処理室5
0、塗膜処理室10、プリベーキング室11が順に並ん
でいる。
れている。第1プロセス部15の移送路4の一方側には
ブラシ洗浄室6、高圧ジェット洗浄室7、アドヒージョ
ン室8、クーリング室9が順に並んでいる。さらに第2
プロセス部17の移送路4の一方側には塗膜処理室5
0、塗膜処理室10、プリベーキング室11が順に並ん
でいる。
【0016】第1プロセス部15の移送路4の他方側に
はレジスト塗布室12およびレジスト除去室13が順に
並んでいる。レジスト塗布室12にはスピンコータ(図
示せず)が設けられている。さらに第2プロセス部17
の移送路4の他方側には2台の現像室14が並んでい
る。
はレジスト塗布室12およびレジスト除去室13が順に
並んでいる。レジスト塗布室12にはスピンコータ(図
示せず)が設けられている。さらに第2プロセス部17
の移送路4の他方側には2台の現像室14が並んでい
る。
【0017】次に、図2を参照しながら塗膜処理装置1
0について説明する。塗膜処理装置10は蓋21a付き
のボックスフレーム21を備えている。フレーム21の
一側面には挿脱口22が形成されている。この挿脱口2
2を介してレジスト塗布済みのウエハWが移載アーム3
によって装置10内に搬入搬出されるようになってい
る。フレーム21の内部中央には載置台23が設けら
れ、載置台23は複数本の脚24によりフレーム21に
固定されている。
0について説明する。塗膜処理装置10は蓋21a付き
のボックスフレーム21を備えている。フレーム21の
一側面には挿脱口22が形成されている。この挿脱口2
2を介してレジスト塗布済みのウエハWが移載アーム3
によって装置10内に搬入搬出されるようになってい
る。フレーム21の内部中央には載置台23が設けら
れ、載置台23は複数本の脚24によりフレーム21に
固定されている。
【0018】載置台23の上面部にはホットプレート2
5,26が同軸に設けられている。内外周ホットプレー
ト25,26にはそれぞれヒータエレメント(面状発熱
体)が25a,26aが埋設されている。各ヒータエレ
メント25a,26aは電源72に接続され、さらに電
源72は制御器70の出力側に接続されている。内周ホ
ットプレート25には温度センサー27が設けられ、外
周ホットプレート26には温度センサー28が設けられ
ている。これらの温度センサー27,28は制御器70
の入力側にそれぞれ接続されている。
5,26が同軸に設けられている。内外周ホットプレー
ト25,26にはそれぞれヒータエレメント(面状発熱
体)が25a,26aが埋設されている。各ヒータエレ
メント25a,26aは電源72に接続され、さらに電
源72は制御器70の出力側に接続されている。内周ホ
ットプレート25には温度センサー27が設けられ、外
周ホットプレート26には温度センサー28が設けられ
ている。これらの温度センサー27,28は制御器70
の入力側にそれぞれ接続されている。
【0019】制御器70は、CPUやメモリを内蔵して
おり、温度検出信号を受けて、これに基づきウエハWが
30℃〜60℃の範囲に加熱されるように電源72を制
御するようになっている。電源72は、内外周ホットプ
レート25,26へそれぞれ別々に給電しうる回路を有
している。なお、スピンコーティングされたレジスト膜
においてはウエハWの中央領域よりも周縁領域のほうが
ストレスが大きいので、外周ホットプレート26のほう
を内周ホットプレート25よりも少し高めの温度になる
ように制御してもよい。
おり、温度検出信号を受けて、これに基づきウエハWが
30℃〜60℃の範囲に加熱されるように電源72を制
御するようになっている。電源72は、内外周ホットプ
レート25,26へそれぞれ別々に給電しうる回路を有
している。なお、スピンコーティングされたレジスト膜
においてはウエハWの中央領域よりも周縁領域のほうが
ストレスが大きいので、外周ホットプレート26のほう
を内周ホットプレート25よりも少し高めの温度になる
ように制御してもよい。
【0020】3つの貫通孔30が載置台23の上面にて
開口している。各貫通孔30には支持ピン31がそれぞ
れ挿入されている。各支持ピン31の下端は第1昇降機
構32の昇降アーム33にそれぞれ固定されている。第
1昇降機構32は、外囲フレーム21の背面側に設置さ
れたモータとボールねじとシリンダを有している。これ
ら3本の支持ピン31を載置台23から突出させると、
ウエハWが載置台23から離れるようになっている。
開口している。各貫通孔30には支持ピン31がそれぞ
れ挿入されている。各支持ピン31の下端は第1昇降機
構32の昇降アーム33にそれぞれ固定されている。第
1昇降機構32は、外囲フレーム21の背面側に設置さ
れたモータとボールねじとシリンダを有している。これ
ら3本の支持ピン31を載置台23から突出させると、
ウエハWが載置台23から離れるようになっている。
【0021】載置台23の上方には密封カバー35が設
けられている。密封カバー35には第2昇降機構(シリ
ンダ)44のロッド45が連結されている。シリンダ4
4はエア供給源74に配管回路によって接続されてい
る。ロッド45をシリンダ44から突出させるとカバー
35が載置台23から離れ、ロッド45をシリンダ44
内に退入させるとカバー35が載置台23に被せられる
ようになっている。密封カバー35を載置台23に被せ
た状態では、間隙L1 は10mm以下であることが望まし
い。この間隙L1 は3〜5mmの範囲にあることが最適で
ある。
けられている。密封カバー35には第2昇降機構(シリ
