JPH04167515A - 半導体装置の製造方法及びその装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びその装置Info
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- JPH04167515A JPH04167515A JP29500390A JP29500390A JPH04167515A JP H04167515 A JPH04167515 A JP H04167515A JP 29500390 A JP29500390 A JP 29500390A JP 29500390 A JP29500390 A JP 29500390A JP H04167515 A JPH04167515 A JP H04167515A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板
（以下ウェハーという）表面へのフォトレジスト塗布の
前処理を行う半導体装置の製造装置に関する。
（以下ウェハーという）表面へのフォトレジスト塗布の
前処理を行う半導体装置の製造装置に関する。
〔従来の技術］
従来、この種の半導体装置の製造装置は、フォトレジス
トとウェハーとの間に現像液やエツチング液が浸み込む
ことを防ぐために、第３図に示すように、ヘキサメチル
ジシラザンの気化ガス（以下ＨＭＤＳという）による前
処理を行っていた。
トとウェハーとの間に現像液やエツチング液が浸み込む
ことを防ぐために、第３図に示すように、ヘキサメチル
ジシラザンの気化ガス（以下ＨＭＤＳという）による前
処理を行っていた。
ＨＭＤＳ供給ユニット３０４よりＨＭＤＳ供給管３０５
を通って、ウェハー支持ビン３０２によりカバー３０７
内に支持されたウェハー３０１に吹き付けられる。この
とき、ウェハー３０１は加熱器３０３によって５０〜８
０’Ｃ程度に加熱される。
を通って、ウェハー支持ビン３０２によりカバー３０７
内に支持されたウェハー３０１に吹き付けられる。この
とき、ウェハー３０１は加熱器３０３によって５０〜８
０’Ｃ程度に加熱される。
ＨＭＤＳがウェハー３０１に吹き付けられるのと同時に
、排気ユニット３１２により排気管３０８を介して余剰
ＨＭＤＳを排気する。すなわち、この種の半導体装置の
製造装置はウェハー３０１を加熱しなからＨＭＤＳをウ
ェハー３０１に吹き付ける構造となっていた。
、排気ユニット３１２により排気管３０８を介して余剰
ＨＭＤＳを排気する。すなわち、この種の半導体装置の
製造装置はウェハー３０１を加熱しなからＨＭＤＳをウ
ェハー３０１に吹き付ける構造となっていた。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の半導体装置の製造装置は、ウェハー表面
が親水性である状態でＨＭＤＳによる処理を行い、フォ
トレジストを塗布していた。第５図に示すようにウェハ
ー表面にシリコン酸化膜５ｏ１がある場合、様々な処理
（例えばフッ酸によるエツチング）によりウェハー表面
に吸着水があり、親水性になっている。表面に吸着水が
残ったままＨＭＤＳ処理を行うと、吸着水５ｏ２が完全
には取り除くことはできず、フォトレジストとウェハー
表面との間に現像液やエツチング液が浸み込む原因とな
っている。従来の半導体装置の製造装置の場合、ＨＭＤ
Ｓ処理は６０〜１２０秒行う必要がある。一方、ＨＭＤ
Ｓ処理を２４０秒程度以上行うと、ウェハー表面とフォ
トレジストとの間で窒素が気化し、フォトレジストのパ
ターンが崩れてしまう。従来の半導体装置の製造装置で
は、短時間で効果的なＨＭＤＳ処理は行えなかった。
が親水性である状態でＨＭＤＳによる処理を行い、フォ
トレジストを塗布していた。第５図に示すようにウェハ
ー表面にシリコン酸化膜５ｏ１がある場合、様々な処理
（例えばフッ酸によるエツチング）によりウェハー表面
に吸着水があり、親水性になっている。表面に吸着水が
残ったままＨＭＤＳ処理を行うと、吸着水５ｏ２が完全
には取り除くことはできず、フォトレジストとウェハー
表面との間に現像液やエツチング液が浸み込む原因とな
っている。従来の半導体装置の製造装置の場合、ＨＭＤ
Ｓ処理は６０〜１２０秒行う必要がある。一方、ＨＭＤ
Ｓ処理を２４０秒程度以上行うと、ウェハー表面とフォ
トレジストとの間で窒素が気化し、フォトレジストのパ
ターンが崩れてしまう。従来の半導体装置の製造装置で
は、短時間で効果的なＨＭＤＳ処理は行えなかった。
本発明の目的は、吸着水をほぼ完全に取り去るようにし
た半導体装置の製造方法及びその装置を提供することに
ある。
た半導体装置の製造方法及びその装置を提供することに
ある。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製
造方法においては、真空処理工程を有し、半導体基板表
面へのフォトレジスト塗布の前処理を行う半導体装置の
製造方法であって、真空処理工程は、半導体基板にフォ
トレジスト塗布の前処理としての真空処理を行い、基板
表面を親水性から疎水性に変化させるものである。
造方法においては、真空処理工程を有し、半導体基板表
面へのフォトレジスト塗布の前処理を行う半導体装置の
製造方法であって、真空処理工程は、半導体基板にフォ
トレジスト塗布の前処理としての真空処理を行い、基板
表面を親水性から疎水性に変化させるものである。
また、本発明に係る半導体装置の製造装置においては、
カバーと、真空排気ユニットとを有し、半導体基板表面
へのフォトレジスト塗布の前処理として真空処理を行う
