JPH02238616A

JPH02238616A - Ｈｍｄｓ処理装置

Info

Publication number: JPH02238616A
Application number: JP5941389A
Authority: JP
Inventors: Osamu Hirakawa; 修平河; Yoshio Kimura; 義雄木村; Masami Akumoto; 飽本　正己; Noriyuki Anai; 穴井　徳行; Mitsuru Ushijima; 満牛島
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1989-03-10
Filing date: 1989-03-10
Publication date: 1990-09-20
Anticipated expiration: 2013-06-11
Also published as: JP2764038B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的コ（産業上の利用分野）本発明は、基板の真空加熱処理装置に関する。

（従来の技術）一般に、基板の真空加熱処理装置は、例えば半導体製造
工程におけるレジスト塗布後の乾燥処理あるいはレジス
ト塗布前のＨＭＤＳ　（ヘキサメチルジシラザン）処理
、現像処理後の乾燥処理等のレジスト塗布現像装置に用
いられる。

第３図はこのような従来の基板の真空加熱処理装置の一
例を示すもので、基板例えば半導体ウエハ１を加熱処理
するための真空加熱処理装置には、図示しない加熱手段
例えば抵抗加熱ヒータを内蔵し、上面に載置された半導
体ウエハ１を加熱可能に構成された円板状の熱板２が設
けられており、この熱板２は図示しない駆動機構により
上下動可能に構成されている。

また、上記熱板２の周縁部には、上面にＯリング３を配
設されたフランジ４が設けられている。

一方、熱板２の上部には、この熱板２とほぼ同径の蓋体
５が設けられており、熱板２の上昇位置でこの蓋体５の
周縁部下面５ａにフランジ４のＯリング３が抑圧保持さ
れ、熱板２と蓋体５との間に気密な空間、すなわち処理
室が形成される如く構成されている。

さらに、熱板２の中心には、円孔２ａか形成されており
、この円孔２ａの周囲には円形の凹陥部２ｂか形成され
ている。そして、このこの凹陥部２ｂには、円孔２ａを
貫通する如く設けられた支持軸６によって支持され、上
面に半導体ウェハ１を吸着保持可能に構成された直径例
えば数十ミリ程度の円板状のチャック７が設けられてい
る。

すなわち、このチャック７は、半導体ウェハ１のロード
・アンロードを可能にするため熱板２を下降させた時に
、熱板２の上部に突出し、半導体ウエハ１を仮支持し、
半導体ウエハ１と熱板２との間に例えば搬送アーム等が
挿入可能な如く空間を形成するもので、熱板２の上昇位
置では、チャック７上而が熱板２上而と同一面内に位置
するよう構成されている。

なお、チャック７の下部にはＯリング８か設けられてお
り、熱板２の上昇位置では、このＯリング８によって熱
板２とチャック７との間の気密的なシールが行われるよ
う構成されている。

上記ネ１４成の従来の基板の真空加熱処理装置では、上
述のように熱板２を下降させた状態で、半導体ウエハ１
をチャック７上のみにロードし、この後熱板２を上昇さ
せて半導体ウエハ１を熱板２上面に接触させるとともに
、熱板２と蓋体５との間に気密な処理室を形成する。そ
して、図示しない真空排気装置によって処理室内を所望
の真空度に減圧するとともに熱板２によって半導体ウエ
ハｌを加熱し、例えば半導体ウエハ１に塗布されたフォ
１・レジス１・の乾燥を行う。また、レジスト塗布前の
ＨＭＤＳ処理を行う場合は、加熱、真空排気とともに、
処理室内にＨＭＤＳ蒸気を供給して処理を行う。

（発明が解決しようとする課題）一般に、レジスト塗布工程においては、レジスト塗布を
均一に行うためには被処理基板の面内温度分布を例えば
±０．５℃程度に保つ必要がある。

したがって、レジスト塗布の前処理として加熱処理例え
ばＨＭＤＳ処理を行う場合、被処理基板の面内温度分布
を上記値に保つことか要求される。

しかしながら、上記説明の従来の基板の真空加熱処理装
置では、ロード・アンロード時に被処理基板を仮支持す
るためのチャックが設けられているため、例えばこのチ
ャックに接する部分の彼処理基板の温度が低くなる等被
処理基板の面内温度分布が不均一になるという問題があ
る。