ンダ)44のロッド45が連結されている。シリンダ4
4はエア供給源74に配管回路によって接続されてい
る。ロッド45をシリンダ44から突出させるとカバー
35が載置台23から離れ、ロッド45をシリンダ44
内に退入させるとカバー35が載置台23に被せられる
ようになっている。密封カバー35を載置台23に被せ
た状態では、間隙L1 は10mm以下であることが望まし
い。この間隙L1 は3〜5mmの範囲にあることが最適で
ある。
【0022】溶剤供給源(図示せず)がバルブ42及び
溶剤供給ホース43を介して溶剤導入孔40に連通して
いる。溶剤導入孔40は環状溝41に連通し、さらに環
状溝41は載置台23の上面周縁部にて開口している。
環状溝41の径はウェハの径よりも大きい。なお、溶剤
供給源の中にはシンナー或いは水等の溶剤が収容されて
いる。
溶剤供給ホース43を介して溶剤導入孔40に連通して
いる。溶剤導入孔40は環状溝41に連通し、さらに環
状溝41は載置台23の上面周縁部にて開口している。
環状溝41の径はウェハの径よりも大きい。なお、溶剤
供給源の中にはシンナー或いは水等の溶剤が収容されて
いる。
【0023】次に、図3及び図4を参照しながら第1実
施例の塗膜処理方法について説明する。ステーション2
にカセットを搬入し、移載アーム機構3によりカセット
から1枚のウエハWを取り出し、これを第1プロセス部
15に搬入する。ウェハWを処理室6でブラシ洗浄し、
処理室7で高圧ジェット洗浄し、スピン乾燥し、さらに
処理室8でアドヒージョン処理する(工程S1)。ウエ
ハWを処理室9で冷却し、これを処理室12に搬入し、
ここでウエハW表面にレジスト溶液をスピン塗布する
(工程S2)。
施例の塗膜処理方法について説明する。ステーション2
にカセットを搬入し、移載アーム機構3によりカセット
から1枚のウエハWを取り出し、これを第1プロセス部
15に搬入する。ウェハWを処理室6でブラシ洗浄し、
処理室7で高圧ジェット洗浄し、スピン乾燥し、さらに
処理室8でアドヒージョン処理する(工程S1)。ウエ
ハWを処理室9で冷却し、これを処理室12に搬入し、
ここでウエハW表面にレジスト溶液をスピン塗布する
(工程S2)。
【0024】スピン塗布後、ただちにウエハWを第1プ
ロセス部15から第2プロセス部17へ搬送する。ウェ
ハ搬送所要時間は短ければ短いほどよく、レジスト液が
乾燥しないうちにウェハWを処理室10に搬入する(工
程S3)。
ロセス部15から第2プロセス部17へ搬送する。ウェ
ハ搬送所要時間は短ければ短いほどよく、レジスト液が
乾燥しないうちにウェハWを処理室10に搬入する(工
程S3)。
【0025】ウエハWを3本の支持ピン31で受け、次
いでピン31を載置台23のなかに退入させ、ウエハW
を載置台23の上面に接触させる。これと同時にロッド
45をシリンダ44に退入させ、密封カバー35を載置
台23に被せる(工程S4)。載置台23及びカバー3
5の間に形成された気密スペース内にウェハWが位置す
る。この気密スペースは小容積である。
いでピン31を載置台23のなかに退入させ、ウエハW
を載置台23の上面に接触させる。これと同時にロッド
45をシリンダ44に退入させ、密封カバー35を載置
台23に被せる(工程S4)。載置台23及びカバー3
5の間に形成された気密スペース内にウェハWが位置す
る。この気密スペースは小容積である。
【0026】ヒータエレメント25a,26aに給電
し、ウエハWを低温度域で加熱する(工程S5)。この
第1加熱工程S5の最適条件は、加熱温度が約50℃、
加熱保持時間が約20秒間である。この場合に、温度湿
度などの環境条件にも左右されるが、加熱温度は30℃
〜60℃の範囲とすることが好ましく、加熱保持時間は
40〜110秒間の範囲とすることが好ましい。なお、
第1加熱工程S5では外周ホットプレート26のほうを
内周ホットプレート25よりも少しだけ高い温度として
もよい。この理由は塗布レジスト膜はウエハWの周縁部
のほうが中央部よりも内部ストレスが大きいからであ
る。
し、ウエハWを低温度域で加熱する(工程S5)。この
第1加熱工程S5の最適条件は、加熱温度が約50℃、
加熱保持時間が約20秒間である。この場合に、温度湿
度などの環境条件にも左右されるが、加熱温度は30℃
〜60℃の範囲とすることが好ましく、加熱保持時間は
40〜110秒間の範囲とすることが好ましい。なお、
第1加熱工程S5では外周ホットプレート26のほうを
内周ホットプレート25よりも少しだけ高い温度として
もよい。この理由は塗布レジスト膜はウエハWの周縁部
のほうが中央部よりも内部ストレスが大きいからであ
る。
【0027】この第1加熱工程S5においては、溶剤の
過飽和蒸気雰囲気下にウェハWはおかれているので、レ
ジスト膜は軟化し、その粘度が低下する。とくに、小容
積の気密スペース内でウエハWを暖めるので、レジスト
膜に含まれる溶剤の蒸発が抑制され、乾燥硬化すること
なくレジスト膜の流動性が高まる。このため、レジスト
膜は軟らかくなり、その内部ストレスが減少する方向に
流動する。その結果、レジスト膜の局部的な膜厚差が小
さくなる。
過飽和蒸気雰囲気下にウェハWはおかれているので、レ
ジスト膜は軟化し、その粘度が低下する。とくに、小容
積の気密スペース内でウエハWを暖めるので、レジスト
膜に含まれる溶剤の蒸発が抑制され、乾燥硬化すること
なくレジスト膜の流動性が高まる。このため、レジスト
膜は軟らかくなり、その内部ストレスが減少する方向に
流動する。その結果、レジスト膜の局部的な膜厚差が小
さくなる。