半導体装置の製造装置であって、 カバーは、半導体基板を収納するものであり、真空排気
ユニットは、カバー内を真空排気するものである。
カバーと、真空排気ユニットとを有し、半導体基板表面
へのフォトレジスト塗布の前処理として真空処理を行う
半導体装置の製造装置であって、 カバーは、半導体基板を収納するものであり、真空排気
ユニットは、カバー内を真空排気するものである。
［作用］
フォトレジスト塗布の前処理として行うＨＭＤＳによる
処理の前に真空処理を行う。
処理の前に真空処理を行う。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は、本発明の実施例１を示す断面図である。
図において、本発明装置は、加熱器１０３上に半導体基
板（以下、ウェハーという）１０１をウェハー支持ビン
１０２で支持し、カバー１０７にて完全密閉するように
なっており、カバー１０７は、真空排気ユニット１０９
にて排気管１０８を介して真空排気されるものである。
板（以下、ウェハーという）１０１をウェハー支持ビン
１０２で支持し、カバー１０７にて完全密閉するように
なっており、カバー１０７は、真空排気ユニット１０９
にて排気管１０８を介して真空排気されるものである。
また、カバー１０７には、ＨＭＤＳ供給バルブ１０６を
備えたＨ Ｍ Ｄ Ｓ供給管１０５がウェハー１０１の
表面に向き合せに開口してあり、供給管１０５は、ＨＭ
ＤＳ供給ユニット１０４に接続されている。
備えたＨ Ｍ Ｄ Ｓ供給管１０５がウェハー１０１の
表面に向き合せに開口してあり、供給管１０５は、ＨＭ
ＤＳ供給ユニット１０４に接続されている。
実施例において、ウェハー１０１は、ウェハー支持ビン
１０２上にのせられ、上部からカバー１Ｏ７により完全
密閉される。次にウェハー１０１は、加熱器１０３によ
り５０〜８０℃程度に加熱されながら、カバー１０７内
は真空排気ユニット１０９により１０−’Ｔｏｒｒ程度
まで排気される。
１０２上にのせられ、上部からカバー１Ｏ７により完全
密閉される。次にウェハー１０１は、加熱器１０３によ
り５０〜８０℃程度に加熱されながら、カバー１０７内
は真空排気ユニット１０９により１０−’Ｔｏｒｒ程度
まで排気される。
このときＨＭＤＳ供給バルブ１０６は閉じている。
１０’Ｔｏｒｒ程度までカバー１０７内を排気した後に
）（ＭＤＳ供給バルブ１０６を開け、ＨＭＤＳ供給ユニ
ットＩ０４よりＨＭＤＳをウェハー１０１に吹き付ける
。ＨＭＤＳは、１０〜３０秒程度ウェハー１０１に吹き
付け、フォトレジスト塗布の前処理は完了する。
）（ＭＤＳ供給バルブ１０６を開け、ＨＭＤＳ供給ユニ
ットＩ０４よりＨＭＤＳをウェハー１０１に吹き付ける
。ＨＭＤＳは、１０〜３０秒程度ウェハー１０１に吹き
付け、フォトレジスト塗布の前処理は完了する。
（実施例２）
第２図は、本発明の実施例２を示す断面図である。
ウェハー２０１は真空チャック２１０に固定され、回転
ユニット２１１により回転させることができる。真空排
気ユニット１０９によりカバー２０７内を排気するとき
、ウェハー２０１を回転させることにより効果的に吸着
水を取り除くことができる。また、ＨＭＤＳ処理を行う
際、ウェハ−２０１を回転させることにより、より短時
間でウェハー面内均一にＨＭＤＳ処理を行うことができ
る。その他の構成は、実施例１と同じである。
ユニット２１１により回転させることができる。真空排
気ユニット１０９によりカバー２０７内を排気するとき
、ウェハー２０１を回転させることにより効果的に吸着
水を取り除くことができる。また、ＨＭＤＳ処理を行う
際、ウェハ−２０１を回転させることにより、より短時
間でウェハー面内均一にＨＭＤＳ処理を行うことができ
る。その他の構成は、実施例１と同じである。
以上の実施例から明らかなように、フォトレジスト塗布
の前処理として行うＨＭＤＳ処理の前に真空処理を行う
ことで、第４図に一例を示すように、シリコン酸化膜４
０１の表面より、吸着水４０２をほぼ完全に取り去るこ
とが可能であり、ウェハー表面を親水性から疎水性へと
変えることができ、ＨＭＤＳ処理を従来と同じ時間行っ
た場合、フォトレジストとウェハー表面の間へのエツチ
ング液の浸み込みをフッ酸によるエツチング処理１０分
で１．０μｍ程度から０．５μｍ程度に減らすことがで
きる。言い換えれば本発明において、従来のエツチング
液の浸み込み量と同等の浸み込み量を得るには、従来の
ＨＭＤＳ処理時間の半分の時間で済む。
の前処理として行うＨＭＤＳ処理の前に真空処理を行う
ことで、第４図に一例を示すように、シリコン酸化膜４
０１の表面より、吸着水４０２をほぼ完全に取り去るこ
とが可能であり、ウェハー表面を親水性から疎水性へと
変えることができ、ＨＭＤＳ処理を従来と同じ時間行っ
た場合、フォトレジストとウェハー表面の間へのエツチ
ング液の浸み込みをフッ酸によるエツチング処理１０分
で１．０μｍ程度から０．５μｍ程度に減らすことがで
きる。言い換えれば本発明において、従来のエツチング
液の浸み込み量と同等の浸み込み量を得るには、従来の
ＨＭＤＳ処理時間の半分の時間で済む。
〔発明の効果Ｊ
以上説明したように本発明によれば、ウェハー表面を親
水性から疎水性に変化させることができ、短時間で効果
的なＨＭＤＳ処理を行うことができる。
水性から疎水性に変化させることができ、短時間で効果
的なＨＭＤＳ処理を行うことができる。
第１図は１本発明の実施例１を示す断面図、第２図は、
本発明の実施例２を示す断面図、第３図は、従来例を示
す断面図、第４図は、本発明の装置を用いた場合のウェ
ハー表面状態を示す図、第５図は、従来例の装置を用い