また、ＨＭＤＳ処理を行う場合、処理室内の真空度をあ
る程度上昇させることか好ましい。しかしながら、従来
の基板の真空加熱処理装置では、チ１・ツクの下面と熱
板との間にＯリングを設け、処理室内部を気密に保つよ
う構成されているので、外気圧により、上記チャックが
熱板から離れる方向に力を受け、この部分での気密性が
悪くなり、真空度か低下するという問題がある。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたちので
、従来に較べて被処理基板の市内温度分布の均一化およ
び処理室内の真空度の向」二を図ることのでぎる基板の
真空加熱処理装置を提供しょうとするものである。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）すなわち本発明は、熱板上而にレジスト塗布済みの被処
理基板を載置し、気密な処理空間を形成したのち、真空
排気して真空中で加熱する基板の真空加熱処理装置にお
いて、前記熱板に設けられた前記被処理基板を熱板から
離反させたい時上記熱板と相対的に移動する複数のピン
と、これらのピンの周囲を囲繞する如く設けられ上記処
理空間を気密に保持するベローズとを設けたことを特徴
とする。

（作　用）本発明の基板の真空加熱処理装置では、熱板の下部から
該熱板に設けられた透孔を貫通する如く設けられ、熱板
との相対的移動により被処理基板を熱板の上方に仮支持
する複数のピンと、これらのピンの周囲を囲繞する如く
設けられ内部を気密に保持するベローズとが設けられて
いる。

したがって、従来のようにチャック部の温度が低下する
ようなことがなく、半導体ウエハの面内温度分酊を均一
化することかでぎる。また、ベロズによって可動部分の
気密性を保持するので、真空漏れが生じに＜＜、処理室
内の真空度の向上を図ることができる。

（実施例）以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

基板の真空加熱処理装置２１には、図示しない加熱手段
例えば抵抗加熱ヒータを内蔵する円板状の熱板２２が設
けられており、この熱板２２は図示しない駆動機構によ
り上下動＝１能に構成されている。

また、上記熱板２２の周縁部には、上面にＯリング２３
を配設されたフランジ２４が設けられている。一方、熱
板２２の上部には、この熱板２２とほぼ同径の円板状の
蓋体２５が設けられており、熱板２２の上昇位置でこの
蓋体２５の周縁部下面２５ａにフランジ２４のＯリング
２３が押圧保持され、これらの間が気密に保持されて、
熱板２２と蓋体２５との間に気密な処理室を形成する如
く構成されている。

さらに、第２図にも示すように、熱板２２には、直径例
えば５１１ｍ程度の複数例えば３つの透孔２６が設けら
れており、これらの透孔２６に対応して熱板２２の下部
には材質例えばセラミックスからなる３本のピン２７が
ウエハの裏面を３点支持する如く、ピン支持体２８に上
下動自在に固定支持されて設けられている。また、これ
らのピン２７の周囲を囲繞し、内部を気密に隔離する如
く、上端部を熱板２２に固定された伸縮自在のべローズ
２９が設けられている。

すなわち、熱板２２を下降させると、ベローズ２９が収
縮するとともに、熱板２２の上部に３本のピン２７が突
出し、これらのピン２７上に被処理基板例えば半導体ウ
エハ３０を支持可能とされている。また、熱板２２を上
昇させると、ベローズ２９が伸張するとともに、ピン２
７が熱板２２内に収納された状態となり、ピン２７上に
支持された半導体ウエハ３０が熱板２２上に受け渡され
、熱板２２上に載置されるよう構成されている。

なお、ピン支持体２８が固定され、ベローズ２９の下端
部を閉塞する如く設けられた基板３１は、ハウジング３
２内のほぼ中央部に突出する如く設けられたスライドガ
イド３３と摺動する如くノ＼ウジング３２の底部と、こ
のハウジング３２内に設けられたべローズストツパ３４
との間を上下動自在に構成されている。すなわち、熱板
２２上昇時には、まず、基板３１がベローズストツパ３
４に当接されるまて熱板２２とともに上昇し、この後ベ
ローズ２９が伸張を開始するよう構成されている。これ
は、ベローズ２９の収縮長を減少させてベローズ２９の
消耗を抑制するとともに、ベロズ２９の全長を短くする
ことを可能とし、装置全体の高さを低く押えることを可
能とするもので、例えば同様に構成された基板の真空加
熱処理装置を上下方向に複数積み重ねて使用する場合等
に特に有効となる。