【0028】なお、本実施例では気密スペース内に環状
溝41から溶剤蒸気を供給するようにしたが、このよう
な溶剤蒸気供給手段40〜42が無くとも気密スペース
の容積を十分に小さくすればよい。ただし、溶剤蒸気供
給手段40〜42を設ける場合は、気密スペースの容積
はある程度は大きくしてよい。
溝41から溶剤蒸気を供給するようにしたが、このよう
な溶剤蒸気供給手段40〜42が無くとも気密スペース
の容積を十分に小さくすればよい。ただし、溶剤蒸気供
給手段40〜42を設ける場合は、気密スペースの容積
はある程度は大きくしてよい。
【0029】第1加熱が完了すると、ロッド45をシリ
ンダ44から突出させ、カバー35を載置台23から持
ち上げる(工程S6)。そして、支持ピン31を上昇さ
せて、ウエハWを載置台23から離し、移載アーム機構
3によりウェハWを処理室10から搬出する(工程S
7)。
ンダ44から突出させ、カバー35を載置台23から持
ち上げる(工程S6)。そして、支持ピン31を上昇さ
せて、ウエハWを載置台23から離し、移載アーム機構
3によりウェハWを処理室10から搬出する(工程S
7)。
【0030】さらに、次の処理室11にウェハWを搬入
し、処理室11内を排気しながらウェハWをプレベーク
する(工程S8)。この第2加熱工程S8の最適条件
は、加熱温度が約90℃、加熱保持時間が約90秒間で
ある。なお、このプレベーク時の加熱温度は80℃〜1
10℃の範囲とすることが好ましく、加熱保持時間は6
0〜120秒間の範囲とすることが好ましい。このプレ
ベークによりウエハW表面のレジスト膜は乾燥硬化す
る。なお、第1加熱工程S5から第2加熱工程S8にい
たるまでの時間はとくに制限されない。
し、処理室11内を排気しながらウェハWをプレベーク
する(工程S8)。この第2加熱工程S8の最適条件
は、加熱温度が約90℃、加熱保持時間が約90秒間で
ある。なお、このプレベーク時の加熱温度は80℃〜1
10℃の範囲とすることが好ましく、加熱保持時間は6
0〜120秒間の範囲とすることが好ましい。このプレ
ベークによりウエハW表面のレジスト膜は乾燥硬化す
る。なお、第1加熱工程S5から第2加熱工程S8にい
たるまでの時間はとくに制限されない。
【0031】次いで、露光室(図示せず)にウエハWを
搬入し、レジスト膜を露光し(工程S9)、現像室14
で現像し(工程S10)、これを検査する(工程S1
1)。さらに処理室11でウェハWをハードベークし
(ポストベーク工程S12)、これをパターンエッチン
グし(工程S13)、検査し(工程S14)、レジスト
を除去する(工程S15)。
搬入し、レジスト膜を露光し(工程S9)、現像室14
で現像し(工程S10)、これを検査する(工程S1
1)。さらに処理室11でウェハWをハードベークし
(ポストベーク工程S12)、これをパターンエッチン
グし(工程S13)、検査し(工程S14)、レジスト
を除去する(工程S15)。
【0032】次に、図5〜図7を参照しながらレジスト
膜厚のバラツキ変化につき説明する。図6は従来方法に
より形成したレジスト膜の膜厚をチップA,B,Cにつ
き調べた結果を示す特性線図(比較例)である。図7は
本発明方法により形成したレジスト膜の膜厚をチップ
A,B,Cにつき調べた結果を示す特性線図(実施例)
である。比較例ではレジスト塗布後にプリベーク(第2
加熱工程)している。図5に示すようにチップAはウェ
ハWの中央部に位置し、チップCはウェハWの周縁部に
位置し、チップBはチップAとチップCの中間に位置す
る。両図6,7から明らかなように、比較例では周縁位
置チップB,Cでレジスト膜厚のバラツキが大きいが、
実施例では周縁位置チップB,Cであってもレジスト膜
厚が実質的に均一になる。これは第1加熱工程S5によ
りレジスト膜の内部ストレスが小さくなったためであ
る。
膜厚のバラツキ変化につき説明する。図6は従来方法に
より形成したレジスト膜の膜厚をチップA,B,Cにつ
き調べた結果を示す特性線図(比較例)である。図7は
本発明方法により形成したレジスト膜の膜厚をチップ
A,B,Cにつき調べた結果を示す特性線図(実施例)
である。比較例ではレジスト塗布後にプリベーク(第2
加熱工程)している。図5に示すようにチップAはウェ
ハWの中央部に位置し、チップCはウェハWの周縁部に
位置し、チップBはチップAとチップCの中間に位置す
る。両図6,7から明らかなように、比較例では周縁位
置チップB,Cでレジスト膜厚のバラツキが大きいが、
実施例では周縁位置チップB,Cであってもレジスト膜
厚が実質的に均一になる。これは第1加熱工程S5によ
りレジスト膜の内部ストレスが小さくなったためであ
る。
【0033】次に、図8を参照しながら第2実施例の塗
膜処理装置50について説明する。なお、第2実施例が
上記の第1実施例と重複する部分については説明を省略
する。
膜処理装置50について説明する。なお、第2実施例が
上記の第1実施例と重複する部分については説明を省略
する。
【0034】塗膜処理装置50では第1加熱(低温加
熱)及び第2加熱(プレベーク)をともにできるように
なっている。すなわち塗膜処理装置50にはさらに排気
手段52,53,70,82が付加されている。
熱)及び第2加熱(プレベーク)をともにできるように
なっている。すなわち塗膜処理装置50にはさらに排気
手段52,53,70,82が付加されている。
【0035】環状のシャッター部材55が外囲フレーム
21内の載置台23を取り囲むように設けられている。
シャッター部材55は第3昇降機構56により上下動可