た場合のウェハー表面状態を示す図である。 １０１．２０１・・・ウェハー １０２・・・ウェハー支持ピン １０３・・・加熱器１
０４・・・ＨＭＤＳ供給ユニット １０５・・・ＨＭＤＳ供給管 １０６・・・ＨＭＤＳ供給バルブ １０７．２０７・・・カバー １０８・・・排気管１
０９・・・真空排気ユニット ２１０・・・真空チャック ２１１ ・・回転ユニッ
ト特許呂願入 日本電気株式会社 −くじ− 第２図 、５７． ”／ゴ 第４図
本発明の実施例２を示す断面図、第３図は、従来例を示
す断面図、第４図は、本発明の装置を用いた場合のウェ
ハー表面状態を示す図、第５図は、従来例の装置を用い
た場合のウェハー表面状態を示す図である。 １０１．２０１・・・ウェハー １０２・・・ウェハー支持ピン １０３・・・加熱器１
０４・・・ＨＭＤＳ供給ユニット １０５・・・ＨＭＤＳ供給管 １０６・・・ＨＭＤＳ供給バルブ １０７．２０７・・・カバー １０８・・・排気管１
０９・・・真空排気ユニット ２１０・・・真空チャック ２１１ ・・回転ユニッ
ト特許呂願入 日本電気株式会社 −くじ− 第２図 、５７． ”／ゴ 第４図
Claims (2)
- （１）真空処理工程を有し、半導体基板表面へのフォト
レジスト塗布の前処理を行う半導体装置の製造方法であ
って、 真空処理工程は、半導体基板にフォトレジスト塗布の前
処理としての真空処理を行い、基板表面を親水性から疎
水性に変化させる工程であることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - （２）カバーと、真空排気ユニットとを有し、半導体基
板表面へのフォトレジスト塗布の前処理として真空処理
を行う半導体装置の製造装置であって、 カバーは、半導体基板を収納するものであり、真空排気
ユニットは、カバー内を真空排気するものであることを
特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29500390A JPH04167515A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29500390A JPH04167515A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167515A true JPH04167515A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17815082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29500390A Pending JPH04167515A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体装置の製造方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312329A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化処理装置および密着強化処理方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134948A (ja) * | 1984-05-21 | 1986-02-19 | マシン テクノロジ− インコ−ポレイテツド | 処理方法と装置 |
| JPH02238616A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Tokyo Electron Ltd | Ｈｍｄｓ処理装置 |
| JPH04158511A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-01 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JPH04212408A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置 |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29500390A patent/JPH04167515A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134948A (ja) * | 1984-05-21 | 1986-02-19 | マシン テクノロジ− インコ−ポレイテツド | 処理方法と装置 |
| JPH02238616A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Tokyo Electron Ltd | Ｈｍｄｓ処理装置 |
| JPH04212408A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置 |
| JPH04158511A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-01 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312329A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化処理装置および密着強化処理方法 |
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