さらに、熱板２２およびフランジ２４には、図示しない
真空排気装置に接続された真空排気路３５が形成されて
おり、フランジ２４の上面に形成された多数のノズル３
６およびベローズ２つ内に開口するノズル３７によって
、熱板２２と蓋体２５との間（処理室）およびベローズ
２９内を真空排気可能に構成されている。なお、この実
施例では、常圧状態から真空排気を開始した際に、まず
ベローズ２９内の真空度が先行して上昇し、この後熱板
２２と蓋体２５との間の真空度が上昇するよう真空排気
路３５、ノズル３６、３７等の径が設定されている。こ
れはベローズ２９等の可動部分で発生した塵埃が熱板２
２と蓋体２５との間に侵入して半導体ウエハ３０に付着
しにくくするための構成である。また、フランジ２４の
上面に形成されたノズル３６は、熱板２２の周囲を囲む
如く多数例えば３６個（第２図にはその一部のみを示す
）設けられており、熱板２２と蓋体２５との間すなわち
処理室内を均一に減圧し、また例えばＨＭＤＳ蒸気を供
給する場合この蒸気の流れを均一に形成することができ
、均一な処理を可能とする如く構成されている。

上記構成のこの実施例の基板の真空加熱処理装置２１は
、例えばフォトレジストを塗布するためのコーティング
装置、フォトレジス１・に所望の回洛パターンからなる
マスクを介して露光する露光涜置、露光済みのフォｌ・
レジストを現像するためＤ現像装置等に被処理基板を順
次搬送して処理を１１うレジスト処理システム等に配置
され、次のようにして例えば半導体ウエハ３０に塗布さ
れたフォトレジストの乾燥処理、あるいはレジスト塗布
笥のＨＭＤＳ処理等を行う。

すなわち、まず熱板２２を下降させた状態で、列えばベ
ル１・あるいは搬送アーム等による搬送機隅により、半
導体ウエハ３０をピン２７上にロドずる。この後、熱板
２２を上昇させて半導体ウエハ３０を熱板２２上に移載
するとともに、熱板２２と蓋体２５との間に気密な処理
室を形成する。

そして、図示しない真空排気装置によって処理室内およ
びベローズ２９内を所望の真空度に減圧するとともに熱
板２２によって半導体ウエハ３０を加熱し、半導体ウエ
ハ３０に塗布されたフォＩ・レジストの乾燥を行う。ま
た、レジスト塗布前のＨＭＤＳ処理を行う場合は、加熱
、真空排気とともに、処理室内にＨＭＤＳ蒸気を供給し
て処理を行１］つ０この時、処理中においては、半導体ウエハ３０は、ピン
２７が配置された透孔２６の部分を除いてほぼ全面が加
熱板２２と接触した状態となる。

また、処理を終了してアンロードする１１，′ｉにおい
ても、半導体ウエハ３０は、接触面積の少ないピン２７
上に仮支持される。したがって、従来のようにチャック
部の温度が低下するようなことがなく、半導体ウエ八３
０の面内温度分布を均一化することができる。

また、ベローズ２９によって可動部分の気密性を保持す
るので、真空漏れが生じに＜＜、処理室内の真空度の向
上を図ることができる。

［発明の効果コ上述のように、本発明の基板の真空加熱処理装置によれ
ば、従来に較べて被処理基板の而内温度分布の均一化お
よび処理室内の真空度の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の基板の真空加熱処］２理装置の構成を示す縦断而図、第２図は第１図に示す基
板の真空加熱処理装置の上面図、第３図は従来の基板の
真空加熱処理装置の構成を示す縦断面図である。２〕・・・・・・基板の真空加熱処理装置、２２・・・
・・・熱板、２３・・・・・・０リング、２４・・・・
・フランジ、２５・・・・・・蓋体、２６・・・・透孔
、２７・・・・・・ピン、２８・・・・ピン支持体、２
つ・・・・・ベローズ、３０・・・・・半導体ウエハ、
３］・・・・・・基板、３２・・・・・・ハウジング、
３３・・・・・・スライドガイド、３４・・・・ベロー
ズストッパ、３５・・・・・真空排気路、３６．３７・
・・・・ノズル。出願人　　　　東京エレクトロン株式会社出願人　　　
　テル九州株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）熱板上面にレジスト塗布済みの被処理基板を載置
し、気密な処理空間を形成したのち、真空排気して真空
中で加熱する基板の真空加熱処理装置において、前記熱板に設けられた前記被処理基板を熱板から離反さ
せたい時上記熱板と相対的に移動する複数のピンと、こ
れらのピンの周囲を囲繞する如く設けられ上記処理空間
を気密に保持するベローズとを設けたことを特徴とする
基板の真空加熱処理装置。