能に支持されている。第3昇降機構56はボールねじ機
構(図示せず)及び駆動モータ(図示せず)を有してい
る。シャッター部材55の周面部には複数の通風孔55
aが形成され、通風孔55aを介して外部から内部に清
浄空気が通風できるようになっている。
21内の載置台23を取り囲むように設けられている。
シャッター部材55は第3昇降機構56により上下動可
能に支持されている。第3昇降機構56はボールねじ機
構(図示せず)及び駆動モータ(図示せず)を有してい
る。シャッター部材55の周面部には複数の通風孔55
aが形成され、通風孔55aを介して外部から内部に清
浄空気が通風できるようになっている。
【0036】排気手段として蛇腹状のフレキシブルダク
ト52が、密封カバー85の中央から蓋51を貫通して
排風機82に接続されている。このフレキシブルダクト
52の途中にはダンパー53が設けられている。排風機
82及びダンパー53は制御器70によってそれぞれ動
作制御されるようになっている。
ト52が、密封カバー85の中央から蓋51を貫通して
排風機82に接続されている。このフレキシブルダクト
52の途中にはダンパー53が設けられている。排風機
82及びダンパー53は制御器70によってそれぞれ動
作制御されるようになっている。
【0037】次に、図9を参照しながら第2実施例の塗
膜処理方法について説明する。工程S21〜S22は上
記第1実施例の工程S1〜S2と実質的に同じである。
工程S30〜S36は上記第1実施例の工程S9〜S1
5と実質的に同じである。シャッター部材55を第3昇
降機構56により下降し、密封カバー85を第2昇降機
構44,45,74により上昇しておき、この状態でウ
エハWを処理室50内に搬入する(工程S23)。
膜処理方法について説明する。工程S21〜S22は上
記第1実施例の工程S1〜S2と実質的に同じである。
工程S30〜S36は上記第1実施例の工程S9〜S1
5と実質的に同じである。シャッター部材55を第3昇
降機構56により下降し、密封カバー85を第2昇降機
構44,45,74により上昇しておき、この状態でウ
エハWを処理室50内に搬入する(工程S23)。
【0038】ウエハWを3本の支持ピン31で受け、次
いでピン31を載置台23のなかに退入させ、ウエハW
を載置台23の上面に接触させる。これと同時にロッド
45をシリンダ44に退入させ、密封カバー35を載置
台23に被せる(工程S24)。ヒータエレメント25
a,26aに給電し、ウエハWを低温度域で加熱する
(工程S25)。この第1加熱工程S25の最適条件は
上記第1の実施例と同じである。
いでピン31を載置台23のなかに退入させ、ウエハW
を載置台23の上面に接触させる。これと同時にロッド
45をシリンダ44に退入させ、密封カバー35を載置
台23に被せる(工程S24)。ヒータエレメント25
a,26aに給電し、ウエハWを低温度域で加熱する
(工程S25)。この第1加熱工程S25の最適条件は
上記第1の実施例と同じである。
【0039】第1加熱が完了すると、ロッド45をシリ
ンダ44から突出させ、カバー85が上蓋51に当接す
るまでカバー85を上昇させる(工程S26)。また、
シャッター部材55を第3昇降機構56により上昇さ
せ、シャッター部材55の上端を上蓋51に当接させ
る。そして、ダンパー53を開け、排風機82を駆動
し、チャンバ50内を排気する(工程S27)。さら
に、ヒータエレメント25a,26aに給電し、ウェハ
Wをプレベークする(工程S28)。この第2加熱工程
S28の最適条件は上記第1の実施例と同じである。第
2加熱後、支持ピン31を上昇させて、ウエハWを載置
台23から離し、移載アーム機構3によりウェハWを処
理室50から搬出する(工程S29)。
ンダ44から突出させ、カバー85が上蓋51に当接す
るまでカバー85を上昇させる(工程S26)。また、
シャッター部材55を第3昇降機構56により上昇さ
せ、シャッター部材55の上端を上蓋51に当接させ
る。そして、ダンパー53を開け、排風機82を駆動
し、チャンバ50内を排気する(工程S27)。さら
に、ヒータエレメント25a,26aに給電し、ウェハ
Wをプレベークする(工程S28)。この第2加熱工程
S28の最適条件は上記第1の実施例と同じである。第
2加熱後、支持ピン31を上昇させて、ウエハWを載置
台23から離し、移載アーム機構3によりウェハWを処
理室50から搬出する(工程S29)。
【0040】上記実施例によれば、同じチャンバ50の
なかで第1加熱工程S25と第2加熱工程S28とを行
なうことができるので、スループットが向上する。な
お、上記各実施例ではウエハWを上向き水平支持して第
1加熱したが、ウエハWを逆さに支持して第1加熱して
もよい。
なかで第1加熱工程S25と第2加熱工程S28とを行
なうことができるので、スループットが向上する。な
お、上記各実施例ではウエハWを上向き水平支持して第
1加熱したが、ウエハWを逆さに支持して第1加熱して
もよい。
【0041】また、ウエハWの低温加熱並びに高温加熱
(プレベーク)の発熱源として、ヒータエレメント2
5,26を内蔵したホットプレート加熱方式の熱盤23
を用いたが、これ以外に例えばオーブン炉や赤外加熱方
式やマイクロウェーブ加熱方式のものを用いてもよい。
(プレベーク)の発熱源として、ヒータエレメント2
5,26を内蔵したホットプレート加熱方式の熱盤23
を用いたが、これ以外に例えばオーブン炉や赤外加熱方
式やマイクロウェーブ加熱方式のものを用いてもよい。
