JPH03228313A - 半導体基板の乾燥装置 - Google Patents

半導体基板の乾燥装置

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Publication number
JPH03228313A
JPH03228313A JP2367490A JP2367490A JPH03228313A JP H03228313 A JPH03228313 A JP H03228313A JP 2367490 A JP2367490 A JP 2367490A JP 2367490 A JP2367490 A JP 2367490A JP H03228313 A JPH03228313 A JP H03228313A
Authority
JP
Japan
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cover
stage
semiconductor substrate
wafer
processing space
Prior art date
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Pending
Application number
JP2367490A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Shoji
庄司　秀行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH03228313A publication Critical patent/JPH03228313A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明の半導体基板の乾燥装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体基板（以下ウェハーという）上にフォトレ
ジスト等を塗布したのち乾燥する装置は、第３図に示す
様にヒーター２１により１００〜１５０℃に加熱したホ
ットプレートを並べ、その上に装置カバー２０を設けた
トンネル状の構造のものとなワていた。
ウェハー３は搬送機構（図示せず）により順次ホットプ
レート上を移動し、裏面より加熱され、伝導によりウェ
ハ３の表面の乾燥が行なわれていた。そして、雰囲気ガ
スとして弁２２を介して窒素、または乾燥空気が流され
ていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体基板の乾燥装置では、ウェハー上
に設ける薬液等の材料の種類や、ウェハーの表面状態に
より、ウェハーの乾燥を行う温度に制限がある為、熱だ
けで乾燥を行っている従来の装置は、乾燥時間が長くな
るという欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体基板の乾燥装置は、ステージと、半導体
基板を支持する針状突起が設けられ前記ステージ上にお
かれる支持板と、加熱源を有し前記支持板を覆うカバー
を備えたカバー機構と、前記ステージと前記カバーとで
囲まれた処理空間にガスを導入するためのガス導入機構
と、前記処理空間を減圧するための排気機構とを含んで
構成される。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の模式断面図である。以下動
作と共に説明する。
はじめに高圧空気を弁１２Ｄを通してエアシリンダ９に
入れ、支持棒５と共に赤外線ランプ２を内側に備えたカ
バー１を上昇させる。この時、弁１２Ｅは閉じた状態に
なっている。ウェハー３が、ロボット７Ａにより支持ビ
ン４を有する支持板６に載置されると、弁１２Ｄは閉じ
、弁１２Ｅが開き、高圧空気は放出されステージ８上に
置かれた支持板６上のウェハー３はカバー１によって覆
われる。続いてガス導入管１７に接続された弁１２Ｂ、
１２Ｃが開き、窒素をカバー１とステージ８で囲われた
処理空間内に流しながら、弁１２Ａ、メカニカルブース
ターポンプ１３及びロータリーポンプ１４で２〜３Ｔｏ
　ｒ　ｒに減圧し、次で赤外線ランプ２でウェハー３の
表面を輻射加熱する。処理空間を減圧する事により蒸気
圧が低下し、ウェハー３上に設けられたフォトレジスト
等の薬液等の蒸発が促進される。
このように処理空間を減圧することにより乾燥に要する
時間が削減される為、ウェハー３を加熱乾燥する時間が
短縮される。流量計１１と弁１２Ｂは処理空間内に供給
する窒素の流量制御に、まな０リング１０はカバー１の
シールの為に用いられる。乾燥処理が終了した所で弁１
２Ｂと１２Ｅを閉じ、弁１２Ｄを開いて高圧空気をエア
シリンダ９に流し、カバー１を上昇させて、ウェハー３
をロボット７Ｂで搬出する。
尚、カバー１で覆われた処理空間内に供給する窒素を第
２図に示すように、ヒーター１６で暖めながら、ウェハ
ー３に均等に供給が可能な様に、ステージ８Ａの中央か
ら周辺にわたって窒素供給口１５を設けてもよい、この
場合、ウェハー３の温度分布が均等になり、より安定し
た状態で乾燥を行う事が可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は、支持板に支持された半導体
基板を乾燥処理する空間を、ステージと加熱源を有する
カバーとで囲み、この処理空間にガスを導入すると共に
減圧することにより、半導体基板の乾燥時間を短縮する
ことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の模式断面図、第２図は実施
例に用いられる他のステージの断面図、第３図は従来例
の模式断面図である。 １・・・カバー　２・・・赤外線ランプ、３・・・ウェ
ハー、４・・・支持ビン、５・・・支持棒、６・・・支
持板、７Ａ、７Ｂ・・・ロボット、８，８Ａ・・・ステ
ージ、９・・・エアシリンダ、１０・・・０リング、１
１・・・流量計、１２Ａ〜１２Ｅ・・・弁、１３・・・
メカニカルブースターポンプ、１４・・・ロータリーポ
ンプ、１５・・・窒素供給口、１６・・・ヒーター、１
７・・・ガス導入管、２０・・・装置カバー、２１・・
・ヒーター、２２・・・弁。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ステージと、半導体基板を支持する針状突起が設けられ
    前記ステージ上におかれる支持板と、加熱源を有し前記
    支持板を覆うカバーを備えたカバー機構と、前記ステー
    ジと前記カバーとで囲まれた処理空間にガスを導入する
    ためのガス導入機構と、前記処理空間を減圧するための
    排気機構とを含むことを特徴とする半導体基板の乾燥装
    置。
JP2367490A 1990-02-02 1990-02-02 半導体基板の乾燥装置 Pending JPH03228313A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07135171A (ja) * 1993-05-20 1995-05-23 Tokyo Electron Ltd 塗膜の処理方法及び処理装置
JP2002343697A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Ricoh Opt Ind Co Ltd 高分子材料層の加熱方法及び装置
JP2008202930A (ja) * 2007-01-26 2008-09-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置

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