【0042】また、本発明は前述の半導体ウエハWへの
レジスト膜の処理についてのべたが、これ以外に例えば
LCD基板等に塗布してレジスト膜や、その他、被塗布
物の表面にスピンコーティングした各種塗膜の熱処理に
適用してもよい。
レジスト膜の処理についてのべたが、これ以外に例えば
LCD基板等に塗布してレジスト膜や、その他、被塗布
物の表面にスピンコーティングした各種塗膜の熱処理に
適用してもよい。
【0043】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェハ等の基板
上面にスピンコーティングしたレジスト塗膜に生じるス
トレスを容易に低減することができ、大径で表面に段差
(凹凸)が付いている基板であっても、塗膜厚さの均一
性を向上することができる。
上面にスピンコーティングしたレジスト塗膜に生じるス
トレスを容易に低減することができ、大径で表面に段差
(凹凸)が付いている基板であっても、塗膜厚さの均一
性を向上することができる。
【図1】半導体ウエハのレジスト処理システムの外観を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図2】第1の実施例に係る塗膜の処理装置を示す断面
図。
図。
【図3】第1の実施例に係る塗膜の処理方法を示すフロ
ーチャート。
ーチャート。
【図4】第1及び第2の加熱処理をしたときの温度変化
を示す特性線図。
を示す特性線図。
【図5】パターン形成された半導体ウエハを模式的に示
す平面図。
す平面図。
【図6】従来の塗膜の処理方法により形成したレジスト
膜の膜厚変化を示す特性線図。
膜の膜厚変化を示す特性線図。
【図7】本発明の塗膜の処理方法により形成したレジス
ト膜の膜厚変化を示す特性線図。
ト膜の膜厚変化を示す特性線図。
【図8】第2の実施例に係る塗膜の処理装置を示す断面
図。
図。
【図9】第2の実施例に係る塗膜の処理方法を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
10,50…塗膜処理装置、21…ボックスフレーム、
22…挿脱口、23…載置台、25,26…ホットプレ
ート、27,28…センサ、35…カバー、40〜43
…溶剤供給手段(40…溶剤導入孔、41…環状溝、4
2…バルブ、43…溶剤供給ホース)、44…シリン
ダ、52,53…排気手段(52…フレキシブルダク
ト、53…排気バルブ)
22…挿脱口、23…載置台、25,26…ホットプレ
ート、27,28…センサ、35…カバー、40〜43
…溶剤供給手段(40…溶剤導入孔、41…環状溝、4
2…バルブ、43…溶剤供給ホース)、44…シリン
ダ、52,53…排気手段(52…フレキシブルダク
ト、53…排気バルブ)
Claims (20)
- 【請求項1】 スピンコーティングにより基板上に塗布
したレジスト塗膜を処理する塗膜処理方法であって、 基板上にレジストを塗布して塗膜を形成し、 塗膜に含まれる溶剤が無くならないうちに溶剤の過飽和
雰囲気中に基板を搬入し、塗膜の粘性を低下させ、かつ
塗膜が流動するに十分な量の溶剤が塗膜中に存在しつづ
ける温度域で基板を加熱する第1の加熱工程と、 基板を溶剤の過飽和雰囲気から搬出し、 塗膜に含まれる溶剤を揮発させるために、前記第1の加
熱工程よりも高い温度域で基板を加熱する第2の加熱工
程と、を具備することを特徴とする塗膜の処理方法。 - 【請求項2】 第1加熱工程では、基板を載置台上にお
き、これに小容量のカバーを被せて塗膜から溶剤の揮発
を抑制しながら基板を加熱することを特徴とする請求項
1記載の塗膜の処理方法。 - 【請求項3】 カバーを基板に被せたときに、基板から
カバーまでの距離が10mm以下であることを特徴とする
請求項2記載の塗膜の処理方法。 - 【請求項4】 第1加熱工程では、基板を載置台上にお
き、これにカバーを被せるとともに、溶剤の蒸気を基板
の周囲に供給し、塗膜から溶剤の揮発を抑制しながら基
板を加熱することを特徴とする請求項1記載の塗膜の処
理方法。 - 【請求項5】 第1加熱工程では、ヒータ手段を内蔵し
た載置台上に基板をおき、これにカバーを被せ、前記載
置台の温度を検出し、検出温度に基づき基板の加熱を制
御することを特徴とする請求項1記載の塗膜の処理方
法。 - 【請求項6】 塗膜が乾燥してしまわないうちに第1加
熱工程を開始することを特徴とする請求項1記載の塗膜
の処理方法。 - 【請求項7】 第1加熱工程では、基板を30〜60℃
の温度域に加熱することを特徴とする請求項1記載の塗
膜の処理方法。 - 【請求項8】 第1加熱工程では、基板を20秒間以上
加熱することを特徴とする請求項1記載の塗膜の処理方
法。 - 【請求項9】 第1加熱工程では、基板を40〜100
秒間加熱することを特徴とする請求項1記載の塗膜の処
理方法。 - 【請求項10】 第1加熱工程では、基板の周縁部のほ
うが基板の中央部よりも高い温度になるように加熱する
ことを特徴とする請求項1記載の塗膜の処理方法。 - 【請求項11】 第2加熱工程では、排気雰囲気中で基
板を80〜100℃の温度域に加熱することを特徴とす
る請求項1記載の塗膜の処理方法。 - 【請求項12】 第2加熱工程では、排気雰囲気中で基
板を60〜120秒間加熱することを特徴とする請求項
1記載の塗膜の処理方法。 - 【請求項13】 第1および第2の加熱工程を別々の密
閉容器内でそれぞれ行なう際に、第2加熱工程では容器
内を排気することを特徴とする請求項1記載の塗膜の処
理方法。 - 【請求項14】 密閉容器内の基板に紫外線があたらな
いように、容器で紫外線を遮断することを特徴とする請
求項13記載の塗膜の処理方法。 - 【請求項15】 第1および第2の加熱工程を同じ密閉
容器内で行なう際に、第1加熱工程では容器内を密閉
し、第2加熱工程では容器内を排気することを特徴とす
る請求項1記載の塗膜の処理方法。 - 【請求項16】 スピンコーティングにより基板上に塗
布したレジスト塗膜を処理する塗膜処理装置であって、 チャンバと、 塗膜に含まれる溶剤が無くならないうちに基板を前記チ
ャンバ内に搬入する手段と、 前記チャンバ内にて基板を実質的に水平に支持する載置
台と、 基板の周囲に溶剤の過飽和雰囲気をつくりだすために基
板を覆うカバーと、 塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜が流動するに十分な量
の溶剤が塗膜中に存在しつづける温度域で基板を加熱す
る加熱手段と、を有することを特徴とする塗膜の処理装
置。 - 【請求項17】 さらに、載置台上の基板の温度を検出
する温度検出手段と、検出温度に基づき前記加熱手段を
制御する制御手段と、前記カバーを昇降するシリンダ手
段と、を有し、 シリンダ手段は制御手段によって動作制御されるように
なっていることを特徴とする請求項16記載の塗膜の処
理装置。 - 【請求項18】 さらに、チャンバ内を排気する排気手
段を有し、 前記加熱手段により、塗膜の粘性を低下させ、かつ塗膜
が流動するに十分な量の溶剤が塗膜中に存在しつづける
温度域で基板を加熱し、 前記シリンダ手段によりカバーを上昇させ、 前記排気手段によりチャンバ内を排気しながら基板をさ
らに加熱することを特徴とする請求項17記載の塗膜の
処理装置。 - 【請求項19】 載置台は、同心円状に設けられた内周
ホットプレート及び外周ホットプレートを含み、 加熱手段は、前記内周ホットプレート及び外周ホットプ
レートのそれぞれに埋設されたヒータエレメントと、電
源と、を持ち、 各ヒータエレメントは制御手段によって電源からの給電
量を個別に制御されることを特徴とする請求項17記載
の塗膜の処理装置。 - 【請求項20】 排気手段は、一端がカバー上部に設け
られたフレキシブルホースと、このフレキシブルホース
の適所に設けられたダンパー手段と、フレキシブルホー
スの他端に連通する排気ポンプ手段と、を有することを
特徴とする請求項16記載の塗膜の処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09844294A JP3280798B2 (ja) | 1993-05-20 | 1994-05-12 | 塗膜の加熱処理方法及び加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11808993 | 1993-05-20 | ||
JP5-118089 | 1993-05-20 | ||
JP09844294A JP3280798B2 (ja) | 1993-05-20 | 1994-05-12 | 塗膜の加熱処理方法及び加熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07135171A true JPH07135171A (ja) | 1995-05-23 |
JP3280798B2 JP3280798B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=26439612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09844294A Expired - Fee Related JP3280798B2 (ja) | 1993-05-20 | 1994-05-12 | 塗膜の加熱処理方法及び加熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3280798B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100543570B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2006-01-20 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리방법 |
JP2010186929A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
CN112185861A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-05 | 济南麦控信息技术有限公司 | 一种半导体晶圆的涂膜装置及涂膜方法 |
JP2022159262A (ja) * | 2022-05-02 | 2022-10-17 | 中外炉工業株式会社 | 塗工部周縁処理装置 |
JP2023036566A (ja) * | 2021-09-02 | 2023-03-14 | ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド | 基板処理装置 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62219923A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS6378528A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-08 | Fujitsu Ltd | ウエハベ−ク装置 |
JPS63148631A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-06-21 | マイクロエレクトロニクス アンド コンピューター テクノロジー コーポレイション | ウエハ基板上に平坦な被膜を形成する方法 |
JPS63185028A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH01238017A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | レジスト層の形成方法 |
JPH01241124A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Tokyo Electron Ltd | レジスト被塗布体の加熱装置 |
JPH0273259A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Nec Corp | レジスト膜の乾燥硬化方法 |
JPH02125610A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | ホットプレート |
JPH02214864A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化方法およびその装置 |
JPH02260415A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-23 | Fujitsu Ltd | 搬送装置 |
JPH02268866A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JPH03163819A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH03228313A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Nec Corp | 半導体基板の乾燥装置 |
JPH04158512A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-01 | Nec Corp | ベーク処理装置 |
-
1994
- 1994-05-12 JP JP09844294A patent/JP3280798B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62219923A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS6378528A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-08 | Fujitsu Ltd | ウエハベ−ク装置 |
JPS63148631A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-06-21 | マイクロエレクトロニクス アンド コンピューター テクノロジー コーポレイション | ウエハ基板上に平坦な被膜を形成する方法 |
JPS63185028A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH01238017A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | レジスト層の形成方法 |
JPH01241124A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Tokyo Electron Ltd | レジスト被塗布体の加熱装置 |
JPH0273259A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Nec Corp | レジスト膜の乾燥硬化方法 |
JPH02125610A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | ホットプレート |
JPH02214864A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化方法およびその装置 |
JPH02260415A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-23 | Fujitsu Ltd | 搬送装置 |
JPH02268866A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JPH03163819A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH03228313A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Nec Corp | 半導体基板の乾燥装置 |
JPH04158512A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-01 | Nec Corp | ベーク処理装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100543570B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2006-01-20 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리방법 |
JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
US8614500B2 (en) | 2008-11-05 | 2013-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming apparatus, film forming method, and semiconductor device |
JP2010186929A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4748742B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN112185861A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-05 | 济南麦控信息技术有限公司 | 一种半导体晶圆的涂膜装置及涂膜方法 |
CN112185861B (zh) * | 2020-09-30 | 2022-09-16 | 信阳星原智能科技有限公司 | 一种半导体晶圆的涂膜装置及涂膜方法 |
JP2023036566A (ja) * | 2021-09-02 | 2023-03-14 | ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド | 基板処理装置 |
JP2022159262A (ja) * | 2022-05-02 | 2022-10-17 | 中外炉工業株式会社 | 塗工部周縁処理装置 |
WO2023214470A1 (ja) * | 2022-05-02 | 2023-11-09 | 中外炉工業株式会社 | 塗工部周縁処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3280798B2 (ja) | 2002-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3792986B2 (ja) | 膜形成方法及び膜形成装置 | |
KR101070520B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
KR101061647B1 (ko) | 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 | |
JPH1043666A (ja) | 塗布膜形成方法及びその装置 | |
KR100273809B1 (ko) | 도포막의처리방법및처리장치 | |
JP2000056474A (ja) | 基板処理方法 | |
US7563043B2 (en) | Coating/developing apparatus and substrate transfer method | |
KR100583134B1 (ko) | 기판의 처리장치 및 처리방법 | |
JP3598462B2 (ja) | 乾燥方法及び乾燥装置 | |
US6240874B1 (en) | Integrated edge exposure and hot/cool plate for a wafer track system | |
JPH10275755A (ja) | レジスト塗布現像装置とレジスト塗布現像方法 | |
US8474468B2 (en) | Apparatus and method for thermally processing a substrate with a heated liquid | |
JP2000106341A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP3411842B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4267809B2 (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
JPH07135171A (ja) | 塗膜の処理方法及び処理装置 | |
JP3874960B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003051439A (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
JP4153686B2 (ja) | 成膜液乾燥装置 | |
JP3605541B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003124102A (ja) | 基板処理システム | |
JP2000068182A (ja) | 塗布方法及び塗布装置 | |
JP2000182932A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP3793063B2 (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
JPH04262552A (ja) | 処理装置、レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |